JP2013152425A - 反射防止膜及び光学素子 - Google Patents
反射防止膜及び光学素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013152425A JP2013152425A JP2012225716A JP2012225716A JP2013152425A JP 2013152425 A JP2013152425 A JP 2013152425A JP 2012225716 A JP2012225716 A JP 2012225716A JP 2012225716 A JP2012225716 A JP 2012225716A JP 2013152425 A JP2013152425 A JP 2013152425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- antireflection film
- film
- intermediate layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 67
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 118
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 435
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 claims description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 24
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 16
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 14
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 13
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims description 13
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical group 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 6
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000003755 zirconium compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 313
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 28
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 14
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 description 11
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 4
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000511976 Hoya Species 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- FFUUQWKRQSBSGU-UHFFFAOYSA-N dipropylsilicon Chemical compound CCC[Si]CCC FFUUQWKRQSBSGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 108010049640 osmotic shock released antigen Proteins 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNJCRKROKIPREU-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,10,10,10-heptadecafluorodecyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCC(F)(F)F HNJCRKROKIPREU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCCl KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCCl KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZCWFJMZVXHYQA-UHFFFAOYSA-N 3-dimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[SiH](OC)CCCOC(=O)C(C)=C BZCWFJMZVXHYQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLTGMIOSTSUEES-UHFFFAOYSA-N CCCCO[SiH](C(C)CC)OCCCC Chemical compound CCCCO[SiH](C(C)CC)OCCCC NLTGMIOSTSUEES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPKWLNHXHVMOBJ-UHFFFAOYSA-N CCCCO[SiH](CCC)CCC Chemical compound CCCCO[SiH](CCC)CCC IPKWLNHXHVMOBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTHKCSDJQGWPJY-UHFFFAOYSA-N CCCC[SiH](OC)OC Chemical compound CCCC[SiH](OC)OC NTHKCSDJQGWPJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMPGBDYFVDJHLK-UHFFFAOYSA-N CCCC[SiH](OCCC)OCCC Chemical compound CCCC[SiH](OCCC)OCCC PMPGBDYFVDJHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWFZAAGYIJTNNS-UHFFFAOYSA-N CCCO[Si](C)OCCC Chemical compound CCCO[Si](C)OCCC KWFZAAGYIJTNNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOIFXTRHAJAXOW-UHFFFAOYSA-N CCO[SiH](OCC)C(C)CC Chemical compound CCO[SiH](OCC)C(C)CC NOIFXTRHAJAXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004965 Silica aerogel Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GVCJFBPGIITONJ-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl(dimethoxy)silane Chemical compound CCC(C)[SiH](OC)OC GVCJFBPGIITONJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXGZTBCZUKFZLV-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl(dipropoxy)silane Chemical compound CCCO[SiH](C(C)CC)OCCC VXGZTBCZUKFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- CWLHIHREMPKWDY-UHFFFAOYSA-N butoxy(diethyl)silane Chemical compound CCCCO[SiH](CC)CC CWLHIHREMPKWDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOKKGFZWZZLHEK-UHFFFAOYSA-N butoxy(dimethyl)silane Chemical compound CCCCO[SiH](C)C SOKKGFZWZZLHEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DALMMFLTKSAASI-UHFFFAOYSA-N butoxy-ethyl-methylsilane Chemical compound CCCCO[SiH](C)CC DALMMFLTKSAASI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N butoxysilane Chemical compound CCCCO[SiH3] ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZEZXMFBCRYGNNP-UHFFFAOYSA-N butyl(diethoxy)silane Chemical compound CCCC[SiH](OCC)OCC ZEZXMFBCRYGNNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- SJJCABYOVIHNPZ-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1CCCCC1 SJJCABYOVIHNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- DOJBUDQOPFLZAZ-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(butyl)silane Chemical compound CCCCO[SiH](CCCC)OCCCC DOJBUDQOPFLZAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLTKQPNYFHYCNQ-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(ethyl)silane Chemical compound CCCCO[SiH](CC)OCCCC PLTKQPNYFHYCNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TTYHSEJYYROOSI-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[SiH](C)OCCCC TTYHSEJYYROOSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSXQSMNVGLDLOK-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(phenyl)silane Chemical compound CCCCO[SiH](OCCCC)C1=CC=CC=C1 MSXQSMNVGLDLOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOKWBHQBXAUBCJ-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(propyl)silane Chemical compound CCCCO[SiH](CCC)OCCCC BOKWBHQBXAUBCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWTJVXCCMKLQKS-UHFFFAOYSA-N diethoxy(ethyl)silicon Chemical compound CCO[Si](CC)OCC ZWTJVXCCMKLQKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N diethoxy(methyl)silicon Chemical compound CCO[Si](C)OCC GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BODAWKLCLUZBEZ-UHFFFAOYSA-N diethoxy(phenyl)silicon Chemical compound CCO[Si](OCC)C1=CC=CC=C1 BODAWKLCLUZBEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZQNBVBLHJXOEA-UHFFFAOYSA-N diethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[SiH](OCC)OCC FZQNBVBLHJXOEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGXPASZXUJQWLQ-UHFFFAOYSA-N diethyl(methoxy)silane Chemical compound CC[SiH](CC)OC DGXPASZXUJQWLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXYZNGVUWBFEID-UHFFFAOYSA-N diethyl(propoxy)silane Chemical compound CCCO[SiH](CC)CC MXYZNGVUWBFEID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(methyl)silicon Chemical compound CO[Si](C)OC PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIQDYIQMZXESRD-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[SiH](OC)C1=CC=CC=C1 CIQDYIQMZXESRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGKDAFJDYSMACD-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[SiH](OC)OC SGKDAFJDYSMACD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBCPEZPOCJYHPM-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-octadecylsilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](C)(OC)OC UBCPEZPOCJYHPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEHPKGIJAWBJMV-UHFFFAOYSA-N dimethyl(propoxy)silane Chemical compound CCCO[SiH](C)C BEHPKGIJAWBJMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBLGAWHITBYJEU-UHFFFAOYSA-N dipropoxy(propyl)silane Chemical compound CCCO[SiH](CCC)OCCC BBLGAWHITBYJEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C=C)OCC MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- XSAUEOCQIPDIQK-UHFFFAOYSA-N ethoxy(diethyl)silane Chemical compound CCO[SiH](CC)CC XSAUEOCQIPDIQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRUOQOFQRYFQGB-UHFFFAOYSA-N ethoxy(dimethyl)silicon Chemical compound CCO[Si](C)C DRUOQOFQRYFQGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVPZVPJEQJLKLJ-UHFFFAOYSA-N ethoxy-ethyl-methylsilane Chemical compound CCO[SiH](C)CC PVPZVPJEQJLKLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOAJCPQRBYGAKO-UHFFFAOYSA-N ethoxy-methyl-propylsilane Chemical compound CCC[SiH](C)OCC FOAJCPQRBYGAKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- YSLVSGVAVRTLAV-UHFFFAOYSA-N ethyl(dimethoxy)silane Chemical compound CC[SiH](OC)OC YSLVSGVAVRTLAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNFBSHKADAKNSK-UHFFFAOYSA-N ethyl(dipropoxy)silane Chemical compound CCCO[SiH](CC)OCCC BNFBSHKADAKNSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRJZPAJSRRGSNS-UHFFFAOYSA-N ethyl-methoxy-methylsilane Chemical compound CC[SiH](C)OC PRJZPAJSRRGSNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STDUJDXDAHSTSQ-UHFFFAOYSA-N ethyl-methyl-propoxysilane Chemical compound CCCO[SiH](C)CC STDUJDXDAHSTSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- MDLRQEHNDJOFQN-UHFFFAOYSA-N methoxy(dimethyl)silicon Chemical compound CO[Si](C)C MDLRQEHNDJOFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJSHLJUYMXUGAZ-UHFFFAOYSA-N methoxy-methyl-propylsilane Chemical compound CCC[SiH](C)OC UJSHLJUYMXUGAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- AOKZNNDSKORWAG-UHFFFAOYSA-N methyl-propoxy-propylsilane Chemical compound CCCO[SiH](C)CCC AOKZNNDSKORWAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N octadecyltrimethoxysilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- JFJRLGIMKOMFAZ-UHFFFAOYSA-N phenyl(dipropoxy)silane Chemical compound CCCO[SiH](OCCC)C1=CC=CC=C1 JFJRLGIMKOMFAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000006187 pill Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- NSWIHFBXSOMSAX-UHFFFAOYSA-N propoxy(dipropyl)silane Chemical compound CCCO[SiH](CCC)CCC NSWIHFBXSOMSAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000009283 thermal hydrolysis Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N tributoxysilane Chemical compound CCCCO[SiH](OCCCC)OCCCC UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N triethoxy(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N tripropoxysilane Chemical compound CCCO[SiH](OCCC)OCCC OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/111—Anti-reflection coatings using layers comprising organic materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/755—Nanosheet or quantum barrier/well, i.e. layer structure having one dimension or thickness of 100 nm or less
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】上記課題を解決するため、基材20上に順次積層される中間層12と低屈折率層13とを備え、光学干渉作用により入射光の反射を防止する反射防止膜10であって、当該低屈折率層13は、層構成材料を含む塗工液を用いて湿式成膜法により当該中間層12の表面に成膜された中空シリカ粒子131がバインダ132により結着されて成る層であり、当該中間層12は、当該バインダ132との密着性のよい有機金属化合物を主成分とし、当該塗工液に対して濡れ性を有する層であることを特徴とする反射防止膜及びこの反射防止膜を備える光学素子を提供する。
【選択図】図1
Description
まず、本件発明に係る反射防止膜10について説明する。本件発明に係る反射防止膜10は、基材20上に順次積層される中間層12と、低屈折率層13とを備え、光学干渉作用により入射光の反射を防止するものである。基材20と中間層12との間には、図1に示すように無機材料から成る無機下地層11を備えることができる。本件発明において、低屈折率層13は、図2(a)、(b)に示すように、中空シリカ粒子131がバインダ132で結着された構成を有している。本件発明では、基材20上に、当該バインダ132との密着性のよい有機金属化合物を主成分とし、低屈折率層13を成膜する際に用いる塗工液に対して濡れ性を有する中間層12を設け、この中間層12の表面に低屈折率層13を成膜することにより、湿式成膜法で成膜される低屈折率層13の成膜性及び基材20との密着性を向上したものである。以下、基材20及び反射防止膜10を構成する各層について順に説明する。
まず、反射防止膜10が設けられる基材20について説明する。本件発明では、当該反射防止膜10が設けられる基材20として光学素子基材を用いることができる。光学素子基材は、ガラス製であってもよいし、プラスチック製であってもよく、その材質に特に限定はない。例えば、レンズ、プリズム(色分解プリズム、色合成プリズム等)、偏光ビームスプリッター(PBS)、カットフィルタ(赤外線用、紫外線用等)など各種の光学素子基材20を用いることができる。本件発明では、上述した通り、中間層12の表面に低屈折率層13を設けるため、湿式成膜法を採用する場合であっても、レンズ曲率の大きい小型のレンズ等についても低屈折率層13を良好に成膜することができ、その密着性も優れたものとすることができる。このため、このような小型レンズについても基材20として良好に用いることができる。
次に、無機下地層11について説明する。本件発明では、上述したとおり、基材20と中間層12との間に無機下地層11を設けることができる。無機下地層11は無機材料から成る層であり、光学干渉層として機能する。光学干渉層とは、入射光に対する界面反射光の位相変化を所定の値とすべく、薄膜の特性マトリックスに基づいて、屈折率と光学膜厚とが所定の値になるように光学設計された光学薄膜をいう。
次に、中間層12について説明する。中間層12は、低屈折率層13の層構成材料の一つであるバインダ132との密着性が良好な有機金属化合物を主成分とし、低屈折率層13の層構成材料(中空シリカ粒子131、バインダ132)を含む塗工液に対して濡れ性を有する層である。
真空成膜法は、無機下地層11において説明した方法と同様の方法を採用することができる。当該方法を採用することにより、膜厚の制御が容易であり、中間層12の物理膜厚が1nm以上150nm以下となるように、中間層12の物理膜厚を制御よく成膜することができる。従って、中間層12を上述のように光学干渉層として機能させる場合、中間層12の膜厚を精度よく制御することができるという観点から、当該真空成膜法を採用することが好ましい。
次に、湿式成膜法について説明する。中間層12を成膜する際に、湿式成膜法を採用する場合、ディップコート法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコーティング法、スクリーン印刷法を採用することができる。基材20の形状、成膜する膜厚等に応じて、適宜、適切な手法を採用することができる。これらの方法は、従来公知の方法等を適宜採用することができる。例えば、エチルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−(N,N−ジグリシジル)アミノプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシシプロピルトリメトキシシランやジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、3−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルジメトキシシラン、オクタデシルメチルジメトキシシラン等を用いることにより、有機ケイ素化合物から成る中間層12を得ることができる。
その他、中間層12を成膜する際には、上述した以外の方法についても適宜採用することができ、例えば、熱加水分解による方法や、原子層堆積装置(ALD装置)等を用いて中間層12を成膜してもよい。
次に、低屈折率層13について説明する。低屈折率層13は、既に述べた通り、上記低屈折率層13上に湿式成膜法により成膜される層であり、中空シリカ粒子131が前記バインダ132により結着されて成る層である。
本件発明においては、図1に示すように、低屈折率層13の表面に、屈折率が1.30以上2.35以下であり、且つ、物理膜厚が0.1nm以上30nm以下の機能層14を設けてもよい。本件発明に係る反射防止膜10は、基材20上に設けられる中間層12及び低屈折率層13から成る光学的二層構造、又は、無機下地層11、中間層12及び低屈折率層13から成る光学的三層構造を反射防止機能に関する主たる構成としている。機能層14は、これらの光学的二層構造又は光学的三層構造により得られる反射防止性能に光学的な影響を与えない透明な極薄い膜であって、反射防止膜10の表面の硬度、耐擦傷性、耐熱性、耐候性、耐溶剤性、撥水性、撥油性、防曇性、親水性、耐防汚性、導電性等の向上等の機能を有する層を指す。
本件発明に係る反射防止膜10を、無機下地層11、中間層12及び低屈折率層13の光学的三層構造を備える構成とする場合、各層の物理膜厚を上述した好ましい範囲内とすることにより、入射角0度で入射する波長400nm以上800nm以下の光に対する反射率が0.5%以下にすることができ、入射角0度以上45度以下で入射する波長400nm以上700nm以下の光に対する反射率が1.0%以下にすることができる。
本件発明に係る光学素子100は、上記記載の反射防止膜10を備えることを特徴とする。光学素子100としては、撮影光学素子や投影光学素子を挙げることができ、具体的には、レンズ、プリズム(色分解プリズム、色合成プリズム等)、偏光ビームスプリッター(PBS)、カットフィルタ(赤外線用、紫外線用等)などを挙げることができる。また、レンズとして、例えば、一眼レフカメラの交換レンズやデジタルカメラ(DSC)に搭載されるレンズ、携帯電話機に搭載されるデジタルカメラ用のレンズ他、各種のレンズが挙げられる。なお、図1に示す光学素子100は、本件発明の一例であり、層構成等を模式的に示したものに過ぎない。
なお、以下の表1〜表8では、中間層12を構成する成分と共に、中間層12を形成する際に用いた材料を括弧内に表示する。
比較例1の反射防止膜として、層構成及び各層の厚みを表9に示す通りとし、中間層12を設けなかったこと以外は、実施例1と略同様にして基板20上に反射防止膜を作製した。
比較例2では、基材20として、SCHOTT AG社製のN−LAK14を用い、層構成及び各層の厚みを表10に示す通りとし、中間層12を設けなかった以外は、実施例1と略同様にして成膜した。
1.評価方法
上記実施例1〜実施例8で得られた各反射防止膜10と、比較例1及び比較例2の反射防止膜の成膜性、密着性及び反射防止特性について評価した。なお、以下において、実施例で作製した反射防止膜10と、比較例で作製した反射防止膜とを同時に指す時は、反射防止膜(10)と記載する。
上記各反射防止膜(10)の成膜性を、反射防止膜(10)の外観により評価した。反射防止膜10を成膜した後の上記各反射防止膜(10)の外観をそれぞれ目視により評価した。
上記各反射防止膜(10)の密着性を、反射防止膜(10)の膜強度により評価した。膜強度の評価に際しては、椿本工業株式会社製のアルティワイプを用いて、所定の荷重を付加して、各反射防止膜(10)の表面を往復で10回擦ったときの、各反射防止膜(10)の外観の変化の有無をそれぞれ観察した。但し、各反射防止膜(10)の表面を擦るときの荷重は、20g、100g、500gとした。なお、荷重20gは、反射防止膜(10)の表面をなでる程度の負荷に等しく、荷重100gは、反射防止膜(10)の表面を軽く拭く程度の負荷に等しく、荷重500gは、反射防止膜(10)の表面を強く拭く程度の負荷に等しい。
上記各反射防止膜(10)に対する光線の入射角を0度及び45度とし、各入射角において入射光の波長域を400〜700nmの範囲で、各反射防止膜(10)の分光反射率を測定した。分光反射率の測定に際しては、株式会社日立ハイテクノロジーズ社製の分光光度計U4000を用いた。
(1)成膜性
表11に、各実施例及び各比較例で作製した反射防止膜(10)の外観を評価した結果を示す。表11において、「○」は反射防止膜(10)の外観が良好であることを示し、「△」は外観が良好でないことを示している。表11に示すように、中間層12を設けなかった、いずれの比較例1、2の反射防止膜も外観が良好でないことが確認された。これに対して、中間層12を設けた実施例1〜8の反射防止膜10は、何れも外観が良好であることが確認された。このことから、低屈折率層13を中間層12の表面に設けることにより、湿式成膜法で成膜される低屈折率層13の成膜性が向上し、外観上、ムラのない均一な反射防止膜10が得られることがわかる。これに対して、中間層12を設けなかった場合には、基材20又は無機下地層11に対して、湿式成膜法で成膜される低屈折率層13の塗工液の濡れ性が悪く、低屈折率層13を秀麗に成膜することができず、その結果、低屈折率層13の成膜性も低下し、反射防止膜の外観も劣化した。
表11に、各実施例及び各比較例で作製した反射防止膜(10)の膜強度を評価した結果を示す。表11において、「○」は当該評価試験の前後において外観に変化が見られなかったことを示す。すなわち、「○」は、反射防止膜(10)の膜強度が高いこと、すなわち、基材に対する反射防止膜(10)の密着性が優れていることを示す。また、「×」は評価試験の後に外観が劣化し、反射防止膜(10)の強度が低いこと、すなわち、基材に対する反射防止膜(10)の密着性が低いことを示す。更に、「△」は、微細なキズが一部の領域にのみ観察されたことを示し、基材に対する反射防止膜(10)の密着性がやや低いことを示す。
図3〜図10に、それぞれ実施例1〜実施例8で作製した反射防止膜10の測定結果を示す。また、図11及び図12に、比較例1及び比較例2で作製した反射防止膜の測定結果を示す。また、入射光の波長域が400nm〜700nmである場合において、入射角0°及び入射角45°における反射率の最大値を表11に示す。
11・・・無機下地層
12・・・中間層
13・・・低屈折率層
14・・・機能層
20・・・基材
100・・・光学素子
Claims (14)
- 基材上に順次積層される中間層と低屈折率層とを備え、光学干渉作用により入射光の反射を防止する反射防止膜であって、
当該低屈折率層は、層構成材料を含む塗工液を用いて湿式成膜法により当該中間層の表面に成膜された中空シリカ粒子がバインダにより結着されて成る層であり、
当該中間層は、当該バインダとの密着性のよい有機金属化合物を主成分とし、当該塗工液に対して濡れ性を有する層である、
ことを特徴とする反射防止膜。 - 前記中間層は、有機ケイ素化合物を主成分とする有機ケイ素化合物層である請求項1に記載の反射防止膜。
- 前記中間層は、有機チタン化合物又は有機ジルコニウム化合物を主成分とする層である請求項1又は請求項2に記載の反射防止膜。
- 前記中間層は、自己組織化単分子膜から成る層である請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の反射防止膜。
- 前記中間層は、真空成膜法又は湿式成膜法により形成された層である請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の反射防止膜。
- 前記基材と前記中間層との間に、光学干渉層としての無機材料から成る無機下地層を備える請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の反射防止膜。
- 前記無機下地層は、屈折率が1.35以上2.5以下の透明無機材料からなる単層膜又は、当該透明無機材料からなる薄層が複数層積層された多層膜である請求項7に記載の反射防止膜。
- 前記中間層の表面には、前記塗工液に対する濡れ性を向上するための表面処理が施されている請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載の反射防止膜。
- 前記中空シリカ粒子の平均粒径は5nm以上100nm以下であり、
前記中空シリカ粒子は、その外側が前記バインダにより被覆された状態で前記バインダにより互いに結着されており、
前記低屈折率層内には、前記中空シリカ粒子内の中空部以外の空隙部が存在し、且つ、当該低屈折率層の屈折率は1.15以上1.24以下である請求項1〜請求項9のいずれか一項に記載の反射防止膜。 - 前記低屈折率層の表面に、屈折率が1.30以上2.35以下であり、且つ、物理膜厚が1nm以上30nm以下の機能層を備える請求項1〜請求項10のいずれか一項に記載の反射防止膜。
- 入射角0度で入射する波長400nm以上700nm以下の光に対する反射率が0.5%以下であり、入射角0度以上45度以下で入射する波長400nm以上700nm以下の光に対する反射率が1.0%以下である請求項1〜請求項11のいずれか一項に記載の反射防止膜。
- 前記基材は、光学素子基材である請求項1〜請求項12のいずれか一項に記載の反射防止膜。
- 請求項1〜請求項13のいずれか一項に記載の反射防止膜を備えることを特徴とする光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012225716A JP2013152425A (ja) | 2011-12-28 | 2012-10-11 | 反射防止膜及び光学素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011288153 | 2011-12-28 | ||
| JP2011288153 | 2011-12-28 | ||
| JP2012225716A JP2013152425A (ja) | 2011-12-28 | 2012-10-11 | 反射防止膜及び光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013152425A true JP2013152425A (ja) | 2013-08-08 |
Family
ID=48677169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012225716A Pending JP2013152425A (ja) | 2011-12-28 | 2012-10-11 | 反射防止膜及び光学素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9733397B2 (ja) |
| JP (1) | JP2013152425A (ja) |
| CN (1) | CN103185905B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015094885A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | キヤノン株式会社 | 光学素子、光学系および光学機器 |
| JP2016109999A (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-20 | キヤノン株式会社 | 光学部材及び光学部材の製造方法 |
| CN105911617A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-08-31 | 江西兴邦光电股份有限公司 | 一种可减少光学镜片反射率的镀膜材料 |
| JP2017090691A (ja) * | 2015-11-11 | 2017-05-25 | 株式会社タムロン | 反射防止膜及び光学素子 |
| JP2017193688A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | パンサーフェス株式会社 | 親水性付与剤、親水性被膜形成方法、親水性被膜、及び太陽光パネル |
| WO2018110447A1 (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 日東電工株式会社 | 光学積層体 |
| CN112578481A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-03-30 | 中材人工晶体研究院有限公司 | 一种大角度中长波红外增透保护膜及其制备方法 |
| JP2023052132A (ja) * | 2017-12-13 | 2023-04-11 | 日本化薬株式会社 | 可視域および赤外域用偏光素子、および、偏光板 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2703851B1 (en) * | 2011-04-28 | 2016-05-25 | Asahi Glass Company, Limited | Antireflection stack |
| US9581733B2 (en) * | 2013-08-23 | 2017-02-28 | Ricoh Imaging Company, Ltd. | Anti-reflection coating and optical member comprising same |
| JP6385117B2 (ja) * | 2014-04-11 | 2018-09-05 | キヤノン株式会社 | 光学素子及びそれを有する光学系 |
| JP6599699B2 (ja) | 2014-12-26 | 2019-10-30 | 日東電工株式会社 | 触媒作用を介して結合した空隙構造フィルムおよびその製造方法 |
| JP6604781B2 (ja) | 2014-12-26 | 2019-11-13 | 日東電工株式会社 | 積層フィルムロールおよびその製造方法 |
| CN111093971B (zh) * | 2015-07-31 | 2022-04-29 | 日东电工株式会社 | 光学层叠体、光学层叠体的制造方法、光学构件及图像显示装置 |
| JP6713871B2 (ja) | 2015-07-31 | 2020-06-24 | 日東電工株式会社 | 光学積層体、光学積層体の製造方法、光学部材、画像表示装置、光学部材の製造方法および画像表示装置の製造方法 |
| JP6713872B2 (ja) | 2015-07-31 | 2020-06-24 | 日東電工株式会社 | 積層フィルム、積層フィルムの製造方法、光学部材、画像表示装置、光学部材の製造方法および画像表示装置の製造方法 |
| JP6892744B2 (ja) | 2015-08-24 | 2021-06-23 | 日東電工株式会社 | 積層光学フィルム、積層光学フィルムの製造方法、光学部材、および画像表示装置 |
| JP7152130B2 (ja) | 2015-09-07 | 2022-10-12 | 日東電工株式会社 | 低屈折率層、積層フィルム、低屈折率層の製造方法、積層フィルムの製造方法、光学部材および画像表示装置 |
| EP3282292B1 (en) * | 2016-08-09 | 2021-07-07 | Essilor International | Optical article comprising an interferential coating with a high reflection in the near infrared region (nir) |
| CN106517817B (zh) * | 2016-10-27 | 2019-04-19 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | 一种抗uv光学膜玻璃及其制备方法 |
| US11021392B2 (en) | 2017-01-16 | 2021-06-01 | AGC Inc. | Transparent substrate with multilayer antireflective film containing an oxide of molybdenum |
| US10551740B2 (en) * | 2017-01-16 | 2020-02-04 | AGC Inc. | Transparent substrate with antireflective film having specified luminous transmittance and luminous reflectance |
| JP6627828B2 (ja) * | 2017-07-19 | 2020-01-08 | 日亜化学工業株式会社 | 薄膜の製造方法、薄膜形成材料、光学薄膜、及び光学部材 |
| JP2019032524A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | 日東電工株式会社 | 反射防止フィルム |
| CN115185021A (zh) * | 2017-09-08 | 2022-10-14 | 株式会社大赛璐 | 防反射膜 |
| CN108089244A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-05-29 | 天津津航技术物理研究所 | 一种宽带大角度减反射红外光学多层膜 |
| KR102529662B1 (ko) * | 2018-09-11 | 2023-05-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
| CN111257974B (zh) * | 2018-11-30 | 2022-05-10 | 大立光电股份有限公司 | 微型光学镜头、取像装置及电子装置 |
| CN109811304A (zh) * | 2019-02-23 | 2019-05-28 | 冯欢心 | 一种高稳定性耐磨的透光膜及其应用 |
| CN111175860B (zh) * | 2020-01-13 | 2021-06-29 | 苏州众为光电有限公司 | 一种用于激光器的光学透镜 |
| CN111856870A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-10-30 | 珠海立潮新媒体科技有限公司 | 一种用于投影的镀膜玻璃幕墙 |
| US12411307B2 (en) | 2020-12-23 | 2025-09-09 | Largan Precision Co., Ltd. | Optical lens assembly, imaging apparatus and electronic device |
| EP4270499A4 (en) * | 2020-12-25 | 2025-01-29 | CoorsTek GK | SILICA ELEMENT AND LED DEVICE |
| CN113066372B (zh) * | 2021-03-24 | 2022-10-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 可折叠显示模组及可折叠显示装置 |
| CN113703074A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-26 | 孔运辉 | 一种光学薄膜及其成型方法 |
| TWI908588B (zh) | 2022-03-23 | 2025-12-11 | 大立光電股份有限公司 | 光學鏡頭組、取像裝置及電子裝置 |
| TWI835646B (zh) * | 2023-05-10 | 2024-03-11 | 澤米科技股份有限公司 | 具有鑭系化合物層的光學元件結構 |
| US20240393502A1 (en) * | 2023-05-24 | 2024-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element, optical system, image pickup apparatus, and manufacturing method of an optical element |
| CN118192117A (zh) * | 2024-04-11 | 2024-06-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示模组及显示设备 |
| CN119620437A (zh) * | 2024-12-09 | 2025-03-14 | 沈阳仪表科学研究院有限公司 | 基于氧化硅纳米空心球的光学材料折射率调控方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002182007A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-06-26 | Fukuvi Chem Ind Co Ltd | 耐久性を有する反射防止膜 |
| JP2007052345A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Oji Paper Co Ltd | 屈折率傾斜多層薄膜構造体及びその製造方法 |
| JP2008046264A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Seiko Epson Corp | 光学物品 |
| JP2009237551A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-10-15 | Keio Gijuku | 反射防止膜及びその形成方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100495338B1 (ko) * | 1997-01-27 | 2005-06-14 | 피터 디. 하랜드 | 광학 기판으로부터의 반사를 감소시키기 위한 코팅막, 반사 감소 방법 및 장치 |
| JP4378972B2 (ja) | 2003-02-25 | 2009-12-09 | パナソニック電工株式会社 | 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、反射防止部材 |
| JP4878796B2 (ja) | 2004-09-06 | 2012-02-15 | 富士フイルム株式会社 | 光学フィルムの製造方法 |
| JP2006215542A (ja) | 2005-01-07 | 2006-08-17 | Pentax Corp | 反射防止膜及びこれを有する撮像系光学素子 |
| US20060154044A1 (en) * | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Pentax Corporation | Anti-reflection coating and optical element having such anti-reflection coating for image sensors |
| CN1955765B (zh) * | 2005-08-02 | 2010-06-16 | 富士胶片株式会社 | 光学膜和抗反射膜以及它们的生产方法、偏振片及液晶显示装置 |
| TW200732691A (en) * | 2005-12-22 | 2007-09-01 | Fujifilm Corp | Antireflection film, front plate for plasma display panel using the same, plasma display panel-display device, and image display device |
| KR20090064421A (ko) * | 2006-09-29 | 2009-06-18 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 광학 기능 필름 |
| JP5271575B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2013-08-21 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止フィルム、偏光板、および画像表示装置 |
| JP5313587B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-10-09 | 学校法人慶應義塾 | 反射防止膜及びこれを有する光学部品、交換レンズ及び撮像装置 |
| JP2010262005A (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
| WO2011010738A1 (ja) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Taga Yasunori | 接合構造体の製造方法および接合構造体 |
| JP5881096B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2016-03-09 | 株式会社タムロン | 反射防止膜及び光学素子 |
-
2012
- 2012-10-11 JP JP2012225716A patent/JP2013152425A/ja active Pending
- 2012-12-20 CN CN201210557364.0A patent/CN103185905B/zh active Active
- 2012-12-26 US US13/727,023 patent/US9733397B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002182007A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-06-26 | Fukuvi Chem Ind Co Ltd | 耐久性を有する反射防止膜 |
| JP2007052345A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Oji Paper Co Ltd | 屈折率傾斜多層薄膜構造体及びその製造方法 |
| JP2008046264A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Seiko Epson Corp | 光学物品 |
| JP2009237551A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-10-15 | Keio Gijuku | 反射防止膜及びその形成方法 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015094885A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | キヤノン株式会社 | 光学素子、光学系および光学機器 |
| JP2016109999A (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-20 | キヤノン株式会社 | 光学部材及び光学部材の製造方法 |
| EP3032296B1 (en) * | 2014-12-10 | 2024-08-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical member and method for manufacturing optical member |
| JP2017090691A (ja) * | 2015-11-11 | 2017-05-25 | 株式会社タムロン | 反射防止膜及び光学素子 |
| JP2017193688A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | パンサーフェス株式会社 | 親水性付与剤、親水性被膜形成方法、親水性被膜、及び太陽光パネル |
| CN105911617A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-08-31 | 江西兴邦光电股份有限公司 | 一种可减少光学镜片反射率的镀膜材料 |
| JP2018097145A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 日東電工株式会社 | 光学積層体 |
| KR20190078634A (ko) * | 2016-12-13 | 2019-07-04 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광학 적층체 |
| CN110073248A (zh) * | 2016-12-13 | 2019-07-30 | 日东电工株式会社 | 光学层叠体 |
| CN110073248B (zh) * | 2016-12-13 | 2021-08-24 | 日东电工株式会社 | 光学层叠体 |
| KR102342375B1 (ko) * | 2016-12-13 | 2021-12-22 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광학 적층체 |
| WO2018110447A1 (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 日東電工株式会社 | 光学積層体 |
| JP2023052132A (ja) * | 2017-12-13 | 2023-04-11 | 日本化薬株式会社 | 可視域および赤外域用偏光素子、および、偏光板 |
| CN112578481A (zh) * | 2020-12-11 | 2021-03-30 | 中材人工晶体研究院有限公司 | 一种大角度中长波红外增透保护膜及其制备方法 |
| CN112578481B (zh) * | 2020-12-11 | 2022-03-15 | 中材人工晶体研究院有限公司 | 一种大角度中长波红外增透保护膜及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103185905A (zh) | 2013-07-03 |
| CN103185905B (zh) | 2015-12-23 |
| US20140009835A1 (en) | 2014-01-09 |
| US9733397B2 (en) | 2017-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9733397B2 (en) | Anti-reflection coat and optical device | |
| JP5825685B2 (ja) | 反射防止膜の製造方法 | |
| JP5881096B2 (ja) | 反射防止膜及び光学素子 | |
| JP6081736B2 (ja) | 反射防止膜、光学素子及び反射防止膜の製造方法。 | |
| CN101782663B (zh) | 光学物品及其制造方法 | |
| JP3628692B2 (ja) | 高屈折率を有する複合材料、該複合材料の製造方法及び該複合材料を含む光学活性材料 | |
| KR101294551B1 (ko) | 비정질 산화 규소 바인더를 갖는 MgF2 광학 박막, 및그것을 구비하는 광학 소자, 그리고 그 MgF2 광학박막의 제조 방법 | |
| US7880966B2 (en) | Optical article including a layer siox as main component and manufacturing method of the same | |
| US9127171B2 (en) | Anti-reflection film and method for manufacturing the same | |
| JP2012128135A (ja) | 光学物品およびその製造方法 | |
| CN102460224A (zh) | 光学制品及眼镜塑料镜片 | |
| EA024640B1 (ru) | Способ изготовления стойкого к истиранию оптического изделия | |
| CN107000382A (zh) | 具有改进的耐刮擦/耐磨性和疏油性质的用于玻璃的涂层 | |
| EP1789508B1 (fr) | Procede de fabrication d'un substrat revetu d'une couche mesoporeuse et son application en optique ophtalmique | |
| JP2025028999A (ja) | 光学的特性及び機械的特性を有する光学デバイス | |
| CN101470218A (zh) | 抗反射膜及具有该膜的光学部件、可交换镜头和摄像装置 | |
| KR102355771B1 (ko) | 다층 반사-방지 코팅된 물품 | |
| JP2014059384A (ja) | 光学素子 | |
| JP5954852B2 (ja) | 反射防止膜及び光学素子 | |
| JP2010271479A (ja) | 光学製品及び眼鏡プラスチックレンズ | |
| JP2005017544A (ja) | 反射防止フィルム、および画像表示装置 | |
| CN100492056C (zh) | 光学物品及其制造方法 | |
| CN114236839B (zh) | 抬头显示玻璃和抬头显示系统 | |
| CN100465662C (zh) | 具有抗液层的物品、透明部件、光学透镜及其制造方法 | |
| WO2011090156A1 (ja) | 防曇性物品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141224 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150930 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151007 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160601 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160728 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170111 |
