JP2013196919A - 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法およびカラーフィルタ基板 - Google Patents

Abstract

【課題】大型化あるいは高精細化に伴って生じる発光輝度むらを低減し、表示品位を向上させることが可能な有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、第１基板上に、第１電極、有機電界発光層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する素子基板と、素子基板上に、封止層を介して対向配置された対向基板とを備える。対向基板は、第２基板上に無機遮光層と導電層とを積層してなる積層膜を有し、導電層は、第２電極よりも低抵抗であると共に、素子基板の第２電極に電気的に接続される。無機遮光層および導電層を精度良くパターン形成でき、これにより、素子基板の第２電極の抵抗が高い場合にも、それに起因する電圧降下が抑制される。
【選択図】図１

Description

本開示は、有機電界発光（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して画像表示を行う有機ＥＬ表示装置およびその製造方法、並びにそのような有機ＥＬ表示装置に用いられるカラーフィルタ基板に関する。

近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機電界発光素子（以下、単に有機ＥＬ素子と称する）を用いた有機電界発光表示装置（以下、単に、有機ＥＬ表示装置と称する）が注目されている。有機ＥＬ表示装置は、自発光型であり、消費電力が低いという特性を有している。また、視野角が広く、コントラストに優れ、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有していることから、次世代の平板ディスプレイ装置として実用化に向け、開発および商品化が鋭意進められている。特に、発光制御のための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素毎に備えた能動駆動(ＡＭ：Active Matrix)型の有機ＥＬ表示装置に関する研究が活発に進められている。

このような能動駆動型の有機ＥＬ表示装置では、ＴＦＴが有機ＥＬ素子の下方に配設されることから、素子の下方から光を取り出す、ボトムエミッション型の場合には、ＴＦＴが設けられていない部分のみを光が通過し、外部へ放出される。このため、開口率が低下し易い。これに対し、素子の上方から光りを取り出す、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置では、開口率の低下は抑制できるものの、上部電極（対向電極）に透明導電膜が用いられる。上部電極では、その厚みが薄く形成されるために抵抗が高く、ＩＲドロップ（電圧降下）と呼ばれる現象が発生する。

ＩＲドロップは、次のような理由から発生する。即ち、各画素には上部電極を通じて電子あるいは正孔が供給されるが、上部電極は通常、各画素に共通の電極として形成されるため、基板端部にのみ上部電極への給電点が設けられている。このため、下部電極への電流供給線に比べ抵抗の大きい透明導電膜を上部電極に用いると、その給電点から画素までの距離に応じた配線抵抗のばらつきが無視できなくなる。そのため、各画素の有機ＥＬ素子に印加される実効電圧の降下も、給電点と画素間の距離が大きくなると無視できなくなり、面内輝度変化が顕著となる。

そこで、ＴＦＴが配設された駆動基板側に低抵抗材からなる補助電源線を設け、この補助電源線と上部電極を電気的に接続し、補助電源線を用いて電流供給を行うことにより実効電圧の降下を抑制する手法が提案されている（例えば、特許文献１）。ところが、この手法では、補助電源線上への有機物の付着を防ぐ必要があり、例えば蒸着法により低分子材料を用いて有機層を形成しようとすると、補助電極上を覆う精密に加工された蒸着マスクが必要となる。蒸着マスクは、一般に、板厚１０μｍ〜１００μｍ程度のメタルシートをエッチングにより加工するか、あるいは電鋳法を用いて形成する。いずれの加工法を用いても、高精細化が難しく、特に大型の製品に向けたものは極めて困難である。加えて、精密加工された蒸着マスクを用いた場合、蒸着時の位置合わせについても精密になされなければならない。蒸着中は、蒸着源からの放射熱によって温度上昇が生じるため、蒸着マスクと基板との熱膨張係数差に起因して、位置ずれ等が生じ易い。このような手法では、パネルの大型化あるいは高精細化への対応が困難である。

一方、全画素に共通の発光層（例えば、白色または青色）を設けた構造を採用することで、画素毎の発光層の塗り分けが不要となるため、開口幅を十分に大きく取ることができると共に、上記のような蒸着マスクの精密加工も不要である。このため、パネルの大型化、高精細化に対応し易い。ところが、上部電極への給電は基板端部においてのみ可能であるため、上記したＩＲドロップに起因する発光輝度むらは避けられない。

そこで、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置において、上部電極と電気的に接続される補助電極が対向基板側に設けられた構造が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００１−２３００８６号公報 特開２０１１−１０３２０５号公報

上記特許文献２の手法のように、対向基板側に補助電極を形成する際には、対向基板上において導電膜材料のパターニングを行う必要がある。このパターニングを、簡易なプロセスで精度良く行い、特に、大型化あるいは高精細化によって生じる発光輝度むらを低減して、表示品位を向上させることが可能な表示装置の実現が望まれている。

本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、大型化あるいは高精細化に伴って生じる発光輝度むらを低減し、表示品位を向上させることが可能な有機ＥＬ表示装置およびそのような有機ＥＬ表示装置に用いられるカラーフィルタ基板を提供することにある。

本開示の第１の有機ＥＬ表示装置は、第１基板上に、第１電極、有機電界発光層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する素子基板と、素子基板上に、封止層を介して対向配置された対向基板とを備えている。対向基板は、第２基板上に設けられた無機遮光層と、無機遮光層上に積層され、素子基板の第２電極に電気的に接続されると共に第２電極よりも低抵抗な導電層とを有している。

本開示の第１の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、第１基板上に、第１電極、有機電界発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する素子基板を形成する工程と、対向基板を形成する工程と、素子基板上に、封止層を介して対向基板を接着する工程とを含むものである。対向基板を形成する工程では、第２基板上に、無機遮光層と、素子基板の第２電極に電気的に接続されると共に、第２電極よりも低抵抗な導電層とをこの順に形成する。

本開示の第１の有機ＥＬ表示装置およびその製造方法では、対向基板に無機遮光層を設け、この無機遮光層上に、素子基板の第２電極に電気的に接続されると共に第２電極よりも低抵抗な導電層が積層される。無機遮光層および導電層を精度良くパターン形成でき、これにより、素子基板の第２電極の抵抗が高い場合にも、それに起因する電圧降下が抑制される。

本開示の第２の有機ＥＬ表示装置は、第１基板上に、第１電極、有機電界発光層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する素子基板と、素子基板上に、封止層を介して対向配置された対向基板とを備えたものである。対向基板は、第２基板上に設けられた樹脂遮光層と、少なくとも樹脂遮光層を覆う保護層と、保護層上の樹脂遮光層に対向する領域に設けられ、素子基板の第２電極に電気的に接続されると共に第２電極よりも低抵抗な導電層とを有している。

本開示の第２の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、第１基板上に、第１電極、有機電界発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有する素子基板を形成する工程と、対向基板を形成する工程と、素子基板上に、封止層を介して対向基板を接着する工程とを含むものである。対向基板を形成する工程では、第２基板上に、樹脂遮光層と、少なくとも樹脂遮光層を覆う保護層と、樹脂遮光層に対向する領域に設けられ、素子基板の第２電極に電気的に接続されると共に第２電極よりも低抵抗な導電層とをこの順に形成する。

本開示の第２の有機ＥＬ表示装置およびその製造方法では、対向基板に設けられた樹脂遮光層を少なくとも覆うように保護層が形成され、この保護層上の樹脂遮光層に対向する領域に、素子基板の第２電極に電気的に接続されると共に第２電極よりも低抵抗な導電層が形成される。導電層を精度良くパターン形成でき、これにより、素子基板の第２電極の抵抗が高い場合にも、それに起因する電圧降下が抑制される。

本開示の第１のカラーフィルタ基板は、基板上に設けられた無機遮光層と、無機遮光層上に積層された導電層と、無機遮光層および導電層を貫通する複数の開口部と、複数の開口部のそれぞれに設けられたカラーフィルタ層とを備えたものである。

本開示の第２のカラーフィルタ基板は、基板上に設けられた樹脂遮光層と、樹脂遮光層を貫通する複数の開口部と、複数の開口部のそれぞれに設けられたカラーフィルタ層と、樹脂遮光層およびカラーフィルタ層を覆う保護層と、保護層上の樹脂遮光層に対向する領域に設けられた導電層とを備えたものである。

本開示の第１の有機ＥＬ表示装置およびその製造方法によれば、対向基板に無機遮光層を設け、この無機遮光層上に、第２電極に電気的に接続されると共に第２電極よりも低抵抗な導電層を積層するようにしたので、無機遮光層および導電層を精度良くパターン形成できる。これにより、素子基板の第２電極が高抵抗な場合にも、それに起因する電圧降下を抑制できる。よって、大型化あるいは高精細化に伴って生じる発光輝度むらを低減し、表示品位を向上させることが可能となる。

本開示の第２の有機ＥＬ表示装置およびその製造方法によれば、対向基板上の樹脂遮光層を少なくとも覆うように保護層を設け、この保護層上の樹脂遮光層に対向する領域に、第２電極に電気的に接続されて第２電極よりも低抵抗な導電層を設けるようにしたので、導電層を精度良くパターン形成できる。これにより、素子基板の第２電極が高抵抗な場合にも、それに起因する電圧降下が抑制される。

本開示の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した対向基板の詳細構成を表す断面図である。 図１に示した対向基板の要部構成を表す平面模式図である。 図１に示した素子基板の形成工程を説明するための断面図である。 図４に続く工程を表す断面図である。 図５に続く工程を表す断面図である。 図６に続く工程を表す断面図である。 図１に示した対向基板の形成工程を説明するための断面図および平面図である。 図８に続く工程を表す断面図および平面図である。 図９に続く工程を表す断面図および平面図である。 図１０に続く工程を表す断面図および平面図である。 素子基板および対向基板の接着工程を説明するための断面図である。 封止樹脂の充填量とコンタクトとの関係を表すＳＥＭ写真である。 封止樹脂の充填量とコンタクトとの関係を表すＳＥＭ写真である。 封止層の外周部の構成を表す平面模式図である。 実施例および比較例の遮光層の反射率を表す特性図である。 変形例１に係る対向基板の詳細構成を表す断面図である。 図１７に示した対向基板の要部構成を表す平面模式図である。 図１７に示した対向基板の形成工程を説明するための断面図および平面図である。 図１９に続く工程を表す断面図および平面図である。 図２０に続く工程を表す断面図および平面図である。 本開示の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の対向基板の詳細構成を表す断面図である。 図２２に示した対向基板の要部構成を表す平面模式図である。 図２２に示した対向基板の形成工程を説明するための断面図および平面図である。 図２４に続く工程を表す断面図および平面図である。 図２５に続く工程を表す断面図および平面図である。 変形例２に係る対向基板の詳細構成を表す断面図である。 図２７に示した対向基板の要部構成を表す平面模式図である。 変形例３に係る対向基板の詳細構成を表す断面図である。 図２９に示した対向基板の要部構成を表す平面模式図である。 変形例４に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 図３１に示した対向基板の詳細構成を表す断面図である。 図３１に示した対向基板の要部構成を表す平面模式図である。 変形例５に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 各実施の形態に係る表示装置の周辺回路を含む全体構成を表す図である。 図３５に示した画素の回路構成を表す図である。 図３５に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 適用例１の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。 適用例６の外観を表す斜視図である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（対向基板に無機遮光層と低抵抗層との積層膜を形成し、ピラーを用いて、低抵抗層と上部電極とを電気的に接続した例）
２．変形例１（開口部の内壁に樹脂遮光層を形成した例）
３．第２の実施の形態（対向基板において、樹脂遮光層上に保護膜を介して低抵抗層を設けた例）
４．変形例２（カラーフィルタ層を積層させてピラーの土台を形成した例）
５．変形例３（カラーフィルタ層を積層させたものをピラーとして用いた例）
６．変形例４（導電性ボールを用いて、低抵抗層と上部電極とを電気的に接続した例）
７．変形例５（封止層に導電性樹脂を用いた例）
８．表示装置の全体構成例，画素回路構成例
９．適用例（電子機器への適用例）

＜第１の実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表すものである。有機ＥＬ表示装置１は、例えば、画素として複数の有機ＥＬ素子１０Ａが形成された素子基板１０上に、封止層３０を介して対向基板２０が接着されたものであり、光を対向基板２０の上方から取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置１では、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ），白（Ｗ）の４色のサブピクセルにより１つのピクセルが構成されている。

（素子基板１０）
素子基板１０では、表示領域（後述の表示領域１１０）を構成する画素として、有機ＥＬ素子１０Ａが、例えばマトリクス状に複数配置されている。例えば、素子基板１０では、第１基板１１上に、画素の駆動素子として、ゲート電極１２ａ、ゲート絶縁膜１２ｂ、図示しないソース電極，ドレイン電極および半導体層を含むＴＦＴ１２が画素毎に配設されている。このＴＦＴ１２上には、層間絶縁膜１２ｃを介して配線層１３が設けられている。配線層１３は、層間絶縁膜１２ｃに設けられたコンタクトプラグを通じて、例えばＴＦＴ１２のソース電極またはドレイン電極に電気的に接続されている。これらのＴＦＴ１２および配線層１３を含む画素回路は、層間絶縁膜１４によって覆われている。素子基板１０では、この層間絶縁膜１４上に、表示領域（後述の表示領域１１０）を構成する画素としての有機ＥＬ素子１０Ａが複数配置されている。

第１基板１１は、例えばガラス基板あるいはプラスチック基板からなる。ガラス基板としては、例えば、高歪点ガラス、ソーダ石灰ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）および鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）などが挙げられる。あるいは、これらのガラスの表面に絶縁膜が形成されたものであってもよいし、他にも石英、シリコン、金属などの表面に絶縁膜が形成されたものを用いることもできる。プラスチック基板としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）あるいはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの有機ポリマーが挙げられる。尚、プラスチック基板は、可撓性を有するフィルム状あるいはシート状の形態のものも含む。

ＴＦＴ１２は、例えば後述の画素回路４０におけるトランジスタ３Ａ，３Ｂに相当するものであり、その構成は例えば逆スタガ構造（ボトムゲート構造）でもよいしスタガ構造（トップゲート構造）であってもよい。

層間絶縁膜１２ｃ，１４は、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ₂系無機材料、ＳｉＮ系無機材料、およびポリイミド等の樹脂材料のうちのいずれかよりなる単層膜か、あるいはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。

配線層１３は、導電性金属よりなり、例えば下部電極１５との接触面には、下部電極１５に対する接触抵抗が小さな金属またはそのような金属酸化物を有することが望ましい。

層間絶縁膜１４は、上記層間絶縁膜１２と同様の材料により構成され、平坦性に優れた材料からなることが望ましい。

有機ＥＬ素子１０Ａは、例えば下部電極１５、発光層を含む有機層１７、抵抗層１８および上部電極１９がこの順に積層されたものである。下部電極１５は、層間絶縁膜１４に設けられたコンタクトホールを通じて、配線層１３に電気的に接続されている。素子基板１０では、複数の有機ＥＬ素子１０Ａはそれぞれ、層間絶縁膜１４上に形成された画素間絶縁膜１６によって素子分離されている。具体的には、画素間絶縁膜１６には、下部電極１５に対向して開口が形成されており、この開口において、上記のような下部電極１５、有機層１７、高抵抗層１８および上部電極１９の積層構造が形成されている。尚、上部電極１９上には、更に保護層が形成されていてもよい。

下部電極１５は、有機ＥＬ素子１０Ａ毎に設けられている。下部電極１５の構成材料としては、例えばアノードとして機能する場合には、例えば白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），タンタル（Ｔａ）などの仕事関数の高い金属の単体あるいはそのような金属の合金が挙げられる。合金としては、例えば、銀を主成分とし、０．３重量％〜１重量％のパラジウム（Ｐｄ）と、０．３重量％〜１重量％の銅とを含むＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金、あるいはＡｌ−Ｎｄ合金を挙げることができる。あるいは、下部電極１５は、上記のような金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、ＩＴＯ等の透明導電膜との積層構造を有していてもよい。下部電極１５は、正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましいが、そうでない材料（アルミニウム（Ａｌ）あるいはアルミニウムを含む合金等）であっても、適切な正孔注入層を設けることによってアノードとして使用することができる。この下部電極１５の厚みは、例えば１０ｎｍ〜１０００ｎｍである。尚、ボトムエミッション型の場合には、透明導電膜、例えばインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛オキシド（ＩＺＯ）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金のうちのいずれかよりなる単層膜または２種以上からなる積層膜により構成されている。

画素間絶縁膜１６は、有機ＥＬ素子１０Ａの下部電極１５と上部電極１９との絶縁性を確保すると共に、それぞれの画素領域を区画（分離）するためのものである。画素間絶縁膜１６は、平坦性に優れると共に、水分による有機層１７の劣化を防止して発光輝度を維持するために吸水率の低い絶縁材料から構成することが望ましく、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂あるいはノボラック樹脂等よりなる。この画素間絶縁膜１６の開口配列に応じて、複数の有機ＥＬ素子１０Ａの配列は、例えばストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列、あるいは、レクタングル配列とされる。

有機層１７は、少なくとも有機電界発光層（以下、単に発光層という）を含み、本実施の形態では、この発光層（例えば、白色発光層）が全画素に共通の層として形成されている。これにより、画素毎の塗り分けプロセスを省いている。白色発光層としては、青色発光層および黄色発光層を積層したもの、あるいは、青色、緑色、赤色の発光層を積層したものなどが挙げられる。赤色発光層としては、例えば赤色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合したものから構成されている。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＡＤＮやＤＰＶＢｉにクマリン６を混合したものから構成されている。青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４'−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を混合したものから構成されている。有機層１７には、このような発光層の他にも、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などが積層されていてもよい。また、電子輸送層と上部電極１９との間には、例えばリチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、インジウム（Ｉｎ）あるいはマグネシウム（Ｍｇ）等の酸化物または複合酸化物よりなる電子注入層が設けられていてもよい。更に、これらの積層構造をユニット（便宜上、タンデムユニットと呼ぶ）として、２つ以上のタンデムユニットが接続層を介して積層されていてもよい。

高抵抗層１８は、有機層１７と上部透明電極１９の間において、透明かつ電気抵抗率の高い材料、例えば酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、ＩＴＯあるいはＩＺＯにより構成されている。高抵抗層１８を設けることにより、下部電極１５および上部電極１９間に電圧を印加したときに、例えば異物などに起因して、それらの電極間に短絡が発生することを抑制し、欠陥画素あるいは欠線の発生を防止することができる。この高抵抗層１８の電気抵抗率は、例えば１×１０⁶Ω・ｍ〜１×１０⁸Ω・ｍであることが望ましい。但し、高抵抗層１８は、必要に応じて設けられればよく、有機層１７上に直に上部電極１９が形成されていてもよい。

上部電極１９は、有機層１７と高抵抗層１８を介して電気的に接続され、複数の有機ＥＬ素子１０Ａに共通して設けられている。本実施の形態では、トップエミッション型であることから、この上部電極１９は、透明導電膜よりなる。透明導電膜としては、例えばインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、ＩｎＺｎＯ（インジウ亜鉛オキシド）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金のうちのいずれかよりなる単層膜または２種以上からなる積層膜である。この上部電極１９の厚みは、例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍである。ここで、上記のような透明導電膜は高抵抗であるため、通常電圧降下を抑制するために、厚膜化してシート抵抗を下げる必要があり、これによって光学特性を損なうことがある。これに対し、本実施の形態では、後述するように、対向基板２０に設けられる低抵抗層２２１Ｂにより電圧降下が抑制されることから、上部電極１９を薄膜化して、良好な光学特性を得ることができる。

これらの高抵抗層１８および上部電極１９は、有機層１７への水分到達を防止する保護膜としても機能するが、必要に応じて、更に、上部電極１９上に、保護層（図示せず）を形成してもよい。この保護層は、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（ａ−Ｓｉ_1-xＮ_x）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）等が好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。この保護層は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法を用いて形成されることが望ましい。下地に与える影響を小さくすることができるためである。また、有機層１７の劣化を防止するために成膜温度を常温に設定し、保護層の剥がれを防止するために保護層のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。更には、上部電極１９を大気に暴露することなく形成することが望ましく、これにより大気中の水分や酸素による有機層１７の劣化を防止できる。尚、このような絶縁材料からなる保護層を設ける場合には、上部電極１９と、後述の低抵抗層２２１Ｂを電気的に接続するためにコンタクトホールを形成する必要がある。

（封止層３０）
封止層３０は、素子基板１０を封止すると共に、素子基板１０と対向基板２０との接着層となるものであり、外部から有機層１７への水分の侵入を防止する目的と、機械的な強度を増す目的で形成される。封止層３０は、例えば紫外線（ＵＶ）硬化樹脂あるいは熱硬化樹脂等により構成され、本実施の形態では、絶縁性樹脂が用いられる。この封止層３０は、基板外周部にダム材（外壁）として設けられた樹脂層３１０ａと、この樹脂層３１０によって囲まれた領域内に形成された樹脂層３１０ｂ（いずれも図１には図示せず）とを有している。尚、これらのうち、有機ＥＬ素子１０Ａに対向する樹脂層３１０ｂでは、有機層１７から発光した光の透過率が８０％以上であることが望ましい。一方、ダム材としての樹脂層３１０ａについては、透過率については特に制限されないが、水分の透過率が低いことが重要である。図１では、封止層３０として、これらのうち樹脂層３１０ｂの一部に対応する部分が示されている。

封止層３０の厚みは、例えば３〜２０μｍが好適である。２０μｍ以下とすることにより、有機ＥＬ素子１０Ａと後述のカラーフィルタ層との間の距離を適切に保持し、表示面を斜めから見たときと正面から見たときの輝度変化や色度変化を抑制して、良好な視野角特性を得ることができる。また、３μｍ以上とすることにより、封止時に異物などが挟み込まれた場合であっても、その異物が有機ＥＬ素子１０Ａを加圧することに起因する滅点の発生を抑制することができる。

尚、詳細は後述するが、この封止層３０では、樹脂層３１０ａ，３１０ｂ間に空隙を有しており（バッファ層を有しており）、この空隙部分に対向して、遮光パターン３１１が形成されている。また、本実施の形態のように、封止層３０として絶縁性樹脂を用いる場合には、封止プロセスの際に充填する樹脂量は、封止体積に対して１００〜１２０％とするのがよい。

（対向基板２０）
対向基板２０は、第２基板２１の一面（素子基板１０側の面）に、カラーフィルタおよびブラックマトリクスを含むＣＦ／ＢＭ層２２が形成されたものである。このＣＦ／ＢＭ層２２には、所定の位置にピラー２３が配設されており、これらのＣＦ／ＢＭ層２２およびピラー２３を覆って導電膜２４が形成されている。第２基板２１は、上記第１基板１１の構成材料として挙げたものと同様のものから構成され、第１基板１１と同一の材料から構成されてもよいし、異なっていてもよいが、第２基板２１は、透明性を有する材料よりなる。

図２は、対向基板２０のピラー２３付近の構成を拡大して示したものである。図３は、対向基板２０を封止層３０の側からみた構成（但し、導電膜２４の図示は省略）である。尚、図２は、図３のＩ−Ｉ線における矢視断面図である。

対向基板２０の一面には、無機遮光層２２１Ａおよび低抵抗層２２１Ｂ（導電層）を有する積層膜２２１が形成されている。積層膜２２１には、各有機ＥＬ素子１０Ａに対向して、無機遮光層２２１Ａおよび低抵抗層２２１Ｂを貫通する開口部Ｈ１が設けられている。各開口部Ｈ１には、それぞれを埋め込むように、カラーフィルタを構成する赤色樹脂層２２０Ｒ、緑色樹脂層２２０Ｇおよび青色樹脂層２２０Ｂが形成されている。具体的には、本実施の形態では、上述したようにＲ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４画素を１ピクセルとした構成であるため、例えば、２×２の配列で４画素が配置され、４つの開口部Ｈ１のいずれかに赤色樹脂層２２０Ｒ、緑色樹脂層２２０Ｇおよび青色樹脂層２２０Ｂが形成されている。尚、Ｗ画素については、カラーフィルタを設ける必要はないが、必要に応じて、輝度調整のための透過率制御フィルタが設けられていてもよい。

赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂ（以下、これらを総称してカラーフィルタ層という場合もある）はそれぞれ、積層膜２２１の開口部Ｈ１を埋め込むと共に、低抵抗層２２１Ｂの縁部ｅ１にオーバーラップして形成されている。即ち、赤色樹脂層２２０Ｒ、緑色樹脂層２２０Ｇおよび青色樹脂層２２０Ｂの各端部ｅ２は、積層膜２２１の縁部ｅ１を覆うように形成されている。ピラー２３は、それらの赤色樹脂層２２０Ｒ、緑色樹脂層２２０Ｇおよび青色樹脂層２２０Ｂから露出した低抵抗層２２１Ｂ上の選択的な領域（ここでは、４画素に囲まれる中央）に配設されている。これらの赤色樹脂層２２０Ｒ、緑色樹脂層２２０Ｇおよび青色樹脂層２２０Ｂと、低抵抗層２２１Ｂと、ピラー２３とを覆って、導電膜２４が形成されている。以下、この対向基板２０の各部の構成について詳細に説明する。

積層膜２２１は、１または複数の無機膜を積層したものであり、遮光性と導電性との両方を兼ね備えている。本実施の形態では、主に遮光性を発揮する層（無機遮光層２２１Ａ）と、主に導電性を発揮する層（低抵抗層２２１Ｂ）とが積層されており、これらの無機遮光層２２１Ａおよび低抵抗層２２１Ｂが、第２基板２１上において互いに同一パターンで形成されている。即ち、ブラックマトリクスとしての遮光性と、上部電極１９の補助電極としての機能を、複数の無機膜の積層構造により実現するようになっている。

無機遮光層２２１Ａは、例えば無機多層膜からなり、光の干渉現象を利用して遮光性を確保するものである。無機遮光層２２１Ａを構成する各無機膜の材料は、特に限定されず、導電性を有するものであってもよいし、絶縁性を有するものであってもよいが、例えば金属あるいはシリコン（Ｓｉ）の単体、あるいはそれらの酸化物、窒化物および酸窒化物のうちのいずれかよりなる。各層の屈折率、吸収係数および膜厚等を適切に設定することにより、必要な遮光性が確保されていればよい。尚、遮光性および導電性の両方を兼ね備えた材料、例えばクロム（Ｃｒ）あるいはグラファイト（Ｃ）等を用いることもできるが、本実施の形態のように、遮光性と導電性の機能を分離して多層構造を形成することが、遮光性および低抵抗確保の点で望ましい。

このような無機遮光層２２１Ａの一例としては、第２基板２１の側から順に、ＳｉＮ（６５ｎｍ）／ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）（２０ｎｍ）／Ｍｏ（５０ｎｍ）の３層積層膜が挙げられる。この積層構造では、ＳｉＮ層の膜厚は、上記膜厚（６５ｎｍ）から＋（プラス）８％〜−（マイナス）８％の範囲内であれば、またａ−Ｓｉ層の膜厚は、上記膜厚（２０ｎｍ）から＋１２％〜−１２％の範囲内であれば、同程度の遮光性を確保することができる。更に、ＳｉＮ層の代わりに、より屈折率の高い無機膜を形成すれば、膜厚のマージンは向上する。あるいは、第２基板２１の側から順に、ＭｏＯ_x（４５ｎｍ）／Ｍｏ（１０ｎｍ）／ＭｏＯ_x（４０ｎｍ）／Ｍｏ（５０ｎｍ）の４層積層膜とすることもできる。一方、これらのＭｏ層およびＭｏＯ_x層の膜厚はそれぞれ、＋１５％〜−１５％の範囲内まで許容することができる。また、Ｍｏの代わりにＭｏＮ_xを用いれば、より厚みを大きくすることができる。尚、括弧内は各層の膜厚を示している。これらの構造では、いずれも表面側（低抵抗層２２１Ｂ側）に、Ｍｏ層を有するが、このＭｏ層の厚みが５０ｎｍ以上であってもよい。また、Ｍｏ以外の別の金属を積層させてもよい。これにより、より遮光性および導電性を確保し易くなる。

低抵抗層２２１Ｂは、上部電極１９の補助電極として機能するものであり、即ち、上部電極１９（透明導電膜）よりも電気抵抗率が低くなるような材料および膜厚により構成されている。本実施の形態では、この低抵抗層２２１Ｂが、無機遮光層２２１Ａ上に積層されており、互いに同一のパターン形状（開口部Ｈ１を含むパターン形状）を有している。

この低抵抗層２２１Ｂは、例えば、下部電極１５をアノード、上部電極１９をカソードとした場合には、例えば画素部の周辺領域に設けられたカソードコンタクト部に接続されている。これにより、上部電極１９側から取り出された電流は、低抵抗層２２１Ｂおよびカソードコンタクト部を介して素子基板１０側の電源に戻ってくる。尚、カソードコンタクト部は、素子基板１０側に形成してもよいし、対向基板２０側に形成してもよい。但し、対向基板２０側に形成した方が、取り出した電流をそのまま同じ基板２０内のカソードコンタクト部に戻すことができ、素子基板１０側へ戻す場合に比べて抵抗差が小さくなるため、好適である。尚、下部電極１５をカソードとした場合であっても、同様に、画素部周辺部にアノードコンタクト部を形成することで電気的には等価になる。

低抵抗層２２１Ｂは、１または複数の無機膜を積層したものであり、例えばモリブデンよりも抵抗率の低い材料、例えばアルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ），銅（Ｃｕ），クロム,亜鉛（Ｚｎ），鉄（Ｆｅ），タングステン（Ｗ）およびコバルト（Ｃｏ）等のうちの少なくとも１種が用いられることが望ましい。但し、反応性の高い材料を用いる場合には、最表面に、モリブデンやチタン等によりなる層を形成するとよい。

低抵抗層２２１Ｂの厚みは、電圧降下を十分に抑えるために、有機ＥＬ表示装置の特性に応じて適宜設定されればよいが、１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度が好適である。導電特性を考慮すると１００ｎｍ以上が好適であり、製膜プロセスの負荷を考慮すると、１０００ｎｍ以下が好適である。

このような低抵抗層２２１Ｂの一例としては、例えば、無機遮光層２２１Ａの側から順に、Ａｌ（３００ｎｍ）／Ｍｏ（５０ｎｍ）の２層積層膜が挙げられる。この他にも、Ｍｏ（５０ｎｍ）／Ａｌ（３００ｎｍ）／Ｍｏ（５０ｎｍ）の３層積層膜であってもよいし、Ａｇ合金（３００ｎｍ）の単層膜であってもよい。尚、無機遮光層２２１Ａの一例として挙げた積層膜構造のうち表面側のＭｏ層（５０ｎｍ）は、遮光性と共に導電性も有するため、実際には、低抵抗層２２１Ｂの一部としても機能する。

赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂはそれぞれ、特定の波長域の光を選択的に透過する（他の波長の光は吸収する）カラーフィルタである。これにより、各画素では、有機層１７から発せられた白色光を、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色光として出射させることができる。但し、Ｗ画素（高輝度画素）では、有機層１７から発せられた白色光を、カラーフィルタによって吸収させることなく、そのまま白色光として取り出す。このような赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂは、例えば感光性樹脂に、染料あるいは顔料を混入したものである。また、各層の厚みは、必要とされる色度等に応じて適宜設定されればよいが、例えば０．１μｍ〜５μｍである。

ピラー２３は、素子基板１０および対向基板２０間のスペーサとして機能すると共に、詳細は後述するが、積層膜２２１の低抵抗層２２１Ｂと、素子基板１０の上部電極１９とを電気的に接続するための部材である。このため、ピラー２３は、導電性を有する材料から構成されることが望ましいが、本実施の形態のように、絶縁材料から構成されていてもよい。例えば、ピラー２３は、フォトレジスト等の感光性樹脂を用いて形成され、その表面が導電膜２４によって被覆されている。ここでは、ピラー２３は、積層膜２２１上において、赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂのいずれの層よりも十分に突出して形成されている。このピラー２３と、これを覆う導電膜２４とが、本開示における導電性部材の一具体例である。

このピラー２３は、対向基板２０の面内に複数配設される。このため、複数のピラー２３の高さのばらつきを吸収し得る程度以上の弾性を有していることが望ましい。ピラー２３の形成時に高さにばらつきが生じると、封止時に上部電極１９と最初にコンタクトする部分（比較的高いピラー２３）と、時間的に後からコンタクトする部分（比較的低いピラー２３）が生じる。ピラー２３が十分な弾性を有していれば、高さのあるピラー２３を弾性変形により縮めてコンタクトさせることができ、低いピラー２３の高さに合わせてセルギャップを規定することができる。ピラー２３に高さのばらつきが生じた場合であっても、基板全面でのコンタクトが可能となる。まら、ピラー２３が弾性を有することで、高さのばらつきに起因して生じるクラックの発生を抑制することもできる。

導電膜２４は、例えばＩＴＯ等の透明導電膜よりなり、厚みは例えば１０ｎｍ〜５０００ｎｍである。尚、ここでは、導電膜２４がピラー２３の表面だけでなく、赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂの表面をも覆っているので、導電膜２４は透明性を有する必要があるが、必ずしも透明性を有している必要はない。即ち、低抵抗層２２１Ｂと上部電極１９とがピラー２３を介して電気的に接続されればよいので、ピラー２３が絶縁性材料からなる場合、導電膜２４は、ピラー２３の表面と、低抵抗層２２１Ｂの表面の一部（例えばピラー２３の周辺領域）とを少なくとも覆って形成されていればよい。このようにピラー２３とその周辺の局所的な領域にのみ導電膜２４を設けてもよい。この場合には、導電膜２４が無機遮光層２２１Ａ下に形成されることとなるので、導電膜２４を、透明導電膜に限らず、他の金属材料、例えば、上記低抵抗層２２１Ｂと同様の材料を用いて形成可能である。

（上部電極１９と低抵抗層２２１Ｂの電気的接続）
本実施の形態では、上記のように、第２基板上に、無機遮光層２２１Ａおよび低抵抗層２２１Ｂの積層膜２２１を有し、この積層膜２２１の開口部Ｈ１に、赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂが形成されている。積層膜２２１の低抵抗層２２１Ｂ上には、赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂの各層から突出してピラー２３が設けられ、これらのピラー２３および低抵抗層２２１Ｂを含む第２基板２１の全面が導電膜２４により覆われている。ピラー２３の先端部分では、導電膜２４と、素子基板１０の上部電極１９とが接触している。これにより、ピラー２３および導電膜２４（導電性ピラー）を介して、上部電極１９と低抵抗層２２１Ｂが電気的に接続されている。

このように、ピラー２３を用いて上部電極１９と低抵抗層２２１Ｂとの電気的接続を確保する場合、ピラー２３を対向基板２０側に予め形成しておくことから、接続位置を明確に規定することができる。

［製造方法］
上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。図４〜図１２は、有機ＥＬ表示装置１の製造工程を表したものである。

（素子基板１０の作製）
まず、素子基板１０を作製する。具体的には、図４（Ａ）に示したように、第１基板１１上に、公知の薄膜形成プロセスにより、ゲート電極１２ａ、ゲート絶縁膜１２ｂおよび層間絶縁膜１２ｃ等を順次形成することにより、ＴＦＴ１２を形成した後、このＴＦＴ１２に導通する配線層１３を形成する。

続いて、図４（Ｂ）に示したように、層間絶縁膜１４を形成する。具体的には、まず、基板全面にわたって、上述した材料よりなる層間絶縁膜１４を、例えばＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、あるいは各種印刷法等を用いて成膜する。この後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、層間絶縁膜１４の配線層１３に対向する領域にコンタクトホールＨ２を形成する。

次いで、図５（Ａ）に示したように、下部電極１５を形成する。即ち、まず、層間絶縁膜１４上に、コンタクトホールＨ２を埋め込むように、上述した材料よりなる下部電極１５を、例えばスパッタリング法等により成膜する。この後、成膜した下部電極１５を、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、所定の形状にパターニングすると共に画素毎に分離する。

続いて、図５（Ｂ）に示したように、画素間絶縁膜１６を形成する。即ち、まず、基板全面にわたって、上述した材料よりなる画素間絶縁膜１６を成膜した後、下部電極１５に対応する領域に開口部Ｈ３を形成する。この際、画素間絶縁膜１６として感光性樹脂を用いる場合には、成膜後、フォトマスクを用いて露光することにより開口部Ｈ３を形成可能である。また、開口部Ｈ３の形成後、必要に応じてリフローを行ってもよい。この開口部Ｈ３がいわゆる各画素の発光領域（画素開口）となる。

次に、図６（Ａ）に示したように、有機層１７を形成する。本実施の形態では、上述したように、各画素に共通の発光層（例えば白色発光層）を形成することから、例えば赤色、緑色、青色の各発光材料を基板全面にわたって、例えば真空蒸着法により順次成膜する。あるいは、有機層１７の形成方法としては、この真空蒸着法の他にも、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法および塗布法を用いてもよい。また、転写用基板上に、レーザ光吸収層と有機層との積層体を形成しておき、この転写用基板にレーザ照射を行うことで転写用基板から有機層を分離して転写する、といったレーザ転写法を用いてもよい。尚、有機層１７として、上記発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層等を形成する際には、いずれの層も発光層と真空一貫プロセスにより形成されることが望ましい。

続いて、図６（Ｂ）に示したように、上述した材料よりなる高抵抗層１８を、有機層１７上の全面にわたって、例えばスパッタ法、蒸着法あるいはＣＶＤ法等により形成する。

次いで、図７に示したように、上述した透明導電膜よりなる上部電極１９を、例えばスパッタ法により基板全面にわたって形成する。尚、上部電極１９の形成後、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、図示しない保護層を形成してもよい。このようにして、素子基板１０を形成する。

（対向基板２０の作製）
一方、対向基板２０を、例えば次のようにして作製する。尚、図８〜図１１は、対向基板２０の作製工程を表すものであるが、各図において（Ａ）は図２の構成に対応する断面拡大図、（Ｂ）は図３の構成に対応する平面模式図である。また、網掛け部分は、低抵抗層２２１Ｂ（積層膜２２１）の形成領域に対応する。

具体的には、まず、図８（Ａ），（Ｂ）に示したように、第２基板２１上に積層膜２２１を成膜する。この際、まず、第２基板２１上に、上述した積層構造、材料、膜厚等からなる無機遮光層２２１Ａを、例えばスパッタ法あるいはＣＶＤ法等により成膜する。例えば、上述した積層膜構造例のうち、ＳｉＮ／ａ−Ｓｉ／Ｍｏの３層積層膜を形成する場合には、まず、ＳｉＮ層およびａ−Ｓｉ層をこの順に、例えばＣＶＤ法により成膜した後、Ｍｏ層を例えばスパッタ法により成膜する。あるいは、ＭｏＯ_x／Ｍｏ／ＭｏＯ_x／Ｍｏの４層積層膜を形成する場合には、これらの各層を例えばスパッタ法により連続的に成膜すればよい。続いて、無機遮光層２２１Ａ上に、上述した積層構造、材料、膜厚等からなる低抵抗層２２１Ｂを例えばスパッタ法により成膜する。このようにして、第２基板２１の全面にわたって、無機遮光層２２１Ａおよび低抵抗層２２１Ｂからなる積層膜２２１を成膜する。

この後、図９（Ａ），（Ｂ）に示したように、積層膜２２１をパターニングする。具体的には、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、積層膜２２１の選択的な領域を一括して除去することにより、複数の開口部Ｈ１を形成する。この際、例えば無機遮光層２２１Ａとして、ＳｉＮ／ａ−Ｓｉ／Ｍｏの３層積層膜を形成する場合には、無機遮光層２２１Ａおよび低抵抗層２２１Ｂをドライエッチングにより一括してパターニングすることができる。あるいは、ＭｏＯ_x／Ｍｏ／ＭｏＯ_x／Ｍｏの４層積層膜を形成する場合には、無機遮光層２２１Ａおよび低抵抗層２２１Ｂをウェットエッチングにより一括してパターニングすることができる。

次いで、図１０（Ａ），（Ｂ）に示したように、第２基板２１上の積層膜２２１の開口部Ｈ１に、赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂをそれぞれパターン形成する。

このように、本実施の形態では、ブラックマトリクスとして無機遮光層２２１Ａと、上部電極１９の補助電極としての低抵抗層２１Ｂとを積層した後、この積層膜２２１を一括パターニングする。そして、このパターニング工程の後に、樹脂材料よりなるカラーフィルタ層を形成する。ここで、詳細は後述するが、カラーフィルタ層を構成する樹脂材料は、無機膜をパターニングする際に使用されるエッチング液に溶出し易いことから、カラーフィルタ層形成後に補助電極となるメタルのパターニングを行うと、カラーフィルタ層が損傷する虞がある。本実施の形態では、上述のように、ブラックマトリクスを無機遮光膜２２１Ａにより形成すると共に、カラーフィルタ層形成前に、低抵抗層２２１Ｂをパターニングすることから、カラーフィルタ層の溶出を防止することができる。

上記のように、カラーフィルタ層を積層膜２２１のパターニング後に、形成することから、カラーフィルタ層（赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂ）は、低抵抗層２２１Ｂの縁部にオーバーラップして形成される。

次いで、図１１（Ａ），（Ｂ）に示したように、低抵抗層２２１Ｂ上の選択的な領域に、ピラー２３を形成する。ピラー２３としては、例えばフォトスペーサ等に用いられる感光性アクリル樹脂を使用することができ、このような感光性樹脂をフォトマスクを用いて露光することにより形成する。この後、例えば基板全面にわたって、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる導電膜２４を成膜することにより、対向基板２０が形成される。

（貼り合わせ（封止）工程）
次に、上記のようにしてそれぞれ作製した素子基板１０および対向基板２０を、封止層３０を介して貼り合わせる。この際、例えば、ＯＤＦ（One Drop Fill)法と呼ばれる成膜手法を用いるのが好ましい。ＯＤＦ法とは、素子基板１０（あるいは対向基板２０）上に、複数の樹脂滴（樹脂ドロップ）を等間隔に配置し、真空中で両基板を圧着させる手法である。この後、大気に開放することで、基板にかかる圧力（大気圧）により樹脂滴が基板間に充填される。このようにして樹脂を充填した後、樹脂を硬化させる。

具体的には、まず、図１２（Ａ）に示したように、真空チャンバー内のプレート２８０Ａ，２８０Ｂ間に素子基板１０および対向基板２０を対向配置させ、例えば素子基板１０上に、封止層３０として、樹脂層３１０ａ（ダム材）を素子基板１０ａの外周に沿って塗布した後、樹脂層３１０ａによって囲まれた領域内に、樹脂層３１０ｂを、例えば樹脂材料を等間隔で複数個所に滴下する。ここで、樹脂層３１０ａ，３１０ｂは、硬化前の状態では、液体またはゲル状であるが、樹脂層３１０ａは比較的粘性が高い材料からなり、樹脂層３１０ｂは、粘性の低い材料からなる。

続いて、図１２（Ｂ）に示したように、プレート２８０Ａ，２８０Ｂを用いて、機械的に素子基板１０および対向基板２０を圧着する。これにより、素子基板１０および対向基板２０間の領域では、樹脂層３１０ａによって囲まれる領域内において、樹脂層３１０ｂが広がる。

この後、図１２（Ｃ）に示したように、素子基板１０および対向基板２０をチャンバー内から取り出し、大気に曝すと、大気圧によって素子基板１０および対向基板２０へ更に圧力がかかり、基板間が樹脂層３１０ａ，３１０ｂにより満たされる。最後に、樹脂層３１０ａ，３１０ｂを硬化させることにより、封止層３０を形成する。以上により、図１に示した有機ＥＬ表示装置１を完成する。

尚、樹脂層３１０ａ，３１０ｂとしては、熱硬化樹脂を用いても、光硬化樹脂を用いてもよいが、光硬化樹脂の場合にはカラーフィルタ層を透過する波長により硬化するものを用いる。または、光遅延型硬化樹脂を用いてもよく、この場合には、圧着前に予め光照射を行い、樹脂が完全に硬化する前に上記のようにして基板間に樹脂を充填させ、この後、再度光照射を行って樹脂を完全に硬化させる。

また、本実施の形態では、封止層３０が導電性を有していないが、この場合、樹脂層３１０ａ，３１０ｂの塗布量（滴下量）としては封止体積（素子基板１０および対向基板２０間において必要な封止層３０の体積）に対して１２０％以下であることが望ましく、１００〜１２０％であることがより望ましい。但し、「封止体積」とは、素子基板１０と対向基板２０との間の領域のうちの有効画素領域に対応する体積に対応するものとする。例えば、この封止体積には、後述する遮光パターン３１１によって遮光される領域（樹脂バッファ層としての空隙３１０ｃ）は含まれないものとする。封止樹脂が少なすぎると（例えば９０％未満であると）、基板間の導通は確保できるものの、基板間に無視できない空隙が生じてしまい、封止むらとして視認されることが実験的にわかっている。一方、塗布量が多すぎると（例えば１２０％より大きいと）、基板間の導通を確保しにくいこともわかっている。例えば、１２０％では導通はとれるものの、不十分であり、１３５％になると導通をとることができなかった。これに対し、塗布量を１０５％とした場合には、視認されるような空隙も生じず、また基板間の導通も確保することができた。図１３（Ａ），（Ｂ）に塗布量が１２０％より大きい場合（１３５％）、図１４（Ａ），（Ｂ）に、塗布量が１００〜１２０％の範囲内（１０５％）にある場合の基板界面付近の写真を示す。図１３（Ａ），（Ｂ）の例では、ピラー２３が素子基板１０と接触しておらず、図１４（Ａ），（Ｂ）の例では、ピラー２３と素子基板１０とが接触していることがわかる。

但し、封止層３０では、その外周部に樹脂層３１０ａ，３１０ｂのバッファ層として、図１５（Ａ），（Ｂ）に示したように、樹脂層３１０ａと最も外側の樹脂層３１０ｂとの間に、空隙３１０ｃを設けてもよい。画素部と異なり、外周部では空隙が生じても視認性に影響を与えないので、特に問題はない。上述したようなＯＤＦプロセスにおいては、最終的に大気圧によって樹脂が押し出されると共に、ピラー２３等の電気的接続部材の高さに応じてセルギャップ（封止層３０の厚み）が規定される。このとき、余剰の樹脂は全て外側に押し出されることとなるが、外周部に、上記のような空隙３１０ｃを予め設けておくことにより、この空隙３１０ｃにおいて余剰樹脂を吸収することができ、画素部における封止層３０を所望の厚みに制御し易くなる。よって、封止むらを効果的に低減することができる。また、図１５（Ｃ），（Ｄ）に示したように、この空隙３１０ｃが設けられる部分を遮光パターン３１１で覆ってもよい。これにより、貼り合わせ後において、空隙３１０ｃの全域を埋めることなく、その一部（空隙３１０ｃ１）が残ったとしても、この残存したが空隙３１０ｃ１が視認されることを防止できる。尚、図１５の各図において、（Ａ），（Ｃ）図は圧着前（樹脂滴下直後）の平面構成、（Ｂ），（Ｄ）図は大気圧圧着後の平面構成をそれぞれ表している。

［作用・効果］
有機ＥＬ表示装置１では、各画素では、図示しない駆動回路から供給される走査信号等に応じ、画素（有機ＥＬ素子１０Ａ）毎に、下部電極１５および上部電極１９を通じて有機層１７に所定の駆動電流が注入される。これにより、有機層１７の発光層では、正孔と電子との再結合により発光が生じる。有機層１７から生じた光（白色光）は、高抵抗層１８、上部電極１９，封止層３０および対向基板２０を透過することにより、表示光として取り出される。対向基板２０を通過する際、画素毎に対応する色のカラーフィルタ層（Ｗ画素では開口部Ｈ１）をそれぞれ透過することにより、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗのいずれかの色光として取り出される。

このように、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１では、対向基板２０の側にカラーフィルタ層が形成され、有機層１７から発せられた白色光を上部電極１９側から取り出し、カラーフィルタ層を透過させることによって、カラーの表示を実現する。このため、上部電極１９としては、高抵抗な透明導電膜を用いる必要があるが、光学的な観点から上部電極１９を厚膜化しにくい。上部電極１９を薄膜化するとその分抵抗が高くなり、電圧降下が生じる。また、上述したように、大型化、高精細化に伴って、画素部内の領域毎の配線抵抗のばらつきが無視できなくなり、電圧降下に起因する面内輝度のばらつきが生じる。

（比較例）
そこで、例えば、対向基板側に、低抵抗なメタルよりなる補助電極を形成することが考えられる。この場合、対向基板には、樹脂材料よりなるブラックマトリクス（以下、樹脂ＢＭという）およびカラーフィルタ層が形成され、補助電極は、ブラックマトリクス上にパターン形成される。この補助電極と上部電極とを電気的に接続することで、電圧降下を抑制することができる。しかしながら、このように、樹脂ＢＭ上に補助電極を形成する場合、補助電極のパターニングの際に、フォトリソグラフィ法を用いてエッチングを行うことから、その過程において、強力なエッチャー剤によって樹脂が溶出してしまう。これにより、樹脂ＢＭの反射率抑制効果が阻害され、表示不良を招くばかりか、エッチャー剤に溶出した樹脂を除去する必要があり、大型化、大量生産には不向きである。加えて、補助電極は、上記樹脂ＢＭからはみ出すとその高反射率によって表示不良となることから、位置合わせのマージンを確保するために補助電極を樹脂ＢＭよりも一回り小さくする必要がある。このため、特に画素の高精細化に伴って、補助電極の線幅が非常に狭くなり、精度良く補助電極を形成することが困難であると共に、十分な抵抗低減効果を得ることが難しい。

これに対し、本実施の形態では、対向基板２０側に、上部電極１９に電気的に接続される低抵抗層２２１Ｂを形成することにより、上部電極１９の電圧降下およびこれに起因する面内輝度ばらつきを抑制する。特に、本実施の形態では、対向基板２０において、ブラックマトリクスとして無機遮光層２２１Ａを設け、かつこの無機遮光層２２１Ａ上に補助電極としての低抵抗層２２１Ｂを有する積層膜２２１を有している。製造プロセスにおいて、低抵抗層２２１Ｂと無機遮光層２２１Ａとを同時に一括してパターニングすることができる。そして、このパターニング工程の後に、樹脂材料よりなるカラーフィルタ層（赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂ）を形成する。本実施の形態では、上述のように、ブラックマトリクスを無機遮光膜２２１Ａにより形成すると共に、カラーフィルタ層形成前に、低抵抗層２２１Ｂをパターニングすることから、樹脂材料の溶出を防止することができる。このように、本実施の形態では、カラーフィルタ層を備えた対向基板２０において、カラーフィルタ層の溶出を防ぎ、かつ無機遮光層２２１Ａおよび低抵抗層２２１Ｂを精度良くパターン形成することができる。

また、例えば、無機遮光膜２１１Ａを、上述したような３層積層膜あるいは４層積層膜とすることで、一般的な樹脂ＢＭと同等以上の遮光性能を実現できる。図１６に、３層積層膜（ＳｉＮ（６５ｎｍ）／ａ−Ｓｉ（２０ｎｍ）／Ｍｏ（５０ｎｍ））からなる無機遮光層２１１Ａの反射率を実施例１−１として示す。また、４層積層膜（ＭｏＯ_x（４５ｎｍ）／Ｍｏ（１０ｎｍ）／ＭｏＯ_x（４０ｎｍ）／Ｍｏ（５０ｎｍ））からなる無機遮光層２１１Ａの反射率を実施例１−２として示す。また、図１６には、これらの実施例１−１，１−２の比較例として、樹脂ＢＭの反射率を比較例１、酸化チタン（ＴｉＯ₂）単層膜を用いた場合の反射率を比較例２として示す。このように、実施例１−１，１−２のいずれにおいても、樹脂ＢＭと同等以下の反射率となっており、特に実施例１−２では、広範囲の波長域にわたって反射率が低く、光学的に優れていることがわかる。

更に、本実施の形態では、無機遮光層２２１Ａと低抵抗層２２１Ｂとを一括してパターニングできることから、補助電極としてのメタルをブラックマトリクス形成後に別途形成する場合に比べ、位置合わせのマージンを考慮する必要がない。換言すると、低抵抗層２２１Ｂは、無機遮光層２２１Ａ下にそれと同一のパターンで形成されることとなる。このため、低抵抗層２２１Ｂの線幅を最大限に確保することが可能であり、上部電極１９における電圧降下を効果的に抑制できる。

以上のように本実施の形態では、対向基板２０側に無機遮光層２２１Ａを設けると共に、この無機遮光層２２１Ａ上に、上部電極１９に電気的に接続された低抵抗層２２１Ｂが積層される。これにより、素子基板１０の上部電極１９が高抵抗な場合にも、それに起因する電圧降下を抑制できる。よって、大型化あるいは高精細化に伴って生じる発光輝度むらを低減し、表示品位を向上させることが可能となる。

続いて、上記第１の実施の形態の変形例（変形例１）について説明する。尚、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

＜変形例１＞
図１７および図１８は、変形例１に係る対向基板（対向基板２０Ａ）の構成を表したものである。図１７は、対向基板２０Ａのピラー２３付近の構成を拡大して示したものである。図１８は、対向基板２０Ａを封止層３０の側からみた構成（但し、導電膜２４の図示は省略）である。尚、図１７は、図１８のＩ−Ｉ線における矢視断面図である。

対向基板２０Ａは、上記第１の実施の形態の対向基板２０と同様、素子基板１０上に封止層３０を介して貼り合わせられるものであり、第２基板２１の一面（素子基板１０側の面）に、カラーフィルタ層と、ブラックマトリクスおよび補助電極としての積層膜２２１とが形成されたものである。また、この積層膜２２１上の所定の位置にピラー２３が配設され、これらのカラーフィルタ層、低抵抗層２２１Ｂおよびピラー２３を覆って導電膜２４が形成されている。

但し、本変形例では、積層膜２２１の開口部Ｈ１の内壁を覆って、更に樹脂遮光層２２１ｃが設けられている。この樹脂遮光層２２１ｃによって形成される開口部Ｈ１ａを埋め込むようにカラーフィルタ層が形成されている（カラーフィルタ層が開口部Ｈ１ａの縁部にオーバーラップして形成されている）。

樹脂遮光層２２１ｃは、開口部Ｈ１の内壁を覆うと共に、開口部Ｈ１に非対向の領域では、例えば積層膜２２１（低抵抗層２２１Ｂ）の上面を覆って形成されている。但し、ピラー２３が配設されている箇所の周辺の少なくとも一部（ｄ１）は、低抵抗層２２１Ｂが樹脂遮光層２２１ｃから露出している。導電膜２４を介して上部電極１９と低抵抗層２２１Ｂとを電気的に接続させるためである。この樹脂遮光層２２１ｃは、例えば感光性樹脂に、黒色の顔料等を混入したものである。あるいは、樹脂遮光層２２１ｃとしては、グラファイト等の導電性を有する材料を用いてもよい。遮光性に加え、導電性がより向上する。

上記のような対向基板２０Ａは、例えば次のようにして作製することができる。図１９〜図２１は、対向基板２０Ａの作製工程を表すものであるが、各図において（Ａ）は図１７の構成に対応する断面拡大図、（Ｂ）は図１８の構成に対応する平面模式図である。また、網掛け部分は、低抵抗層２２１Ｂ（積層膜２２１）および樹脂遮光層２２１ｃの各形成領域に対応する。

具体的には、まず、図１９（Ａ），（Ｂ）に示したように、上記第１の実施の形態と同様にして、第２基板２１上に、無機遮光層２２１Ａおよび低抵抗層２２１Ｂを順に成膜した後、一括してパターニングすることにより、開口部Ｈ１を有する積層膜２２１を形成する。

次いで、図２０（Ａ），（Ｂ）に示したように、積層膜２２１の開口部Ｈ１の内壁を覆うと共に、積層膜２２１の上面を覆って、樹脂遮光層２２１ｃを成膜する。この後、例えばリソグラフィ技術により、樹脂遮光層２２１ｃの一部ｄ１（ピラー形成予定領域）を開口し、低抵抗層２２１Ｂを露出させる。

続いて、図２１（Ａ），（Ｂ）に示したように、第２基板２１上の開口部Ｈ１ａに、赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂをそれぞれパターン形成する。最後に、低抵抗層２２１Ｂ上の選択的な領域に、上記第１の実施の形態と同様にして、ピラー２３および導電膜２４を成膜することにより、対向基板２０Ａを作製することができる。

このように、本変形例においても、ブラックマトリクスとして無機遮光層２２１Ａと、上部電極１９の補助電極としての低抵抗層２２１Ｂとを積層した後、この積層膜２２１を一括パターニングする。そして、このパターニング工程の後に、樹脂材料よりなる樹脂遮光層２２１ｃおよびカラーフィルタ層を形成する。従って、本変形例においても、カラーフィルタ層形成前に、低抵抗層２２１Ｂをパターニングすることから、カラーフィルタ層の溶出を防止することができる。よって、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。

また、無機遮光層２２１Ａでは、光の干渉現象を利用するために、入射光の波長および角度、あるいは膜厚の設計値からのずれ等によって、外光あるいは内部反射光の遮光性が不十分となる場合もある。そこで、本変形例のように、積層膜２２１の側面部に、樹脂遮光層２２１ｃを設けることにより、特に、斜め方向から入射する光の遮光性を確保することができる。これにより、内部反射を抑制してより表示品位を向上させることができる。

尚、上記変形例では、積層膜２２１の開口部Ｈ１の内壁を覆って、樹脂遮光層２２１ｃを形成したが、樹脂層ではなく金属層を更に積層させた構成としてもよい。例えば、図１７において、積層膜２２１を挟むように、樹脂遮光層２２１ｃの代わりに、ＭｏＯ_x（４５ｎｍ）／Ｍｏ（１０ｎｍ）／ＭｏＯ_x（４０ｎｍ）の３層積層膜を形成してもよい。このような構造とすれば、遮光性および導電性が補強され、内部反射を防ぐと共に、低抵抗層２２１Ｂと上部電極１９との導通も確保し易くなる。

＜第２の実施の形態＞
図２２および図２３は、本開示の第２の実施の形態に係る対向基板（対向基板２０Ｂ）の構成を表したものである。図２２は、対向基板２０Ｂのピラー２３付近の構成を拡大して示したものである。図２３は、対向基板２０Ｂを封止層３０の側からみた構成（但し、オーバーコート層２２２および導電膜２４の図示は省略）である。尚、図２２は、図２３のＩ−Ｉ線における矢視断面図である。

対向基板２０Ｂは、上記第１の実施の形態の対向基板２０と同様、素子基板１０上に封止層３０を介して貼り合わせられるものであり、第２基板２１の一面（素子基板１０側の面）に、カラーフィルタ層が形成されたものである。また、この対向基板２０Ｂには、上部電極１９の補助電極としての低抵抗層（低抵抗層２２１Ｅ）がパターン形成されており、この低抵抗層２２１Ｅ上にピラー２３が配設されている。これらのカラーフィルタ層、低抵抗層２２１Ｅおよびピラー２３を覆って導電膜２４が形成されている。

但し、本実施の形態では、ブラックマトリクスとして、樹脂遮光層２２１Ｄが設けられている。カラーフィルタ層（赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂ）は、この樹脂遮光層２２１Ｄの開口部Ｈ３に形成されている。これらの樹脂遮光層２２１Ｄおよびカラーフィルタ層を覆うように、第２基板２１の全面にわたってオーバーコート層２２２（保護層）が形成されている。このオーバーコート層２２２上の選択的な領域（樹脂遮光層２２１Ｄに重畳する領域）に、低抵抗層２２１Ｅが形成されている。

樹脂遮光層２２１Ｄは、上記変形例１の樹脂遮光層２２１ｃと同様、例えば感光性樹脂に遮光性を有する顔料を混入させたものからなる。オーバーコート層２２２は、カラーフィルタ層を保護する機能を有し、例えばアクリル樹脂、ＩＴＯあるいはＩＺＯよりなる。低抵抗層２２１Ｅは、上記第１の実施の形態の低抵抗層２２１Ｂと同様、１または複数の無機膜を積層したものであり、上記低抵抗層２２１Ｂと同様の構成材料を用いることができる。また、この低抵抗層２２１Ｅの平面形状は、樹脂遮光層２２１Ｄの形状に沿って格子状となる。

上記のような対向基板２０Ｂは、例えば次のようにして作製することができる。図２４〜図２６は、対向基板２０Ｂの作製工程を表すものであるが、各図において（Ａ）は図２２の構成に対応する断面拡大図、（Ｂ）は図２３の構成に対応する平面模式図である。また、網掛け部分は、樹脂遮光層２２１Ｄの形成領域に対応する。

具体的には、まず、図２４（Ａ），（Ｂ）に示したように、第２基板２１上に、樹脂遮光層２２１Ｄおよびカラーフィルタ層をそれぞれパターン形成する。次いで、図２５（Ａ），（Ｂ）に示したように、遮光層２２１Ｄおよびカラーフィルタ層を覆って、オーバーコート層２２２を例えばスリットコータ法、スパッタ法により形成する。

続いて、図２６（Ａ），（Ｂ）に示したように、オーバーコート層２２２上に、上述した低抵抗材料を、例えばスパッタ法により成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングすることにより、低抵抗層２２１Ｅを形成する。最後に、低抵抗層２２１Ｅ上の選択的な領域に、上記第１の実施の形態と同様にして、ピラー２３を形成し、更に導電膜２４を成膜することにより、対向基板２０Ｂを作製することができる。

このように、本実施の形態では、ブラックマトリクスとして樹脂遮光層２２１Ｄと、カラーフィルタ層を形成した後、低抵抗層２２１Ｅを形成する前に、オーバーコート層２２２を形成することで、低抵抗層２２１Ｅのパターニング時に使用するエッチング液からカラーフィルタ層および樹脂遮光層２２１Ｄが保護され、これらの損傷を抑制できる。従って、本実施の形態においても、低抵抗層２２１Ｅの形成工程において、カラーフィルタ層の溶出を防止することができる。よって、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。

また、樹脂材料からなるカラーフィルタ層や樹脂遮光層２２１Ｄは、水分あるいはガスの発生源となることから、これらの水分等が有機層１７へ到達すると、有機層１７の劣化を生じさせる。本実施の形態のように、オーバーコート層２２２を設けることで、このようなカラーフィルタ層や樹脂遮光層２２１Ｄからの水分等の有機層１７への侵入を遮断し、有機ＥＬ表示装置の信頼性を向上させることができる。

次に、上記第１および第２の実施の形態の変形例（変形例２〜５）について説明する。変形例２，３は、ピラーの他の構成に関するものであり、変形例４，５は、上部電極と低抵抗層との電気的接続手段の他の手法に関するものである。変形例２，３では、上記第１の実施の形態の積層膜２２１を用いた構成を例に挙げて説明するが、第２の実施の形態にも同様に適用可能である。尚、上記第１実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

＜変形例２＞
図２７および図２８は、変形例２に係る対向基板（対向基板２０Ｃ）の構成を表したものである。図２７は、対向基板２０Ｃのピラー（ピラー２３Ａ）付近の構成を拡大して示したものである。図２８は、対向基板２０Ｃを封止層３０の側からみた構成（但し、導電膜２４の図示は省略）である。尚、図２７は、図２８のＩ−Ｉ線における矢視断面図である。

対向基板２０Ｃは、上記第１の実施の形態の対向基板２０と同様、素子基板１０上に封止層３０を介して貼り合わせられるものである。また、対向基板２０Ｃは、第２基板２１の一面（素子基板１０側の面）に、カラーフィルタ層（赤色樹脂層２２０Ｒ，緑色樹脂層２２０Ｇ，青色樹脂層２２０Ｂ）と、ブラックマトリクスおよび補助電極としての積層膜２２１とが形成されたものである。この積層膜２２１上の所定の位置には、ピラー２３Ａが配設され、これらのカラーフィルタ層、低抵抗層２２１Ｂおよびピラー２３Ａを覆って導電膜２４が形成されている。

但し、本変形例では、カラーフィルタ層のうちの選択的な１または複数の層が開口部Ｈ１の対向領域だけでなく、ピラー２３Ａに対向する積層膜２２１上の領域にも積層されている。即ち、ピラー２３Ａは、積層膜２２１上にカラーフィルタ層を介して配設されている。ここでは、青色樹脂層２２０Ｂおよび赤色樹脂層２２０Ｒが、ピラー２３Ａの対向領域まで延在形成され、積層膜２２１とピラー２３Ａとの間に、青色樹脂層２２０Ｂおよび赤色樹脂層２２０Ｒが積層されている。ピラー２３Ａは、上記第１の実施の形態のピラー２３と同様、導電性材料または絶縁材料により構成され、例えばフォトスペーサ等に用いられる感光性樹脂により構成される。

このように、積層膜２２１上のピラー２３Ａに対向する領域までカラーフィルタ層を延在形成することにより、ピラー２３Ａの土台（本開示のフィルタ積層部に相当）を形成してもよい。これは特に、ピラー２３Ａの高さを十分にとることができない場合に、有効である。ピラー２３Ａと積層膜２２１との間に形成されたカラーフィルタ層の合計の厚みと、ピラー２３Ａの高さが、装置全体のセルギャップとなる。例えば、既存のフォトスペーサで使用されている材料等を用いた場合、ピラー２３Ａの高さが例えば３μｍ〜１０μｍ程度となり、カラーフィルタ層から突出して、所望のセルギャップを確保することが困難である場合もある。このような場合、カラーフィルタ層を例えば１〜４μｍ程度の厚みで積層することにより、ピラー２３Ａを嵩上げして、所望のセルギャップを確保することができる。尚、カラーフィルタ層は、開口部Ｈ１からピラー２３Ａの対向領域まで延在して（繋げて）形成してもよいし、開口部Ｈ１付近とピラー３Ａ付近とにおいて分離して形成してもよい（ピラー２３Ａの対向領域およびその周辺領域にだけ局所的にカラーフィルタ層が積層されていてもよい）。

＜変形例３＞
図２９および図３０は、変形例３に係る対向基板（対向基板２０Ｄ）の構成を表したものである。図２９は、対向基板２０Ｄのピラー（ピラー２３Ｂ）付近の構成を拡大して示したものである。図３０は、対向基板２０Ｄを封止層３０の側からみた構成（但し、導電膜２４の図示は省略）である。尚、図２９は、図３０のＩ−Ｉ線における矢視断面図である。

上記変形例２では、カラーフィルタ層をピラー２３Ａの土台として積層させたが、本変形例のように、カラーフィルタ層そのものをピラー（ピラー２３Ｂ）として利用してもよい。例えば、緑色樹脂層２２０Ｇおよび赤色樹脂層２２０Ｒを、積層膜２２１上の所定の領域まで延在形成するか、あるいは局所的にカラーフィルタ層を積層させることにより、所望の高さのピラー２３Ｂを形成可能である。このように積層膜２２１上の局所的な領域にカラーフィルタ層を積層させることにより、ピラー２３Ｂを形成してもよく、上記第１の実施の形態と同様に、このピラー２３Ｂを形成後に、基板全面にわたって導電膜２４を成膜することで、ピラー２３Ｂに対応する箇所で上部電極１９の電気的接続を確保することができる。

＜変形例４＞
図３１は、変形例４に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表すものである。上記第１の実施の形態等では、上部電極１９と低抵抗層２２１Ｂとの電気的接続を、ピラー２３（詳細にはピラー２３および導電膜２４）を用いて行ったが、これらの電気的接続手段としては、他の手法を用いてもよい。

例えば、本変形例のように、素子基板１０および対向基板２０Ｅ間に、導電性ボール２３Ｃを介在させて、コンタクトをとる手法もある。この場合、対向基板２０Ｅ側には、上記のようなピラー２３を設けず、ＣＦ／ＢＭ層２２の表面全体を導電膜２４が覆うような構成となる。図３２は、対向基板２０Ｅの一部を拡大して表したものである。図３３は、対向基板２０Ｅを封止層３０の側からみた構成（但し、導電膜２４の図示は省略）である。尚、図３２は、図３３のＩ−Ｉ線における矢視断面図である。このように、対向基板２０Ｅでは、第２基板２１上において、積層膜２２１の開口部Ｈ１にカラーフィルタ層が形成され、導電膜２４は、例えば、カラーフィルタ層および低抵抗層２２１Ｂの表面を覆って形成されている。

導電性ボール２３Ｃは、素子基板１０および対向基板２０Ｅ間のスペーサとして機能し、その粒径（例えば直径が３〜２０μｍ）によりセルギャップを規定するものである。この導電性ボール２３Ｃは、特に低抵抗層２２１Ｂの直下に配置されなくともよく、基板貼り合わせの際に、素子基板１０あるいは対向基板２０上に散布されることにより配置される。このような導電性ボールとしては、例えばアクリル樹脂からなるボール２３ｃ１の表面を、導電膜２３ｃ２によりコーティングしたものが挙げられる。導電膜２３ｃ２としては、例えば金、チタンあるいは銀等の金属か、あるいはＩＴＯ，ＩＺＯ等の透明性導電膜を用いることができる。透明性導電膜を用いることにより、導電性ボール２３Ｃが積層膜２２１の直下に配置されなかった場合でも、視認性に影響を及ぼしにくい。

＜変形例５＞
図３４は、変形例５に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表すものである。上部電極１９と低抵抗層２２１Ｂとの電気的接続手法としては、他にも、本変形例のように、素子基板１０および対向基板２０Ｅを、導電性を有する封止層（封止層３０Ａ）を介して貼り合わせる手法もある。

封止層３０Ａは、導電性を有する樹脂（例えばアクリル樹脂）に導電体材料を混ぜたものよりなる。導電体材料としては、金属ナノ材料、ナノサイズのカーボン、導電性ポリマー等が挙げられる。この封止層３０Ａの電気抵抗率は、特に限定されないが、例えば１×１０⁶Ω・ｍ〜１×１０⁸Ω・ｍの範囲内であると、高抵抗層１８としての機能を兼ねることができる。更に、この封止層３０Ａにおいて十分に低い抵抗値を確保できる場合には、上部電極１９をも省いた構成を実現可能である。すなわち、導電性固体樹脂を用いた場合、その抵抗値に応じて、高抵抗層１８および上部電極１９を設けなくともよく、それらの形成を省略したプロセスが可能である。

このように、素子基板１０および対向基板２０間に、導電性樹脂を用いた封止層３０Ａを設けることで、上記のようなピラーや導電性ボールといった、接続用部材を別途設けることなく、簡易なプロセスで、上部電極１９および低抵抗層２２１Ｂの電気的接続を確保できる。

［表示装置の全体構成、画素回路構成］
上記第１の実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置（以下、単に表示装置という）の全体構成および画素回路構成について説明する。図３５は、有機ＥＬディスプレイとして用いられる表示装置の周辺回路を含む全体構成を表すものである。このように、例えば基板１１上には、有機ＥＬ素子を含む複数の画素ＰＸＬＣがマトリクス状に配置されてなる表示領域５０が形成され、この表示領域５０の周辺に、信号線駆動回路としての水平セレクタ（ＨＳＥＬ）５１と、走査線駆動回路としてのライトスキャナ（ＷＳＣＮ）５２と、電源線駆動回路としての電源スキャナ（ＤＳＣＮ）５３とが設けられている。

表示領域５０において、列方向には複数（整数ｎ個）の信号線ＤＴＬ１〜ＤＴＬｎが配置され、行方向には、複数（整数ｍ個）の走査線ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍおよび電源線ＤＳＬ１〜ＤＳＬｍがそれぞれ配置されている。また、各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬとの交差点に、各画素ＰＸＬＣ（Ｒ、Ｇ、Ｂ，Ｗに対応する画素のいずれか１つ）が設けられている。各信号線ＤＴＬは水平セレクタ５１に接続され、この水平セレクタ５１から各信号線ＤＴＬへ映像信号が供給されるようになっている。各走査線ＷＳＬはライトスキャナ５２に接続され、このライトスキャナ５２から各走査線ＷＳＬへ走査信号（選択パルス）が供給されるようになっている。各電源線ＤＳＬは電源スキャナ５３に接続され、この電源スキャナ５３から各電源線ＤＳＬへ電源信号（制御パルス）が供給されるようになっている。

図３６は、画素ＰＸＬＣにおける具体的な回路構成例を表したものである。各画素ＰＸＬＣは、有機ＥＬ素子５Ｄを含む画素回路４０を有している。この画素回路４０は、サンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トランジスタ３Ｂと、保持容量素子３Ｃと、有機ＥＬ素子３Ｄとを有するアクティブ型の駆動回路である。これらのうち、トランジスタ３Ａ（またはトランジスタ３Ｂ）が、上記実施の形態等のＴＦＴ１２に相当し、有機ＥＬ素子３Ｄが、上記実施の形態等の有機ＥＬ素子１０Ａに相当する。

サンプリング用トランジスタ３Ａは、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬに接続され、そのソースおよびドレインのうちの一方が対応する信号線ＤＴＬに接続され、他方が駆動用トランジスタ３Ｂのゲートに接続されている。駆動用トランジスタ３Ｂは、そのドレインが対応する電源線ＤＳＬに接続され、ソースが有機ＥＬ素子３Ｄのアノードに接続されている。また、この有機ＥＬ素子３Ｄのカソードは、接地配線３Ｈに接続されている。なお、この接地配線３Ｈは、全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されている。保持容量素子３Ｃは、駆動用トランジスタ３Ｂのソースとゲートとの間に配置されている。

サンプリング用トランジスタ３Ａは、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応じて導通することにより、信号線ＤＴＬから供給される映像信号の信号電位をサンプリングし、保持容量素子３Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタ３Ｂは、所定の第１電位（図示せず）に設定された電源線ＤＳＬから電流の供給を受け、保持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流を有機ＥＬ素子３Ｄへ供給するものである。有機ＥＬ素子３Ｄは、この駆動用トランジスタ３Ｂから供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。

このような回路構成では、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応じてサンプリング用トランジスタ３Ａが導通することにより、信号線ＤＴＬから供給された映像信号の信号電位がサンプリングされ、保持容量素子３Ｃに保持される。また、上記第１電位に設定された電源線ＤＳＬから駆動用トランジスタ３Ｂへ電流が供給され、保持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流が有機ＥＬ素子３Ｄ（赤色、緑色および青色の各有機ＥＬ素子）へ供給される。そして、各有機ＥＬ素子３Ｄは、供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置において、映像信号に基づく映像表示がなされる。

＜適用例＞
以下、上記第１の実施の形態等の有機ＥＬ表示装置（以下、表示装置という）の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。言い換えると、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

（モジュール）
上記表示装置は、例えば図３７に示したようなモジュールとして、後述の適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、第１基板１１の一辺に、第２基板２１から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、水平セレクタ５１、ライトスキャナ５２および電源スキャナ５３の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図３８は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００が上記表示装置に相当する。

（適用例２）
図３９は、デジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が上記表示装置に相当する。

（適用例３）
図４０は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が上記表示装置に相当する。

（適用例４）
図４１は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。この表示部６４０が上記表示装置に相当する。

（適用例５）
図４２は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記表示装置に相当する。

以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

また、上記実施の形態等では、有機ＥＬ表示装置の一例として、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４画素を用いてカラー表示を行うものを例示したが、必ずしもこのような４画素を利用したものでなくともよく、Ｒ，Ｇ，Ｂの３画素を用いたものであってもよい。対向基板にカラーフィルタ層や遮光層等の樹脂層を有するものであれば、本開示内容を適用することができる。

更に、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子１０Ａの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。また、上記実施の形態等では、有機層１７における発光層を各画素に共通して形成したが、画素毎に発光層が分離されていてもよいし、画素毎にＲ，Ｇ，Ｂの各色の発光層のいずれかが設けられていてもよい。

加えて、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。

また、上記実施の形態等では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例示して説明したが、本開示の有機ＥＬ表示装置は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置にも適用可能である。特に、上部電極を例えば透明導電膜等の高抵抗な導電膜により構成する場合に好適に適用可能である。

尚、本開示は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
第１基板上に、第１電極、有機電界発光層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する素子基板と、
前記素子基板上に、封止層を介して対向配置された対向基板とを備え、
前記対向基板は、
第２基板上に設けられた無機遮光層と、
前記無機遮光層上に積層され、前記素子基板の前記第２電極に電気的に接続されると共に前記第２電極よりも低抵抗な導電層と
を有する
有機ＥＬ表示装置。
（２）
前記無機遮光層は、複数の無機膜を積層したものである
上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（３）
前記無機遮光層および前記導電層を貫通する複数の開口部が設けられ、
前記複数の開口部のそれぞれにカラーフィルタ層が形成されている
上記（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（４）
前記カラーフィルタ層は、前記開口部を埋め込み、かつ前記導電層上の縁部にオーバーラップして設けられている
上記（３）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（５）
前記複数の開口部のそれぞれの内壁を覆って、樹脂遮光層が設けられている
上記（３）または（４）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（６）
前記導電層と前記第２電極との間に導電性部材が配設されている
上記（１）〜（５）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（７）
前記導電性部材は、少なくとも表面が導電性を有する柱状部材または球状部材である
上記（６）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（８）
前記導電性部材は、
前記導電層上に積層された１または複数のカラーフィルタからなるフィルタ積層部と、
前記フィルタ積層部を覆う導電膜と
を有する
上記（６）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（９）
前記導電性部材は、
前記導電層上に積層された１または複数のカラーフィルタからなるフィルタ積層部と、
前記フィルタ積層部上に設けられた柱状部材と、
前記フィルタ積層部および前記柱状部材を覆う導電膜と
を有する
上記（６）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（１０）
前記封止層が導電性樹脂により構成されている
上記（１）〜（９）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１１）
前記封止層は外周部に空隙を有し、
前記封止層の前記外周部に対向する領域に、遮光層が設けられている
上記（１）〜（９）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１２）
第１基板上に、第１電極、有機電界発光層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する素子基板を形成する工程と、
対向基板を形成する工程と、
前記素子基板上に、封止層を介して前記対向基板を接着する工程とを含み、
前記対向基板を形成する工程では、
第２基板上に、
無機遮光層と、
前記素子基板の前記第２電極に電気的に接続されると共に、前記第２電極よりも低抵抗な導電層と
をこの順に形成する
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１３）
前記対向基板を形成する工程では、
前記第２基板上に、前記無機遮光膜としての複数の無機膜と前記導電層とを連続して成膜する
上記（１２）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１４）
前記無機遮光層および前記導電層を形成した後、
前記無機遮光層および前記導電層を貫通して複数の開口部を形成し、
前記複数の開口部のそれぞれにカラーフィルタ層を形成する
上記（１２）または（１３）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１５）
前記複数の開口部を形成する際には、前記無機遮光膜および前記導電層の積層膜のうちの選択的な領域を一括除去する
上記（１４）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１６）
前記対向基板を接着する工程では、
前記素子基板および前記対向基板間の封止体積の１２０％以下の樹脂材料を用いて、前記素子基板および前記対向基板を圧着する
上記（１３）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１７）
第１基板上に、第１電極、有機電界発光層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する素子基板と、
前記素子基板上に、封止層を介して対向配置された対向基板とを備え、
前記対向基板は、
第２基板上に設けられた樹脂遮光層と、
少なくとも前記樹脂遮光層を覆う保護層と、
前記保護層上の前記樹脂遮光層に対向する領域に設けられ、前記素子基板の前記第２電極に電気的に接続されると共に前記第２電極よりも低抵抗な導電層と
を有する
有機ＥＬ表示装置。
（１８）
第１基板上に、第１電極、有機電界発光層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する素子基板を形成する工程と、
対向基板を形成する工程と、
前記素子基板上に、封止層を介して前記対向基板を接着する工程とを含み、
前記対向基板を形成する工程では、
第２基板上に、
樹脂遮光層と、
少なくとも前記樹脂遮光層を覆う保護層と、
前記樹脂遮光層に対向する領域に設けられ、前記素子基板の前記第２電極に電気的に接続されると共に前記第２電極よりも低抵抗な導電層と
をこの順に形成する
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１９）
基板上に設けられた無機遮光層と、
前記無機遮光層上に積層された導電層と、
前記無機遮光層および前記導電層を貫通する複数の開口部と、
前記複数の開口部のそれぞれに設けられたカラーフィルタ層と
を備えたカラーフィルタ基板。
（２０）
基板上に設けられた樹脂遮光層と、
前記樹脂遮光層を貫通する複数の開口部と、
前記複数の開口部のそれぞれに設けられたカラーフィルタ層と、
前記樹脂遮光層および前記カラーフィルタ層を覆う保護層と、
前記保護層上の前記樹脂遮光層に対向する領域に設けられた導電層と
を備えたカラーフィルタ基板。

１…有機ＥＬ表示装置、１０…素子基板、１０Ａ…有機ＥＬ素子、１１…第１基板、１２…ＴＦＴ、１３…配線層、１４…層間絶縁膜、１５…下部電極、１６…画素間絶縁膜、１７…有機層、１８…高抵抗層、１９…上部電極、２０，２０Ａ〜２０Ｅ…対向基板、２１…第２基板、２２…ＣＦ／ＢＭ層、２３，２３Ａ，２３Ｂ…ピラー、２４…導電膜、３０…封止層、２２０Ｒ…赤色樹脂層、２２０Ｇ…緑色樹脂層、２２０Ｂ…青色樹脂層、２２１…積層膜、２２１Ａ…無機遮光層、２２１Ｂ，２２１Ｅ…低抵抗層、２２１Ｃ，２２１Ｄ…樹脂遮光層、２２２…オーバーコート層。

Claims (20)

1. 第１基板上に、第１電極、有機電界発光層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する素子基板と、
   前記素子基板上に、封止層を介して対向配置された対向基板とを備え、
   前記対向基板は、
   第２基板上に設けられた無機遮光層と、
   前記無機遮光層上に積層され、前記素子基板の前記第２電極に電気的に接続されると共に前記第２電極よりも低抵抗な導電層と
   を有する
   有機ＥＬ表示装置。
2. 前記無機遮光層は、複数の無機膜を積層したものである
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記無機遮光層および前記導電層を貫通する複数の開口部が設けられ、
   前記複数の開口部のそれぞれにカラーフィルタ層が形成されている
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記カラーフィルタ層は、前記開口部を埋め込み、かつ前記導電層上の縁部にオーバーラップして設けられている
   請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記複数の開口部のそれぞれの内壁を覆って、樹脂遮光層が設けられている
   請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 前記導電層と前記第２電極との間に導電性部材が配設されている
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
7. 前記導電性部材は、少なくとも表面が導電性を有する柱状部材または球状部材である
   請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
8. 前記導電性部材は、
   前記導電層上に積層された１または複数のカラーフィルタからなるフィルタ積層部と、
   前記フィルタ積層部を覆う導電膜と
   を有する
   請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
9. 前記導電性部材は、
   前記導電層上に積層された１または複数のカラーフィルタからなるフィルタ積層部と、
   前記フィルタ積層部上に設けられた柱状部材と、
   前記フィルタ積層部および前記柱状部材を覆う導電膜と
   を有する
   請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
10. 前記封止層が導電性樹脂により構成されている
    請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
11. 前記封止層は外周部に空隙を有し、
    前記封止層の前記外周部に対向する領域に、遮光層が設けられている
    請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
12. 第１基板上に、第１電極、有機電界発光層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する素子基板を形成する工程と、
    対向基板を形成する工程と、
    前記素子基板上に、封止層を介して前記対向基板を接着する工程とを含み、
    前記対向基板を形成する工程では、
    第２基板上に、
    無機遮光層と、
    前記素子基板の前記第２電極に電気的に接続されると共に、前記第２電極よりも低抵抗な導電層と
    をこの順に形成する
    有機ＥＬ表示装置の製造方法。
13. 前記対向基板を形成する工程では、
    前記第２基板上に、前記無機遮光膜としての複数の無機膜と前記導電層とを連続して成膜する
    請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
14. 前記無機遮光層および前記導電層を形成した後、
    前記無機遮光層および前記導電層を貫通して複数の開口部を形成し、
    前記複数の開口部のそれぞれにカラーフィルタ層を形成する
    請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
15. 前記複数の開口部を形成する際には、前記無機遮光膜および前記導電層の積層膜のうちの選択的な領域を一括除去する
    請求項１４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
16. 前記対向基板を接着する工程では、
    前記素子基板および前記対向基板間の封止体積の１２０％以下の樹脂材料を用いて、前記素子基板および前記対向基板を圧着する
    請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
17. 第１基板上に、第１電極、有機電界発光層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する素子基板と、
    前記素子基板上に、封止層を介して対向配置された対向基板とを備え、
    前記対向基板は、
    第２基板上に設けられた樹脂遮光層と、
    少なくとも前記樹脂遮光層を覆う保護層と、
    前記保護層上の前記樹脂遮光層に対向する領域に設けられ、前記素子基板の前記第２電極に電気的に接続されると共に前記第２電極よりも低抵抗な導電層と
    を有する
    有機ＥＬ表示装置。
18. 第１基板上に、第１電極、有機電界発光層を含む有機層、および第２電極をこの順に有する素子基板を形成する工程と、
    対向基板を形成する工程と、
    前記素子基板上に、封止層を介して前記対向基板を接着する工程とを含み、
    前記対向基板を形成する工程では、
    第２基板上に、
    樹脂遮光層と、
    少なくとも前記樹脂遮光層を覆う保護層と、
    前記樹脂遮光層に対向する領域に設けられ、前記素子基板の前記第２電極に電気的に接続されると共に前記第２電極よりも低抵抗な導電層と
    をこの順に形成する
    有機ＥＬ表示装置の製造方法。
19. 基板上に設けられた無機遮光層と、
    前記無機遮光層上に積層された導電層と、
    前記無機遮光層および前記導電層を貫通する複数の開口部と、
    前記複数の開口部のそれぞれに設けられたカラーフィルタ層と
    を備えたカラーフィルタ基板。
20. 基板上に設けられた樹脂遮光層と、
    前記樹脂遮光層を貫通する複数の開口部と、
    前記複数の開口部のそれぞれに設けられたカラーフィルタ層と、
    前記樹脂遮光層および前記カラーフィルタ層を覆う保護層と、
    前記保護層上の前記樹脂遮光層に対向する領域に設けられた導電層と
    を備えたカラーフィルタ基板。

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