JPH095783A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH095783A JPH095783A JP14995795A JP14995795A JPH095783A JP H095783 A JPH095783 A JP H095783A JP 14995795 A JP14995795 A JP 14995795A JP 14995795 A JP14995795 A JP 14995795A JP H095783 A JPH095783 A JP H095783A
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- liquid crystal
- moo
- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ブラックマトリクス（ＢＭ）やライトシー
ルド（ＬＳ）からＣｒ系のような公害性物質の削除。
カラーフィルタのレジストの残渣に起因する表示品位、
歩留の低下の防止。 【構成】 カラー又は白黒表示でアクティブ又はパッシ
ブ型のＬＣＤにおいて、ＢＭ及びＬＳとして非公害性の
Ｍｏ／ＭｏＯ多層膜及びＭｏ膜をそれぞれ用いることに
よってＬＣＤを廃棄した場合のＢＭ，ＬＳによる公害を
防止できると共にＢＭが低反射率化になるので視認性も
向上できる。白黒表示でアクティブ型ＬＣＤのＬＳやソ
ース電極及びソースバスをＩＴＯ／Ｍｏ／ＭｏＯ多層膜
にすることによって導電性を向上させると共に低反射率
化を図ることができる。
ルド（ＬＳ）からＣｒ系のような公害性物質の削除。
カラーフィルタのレジストの残渣に起因する表示品位、
歩留の低下の防止。 【構成】 カラー又は白黒表示でアクティブ又はパッシ
ブ型のＬＣＤにおいて、ＢＭ及びＬＳとして非公害性の
Ｍｏ／ＭｏＯ多層膜及びＭｏ膜をそれぞれ用いることに
よってＬＣＤを廃棄した場合のＢＭ，ＬＳによる公害を
防止できると共にＢＭが低反射率化になるので視認性も
向上できる。白黒表示でアクティブ型ＬＣＤのＬＳやソ
ース電極及びソースバスをＩＴＯ／Ｍｏ／ＭｏＯ多層膜
にすることによって導電性を向上させると共に低反射率
化を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は液晶表示素子（以下Ｌ
ＣＤと言う）のブラックマトリックス、ＴＦＴに対する
ライトシールド等からＣｒ系のような公害性物質を削除
したものである。
ＣＤと言う）のブラックマトリックス、ＴＦＴに対する
ライトシールド等からＣｒ系のような公害性物質を削除
したものである。
【０００２】
【従来の技術】カラー表示で、アクティブ型のＬＣＤ３
０は図５に示すように、対向する２枚のガラス基板１，
２の間に液晶３が封入され、ガラス基板１の内面にＴＦ
Ｔアレイ４が形成されている。ガラス基板１側からＴＦ
Ｔアレイ４の各ＴＦＴ５に当る光を遮光してＴＦＴのオ
ン／オフ比を改善するために、Ｃｒ膜より成るライトシ
ールド６が形成されている。
０は図５に示すように、対向する２枚のガラス基板１，
２の間に液晶３が封入され、ガラス基板１の内面にＴＦ
Ｔアレイ４が形成されている。ガラス基板１側からＴＦ
Ｔアレイ４の各ＴＦＴ５に当る光を遮光してＴＦＴのオ
ン／オフ比を改善するために、Ｃｒ膜より成るライトシ
ールド６が形成されている。
【０００３】ＴＦＴアレイ４は、ガラス基板１上に一面
に形成されたＳｉＯ2 層７上にソース電極５ｓ、ソース
バス８、ドレイン電極５ｄ、画素電極（表示電極とも言
う）９がＩＴＯにより形成される。ＳｉＯ2 層７上にソ
ース電極５ｓとドレイン電極５ｄ上にまたがってａ−Ｓ
ｉ（アモルファス・シリコン）のような半導体層５ａが
形成される。ソースバス８、画素電極９及び半導体層５
ａ上にＳｉＮｘ（窒化シリコン）のようなゲート絶縁膜
１０が一面に形成され、その上にアルミニウムなどより
成るゲート電極５ｇ及びゲートバス（図示せず）が形成
される。
に形成されたＳｉＯ2 層７上にソース電極５ｓ、ソース
バス８、ドレイン電極５ｄ、画素電極（表示電極とも言
う）９がＩＴＯにより形成される。ＳｉＯ2 層７上にソ
ース電極５ｓとドレイン電極５ｄ上にまたがってａ−Ｓ
ｉ（アモルファス・シリコン）のような半導体層５ａが
形成される。ソースバス８、画素電極９及び半導体層５
ａ上にＳｉＮｘ（窒化シリコン）のようなゲート絶縁膜
１０が一面に形成され、その上にアルミニウムなどより
成るゲート電極５ｇ及びゲートバス（図示せず）が形成
される。
【０００４】一方、ガラス基板２の内面にカラーフィル
タ２１が形成される。カラーフィルタ２１は、Ｒ，Ｇ，
ＢのマイクロカラーフィルタＦＲ，ＦＧ，ＦＢがマトリ
クス状に各画素に対応して形成され、これらのマイクロ
カラーフィルタ相互間にＣｒ膜またはその反射率を改良
したＣｒＯとＣｒとの多層膜より成るブラックマトリク
ス（ブラックストライプとも言う）ＢＭが形成される。
ブラックマトリクスＢＭは周知のように遮光によってコ
ントラストや色純度を良好にして視認性を向上させるも
のである。
タ２１が形成される。カラーフィルタ２１は、Ｒ，Ｇ，
ＢのマイクロカラーフィルタＦＲ，ＦＧ，ＦＢがマトリ
クス状に各画素に対応して形成され、これらのマイクロ
カラーフィルタ相互間にＣｒ膜またはその反射率を改良
したＣｒＯとＣｒとの多層膜より成るブラックマトリク
ス（ブラックストライプとも言う）ＢＭが形成される。
ブラックマトリクスＢＭは周知のように遮光によってコ
ントラストや色純度を良好にして視認性を向上させるも
のである。
【０００５】カラーフィルタ２１の内面にＩＴＯより成
る共通電極２２が一面に形成され、その内面に配向膜２
３が形成される。ＴＦＴアレイ４の内面にも同様に配向
膜２４が形成される。またガラス基板１，２の各外面に
偏光板２５，２６がそれぞれ配設される。
る共通電極２２が一面に形成され、その内面に配向膜２
３が形成される。ＴＦＴアレイ４の内面にも同様に配向
膜２４が形成される。またガラス基板１，２の各外面に
偏光板２５，２６がそれぞれ配設される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】 従来のＬＣＤのブラックマトリクスＢＭ及びライト
シールド６にＣｒ／ＣｒＯ多層膜及びＣｒ膜がそれぞれ
用いられている。しかし、ＣｒやＣｒＯは公害性物質で
あり人体に悪影響をおよぼすので、ＬＣＤの耐用年数が
過ぎてそれを廃棄した場合に問題となる。液晶表示素子
は各家庭や企業体に今後ますます使われるようになると
予想されるので、大きな社会問題となる恐れもある。
シールド６にＣｒ／ＣｒＯ多層膜及びＣｒ膜がそれぞれ
用いられている。しかし、ＣｒやＣｒＯは公害性物質で
あり人体に悪影響をおよぼすので、ＬＣＤの耐用年数が
過ぎてそれを廃棄した場合に問題となる。液晶表示素子
は各家庭や企業体に今後ますます使われるようになると
予想されるので、大きな社会問題となる恐れもある。
【０００７】 ブラックマトリクスＢＭが形成された
ガラス基板２上にカラーフィルタ２１を形成する際、
Ｒ，Ｇ，Ｂのレジストを現像処理した後、洗浄工程でブ
ラシングして不要のレジストを除去している。しかしな
がら、ブラックマトリクスＢＭがＣｒ系の場合、その上
にＲ，Ｇ，Ｂのレジストが残渣として残り易く、時には
配向膜２３をラビングする際にその残渣がラビング布に
ほこりやちりのように付着すると共にそのほこりやちり
が液晶セル内に残り、表示品位を低下させ製品の歩留り
を悪化させることもある。
ガラス基板２上にカラーフィルタ２１を形成する際、
Ｒ，Ｇ，Ｂのレジストを現像処理した後、洗浄工程でブ
ラシングして不要のレジストを除去している。しかしな
がら、ブラックマトリクスＢＭがＣｒ系の場合、その上
にＲ，Ｇ，Ｂのレジストが残渣として残り易く、時には
配向膜２３をラビングする際にその残渣がラビング布に
ほこりやちりのように付着すると共にそのほこりやちり
が液晶セル内に残り、表示品位を低下させ製品の歩留り
を悪化させることもある。
【０００８】この発明の目的は、これら従来の問題を解
決して、ブラックマトリクスやライトシールドにＣｒ系
のような公害物質を使用しないようにすると共に、カラ
ーフィルタの形成時におけるＲ，Ｇ，Ｂのレジストの残
渣に起因する表示品位、製品歩留の低下を防止しようと
するものである。
決して、ブラックマトリクスやライトシールドにＣｒ系
のような公害物質を使用しないようにすると共に、カラ
ーフィルタの形成時におけるＲ，Ｇ，Ｂのレジストの残
渣に起因する表示品位、製品歩留の低下を防止しようと
するものである。
【０００９】
（１）請求項１の発明は、対向する２枚のガラス基板の
間に液晶が封入され、その一方のガラス基板の内面にブ
ラックマトリクスが形成されているカラーまたは白黒表
示で、アクティブまたはパッシブ型のＬＣＤにおいて、
特に、ブラックマトリクスが、非公害性のＭｏＯ膜とＭ
ｏ膜とより成る多層膜で形成されているものである。
間に液晶が封入され、その一方のガラス基板の内面にブ
ラックマトリクスが形成されているカラーまたは白黒表
示で、アクティブまたはパッシブ型のＬＣＤにおいて、
特に、ブラックマトリクスが、非公害性のＭｏＯ膜とＭ
ｏ膜とより成る多層膜で形成されているものである。
【００１０】（２）請求項２の発明は、前記（１）にお
いて、他方のガラス基板の内面にＴＦＴアレイが形成さ
れ、その各トランジスタを遮光するライトシールドが非
公害性のＭｏにより形成されているものである。 （３）請求項３の発明は、白黒表示でアクティブ型のＬ
ＣＤにおいて、特に、ＴＦＴアレイの各トランジスタを
遮光するライトシールドが、ＭｏＯ膜とＭｏ膜より成る
多層膜で形成されているものである。
いて、他方のガラス基板の内面にＴＦＴアレイが形成さ
れ、その各トランジスタを遮光するライトシールドが非
公害性のＭｏにより形成されているものである。 （３）請求項３の発明は、白黒表示でアクティブ型のＬ
ＣＤにおいて、特に、ＴＦＴアレイの各トランジスタを
遮光するライトシールドが、ＭｏＯ膜とＭｏ膜より成る
多層膜で形成されているものである。
【００１１】（４）請求項４の発明は、白黒表示でアク
ティブ型のＬＣＤにおいて、特に、ＴＦＴアレイのソー
ス電極及びソースバスが、ＭｏＯ膜とＭｏ膜とＩＴＯ膜
より成る多層膜で形成されているものである。
ティブ型のＬＣＤにおいて、特に、ＴＦＴアレイのソー
ス電極及びソースバスが、ＭｏＯ膜とＭｏ膜とＩＴＯ膜
より成る多層膜で形成されているものである。
【００１２】
【実施例】この発明の実施例を図１〜図３に、図５と対
応する部分に同じ符号を付けて示し、重複説明を省略す
る。この発明では、図１，図２に示すようにブラックマ
トリクスＢＭが非公害性物質であるＭｏＯ膜とＭｏ膜と
より成る多層膜で構成される（請求項１）。
応する部分に同じ符号を付けて示し、重複説明を省略す
る。この発明では、図１，図２に示すようにブラックマ
トリクスＢＭが非公害性物質であるＭｏＯ膜とＭｏ膜と
より成る多層膜で構成される（請求項１）。
【００１３】なお、従来はＣｒ膜またはＣｒ／ＣｒＯの
多層膜が用いられていたものである。ＬＣＤとしてはカ
ラー表示（図１）、白黒表示（図２）の両方に適用でき
る。またアクティブ型のみならずパッシブ型にも適用で
きる。また、ライトシールド６として従来のＣｒ膜の代
りに、非公害性の例えばＭｏ膜が用いられる（請求項
２）。
多層膜が用いられていたものである。ＬＣＤとしてはカ
ラー表示（図１）、白黒表示（図２）の両方に適用でき
る。またアクティブ型のみならずパッシブ型にも適用で
きる。また、ライトシールド６として従来のＣｒ膜の代
りに、非公害性の例えばＭｏ膜が用いられる（請求項
２）。
【００１４】ブラックマトリクスＢＭは、ガラス基板１
の内面に、Ｍｏをターゲットとして不活性ガスと酸素と
の混合ガスの雰囲気中でスパッタリングしてＭｏＯ膜を
形成し、次にその上にＭｏをターゲットとして不活性ガ
スの雰囲気中でスパッタリングしてＭｏ膜を形成する。
なお表示画面を見る側にＭｏＯ膜、その裏面にＭｏ膜を
配すことによって低反射率化を図ることができる。
の内面に、Ｍｏをターゲットとして不活性ガスと酸素と
の混合ガスの雰囲気中でスパッタリングしてＭｏＯ膜を
形成し、次にその上にＭｏをターゲットとして不活性ガ
スの雰囲気中でスパッタリングしてＭｏ膜を形成する。
なお表示画面を見る側にＭｏＯ膜、その裏面にＭｏ膜を
配すことによって低反射率化を図ることができる。
【００１５】Ｍｏ／ＭｏＯ多層膜の反射率は、膜厚、屈
折率、スパッタリング時の雰囲気ガスの圧力、酸素分
圧、ガス流量、試料基板の温度等によって制御できる。
この発明で用いるＭｏ／ＭｏＯ多層膜のボトム反射率は
図４に示すように、波長５５０〜７００ｎｍにおいて、
１〜２％と極めて小さい。従来のＣｒ膜の反射率は５０
〜６０％であり、それを改良したＣｒ／ＣｒＯ多層膜の
それは１〜５％であるので、この発明は公害防止のみな
らず低反射率化の面でもかなりの改良となっている。
折率、スパッタリング時の雰囲気ガスの圧力、酸素分
圧、ガス流量、試料基板の温度等によって制御できる。
この発明で用いるＭｏ／ＭｏＯ多層膜のボトム反射率は
図４に示すように、波長５５０〜７００ｎｍにおいて、
１〜２％と極めて小さい。従来のＣｒ膜の反射率は５０
〜６０％であり、それを改良したＣｒ／ＣｒＯ多層膜の
それは１〜５％であるので、この発明は公害防止のみな
らず低反射率化の面でもかなりの改良となっている。
【００１６】Ｍｏ／ＭｏＯ多層膜は非公害性であること
を除けばＣｒ／ＣｒＯ多層膜と似た光学的、電気的性質
をもっている。例えば両者とも光学密度（ＯＤ）は約
４、酸化膜屈折率は1.8 〜2.0 、シート抵抗は５〜１０
Ωである。Ｍｏ／ＭｏＯ多層膜による低反射率化の応用
として、白黒表示でアクティブ型ＬＣＤのライトシール
ド６やソース電極５ｓ及びソースバス８へも適用できる
（請求項３，４）。
を除けばＣｒ／ＣｒＯ多層膜と似た光学的、電気的性質
をもっている。例えば両者とも光学密度（ＯＤ）は約
４、酸化膜屈折率は1.8 〜2.0 、シート抵抗は５〜１０
Ωである。Ｍｏ／ＭｏＯ多層膜による低反射率化の応用
として、白黒表示でアクティブ型ＬＣＤのライトシール
ド６やソース電極５ｓ及びソースバス８へも適用できる
（請求項３，４）。
【００１７】図３ではライトシールド６がＭｏ／ＭｏＯ
多層膜で形成されている。従来、ソースバスの導電性を
薦めるために、ＩＴＯ膜上にＭｏ，Ａｌ，Ｃｒ等の金属
膜を形成する例があった。この発明ではＩＴＯ／Ｍｏ／
ＭｏＯの多層膜によって、ソース電極及びソースバスの
高導電性化に加えて更に低反射率化を図ることができ
る。これにより、ソース電極５ｓ及びソースバス８から
の反射がほとんど無くなり、表示品位を更に向上でき
る。
多層膜で形成されている。従来、ソースバスの導電性を
薦めるために、ＩＴＯ膜上にＭｏ，Ａｌ，Ｃｒ等の金属
膜を形成する例があった。この発明ではＩＴＯ／Ｍｏ／
ＭｏＯの多層膜によって、ソース電極及びソースバスの
高導電性化に加えて更に低反射率化を図ることができ
る。これにより、ソース電極５ｓ及びソースバス８から
の反射がほとんど無くなり、表示品位を更に向上でき
る。
【００１８】従来ブラックマトリクスＢＭにＣｒ系を用
いた場合、既に述べたようにＲ，Ｇ，Ｂカラーフィルタ
を形成する際のＲ，Ｇ，Ｂのレジストが洗浄しても残渣
としてブラックマトリクス上に残り、その残渣がちり、
ほこりとなってセル内に残り、表示品位と歩留を低下さ
せていた。しかしこの発明ではＣｒ系に代ってＭｏ／Ｍ
ｏＯ複合膜を用いることによって、上述のようなレジス
トの残渣が発生せず、この残渣に起因する表示品位、歩
留の低下を防止できることが試作、実験によって確認さ
れている。
いた場合、既に述べたようにＲ，Ｇ，Ｂカラーフィルタ
を形成する際のＲ，Ｇ，Ｂのレジストが洗浄しても残渣
としてブラックマトリクス上に残り、その残渣がちり、
ほこりとなってセル内に残り、表示品位と歩留を低下さ
せていた。しかしこの発明ではＣｒ系に代ってＭｏ／Ｍ
ｏＯ複合膜を用いることによって、上述のようなレジス
トの残渣が発生せず、この残渣に起因する表示品位、歩
留の低下を防止できることが試作、実験によって確認さ
れている。
【００１９】
【発明の効果】 この発明ではブラックマトリクスＢＭやライトシー
ルド６として従来の公害性のＣｒ／ＣｒＯ多層膜やＣｒ
膜の代りに、非公害性のＭｏ／ＭｏＯ多層膜やＭｏ膜を
用いるようにしたので、ＬＣＤを廃棄した場合、ブラッ
クマトリクスやライトシールドによる公害の恐れはな
い。
ルド６として従来の公害性のＣｒ／ＣｒＯ多層膜やＣｒ
膜の代りに、非公害性のＭｏ／ＭｏＯ多層膜やＭｏ膜を
用いるようにしたので、ＬＣＤを廃棄した場合、ブラッ
クマトリクスやライトシールドによる公害の恐れはな
い。
【００２０】 この発明ではブラックマトリクスＢＭ
としてＭｏ／ＭｏＯ複合膜を用いたので、Ｒ，Ｇ，Ｂカ
ラーフィルタ形成時のＲ，Ｇ，Ｂのレジストの残渣が発
生せず、この残渣に起因する表示品位及び歩留の低下を
防止できる。 Ｍｏ／ＭｏＯ多層膜は従来のＣｒ膜やＣｒ／ＣｒＯ
多層膜に比較して低反射率であるので、ブラックマトリ
クスやライトシールドに用いることによって、視認性を
向上できる。
としてＭｏ／ＭｏＯ複合膜を用いたので、Ｒ，Ｇ，Ｂカ
ラーフィルタ形成時のＲ，Ｇ，Ｂのレジストの残渣が発
生せず、この残渣に起因する表示品位及び歩留の低下を
防止できる。 Ｍｏ／ＭｏＯ多層膜は従来のＣｒ膜やＣｒ／ＣｒＯ
多層膜に比較して低反射率であるので、ブラックマトリ
クスやライトシールドに用いることによって、視認性を
向上できる。
【００２１】 白黒表示ＬＣＤのソース電極５ｓ及び
ソースバス８として、ＩＴＯ／Ｍｏ／ＭｏＯの複合膜を
用いた場合には、従来のＣｒ等の金属膜／ＩＴＯの多層
膜に比べて、反射をほとんど無くすことができ、視認性
をいっそう向上できる。
ソースバス８として、ＩＴＯ／Ｍｏ／ＭｏＯの複合膜を
用いた場合には、従来のＣｒ等の金属膜／ＩＴＯの多層
膜に比べて、反射をほとんど無くすことができ、視認性
をいっそう向上できる。
【図１】Ａは請求項１の発明の実施例（カラー表示でア
クティブ型）を示す断面図、ＢはＡのＴＦＴとその周辺
を拡大した断面図。
クティブ型）を示す断面図、ＢはＡのＴＦＴとその周辺
を拡大した断面図。
【図２】Ａは請求項１の発明の他の実施例（白黒表示で
アクティブ型）を示す断面図、ＢはＡのＴＦＴとその周
辺を拡大した断面図。
アクティブ型）を示す断面図、ＢはＡのＴＦＴとその周
辺を拡大した断面図。
【図３】Ａは請求項３及び４の発明の実施例を示す断面
図、ＢはＡのＴＦＴとその周辺を拡大した断面図。
図、ＢはＡのＴＦＴとその周辺を拡大した断面図。
【図４】この発明で使用するＭｏ／ＭｏＯ多層膜の反射
分光特性を示すグラフ。
分光特性を示すグラフ。
【図５】Ａは従来のカラー表示でアクティブ型のＬＣＤ
の断面図、ＢはＡのＴＦＴとその周辺を拡大した断面
図。
の断面図、ＢはＡのＴＦＴとその周辺を拡大した断面
図。
Claims (4)
- 【請求項１】 対向する２枚のガラス基板の間に液晶が
封入され、その一方のガラス基板の内面にブラックマト
リクスが形成されているカラーまたは白黒表示で、アク
ティブまたはパッシブ型の液晶表示素子において、 前記ブラックマトリクスが、ＭｏＯ膜とＭｏ膜とより成
る多層膜で形成されていることを特徴とする液晶表示素
子。 - 【請求項２】 請求項１において、他方のガラス基板の
内面にＴＦＴアレイが形成され、その各トランジスタを
遮光するライトシールドがＭｏにより形成されているこ
とを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項３】 対向する２枚のガラス基板の間に液晶が
封入され、その一方のガラス基板の内面に共通電極が形
成され、他方のガラス基板の内面にＴＦＴアレイが形成
されている白黒表示の液晶表示素子において、 前記ＴＦＴアレイの各トランジスタを遮光するライトシ
ールドが、ＭｏＯ膜とＭｏ膜より成る多層膜で形成され
ていることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項４】 対向する２枚のガラス基板の間に液晶が
封入され、その一方のガラス基板の内面に共通電極が形
成され、他方のガラス基板の内面にＴＦＴアレイが形成
されている白黒表示の液晶表示素子において、 前記ＴＦＴアレイのソース電極及びソースバスが、Ｍｏ
Ｏ膜とＭｏ膜とＩＴＯ膜より成る多層膜で形成されてい
ることを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14995795A JPH095783A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14995795A JPH095783A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH095783A true JPH095783A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15486303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14995795A Pending JPH095783A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH095783A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103325812A (zh) * | 2012-03-21 | 2013-09-25 | 索尼公司 | 有机电致发光显示单元、其制造方法以及滤色片基板 |
| US8648364B2 (en) | 2001-12-26 | 2014-02-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Flat panel display including an opaque film to block an eternal light reflected from a thin film transistor (TFT) and a capacitor |
| WO2016015352A1 (zh) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示器及液晶显示器的制造方法 |
| CN113097228A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 遮光基板及其制备方法和阵列基板 |
-
1995
- 1995-06-16 JP JP14995795A patent/JPH095783A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8648364B2 (en) | 2001-12-26 | 2014-02-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Flat panel display including an opaque film to block an eternal light reflected from a thin film transistor (TFT) and a capacitor |
| CN103325812A (zh) * | 2012-03-21 | 2013-09-25 | 索尼公司 | 有机电致发光显示单元、其制造方法以及滤色片基板 |
| WO2016015352A1 (zh) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示器及液晶显示器的制造方法 |
| CN113097228A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 遮光基板及其制备方法和阵列基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040413 |