JP2014013794A - 固体撮像装置及びカメラ - Google Patents

Abstract

【課題】固体撮像装置の高画素化に有利な信号配線のレイアウト設計をする。
【解決手段】画素からの信号を伝達する第１列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ２とが配され、Ｌ_ＳＩＧ１、Ｌ_ＳＩＧ２が配置された領域は、第１領域Ｒ１、第２領域Ｒ２及び第３領域Ｒ３を含む配線部を含み、Ｌ_ＳＩＧ１は、Ｒ１及びＲ２では、第１配線層に配置された第１パターンＬＰ_１で構成され、Ｒ３では第２配線層に配置された第２パターンＬＰ_２で構成され、ＬＰ_１とＬＰ_２とはＲ２とＲ３との間において導電体で電気的に接続され、Ｌ_ＳＩＧ２は、Ｒ１では第２配線層に配置された第３パターンＬＰ_３で構成され、Ｒ２及びＲ３では第１配線層に配置された第４パターンＬＰ_４で構成され、ＬＰ_３とＬＰ_４とはＲ１とＲ２との間において導電体で電気的に接続され、Ｒ１ではＬＰ_１とＬＰ_３とが重なり合っており、Ｒ３ではＬＰ_２とＬＰ_４とが重なり合っている。
【選択図】図３

Description

本発明は、固体撮像装置及びカメラに関する。

固体撮像装置は、複数の画素が配された画素アレイを有する。特許文献１には、画素アレイの各列に複数の列信号線が配された構成が開示されている。特許文献１によると、画素アレイの各列から同時に複数の画素信号を読み出すことが可能になり、読み出しの高速化が可能である。

ところで、固体撮像装置の高画素化に伴い、集光効率を向上させつつ、上記高速化を達成する信号配線のレイアウト技術が要求される。特許文献２には、画素アレイの各列に複数の信号配線が並列に配された構造のレイアウト技術の例が開示されている。例えば、特許文献２の図４によると、第１列読出線１０６＿ｅｖｅｎ及び第２列読出線１０６＿ｏｄｄが、画素１行単位の周期で交互に出力部（行選択トランジスタ１０５の拡散領域）に近接するように形成された構造が開示されている。このことは複数の配線層を用いて為されうる。

特開２００５−３１１８２１号公報 特開２０１１−８２７６９号公報

ところで、画素アレイに各画素を制御するための制御線を配するため、該制御線と第１及び第２列読出線とが交差する部分を少ない配線層数で形成するためにはレイアウトの工夫が必要である。

本発明の目的は、固体撮像装置の高画素化に有利な信号配線のレイアウト技術を提供することにある。

本発明の一つの側面は固体撮像装置にかかり、前記固体撮像装置は、複数の画素が複数の行及び複数の列を構成するように配された画素アレイ領域を有し、前記画素アレイ領域には、それぞれ対応する画素からの信号を伝達する第１列信号線及び第２列信号線と、対応する画素を制御するための制御線とが配され、前記第１列信号線、前記第２列信号線及び前記制御線が配置された領域は、前記列の方向に順に配された第１領域、第２領域及び第３領域を含む配線部を含み、前記第１列信号線は、前記第１領域及び前記第２領域では、互いに異なる層である第１配線層及び第２配線層のうち前記第１配線層に配置された第１パターンで構成され、前記第３領域では前記第２配線層に配置された第２パターンで構成され、前記第１パターンと前記第２パターンとは前記第２領域と前記第３領域との間において導電体で電気的に接続され、前記第２列信号線は、前記第１領域では前記第２配線層に配置された第３パターンで構成され、前記第２領域及び前記第３領域では前記第１配線層に配置された第４パターンで構成され、前記第３パターンと前記第４パターンとは前記第１領域と前記第２領域との間において導電体で電気的に接続され、前記第１領域では前記第１パターンと前記第３パターンとが層間絶縁膜を介して重なり合っており、前記第３領域では前記第２パターンと前記第４パターンとが層間絶縁膜を介して重なり合っており、前記制御線は前記第２領域では前記第２配線層に配置されたパターンで構成され、該パターンは前記第１パターン及び前記第４パターンと層間絶縁膜を介して交差している、ことを特徴とする。

本発明によれば、固体撮像装置の高画素化に有利な信号配線のレイアウト設計をすることができる。

画素アレイの構成の一部の例を説明する図。 画素アレイ領域の断面構造の例を説明する図。 第１実施形態の配線部の例を説明する図。 第１実施形態のレイアウト例を説明する図。 画素の構成例を説明する図。 画素アレイの構成の一部の他の例を説明する図。 第２実施形態のレイアウト例を説明する図。 画素アレイの構成の一部の他の例を説明する図。

（第１実施形態）
図１乃至５を参照しながら、第１実施形態の固体撮像装置Ｉ_１を説明する。固体撮像装置Ｉ_１は、複数の画素ＰＵが複数の行及び複数の列を構成するように配された画素アレイＰＡを備える。説明を簡単にするため、図１では、４行×１列の画素ＰＵを示している。画素アレイＰＡが配された領域を画素アレイ領域ＲＰＡとする。画素アレイ領域ＲＰＡには、例えば、対応する画素ＰＵからの信号を伝達する列信号線Ｌ_ＳＩＧ（第１列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ２）と、対応する画素ＰＵを制御するための制御線Ｌ_ＣＮＴ（第１制御線Ｌ_ＣＮＴ１及び第２制御線Ｌ_ＣＮＴ２）とが配される。図１において、Ｘ方向は行の方向を示し、Ｙ方向は列の方向を示す。各画素ＰＵから読み出された画素信号は、対応する列信号線Ｌ_ＳＩＧを介して処理部（不図示）に伝達される。

図２は、図１に示すカットラインＰ−Ｐ’における断面構造の一部を模式的に示している。画素ＰＵは、基板１００（例えば、シリコン基板）上に形成され、フォトダイオードＰＤ（光電変換素子）と、１つ以上のトランジスタＴｒとを含む。これらの上には、層間絶縁膜１１０と、互いに異なる層である第１配線層Ｍ１及び第２配線層Ｍ２とが配される。図２において、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向が形成する平面に交差する方向を示す。層間絶縁膜１１０は、例えば、ＳｉＯ_２からなり、基板と第１配線層Ｍ１との間、第１配線層Ｍ１と第２配線層Ｍ２との間、及び第２配線層Ｍ２の上に配されうる。ここでは、第１配線層Ｍ１は基板１００に最も近い配線層であり、第２配線層Ｍ２は第１配線層Ｍ１の上の配線層でありうる。各配線層に配されるパターンには、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）等の金属が用いられうる。これらは、３以上の配線層数を用いることも可能であるが、入射光と光電変換部との距離を小さくして光の減衰を抑制するため、少ない配線層数で形成されるとよい。ここでは、配線層数が２の場合について述べる。以下の説明では各パターンを電気的に接続する手法としてビアを用いる場合を例に説明するが、導電体により電気的に接続されていればこれに限られない。

図３は、列信号線Ｌ_ＳＩＧと制御線Ｌ_ＣＮＴとが配置された領域を、立体的に示した模式図である。この領域は、Ｙ方向に向かって順に配された第１領域Ｒ１と、第２領域Ｒ２と、第３領域Ｒ３とを含む配線部ＳＴ_１を有する。第１列信号線Ｌ_ＳＩＧ１は、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２では、第１配線層Ｍ１に配置された第１パターンＬＰ_１で構成されている。また、第１列信号線Ｌ_ＳＩＧ１は、第３領域Ｒ３では第２配線層Ｍ２に配置された第２パターンＬＰ_２で構成されている。また、第１パターンＬＰ_１と第２パターンＬＰ_２とは第２領域Ｒ２と第３領域Ｒ３との間においてビアＶ１_１２で接続されている。同様にして、第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ２は、第１領域Ｒ１では第２配線層Ｍ２に配置された第３パターンＬＰ_３で構成されている。第２領域Ｒ２及び第３領域Ｒ３では第１配線層Ｍ１に配置された第４パターンＬＰ_４で構成されている。第３パターンＬＰ_３と第４パターンＬＰ_４とは第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との間においてビアＶ１_３４で接続されている。

ここで、第１領域Ｒ１では、第１パターンＬＰ_１と第３パターンＬＰ_３とが、層間絶縁膜を介して重なり合っている。また、第３領域Ｒ３では、第２パターンＬＰ_２と第４パターンＬＰ_４とが層間絶縁膜を介して重なり合っている。ここで、「重なり合う」とは、２つのパターンがＺ方向から見て一部の領域が重なっていればよく、平面視の両パターンが完全に一致していなくてもよい。制御線Ｌ_ＣＮＴは、第２領域Ｒ２では、第２配線層Ｍ２に配置されたパターンＬＰ_ＣＮＴで構成され、パターンＬＰ_ＣＮＴは第１パターンＬＰ_１及び第４パターンＬＰ_４と、層間絶縁膜を介して交差している。

第２領域Ｒ２では、第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２と制御線Ｌ_ＣＮＴとが交差するため、第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２は、ここでは、第１配線層Ｍ１でパターンをそれぞれ構成し、これらのパターンは並列に配されうる。そのため、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との間では、第１パターンＬＰ_１と第３パターンＬＰ_３とは層間絶縁膜を介して重なり合わない。また、第２領域Ｒ２と第３領域Ｒ３との間では、第２パターンＬＰ_２と第４パターンＬＰ_４とは層間絶縁膜を介して重なり合わない。

例えば、画素アレイＰＡの各列に第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２が配され、各行に制御線Ｌ_ＣＮＴが配される場合は、上述のような配線の交差は各画素に対応して存在する。よって、少なくとも２以上の配線部ＳＴ_１が画素アレイ領域ＲＰＡにおいて形成され、所定の数の行単位で繰り返し形成されうる。これにより、列信号線の其々の負荷インピーダンスを均一化し、よって、画素信号の其々についての読出特性を均一化し、ばらつきを低減することが可能になる。

図４は、画素アレイ領域ＲＰＡ（２行×１列）の上面図を模式的に示している。画素ＰＵは、図４に例示されるように、光電変換部ＰＤ（例えば、フォトダイオード）、ノードＡ、リセットトランジスタＲＥＳ、ソースフォロワトランジスタＳＦ、選択トランジスタＳＥＬを含みうる。光電変換部ＰＤにおいて受光によって発生した電荷の量に応じた信号がノードＡに伝達される。ノードＡは、ソースフォロワトランジスタＳＦのゲート容量及びリセットトランジスタＲＥＳの拡散層容量を含む容量成分を有し、該電荷の量に応じた電位を形成する。電源ＶＤＤに接続されたソースフォロワトランジスタＳＦに流れる電流量は、そのゲート電位、即ち、ノードＡの電位の変動に応じて変化する。選択トランジスタＳＥＬのゲート端子には選択信号が与えられ、選択信号が活性化されると、選択トランジスタＳＥＬはソースフォロワトランジスタＳＦの電流量に応じた画素信号を列信号線Ｌ_ＳＩＧに出力する。また、リセットトランジスタＲＥＳのゲート端子にはリセット信号が与えられ、リセット信号が活性化されると、リセットトランジスタＲＥＳはノードＡの電位をリセットする。上述の選択信号及びリセット信号は、上記制御線Ｌ_ＣＮＴの其々（第１及び第２制御線Ｌ_ＣＮＴ１及びＬ_ＣＮＴ２）によって伝達される。

図４に例示されるように、配線部ＳＴ_１は、各画素ＰＵの境界領域において形成されうるため、開口率の低下を抑制し、集光率を向上しうる。また、例えば、領域ＥＲを有効に光電変換部ＰＤに充てることができ、感光度を向上しうる。なお、画素ＰＵからの画素信号は、選択トランジスタＳＥＬの一方の拡散層から列信号線に出力され、選択信号及びリセット信号を含む制御信号は、対応するトランジスタのゲート端子に入力される。よって、これらの信号の入出力のためのパターンは、第１配線層Ｍ１に配されるように、適宜、レイアウトされうる。

また、画素ＰＵは、図５に例示されるように、光電変換部ＰＤとノードＡとの間に転送トランジスタＴＸを含んでもよい。この場合、転送トランジスタＴＸのゲート端子には転送信号が与えられる。この場合は、３つの制御線Ｌ_ＣＮＴが用いられ、転送信号は第３制御線（不図示）によって伝達されうる。転送信号が活性化されると、光電変換部ＰＤにおいて発生し蓄積された電荷がノードＡに転送される。ノードＡが有する容量成分は、転送トランジスタＡの拡散層容量をさらに含み、フローティングディフュージョン容量（ＦＤ）と称される。

以上、本実施形態では、例えば、第１配線層Ｍ１を基板の最も近い層とし、第２配線層Ｍ２を第１配線層Ｍ１の上の層としたが、この形態には限定されず、これらの位置関係は逆でもよい。また、他の配線層（例えば、第３配線層）を用いて上述の配線部ＳＴ_１が形成されてもよい。また、列信号線Ｌ_ＳＩＧや制御線Ｌ_ＣＮＴの数は、上述の数量に限られない。また、２つの制御線Ｌ_ＣＮＴのパターンの其々は、上述の配線部ＳＴ_１を形成しない領域においては、第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２のパターンの其々と同様にして、層間絶縁膜１１０を介して重なり合うように形成されてもよい。

このようにして、配線部ＳＴ_１は列信号線Ｌ_ＳＩＧと制御線Ｌ_ＣＮＴとが交差した構造を形成している。この構造により、第２領域Ｒ２では２以上の配線の交差を可能にしつつ、第１領域Ｒ１及び第３領域Ｒ３では開口率の低下を抑制し、さらに、画素信号の其々についての読出特性を均一化し、ばらつきを低減している。以上、固体撮像装置Ｉ_１は、信号配線のレイアウト設計において高画素化に有利である。

（第２実施形態）
図６乃至８を参照しながら、第２実施形態の固体撮像装置Ｉ_２を説明する。本実施形態は、図６に例示されるように、画素アレイ領域ＲＰＡに第３列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ４がさらに配されている点で第１実施形態と異なる。このような構成にすることにより、２つの信号処理部（又は、単に処理部）によって画素アレイＰＡから読み出された画素信号について信号処理を行い、信号処理の高速化を図ることができる。具体的には、例えば、第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２によって読み出された画素信号ついては、第１信号処理部（不図示）で信号処理を行いうる。また、第３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及びＬ_ＳＩＧ４によって読み出された画素信号ついては、第２信号処理部（不図示）で信号処理を行いうる。

第３列信号線Ｌ_ＳＩＧ３、第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ４及び制御線Ｌ_ＣＮＴが配置された領域は、列の方向に順に配された第４領域Ｒ４、第５領域Ｒ５及び第６領域Ｒ６を含む配線部ＳＴ_２（第２配線部）を含む。ここで、配線部ＳＴ_２は、配線部ＳＴ_１と同様にして形成されうる。具体的には、第３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及びＬ_ＳＩＧ４には第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２が対応し、第４乃至第６領域Ｒ４乃至Ｒ６には、第１乃至第３領域Ｒ１乃至Ｒ３が対応する。第３列信号線Ｌ_ＳＩＧ３は、第５パターンＬＰ_５及び第６パターンＬＰ_６で構成され、第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ４は、第７パターンＬＰ_７及び第８パターンＬＰ_８で構成され、第５パターンＬＰ_５乃至第８パターンＬＰ_８には第１パターンＬＰ_１乃至第４パターンＬＰ_４が対応する。

第１実施形態と同様にして、少なくとも２以上の配線部ＳＴ_１と、少なくとも２以上の配線部ＳＴ_２とが画素アレイ領域ＲＰＡにおいて形成され、所定の数の行単位で繰り返し形成されうる。本実施形態では２行単位で形成されている。これにより、列信号線の其々の負荷インピーダンスを均一化し、よって、画素信号の其々についての読出特性を均一化し、ばらつきを低減することが可能になる。

図７は、図４と同様にして、本実施形態の画素アレイ領域ＲＰＡ（２行×１列）の上面図を模式的に示している。画素ＰＵのレイアウト構成は、図５の場合を示している。製造工程における製造ばらつき低減等の観点から、画素アレイＰＡの各画素ＰＵは同一の形状となるようにレイアウト設計されるとよい。例えば、各画素ＰＵの転送トランジスタＴＸのゲート電極は、図７に例示されるように、他の画素ＰＵと同様の位置（若しくは向き）に配されている。よって、第１乃至第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ１乃至Ｌ_ＳＩＧ４は、各画素ＰＵの画素信号を読み出す電極と近接する位置に配されうる。ここで、第１実施形態で述べたＦＤ（フローティングディフュージョン容量）は、第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２と、第３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及びＬ_ＳＩＧ４との間に位置するようにレイアウトされるとよい。これにより、各画素ＰＵの画素信号を読み出すための電極を、いずれの列信号線Ｌ_ＳＩＧにも接続することが容易になる。

また、第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２の第１パターンＬＰ_１乃至第４パターンＬＰ_４と、第３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及びＬ_ＳＩＧ４の第５パターンＬＰ_５乃至第８パターンＬＰ_８と、の間における第１配線層Ｍ１には、電源配線パターン２０が配されている。これにより、第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２と、第３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及びＬ_ＳＩＧ４とのクロストークが防止されうる。

具体的には、カットラインＱ−Ｑ’においては、Ｘ方向に向かって、第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２の各パターン、ＦＤのパターン、電源配線パターン２０、第３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及びＬ_ＳＩＧ４の各パターンが、順に配されている。このＦＤに従う画素信号は、第１又は第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１又はＬ_ＳＩＧ２によって伝達される。よって、該ＦＤのパターンと、第３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及びＬ_ＳＩＧ４の各パターンと、の間に電源配線パターン２０を有することにより、第３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及びＬ_ＳＩＧ４による該ＦＤへの影響を低減している。一方、カットラインＲ−Ｒ’においては、Ｘ方向に向かって、第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２の各パターン、電源配線パターン２０、ＦＤのパターン、第３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及びＬ_ＳＩＧ４の各パターンが、順に配されている。このＦＤに従う画素信号は、第３又は第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３又はＬ_ＳＩＧ４によって伝達される。よって、該ＦＤのパターンと、第１又は第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２の各パターンと、の間に電源配線パターン２０を有することにより、第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２による該ＦＤへの影響を低減している。

以上、第３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及びＬ_ＳＩＧ４をさらに有する固体撮像装置Ｉ_２においても、各列信号線Ｌ_ＳＩＧ間の信号干渉を抑制しつつ、第１実施形態で述べた効果と同様の効果を得ることができる。電源配線パターン２０は、ここでは、電源ＶＤＤを供給するためのパターンであるが、基準電圧を供給するためのパターンであればよく、接地電位を供給するためのパターンを用いてもよい。また、このことは、ＦＤの電位への影響を遮断できればよいので、電源配線パターン２０に代替して、該ＦＤに対応する列信号線のための（同電位の）パターンを追加的に設けてもよい。

本実施形態は、例えば、画素アレイＰＡをベイヤ配列にしたがって形成した場合において有利である。図８は、ベイヤ配列にしたがう画素アレイＰＡにおける画素アレイ領域ＲＰＡ（４行×２列）の上面図を模式的に示している。ここで、層間絶縁膜を介して重なり合うパターンが形成する列信号線の其々には、同色画素の画素信号が伝達するようにすると、他色画素の画素信号が伝達する場合に比べて、クロストークが防止されて良い。具体的には、第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２は、第１色の画素に接続され、第３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及びＬ_ＳＩＧ４は、第２色の画素に接続されうる。より具体的には、例えば、第ｋ列においては、第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２は、例えば、赤色画素（Ｒｄ）に接続され、第３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及びＬ_ＳＩＧ４は、例えば、緑色画素（Ｇｒ）に接続されうる。そして、第ｋ＋１列においては、第１及び第２列信号線Ｌ_ＳＩＧ１及びＬ_ＳＩＧ２は、例えば、緑色画素（Ｇｂ）に接続され、第３及び第４列信号線Ｌ_ＳＩＧ３及びＬ_ＳＩＧ４は、例えば、青色画素（Ｂ）に接続されうる。ここでは、ベイヤ配列（赤、緑及び青の３色）の場合を示したが、該配列に限らず、他の色を用いた場合であっても同様に考えることができる。

以上の２つの実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的、状態、用途、機能、およびその他の仕様の変更が適宜可能であり、他の実施形態によっても実施されうることは言うまでもない。センサ部は、例えば、ＣＭＯＳイメージセンサとして構成され、その他の如何なるセンサでもよい。また、上記の各機能ブロックの動作制御は、コンピュータ上で稼動しているＯＳ等が、コントローラと共に、または、コントローラに代わって、その一部または全部を行ってもよい。

また、以上の実施形態は、カメラに含まれる固体撮像装置について述べたが、カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。カメラは、上記の実施形態として例示された本発明に係る固体撮像装置と、この固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含みうる。この処理部は、例えば、Ａ／Ｄ変換器、および、このＡ／Ｄ変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。

Claims (8)

1. 複数の画素が複数の行及び複数の列を構成するように配された画素アレイ領域を有する固体撮像装置であって、
   前記画素アレイ領域には、それぞれ対応する画素からの信号を伝達する第１列信号線及び第２列信号線と、対応する画素を制御するための制御線とが配され、前記第１列信号線、前記第２列信号線及び前記制御線が配置された領域は、前記列の方向に順に配された第１領域、第２領域及び第３領域を含む配線部を含み、
   前記第１列信号線は、前記第１領域及び前記第２領域では、互いに異なる層である第１配線層及び第２配線層のうち前記第１配線層に配置された第１パターンで構成され、前記第３領域では前記第２配線層に配置された第２パターンで構成され、前記第１パターンと前記第２パターンとは前記第２領域と前記第３領域との間において導電体で電気的に接続され、
   前記第２列信号線は、前記第１領域では前記第２配線層に配置された第３パターンで構成され、前記第２領域及び前記第３領域では前記第１配線層に配置された第４パターンで構成され、前記第３パターンと前記第４パターンとは前記第１領域と前記第２領域との間において導電体で電気的に接続され、
   前記第１領域では前記第１パターンと前記第３パターンとが層間絶縁膜を介して重なり合っており、前記第３領域では前記第２パターンと前記第４パターンとが層間絶縁膜を介して重なり合っており、前記制御線は前記第２領域では前記第２配線層に配置されたパターンで構成され、該パターンは前記第１パターン及び前記第４パターンと層間絶縁膜を介して交差している、
   ことを特徴とする固体撮像装置。
2. 少なくとも２以上の前記配線部が形成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記画素アレイ領域には、それぞれ対応する画素からの信号を伝達する第３列信号線及び第４列信号線がさらに配され、前記第３列信号線、前記第４列信号線及び前記制御線が配置された領域は、前記列の方向に順に配された第４領域、第５領域及び第６領域を含む第２配線部を含み、
   前記第３列信号線は、前記第４領域及び前記第５領域では前記第１配線層に配置された第５パターンで構成され、前記第６領域では前記第２配線層に配置された第６パターンで構成され、前記第５パターンと前記第６パターンとは前記第５領域と前記第６領域との間において導電体で電気的に接続され、
   前記第４列信号線は、前記第４領域では前記第２配線層に配置された第７パターンで構成され、前記第５領域及び前記第６領域では前記第１配線層に配置された第８パターンで構成され、前記第７パターンと前記第８パターンとは前記第４領域と前記第５領域との間において導電体で電気的に接続され、
   前記第４領域では前記第５パターンと前記第７パターンとが層間絶縁膜を介して重なり合っており、前記第６領域では前記第６パターンと前記第８パターンとが層間絶縁膜を介して重なり合っており、前記制御線は前記第５領域では前記第２配線層に配置されたパターンで構成され、該パターンは前記第５パターン及び前記第８パターンと層間絶縁膜を介して交差している、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
4. 前記画素アレイはベイヤ配列にしたがって形成されており、前記第１列信号線と前記第２列信号線とは第１色の画素に接続されており、前記第３列信号線と前記第４列信号線とは第２色の画素に接続されている、
   ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
5. 少なくとも２以上の前記第２配線部が形成されている、
   ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
6. 前記第１パターンないし前記第４パターンと、前記第５パターンないし前記第８パターンとの間における前記第１配線層には、基準電圧を供給するためのパターンが配されている、
   ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
7. 前記第１領域と前記第２領域との間では、前記第１パターンと前記第３パターンとが層間絶縁膜を介して重なり合わず、前記第２領域と前記第３領域との間では、前記第２パターンと前記第４パターンとが層間絶縁膜を介して重なり合わない、
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
   前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
   を備えることを特徴とするカメラ。