JP2014194517A - 表示装置、表示装置の製造方法、表示装置の駆動方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】輝度ムラを抑えた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示装置１は対向基板１９側に光取り出し方向を有するトップエミッション型の表示装置であり、発光部２０を基板１３（面Ｓ１）と対向基板１９との間に設け、対向基板１９の基板１３との対向面にはＣＦ（カラーフィルタ）層１７および反射部１８を設け、基板１３には、発光部２０を駆動するためのトランジスタ（書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２）を形成し、発光部２０からの光を受光する受光部３０を書込トランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２と隣り合う位置に配置して、発光部２０から受光部３０までの間の光量の減少を抑え、受光部３０の感度を高める。
【選択図】図１

Description

本技術は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子等により構成された発光部を有する表示装置、表示装置の製造方法、表示装置の駆動方法および電子機器に関する。

近年、フラットパネルディスプレイの一つとして、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子等を用いたディスプレイが注目されている。このような自発光型のディスプレイは、視野角が広く、消費電力が低いという特性を有している。また、有機ＥＬ素子は高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化に向けて開発が進められている。

しかしながら、自発光型のディスプレイは画面内に輝度のムラが生じやすいという問題を抱えている。この輝度ムラの原因としては、主に以下の２つが挙げられる。一つは製造時に各素子を駆動するためのトランジスタの性能、即ち閾値電圧Ｖｔｈがばらつくことによるものである。もう一つの原因としては、画面内の一部で長時間にわたり、白表示を行うことにより、この部分の素子が激しく劣化して焼付き現象が生じることが挙げられる。

このような画面内の輝度ムラを抑える方法として、それぞれの素子の発光強度を調整するための回路（補正回路）を設けることが提案されている。例えば特許文献１には、画素が配置された表示領域の外側に受光部を設け、この受光部で発光素子からの光を検知することにより発光強度を補正することが記載されている。

特開２０１０−７８８５３号公報

しかしながら、上記の方法では輝度ムラを十分に防ぐことができなかった。

本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、より効果的に輝度ムラを抑えることができる表示装置、表示装置の製造方法、表示装置の駆動方法および電子機器を提供することにある。

本技術による表示装置は、表示領域内に、発光部と、発光部からの光を受光する受光部とを有するものである。

本技術の電子機器は、上記表示装置を備えたものである。

本技術の表示装置または電子機器では、表示領域内に受光部が設けられているので、発光部と受光部との距離が短くなる。例えば画素毎に受光部を設けることもできる。

本技術による表示装置の駆動方法は、上記表示装置の駆動方法であり、画素駆動回路により表示領域内の発光部を駆動し、発光部からの光を前記表示領域内の受光部で受光し、受光部の受光量に応じて補正回路から前記画素駆動回路に補正信号を送るものである。

本技術による表示装置の製造方法は、上記表示装置の製造方法であり、表示領域内に、発光部と前記発光部からの光を受光する受光部とを形成するものである。

本技術の表示装置、表示装置の製造方法、表示装置の駆動方法および電子機器によれば、表示領域内に受光部を設けるようにしたので、発光部と受光部との距離を近付けることができる。よって、受光部の感度が向上し、より効果的に輝度ムラを抑えることができる。

本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。 図２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した表示装置の補正回路を説明するためのブロック図である。 図１に示した表示装置の製造工程（基板側）を表す断面図である。 図５Ａに続く工程を表す断面図である。 図５Ｂに続く工程を表す断面図である。 図５Ｃに続く工程を表す断面図である。 図１に示した表示装置の製造工程（対向基板側）を表す断面図である。 図６Ａに続く工程を表す断面図である。 図１に示した表示装置の動作を表す断面図である。 図１に示した表示装置の輝度補正動作について説明するための図である。 比較例に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置の他の例を表す断面図である。 変形例１に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１１に示した反射部の作用について説明するための断面図である。 図１１に示した反射部の形成方法の一例を表す断面図である。 図１１に示した反射部の形成方法の他の例を表す断面図である。 図１３，図１４に示した反射部の形成方法について説明するための断面図である。 本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１６に示した遮蔽部の断面構成の他の例を表す図である。 図１６に示した遮蔽部の断面構成のその他の例を表す図である。 図１６に示した遮蔽部の平面構成の第１例を表す図である。 図１６に示した遮蔽部の第２例を表す平面図である。 図１６に示した遮蔽部の第３例を表す平面図である。 図１６に示した遮蔽部の第４例を表す平面図である。 図１６に示した遮蔽部の作用について説明するための断面図である。 図１６に示した表示装置の製造工程の一例を表す断面図である。 変形例２に係る表示装置の構成を表す断面図である。 本技術の第３の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面図である。 図２２に示した表示装置の製造工程の一例を表す断面図である。 図２３Ａに続く工程を表す断面図である。 図２３Ｂに続く工程を表す断面図である。 図２３Ｃに続く工程を表す断面図である。 図２４Ａに続く工程を表す断面図である。 図２４Ｂに続く工程を表す断面図である。 図２４Ｃに続く工程を表す断面図である。 図２５Ａに続く工程を表す断面図である。 図２５Ｂに続く工程を表す断面図である。 図１等に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 適用例１の外観を表す斜視図である。 適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。 適用例２の裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 適用例５の閉じた状態を表す図である。 適用例５の開いた状態を表す図である。

以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（基板の内部に受光部を有する表示装置）
２．変形例１（放物曲面の反射部を有する例）
３．第２の実施の形態（基板の内部の受光部とトランジスタとの間に遮蔽部を有する表示装置）
４．変形例２（遮光性の遮蔽部を有する例）
５．第３の実施の形態（基板の表面に受光部を有する表示装置）

＜第１の実施の形態＞
［表示装置の全体構成］
図１は、本技術の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の断面構成を表したものである。この表示装置１は自発光型の表示装置であり、基板１３の表面（面Ｓ１）に発光部２０が設けられている。この発光部２０は、基板１３（面Ｓ１）と対向基板１９との間に設けられている。対向基板１９と基板１３との間には、発光部２０と共に、絶縁層１４および素子分離層１５が設けられている。これら発光部２０、絶縁層１４および素子分離層１５は保護層１６により覆われている。表示装置１は対向基板１９側に光取り出し方向を有する、所謂トップエミッション型の表示装置であり、対向基板１９の、基板１３との対向面にはＣＦ（カラーフィルタ）層１７および反射部１８が設けられている。基板１３には、発光部２０を駆動するためのトランジスタ（書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２）が形成されている。基板１３の裏面（面Ｓ２）側は支持部材１１に固定されており、基板１３と支持部材１１との間には多層配線層１２が設けられている。

図２は、表示装置１の全体構成を表すものである。表示装置１は、基板１３の中央部に表示領域１１０を有しており、例えば極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が設けられている。

表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の画素１０と、それらを駆動するための画素駆動回路１５０とが形成されている。一の画素１０が例えば一の発光部２０を有している。一の画素１０が、例えば赤色、緑色、青色のうちいずれか一つを発光してもよく、あるいは一の画素１０が赤色、緑色および青色を発光するようにしてもよい。画素駆動回路１５０において、列方向（Ｙ方向）には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置され、行方向（Ｘ方向）には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）が配置されている。信号線１２０Ａと走査線１３０Ａとの交差点に、一の画素１０が設けられている。信号線１２０Ａはその両端が信号線駆動回路１２０に接続され、走査線１３０Ａはその両端が走査線駆動回路１３０に接続され、電源供給線１４０Ａはその両端が電源供給線駆動回路１４０に接続されている。

信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された画素１０に供給するものである。走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各画素１０への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。信号線１２０Ａには信号線駆動回路１２０からの信号電圧が、走査線１３０Ａには走査線駆動回路１３０からの走査信号がそれぞれ供給されるようになっている。

電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路１４０は、信号線駆動回路１２０による列単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し、各々の両端から、互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述する駆動トランジスタＴｒ２の導通状態または非導通状態の選択が行われる。

画素駆動回路１５０は、基板１３および多層配線層１２に設けられている。図３に、画素駆動回路１５０の一構成例を表す。画素駆動回路１５０は、書込トランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、発光部２０とを有するアクティブ型の駆動回路である。発光部２０は、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ２と直列に接続されている。書込トランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２は、例えばシリコン薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））であり、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）であってもスタガ構造（トップゲート型）であってもよい。

書込トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書込トランジスタＴｒ１のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書込トランジスタＴｒ１のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電極と接続されている。

駆動トランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＴｒ２のソース電極は、発光部２０と接続されている。

保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電極（書込トランジスタＴｒ１のソース電極）と、駆動トランジスタＴｒ２のドレイン電極との間に形成されるものである。

[表示装置の要部構成]
次に、再び図１を参照して、基板１３、発光部２０および対向基板１９などの詳細な構成について説明する。

基板１３はシリコン層（Ｓｉ層）１３Ａと絶縁層１３Ｂとを含み、例えばＳｉ層１３Ａが面Ｓ１、絶縁層１３Ｂが面Ｓ２をそれぞれ構成している。基板１３を保持する支持部材１１は、例えばシリコンにより構成されている。基板１３のＳｉ層１３Ａには、書込トランジスタＴｒ１のソース・ドレイン領域１３１Ａ，１３１Ｂおよび駆動トランジスタＴｒ２のソース・ドレイン領域１３２Ａ，１３２Ｂが設けられている。ソース・ドレイン領域１３１Ａ，１３１Ｂおよびソース・ドレイン領域１３２Ａ，１３２Ｂは、例えばＳｉ層１３Ａの裏面（基板１３の面Ｓ２との対向面）近傍のＮ型半導体ウェル領域（以下、Ｎ型ウェル領域という。Ｐ型半導体領域についても同様。）１３３中に設けられた、Ｐ型領域である。Ｓｉ層１３Ａの裏面には、ゲート絶縁膜（図示せず）を介して、書込トランジスタＴｒ１のゲート電極ＴＧ１、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電極ＴＧ２が設けられている。ゲート電極ＴＧ１，ＴＧ２は、例えば例えば白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ），ルテニウム（Ｒｕ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），アルミニウム（Ａｌ）およびタンタル（Ｔａ）等の金属単体または合金等により構成されており、このような金属の周囲には絶縁性のサイドウォール（ＳＷ）が設けられている。

絶縁層１３Ｂは導電性プラグ（導電性プラグ１３Ｗ１，１３Ｗ２，１３Ｗ３，１３Ｗ４，１３Ｗ５）を有しており、この導電性プラグを介して、書込トランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２と多層配線層１２の配線（配線１２１，１２２）とが電気的に接続されている。導電性プラグ１３Ｗ１，１３Ｗ２，１３Ｗ３，１３Ｗ４，１３Ｗ５は、絶縁層１３Ｂの接続孔に設けられた導電体である。配線１２２は例えば導電性プラグ１３Ｗ２，１３Ｗ４に接続されており、これにより、書込トランジスタＴｒ１のソース・ドレイン領域１３１Ａと駆動トランジスタＴｒ２のゲート電極ＴＧ２とを電気的に接続している。駆動トランジスタＴｒ２のソース・ドレイン領域１３２Ｂには導電性プラグ１３Ｗ３が接続され、この導電性プラグ１３Ｗ３は例えば電源供給線１４０Ａに電気的に接続されている。駆動トランジスタＴｒ２のソース・ドレイン領域１３２Ａは導電性プラグ１３Ｗ５を介して配線１２１に電気的に接続されている。Ｎ型ウェル領域１３３の外側には、基板１３および絶縁層１４を貫通する電極（貫通電極１３Ｖ）が設けられており、この貫通電極１３Ｖが配線１２１と発光部２０（後述の第１電極２１）、即ち駆動トランジスタＴｒ２のソース・ドレイン領域１３２Ａと発光部２０とを電気的に接続している。貫通電極１３Ｖは、例えば絶縁層１４および基板１３を貫通する孔にポリシリコン（Poly Ｓｉ）またはタングステン（Ｗ）等の導電材を設けたものである。

本実施の形態では、発光部２０で発生した光の一部を受光するための受光部３０が表示領域１１０（図２）内に設けられ、この受光部３０は書込トランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２と隣り合う位置に配置されている。詳細は後述するが、これにより発光部２０と受光部３０とを近付けることができる。従って、発光部２０から受光部３０までの間の光量の減少を抑えることが可能となり、受光部３０の感度を高めることができる。

受光部３０は、例えばフォトダイオードにより構成されており、Ｓｉ層１３Ａの裏面近傍のＰ型ウェル領域１３４およびＰ型ウェル領域１３４中のＮ型領域１３５を含んでいる。換言すれば、受光部３０は基板１３の内部に形成されている。この受光部３０は、例えば画素１０毎に設けられている。Ｓｉ層１３Ａの裏面には、ゲート絶縁膜（図示せず）を介して、トランジスタＴｒ３のゲート電極ＴＧ３が設けられ、このトランジスタＴｒ３により受光部３０の信号電荷がフローティング領域ＦＤに転送されるようになっている。フローティング領域ＦＤは、例えばＰ型ウェル領域１３４中のＮ型領域である。絶縁層１３Ｂの導電性プラグ１３Ｗ６，１３Ｗ７は、それぞれフローティング領域ＦＤ、トランジスタＴｒ３のゲート電極ＴＧ３に、接続されている。

この受光部３０は、図４に示したように、各発光部２０（画素１０）からの光量の情報（発光情報２０Ｄ）を検知すると共に外光の光量情報（外光情報ＬＤ）を取得し、光電変換した受光信号３０Ａを補正回路５０に送るようになっている。補正回路５０では、この受光信号３０Ａから外光の影響を除き、発光部２０の発光状態のみに起因する発光強度を算出すると共に各画素１０の光量に応じて補正信号５０Ａを画素駆動回路１５０に出力する。画素駆動回路１５０は、外部から入力される映像信号４０Ａにこの補正信号５０Ａを追加して処理を行い、補正映像信号４１Ａとして発光部２０（画素１０）に出力する。これにより、発光部２０に印加される電圧および電流が制御されて、発光部２０間の輝度ムラが抑えられる。

発光部２０は、基板１３の面Ｓ１全面に設けられた絶縁層１４上の所定の領域に配置されており、基板１３（絶縁層１４）側から、第１電極２１、発光層を含む有機層２２および第２電極２３をこの順に有している。

第１電極２１は画素１０（発光部２０）毎に設けられており、複数の第１電極２１が絶縁層１４上に互いに離間して配置されている。この第１電極２１は陽極としての機能および反射層としての機能を備えたものであり、反射率が高く、かつ、正孔注入性も高い材料により構成されていることが望ましい。このような第１電極２１としては、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極２１は、このような金属膜を積層して構成するようにしてもよい。第１電極２１（発光部２０）は、書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２（基板１３のＮ型ウェル領域１３３）の直上に、これと平面視で重なるように配置することが好ましい。このように第１電極２１を配置することにより、書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２に入射する外光が第１電極２１で遮られるので、書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２の動作点が光により変化するのを防ぐことができる。

第１電極２１の表面（第２電極２３との対向面）から側面は、素子分離層１５で覆われており、この素子分離層１５には発光部２０の発光領域を規定するための開口が設けられている。即ち、この素子分離層１５の開口により第１電極２１の表面が露出する。素子分離層１５は、発光領域を正確に所望の形状に制御すると共に、第１電極２１と第２電極２３との間の絶縁性および隣接する発光部２０間の絶縁性を確保する役割を担っている。絶縁層１４および素子分離層１５には例えば、ポリイミド等の有機材料または酸化シリコン（ＳｉＯ₂），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機材料を用いることができる。絶縁層１４の厚みは例えば１００ｎｍ〜１０００ｎｍ、素子分離層１５の厚みは例えば５０ｎｍ〜２５００ｎｍである。

有機層２２は、例えば、第１電極２１側から、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層（いずれも図示せず）をこの順に有している。全ての発光部２０に共通して有機層２２を設けるようにしてもよく、あるいは、発光部２０毎に有機層２２を設けるようにしてもよい。

正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層は、例えば、厚みが１ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。

（化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）

正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層は、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）により構成されている。

発光層は例えば白色発光用の発光層であり、第１電極２１と第２電極２３との間に例えば赤色発光層，緑色発光層および青色発光層（いずれも図示せず）の積層体を有している。発光部２０毎に、赤色発光層，緑色発光層および青色発光層のいずれか一つを設けるようにしてもよい。赤色発光層，緑色発光層および青色発光層は、電界をかけることにより、第１電極２１から正孔注入層および正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２電極２３から電子注入層および電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、それぞれ赤色，緑色および青色の光を発生させるものである。

赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。

緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。

青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。青色発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。

電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものであり、例えば厚みが２０ｎｍ程度の８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）により構成されている。電子注入層は、発光層への電子注入効率を高めるためのものであり、例えば厚みが０．３ｎｍ程度のＬｉＦあるいはＬｉ₂Ｏ等により構成されている。

第２電極２３は、有機層２２を間にして第１電極２１と対をなし、第１電極２１と絶縁された状態で例えば電子注入層の上に発光部２０（画素１０）に共通して設けられている。第２電極２３は、光透過性の透明材料からなり、例えば、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、第２電極２３の材料には、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）を用いるようにしてもよく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）等を用いてもよい。

保護層１６は、第２電極２３を覆うように基板１３の全面に設けられ、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料により構成されている。対向基板１９の一方の面（基板１３との対向面）に設けられたＣＦ層１７は、赤色カラーフィルタ１７Ｒ，緑色カラーフィルタ（図示せず）および青色カラーフィルタ１７Ｂを有しており、これらがそれぞれの発光部２０（画素１０）に対応して順に配置されている。ＣＦ層１７は、対向基板１９のどちら側の面に設けられてもよいが、発光部２０の側に設けられることが好ましい。カラーフィルタが表面に露出せず、保護層１６（または接着層）により保護することができるからである。また、有機層２２とカラーフィルタとの間の距離が狭くなることにより、有機層２２から出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタに入射して混色を生じることを避けることができるからである。

反射部１８は、発光部２０で発生した光のうち、対向基板１９に向かう光を反射して基板１３内の受光部３０へ集めるためのものであり、例えば受光部３０と対向する領域に画素１０毎に設けられている。この反射部１８には例えばアルミニウム，タングステン，銀またはチタン等の反射率の高い金属膜を用いることができる。このような金属に、窒化チタン（ＴｉＮ）などの窒化物または酸化物を積層して反射部１８を構成するようにしてもよい。例えば、対向基板１９側から、窒化チタンおよびアルミニウムを積層させた反射部１８は、表示面側での反射を抑えると共に、発光部２０からの光を効率よく反射させて受光部３０に入射させることができる。反射部１８と共に、隣り合う画素１０間での光漏れを防止するための遮光部（図示せず）を設けるようにしてもよく、例えばアルミニウムからなる反射部１８と窒化チタンからなる遮光部とを積層するようにしてもよい。対向基板１９は、熱硬化型樹脂などの接着層（図示せず）などと共に発光部２０を封止するものであり、有機層２２において発生した光を透過する透明なガラスまたはプラスチック材料により構成されている。

[表示装置の製造方法]
このような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる（図５Ａ〜図６Ｂ）。

まず、基板１３を形成する。具体的には、最初に、Ｓｉ層１３Ａの一方の面の近傍に例えばイオン注入によりＮ型ウェル領域１３３、書込トランジスタＴｒ１のソース・ドレイン領域１３１Ａ，１３１Ｂ、駆動トランジスタＴｒ２のソース・ドレイン領域１３２Ａ，１３２Ｂ、Ｐ型ウェル領域１３４、Ｎ型領域１３５、フローティング領域ＦＤを形成する（図５Ａ）。Ｓｉ層１３Ａには、例えば、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いることができる。次いで、上記不純物拡散領域を設けたＳｉ層１３Ａの面上にゲート絶縁膜（図示せず）を介して書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２，トランジスタＴｒ３のゲート電極ＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３を形成する。このゲート電極ＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３は、導電膜を例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜した後、これをドライエッチングすることにより形成することができる。この後、ゲート電極ＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３を覆うように絶縁層１３Ｂを成膜する。これにより基板１３が形成される。このとき、絶縁層１３Ｂには導電性プラグ１３Ｗ１，１３Ｗ２，１３Ｗ３，１３Ｗ４，１３Ｗ５，１３Ｗ６，１３Ｗ７を設けておく。基板１３を形成した後、基板１３の絶縁層１３Ｂ上（基板１３の面Ｓ２上）に多層配線層１２（配線１２１，配線１２２）を形成する（図５Ｂ）。

続いて、この多層配線層１２に支持部材１１（図１）を接合した後、支持部材１１、多層配線層１２および基板１３を反転し、Ｓｉ層１３Ａの他方の面（Ｎ型ウェル領域１３３およびＰ型ウェル領域１３４等の形成面とは反対側の面）側からＳｉ層１３Ａが所望の厚さになるよう、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により研磨する（図５Ｃ）。この研磨された面が基板１３の面Ｓ１となる。例えばＣＭＰ工程の前にグラインダーによる荒研磨、ＣＭＰ工程後にホットリン酸等の薬液を用いたＳｉ層１３Ａの平坦化を行う。Ｓｉ層１３Ａの研磨は、次いで、この基板１３の面Ｓ１上に絶縁層１４を成膜した後、貫通電極１３Ｖを形成する。貫通電極１３Ｖは、例えば絶縁層１４および基板１３を貫通する孔を設けた後、この孔に導電材料を埋め込み、ＣＭＰを行って形成する。

次いで、絶縁層１４上に例えばアルミニウムをスパッタ法により成膜した後、これをフォトリソグラフィ工程を用いてパターニングし、第１電極２１を形成する。続いて、第１電極２１および絶縁層１４上に例えばプラズマＣＶＤ法により例えば窒化シリコン膜を成膜した後、この窒化シリコン膜に開口を設けて素子分離層１５を形成する。素子分離層１５の形成にＳＴＩ（Shallow trench isolation）を用いるようにしてもよい。

素子分離層１５を設けた後、例えば蒸着法により発光層を含む有機層２２および第２電極１３を形成する（図５Ｄ）。このようにして発光部２０を設けた後、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、発光部２０の上に保護層１６を形成する。

一方、対向基板１９の表面には反射部１８およびＣＦ層１７を例えばこの順に形成する（図６Ａ，図６Ｂ）。この後、ＣＦ層１７を設けた対向基板１９の周縁にシール剤を塗布し、これを保護層１６を設けた基板１３と貼り合わせる。最後に、基板１３と対向基板１９との間の間隙に充填剤を注入した後、これを封止して表示装置１を完成させる。

[表示装置の動作]
この表示装置１では、各画素１０に対して走査線駆動回路１３０から書込トランジスタＴｒ１のゲート電極ＴＧ１を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書込トランジスタＴｒ１を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ２がオンオフ制御され、これにより、各発光部２０に駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。図７に示したように、この光（光Ｌ１）は、第２電極２３，ＣＦ層１７および対向基板１９を透過して取り出される。

一方、発光部２０で発生した光の一部（光Ｌ２）は、反射部１８で反射されて、基板１３の受光部３０に入射する。この受光部３０からの受光信号３０Ａ（図４）を受け、補正回路５０は例えば以下のようにして補正信号５０Ａを画素駆動回路１５０に送る（図８）。まず、発光部２０の消光時、点灯時にそれぞれ受光部３０を駆動して、外光情報ＬＤおよび発光情報２０Ｄを取得する。受光部３０の駆動前には、受光部３０を初期化しておく。この受光部３０で検知された外光情報ＬＤおよび発光情報２０ＤはＡＤＣ（Analog to Digital Converter）にてデジタル変換された後、保存される。このデジタル変換および保存の際には、例えば発光部２０は消灯している。補正回路５０では、発光情報２０Ｄのデジタルデータから外光情報ＬＤのデジタルデータを減算することにより、発光部２０のみに起因した各画素１０の発光強度を算出した後、各画素１０の発光状態と対象画素の発光状態とを比較して各画素１０の輝度に応じた補正信号５０Ａを生成する。例えばこのタイミングで補正回路５０は新たな補正情報に更新される。画素駆動回路１５０は、ＤＡＣ（Digital to Analog Converter）にて変換した映像信号４０Ａに補正信号５０Ａを追加し、補正映像信号４１Ａを発光部２０に送る。このような補正信号５０Ａの取得と映像出力とは連続していなくてもよい。例えば映像出力６０フレームに一度、補正信号５０Ａを取得するようにしてもよく、あるいは電源のオン、オフ時に補正信号５０Ａを取得するようにしてもよい。発光部２０および補正回路５０の動作は、補正情報の更新のタイミングによって適宜変更することが可能である。外光情報ＬＤおよび発光情報２０Ｄの光量が受光部３０の受光量を超える場合にエラーとなるように設定してもよいし、あるいは、再度受光するように設定しておいてもよい。なお、ＡＤＣおよびＤＡＣは補正回路５０に含まれていてもよく、補正回路５０の外部に設けるようにしてもよい。

[表示装置の作用・効果]
ここでは、表示領域１１０内に受光部３０が設けられているので、発光部２０と受光部３０との距離を短くして、発光部２０からの光を感度よく、精確に検知することができる。よって、より効果的に輝度ムラを抑えることができる。以下、これについて説明する。

図９は比較例に係る表示装置（表示装置１００）の平面構成を模式的に表したものである。この表示装置１００の受光部３００は表示領域１１０の外側の領域に配置されている。このため、それぞれの画素１０（発光部）と受光部３００との間の距離が長くなってしまう。また、各画素により受光部３００との間の距離が異なるため、補正回路では発光部の劣化に加えて、各画素と受光部３００との間の距離による光の減衰を考慮しなければならない。

輝度ムラを抑える方法として、表示装置の映像を外部の撮像装置に取り込む方法も提案されている（例えば、特開２０１１−７７８２５号公報参照）。しかし、この方法では、映像の取り込みの精度が操作者によって左右されるため、発光部からの光を精確に検知することができない。この他、複数のトランジスタと容量素子とを組み合わせることにより、画素を駆動するためのトランジスタの性能のバラツキを調整することも可能である（例えば、特開２０１０−１４５５７９号公報参照）。しかしこの方法では、発光部の劣化に伴う各画素間の輝度ムラを補正することができない。また、画素のピッチが微細化すると、容量素子の面積が小さくなるため、十分な容量を得ることが困難となる。

これに対し表示装置１では、表示領域１１０（図２）内に受光部３０が設けられているので、各発光部２０（画素１０）毎に基板１３の内部に受光部３０を配置して、発光部２０と受光部３０との間の距離を近付けることが可能となる。発光部２０は、発光部２０を駆動するためのトランジスタ（書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２）の直上に設けられ、受光部３０は、例えばこのトランジスタと隣り合う位置に画素１０毎に配置される。よって、基板１３の面内方向（ＸＹ平面）における発光部２０と受光部３０との距離が短くなり、例えばマイクロＯＬＥＤ（Organc Light Emitting Diode）等の画素ピッチの小さいディスプレイにも適用することが可能となる。

図１０に示したように、基板１３の面Ｓ１上に多層配線層（多層配線層２１２）を設けることも可能であるが、このような構成では、基板１３の面（面Ｓ１，Ｓ２）に対して垂直方向（Ｚ方向の距離）における発光部２０と受光部３０との距離が遠くなってしまう。また、多層配線層２１２中に発光部２０からの光を受光部３０に導くための導波路構造が必要となる。このため、基板１３の表面（面Ｓ１）に発光部２０、裏面（面Ｓ２）に多層配線層１２をそれぞれ設けて、基板１３の面に対して垂直方向における発光部２０と受光部３０との距離も狭めることが好ましい。

以上のように本実施の形態の表示装置１では、表示領域１１０内に受光部３０を設けるようにしたので、発光部２０と受光部３０との間の距離を小さくすることができる。即ち、発光部２０と受光部３０との間での光量の減少を抑えることが可能となり、受光部３０はより精確に受光信号３０Ａを補正回路５０に送ることができる。よって、表示領域１１０内での各画素１０間の輝度ムラを抑えることができる。

以下、上記実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。

＜変形例１＞
図１１は、変形例１に係る表示装置（表示装置１Ａ）の断面構成を表したものである。この表示装置１Ａの反射部（反射部１８Ａ）は所謂パラボラ形状であり、基板１３に対向して放物曲面を有している。この点を除き、表示装置１Ａは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

反射部１８Ａの放物曲面は受光部３０に焦点を有するものであり、図１２に示したように、発光部２０から反射部１８Ａに向かう光（光Ｌ２）は、反射部１８Ａから受光部３０に効率よく集光される。従って、発光部２０から反射部１８Ａにより受光部３０に入射する光の光量を増やし、より高い精度で各画素１０の輝度を補正することが可能となる。

反射部１８Ａは、例えば以下のようにして形成することができる。まず、対向基板１９のうち、反射部１８Ａの形成予定領域に放物曲面を有する凹部１９Ｃを形成する（図１３）。具体的には、対向基板１９の表面にレジストを設けた後、例えばフォトリソグラフィ工程により露光量を調整してレジストに放物曲面を形成する。即ち、レジストを中心部が薄く、かつ、周囲を厚くした形状に成形する。このレジストの放物曲面はハーフトーンマスクを用いて形成してもよく、あるはリフロー工程により形成することも可能である。この放物曲面を有するレジストを用いて例えばプラズマエッチングを行うことにより、対向基板１９に凹部１９Ｃが形成される。凹部１９Ｃを設けた後、対向基板１９の全面に例えば反射率の高い金属膜を成膜した後、反射部１８Ａの形成予定領域にレジストでマスクを形成してプラズマエッチングまたはウェットエッチングを行う。最後にレジストを除去して反射部１８Ａを形成する。図１４に示したように、対向基板１９の矩形状の凹部１９Ｃに金属膜を成膜した後、例えばＣＭＰ等によりこの金属膜を削って反射部１８Ａを形成することも可能である。反射部１８Ａを形成する際には、対向基板１９に、反射部１８Ａが設けられる凹部１９Ｃ１と共に反射部１８Ａのアラインメント用の凹部１９Ｃ２を設けておくことが好ましい（図１５）。

＜第２の実施の形態＞
図１６は、第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の断面構成を表したものである。この表示装置２は、書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２と受光部３０との間に遮蔽部（遮蔽部３１）を有するものである。この点を除き、表示装置２は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

遮蔽部３１は、例えばＳｉ層１３Ａの溝に設けたシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜等の絶縁膜またはタングステン，チタンおよび窒化チタン等の金属膜である。絶縁膜および金属膜を重ねて遮蔽部３１を構成するようにしてもよく、例えばＳｉ層１３Ａの溝にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、チタンまたは窒化チタンおよびタングステンをこの順に積層するようにしてもよい。Ｓｉ層１３Ａの溝は、書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２および受光部３０の形成領域の深さまで設けられていればよいが（図１６）、Ｓｉ層１３Ａを貫通していてもよい（図１７Ａ）。遮蔽部３１の形状は、テーパ状（図１６）であってもよく、柱状（図１７Ｂ）であってもよい。遮蔽部３１は、書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２の設けられたＮ型ウェル領域１３３と受光部３０の設けられたＰ型ウェル領域１３４との間に配置されており、受光部３０（Ｐ型ウェル領域１３４）を囲んでいる（図１８Ａ，図１８Ｂ）。遮蔽部３１はＮ型ウェル領域１３３を囲むようにしてもよく（図１８Ｃ）、あるいはＰ型ウェル領域１３４およびＮ型ウェル領域１３３を囲んでいてもよい（図１８Ｄ）。

このような遮蔽部３１を設けることにより、より精確に発光部２０からの光を受光部３０で検知することができる。以下、これについて詳細に説明する。図１９に示したように、発光部２０で光が発生することにより、基板１３（Ｓｉ層１３Ａ）の温度が上昇し、余剰キャリア（キャリアＣ）が発生する。反射部１８で反射されて基板１３に入射した光のうち、受光部３０以外の部分に入射した光もこのようなキャリアＣの発生原因となる。遮蔽部３１は、このような受光部３０の外側で発生したキャリアＣが受光部３０内に浸入するのを防ぐためのものである。即ち、遮蔽部３１を設けることにより、キャリアＣの受光部３０への浸入が遮断され、より精確に各発光部２０からの光を受光部３０が検知する。

遮蔽部３１は、例えば、図２０に示したように、Ｓｉ層１３Ａに受光部３０（Ｐウェル領域１３４およびＮ型領域１３５）およびフローティング領域ＦＤを設けた後、例えば受光部３０の周囲に溝を形成し、この溝に絶縁膜を埋め込んで形成する。絶縁膜を埋め込んだ後、例えばＣＭＰ等により研磨するようにしてもよい。遮蔽部３１は、例えば基板１３と対向基板１９との位置合わせをおこなうためのマーク（例えばＢＳＡ(Back Side Alignment)）と共に形成することも可能である。あるいは、Ｓｉ層１３Ａを研磨した後（図５Ｃ）、貫通電極１３Ｖと共に上記絶縁膜または金属膜からなる遮蔽部３１を形成するようにしてもよい。貫通電極１３Ｖと共に遮蔽部３１を形成することで、エッチング加工工程を単純化することができる。

＜変形例２＞
図２１に示したように、受光部３０の周囲に例えば、銅，タングステンおよびアルミニウム等の遮光性の高い金属膜を含む遮蔽部（遮蔽部３２）を設けるようにしてもよい（変形例２）。この遮蔽部３２を有する表示装置２Ａでは、受光部３０から隣り合う画素１０および書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２の形成領域への光の漏れだしが抑えられ、受光部３０に発光部２０からの光をより効率よく集めることができる。遮蔽部３２は、上記第２の実施の形態の遮蔽部３１と同様に、Ｓｉ層１３Ａの溝に設けられており、この溝に例えば絶縁膜および金属膜をこの順に埋め込んで形成する。この絶縁膜には、例えばシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜等を用いることが可能である。

＜第３の実施の形態＞
図２２は、第３の実施の形態に係る表示装置（表示装置３）の要部の断面構成を表したものである。この表示装置３では、基板（基板４３）の表面に発光部２０と共に受光部（受光部５０）が設けられている。この点を除き、表示装置２は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。図２２では、保護層１６、ＣＦ層１７および対向基板１９（図１等）を省略した。

基板４３は、例えば板状部材４３ＡにＴＦＴ層４３Ｂを積層したものにより構成されており、ＴＦＴ層４３Ｂ上に発光部２０および受光部５０が設けられている。板状部材４３Ａは、例えば、石英、ガラス、シリコン（Ｓｉ）、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシートなどにより構成されている。ＴＦＴ層４３Ｂには、発光部２０を駆動するためのトランジスタ、例えば書込トランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２（図３）が設けられている。ＴＦＴ層４３Ｂには、発光部２０および受光部５０に接続された配線も設けられている。

受光部５０は、平面視で発光部２０と隣り合う位置に、例えば、画素１０（図２）毎に配置されている。この受光部５０は基板４３側から、下部電極５１、光電変換膜５２および上部電極５３を有するものであり、発光部２０からの光を受けて信号電荷（例えば電子）を生成する。この信号電荷は、下部電極５１から取り出され、受光信号３０Ａとして補正回路５０に送られるようになっている（図４）。下部電極５１、光電変換膜５２および上部電極５３は、受光部５０毎にパターニングされている。

下部電極５１は、例えば発光部２０の第１電極２１と同層に設けられており、例えばＴＦＴ層４３Ｂの配線を介して補正回路５０（図４）に電気的に接続されている。この下部電極５１には、第１電極２１と同様の材料、例えばアルミニウムを用いることができる。光電変換膜５２は、発光部２０で発生した波長の光（可視光）を吸収して、電子・ホール対を発生させるものであり、例えば、ＣＩＧＳ（Copper Indium Gallium Selenide）または有機光電変換材料などにより構成されている。上部電極５３は、この光電変換膜５２で発生した電子・ホール対の一方（例えばホール）を排出するためのものであり、例えば、ＴＦＴ層４３Ｂの配線を介してＧＮＤに電気的に接続されている。上部電極５３には、例えば発光部２０の第２電極２３と同様の光透過性導電材料を用いることができる。この上部電極５３は素子分離層１５に覆われており、更にこの素子分離層１５は発光部２０から延在する有機層２２および第２電極２３により覆われている。表示装置１と同様に、受光部５０と対向する位置に反射部１８を設けるようにしてもよい（図１）。

このような表示装置３は、例えば以下のようにして製造することができる（図２３Ａ〜図２５Ｃ）。

まず、基板４３の表面全面に例えばスパッタ法により導電膜５１Ｍを成膜した後（図２３Ａ）、これをドライエッチングまたはウェットエッチングによりパターニングして、下部電極５１を形成する（図２３Ｂ）。導電膜５１Ｍから、下部電極５１と同時に第１電極２１を形成するようにしてもよい。

次いで、基板４３の全面に光電変換膜５２Ｍを例えばスパッタリング法により成膜した後（図２３Ｃ）、これをパターニングして下部電極５１の上面および側面を覆う光電変換膜５２を形成する（図２４Ａ）。続いて、例えば基板４３の全面に光透過性の導電膜５３Ｍを成膜した後（図２４Ｂ）、この導電膜５３Ｍをパターニングして光電変換膜５２上に上部電極５３を形成する（図２４Ｃ）。上部電極５３は、例えば光電変換膜５２の上面および側面を覆っている。これにより、受光部５０が形成される。受光部５０を設けた後、基板４３の全面に絶縁膜１５Ｍを成膜する（図２５Ａ）。この絶縁膜１５Ｍの一部に開口を設けて第１電極２１の表面を露出させ、素子分離層１５を形成する（図２５Ｂ）。素子分離層１５を設けた後、基板４３の全面に有機層２２および第２電極２３をこの順に成膜して、発光部２０を形成する（図２５Ｃ）。以降の工程は表示装置１と同様に行い、表示装置３を完成させる。

この表示装置３の受光部５０は、表示装置１の受光部３０（図１、図７）と同様にして発光部２０で発生した光の一部を受光する。基板４３の表面の受光部５０は、基板１３の内部の受光部３０よりも発光部２０により近い位置に設けられているので、反射部１８を介さずに、発光部２０で発生した光を直接受けることが可能となる。よって、発光部２０から受光部５０までの間の光量の減少を抑えて、より精確な受光信号３０Ａを補正回路５０に送ることが可能となる。

（モジュール）
上記実施の形態および変形例の表示装置１，１Ａ，２，２Ａ，３（以下、単に表示装置と表す）は、例えば、図２６に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１３，４３の一辺に、対向基板１９から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図２７は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例２）
図２８Ａ，２８Ｂは、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例３）
図２９は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例４）
図３０は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例５）
図３１Ａ，３１Ｂは、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

また、上記実施の形態等では、第１電極２１を陽極、第２電極２３を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極２１を陰極、第２電極２３を陽極としてもよい。更に、本技術をボトムエミッション型の表示装置に適用してもよい。

加えて、本技術を例えば発光部２０に無機層を有する無機ＥＬ表示装置等、有機ＥＬ表示装置以外の自発光型の表示装置に適用することも可能である。

更にまた、上記実施の形態等では、書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２の構成を具体的に説明したが、これらの配置は逆であってもよく、あるいは発光部２０の直下に他のトランジスタを配置するようにしてもよい。加えて、上記実施の形態等では、書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２のソース・ドレイン領域をＮ型ウェル領域内に、受光部３０をＰ型ウェル領域内にそれぞれ設けるようにしたが、書込トランジスタＴｒ１，駆動トランジスタＴｒ２のソース・ドレイン領域Ｐ型ウェル領域内に、受光部３０をＮ型ウェル領域内に設けることも可能である。

なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）表示領域内に、発光部と、前記発光部からの光を受光する受光部とを有する表示装置。
（２）更に、前記発光部を駆動する画素駆動回路と、前記受光部の受光量に応じて前記画素駆動回路に補正信号を送る補正回路とを有する前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記発光部および前記受光部は、基板の表面に設けられている前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記受光部は、一対の電極の間に光電変換膜を有している前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（５）前記発光部は基板の表面に設けられ、前記受光部は前記基板の内部に設けられている前記（２）に記載の表示装置。
（６）前記受光部はフォトダイオードにより構成されている前記（５）に記載の表示装置。
（７）前記基板はシリコン層を有する前記（５）または（６）に記載の表示装置。
（８）前記シリコン層の裏面近傍に前記受光部が設けられている前記（７）に記載の表示装置。
（９）前記画素駆動回路はトランジスタを含み、前記トランジスタが前記発光部と平面視で重なる位置に設けられている前記（５）乃至（８）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）前記トランジスタおよび前記受光部を画素毎に有し、前記トランジスタと前記受光部とは互いに隣り合う位置に設けられている前記（９）に記載の表示装置。
（１１）前記トランジスタと前記受光部との間に遮蔽部を有する前記（１０）に記載の表示装置。
（１２）前記遮蔽部は、前記基板の溝に埋設された絶縁膜である前記（１１）に記載の表示装置。
（１３）前記遮蔽部は、前記基板の溝に埋設された金属膜である前記（１１）に記載の表示装置。
（１４）前記遮蔽部は、前記基板の溝に埋設された銅である前記（１１）に記載の表示装置。
（１５）前記受光部を囲むように前記遮蔽部が設けられている前記（１１）乃至（１４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１６）前記基板と対向する反射部を有し、前記反射部で反射された前記発光部からの光が前記受光部に入射する前記（５）乃至（１５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１７）前記反射部の前記基板との対向面は放物曲面である前記（１６）に記載の表示装置。
（１８）表示装置を備え、前記表示装置は、表示領域内に、発光部と、前記発光部からの光を受光する受光部とを有する電子機器。
（１９）画素駆動回路により表示領域内の発光部を駆動し、前記発光部からの光を前記表示領域内の受光部で受光し、前記受光部の受光量に応じて補正回路から前記画素駆動回路に補正信号を送る表示装置の駆動方法。
（２０）表示領域内に、発光部と前記発光部からの光を受光する受光部とを形成する表示装置の製造方法。

１，１Ａ，２，２Ａ，３・・・表示装置、１０・・・画素、１１・・・支持部材、１２・・・多層配線層、１３，４３・・・基板、１３Ａ・・・Ｓｉ層、１３Ｂ・・・絶縁層、４３Ａ・・・板状部材、４３Ｂ・・・ＴＦＴ層、１３Ｖ・・・貫通電極、１３Ｗ１，１３Ｗ２，１３Ｗ３，１３Ｗ４，１３Ｗ５，１３Ｗ６，１３Ｗ７・・・導電性プラグ、Ｔｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３・・・トランジスタ、ＴＧ１，ＴＧ２，ＴＧ３・・・ゲート電極、１４・・・絶縁層、１５・・・素子分離層、１６・・・保護層、１７・・・ＣＦ層、１８，１８Ａ・・・反射部、１９・・・対向基板、２０・・・発光部、２１・・・第１電極、２２・・・有機層、２３・・・第２電極、３０，５０・・・受光部、３１，３２・・・遮蔽部。

Claims (20)

1. 表示領域内に、
   発光部と、
   前記発光部からの光を受光する受光部とを有する
   表示装置。
2. 更に、
   前記発光部を駆動する画素駆動回路と、
   前記受光部の受光量に応じて前記画素駆動回路に補正信号を送る補正回路とを有する
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記発光部および前記受光部は、基板の表面に設けられている
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記受光部は、一対の電極の間に光電変換膜を有している
   請求項３に記載の表示装置。
5. 前記発光部は基板の表面に設けられ、
   前記受光部は前記基板の内部に設けられている
   請求項２に記載の表示装置。
6. 前記受光部はフォトダイオードにより構成されている
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記基板はシリコン層を有する
   請求項５に記載の表示装置。
8. 前記シリコン層の裏面近傍に前記受光部が設けられている
   請求項７に記載の表示装置。
9. 前記画素駆動回路はトランジスタを含み、前記トランジスタが前記発光部と平面視で重なる位置に設けられている
   請求項５に記載の表示装置。
10. 前記トランジスタおよび前記受光部を画素毎に有し、前記トランジスタと前記受光部とは互いに隣り合う位置に設けられている
    請求項９に記載の表示装置。
11. 前記トランジスタと前記受光部との間に遮蔽部を有する
    請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記遮蔽部は、前記基板の溝に埋設された絶縁膜である
    請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記遮蔽部は、前記基板の溝に埋設された金属膜である
    請求項１１に記載の表示装置。
14. 前記遮蔽部は、前記基板の溝に埋設された銅である
    請求項１１に記載の表示装置。
15. 前記受光部を囲むように前記遮蔽部が設けられている
    請求項１１に記載の表示装置。
16. 前記基板と対向する反射部を有し、前記反射部で反射された前記発光部からの光が前記受光部に入射する
    請求項５に記載の表示装置。
17. 前記反射部の前記基板との対向面は放物曲面である
    請求項１６に記載の表示装置。
18. 表示装置を備え、
    前記表示装置は、
    表示領域内に、
    発光部と、
    前記発光部からの光を受光する受光部とを有する
    電子機器。
19. 画素駆動回路により表示領域内の発光部を駆動し、
    前記発光部からの光を前記表示領域内の受光部で受光し、
    前記受光部の受光量に応じて補正回路から前記画素駆動回路に補正信号を送る
    表示装置の駆動方法。
20. 表示領域内に、発光部と前記発光部からの光を受光する受光部とを形成する
    表示装置の製造方法。

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