JP2014529888A - チャンバ内の基板を感知するための方法および装置 - Google Patents
チャンバ内の基板を感知するための方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014529888A JP2014529888A JP2014526107A JP2014526107A JP2014529888A JP 2014529888 A JP2014529888 A JP 2014529888A JP 2014526107 A JP2014526107 A JP 2014526107A JP 2014526107 A JP2014526107 A JP 2014526107A JP 2014529888 A JP2014529888 A JP 2014529888A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- substrate
- blade
- reflected
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0606—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/20—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties
- H10P74/203—Structural properties, e.g. testing or measuring thicknesses, line widths, warpage, bond strengths or physical defects
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/23—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes
- H10P74/235—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes comprising optical enhancement of defects or not-directly-visible states
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/27—Structural arrangements therefor
Landscapes
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
Description
本出願は、すべての目的のために参照により全体が本明細書に組み込まれる2011年8月16日に出願された「METHODS AND APPARATUS FOR SENSING A SUBSTRATE IN A CHAMBER」という名称の米国特許仮出願第61/524,090号(代理人整理番号16270/L)からの優先権を主張するものである。
いくつかの実施形態では、本発明はチャンバ内の基板を感知する方法を提供する。この方法は、少なくとも2つの異なる波長の放射を放出するステップと、第1の波長の放出放射を、チャンバの覗き窓を通してチャンバの内部に導くステップと、第2の波長の放出放射を、チャンバの覗き窓を通して基板キャリアのブレードの孔の場所に導くステップと、ブレード、チャンバの内部、またはブレード上の基板によって反射された放出放射のいずれかを検出するステップと、検出された反射放射に基づいて基板がブレード上に存在するかどうかを決定するステップとを含む。
いくつかの他の実施形態では、本発明はチャンバ内の基板を感知するための装置を提供する。この装置は、少なくとも2つの異なる波長の放射を放出するための複数の放出器と、第1の波長の放出放射を、チャンバの覗き窓を通してチャンバの内部に導くための部材と、第2の波長の放出放射を、チャンバの覗き窓を通して基板キャリアのブレードの孔の場所に導くための部材の1つまたは複数の開口と、ブレード、チャンバの内部、またはブレード上の基板によって反射された放出放射のいずれかを検出するための1つまたは複数のセンサと、センサに結合され、検出された反射放射に基づいて基板がブレード上に存在するかどうかを決定するように構成された論理部とを含む。
さらなる他の実施形態では、本発明は電子デバイス処理ツール内の基板を感知するための装置を提供する。この装置は、この装置を電子デバイス処理ツールの覗き窓に結合するように構成された装着部材と、装着部材内に配置され、電子デバイス処理ツールの内部を照明するように構成された第1の波長の放射源と、装着部材内に配置され、電子デバイス処理ツール内の基板キャリアのブレードの孔の場所を照明するように導かれる第2の波長の放射源と、基板、ブレード、および電子デバイス処理ツールの内部から反射された放射を受け取るように配置された1つまたは複数のセンサと、センサに結合され、受け取った反射放射に基づいて基板がブレード上に存在するかどうかを決定するように構成された論理部とを含む。
本発明のこれらおよび他の特徴および態様は、例示の実施形態の以下の詳細な説明、添付の特許請求の範囲、および添付図面からより完全に明らかになるであろう。
当業者は、以下に記載される図面が単に例証のためのものであることを理解されよう。図面は、本教示の範囲を決して限定するものではない。
いくつかの実施形態では、本発明は、市販の(例えば、Applied MaterialsのCentura(登録商標)およびEndura(登録商標))移送チャンバリッド観察窓ポートに専用の装着手段(例えば、簡単なボルト止め)を利用することができる。この装着手段は他のタイプおよび様式の装置に容易に適応できると考えられる。
本発明は、すべての基板処理システムに電気的にインターフェースで接続するように設計されるか、またはすべての基板処理システムにインターフェースで接続するように容易に構成されるように設計される。このインターフェースは、柔軟性を強化するように本質的に非常に単純であるように設計される。本発明は、いくつかの実施形態では、対話式および設定可能なシステムインターフェースをさらに含み、例えば、ホストシステムとの通信および/またはホストシステムによる制御のためのシリアルデータ転送を使用することができる。しかし、そのようなインターフェースの存在および使用はオプションであり、動作には必要とされない。
生産の間の本発明の構成は単純であり、控えめなスキルセットを十分に受け入れる。デバイスは、標準の市販の狭帯域光フィルタおよび光源の選択を使用して、または光源と、特定の波長帯域に固有の選択性があるセンサとを選択することによって、所望の1つまたは複数の波長帯域に合わせられる。
いくつかの実施形態では、放射源は、長い準備期間を必要としない「瞬時オン」とすることができ、エネルギー効率が高い。本発明で利用する瞬時オン光源により安全強化を実現できる。紫外線または赤外線源が利用される場合、これらの光源は、短い期間の間、および安全インターロック基準がすべて満たされる場合のみオプションとして通電することができる。
本発明は、感知信頼性の必要に応じて、遠赤外(≒1500ナノメートル)から紫外(≒150ナノメートル)までの波長にわたることができる1つまたは複数の光スペクトルエネルギー源を含むことができる。いくつかの実施形態では、少なくとも2つの別個の波長を利用することになり、他の実施形態では、3つ以上を使用することができる。いくつかの実施形態では、別個の基板直面放射放出器および検出器デバイス/レベル検出センサ(例えば、光エネルギー放出器および検出器/センサ)が使用され、互いに干渉しないように実質的に異なる波長で動作する。
本発明は、光エネルギー源が放出する1つまたは複数の波長、および/または感知されるウエハからの二次放出を検出することができる1つの光センサまたは1群のセンサを含むことができる。加えて、本発明は、ウエハが存在しないときにロボットブレードからの背景反射を検出することができる1つの光センサまたは1群のセンサを含むことができる。実施形態は前記光センサ用の装着具を含み、装着具は必要に応じて容易に再構成することができるように設計される。本発明は、1つまたは複数のセンサをある一定の区域または範囲に制限する光路を含むことができる。そのような経路は、レンズ、窓、コリメータ、ディフューザー、およびこの機能を強化し、さらに感知されるウエハ上のパターン形状の影響を打ち消すのに役立つ他のデバイスを含むことができる
論理回路は、さらに、基板ブレード面開孔が備えられていない事例、およびウエハが十分に暗くて(非反射性で)通常の感知方式が役立たない事例を含めて、1つまたは複数の感知デバイスの視野内に基板があるかないかを決定するように構成することができる。
本発明の追加の実施形態では、光スペクトルエネルギー源(多色集合光源)の2つ以上の波長を使用することができる。検出される半導体基板膜タイプに対して感度があるように指定された1つまたは複数の光フィルタ、または他の波長を除外して特定の波長を感知するように構成された検出器デバイスを使用することができる。場合によっては、二次放出もしくはシフトした放出またはそれらの組合せを検知することができるので、フィルタ波長は組み込まれた光エネルギー源と同じであってもそうでなくてもよいことに留意されたい。エネルギー源の光波長の多数性は、異なる実施形態では、同時であっても、連続していても、または選択的に使用可能であってもよい。
センサアセンブリ110は、プレート108の上に配置され、プレート108によって支持される。センサアセンブリ110は、処理チャンバからの目標範囲を含む放射エネルギーの受取りに応答して、特定の目標範囲のエネルギー波長の検出を示す信号を発生するように構成される。いくつかの実施形態では、例えば、テキサス州、CarrolltonのVerity Instruments, Inc.から市販されているModel PM100−V検出器アセンブリをセンサアセンブリ110として使用することができる。そのような実施形態では、センサアセンブリ110は、装置100の回路の残りから分離した交換可能またはアップグレード可能なモジュール式構成要素として具現することができる。他の実施形態では、センサアセンブリ110は、装置100のコントローラの一体化構成要素として具現することができる。いくつかの実施形態では、プレート108は、さらに、センサアセンブリ110とオプションの上部ディフューザー104との間の開口の中にまたは開口に隣接して光帯域通過フィルタを支持することができる。追加のおよび他のタイプのフィルタを、上述のように、使用することができる。
図3を参照すると、例示の装置100の断面図が示される。断面は、図2の3−3として識別されるラインに沿って得られている。図1および2に関して上述した要素は、図1および2と同じ参照番号を使用してラベル付けされていることに留意されたい。図3において、ベースアセンブリ102および装置100の内部構成要素が、組み立て済みの位置で示される。具体的には、下部ディフューザー116は内側拡散チューブ105内に配置されていることが示される。加えて、論理部113(例えば、プログラマブルコントローラ)はセンサアセンブリ110上に示される。論理部113は、光センサアセンブリ110に回路基板ラインを介して結合され、放射源アレイ118にアレイ118のケーブル布線302を介して結合されうる。
論理部113は、プロセッサ、論理回路、および/または装置100を使用して本発明の方法を実行するように構成されたハードウェアおよびソフトウェアの任意の組合せを含むことができる。例えば、論理部113は、検出を始めるべきである(例えば、基板が存在すると予想される)ことを示す信号の受取りに応答して、供給ベースアセンブリ102を作動させて処理ツール内の基板を照明するように構成されたプログラムコードを含むことができる。いくつかの実施形態では、論理部113は、図13および14に関して以下で詳述する方法に従ってベースアセンブリ102を使用して処理チャンバ内の基板の存在を検出するように構成されたプログラムコードを含むことができる。いくつかの実施形態では、論理部113は、基板から反射されて受け取ったある波長の放射エネルギーを検出したことを示すセンサアセンブリ110からの1つまたは複数の信号の受取りに基づいて、基板が存在するか否かを示す信号をホストシステムまたはプロセスツールコントローラに送るように構成されたプログラムコードを含むことができる。いくつかの実施形態では、論理部113は、装置100を較正して、放射エネルギー源の強度を制御し、かつ/またはセンサアセンブリ110内のセンサの利得を調整するように構成されたプログラムコードを含むことができる。論理部113は、インターフェースポート、メモリ、クロック、電源、および論理部113の動作をサポートするための他の構成要素をさらに含むことができる。
図5に示すような本発明の実施形態において、放射源アレイ118は、放出器404およびセンサ406をさらに含み、それらを一緒に使用して反射放射を感知することができ、放射は、(1)放射源402からの放射と異なる波長であり、(2)チャンバ内で基板を支持するためのブレードの中心孔の場所にもっぱら導かれる。
図9と同様に、図10に示した方法は、装置100の断面と、放出器404から発出し、透明窓材料908を通過し、基板表面912から反射し、透明窓材料908を通って戻り、センサ406で受け取られる放射エネルギー線1002を示す。図示のように、基板が存在する場合、放射エネルギー線1002は基板表面912から反射し、基板が検出される。基板が存在しない場合、放射エネルギー線1002は反射によりセンサ406に戻されることはなく、装置100は、基板が存在しないと決定することができる。
図13は、本発明のいくつかの態様による本発明の例示の方法1300の実施形態を示す流れ図である。ステップ1302において、少なくとも2つの異なる波長(「A」および「B」)の放射が上述の放射源によって放出される。ステップ1304において、波長Aの放射は、処理チャンバの覗き窓を通して大部分はチャンバの内側に導かれる。ステップ1306において、波長Bの放射は、処理チャンバの覗き窓を通してもっぱら基板キャリア(例えば、基板移送ロボット)のブレードの中心孔の場所に導かれる。ステップ1308において、システムは、ブレード、チャンバの内部、またはブレード上の基板によって反射されたいずれかの波長の放射を検出しようとする。ステップ1310において、システムは、基板がブレード上に存在するかどうか、およびブレードが視野内に存在するかどうかを、両方ともステップ1308において検出された反射放射に基づいて決定する。
ステップ1402において、装置100は、ステップ1308(図13)において検出された波長Aの反射放射の量が、空ブレードによって反射される放射の下側閾値量よりも少ないかどうかを決定する。言い換えれば、空ブレードは、例えば較正の間に決定することができる範囲内の放射の量を反射することが分かっている。検出された波長Aの放射の量がこの既知の範囲の下限よりも少ない場合、装置は、基板が放射を吸収していると結論づけることができる。この場合、流れはステップ1414に続き、装置は基板およびブレードが存在することを示す。そうでない場合は、流れはステップ1404に続く。
ステップ1406において、装置100は、ステップ1308(図13)において検出された波長Aの反射放射の量が、ブレードが存在しない場合のチャンバ周囲反射の上側閾値量よりも多いかどうかを決定する。そうである場合は、流れは、ブレードが存在するという表示を装置が行うステップ1410に続き、次に、基板が存在しないという表示を装置が行うステップ1412に続く。そうでない場合は、流れは、ブレードが存在しないという表示を装置が行うステップ1408に続き、次に、基板が存在しないという表示を装置が行うステップ1412に続く。これにより、第1の下位方法が完了する。
上述のように、ステップ1406において、装置100は、ステップ1308(図13)において検出された波長Aの反射放射の量が、ブレードが存在しない場合のチャンバ周囲反射の上側閾値量よりも多いかどうかを決定する。そうである場合は、流れは、ブレードが存在するという表示を装置が行うステップ1410に続き、次に、基板が存在しないという表示を装置が行うステップ1412に続く。そうでない場合は、流れは、ブレードが存在しないという表示を装置が行うステップ1408に続き、次に、基板が存在しないという表示を装置が行うステップ1412に続く。これにより、第2の下位方法が完了する。
いくつかの実施形態では、三重放射(例えば、3つの異なる波長)源の適用を使用することができ、より少ない放出器(例えば、4つの放出器)を含むわずかに小さいアレイ402が、第2の三角測量放出器/センサ対(例えば、第1の三角測量放出器/センサ対404、406に加えて)とともに使用されることになる。例えば、第2の三角測量放出器/センサ対は、放出器402の位置のうちの2つと交替することができる。いくつかの実施形態では、6つの放出器402を使用することができ、追加の放出器/センサ対を6つの放出器402に隣接する位置に配置することができる。これらの構成では、基板検出装置100は2つの三角測量センサ機能および場(バルク)センサ機能(field (bulk) sensor function)を含むことになる。そのような実施形態では、様々なセンサ間の干渉を防止するために3つの異なる波長を使用することができる。
2つの収束(反射性)センサが互いに干渉せず、かつバルク(吸収)センサとも干渉しないように、異なる3つの波長を使用することができる。それら異なる波長は、2つの波長が信頼性をもって感知することができるよりも、より広い範囲の基板「色」および光学特性を感知するように最適化することができる。
図16を参照すると、ブレード1008の孔1006の場所に向けた2つの三角測量放出器/センサ対のための開口を含むベース装着部材114Bの第2の実施形態が示される。経路はほぼ平行であるが、中心ブレード孔1006の異なる部分に向けられた2つの異なるビーム1602A、1602Bが示される。
追加の実施形態(図示せず)は3つの異なるビーム放出器/センサ対を含み、ビーム放出器/センサ対はすべてベース装着部材114の中心開孔内に配置されたセンサに収束する。そのような実施形態では、他の実施形態のバルク場感知機能を備えなくてもよい。
追加の放出器/センサ対の三角測量点がブレード1008の孔1006の場所に向けられる実施形態では、追加の放出器/センサ対は冗長な基板カバリング孔(substrate−covering−hole)感知機能を提供することができる。追加の放出器/センサ対は他のものと異なる波長での放出および感度に向けて選択されるので、基板の検出をより信頼できるようにすることができる。反射率を変化させるだけでなく基板のスペクトル吸収および反射をシフトさせる、処理の前および後の基板の反射率の極端な変動が観察された。例えば、基板は、どの処理の段階で基板が観察されたかに応じて、無色透明からライトグリーン、そして濃青色または黒色になることがある。
本明細書で説明する本発明の実施形態の各々では、ベース装着部材114の中心開孔が遮断される量は意図的に最小にされている。加えて、本発明は、チャンバの内部への変形を行う必要性を回避するように考案され設計された。そのように変形するには、実際には、カバーを開け、孔のドリル加工などの変形を行うことを必要とすることになる。これが引き起こすことがあるデブリと、漏れの可能性を回避することができる。加えて、リッド全体を内側装着孔を有するバージョンと取り替えるのは、費用効率が高くないことがある。
図17Aおよび17B(それぞれ、斜視図および側面断面図)は第1の側面観察の実施形態を示し、覗き窓の窓908は、窓908の下面に、整形された透明なライザ1702を接合または融着することによって変更されている。これは、多分、窓908の1つの面上にチューブを融着し、閉鎖端部区間を有することによって行われる。これにより、光ファイバ光プローブ(例えば、分光器に接続された)がプロセス区域中に安全に十分に、時には2インチ以上もの量を延びることができる。
放出の光線追跡のみが図17Bに示されているが、反射の光線追跡は同じ経路に沿って移動することができ、または、ライザ1702先端の切断面の回転角を調整することによって、特定の点(図17Aにおけるように)に対して三角測量することができることは明らかである。
図17Aおよび17Bに示した実施形態では、放出器404Aおよび検出器は分離することができ、さらに、ライザ1702の先端で効果的にプリズムミラーとなるものによって観察区域を制限するように狭くした開口をオプションとして備えることができる。図17Aに示すように放出器と検出器とを分離すると、ブレード/ロボットの目標点に位置しない表面反射をより正確に排除し、さらに、それらの間のクロストークの減少により信号対雑音比を向上させることができる。いくつかの代替実施形態では、放出器および検出器は、さらに、単一のライザにより同軸で装着することができる。
図17Aおよび17Bの実施形態と比べた図18Aおよび18Bの実施形態の利点は、いくつかの特徴を含む。図18Aおよび18Bの実施形態のプリズムまたはミラーは、生産の時にライザペデスタルを研削または整形する必要なしに、正確に位置づけることができる。さらに、プリズムまたはミラー表面の角度は、図17Aおよび17Bの実施形態よりも容易に所望のビーム経路に対して最適化することができる。加えて、図18Aおよび18Bの実施形態の生産のコストは、図17Aおよび17Bの実施形態の生産のコストよりもかなり少ないことになる。
さらに、前の実施形態におけるように、放出器および検出器は分離することができ、または同軸とすることができる。図19Bに示した実施形態では、放出器404Cが垂直からわずかに傾いて装着されていることが示されている。これにより、図示のプリズム1902への光線経路が最適化され、一方、センサベース装着部材114Eの主要な中央光ポートは可能な限りわずかしか遮断されない。いくつかの実施形態では、プリズム1902またはミラーは観察窓の一体化部分として生産することができる。この実施形態では、チャンバリッド902の円形開口の側からの反射を制限するように放出器および検出器の開口抑制を行うことによって、感知をより高信頼にすることができる。
Claims (15)
- チャンバ内の基板を感知する方法であって、
少なくとも2つの異なる波長の放射を放出するステップと、
第1の波長の前記放出放射を、チャンバの覗き窓を通して前記チャンバの内部に導くステップと、
第2の波長の前記放出放射を、前記チャンバの前記覗き窓を通して基板キャリアのブレードの孔の場所に導くステップと、
前記ブレード、前記チャンバの前記内部、または前記ブレード上の基板によって反射された前記放出放射のいずれかを検出するステップと、
検出された前記反射放射に基づいて基板が前記ブレード上に存在するかどうかを決定するステップと
を含む、方法。 - 基板が存在するかどうかを決定するステップが、検出された前記第1の波長の前記反射放射の量が空ブレードによって反射される放射の下側閾値量よりも少ないかどうかを決定するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 基板が存在するかどうかを決定するステップが、検出された前記第1の波長の前記反射放射の量が空ブレードによって反射される放射の上側閾値量よりも多いかどうかを決定するステップを含む、請求項2に記載の方法。
- 基板が存在するかどうかを決定するステップが、検出された前記第2の波長の前記反射放射の量が前記第2の波長の前記放射の周囲レベルよりも大きいかどうかを決定するステップを含む、請求項3に記載の方法。
- 基板およびブレードが存在するかどうかの表示を用意するステップをさらに含む、請求項4に記載の方法。
- 検出された前記第2の波長の前記反射放射の量が前記第2の波長の前記放射の周囲レベルよりも大きいかどうかを決定するステップが、検出された前記第1の波長の前記反射放射の量が空ブレードによって反射される放射の下側閾値量よりも小さいかどうか、または空ブレードによって反射される放射の上側閾値量よりも大きいかどうかを決定するステップと並列に行われる、請求項4に記載の方法。
- 検出された前記反射放射に基づいてブレードがセンサの視野内にあるかどうかを決定するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- チャンバ内の基板を感知するための装置であって、
少なくとも2つの異なる波長の放射を放出するための複数の放出器と、
第1の波長の前記放出放射を、チャンバの覗き窓を通して前記チャンバの内部に導くための部材と、
第2の波長の前記放出放射を、前記チャンバの前記覗き窓を通して基板キャリアのブレードの孔の場所に導くための前記部材の1つまたは複数の開口と、
前記ブレード、前記チャンバの前記内部、または前記ブレード上の基板によって反射された前記放出放射のいずれかを検出するための1つまたは複数のセンサと、
前記センサに結合され、検出された前記反射放射に基づいて基板が前記ブレード上に存在するかどうかを決定するように構成された論理部と
を含む、装置。 - 基板が存在するかどうかを決定するように構成された前記論理部が、検出された前記第1の波長の前記反射放射の量が空ブレードによって反射される放射の下側閾値量よりも少ないかどうかを決定するように構成された論理部を含む、請求項8に記載の装置。
- 基板が存在するかどうかを決定するように構成された前記論理部が、検出された前記第1の波長の前記反射放射の量が空ブレードによって反射される放射の上側閾値量よりも多いかどうかを決定するように構成された論理部を含む、請求項9に記載の装置。
- 基板が存在するかどうかを決定するように構成された前記論理部が、検出された前記第2の波長の前記反射放射の量が前記第2の波長の前記放射の周囲レベルよりも大きいかどうかを決定するように構成された論理部を含む、請求項10に記載の装置。
- 電子デバイス処理ツール内の基板を検出するための装置であって、
前記装置を前記電子デバイス処理ツールの覗き窓に結合するように構成された装着部材と、
前記装着部材内に配置され、前記電子デバイス処理ツールの内部を照明するように構成された第1の波長の放射源と、
前記装着部材内に配置され、前記電子デバイス処理ツール内の基板キャリアのブレードの孔の場所を照明するように導かれる第2の波長の放射源と、
前記基板、前記ブレード、および前記電子デバイス処理ツールの前記内部から反射された放射を受け取るように配置された1つまたは複数のセンサと、
前記センサに結合され、受け取った前記反射放射に基づいて基板が前記ブレード上に存在するかどうかを決定するように構成された論理部と
を含む、装置。 - 前記装着部材が、前記基板、前記ブレード、および前記電子デバイス処理ツールの前記内部から反射された放射のみが前記センサに達するように、前記放射源を支持するように配置された開口を含む、請求項12に記載の装置。
- 前記装着部材に結合され、前記基板、前記ブレード、および前記電子デバイス処理ツールの前記内部から反射されない放射が前記センサに達しないように構成されたハウジングをさらに含む、請求項12に記載の装置。
- 前記ハウジングに結合された複数のディフューザーをさらに含む、請求項14に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161524090P | 2011-08-16 | 2011-08-16 | |
| US61/524,090 | 2011-08-16 | ||
| PCT/US2012/050475 WO2013025566A1 (en) | 2011-08-16 | 2012-08-10 | Methods and apparatus for sensing a substrate in a chamber |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016189507A Division JP6330006B2 (ja) | 2011-08-16 | 2016-09-28 | チャンバ内の基板を感知するための方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014529888A true JP2014529888A (ja) | 2014-11-13 |
| JP6017560B2 JP6017560B2 (ja) | 2016-11-02 |
Family
ID=47712443
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014526107A Active JP6017560B2 (ja) | 2011-08-16 | 2012-08-10 | チャンバ内の基板を感知するための方法および装置 |
| JP2016189507A Active JP6330006B2 (ja) | 2011-08-16 | 2016-09-28 | チャンバ内の基板を感知するための方法および装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016189507A Active JP6330006B2 (ja) | 2011-08-16 | 2016-09-28 | チャンバ内の基板を感知するための方法および装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8649017B2 (ja) |
| JP (2) | JP6017560B2 (ja) |
| KR (2) | KR102059141B1 (ja) |
| CN (2) | CN105742201B (ja) |
| TW (2) | TWI559021B (ja) |
| WO (1) | WO2013025566A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8903235B2 (en) * | 2010-06-23 | 2014-12-02 | Gea Process Engineering A/S | Closure element comprising a light source |
| CN105742201B (zh) | 2011-08-16 | 2018-07-27 | 应用材料公司 | 用于在腔室内感测基板的方法及设备 |
| JP6114708B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板脱離検出装置及び基板脱離検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法 |
| US10365212B2 (en) * | 2016-11-14 | 2019-07-30 | Verity Instruments, Inc. | System and method for calibration of optical signals in semiconductor process systems |
| US11421977B2 (en) * | 2018-10-19 | 2022-08-23 | Applied Materials, Inc. | Eliminating internal reflections in an interferometric endpoint detection system |
| JP7155883B2 (ja) * | 2018-10-31 | 2022-10-19 | 株式会社リコー | 検出装置及び検出システム |
| WO2020180470A1 (en) | 2019-03-01 | 2020-09-10 | Applied Materials, Inc. | Transparent wafer center finder |
| KR102930961B1 (ko) * | 2023-04-13 | 2026-02-25 | (주)선재하이테크 | 진공 자외선을 이용한 정전기 제거 장치 조립체 |
| US20250290859A1 (en) * | 2024-03-12 | 2025-09-18 | General Electric Company | Electromagnetic inspection systems and methods |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485730U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-24 | ||
| JPH06107333A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-19 | Yokogawa Electric Corp | ウエハ検出装置 |
| JPH06214046A (ja) * | 1993-01-13 | 1994-08-05 | Tokyo Electron Ltd | ガラス基板検出方法及び装置 |
| JPH1064971A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-03-06 | Applied Materials Inc | ウェハの位置の誤り検出及び修正装置、及びその方法 |
| US5820329A (en) * | 1997-04-10 | 1998-10-13 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus with low particle generating wafer clamp |
| US6621092B1 (en) * | 2000-02-04 | 2003-09-16 | Sunx Limited | Reflection type sensor |
| JP2004140147A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Tokyo Electron Ltd | 被搬送体の検出装置及び処理システム |
| JP2010225957A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法 |
| JP2010535425A (ja) * | 2007-08-01 | 2010-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板上の薄膜を識別するための方法及び装置 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5388909A (en) * | 1993-09-16 | 1995-02-14 | Johnson; Shane R. | Optical apparatus and method for measuring temperature of a substrate material with a temperature dependent band gap |
| US5563798A (en) | 1994-04-05 | 1996-10-08 | Applied Materials, Inc. | Wafer positioning system |
| US6592673B2 (en) | 1999-05-27 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for detecting a presence or position of a substrate |
| JP2001007181A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US6166509A (en) | 1999-07-07 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Detection system for substrate clamp |
| WO2002040970A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Real Time Metrology, Inc. | Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects |
| DE10128476C2 (de) * | 2001-06-12 | 2003-06-12 | Siemens Dematic Ag | Optische Sensorvorrichtung zur visuellen Erfassung von Substraten |
| EP1318211B1 (en) * | 2001-12-07 | 2008-08-27 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Arrangement for monitoring a thickness of a layer depositing on a sidewall of a processing chamber |
| JP4060098B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2008-03-12 | 株式会社アルバック | 真空処理装置およびゲートバルブ |
| US7115837B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-10-03 | Mattson Technology, Inc. | Selective reflectivity process chamber with customized wavelength response and method |
| JP4722416B2 (ja) * | 2004-06-16 | 2011-07-13 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び基板搬送方法並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2006165472A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 基板検出装置及び基板検出方法 |
| US20060167583A1 (en) | 2005-01-22 | 2006-07-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for on the fly positioning and continuous monitoring of a substrate in a chamber |
| JP4799049B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2011-10-19 | シーシーエス株式会社 | ウェハ輪郭検出装置 |
| DE102006015089A1 (de) | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | System und Verfahren zur Scheibenhandhabung in Halbleiterprozessanlagen |
| US7750818B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-07-06 | Adp Engineering Co., Ltd. | System and method for introducing a substrate into a process chamber |
| KR20080048674A (ko) * | 2006-11-29 | 2008-06-03 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 리프트 핀을 이용한 기판 유무 판별장치 및 이를 이용한기판 반입방법과 검사방법 |
| US8057602B2 (en) | 2007-05-09 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber |
| DE102008004762A1 (de) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer Messeinrichtung |
| WO2009094608A2 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for an integral local substrate center finder for i/o and chamber slit valves |
| US8009938B2 (en) * | 2008-02-29 | 2011-08-30 | Applied Materials, Inc. | Advanced process sensing and control using near infrared spectral reflectometry |
| US8283607B2 (en) * | 2008-04-09 | 2012-10-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus including heating source reflective filter for pyrometry |
| US8452166B2 (en) * | 2008-07-01 | 2013-05-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for measuring radiation energy during thermal processing |
| JP2010103252A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US8314371B2 (en) * | 2008-11-06 | 2012-11-20 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal processing chamber with micro-positioning system |
| CN105742201B (zh) | 2011-08-16 | 2018-07-27 | 应用材料公司 | 用于在腔室内感测基板的方法及设备 |
-
2012
- 2012-08-10 CN CN201610130295.3A patent/CN105742201B/zh active Active
- 2012-08-10 CN CN201280039886.XA patent/CN103748669B/zh active Active
- 2012-08-10 KR KR1020197018651A patent/KR102059141B1/ko active Active
- 2012-08-10 KR KR1020147006894A patent/KR101995984B1/ko active Active
- 2012-08-10 WO PCT/US2012/050475 patent/WO2013025566A1/en not_active Ceased
- 2012-08-10 JP JP2014526107A patent/JP6017560B2/ja active Active
- 2012-08-10 US US13/572,596 patent/US8649017B2/en active Active
- 2012-08-15 TW TW101129569A patent/TWI559021B/zh active
- 2012-08-15 TW TW105130416A patent/TWI610083B/zh active
-
2014
- 2014-01-02 US US14/146,503 patent/US8994950B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-09-28 JP JP2016189507A patent/JP6330006B2/ja active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485730U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-24 | ||
| JPH06107333A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-19 | Yokogawa Electric Corp | ウエハ検出装置 |
| JPH06214046A (ja) * | 1993-01-13 | 1994-08-05 | Tokyo Electron Ltd | ガラス基板検出方法及び装置 |
| JPH1064971A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-03-06 | Applied Materials Inc | ウェハの位置の誤り検出及び修正装置、及びその方法 |
| US5820329A (en) * | 1997-04-10 | 1998-10-13 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus with low particle generating wafer clamp |
| US6621092B1 (en) * | 2000-02-04 | 2003-09-16 | Sunx Limited | Reflection type sensor |
| JP2004140147A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Tokyo Electron Ltd | 被搬送体の検出装置及び処理システム |
| JP2010535425A (ja) * | 2007-08-01 | 2010-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板上の薄膜を識別するための方法及び装置 |
| JP2010225957A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8994950B2 (en) | 2015-03-31 |
| JP2017038071A (ja) | 2017-02-16 |
| KR101995984B1 (ko) | 2019-07-03 |
| US20140139838A1 (en) | 2014-05-22 |
| TWI610083B (zh) | 2018-01-01 |
| CN103748669A (zh) | 2014-04-23 |
| TW201312142A (zh) | 2013-03-16 |
| CN105742201B (zh) | 2018-07-27 |
| TWI559021B (zh) | 2016-11-21 |
| KR20190082323A (ko) | 2019-07-09 |
| US8649017B2 (en) | 2014-02-11 |
| KR20140057340A (ko) | 2014-05-12 |
| JP6330006B2 (ja) | 2018-05-23 |
| CN103748669B (zh) | 2016-08-24 |
| TW201712364A (zh) | 2017-04-01 |
| CN105742201A (zh) | 2016-07-06 |
| KR102059141B1 (ko) | 2019-12-24 |
| JP6017560B2 (ja) | 2016-11-02 |
| US20130044326A1 (en) | 2013-02-21 |
| WO2013025566A1 (en) | 2013-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6330006B2 (ja) | チャンバ内の基板を感知するための方法および装置 | |
| RU2745012C2 (ru) | Газоанализатор | |
| US7835007B2 (en) | Methods and apparatus for identifying thin films on a substrate | |
| KR101452174B1 (ko) | 발광부, 광전식 연기 감지기 및 흡인식 연기 감지 시스템 | |
| CN103492858A (zh) | 气体分析仪与当中所用的光学区块 | |
| KR102416261B1 (ko) | 저온 투과 고온측정을 위한 검출기 | |
| CN101571601B (zh) | 光电传感器 | |
| JP6741803B2 (ja) | 測距検出器検査装置 | |
| KR20050009155A (ko) | 누락 다이 검출 | |
| US20080068598A1 (en) | Grating photometer | |
| JP2008311302A (ja) | ウェハ方向検出装置 | |
| JP5609581B2 (ja) | 光学式位置検出装置および位置検出機能付き機器 | |
| WO2024175392A1 (en) | Optoelectronic device with damage probing system | |
| WO2025210160A1 (en) | Reflectometer system and method for determining a reflectance | |
| JP2005079126A (ja) | 光ファイバセンサヘッド及びその製造方法並びにウエハ検出装置 | |
| KR20190124880A (ko) | 광학적 검사 기계의 경계 검출기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150727 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160824 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160829 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160928 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6017560 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |