JP2015192074A - 固体撮像装置、電子機器、および固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】像面湾曲収差を高い精度で補正することが可能な固体撮像装置、この固体撮像装置を備えた電子機器、および固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１面および第２面を有すると共に前記第１面に湾曲部を有し、前記第１面の前記湾曲部に固体撮像素子が設けられた半導体基板と、前記半導体基板を収容するパッケージと、第３面および第４面を有し、前記第３面は前記半導体基板の第２面に接し、前記第４面は前記パッケージの底部に接する樹脂層とを備えた固体撮像装置。【選択図】図１

Description

本開示は、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）またはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor ）イメージセンサなどの固体撮像素子（以下、センサという）を有する固体撮像装置、この固体撮像装置を備えた電子機器、および固体撮像装置の製造方法に関する。

ＣＣＤまたはＣＭＯＳイメージセンサなどのセンサは、シリコン（Ｓｉ）で形成されており、撮像面は平坦に作られている。そのようなセンサに合わせて、レンズの結像する像面は、非球面レンズなどとの組み合わせにより、より平坦に近づくように設計されている。しかしながら、カメラの小型化に伴う限られた設計条件のもとでは、レンズの結像する像面を完全に平坦にすることは困難であり、レンズの結像する像面は像面湾曲収差を持ったものとなっている。

この像面湾曲収差に合わせてセンサを湾曲させると、収差を解消してより良好な画像の撮像が可能となる。例えば特許文献１では、台座基板の湾曲部に緩衝材膜を設け、この緩衝材膜にセンサを設けることが記載されている。

特開２００５−２６０４３６号公報

特許文献１では、台座基板の湾曲部に倣ってセンサを湾曲させることで像面湾曲収差を補正するようにしていたので、台座基板の湾曲部は非常に高い精度をもつことが望ましく、それが高コスト化の要因となっていた。

本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、像面湾曲収差を高い精度で補正することが可能な固体撮像装置、この固体撮像装置を備えた電子機器、および固体撮像装置の製造方法を提供することにある。

本開示に係る固体撮像装置は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の構成要素を備えたものである。
（Ａ）第１面および第２面を有すると共に第１面に湾曲部を有し、第１面の湾曲部に固体撮像素子が設けられた半導体基板
（Ｂ）半導体基板を収容するパッケージ
（Ｃ）第３面および第４面を有し、第３面は半導体基板の第２面に接し、第４面はパッケージの底部に接する樹脂層

本開示の固体撮像装置では、半導体基板の第１面の湾曲部に固体撮像素子が設けられているので、固体撮像素子の撮像面は湾曲している。よって、レンズの結像する像面の像面湾曲収差が解消され、良好な画像の撮像が可能となる。

ここでは、半導体基板とパッケージとの間に樹脂層が設けられ、樹脂層の第３面は半導体基板の第２面に接し、第４面はパッケージの底部に接している。よって、樹脂層の湾曲形状を制御することにより、像面湾曲収差が高い精度で補正される。

本開示に係る電子機器は、上記本開示に係る固体撮像装置を有するものである。

本開示の電子機器では、上記本開示の固体撮像装置により撮像がなされる。

本開示に係る第１の固体撮像装置の製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の工程を含むものである。
（Ａ）第１面および第２面を有し、第１面に固体撮像素子が設けられた半導体基板と、第３面および第４面を有するＢステージの接着シートとを、第２面と第３面とを接触させて配置する工程
（Ｂ）加熱および凸金型を用いた加圧により接着シートの第４面に湾曲部を形成する工程
（Ｃ）半導体基板および接着シートをパッケージに収容し、第４面の湾曲部とパッケージの底部との間に空洞を形成する工程
（Ｄ）空洞の内外に圧力差を設けることにより、半導体基板および接着シートを変形させて空洞を除去し、半導体基板の第１面に湾曲部を形成する工程
（Ｅ）加熱により接着シートを架橋させて樹脂層を形成する工程

本開示に係る第２の固体撮像装置の製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｄ）の工程を含むものである。
（Ａ）第１面および第２面を有し、第１面に固体撮像素子が設けられ、第２面に湾曲部が設けられた半導体基板を用意し、半導体基板の第２面と、第３面および第４面を有するＢステージの接着シートとを、第２面と第３面とを接触させて配置することにより、接着シートの第４面に湾曲部を形成する工程
（Ｂ）半導体基板および接着シートをパッケージに収容し、第４面の湾曲部とパッケージの底部との間に空洞を形成する工程
（Ｃ）空洞の内外に圧力差を設けることにより、半導体基板および接着シートを変形させて空洞を除去し、半導体基板の第１面に湾曲部を形成する工程
（Ｄ）加熱により接着シートを架橋させて樹脂層を形成する工程

本開示に係る第３の固体撮像装置の製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の工程を含むものである。
（Ａ）第１面および第２面を有し、第１面に固体撮像素子が設けられた半導体基板を用意し、半導体基板の第２面に、ナノインプリントにより、第３面および第５面を有し、第３面で半導体基板の第２面に接し、第５面に湾曲部を有する第１樹脂層を形成する工程
（Ｂ）第１樹脂層の第５面に、第６面および第４面を有するＢステージ状の接着シートを、第５面と第６面とを接触させて配置し、接着シートの第４面に湾曲部を形成する工程
（Ｃ）半導体基板および接着シートをパッケージに収容し、第４面の湾曲部とパッケージの底部との間に空洞を形成する工程
（Ｄ）空洞の内外に圧力差を設けることにより、半導体基板および接着シートを変形させて空洞を除去し、半導体基板の第１面に湾曲部を形成する工程
（Ｅ）加熱により接着シートを架橋させて第２樹脂層を形成し、第１樹脂層および第２樹脂層の積層構造をもつ樹脂層を形成する工程

本開示の固体撮像装置、または本開示の電子機器によれば、半導体基板とパッケージとの間に樹脂層を設け、樹脂層の第３面を半導体基板の第２面に接触させ、第４面をパッケージの底部に接触させるようにしたので、像面湾曲収差を高い精度で補正することが可能となる。

本開示の第１の固体撮像装置の製造方法によれば、凸金型を用いて接着シートの第４面に湾曲部を形成したのち、半導体基板および接着シートをパッケージに収容し、第４面の湾曲部とパッケージの底部との間に空洞を形成する。この空洞の内外に圧力差を設けることにより、半導体基板および接着シートを変形させて空洞を除去し、半導体基板の第１面に湾曲部を形成する。よって、上記本開示の固体撮像装置を容易に製造することが可能となる。

本開示の第２の固体撮像装置の製造方法によれば、半導体基板の第２面にエッチングにより湾曲部を形成しておき、その第２面に接着シートを配置することにより、接着シートの第４面に湾曲部を形成する。そののち、半導体基板および接着シートをパッケージに収容し、第４面の湾曲部とパッケージの底部との間に空洞を形成する。この空洞の内外に圧力差を設けることにより、半導体基板および接着シートを変形させて空洞を除去し、半導体基板の第１面に湾曲部を形成する。よって、上記本開示の固体撮像装置を容易に製造することが可能となる。

本開示の第３の固体撮像装置の製造方法によれば、半導体基板の第２面に、ナノインプリントにより、第５面に湾曲部を有する第１樹脂層を形成したのち、第１樹脂層の第５面に接着シートを配置することにより、接着シートの第４面に湾曲部を形成する。そののち、半導体基板および接着シートをパッケージに収容し、第４面の湾曲部とパッケージの底部との間に空洞を形成する。この空洞の内外に圧力差を設けることにより、半導体基板および接着シートを変形させて空洞を除去し、半導体基板の第１面に湾曲部を形成する。よって、上記本開示の固体撮像装置を容易に製造することが可能となる。

なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。

本開示の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の構成を表す断面図である。 図１に示した固体撮像装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図２に続く工程を表す断面図である。 図３に続く工程を表す断面図である。 図４に続く工程を表す断面図である。 図５に続く工程を表す断面図である。 図６に続く工程を表す断面図である。 本開示の第２の実施の形態に係る固体撮像装置の構成を表す断面図である。 図８に示した固体撮像装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図９に続く工程を表す断面図である。 図１０に続く工程を表す断面図である。 本開示の第３の実施の形態に係る固体撮像装置の構成を表す断面図である。 図１２に示した固体撮像装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図１３に続く工程を表す断面図である。 図１４に続く工程を表す断面図である。 図１５に続く工程を表す断面図である。 変形例１に係る固体撮像装置の構成を表す断面図である。 本開示の第４の実施の形態に係る固体撮像装置の構成を表す断面図である。 図１８に示した固体撮像装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図１９に続く工程を表す断面図である。 図２０に続く工程を表す断面図である。 図２１に続く工程を表す断面図である。 変形例２に係る固体撮像装置の構成を表す断面図である。 本開示の第５の実施の形態に係る固体撮像装置の構成を表す断面図である。 図２４に示した固体撮像装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図２５に続く工程を表す断面図である。 図２６に続く工程を表す断面図である。 図２７に続く工程を表す断面図である。 図２８に続く工程を表す断面図である。 図２４に示した固体撮像装置の作用を説明するための図である。 図２４に示した固体撮像装置の作用を説明するための図である。 図２４に示した保持部材の変形例を表す断面図である。 図２４に示した保持部材の他の変形例を表す断面図である。 図２４に示した保持部材の更に他の変形例を表す断面図である。 図２４に示した固体撮像装置の変形例を表す断面図である。 本開示の第６の実施の形態に係る固体撮像装置の構成を表す断面図である。 図３６に示した固体撮像装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図３７に続く工程を表す断面図である。 図３８に続く工程を表す断面図である。 図３９に続く工程を表す断面図である。 図４０に続く工程を表す断面図である。 図４１に続く工程を表す断面図である。 固体撮像装置の機能ブロック図である。 適用例に係る電子機器の機能ブロック図である。

以下、本開示における実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、説明する順序は、下記の通りである。
１．第１の実施の形態（固体撮像装置；半導体基板および接着シートを、底部に貫通孔を有するパッケージに収容し、貫通孔を用いた真空吸着により半導体基板および接着シートを変形させて、半導体基板の第１面に湾曲部を形成する例）
２．第２の実施の形態（固体撮像装置；半導体基板および接着シートを、真空中で、底部に貫通孔のないパッケージに収容し、大気解放により半導体基板および接着シートを変形させて、半導体基板の第１面に湾曲部を形成する例）
３．第３の実施の形態（固体撮像装置；エッチングにより半導体基板の第２面に湾曲部を形成する例）
４．変形例１（固体撮像装置；第３の実施の形態および第２の実施の形態の組合せ）
５．第４の実施の形態（固体撮像装置；半導体基板の第２面に第１樹脂層を形成し、ナノインプリントにより第１樹脂層の第５面に湾曲部を形成する例）
６．変形例２（固体撮像装置；第４の実施の形態および第２の実施の形態の組合せ）
７．第５の実施の形態（固体撮像装置；半導体基板を樹脂層により保持部材に保持させてパッケージに収容し、保持部材の貫通孔を保持部材と同じ反射率の埋込み層で埋める例）
８．第６の実施の形態（固体撮像装置；半導体基板と保持部材とを、樹脂層を用いずに直接接合する例）
９．固体撮像装置の全体構成例
１０．適用例（電子機器の例）

（第１の実施の形態）
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る固体撮像装置１の断面構成を表したものである。この固体撮像装置１は、例えばデジタルスチルカメラ，ビデオカメラ等の電子機器に用いられるものであり、固体撮像素子（センサ）１１を有する半導体基板１０を、パッケージ２０に収容した構成を有している。

半導体基板１０は、例えばシリコン（Ｓｉ）ウェーハ（図示せず）から個片化された固体撮像素子１１のチップである。半導体基板１０は、第１面Ｐ１および第２面Ｐ２を有し、第１面Ｐ１には固体撮像素子１１が設けられ、第２面Ｐ２は樹脂層３０によりパッケージ２１の底部２１に固着されている。

固体撮像素子１１は、第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１に設けられている。湾曲部Ｒ１は、固体撮像素子１１の撮像面１１Ａを湾曲させることにより、レンズ（図示せず）の結像する像面の像面湾曲収差を低減し、良好な画像の撮像を可能とするものである。湾曲部Ｒ１は、例えば、半導体基板１０の厚み方向の断面では弧状をなし、三次元的には椀状の曲面をなす凹部である。

固体撮像素子１１は、例えばＣＭＯＳイメージセンサである。固体撮像素子１１の構成は特に限定されず、例えば、半導体基板１０の第１面Ｐ１にフォトダイオードおよびカラーフィルタよりなる画素を２次元配置したものでもよい。また、固体撮像素子１１は、例えば、一画素内に光電変換素子とフォトダイオードとが半導体基板１０の厚み方向に積層され、互いに異なる波長域の光を選択的に検出して光電変換を行う、いわゆる縦方向分光型のものでもよい。いずれの場合も、固体撮像素子１１は、裏面照射型でもよいし、また表面照射型でもよい。

半導体基板１０の厚みＤは、例えば５０μｍ以下であることが好ましい。半導体基板１０の厚みを５０μｍ以下と薄くするほうが、半導体基板１０の応力を小さくすることが可能となり、後述する製造工程において半導体基板１０を変形させやすくすることが可能となる。また、半導体基板１０の厚みは、３０μｍ以下であればより好ましく、２５μｍ以下であれば更に好ましい。なお、半導体基板１０の厚みは、少なくとも固体撮像素子１１を形成可能程度でゲッタリング効果を失わないように、例えば１０μｍ以上であることが好ましい。

パッケージ２０は、半導体基板１１を収容するものであり、セラミック、プラスチックなどにより構成されている。パッケージ２０は、底部２１に対向して開口２２を有し、この開口２２は封止ガラス４０により封止されている。半導体基板１０とパッケージ２０との間には、例えば金線などのワイヤーボンドにより、ワイヤＷが接続されている。

パッケージ２０の底部２１には、貫通孔２３が設けられている。貫通孔２３は、後述する製造方法において真空吸着の吸引孔として用いられるものである。貫通孔２３は、例えば、底部２１の中央に設けられていることが好ましい。

樹脂層３０は、半導体基板１０をパッケージ２０の底部２１に固着させる接着層としての機能を有するものである。また、樹脂層３０は、その形状を制御することにより、半導体基板１０の第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１の湾曲形状を制御し、像面湾曲収差の高精度な補正を可能とするものである。

すなわち、樹脂層３０は、第３面Ｐ３および第４面Ｐ４を有し、第３面Ｐ３は半導体基板１０の第２面Ｐ２に接し、第４面Ｐ４はパッケージ２０の底部２１に接している。これにより、この固体撮像装置１では、湾曲部をもつ台座基板のような高コストな部品を設けることなく、像面湾曲収差を高い精度で補正することが可能となっている。

樹脂層３０は、Ｂステージ状の接着シート、例えばＤＡＦ（ダイアタッチメントフィルム）材を架橋させることにより形成されたものである。Ｂステージ状の接着シートは、半導体デバイスを薄くしたものを保持しつつ接着可能な、熱硬化性樹脂の反応の中間的な段階のものであって、熱によって軟化し（変形可能となり）、ある温度以上から架橋が開始される。このようなＢステージ状の接着シートすなわち樹脂層３０の材料としては、例えば、エポキシ系の樹脂が好ましい。また、エポキシ系のほか、アクリル系、シアン系の樹脂でもよい。

半導体基板１０の第２面Ｐ２および樹脂層３０の第３面Ｐ３は、それぞれ、第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１に倣う形状の湾曲部Ｒ２，Ｒ３を有している。樹脂層３０の第４面Ｐ４は、パッケージ２０の底部２１の形状に倣う形状を有する。すなわち、第４面Ｐ４は平坦面である。

固体撮像素子１１の像面湾曲収差の補正量Ａは、例えば５０μｍ以下であることが好ましい。ここに補正量Ａとは、樹脂層３０の第３面Ｐ３の湾曲の度合い、つまりパッケージ２０の底部２１からの樹脂層３０の厚みの最大値と最小値との差をいう。補正量Ａが５０μｍよりも大きい場合には、半導体基板１０を構成するシリコン（Ｓｉ）と、樹脂層３０を構成するＤＡＦ材とのＣＴＥ（線膨張係数）の差に起因して、温度が変わると応力が発生し、湾曲部Ｒ３が変形するおそれがある。

像面湾曲収差の補正量Ａの精度は、レンズ（図示せず）の焦点深度内にあることが望ましい。補正量Ａの精度がレンズの焦点深度内にない場合には、ずれている部分は画像の中でぼけてしまうからである。望ましい精度は、Ｆｎｏ×ｄ×２（ＦｎｏはレンズのＦ値、ｄは固体撮像素子１１の画素サイズをそれぞれ表す。）の式により与えられる。例えばレンズのＦ値Ｆｎｏが２．０であり、画素サイズｄが２μｍである場合、２×２×２＝８μｍで、補正量Ａはプラスマイナス８μｍの精度を有することが望ましい。実際には、像面収差の補正を目的としているので、補正量Ａは、その４分の１程度、つまりプラスマイナス２μｍの精度を有していれば、より望ましい。

この固体撮像装置１は、例えば、次のようにして製造することができる。

図２ないし図７は、この固体撮像装置１の製造方法を工程順に表したものである。まず、シリコンウェーハ（図示せず）の状態の半導体基板１０を用意し、この半導体基板１０の第１面Ｐ１に固体撮像素子１１を形成し、第２面Ｐ２を研磨して半導体基板１０を薄膜化する。次いで、半導体基板１０をＤＡＦ材よりなるＢステージの接着シート３０Ａに載せた状態で、固体撮像素子１１を個片化する。これにより、図２に示したように、半導体基板１０、すなわち個片化された固体撮像素子１１のチップが形成される。

図２に示したように、半導体基板１０は、第１面Ｐ１および第２面Ｐ２を有し、第１面Ｐ１に固体撮像素子１１が設けられている。接着シート３０Ａは、第３面Ｐ３および第４面Ｐ４を有している。半導体基板１０と接着シート３０Ａとは、第２面Ｐ２と第３面Ｐ３とを接触させて配置されている。

次いで、図３に示したように、接着シート３０Ａが架橋しないで変形可能な温度の熱Ｈ１をかけながら、接着シート３０Ａの第４面Ｐ４に凸金型５０を接触させて圧力Ｐをかけて、接着シート３０Ａの変形を行い、冷却する。これにより、図４に示したように、接着シート３０Ａの第４面Ｐ４に湾曲部Ｒ４を形成する。

そののち、図５に示したように、底部２１に貫通孔２３を有するパッケージ２０を用意し、このパッケージ２０に、半導体基板１０および接着シート３０Ａを表裏反転させて収容する。これにより、第４面Ｐ４の湾曲部Ｒ４とパッケージ２０の底部２１との間に空洞Ｇが形成される。空洞Ｇは、貫通孔２３を介して外部の大気と連通されている。

続いて、図６に示したように、空洞Ｇの内外に圧力差を設けることにより、半導体基板１０および接着シート３０Ａを変形させて空洞Ｇを除去し、半導体基板１０の第１面Ｐ１に湾曲部Ｒ１を形成する。接着シート３０Ａの第４面Ｐ４は、パッケージ２０の底部２１に接触する。

具体的には、図５に示したように、熱Ｈ２をかけながら貫通孔２３を用いて真空吸着ＶＡを行うことで、空洞Ｇを真空にすると共に半導体基板１０および接着シート３０Ａに大気圧ＡＰをかけて、半導体基板１０および接着シート３０Ａを変形させて空洞Ｇを除去する。なお、熱Ｈ２は比較的低温とし、接着シート３０Ａを過度に変形させないようにすることが好ましい。このようにすることにより、図６に示したように、半導体基板の第１面Ｐ１に、元の湾曲部Ｒ４の形状を高精度に反映した湾曲部Ｒ１を形成することが可能となる。

そののち、接着シート３０Ａを架橋温度以上に加熱することにより、接着シート３０Ａを架橋させて樹脂層３０を形成する。これにより、半導体基板１０が樹脂層３０によりパッケージ２０の底部２１に固着される。

最後に、図７に示したように、半導体基板１０とパッケージ２０との間に、ワイヤボンディングによりワイヤＷを接続し、パッケージ２０の開口２２を封止ガラス４０で封止する。以上により、図１に示した固体撮像装置１が完成する。

この固体撮像装置１では、半導体基板１０の第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１に固体撮像素子１１が設けられているので、固体撮像素子１１の撮像面１１Ａは湾曲している。よって、レンズ（図示せず）の結像する像面の像面湾曲収差が解消され、良好な画像の撮像が可能となる。

ここでは、半導体基板１０とパッケージ２０との間に樹脂層３０が設けられ、樹脂層３０の第３面Ｐ３は半導体基板１０の第２面Ｐ２に接し、第４面Ｐ４はパッケージ２０の底部２１に接している。よって、樹脂層３０の湾曲形状を制御することにより、像面湾曲収差が高い精度で補正される。

このように本実施の形態では、半導体基板１０とパッケージ２０との間に樹脂層３０を設け、樹脂層３０の第３面Ｐ３を半導体基板１０の第２面Ｐ２に接触させ、第４面Ｐ４をパッケージ２０の底部２１に接触させるようにしたので、像面湾曲収差を高い精度で補正することが可能となる。

（第２の実施の形態）
図８は、本開示の第２の実施の形態に係る固体撮像装置１Ａの断面構成を表したものである。この固体撮像装置１Ａは、パッケージ２０の底部２１に貫通孔２３が設けられておらず、底部２１が空間的に連続した部材により構成されていることを除いては、上記第１の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。

本実施の形態では、上述したように、パッケージ２０の底部２１に貫通孔２３がなく、空間的に連続した部材により構成されている。従って、貫通孔２３からの水分の浸入に起因する剥がれなどが抑えられ、固体撮像素子１１の信頼性が向上する。また、撮像したときに、光の状態により、固体撮像素子１１の撮像面１１Ａに貫通孔２３が映り込んでしまうおそれを小さくすることが可能となる。なお、貫通孔２３からの水分の浸入は、製造工程の最終段階で貫通孔２３を塞いでおくことにより回避することも可能である。

この固体撮像装置１Ａは、例えば、次のようにして製造することができる。

図９ないし図１１は、この固体撮像素子１０Ａの製造方法を工程順に表したものである。なお、第１の実施の形態と重複する工程については、図２ないし図４、および図７を参照して説明する。

まず、第１の実施の形態と同様にして、図２に示した工程により、半導体基板１０と、接着シート３０Ａとを、第２面Ｐ２と第３面Ｐ３とを接触させて配置する。半導体基板１０は、第１面Ｐ１および第２面Ｐ２を有し、第１面Ｐ１に固体撮像素子１１が設けられている。接着シート３０Ａは、第３面Ｐ３および第４面Ｐ４を有している。

次いで、第１の実施の形態と同様にして、図３および図４に示した工程により、加熱Ｈ１および凸金型５０を用いた加圧Ｐにより、接着シート３０Ａの第４面Ｐ４に湾曲部Ｒ４を形成する。

続いて、図９に示したように、チャンバー構造を持つ実装装置を用い、チャンバー６０内に、底部２１が空間的に連続した部材よりなるパッケージ２０を設置し、パッケージ２０の上方に、半導体基板１０および接着シート３０Ａを表裏反転させて保持し、チャンバー６０内の真空排気Ｅを行う。

そののち、図１０に示したように、半導体基板１０および接着シート３０Ａを、真空Ｖ中で、パッケージ２０に収容する。これにより、第４面Ｐ４の湾曲部Ｒ４とパッケージ２０の底部２１との間に、真空Ｖの空洞Ｇが形成される。

続いて、図１１に示したように、大気解放ＡＲにより半導体基板１０および接着シート３０Ａに大気圧ＡＰをかけて、半導体基板１０および接着シート３０Ａを変形させて空洞Ｇを除去し、半導体基板１０の第１面Ｐ１に湾曲部Ｒ１を形成する。接着シート３０Ａの第４面Ｐ４は、パッケージ２０の底部２１に接触する。

具体的には、図１０に示したように、熱Ｈ２をかけながらチャンバー６０を大気解放し、空洞Ｇの内部の負圧を利用して半導体基板１０および接着シート３０Ａに大気圧ＡＰをかける。その際の大気圧ＡＰのかけ方を適切に制御することにより、半導体基板１０および接着シート３０Ａを変形させて空洞Ｇを除去する。なお、熱Ｈ２は比較的低温とし、接着シート３０Ａを過度に変形させないようにすることが好ましい。このようにすることにより、図１１に示したように、半導体基板の第１面Ｐ１に、元の湾曲部Ｒ４の形状を高精度に反映した湾曲部Ｒ１を形成することが可能となる。

そののち、接着シート３０Ａを架橋温度以上に加熱することにより、接着シート３０Ａを架橋させて樹脂層３０を形成する。これにより、半導体基板１０が樹脂層３０によりパッケージ２０の底部２１に固着される。

最後に、第１の実施の形態と同様にして、図７に示した工程により、半導体基板１０とパッケージ２０との間に、ワイヤボンディングによりワイヤＷを接続し、パッケージ２０の開口２２を封止ガラス４０で封止する。以上により、図８に示した固体撮像装置１Ａが完成する。

この固体撮像装置１Ａでは、第１の実施の形態と同様に、半導体基板１０の第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１に固体撮像素子１１が設けられているので、固体撮像素子１１の撮像面１１Ａは湾曲している。よって、レンズ（図示せず）の結像する像面の像面湾曲収差が解消され、良好な画像の撮像が可能となる。

また、半導体基板１０とパッケージ２０との間に樹脂層３０が設けられ、樹脂層３０の第３面Ｐ３は半導体基板１０の第２面Ｐ２に接し、第４面Ｐ４はパッケージ２０の底部２１に接している。よって、樹脂層３０の湾曲形状を制御することにより、像面湾曲収差が高い精度で補正される。

更に、パッケージ２０の底部２１が、空間的に連続した部材により構成されている、つまり底部２１に貫通孔２３が設けられていない。従って、貫通孔２３からの水分の浸入に起因する剥がれなどが抑えられ、固体撮像素子１１の信頼性が向上する。また、撮像したときに、光の状態により、固体撮像素子１１の撮像面１１Ａに貫通孔２３が映り込んでしまうおそれが小さくなる。

このように本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、半導体基板１０とパッケージ２０との間に樹脂層３０を設け、樹脂層３０の第３面Ｐ３を半導体基板１０の第２面Ｐ２に接触させ、第４面Ｐ４をパッケージ２０の底部２１に接触させるようにしたので、像面湾曲収差を高い精度で補正することが可能となる。

また、パッケージ２０の底部２１に貫通孔２３を設けず、空間的に連続した部材により構成するようにしたので、貫通孔２３からの水分の浸入に起因する剥がれなどを抑え、固体撮像素子１１の信頼性を高めることが可能となる。また、撮像したときに、光の状態により、固体撮像素子１１の撮像面１１Ａに貫通孔２３が映り込んでしまうおそれを小さくし、撮像品質の向上が可能となる。

（第３の実施の形態）
図１２は、本開示の第３の実施の形態に係る固体撮像装置１Ｂの断面構成を表したものである。上記第１の実施の形態では、樹脂層３０の形状を制御することにより、半導体基板１０の第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１の湾曲形状を制御するのに対して、本実施の形態は、半導体基板１０自体の形状を制御することにより、半導体基板１０の第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１の湾曲形状を制御し、像面湾曲収差の高精度な補正を可能とするようにしたものである。このことを除いては、この固体撮像装置１Ｂは、上記第１の実施の形態と同様の構成を有している。

この固体撮像装置１Ｂでは、半導体基板１０の第１面Ｐ１は湾曲部Ｒ１を有し、半導体基板１０の第２面Ｐ２と樹脂層３０の第３面Ｐ３および第４面Ｐ４は、パッケージ２０の底部２１に倣う形状を有する、つまり平坦面となっている。

固体撮像素子１１の像面湾曲収差の補正量Ａは、第１の実施の形態と同様に、例えば５０μｍ以下であることが好ましい。本実施の形態において、補正量Ａは、半導体基板１０の第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１の湾曲の度合い、つまり半導体基板１０の厚みの最大値と最小値との差をいう。補正量Ａが５０μｍよりも大きい場合には、半導体基板１０を構成するシリコン（Ｓｉ）と、樹脂層３０を構成するＤＡＦ材とのＣＴＥ（線膨張係数）の差に起因して、温度が変わると応力が発生し、湾曲部Ｒ３が変形するおそれがある。

この固体撮像装置１Ｂは、例えば次のようにして製造することができる。

図１３ないし図１６は、この固体撮像装置１Ｂの製造方法を工程順に表したものである。本実施の形態の製造方法は、接着シート３０Ａの第４面Ｐ４に湾曲部Ｒ４を形成する方法において上記第１の実施の形態の製造方法とは異なるものである。すなわち、上記第１の実施の形態では、凸金型５０を用いて接着シート３０Ａの第４面Ｐ４に湾曲部Ｒ４を形成するようにしている。一方、本実施の形態では、半導体基板１０の第２面Ｐ２にエッチングにより湾曲部Ｒ２を形成しておき、この湾曲部Ｒ２に沿わせて接着シート３０Ａを貼り合わせることにより、接着シート３０Ａの第４面Ｐ４に、湾曲部Ｒ２の形状を反映した湾曲部Ｒ４を形成するようにしている。

まず、シリコンウェーハ（図示せず）の状態の半導体基板１０を用意し、この半導体基板１０の第１面Ｐ１に固体撮像素子１１を形成し、第２面Ｐ２を研磨して半導体基板１０を薄膜化する。次いで、図１３に示したように、グラデーションマスクを用いた三次元エッチングにより第２面Ｐ２に湾曲部Ｒ２を形成する。

続いて、半導体基板１０をＤＡＦ材よりなるＢステージの接着シート３０Ａに載せた状態で、固体撮像素子１１を個片化する。これにより、図１４に示したように、半導体基板１０、すなわち個片化された固体撮像素子１１のチップが形成される。

図１４に示したように、半導体基板１０は、第１面Ｐ１および第２面Ｐ２を有し、第１面Ｐ１に固体撮像素子１１が設けられ、第２面Ｐ２に湾曲部Ｒ２が設けられている。接着シート３０Ａは、第３面Ｐ３および第４面Ｐ４を有している。半導体基板１０と接着シート３０Ａとは、第２面Ｐ２と第３面Ｐ３とを接触させて配置されている。接着シート３０Ａの第３面Ｐ３および第４面Ｐ４には、湾曲部Ｒ２の形状に倣って、湾曲部Ｒ３，Ｒ４が形成されている。

そののち、図１５に示したように、底部２１に貫通孔２３を有するパッケージ２０を用意し、このパッケージ２０に、半導体基板１０および接着シート３０Ａを表裏反転させて収容する。このとき、第４面Ｐ４の湾曲部Ｒ４とパッケージ２０の底部２１との間に空洞Ｇが形成される。空洞Ｇは、貫通孔２３を介して外部の大気と連通されている。

続いて、図１６に示したように、空洞Ｇの内外に圧力差を設けることにより、半導体基板１０および接着シート３０Ａを変形させて空洞Ｇを除去し、半導体基板１０の第１面Ｐ１に湾曲部Ｒ１を形成する。接着シート３０Ａの第４面Ｐ４は、パッケージ２０の底部２１に接触する。

具体的には、図１５に示したように、熱Ｈ２をかけながら貫通孔２３を用いて真空吸着ＶＡを行うことで、空洞Ｇを真空にすると共に半導体基板１０および接着シート３０Ａに大気圧ＡＰをかけて、半導体基板１０および接着シート３０Ａを変形させて空洞Ｇを除去する。なお、熱Ｈ２は比較的低温とし、接着シート３０Ａを過度に変形させないようにすることが好ましい。このようにすることにより、図１６に示したように、半導体基板の第１面Ｐ１に、元の湾曲部Ｒ４の形状を高精度に反映した湾曲部Ｒ１を形成することが可能となる。

そののち、接着シート３０Ａを架橋温度以上に加熱することにより、接着シート３０Ａを架橋させて樹脂層３０を形成する。これにより、半導体基板１０が樹脂層３０によりパッケージ２０の底部２１に固着される。

最後に、図１２に示したように、半導体基板１０とパッケージ２０との間に、ワイヤボンディングによりワイヤＷを接続し、パッケージ２０の開口２２を封止ガラス４０で封止する。以上により、図１２に示した固体撮像装置１Ｂが完成する。

この固体撮像装置１Ｂの作用および効果は第１の実施の形態と同様である。

（変形例１）
なお、この固体撮像装置１Ｂでは、図１７に示したように、第２の実施の形態と同様に、パッケージ２０の底部２１に貫通孔２３を設けず、空間的に連続した部材により構成することも可能である。その場合の製造方法は、第２の実施の形態と同様である。これにより第１の実施の形態の効果に加えて第２の実施の形態と同様の作用・効果を得ることも可能である。

（第４の実施の形態）
図１８は、本開示の第４の実施の形態に係る固体撮像装置１Ｃの断面構成を表したものである。この固体撮像装置１Ｃは、樹脂層３０を、第１樹脂層３１および第２樹脂層３２の２層構造とし、第１樹脂層３１の形状を制御することにより、半導体基板１０の第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１の湾曲形状を制御し、像面湾曲収差の高精度な補正を可能とするようにしたものである。このことを除いては、この固体撮像装置１Ｃは、上記第１の実施の形態と同様の構成を有している。

本実施の形態では、上述したように、樹脂層３０は、第１樹脂層３１および第２樹脂層３２の２層構造を有している。第１樹脂層３１は、樹脂層３０において半導体基板１０側に設けられ、第３面Ｐ３および第５面Ｐ５を有している。第２樹脂層３２は、樹脂層３０においてパッケージ２０側に設けられ、第６面Ｐ６および第４面Ｐ４を有している。第２樹脂層３２は、Ｂステージ状の接着シート３０Ａ、例えばＤＡＦ材を架橋させることにより形成されたものである。

半導体基板１０の第２面Ｐ２と第１樹脂層３１の第３面Ｐ３とは、それぞれ湾曲部Ｒ２，Ｒ３を有している。第１樹脂層３１の第５面Ｐ５と第２樹脂層３２の第６面Ｐ６および第４面Ｐ４は、パッケージ２０の底部２１に倣う形状を有する、すなわち平坦面となっている。

固体撮像素子１１の像面湾曲収差の補正量Ａは、第１の実施の形態と同様に、例えば５０μｍ以下であることが好ましい。本実施の形態において、補正量Ａは、第１樹脂層３１の第３面Ｐ３の湾曲部Ｒ３の湾曲の度合い、つまり第１樹脂層３１の厚みの最大値と最小値との差をいう。補正量Ａが５０μｍよりも大きい場合には、半導体基板１０を構成するシリコン（Ｓｉ）と、第１樹脂層３１または第２樹脂層３２の材料とのＣＴＥ（線膨張係数）の差に起因して、温度が変わると応力が発生し、湾曲部Ｒ３が変形するおそれがある。

この固体撮像装置１Ｃは、例えば次のようにして製造することができる。

図１９ないし図２２は、この固体撮像装置１Ｃの製造方法を工程順に表したものである。本実施の形態の製造方法は、接着シート３０Ａの第４面Ｐ４に湾曲部Ｒ４を形成する方法において上記第１の実施の形態の製造方法とは異なるものである。すなわち、上記第１の実施の形態では、凸金型５０を用いて接着シート３０Ａの第４面Ｐ４に湾曲部Ｒ４を形成するようにしている。一方、本実施の形態では、第１樹脂層３１の第５面Ｐ５にナノインプリントにより湾曲部Ｒ５を形成しておき、この湾曲部Ｒ５に沿わせて接着シート３０Ａを貼り合わせることにより、接着シート３０Ａの第４面Ｐ４に、湾曲部Ｒ５の形状を反映した湾曲部Ｒ４を形成するようにしている。

まず、シリコンウェーハ（図示せず）の状態の半導体基板１０を用意し、この半導体基板１０の第１面Ｐ１に固体撮像素子１１を形成し、第２面Ｐ２を研磨して半導体基板１０を薄膜化する。次いで、図１９に示したように、この半導体基板１０の第２面Ｐ２に、ナノインプリント法により、第１樹脂層３１を形成する。第１樹脂層３１は、第３面Ｐ３および第５面Ｐ５を有し、第３面は半導体基板１０の第２面Ｐ２に接し、第５面Ｐ５には湾曲部Ｒ５が設けられている。

具体的には、半導体基板１０の第２面Ｐ２に、紫外線硬化型樹脂よりなる樹脂層（図示せず）を形成し、この樹脂層を金型（図示せず）に接触させて紫外光を照射したのち、金型から離型する。これにより、第５面Ｐ５に湾曲部Ｒ５を有する第１樹脂層３１が形成される。

続いて、半導体基板１０をＤＡＦ材よりなるＢステージの接着シート３０Ａに載せた状態で、固体撮像素子１１を個片化する。これにより、図２０に示したように、半導体基板１０、すなわち個片化された固体撮像素子１１のチップが形成される。

図２０に示したように、接着シート３０Ａは、第６面Ｐ６および第４面Ｐ４を有している。第１樹脂層３１と、接着シート３０Ａとは、第５面Ｐ５と第６面Ｐ６とを接触させて配置されている。これにより、接着シート３０Ａの第４面Ｐ４には、湾曲部Ｒ５の形状に倣って、湾曲部Ｒ４が形成されている。

そののち、図２１に示したように、底部２１に貫通孔２３を有するパッケージ２０を用意し、このパッケージ２０に、半導体基板１０および接着シート３０Ａを表裏反転させて収容する。このとき、第４面Ｐ４の湾曲部Ｒ４とパッケージ２０の底部２１との間に空洞Ｇが形成される。空洞Ｇは、貫通孔２３を介して外部の大気と連通されている。

続いて、図２２に示したように、空洞Ｇの内外に圧力差を設けることにより、半導体基板１０および接着シート３０Ａを変形させて空洞Ｇを除去し、半導体基板１０の第１面Ｐ１に湾曲部Ｒ１を形成する。接着シート３０Ａの第４面Ｐ４は、パッケージ２０の底部２１に接触する。

具体的には、図２１に示したように、熱Ｈ２をかけながら貫通孔２３を用いて真空吸着ＶＡを行うことで、空洞Ｇを真空にすると共に半導体基板１０および接着シート３０Ａに大気圧ＡＰをかけて、半導体基板１０および接着シート３０Ａを変形させて空洞Ｇを除去する。なお、熱Ｈ２は比較的低温とし、接着シート３０Ａを過度に変形させないようにすることが好ましい。このようにすることにより、図２２に示したように、半導体基板の第１面Ｐ１に、元の湾曲部Ｒ４の形状を高精度に反映した湾曲部Ｒ１を形成することが可能となる。

そののち、接着シート３０Ａを架橋温度以上に加熱することにより、接着シート３０Ａを架橋させて樹脂層３０を形成する。これにより、半導体基板１０が樹脂層３０によりパッケージ２０の底部２１に固着される。

最後に、図１８に示したように、半導体基板１０とパッケージ２０との間に、ワイヤボンディングによりワイヤＷを接続し、パッケージ２０の開口２２を封止ガラス４０で封止する。以上により、図１８に示した固体撮像装置１Ｃが完成する。

この固体撮像装置１Ｃの作用および効果は第１の実施の形態と同様である。

（変形例２）
なお、この固体撮像装置１Ｃでは、図２３に示したように、第２の実施の形態と同様に、パッケージ２０の底部２１に貫通孔２３を設けず、空間的に連続した部材により構成することも可能である。その場合の製造方法は、第２の実施の形態と同様である。これにより第１の実施の形態の効果に加えて第２の実施の形態と同様の作用・効果を得ることも可能である。

（第５の実施の形態）
図２４は、本開示の第５の実施の形態に係る固体撮像装置１Ｄの断面構成を表したものである。この固体撮像装置１Ｄは、例えば、固体撮像素子１１を有する半導体基板１０を樹脂層３０により保持部材（台座）７０に保持させて、パッケージ２０に収容した構成を有している。以下、第１の実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。

半導体基板１０は、第１の実施の形態と同様に、例えばシリコン（Ｓｉ）ウェーハ（図示せず）から個片化された固体撮像素子１１のチップである。半導体基板１０は、第１面Ｐ１および第２面Ｐ２を有し、第１面Ｐ１には固体撮像素子１１が設けられ、第２面Ｐ２は樹脂層３０に接合されている。

固体撮像素子１１は、第１の実施の形態と同様に、第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１に設けられたＣＭＯＳイメージセンサである。湾曲部Ｒ１は、第１の実施の形態と同様に、半導体基板１０の厚み方向の断面では弧状をなし、三次元的には椀状の曲面をなしている。固体撮像素子１１の構成については、第１の実施の形態と同様である。

パッケージ２０は、底部２１の貫通孔２３を有しないことを除いては、第１の実施の形態と同様に構成されている。封止ガラス４０およびワイヤＷは、第１の実施の形態と同様に構成されている。

樹脂層３０は、半導体基板１０を保持部材７０に固着させる接着層としての機能を有するものである。樹脂層３０の第３面Ｐ３は、半導体基板１０の第２面Ｐ２に接合されている。樹脂層３０の第４面Ｐ４は、保持部材７０の上面Ｐ７に接合されている。樹脂層３０は、第１の実施の形態と同様に、Ｂステージ状の接着シート、例えばＤＡＦ材を架橋させることにより形成されたものである。樹脂層３０の材料は、第１の実施の形態と同様である。

保持部材７０は、半導体基板１０を保持すると共に、半導体基板１０の第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１の湾曲形状を制御し、像面湾曲収差を補正するものであり、例えばシリコン（Ｓｉ）、樹脂、金属、セラミックにより構成されている。保持部材７０は、上面Ｐ７に湾曲部Ｒ７を有している。この湾曲部Ｒ７は、保持部材７０の厚み方向の断面では弧状をなし、三次元的には椀状の曲面をなしている。これにより、半導体基板１０の第１面Ｐ１および第２面Ｐ２と、樹脂層３０の第３面Ｐ３および第４面Ｐ４とには、保持部材７０の上面Ｐ７の湾曲部Ｒ７に倣う形状の湾曲部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４がそれぞれ形成されている。

また、保持部材７０には、貫通孔７１が設けられている。貫通孔７１は、後述する製造方法において真空吸着の吸引孔として用いられるものである。貫通孔７１は、例えば、保持部材７０の椀状の三次元曲面の中央に設けられていることが好ましい。

貫通孔７１は、保持部材７０と同じ反射率をもつ材料よりなる埋込み層７２で埋め込まれていることが好ましい。これにより、貫通孔７１に起因する固体撮像素子１１の面内出力差を低減し、画像のムラを抑えることが可能となる。

この固体撮像装置１Ｄは、例えば、次のようにして製造することができる。

図２５ないし図２９は、この固体撮像装置１Ｄの製造方法を工程順に表したものである。なお、第１の実施の形態と重複する工程については、図２を参照して説明する。

まず、第１の実施の形態と同様にして、図２に示した工程により、半導体基板１０の第１面Ｐ１に固体撮像素子１１を形成し、第２面Ｐ２を研磨して半導体基板１０を薄膜化する。次いで、同じく図２に示した工程により、半導体基板１０をＤＡＦ材よりなるＢステージの接着シート３０Ａに乗せた状態で、固体撮像素子１１を個片化する。

続いて、図２５に示したように、半導体基板１０および接着シート３０Ａを、保持部材７０の上面Ｐ７に設置する。接着シート３０Ａの第４面Ｐ４は、保持部材７０の上面Ｐ７の周縁部のみに接し、接着シート３０Ａの第４面Ｐ４と保持部材７０の上面Ｐ７の湾曲部Ｒ７との間には、空洞Ｇが生じている。空洞Ｇは、保持部材７０の貫通孔７１を介して外部の大気と連通されている。

そののち、図２６に示したように、半導体基板１０、接着シート３０Ａおよび保持部材７０を図示しないチャンバー内に設置して真空排気Ｅを行う。これにより、空洞Ｇの内外に圧力差が生じ、半導体基板１０および接着シート３０Ａが変形して空洞Ｇが除去される。

このようにして、図２７に示したように、接着シート３０Ａの第４面Ｐ４が保持部材７０の上面Ｐ７に接触する。半導体基板１０の第１面Ｐ１および第２面Ｐ２と、接着シート３０Ａの第３面Ｐ３および第４面Ｐ４とには、保持部材７０の上面Ｐ７の湾曲部Ｒ７の形状に倣う湾曲部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４がそれぞれ形成される。

続いて、接着シート３０Ａを架橋温度以上に加熱することにより、接着シート３０Ａを架橋させて樹脂層３０を形成する。これにより、半導体基板１０が樹脂層３０により保持部材７０の上面Ｐ７に固着される。

続いて、図２８に示したように、保持部材７０の貫通孔７１に、保持部材７０と同じ反射率をもつ材料よりなる埋込み層７２を形成する。そののち、図２９に示したように、研磨などの平坦化を行い、埋込み層７２の貫通孔７１から突出した部分を除去する。

最後に、図２４に示したように、保持部材７０をパッケージ２０に収容し、半導体基板１０とパッケージ２０との間に、ワイヤボンディングによりワイヤＷを接続し、パッケージ２０の開口２２を封止ガラス４０で封止する。以上により、図２４に示した固体撮像装置１Ｄが完成する。

この固体撮像装置１Ｄでは、第１の実施の形態と同様に、半導体基板１０の第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１に固体撮像素子１１が設けられているので、固体撮像素子１１の撮像面１１Ａは湾曲している。よって、レンズ（図示せず）の結像する像面の像面湾曲収差が解消され、良好な画像の撮像が可能となる。

また、このとき、入射光ｈ１は、図３０に示したように、半導体基板１０および樹脂層３０を通過し、保持部材７０の上面Ｐ７で反射されて反射光ｈ２が生じる。また、貫通孔７１には埋込み層７２が設けられているので、入射光ｈ１は、図３１に示したように、半導体基板１０および樹脂層３０を通過し、埋込み層７２で反射されて反射光ｈ３が生じる。埋込み層７２は保持部材７０と同じ反射率をもつ材料よりなるので、反射光ｈ２，ｈ３の光量は同等になる。よって、固体撮像素子１１の貫通孔７１上の部分とそれ以外の部分で出力差がなくなり、画像のムラが解消される。

このように本実施の形態では、半導体基板１０を樹脂層３０により保持部材７０に保持させてパッケージ２０に収容し、保持部材７０の貫通孔７１を保持部材７０と同じ反射率の埋込み層７２で埋めるようにしたので、貫通孔７１に起因する固体撮像素子１１の面内出力差を低減し、画像のムラを抑えることが可能となる。

なお、上記実施の形態では、図２４に示したように、貫通孔７１の径φが貫通孔７１の長手方向で等しい場合について説明した。しかしながら、図３２に示したように、貫通孔７１のパッケージ２０側の開口径φＡが、貫通孔７１の半導体基板１０側の開口径φＢよりも大きいようにすることが好ましい。これにより、貫通孔７１に埋込み層７２を埋め込みやすくすることが可能となる。

また、上記実施の形態では、図２４に示したように、貫通孔７１が固体撮像素子１１の撮像面１１Ａの法線Ｎに平行に、パッケージ２０の底部２１に対して垂直に設けられている場合について説明した。しかしながら、図３３に示したように、貫通孔７１は、固体撮像素子１１の撮像面１１Ａの法線方向Ｎに対して斜めに設けられていてもよい。あるいは、図３４に示したように、貫通孔７１は、半導体基板１０側の開口７１Ｂとパッケージ２０側の開口７１Ａとの間に屈曲部７１Ｃを有していてもよい。このようにすることにより、固体撮像素子１１の面内方向において開口７１Ａ，７１Ｂの位置が異なり、貫通孔７１に起因する固体撮像素子１１の面内出力差を低減し、画像のムラを抑えることが可能となる。

更に、上記実施の形態では、図２４に示したように、貫通孔７１の内部に保持部材７０と同じ反射率をもつ材料よりなる埋込み層７２を埋め込む場合について説明した。しかしながら、パッケージ２０のうち貫通孔７１が位置する領域を、保持部材７０と同じ反射率をもつ材料により構成してもよい。例えば図３５に示したように、パッケージ２０の底部２１の上面に、保持部材７０と同じ反射率をもつ材料よりなる上面層２４を設けるようにしてもよい。これにより貫通孔７１の底部が保持部材７０と同じ反射率をもつ上面層２４で塞がれるので、垂直光成分の反射率が同等になり、貫通孔７１に起因する固体撮像素子１１の面内出力差を低減し、画像のムラを抑えることが可能となる。

加えて、本実施の形態は、第１ないし第４の実施の形態と組み合わせることも可能である。例えば、第１の実施の形態において、パッケージ２０の貫通孔２３に、パッケージ２０と同じ反射率の埋込み層（図示せず）を設けるようにしてもよい。これにより、本実施の形態と同様に、貫通孔２３に起因する固体撮像素子１１の面内出力差を低減し、画像のムラを抑えることが可能となる。

なお、貫通孔７１に埋込み層７２を設けず、貫通孔７１の半導体基板１０側の開口径φＡを固体撮像素子１１の一画素程度のサイズにするようにしてもよい。このようにすれば、出力差を生む範囲が一画素程度となるので、この画素を画像処理部（図示せず）において補正の対象とすることにより、画像のムラを抑えることが可能となる。

また、上記実施の形態では、樹脂層３０をＢステージ状の接着シート、例えばＤＡＦ材を架橋させたものにより構成した場合について説明した。更に、樹脂層３０を、遮光性のあるＤＡＦ材を架橋させたものにより構成することが好ましい。これにより、反射光を低減し、出力差を抑えて、画像のムラを解消することが可能となる。上記第１ないし第４の実施の形態において樹脂層３０を、遮光性のあるＤＡＦ材を架橋させたものにより構成した場合も、同様の効果を得ることが可能となる。

遮光性をもつＤＡＦ材としては、例えば、ＤＡＦ材中に近赤外領域の光を吸収する材料を混ぜ込んだもの、または、ＤＡＦ材に近赤外領域の光を吸収する材料を挟んだものが挙げられる。近赤外領域の光を吸収する材料としては、例えば、カーボン、ＩＴＯあるいはＡＴＯの微粒子、または近赤外吸収色素が挙げられる。

（第６の実施の形態）
図３６は、本開示の第６の実施の形態に係る固体撮像装置１Ｅの断面構成を表したものである。この固体撮像装置１Ｅは、例えば、固体撮像素子１１を有する半導体基板１０を、樹脂層３０や接着剤等を挟まずに、保持部材７０に直接接合させて、パッケージ２０に収容した構成を有している。以下、第１または第５の実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。

半導体基板１０は、第１の実施の形態と同様に、例えばシリコン（Ｓｉ）ウェーハ（図示せず）から個片化された固体撮像素子１１のチップである。半導体基板１０は、第１面Ｐ１および第２面Ｐ２を有し、第１面Ｐ１には固体撮像素子１１が設けられている。第２面Ｐ２は、樹脂層３０や接着剤等を挟まずに、保持部材７０に直接接合されている。これにより、この固体撮像装置１Ｅでは、固体撮像素子１１からの熱を保持部材７０側に効率よく逃がし、熱によるデバイス特性低下を抑えることが可能となっている。また、半導体基板１０と保持部材７０との界面での反射が抑えられ、画質の向上が可能となる。

パッケージ２０は、底部２１の貫通孔２３を有しないことを除いては、第１の実施の形態と同様に構成されている。封止ガラス４０およびワイヤＷは、第１の実施の形態と同様に構成されている。パッケージ２０に貫通孔２３が設けられていないので、貫通孔２３に起因する固体撮像素子１１の面内出力差を低減し、画像のムラを抑えることが可能となっている。

保持部材７０は、半導体基板１０を保持すると共に、半導体基板１０の第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１の湾曲形状を制御し、像面湾曲収差を補正するものである。保持部材７０は、上面Ｒ７に湾曲部Ｒ７を有している。この湾曲部Ｒ７は、保持部材７０の厚み方向の断面では弧状をなし、三次元的には椀状の曲面をなしている。これにより、半導体基板１０の第１面Ｐ１および第２面Ｐ２には、保持部材７０の上面Ｐ７の湾曲部Ｒ７に倣う形状の湾曲部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４がそれぞれ形成されている。また、保持部材７０には、貫通孔７１は設けられていない。従って、貫通孔７１に起因する固体撮像素子１１の面内出力差を低減し、画像のムラを抑えることが可能となっている。

保持部材７０は、半導体基板１０と同等以上の熱伝導率を有することが好ましく、例えばシリコン（Ｓｉ）により構成されていることが好ましい。これにより、放熱特性を高めることが可能となる。

この固体撮像装置１Ｅは、例えば、次のようにして製造することができる。

図３７ないし図４２は、この固体撮像装置１Ｅの製造方法を工程順に表したものである。なお、第１の実施の形態と重複する工程については、図２を参照して説明する。

まず、図３７に示したように、シリコン（Ｓｉ）よりなると共に上面Ｐ７に湾曲部Ｒ７を有する保持部材７０を用意し、この保持部材７０の上面Ｐ７に対して、プラズマまたはイオンビームを用いて活性化処理ＡＣ５０を行う。

また、第１の実施の形態と同様にして、図２に示した工程により、半導体基板１０の第１面Ｐ１に固体撮像素子１１を形成し、第２面Ｐ２を研磨して半導体基板１０を薄膜化する。次いで、同じく図２に示した工程により、半導体基板１０をＤＡＦ材よりなるＢステージの接着シート３０Ａに乗せた状態で、固体撮像素子１１を個片化する。

続いて、図３８に示したように、半導体基板１０の第１面Ｐ１つまり固体撮像素子１１が形成されている面に、保護テープ１１Ｂをラミネートし、保護シート３０Ａを剥離する。

そののち、図３９に示したように、半導体基板１０の第２面Ｐ２に対して、プラズマまたはイオンビームを用いて活性化処理ＡＣ１０を行い、半導体基板１０の第２面Ｐ２を酸化する。半導体基板１０の第２面Ｐ２の酸化方法は、表面保護に影響しない酸化方法であればどのような方法でもよい。

続いて、図４０に示したように、半導体基板１０の保護テープ１１Ｂが貼られている第１面Ｐ１側をオス型冶具１１Ｃで吸着（矢印Ａ１）し、半導体基板１０の第２面Ｐ２と保護部材５０の上面Ｐ７とを接合（矢印Ａ２）する。

これにより、図４１に示したように、半導体基板１０の第２面Ｐ２が、樹脂層３０や接着剤等を挟まずに、保持部材７０に直接接合される。半導体基板１０の第１面Ｐ１および第２面Ｐ２には、保持部材７０の上面Ｐ７の湾曲部Ｒ７の形状に倣う湾曲部Ｒ１，Ｒ２が形成される。半導体基板１０の第２面Ｐ２と保持部材７０の上面Ｐ７との間には、直接接合界面層１１Ｄが形成される。

そののち、図４２に示したように、保護テープ１１Ｂを剥離する。最後に、図３６に示したように、保持部材７０をパッケージ２０に収容し、半導体基板１０とパッケージ２０との間に、ワイヤボンディングによりワイヤＷを接続し、パッケージ２０の開口２２を封止ガラス４０で封止する。以上により、図３６に示した固体撮像装置１Ｅが完成する。

この固体撮像装置１Ｅでは、第１の実施の形態と同様に、半導体基板１０の第１面Ｐ１の湾曲部Ｒ１に固体撮像素子１１が設けられているので、固体撮像素子１１の撮像面１１Ａは湾曲している。よって、レンズ（図示せず）の結像する像面の像面湾曲収差が解消され、良好な画像の撮像が可能となる。

また、半導体基板１０の第２面Ｐ２が、樹脂層３０や接着剤等を挟まずに、保持部材７０に直接接合されているので、固体撮像素子１１で発生した熱は、効率よく保持部材７０側に逃がされ、熱によるデバイス特性低下が抑えられる。

このように本実施の形態では、半導体基板１０の第２面Ｐ２を、樹脂層３０や接着剤等を挟まずに、保持部材７０に直接接合するようにしたので、固体撮像素子１１で発生した熱を、効率よく保持部材７０側に逃がし、熱によるデバイス特性低下を抑えることが可能となる。

（固体撮像装置の全体構成）
図４３は、上記実施の形態において説明した固体撮像装置１，１Ａ〜１Ｅ（以下、固体撮像装置１で代表する。）の全体構成を表したものである。この固体撮像装置１は、撮像画素領域としての画素部１１０を有すると共に、例えば行走査部１３１、水平選択部１３３、列走査部１３４およびシステム制御部１３２からなる回路部１３０を有している。回路部１３０は、画素部１１０の周辺領域に設けられていてもよいし、画素部１１０と積層されて（画素部１１０に対向する領域に）設けられていてもよい。

画素部１１０は、例えば行列状に２次元配置された複数の画素ＰＸＬを有している。この画素ＰＸＬには、例えば画素行ごとに画素駆動線Ｌread（具体的には行選択線およびリセット制御線）が配線され、画素列ごとに垂直信号線Ｌsig が配線されている。画素駆動線Ｌreadは、画素からの信号読み出しのための駆動信号を伝送するものである。画素駆動線Ｌreadの一端は、行走査部１３１の各行に対応した出力端に接続されている。

行走査部１３１は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、画素部１１０の各画素ＰＸＬを、例えば行単位で駆動する画素駆動部である。行走査部１３１によって選択走査された画素行の各画素ＰＸＬから出力される信号は、垂直信号線Ｌsig の各々を通して水平選択部１３３に供給される。水平選択部１３３は、垂直信号線Ｌsig ごとに設けられたアンプや水平選択スイッチ等によって構成されている。

列走査部１３４は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、水平選択部１３３の各水平選択スイッチを走査しつつ順番に駆動するものである。この列走査部１３４による選択走査により、垂直信号線Ｌsig の各々を通して伝送される各画素ＰＸＬの信号が順番に水平信号線１３５に伝送され、当該水平信号線１３５を通して出力される。

システム制御部１３２は、外部から与えられるクロックや、動作モードを指令するデータなどを受け取り、また、固体撮像装置１の内部情報などのデータを出力するものである。システム制御部１３２はさらに、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有し、当該タイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に行走査部１３１、水平選択部１３３および列走査部１３４などの駆動制御を行う。

（適用例）
上記実施の形態等の固体撮像装置１は、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。図４４に、その一例として、電子機器２（カメラ）の概略構成を示す。この電子機器２は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、例えば、固体撮像装置１と、光学系（撮像レンズ）３１０と、シャッタ装置３１１と、固体撮像装置１およびシャッタ装置３１１を駆動する駆動部３１３（上記回路部１３０を含む）と、信号処理部３１２と、ユーザインターフェイス３１４と、モニタ３１５とを有する。

光学系３１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１の画素部１１０へ導くものである。この光学系３１０は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置３１１は、固体撮像装置１への光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部３１３は、固体撮像装置１の転送動作およびシャッタ装置３１１のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部３１２は、固体撮像装置１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄout は、モニタ３１５に出力される。あるいは、映像信号Ｄout は、メモリーなどの記憶媒体に記憶されてもよい。ユーザインターフェイス３１４では、撮影シーンの指定（ダイナミックレンジの指定、波長（テラヘルツ、可視、赤外、紫外、Ｘ線等）の指定など）が可能であり、この指定（ユーザインターフェイス３１４からの入力信号）は、駆動部３１３に送られ、これに基づいて固体撮像装置１において所望の撮像がなされる。

以上、実施の形態を挙げて説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。

例えば、上記実施の形態では、固体撮像装置１，１Ａ〜１Ｅがカメラに適用される場合を例示したが、これ以外にも、例えば内視鏡、ビジョンチップ（人工網膜）、生体センサなど、光（電磁波）をイメージングする電子機器全般に用いることができる。

また、上記実施の形態の固体撮像装置１，１Ａ〜１Ｅは、上記実施の形態で説明した各構成要素を全て備えていなくてもよく、また逆に他の構成要素を備えていてもよい。

なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

本技術は、以下のような構成をとることも可能である。
（１）
第１面および第２面を有すると共に前記第１面に湾曲部を有し、前記第１面の前記湾曲部に固体撮像素子が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板を収容するパッケージと、
第３面および第４面を有し、前記第３面は前記半導体基板の第２面に接し、前記第４面は前記パッケージの底部に接する樹脂層と
を備えた固体撮像装置。
（２）
前記半導体基板の厚みが５０μｍ以下である
前記（１）記載の固体撮像装置。
（３）
前記固体撮像素子の像面湾曲収差の補正量が５０μｍ以下である
前記（１）または（２）記載の固体撮像装置。
（４）
前記樹脂層は、Ｂステージ状の接着シートを架橋させることにより形成されたものである
前記（１）ないし（３）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（５）
前記樹脂層は、エポキシ系の樹脂により構成されている
前記（１）ないし（４）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（６）
前記半導体基板の前記第２面と前記樹脂層の前記第３面とは、それぞれ湾曲部を有し、
前記樹脂層の前記第４面は、前記パッケージの底部の形状に倣う形状を有する
前記（１）ないし（５）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（７）
前記パッケージの前記底部は、貫通孔を有する
前記（１）ないし（６）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（８）
前記パッケージの前記底部は、空間的に連続した部材により構成されている
前記（１）ないし（６）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（９）
前記半導体基板の前記第２面と前記樹脂層の前記第３面および前記第４面は、前記パッケージの底部に倣う形状を有する
前記（１）ないし（７）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１０）
前記樹脂層は、前記第３面および第５面を有する第１樹脂層と、第６面および前記第４面を有する第２樹脂層との２層構造を有する
前記（１）ないし（７）のいずれかに記載の固体撮像装置。
（１１）
前記第２樹脂層は、Ｂステージ状の接着シートを架橋させることにより形成されたものである
前記（１０）記載の固体撮像装置。
（１２）
前記半導体基板の前記第２面と前記第１樹脂層の前記第３面とは、それぞれ湾曲部を有し、
前記第１樹脂層の前記第５面と前記第２樹脂層の前記第６面および前記第４面は、前記パッケージの底部に倣う形状を有する
前記（１０）または（１１）記載の固体撮像装置。
（１３）
固体撮像装置を有し、
前記固体撮像装置は、
第１面および第２面を有すると共に前記第１面に湾曲部を有し、前記第１面の前記湾曲部に固体撮像素子が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板を収容するパッケージと、
第３面および第４面を有し、前記第３面は前記半導体基板の第２面に接し、前記第４面は前記パッケージの底部に接する樹脂層と
を備えた電子機器。
（１４）
第１面および第２面を有し、前記第１面に固体撮像素子が設けられた半導体基板と、第３面および第４面を有するＢステージの接着シートとを、前記第２面と前記第３面とを接触させて配置する工程と、
加熱および凸金型を用いた加圧により前記接着シートの前記第４面に湾曲部を形成する工程と、
前記半導体基板および前記接着シートをパッケージに収容し、前記第４面の前記湾曲部と前記パッケージの底部との間に空洞を形成する工程と、
前記空洞の内外に圧力差を設けることにより、前記半導体基板および前記接着シートを変形させて前記空洞を除去し、前記半導体基板の前記第１面に湾曲部を形成する工程と、
加熱により前記接着シートを架橋させて樹脂層を形成する工程と
を含む固体撮像装置の製造方法。
（１５）
前記半導体基板および前記接着シートを、底部に貫通孔を有する前記パッケージに収容し、
加熱および前記貫通孔を用いた真空吸着により、前記空洞を真空にすると共に前記半導体基板および前記接着シートに大気圧をかけて、前記半導体基板および前記接着シートを変形させて前記空洞を除去する
前記（１４）記載の固体撮像装置の製造方法。
（１６）
前記半導体基板および前記接着シートを、真空中で、底部が空間的に連続した部材よりなる前記パッケージに収容することにより、前記空洞を真空にし、
大気解放により前記半導体基板および前記接着シートに大気圧をかけて、前記半導体基板および前記接着シートを変形させて前記空洞を除去する
前記（１４）記載の固体撮像装置の製造方法。
（１７）
第１面および第２面を有し、前記第１面に固体撮像素子が設けられ、前記第２面にエッチングにより湾曲部が設けられた半導体基板と、第３面および第４面を有するＢステージの接着シートとを、前記第２面と前記第３面とを接触させて配置することにより、前記接着シートの前記第４面に湾曲部を形成する工程と、
前記半導体基板および前記接着シートをパッケージに収容し、前記第４面の前記湾曲部と前記パッケージの底部との間に空洞を形成する工程と、
前記空洞の内外に圧力差を設けることにより、前記半導体基板および前記接着シートを変形させて前記空洞を除去し、前記半導体基板の前記第１面に湾曲部を形成する工程と、
加熱により前記接着シートを架橋させて樹脂層を形成する工程と
を含む固体撮像装置の製造方法。
（１８）
第１面および第２面を有し、前記第１面に固体撮像素子が設けられた半導体基板を用意し、前記半導体基板の前記第２面に、ナノインプリントにより、第３面および第５面を有し、前記第３面で前記半導体基板の前記第２面に接し、前記第５面に湾曲部を有する第１樹脂層を形成する工程と、
前記第１樹脂層の前記第５面に、第６面および第４面を有するＢステージ状の接着シートを、前記第５面と前記第６面とを接触させて配置し、前記接着シートの前記第４面に湾曲部を形成する工程と、
前記半導体基板および前記接着シートをパッケージに収容し、前記第４面の前記湾曲部と前記パッケージの底部との間に空洞を形成する工程と、
前記空洞の内外に圧力差を設けることにより、前記半導体基板および前記接着シートを変形させて前記空洞を除去し、前記半導体基板の前記第１面に湾曲部を形成する工程と、
加熱により前記接着シートを架橋させて第２樹脂層を形成し、前記第１樹脂層および前記第２樹脂層の積層構造をもつ樹脂層を形成する工程と
を含む固体撮像装置の製造方法。

１，１Ａ〜１Ｅ…固体撮像装置、１０…半導体基板、１１…固体撮像素子、１１Ａ…撮像面、２０…パッケージ、２１…底部、２２…開口、２３…貫通孔、３０…樹脂層、３０Ａ…接着シート、３１…第１樹脂層、３２…第２樹脂層、４０…封止ガラス、５０…凸金型、６０…チャンバー、７０…保持部材、７１…貫通孔、７２…埋込み層、１…固体撮像装置、２…電子機器、ＡＰ…大気圧、Ｇ…空洞、Ｐ１…第１面、Ｐ２…第２面、Ｐ３…第３面、Ｐ４…第４面、Ｐ５…第５面、Ｐ６…第６面、Ｐ７…上面、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７…湾曲部、Ｖ…真空、Ｗ…ワイヤ。

Claims (18)

1. 第１面および第２面を有すると共に前記第１面に湾曲部を有し、前記第１面の前記湾曲部に固体撮像素子が設けられた半導体基板と、
   前記半導体基板を収容するパッケージと、
   第３面および第４面を有し、前記第３面は前記半導体基板の第２面に接し、前記第４面は前記パッケージの底部に接する樹脂層と
   を備えた固体撮像装置。
2. 前記半導体基板の厚みが５０μｍ以下である
   請求項１記載の固体撮像装置。
3. 前記固体撮像素子の像面湾曲収差の補正量が５０μｍ以下である
   請求項１記載の固体撮像装置。
4. 前記樹脂層は、Ｂステージ状の接着シートを架橋させることにより形成されたものである
   請求項１記載の固体撮像装置。
5. 前記樹脂層は、エポキシ系の樹脂により構成されている
   請求項１記載の固体撮像装置。
6. 前記半導体基板の前記第２面と前記樹脂層の前記第３面とは、それぞれ湾曲部を有し、
   前記樹脂層の前記第４面は、前記パッケージの底部の形状に倣う形状を有する
   請求項１記載の固体撮像装置。
7. 前記パッケージの前記底部は、貫通孔を有する
   請求項１記載の固体撮像装置。
8. 前記パッケージの前記底部は、空間的に連続した部材により構成されている
   請求項１記載の固体撮像装置。
9. 前記半導体基板の前記第２面と前記樹脂層の前記第３面および前記第４面は、前記パッケージの底部に倣う形状を有する
   請求項１記載の固体撮像装置。
10. 前記樹脂層は、前記第３面および第５面を有する第１樹脂層と、第６面および前記第４面を有する第２樹脂層との２層構造を有する
    請求項１記載の固体撮像装置。
11. 前記第２樹脂層は、Ｂステージ状の接着シートを架橋させることにより形成されたものである
    請求項１０記載の固体撮像装置。
12. 前記半導体基板の前記第２面と前記第１樹脂層の前記第３面とは、それぞれ湾曲部を有し、
    前記第１樹脂層の前記第５面と前記第２樹脂層の前記第６面および前記第４面は、前記パッケージの底部に倣う形状を有する
    請求項１０記載の固体撮像装置。
13. 固体撮像装置を有し、
    前記固体撮像装置は、
    第１面および第２面を有すると共に前記第１面に湾曲部を有し、前記第１面の前記湾曲部に固体撮像素子が設けられた半導体基板と、
    前記半導体基板を収容するパッケージと、
    第３面および第４面を有し、前記第３面は前記半導体基板の第２面に接し、前記第４面は前記パッケージの底部に接する樹脂層と
    を備えた電子機器。
14. 第１面および第２面を有し、前記第１面に固体撮像素子が設けられた半導体基板と、第３面および第４面を有するＢステージの接着シートとを、前記第２面と前記第３面とを接触させて配置する工程と、
    加熱および凸金型を用いた加圧により前記接着シートの前記第４面に湾曲部を形成する工程と、
    前記半導体基板および前記接着シートをパッケージに収容し、前記第４面の前記湾曲部と前記パッケージの底部との間に空洞を形成する工程と、
    前記空洞の内外に圧力差を設けることにより、前記半導体基板および前記接着シートを変形させて前記空洞を除去し、前記半導体基板の前記第１面に湾曲部を形成する工程と、
    加熱により前記接着シートを架橋させて樹脂層を形成する工程と
    を含む固体撮像装置の製造方法。
15. 前記半導体基板および前記接着シートを、底部に貫通孔を有する前記パッケージに収容し、
    加熱および前記貫通孔を用いた真空吸着により、前記空洞を真空にすると共に前記半導体基板および前記接着シートに大気圧をかけて、前記半導体基板および前記接着シートを変形させて前記空洞を除去する
    請求項１４記載の固体撮像装置の製造方法。
16. 前記半導体基板および前記接着シートを、真空中で、底部が空間的に連続した部材よりなる前記パッケージに収容することにより、前記空洞を真空にし、
    大気解放により前記半導体基板および前記接着シートに大気圧をかけて、前記半導体基板および前記接着シートを変形させて前記空洞を除去する
    請求項１４記載の固体撮像装置の製造方法。
17. 第１面および第２面を有し、前記第１面に固体撮像素子が設けられ、前記第２面にエッチングにより湾曲部が設けられた半導体基板と、第３面および第４面を有するＢステージの接着シートとを、前記第２面と前記第３面とを接触させて配置することにより、前記接着シートの前記第４面に湾曲部を形成する工程と、
    前記半導体基板および前記接着シートをパッケージに収容し、前記第４面の前記湾曲部と前記パッケージの底部との間に空洞を形成する工程と、
    前記空洞の内外に圧力差を設けることにより、前記半導体基板および前記接着シートを変形させて前記空洞を除去し、前記半導体基板の前記第１面に湾曲部を形成する工程と、
    加熱により前記接着シートを架橋させて樹脂層を形成する工程と
    を含む固体撮像装置の製造方法。
18. 第１面および第２面を有し、前記第１面に固体撮像素子が設けられた半導体基板を用意し、前記半導体基板の前記第２面に、ナノインプリントにより、第３面および第５面を有し、前記第３面で前記半導体基板の前記第２面に接し、前記第５面に湾曲部を有する第１樹脂層を形成する工程と、
    前記第１樹脂層の前記第５面に、第６面および第４面を有するＢステージ状の接着シートを、前記第５面と前記第６面とを接触させて配置し、前記接着シートの前記第４面に湾曲部を形成する工程と、
    前記半導体基板および前記接着シートをパッケージに収容し、前記第４面の前記湾曲部と前記パッケージの底部との間に空洞を形成する工程と、
    前記空洞の内外に圧力差を設けることにより、前記半導体基板および前記接着シートを変形させて前記空洞を除去し、前記半導体基板の前記第１面に湾曲部を形成する工程と、
    加熱により前記接着シートを架橋させて第２樹脂層を形成し、前記第１樹脂層および前記第２樹脂層の積層構造をもつ樹脂層を形成する工程と
    を含む固体撮像装置の製造方法。

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