JP2015204384A - 処理液供給装置、基板処理装置、処理液供給方法および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理対象物の帯電防止または除電を図りつつ、当該処理対象物に処理液を供給できる処理液供給装置および処理液供給方法を提供すること。基板の帯電防止または除電を図りつつ、当該基板に、処理液を用いた処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャック３に保持されている基板Ｗの表面に、水を供給するための水供給ユニット５を含む。水供給ユニット５は、吐出口１４を有する水ノズル１３と、水ノズル１３に処理液を供給する水配管１５と、水配管１５から分岐する分岐配管１６と、分岐配管１６に対向して配置され、分岐配管１６の内部に存在する処理液に軟Ｘ線を照射して、当該処理液に電荷を発生させる軟Ｘ線照射ユニット１７とを含む。
【選択図】図１

Description

この発明は、処理液供給装置、基板処理装置、処理液供給方法および基板処理方法に関する。処理液を用いた処理の処理対象物には、基板や収容器等が含まれる。処理対象物として用いられる基板には、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、OLED（有機エレクトロルミネッセンス）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。

半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に処理液を供給して、その基板の表面を処理液で洗浄する処理などが行われる。
例えば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の洗浄処理を実施する基板処理装置は、複数本のチャックピンで基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の表面に処理液を供給するための処理液ノズルとを備えている。

基板の処理に際しては、スピンチャックによって基板が回転される。そして、処理液ノズルから回転中の基板の表面に薬液が供給される。基板の表面上に供給された薬液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れる。これによって、基板の表面の全域に薬液が行き渡り、基板の表面に対する薬液による処理が達成される。そして、この薬液による処理後には、基板に付着した薬液を純水で洗い流すためのリンス処理が行われる。すなわち、処理液ノズルからスピンチャックによって回転されている基板の表面に純水が供給されて、その純水が基板の回転による遠心力を受けて拡がることにより、基板の表面に付着している薬液が洗い流される。このリンス処理後は、スピンチャックによる基板の回転速度が上昇されて、基板に付着している純水を振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる。

特開２００５−１９１５１１号公報

ところが、このような従来の基板処理装置では、リンス処理時に、回転状態の基板の表面と純水との間に接触分離が生じ、基板が流動帯電することがあった。基板がガラス基板やシリコンウエハである場合には、基板が正に帯電する。基板が電荷を帯びると、その電荷の放電が生じたときに、基板の表面に形成されるデバイスの破壊を生じるおそれがある。

洗浄処理（リンス処理）時における帯電防止の課題は、処理対象物が基板である場合に限られず、処理対象物が収容器等である場合にも共通する課題である。
そこで、この発明の目的は、処理対象物の帯電防止または除電を図りつつ、当該処理対象物に処理液を供給できる処理液供給装置および処理液供給方法を提供することである。
また、この発明の他の目的は、基板の帯電防止または除電を図りつつ、当該基板に、処理液を用いた処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、処理対象物（Ｗ；８０２）に対し処理液を吐出する吐出口（１４；７１４）を有する処理液ノズル（１３；７１３）と、前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液配管（１５）と、前記処理液配管から分岐する分岐配管（１６；２１６）と、前記分岐配管に対向して配置され、前記分岐配管の内部に存在する処理液と導電性窓（７１；３１８；４１８）を介して電子を授受する電荷授受ユニット（１７；３１７；４１７）とを含む、処理液供給装置（５；２０５；３０５；４０５；７０５）を提供する。

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符合を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。
この構成によれば、分岐配管に存在している処理液との間で、電荷授受ユニットによって電荷が授受される。処理液配管の吐出口から吐出された処理液は、処理対象物に供給され、当該処理対象物に接液する。

吐出口から吐出される処理液が、吐出口と処理対象物との間で液状に繋がっている場合には、分岐配管内の処理液において電荷が授受される部分（以下、「処理液の電荷授受部分」という。）と、処理対象物に接液している処理液とが、処理液を介して繋がっている。
このとき、処理対象物が正に帯電すると、処理液の電荷授受部分と処理対象物との間の電位差に起因して、処理液の電荷授受部分の負電荷（電子）が、処理対象物に接液している処理液に向けて、液状に繋がっている処理液を伝って移動する。これにより、処理対象物に接液している処理液が処理対象物の帯電に見合う量の負電荷を有するようになるので、正に帯電している処理対象物が除電される。

一方、処理対象物が負に帯電すると、処理液の電荷授受部分と処理対象物との間の電位差に起因して、処理対象物からの負電荷が、処理液の電荷授受部分の正電荷に向けて、液状に繋がっている処理液を伝って移動する。これにより、負に帯電している処理対象物が除電される。
したがって、処理液の供給時における処理対象物の帯電の発生を防止できる。

また、処理液の供給前から処理対象物が帯電している場合であっても、当該処理対象物を良好に除電できる。
以上により、処理対象物の帯電防止または除電を図りつつ、当該処理対象物に処理液を供給することができる。
請求項２に記載の発明は、前記吐出口から吐出される処理液は、当該処理液が前記吐出口と前記処理対象物との双方に繋がる連続流状をなすような流量に設定されている、請求項１に記載の処理液供給装置である。

この構成によれば、吐出口から吐出される処理液が、吐出口と処理対象物との双方に繋がる連続流状をなしている。これにより、吐出口と処理対象物とを処理液で繋げることを、簡単な構成で実現できる。
前記処理液供給装置は、前記処理液配管から前記吐出口に供給される処理液の流量を調整する第１の流量調整ユニット（１９）と、前記第１の流量調整ユニットを制御して、前記吐出口から吐出される処理液の流量を、当該処理液が前記吐出口と前記処理対象物との双方に繋がる連続流状をなすように調整する吐出制御ユニット（４０）とをさらに含んでいてもよい。

請求項３に記載のように、前記分岐配管は、排出口（２３）を有し、前記分岐配管を流通する処理液を排出する排出用配管（２２）を含む、請求項１または２に記載の処理液供給装置であってもよい。
請求項４に記載の発明は、前記排出口から吐出される処理液は、当該処理液が連続流にならないような小流量に設定されている、請求項３に記載の処理液供給装置である。

この構成によれば、排出口から吐出される処理液は、連続流状をなさず、例えば液滴状に滴下する。この場合、排出口が周辺部材と処理液を介して繋がることがない。そのため、処理液の電荷授受部分に発生した電荷が排出口から漏洩することを防止できる。これにより、処理液の電荷授受部分に発生した電荷を、処理対象物に接液している処理液との間の電荷のやり取りのだけのために効率良く用いることができる。これにより、帯電防止効率または除電効率を向上させることができる。

排出用配管を通った処理液は通常廃棄されるのであるが、排出口から吐出される処理液の流量が小さいので、廃棄される処理液（捨て液）の量の低減を図ることができる。
また、前記処理液供給装置は、前記分岐配管から前記排出口に供給される処理液の流量を調整する第２の流量調整ユニット（２１）と、前記第２の流量調整ユニットを制御して、前記排出口から吐出される処理液の流量を、当該処理液が連続流にならないような小流量に調整する排出制御ユニット（４０）とをさらに含んでいてもよい。

請求項５に記載の発明は、前記処理液配管および前記分岐配管は、前記分岐配管における、前記電荷授受ユニットに対向する対向位置（２１６Ａ）よりも下流側の部分（２１６Ｃ）に含まれる処理液の電気抵抗値が、前記分岐配管における前記対向位置よりも上流側の部分（２１６Ｂ）の電気抵抗値、および前記処理液配管における、前記分岐配管の分岐位置（１５Ａ）よりも下流側の部分（１５Ｂ）の電気抵抗値の和よりも大きく設定されている請求項３または４に記載の処理液供給装置である。

この構成によれば、分岐配管における、電荷授受ユニットに対向する対向位置よりも下流側部分の電気抵抗値が、分岐配管における、電荷授受ユニットに対向する対向位置よりも上流側、および前記処理液配管における、前記分岐配管の分岐位置よりも下流側の電気抵抗値の総和よりも大きい。
そのため、電荷授受ユニットにより分岐配管内の処理液に発生した電荷は、各々の処理液の電気抵抗の比率により排出口側ではなく、吐出口側に向けてより多くの電荷が移動する。これにより、分岐配管内の処理液に発生した電荷が排出口側から漏洩することを抑制でき、発生した電荷を、処理対象物との間での電荷のやり取りのために効率的に用いることができる。これにより、帯電防止効率または除電効率を向上させることができる。

前記電荷授受ユニットは、請求項６に記載のように、前記分岐配管内に存在する処理液にＸ線を照射するＸ線照射ユニット（１７）を含んでいてもよい。この場合、分岐配管内に存在している処理液にＸ線が照射される。処理液のうちＸ線が照射される部分では、水分子の励起により当該水分子が電離し、その結果、正電荷と負電荷とが混在するプラズマ状態が形成される。

なお、本明細書および特許請求の範囲において「Ｘ線」とは０．００１nm〜１０nm程度の波長を有する電磁波をいい、波長が比較的長い「軟Ｘ線」（０．１nm〜１０nm程度）と、波長が比較的短い「硬Ｘ線」（０．００１nm〜０．１nm程度）とを含む趣旨である。
前記電荷授受ユニットは、請求項７に記載のように、大気圧環境下でプラズマガスを放出する大気圧プラズマユニット（３１７）を含んでいてもよい。この場合、プラズマガスが大量の正電荷と負電荷とを含んでいて、導電性窓（３１８）を介して分岐配管内に存在している処理液に電荷が付与される。

前記電荷授受ユニットは、請求項８に記載のように、放電（コロナ放電）を発生させ、その電離気体を供給する放電ユニット（４１７）を含んでいてもよい。この場合、放電により発生した電荷が、導電性窓（４１８）を介して分岐配管内に存在している処理液に付与される。
前記の目的を達成するための請求項９に記載の発明は、基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（３；７０４）と、請求項１〜８のいずれか一項に記載の処理液供給装置（５；２０５；３０５；４０５；７０５）とを含み、前記吐出口から吐出された処理液を、前記基板保持手段に保持されている前記基板の主面に供給する、基板処理装置（１；２０１；３０１；４０１；５０１；６０１；７０１）を提供する。

この構成によれば、分岐配管の内部は、処理液配管の吐出口と連通している。分岐配管に存在している処理液に、電荷授受ユニットによって電荷が発生している。処理液配管の吐出口から吐出された処理液が、処理対象物に供給され、当該処理対象物に接液する。
吐出口から吐出される処理液が、吐出口と処理対象物との間で液状に繋がっている場合には、処理対象物と、分岐配管内の処理液において電荷が授受される部分（以下、「処理液の電荷授受部分」という。）とが、処理液を介して繋がっている。

このとき、処理対象物が正に帯電すると、処理液の電荷授受部分と処理対象物との間の電位差に起因して、処理液の電荷授受部分の負電荷（電子）が、処理対象物に接液している処理液に向けて、液状に繋がっている処理液を伝って移動する。これにより、正に帯電している処理対象物が除電される。
一方、処理対象物が負に帯電すると、処理対象物と処理液の電荷授受部分との間の電位差に起因して、処理対象物からの電子が、液状に繋がっている処理液を伝って処理液の電荷授受部分の正電荷に向かって移動する。これにより、負に帯電している処理対象物が除電される。

したがって、処理液の供給時における処理対象物の帯電の発生を防止でき、処理液との接触分離による基板の帯電を生じない。
また、処理液の供給前から処理対象物が帯電している場合であっても、当該処理対象物を良好に除電できる。
以上により、基板の帯電防止または除電を図りつつ、当該基板に、処理液を用いた処理を施すことができる。

前記基板保持手段は、基板を水平姿勢に保持しつつ、鉛直な所定の回転軸線周りに回転させる基板保持回転手段（３）を含んでいてもよいし、前記基板を保持しながら、当該基板を所定の搬送方向（Ｘ）に向けて搬送する基板保持搬送手段（７０４）を含んでいてもよい。
請求項１０に記載のように、処理液を貯留し、その処理液中に処理対象物を浸漬させる処理槽（５０２）と、請求項１〜８のいずれか一項に記載の処理液供給装置（５；２０５；３０５；４０５；７０５）とを含み、前記吐出口から吐出された処理液が前記処理槽に貯留されていてもよい。

前記の目的を達成するための請求項１１に記載の発明は、処理液供給装置（５；２０５；３０５；４０５；７０５）の処理液ノズル（１３；７１３）の吐出口（１４；７１４）から処理液を吐出させ、この処理液を処理対象物（Ｗ；８０２）に供給する処理液供給方法であって、前記吐出口を、前記処理対象物に対向して配置する対向配置工程と、前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液配管（１５）から分岐する分岐配管（１６；２１６）の内部に存在する処理液と、電荷授受ユニット(１７；３１７；４１７）により電荷を授受させる電荷授受工程（Ｓ４）と、前記電荷授受工程と並行して、前記吐出口から処理液を吐出させる処理液吐出工程（Ｓ４）とを含み、前記処理液吐出工程では、前記吐出口と前記処理対象物との間で処理液が液状に繋がっている、処理液供給方法を提供する。

この方法によれば、請求項１に関連して記載した作用効果と同等の作用効果を奏する。
請求項１２に記載の発明は、前記処理液吐出工程では、前記吐出口から吐出される処理液が、当該吐出口と前記処理対象物との双方に繋がる連続流状をなしている、請求項１１に記載の処理液供給方法である。
この方法によれば、請求項２に関連して記載した作用効果と同等の作用効果を奏する。

前記の目的を達成するための請求項１３に記載の発明は、処理液供給装置（５；２０５；３０５；４０５；７０５）から供給される処理液を用いて基板（Ｗ）の主面を処理する基板処理方法であって、吐出口（１４；７１４）を、基板保持手段（３；７０４）に保持されている前記基板の主面に対向して配置する対向配置工程と、前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液配管（１５）から分岐する分岐配管（１６；２１６）の内部に存在する処理液と、電荷授受ユニット(１７；３１７；４１７)により電荷を授受させる電荷授受工程（Ｓ４）と、前記電荷授受工程と並行して、前記吐出口から処理液を吐出させる処理液吐出工程（Ｓ４）とを含み、前記処理液吐出工程では、前記吐出口と前記基板の主面との間で処理液が液状に繋がっている、基板処理方法である。

この方法によれば、請求項９に関連して記載した作用効果と同等の作用効果を奏する。

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 図１に示す軟Ｘ線照射ユニットおよび分岐配管の一部の構成を示す断面図である。 図１に示す基板処理装置において実行される処理例を示す工程図である。 図３に示す水供給処理を説明するためのタイミングチャートである。 水供給処理を基板に施している状態を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る分岐配管の変形例を説明するための図である。 本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第４実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第５実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第６実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の第７実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 図１１に示すコロ搬送ユニットの構成を示す斜視図である。 水供給処理を基板に施している状態を示す断面図である。 本発明の第８実施形態に係る処理液供給装置が適用された物品洗浄装置の構成を示す図である。 図１４に示す基板収容器の構成を示す斜視図である。 本発明の第９実施形態に係る処理液供給装置が適用された物品洗浄装置の構成を示す図である。 他の形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の構成を示す図である。
基板処理装置１は、基板（処理対象物）Ｗの一例としての円形の半導体ウエハ（シリコンウエハ）の表面（処理対象面）に処理液（薬液および水）による処理を施すために用いられる枚葉式の装置である。この実施形態では、薬液処理後に行われる基板Ｗのリンスのために水が用いられる。

基板処理装置１は、隔壁（図示しない）により区画された処理室２内に、基板Ｗを水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック（基板保持回転手段）３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗの表面に薬液を供給するための薬液供給ユニット４と、基板Ｗの表面に、水の一例としてのＤＩＷ（脱イオン水：deionized water）を供給するための水供給ユニット（処理液供給装置）５とを含む。

スピンチャック３として、例えば挟持式のものが採用されている。具体的には、スピンチャック３は、スピンモータ６と、このスピンモータ６の駆動軸と一体化されたスピン軸７と、スピン軸７の上端にほぼ水平に取り付けられた円板状のスピンベース８と、スピンベース８の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられた複数個の挟持部材９とを備えている。これにより、スピンチャック３は、複数個の挟持部材９によって基板Ｗを挟持した状態で、スピンモータ６の回転駆動力によってスピンベース８を回転させることにより、その基板Ｗを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース８とともに鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させることができる。

なお、スピンチャック３としては、挟持式のものに限らず、例えば基板Ｗの裏面を真空吸着することにより、基板Ｗを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、その保持した基板Ｗを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
薬液供給ユニット４は、薬液ノズル１０と、薬液配管１１と、薬液バルブ１２とを含む。薬液ノズル１０は、例えば、連続流の状態で薬液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック３の上方で、その吐出口を基板Ｗの中央部に向けて固定的に配置されている。薬液配管１１は、薬液ノズル１０に接続されており、薬液供給源からの薬液を薬液ノズル１０に供給する。薬液バルブ１２は、薬液配管１１の途中部に介装され、薬液ノズル１０からの薬液の吐出／吐出停止を切り換える。

薬液ノズル１０は、スピンチャック３に対して固定的に配置されている必要はなく、例えば、スピンチャック３上方において水平面内で揺動可能なアームに取り付けられて、このアームの揺動により基板Ｗの表面における薬液の着液位置がスキャンされる、いわゆるスキャンノズルの形態が採用されてもよい。
なお、薬液としては、基板Ｗの表面に対する処理の内容に応じたものが用いられる。例えば、基板Ｗの表面からパーティクルを除去するための洗浄処理を行うときは、ＡＰＭ（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）などが用いられる。また、基板Ｗの表面から酸化膜などをエッチングするための洗浄処理を行うときは、フッ酸やBHF（Buffered HF）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）などが用いられ、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜を剥離するレジスト剥離処理や、レジスト剥離後の基板Ｗの表面にポリマーとなって残留しているレジスト残渣を除去するためのポリマー除去処理を行うときは、ＳＰＭ（sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）やＡＰＭ（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）などのレジスト剥離液やポリマー除去液が用いられる。金属汚染物を除去する洗浄処理には、フッ酸やＨＰＭ（hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：塩酸過酸化水素水混合液）やＳＰＭ（sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）などが用いられる。

水供給ユニット５は、水ノズル（処理液ノズル）１３と、水配管（処理液配管）１５と、水配管１５の途中部から分岐する分岐配管１６と、電荷授受ユニットとしての軟Ｘ線照射ユニット（Ｘ線照射ユニット）１７とを含む。軟Ｘ線照射ユニット１７は、分岐配管１６の途中部に対向して配置され、当該分岐配管１６の内部に存在する水に軟Ｘ線を照射する。

水ノズル１３は、例えば、連続流の状態で薬液を吐出するストレートノズルであり、その吐出口１４を基板Ｗの中央部に向けて固定的に配置されている。水ノズル１３は、スピンチャック３に対して固定的に配置されている必要はなく、例えば、スピンチャック３上方において水平面内で揺動可能なアームに取り付けられて、このアームの揺動により基板Ｗの表面における水の着液位置がスキャンされる、いわゆるスキャンノズルの形態が採用されてもよい。

水配管１５は、水ノズル１３に接続されており、水供給源（ＤＩＷ供給源）からの水（ＤＩＷ）を水ノズル１３に供給する。水配管１５は、例えば塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。水配管１５における所定の分岐位置１５Ａから分岐配管１６が分岐している。水配管１５における、分岐配管１６の分岐位置１５Ａよりも下流側の部分（以下、「下流側部分１５Ｂ」）という）には、水バルブ１８および水流量調整バルブ（第１の流量調整ユニット）１９が、水ノズル１３側からこの順に介装されている。水バルブ１８は、水ノズル１３からの水の供給／供給停止を切り換える。水流量調整バルブ１９は、水ノズル１３から吐出される水の流量を調整する。水流量調整バルブ１９は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他の流量調整バルブについても同様である。

バルブ１８，１９は、流路を区画する部分がフッ素樹脂（ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）等）によって被覆されている。他のバルブについても同様である。
分岐配管１６は、水配管１５を流通している水を管外に排出するための排出用配管である。分岐配管１６は、例えば塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。他の分岐配管についても同様である。分岐配管１６の先端（水配管１５から分岐している側の端部とは反対側の端部）には、排出ノズル２２が取り付けられている。排出ノズル２２は、例えば、連続流の状態で水を吐出するストレートノズルであり、その吐出口である排出口２３を例えば下方に向けて固定的に配置されている。排出ノズル２２は排出口２３を有している。分岐配管１６の上流側部分（軟Ｘ線照射ユニット１７の取付位置（分岐配管１６における軟Ｘ線照射ユニット１７に対向する対向位置）１６Ａ（図２を併せて参照）よりも上流側の部分）１６Ｂには、分岐バルブ２０および分岐流量調整バルブ（第２の流量調整ユニット）２１が、排出ノズル２２側からこの順に介装されている。分岐バルブ２０は、排出ノズル２２からの水の吐出／吐出停止を切り換える。分岐流量調整バルブ２１は、排出ノズル２２から吐出される水の流量を調整する。

排出ノズル２２の下方には、排出ノズル２２の排出口２３と所定の間隔を隔てて排液パン２４が配置されている。排液パン２４は、皿状をなし、受け止めた水を小量だけ貯留可能に設けられている。排液パン２４は、例えば金属材料を用いて形成されていてもよい。また、排液パン２４はアースされていてもよい。排出ノズル２２から吐出された水は、排液パン２４によって受け止められて、貯留される。排液パン２４に貯留されている水は、排液口２４Ａを通して機外の廃液装置に送られ、廃液処理される。

図２は、図１に示す軟Ｘ線照射ユニット１７および分岐配管１６の一部の構成を示す断面図である。
分岐配管１６の取付位置１６Ａには、その管壁に、配管側開口１６Ｅが形成されている。取付位置１６Ａには、配管側開口１６Ｅを塞ぐように軟Ｘ線照射ユニット１７が取り付けられている。分岐配管１６の内部は、水配管１５の吐出口１４（図１参照）と連通している。

軟Ｘ線照射ユニット１７は、軟Ｘ線発生器２５と、軟Ｘ線発生器２５の周囲を取り囲むように覆う例えば塩ビ(poly-vinyl-chloride)製のカバー２６とを含む。カバー２６は、軟Ｘ線発生器２５の周囲を、軟Ｘ線発生器２５と間隔を空けて取り囲む横長の矩形箱状のものであり、鉛直板状の横壁２６Ａにおいて、軟Ｘ線発生器２５の次に述べる照射窓３５に対向する部分に、配管側開口１６Ｅと整合する大きさのユニット側開口２８が形成されている。軟Ｘ線照射ユニット１７は、カバー２６のユニット側開口２８が、分岐配管１６の配管側開口１６Ｅに一致し、かつ横壁２６Ａが分岐配管１６の外周に密着するように、分岐配管１６に取り付けられている。

ユニット側開口２８は、軟Ｘ線が透過できる材料、例えばベリリウム（Ｂｅ）を材料とする窓部材（導電性窓）７１によって閉塞されている。窓部材７１は、カバー２６の内側からユニット側開口２８を閉塞する。窓部材７１により、ユニット側開口２８だけでなく、配管側開口１６Ｅも閉塞される。
軟Ｘ線発生器２５は、分岐配管１６を通る処理液を電離させるために用いられる軟Ｘ線を射出（放射）する。軟Ｘ線発生器２５は、ケース体２９と、軟Ｘ線を発生させるための左右に長い軟Ｘ線管３０と、軟Ｘ線管３０に高電圧を供給する高電圧ユニット３１とを備えている。ケース体２９は、その内部に、軟Ｘ線管３０および高電圧ユニット３１を収容する横長の矩形筒状のものであり、導電性および熱伝導性を有する材料（例えばアルミニウム等の金属材料）を用いて形成されている。

高電圧ユニット３１は、例えば9.5kVという高電位の駆動電圧を軟Ｘ線管３０に入力する。高電圧ユニット３１には、カバー２６に形成された貫通孔４２を通してカバー２６外に引き出された給電線４３を介して電源（図示しない）からの電圧が供給されている。
軟Ｘ線管３０は、ガラス製または金属製の円筒形状の真空管からなり、管方向が水平となるように配置されている。軟Ｘ線管３０の一端部（開口端部。図２に示す左端部）は円形開口４１を形成している。軟Ｘ線管３０の他端部（図２に示す右端部）は閉じており、ステム３２となっている。軟Ｘ線管３０内には、陰極であるフィラメント３３と、陽極であるターゲット３６とが対向するように配置されている。軟Ｘ線管３０は、フィラメント３３およびフォーカス３４を収容している。具体的には、ステム３２に、カソードとしてのフィラメント３３が配置されている。フィラメント３３は、高電圧ユニット３１と電気的に接続されている。フィラメント３３は円筒状のフォーカス３４によって取り囲まれている。

軟Ｘ線管３０の開口端部は、鉛直姿勢をなす板状の照射窓３５によって閉塞されている。照射窓３５の材料として、例えばベリリウム（Ｂｅ）が採用されている。照射窓３５は例えば円板状をなし、銀ロウ付けによって軟Ｘ線管３０の開口端部の壁面に固定されている。照射窓３５の厚みは、例えば0.3mm程度に設定されている。照射窓３５は、窓部材７１の内面７１Ａに対向して、当該窓部材７１と微小の間隔を空けて配置されている。照射窓３５の内面３５Ａには、タングステン（Ｗ）やタンタル（Ｔａ）等の金属製のターゲット３６が蒸着によって形成されている。ターゲット３６には、原子量の大きく融点の高い金属が用いられる。

高電圧ユニット３１からの駆動電圧が陰極であるフィラメント３３に印加されることにより、フィラメント３３が電子を放出する。フィラメント３３から放出された電子は、フォーカス３４で収束されて電子ビームとなり、ターゲット３６に衝突することによって軟Ｘ線が発生する。発生した軟Ｘ線は照射窓３５から図２に示す左方に向けて射出（放射）され、窓部材７１および配管側開口１６Ｅを通して分岐配管１６の内部を照射する。照射窓３５からの軟Ｘ線の照射角（照射範囲）は、図５に示すように広角（例えば130°）である。照射窓３５から分岐配管１６の内部に照射される軟Ｘ線は、その波長が例えば0.13〜0.4nmである。

図１に示すように、基板処理装置１は、さらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御ユニット４０を備えている。制御ユニット４０は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ６、軟Ｘ線発生器２５等の動作を制御する。また、制御ユニット４０は、水バルブ１８、分岐バルブ２０等の開閉を制御するとともに、流量調整バルブ１９，２１のアクチュエータを制御して、当該流量調整バルブ１９，２１の開度を制御する。

図３は、基板処理装置１において実行される基板Ｗの処理例を示す工程図である。図４は、水供給処理（Ｓ４）を説明するためのタイミングチャートである。図５は、水供給処理（Ｓ４）を基板Ｗに施している状態を示す図である。図１〜図３を参照しながら、基板処理装置１における基板Ｗの処理について説明する。図４および図５については適宜参照する。

基板Ｗの処理に際して、搬送ロボット（図示しない）によって、未処理の基板Ｗが処理室２内に搬入されて（ステップＳ１）、その表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態でスピンチャック３に受け渡される。
スピンチャック３に基板Ｗが保持された後、制御ユニット４０はスピンモータ６を制御して、スピンチャック３による基板Ｗの回転を開始させる（ステップＳ２）。基板Ｗの回転速度が所定の液処理速度（例えば500rpm）まで上げられ、その後、その液処理速度に維持される。

基板Ｗの回転速度が液処理速度に達すると、制御ユニット４０は薬液バルブ１２を開いて、薬液ノズル１０から基板Ｗの上面の回転中心に向けて薬液を吐出する。基板Ｗの上面に供給された薬液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの周縁に向けて流れる（基板Ｗの全域へと拡がる）。これにより、基板Ｗの表面の全域に薬液による処理が施される（Ｓ３：薬液処理）。

薬液の供給開始から予め定める期間が経過すると、制御ユニット４０は薬液バルブ１２が閉じ、薬液ノズル１０からの薬液の供給を停止する。また、制御ユニット４０は水バルブ１８を開いて、基板Ｗの上面に水を供給する水供給処理（Ｓ４。すなわち、リンス処理）を実施する。
この水供給処理（ステップＳ４）において、水バルブ１８の開成により、水供給源からの水が、水配管１５を流通して水ノズル１３の吐出口１４から吐出されるが、これよりも若干（例えば数秒程度）早く、制御ユニット４０は、分岐バルブ２０を開く。これにより、水配管１５を流通する水が、分岐位置１５Ａから分岐配管１６内へと流入し、分岐配管１６内を流通する。分岐配管１６内を流通した水は、排出ノズル２２の排出口２３から吐出される。

また、分岐バルブ２０の開放とほぼ同時に、図４および図５に示すように、制御ユニット４０は、軟Ｘ線発生器２５（図２参照。高電圧ユニット３１）を制御して、軟Ｘ線発生器２５に軟Ｘ線を発生させて、軟Ｘ線を、窓部材７１およびユニット側開口２８を介して、分岐配管１６の取付位置１６Ａの内部に照射させる。これにより、取付位置１６Ａを流通している（取付位置１６Ａに存在している）水に、軟Ｘ線が照射される。取付位置１６Ａを流通している（取付位置１６Ａに存在している）水のうち、軟Ｘ線が照射される部分（以下、「水の電荷授受部分（処理液の電荷授受部分）Ｄ１」という。）には、多量の負電荷（電子と負イオン）と、多量の正電荷（正イオン）とが混在するプラズマ状態が形成される。

また、水供給処理（Ｓ４）中には、分岐バルブ２０が開かれており、また、分岐流量調整バルブ２１も、その開度は小さいものの開かれている。さらに、水供給処理（Ｓ４）中には、水配管１５内および分岐配管１６内で水が液密状態にある。そのため、吐出口１４と、水の電荷授受部分Ｄ１とが、水によって繋がっている。
水供給処理（Ｓ４）中における、水ノズル１３に対する水の供給流量は、比較的大流量（例えば０．５〜２．０L/min）に設定されている。基板Ｗの上面に供給された水は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの周縁部に向けて流れる（基板Ｗの全域へと拡がる）。これにより、基板Ｗの上面に、当該上面の全域に接液する（当該上面の全域を覆う）水の液膜６０が形成される。水の液膜６０によって、基板Ｗの上面に付着している薬液が洗い流される。

水ノズル１３に対する水の供給流量が比較的大流量に設定されているので、吐出口１４から吐出される水の態様が、吐出口１４と基板Ｗの上面の水の液膜６０との双方に繋がる連続流状をなしている。換言すると、水流量調整バルブ１９の開度は、吐出口１４から吐出される水の態様が、吐出口１４と基板Ｗの上面の水の液膜６０との双方に繋がる連続流状となるように設定されている。

一方、水供給処理（Ｓ４）中における、排出ノズル２２に対する水の供給流量は、比較的小流量（例えば０.０５〜０.１L/min）に設定されている。そのため、排出ノズル２２の排出口２３から吐出される水の態様が、連続流状ではなく、液滴状である。換言すると、分岐流量調整バルブ２１の開度は、排出口２３から吐出される水の態様が液滴状となるように設定されている。

水供給処理（Ｓ４）中においては、分岐バルブ２０が開かれており、また、分岐流量調整バルブ２１も、その開度は小さいものの開かれている。さらに、水供給処理（Ｓ４）中には、水配管１５内および分岐配管１６内で水が液密状態にある。そのため、吐出口１４と、水の電荷授受部分Ｄ１とが、水によって繋がっている。更に、基板Ｗに接液する水の液膜６０と吐出口１４とが水で繋がっている。これにより、水の電荷授受部分Ｄ１と水の液膜６０とが、水を介して繋がっている。

基板Ｗが正に帯電すると、図５に示すように、水の電荷授受部分Ｄ１と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、水の電荷授受部分Ｄ１からの負電荷が、基板Ｗの上面の水の液膜６０に向けて、連続流状の水を伝って移動する。これにより、基板Ｗの上面の水の液膜６０が多量の負電荷（電子）を有するようになり、基板Ｗは除電される。
排出ノズル２２の排出口２３から吐出された水は、排液パン２４によって受け止められる。排出ノズル２２の排出口２３から水が液滴状に吐出されるので、排液パン２４と排出口２３とが水を介して繋がることがない。

図１、図３および図４に示すように、水の供給開始から予め定める期間が経過すると、制御ユニット４０は、水バルブ１８を閉じて水を供給停止し、その後、高電圧ユニット３１を制御して、軟Ｘ線照射ユニット１７からの軟Ｘ線の照射を停止させ、また、制御ユニット４０は、分岐バルブ２０を閉じて水の排水を停止する。このように、水ノズル１３から水の供給停止時には、排出ノズル２２からの水の吐出も停止させるが、そのタイミングは、排出ノズル２２からの水の吐出と軟Ｘ線照射ユニット１７からの軟Ｘ線の照射が早く始まって遅く終わり、水ノズル１３から水の供給が遅く始まって早く終わるように設定している。これは、排出ノズル２２からの水の吐出と軟Ｘ線照射ユニット１７からの軟Ｘ線の照射が行われない状態で、基板Ｗへの水ノズル１３からの水の供給が行われるのを避けるためである。

その後、制御ユニット４０は、スピンモータ６を制御して、基板Ｗの回転速度をスピンドライ回転速度（例えば2500rpm）に上昇させる。これにより、リンス処理後の基板Ｗの上面に付着している水が、遠心力で振り切られて乾燥される。
スピンドライが所定の乾燥時間にわたって行われると、スピンチャック３の回転が停止される。その後、処理済の基板Ｗが搬送ロボットによって処理室２から搬出される。

以上により、第１実施形態によれば、分岐配管１６内を流通している水に軟Ｘ線が照射されることにより、多量の負電荷（電子）と多量の正電荷（正イオン）とが混在するプラズマ状態が、水の電荷授受部分Ｄ１に形成される。
一方、分岐配管１６の内部が水配管１５の吐出口１４と連通しており、とくに、水供給処理（Ｓ４）中には、バルブ２０，２１が開かれており、かつ水配管１５内および分岐配管１６内で水が液密状態にある。加えて、基板Ｗに接液する水の液膜６０と吐出口１４とが水で繋がっている。これにより、水の電荷授受部分Ｄ１と水の液膜６０とが、水を介して繋がっている。

ここで仮に、基板Ｗが正に帯電したとすると、水の電荷授受部分Ｄ１と基板Ｗとの間の電位差に起因して、水の電荷授受部分Ｄ１の負電荷（電子）が、基板Ｗに接液している水の液膜６０に向けて、液状に繋がっている水を伝って移動する。この移動してきた負電荷（電子）が基板Ｗの正の帯電を打消し、基板Ｗの帯電を防止しまたは抑制するように働く。

そのため、回転状態の基板Ｗに水が供給されても、水との接触分離による基板Ｗの帯電を生じない。したがって、リンス処理時における基板Ｗの帯電を防止できる。また、リンス処理前から基板Ｗが帯電していても、その基板Ｗに帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。その結果、基板Ｗの帯電に起因するデバイス破壊を防止できる。
また、軟Ｘ線の照射によって水（ＤＩＷ）の液性は変化しないので、炭酸水等の酸性の処理液を用いて基板Ｗを処理する場合とは異なり、基板Ｗ上のデバイスに悪影響を与えるおそれがない。

また、排出口２３から吐出される水は、液滴状に滴下する。この場合、排出口２３が周辺部材と水を介して繋がることがない。そのため、水の電荷授受部分Ｄ１に発生した電荷が排出口２３から漏洩することを防止できる。これにより、水の電荷発生部分Ｄ１に発生した電荷を、基板Ｗに接液している水の液膜６０との間の電荷のやり取りのだけのために効率良く用いることができる。これにより、帯電防止効率または除電効率を向上させることができる。

また、分岐配管１６を通った水は廃棄されるのであるが、排出口２３から吐出される水の流量が小さいので、廃棄される水（捨て水）の量の低減を図ることができる。
図６Ａは、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置２０１の構成を示す図である。
図６Ａにおいて、第１実施形態と共通する部分には、図１〜図５の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。基板処理装置２０１では、第１実施形態に係る水供給ユニット５（図１参照）に代えて、水供給ユニット（処理液供給装置）２０５が設けられている。水供給ユニット２０５が、水供給ユニット５と相違する点は、分岐配管１６に代えて、分岐配管２１６を備える点であり、それ以外の点では、水供給ユニット５と共通している。すなわち、分岐配管２１６には軟Ｘ線照射ユニット１７が取り付けられており、分岐配管２１６の上流側部分（軟Ｘ線照射ユニット１７の取付位置（分岐配管２１６における軟Ｘ線照射ユニット１７に対向する対向位置）２１６Ａよりも上流側の部分）２１６Ｂには、分岐バルブ２０および分岐流量調整バルブ２１が、排出ノズル２２側からこの順に介装されている。

ここで分岐配管２１６の下流側も上流側も全て同じ配管太さだとした場合に、分岐配管２１６の管長および取付位置２１６Ａは、分岐配管２１６の下流側部分（軟Ｘ線照射ユニット１７の取付位置（分岐配管２１６における軟Ｘ線照射ユニット１７に対向する対向位置）２１６Ａよりも下流側の部分）２１６Ｃの管長Ｌ_Ｓ２が、分岐配管２１６の上流側部分（軟Ｘ線照射ユニット１７の取付位置２１６Ａよりも上流側の部分）２１６Ｂの管長Ｌ_Ｓ１と、水配管１５の下流側部分（分岐位置１５Ａよりも下流側の部分）１５Ｂの管長Ｌ_Ｐとの合計よりも、極めて長くなるように（Ｌ_Ｓ２＞＞（Ｌ_Ｓ１＋Ｌ_Ｐ））設定されている。具体的には、図６Ａでは、分岐配管２１６の下流側部分２１６Ｃが、輪状に巻回されてこの部分の長さを長くしている。

基板処理装置２０１においても、図３や図４に示す処理例と同等の処理例が実行される。
このとき、同一の処理液は同一の電気抵抗を有しているので、分岐配管２１６の下流側部分２１６Ｃは配管が長いので電気抵抗も大きくなる。分岐配管２１６の上流側部分２１６Ｂおよび水配管１５の下流側部分１５Ｂの配管長さの和は、前記分岐配管の下流側部分２１６Ｃよりも短いので、分岐配管の下流側部分２１６Ｃの方が電気抵抗が大きくなる。なお、処理液の電気抵抗は、配管径の２乗に反比例し、長さに比例して大きくなるので、分岐配管２１６の下流側部分２１６Ｃの一部または全部でその配管径を細くすることで電気抵抗をさらに大きくすることもできる。具体的には、下流側部分２１６Ｃ全体の配管径を細くすることで電気抵抗を大きくすることができる。またこの配管径を細くすることは捨て水の流量削減にも有効に働く。

分岐配管２１６を流通する水の流量が、水配管１５を流通する水の流量と略同一の場合、図６Ａに示すように、排出ノズル２２の排出口２３から吐出される連続流の水によって、排出口２３と排液パン２４との双方が繋がる。この場合、排液パン２４が金属製であり、かつアース接続されている場合には、軟Ｘ線の照射によって水の電荷授受部分Ｄ１に発生した電荷が、この連続流状の水および排液パン２４を通して排液パン２４側に移動するおそれがある。すなわち、水の電荷授受部分Ｄ１に発生した電荷が、排出口２３側から漏洩する。そのため、水の電荷授受部分Ｄ１に発生した電荷を、基板Ｗとの間での電荷のやり取りのため以外に用いることになり、その結果、帯電防止効率または除電効率が低下するおそれがある。

この第２実施形態によれば、下流側部分２１６Ｃの水の電気抵抗が、分岐配管２１６の上流側部分２１６Ｂおよび水配管１５の下流側部分１５Ｂの水の電気抵抗の和よりも極めて高い。すなわち、取付位置２１６Ａから排出ノズル２２までの水の電気抵抗は、取付位置２１６Ａから水ノズル１３までの水の電気抵抗よりも高いので、軟Ｘ線の照射によって水の電荷授受部分Ｄ１に発生した電荷は、排出口２３側（下流側部分２１６Ｃ）よりも、吐出口１４側（上流側部分２１６Ｂ）に向けて移動するほうが多い。これにより、水の電荷発生授受部分Ｄ１に発生した電荷が排出口２３側から漏洩することを抑制でき、発生した電荷を、基板Ｗとの間での電荷のやり取りのために効率的に用いることができる。これにより、帯電防止効率または除電効率を向上させることができる。

分岐配管２１６の管径が水配管１５と同等であるとして説明したが、図６Ｂに示すように、分岐配管２１６の下流側部分２１６Ｃの管径Ｄ_Ｓ２が、分岐配管２１６の上流側部分２１６Ｂの管径Ｄ_Ｓ１および水配管１５の下流側部分１５Ｂの管径Ｄ_Ｐよりも短く設けられていてもよい。
また、分岐配管２１６の下流側部分２１６Ｃの管径Ｄ_Ｓ２を、分岐配管２１６の上流側部分２１６Ｂの管径Ｄ_Ｓ１および水配管１５の下流側部分１５Ｂの管径Ｄ_Ｐよりも細く短くすることにより、分岐配管２１６の下流側部分２１６Ｃの水の電気抵抗を、分岐配管２１６の上流側部分２１６Ｂおよび水配管１５の下流側部分１５Ｂの水の電気抵抗の総量よりも（極めて）高くすることができれば、分岐配管２１６の下流側部分２１６Ｃの管長Ｌ_Ｓ２、分岐配管２１６の上流側部分２１６Ｂの管長Ｌ_Ｓ１、および水配管１５の下流側部分１５Ｂの管長Ｌ_Ｐは、前述の（Ｌ_Ｓ２＞＞（Ｌ_Ｓ１＋Ｌ_Ｐ））との関係を満たしていなくてもよい。この場合においても、水の電荷授受部分Ｄ１に発生した電荷が排出口２３側から漏洩することを抑制でき、発生した電荷を、基板Ｗとの間での電荷のやり取りのために効率的に用いることができる。これにより、帯電防止効率または除電効率を向上させることができる。

図７は、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置３０１の構成を示す図である。図７において、第１実施形態と共通する部分には、図１〜図５の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。基板処理装置３０１では、第１実施形態に係る水供給ユニット５（図１参照）に代えて、水供給ユニット（処理液供給装置）３０５が設けられている。水供給ユニット３０５が、水供給ユニット５と相違する点は、電荷授受ユニットとして、軟Ｘ線照射ユニット１７（図２参照）に代えて、大気圧プラズマユニット３１７を備える点である。また、分岐配管１６の取付位置１６Ａには、分岐配管１６の管壁に形成された開口（図２の配管側開口１６Ｅに相当）を塞ぐための導電性窓３１８が設けられている。大気圧プラズマユニット３１７の次に述べる放出口３２５は、分岐配管１６の導電性窓３１８に対向する位置に対向する状態で、分岐配管１６に取り付けられている。

大気圧プラズマユニット３１７は、プラズマ発生空間３１９を内部に有するケーシング３２０と、プラズマ発生用の発生電極３２１と、発生電極３２１に対向配置されるＧＮＤ電極３２２と、プラズマ発生空間３１９にガス（例えば空気または窒素と酸素の混合物またはアルゴンと酸素の混合物等）を供給するガス供給ユニット３２３と、発生電極３２１に電圧を印加するための電源（例えば高周波電源）３２４とを含む。

図７に示すように、複数の発生電極３２１と、複数のＧＮＤ電極３２２とが交互に配置されている。ＧＮＤ電極３２２はアースされている。ケーシング３２０の電極３２１，３２２に対向する部分には、プラズマ発生空間３１９を流通したガスを放出するための放出口３２５が形成されている。
ガス供給ユニット３２３は、ガス供給源からのガスをケーシング３２０内に供給するガスバルブ３２６を含む。ガスバルブ３２６が開かれると、ガス供給源からのガスが、プラズマ発生空間３１９に供給される。これにより、ガスは、ケーシング３２０内を流通し、発生電極３２１とＧＮＤ電極３２２との間を流通して、放出口３２５からケーシング３２０外に放出される。

電源３２４による発生電極３２１への印加により、発生電極３２１とＧＮＤ電極３２２との間に電圧が印加されると、発生電極３２１とＧＮＤ電極３２２との間にプラズマが発生する。これにより、大量の正電荷と負電荷とを含むプラズマガス流が、放出口３２５から放出される。放出されたプラズマガス流は、導電性窓３１８に吹き付けられ、これにより、プラズマガス流に含まれる多量の正電荷と負電荷が導電性窓３１８近傍（導電性窓３１８とプラズマ流放出口３２５との間の空間）に存在することになる。導電性窓３１８近傍に存在する多量の正電荷と負電荷は、導電性窓３１８を介して、分岐配管１６の取付位置１６Ａ内に存在している水と対向している形となる。この時、処理対象物に負電荷が発生した場合には、導電性窓３１８との間に生じる電位差で、負電荷が処理液を通じて導電性窓３１８に移動し、導電性窓近傍に存在する多量の正電荷と結合することで、処理対象物の負電荷が吸収される。

また、処理対象物に正電荷が発生した場合には、導電性窓３１８との間に生じる電位差で、導電性窓３１８近傍に大量に存在する負電荷が、導電性窓３１８と処理液を通じて、処理対象物に供給され、正電荷が除去（除電）される。
基板処理装置３０１においても、図３や図４に示す処理例と同等の処理例が実行される。第３実施形態で行われる処理動作は、大気圧プラズマユニット３１７の処理動作を除いて、前述の第１実施形態の場合と同等である。相違する点を中心に、以下、大気圧プラズマユニット３１７の処理動作を説明する。

基板処理装置３０１における水供給処理（Ｓ４）では、分岐バルブ２０の開放とほぼ同時に、制御ユニット４０は、大気圧プラズマユニット３１７（電源３２４）を制御して、大気圧プラズマユニット３１７に多量の正電荷と負電荷を発生させて、プラズマガス流を放出口３２５から導電性窓３１８に向けて吹き付けられる。これにより、取付位置１６Ａを流通している（取付位置１６Ａに存在している）水は、導電性窓３１８を介して多量の正電荷と負電荷が存在している空間と通じることになる。処理対象物が負に帯電している場合は、取付位置１６Ａに流通している水内の電子が導電性窓３１８を介して、導電性窓３１８近傍のプラズマガス流内の正電荷へ向かって移動する。その際、取付位置１６Ａに流通している水に一時的に正電荷が発生する。処理対象物が正に帯電している場合は、導電性窓３１８近傍のプラズマガス流内から、導電性窓３１８を介して取付位置１６Ａに流通している水に電子が移動して、一時的に取付位置１６Ａに流通している水に負電荷が発生する。換言すると、取付位置１６Ａを流通している水（以下、「水の電荷授受部分（処理液の電荷授受部分）Ｄ２」という。）に、多量の正電荷と多量の負電荷が存在している状況と等しくなる。

第１実施形態の場合と同様、水供給処理（Ｓ４）中においては、分岐バルブ２０および分岐流量調整バルブ２１がその開度は小さいものの開かれている。さらに、水供給処理（Ｓ４）中には、水配管１５内および分岐配管１６内で水が液密状態にある。そのため、吐出口１４と、水の電荷授受部分Ｄ２とが、水によって繋がっている。更に、基板Ｗに接液する水の液膜６０と吐出口１４とが水で繋がっている。これにより、水の電荷授受部分Ｄ２と水の液膜６０とが、水を介して繋がっている。

基板Ｗが正に帯電すると、図７に示すように、水の電荷発授受部分Ｄ２と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差に起因して、水の電荷授受部分Ｄ２からの負電荷が、基板Ｗの上面の水の液膜６０に向けて、連続流状の水を伝って移動する。これにより、基板Ｗの正電荷は除去（除電）される。
そのため、回転状態の基板Ｗに水が供給されても、水との接触分離による基板Ｗの帯電を生じない。したがって、リンス処理時における基板Ｗの帯電を防止できる。また、リンス処理前から基板Ｗが帯電していても、その基板Ｗに帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。その結果、基板Ｗの帯電に起因するデバイス破壊を防止できる。

また、プラズマガス流の導電性窓３１８への吹き付けによっては、分岐配管１６内を流通する水（ＤＩＷ）の液性は変化しないので、炭酸水等の酸性の処理液を用いて基板Ｗを処理する場合とは異なり、基板Ｗ上のデバイスに悪影響を与えるおそれがない。
また、プラズマ発生時にも、大気圧プラズマユニット３１７のケーシング３２０は、人が触れる程度の低温（例えば４０℃）である。そのため、大気圧プラズマユニット３１７の取り扱いが容易である。

図８は、本発明の第４実施形態に係る基板処理装置４０１の構成を示す図である。
図８において、第１実施形態と共通する部分には、図１〜図５の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。基板処理装置４０１では、第１実施形態に係る水供給ユニット５（図１参照）に代えて、水供給ユニット（処理液供給装置）４０５が設けられている。水供給ユニット４０５が、水供給ユニット５と相違する点は、電荷授受ユニットとして、軟Ｘ線照射ユニット１７（図２参照）に代えて、コロナ放電ユニット（放電ユニット）４１７を備える点である。また、分岐配管１６の取付位置１６Ａには、分岐配管１６の管壁に形成された開口（図２の配管側開口１６Ｅに相当）を塞ぐための導電性窓４１８が設けられている。導電性窓４１８は、第３の実施形態に係る水供給ユニットの導電性窓３１８と同等の構成である。

コロナ放電ユニット４１７は、放電用の針電極４１９と、針電極４１９に例えば交流電圧を印加するための電源（たとえ交流電源）４２０とを含む。電源４２０による針電極４１９への印加により、針電極４１９周辺にコロナ放電が発生し、針電極４１９近傍の気体が電離する。これにより、コロナ放電ユニット４１７は、電離気体４２１が導電性窓４１８に供給されてこれを覆うようになっている。電離気体４２１には、多量の負電荷（電子と負イオン）と多量の正電荷（正イオン）が含まれている。電離気体４２１が導電性窓４１８に供給されると、これにより、電離気体４２１に含まれる多量の負電荷と多量の正電荷が導電性窓４１８近傍に存在することになる。導電性窓４１８近傍に存在する多量の正電荷と多量の負電荷は、導電性窓４１８を介して、分岐配管１６の取付位置１６Ａ内に存在している水と授受可能な状態で対向している形となる。

仮に、処理対象物に正の電荷が発生した場合には、水ノズル１３から吐出された水および分岐配管１６内の水が処理対象物と導通して、導電性窓４１８との間に生じる電位差で、導電性窓４１８近傍（電離気体４２１）に大量に存在する負電荷が、導電性窓４１８と水を通じて、処理対象物に供給され、正電荷が除去（除電）される。また、逆に、処理対象物に負の電荷が発生した場合には、同様に導電性窓４１８との間に生じる電位差で、負電荷が水を通じて導電性窓４１８に移動し、導電性窓近傍（電離気体４２１）に存在する多量の正電荷と結合することで、処理対象物の負電荷が吸収される。

基板処理装置４０１においても、図３や図４に示す処理例と同等の処理例が実行される。第４実施形態で行われる処理動作は、コロナ放電ユニット４１７の処理動作を除いて、前述の第１実施形態の場合と同等である。相違する点を中心に、以下、コロナ放電ユニット４１７の処理動作を説明する。
基板処理装置４０１における水供給処理（Ｓ４）では、分岐バルブ２０の開放とほぼ同時に、制御ユニット４０は、コロナ放電ユニット４１７（電源４２０）を制御して、電離気体４２１を発生させ、当該電離気体４２１が導電性窓４１８を覆う。これにより、取付位置１６Ａを流通している（取付位置１６Ａに存在している）水は、導電性窓４１８を介して多量の正電荷と多量の負電荷が存在している空間と通じることになる。処理対象物が負に帯電している場合は、取付位置１６Ａに流通している水内の電子が導電性窓４１８を介して、導電性窓４１８近傍の電離気体４２１内の正電荷へ向かって移動する。その際、取付位置１６Ａに流通している水に一時的に正電荷が発生する。処理対象物が正に帯電している場合は、導電性窓４１８近傍の電離気体４２１内から、導電性窓４１８を介して取付位置１６Ａに流通している水に電子が移動して、一時的に取付位置１６Ａに流通している水に負電荷が発生する。換言すると、取付位置１６Ａを流通している水（以下、「水の電荷授受部分（処理液の電荷授受部分）Ｄ３」という。）に、多量の正電荷と多量の負電荷が存在している状況と等しくなる。

軟Ｘ線照射ユニット１７の場合は、軟Ｘ線が透過できる窓材７１を介して、直接、取付位置１６Ａを流通している水を電離するが、窓材７１が軟Ｘ線を透過させることができない導電性窓３１８、４１８でも、大気圧プラズマユニット３１７、コロナ放電ユニット４１７の場合と同じ原理で、取付位置１６Ａを流通している水に多量の正電荷と負電荷を発生させることができる。

第１実施形態の場合と同様、水供給処理（Ｓ４）中においては、分岐バルブ２０および分岐流量調整バルブ２１がその開度は小さいものの開かれている。さらに、水供給処理（Ｓ４）中には、水配管１５内および分岐配管１６内で水が液密状態にある。そのため、吐出口１４と、水の電荷授受部分Ｄ３とが、水によって繋がっている。更に、基板Ｗに接液する水の液膜６０と吐出口１４とが水で繋がっている。これにより、水の電荷授受部分Ｄ３と水の液膜６０とが、水を介して繋がっている。

基板Ｗが正に帯電すると、図８に示すように、水の電荷授受部分Ｄ３と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差に起因して、水の電荷授受部分Ｄ３からの負電荷が、基板Ｗの上面の水の液膜６０に向けて、連続流状の水を伝って移動する。これにより、基板Ｗの上面の水の液膜６０に負電荷が供給されて正の電荷を除去（除電）する。
そのため、回転状態の基板Ｗに水が供給されても、水との接触分離による基板Ｗの帯電を生じない。したがって、リンス処理時における基板Ｗの帯電を防止できる。また、リンス処理前から基板Ｗが帯電していても、その基板Ｗに帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。その結果、基板Ｗの帯電に起因するデバイス破壊を防止できる。

また、電離気体４２１の導電性窓４１８への吹き付けによっては、分岐配管１６内を流通する水（ＤＩＷ）の液性は変化しないので、炭酸水等の酸性の処理液を用いて基板Ｗを処理する場合とは異なり、基板Ｗ上のデバイスに悪影響を与えるおそれがない。
なお、この第４実施形態の変形例として、導電性窓４１８に対して、コロナ放電ユニット４１７に代えて、交番電圧を印加する交番電圧供給ユニット（図示せず）を接続する構成が考えられる。かかる構成によっても、導電性窓４１８に電荷を供給し、導電性窓４１８を介して、分岐配管１６の取付位置１６Ａ内に存在している水に供給して、基板Ｗを除電することができる。

図９は、本発明の第５実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置５０１の構成を示す図である。
基板処理装置５０１は、例えば、複数枚の基板Ｗに対し、一括して処理液処理（洗浄処理）を施すバッチ式の基板処理装置である。基板処理装置５０１は、処理液を貯留する処理槽５０２と、処理槽５０２に貯留されている処理液に基板Ｗを浸漬させるリフター５０４とを含む。

処理槽５０２は、上向きに開いた上部開口を有する内槽５０７および外槽５０８を含む二重槽構造を有している。内槽５０７は、処理液を貯留し、複数枚の基板Ｗを収容可能に構成されている。外槽５０８は、内槽５０７の上部開口の外側面に設けられており、その上縁の高さが内槽５０７の上縁の高さよりも高く設定されている。外槽５０８から流出した処理液は、ドレイン配管５１９を通って廃液または回収される。

内槽５０７の底壁には排液バルブ５２０が介装されている。排液バルブ５２０は、ピストン（図示しない）が進退移動を行うことによって内槽５０７の底壁の一部を開閉するいわゆるピストンバルブによって構成されている。ピストン（図示しない）の後退により、内槽５０７の底面の一部が離脱して内槽５０７の底面に排液口が形成され、これにより、処理液が急速に排液されるようになっている。すなわち、処理槽５０２はＱＤＲ（クイック・ダンプ・リンス）機能を備えている。内槽５０７の底部から排出された処理液は、廃液装置へと送られ、処理されるようになっている。

リフター５０４は、水平に延びる複数の保持棒５１１を含む。複数枚の基板Ｗは、紙面の奥手前方向に複数枚の基板Ｗを整列した状態で、複数の保持棒５１１によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。
リフター５０４は、昇降機構５２２を含む。昇降機構５２２は、リフター５０４に保持されている基板Ｗが内槽５０７内に位置する処理位置（図９に示す位置）と、リフター５０４に保持されている基板Ｗが内槽５０７の上方に位置する退避位置（図示しない）との間でリフター５０４を昇降させる。したがって、昇降機構５２２によってリフター５０４が処理位置に移動させられることにより、リフター５０４に保持されている複数枚の基板Ｗが処理液に浸漬される。これにより、基板Ｗに対する処理液を用いた処理が施される。

基板処理装置５０１は、さらに、処理槽５０２に処理液としての水を供給するための水供給ユニット５を含む。水供給ユニット５は、第１実施形態に係る水供給ユニット５（図１参照）と同等の構成であるので、図１等の場合と同等の参照符号を付し、説明を省略する。
基板処理装置５０１では、処理槽５０２に水が溜められた後、リフター５０４により基板Ｗが一括して処理槽５０２内に投入される。リフター５０４によって保持されている基板Ｗは、内槽５０７に貯留されている水に浸漬される。この基板浸漬処理では、水供給ユニット５の水ノズル１３からの水の供給が断続的に続行される。

基板浸漬処理に並行して、制御ユニット４０は軟Ｘ線発生器２５（図２参照。高電圧ユニット３１）を制御して、分岐配管１６の取付位置１６Ａの内部に軟Ｘ線を照射させる。これにより、水の電荷授受部分Ｄ１（図５参照）に、多量の負電荷（電子と負イオン）と、多量の正電荷（正イオン）とが混在するプラズマ状態が形成される。
この基板浸漬処理では、水ノズル１３に対する水の供給流量が比較的大流量に設定されており、そのため、吐出口１４から吐出される水の態様が、吐出口１４と、内槽５０７に貯留されている水の液面との双方に繋がる連続流状の態様をなしている。さらに、基板浸漬処理中には、水配管１５内および分岐配管１６内で水が液密状態にある。そのため、吐出口１４と、水の電荷授受部分Ｄ１（図５参照）とが、水によって繋がっている。更に、内槽５０７に貯留されている水の液面と吐出口１４とが水で繋がっている。これにより、水の電荷授受部分Ｄ１と内槽５０７に貯留されている水とが、水を介して繋がっている。

このとき、基板Ｗが正に帯電すると水の電荷授受部分Ｄ１（図５参照）と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、水の電荷授受部分Ｄ１からの負電荷（電子）が、内槽５０７に貯留されている水に向けて、連続流状の水を伝って移動する。これにより、内槽５０７に貯留されている水に多量の負電荷が供給されて正に帯電している基板Ｗが除電される。

以上により、第５実施形態においても、第１実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果を奏する。
図１０は、本発明の第６実施形態に係る処理液処理装置が適用された基板処理装置６０１の構成を示す図である。
第６実施形態において、第５実施形態と共通する部分には、図９の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。第６実施形態に係る基板処理装置６０１が、第５実施形態に係る基板処理装置５０１と相違する点は、複数枚の基板Ｗを一括して保持するカセット６０２ごと複数枚の基板Ｗを処理槽５０２内に浸漬させた点である。図１０では図示していないが、基板処理装置６０１には、リフター５０４（図９参照）や昇降機構５２２（図９参照）などの構成が設けられている。このリフター５０４によって、複数枚の基板Ｗが一括して保持されたカセット６０２が保持され、昇降される。カセット６０２は、例えば、塩ビ(poly-vinyl-chloride)や、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）、ＰＦＡ(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)などの樹脂材料を用いて形成されている。

基板処理装置６０１では、処理槽５０２に水が溜められた後、複数枚の基板Ｗおよびカセット６０２が処理槽５０２内に投入される。その後、第５実施形態で述べたような基板浸漬処理が実行される。
基板浸漬処理中には、水ノズル１３からの水の供給が断続的に続行される。この基板浸漬処理では、水ノズル１３に対する水の供給流量が比較的大流量に設定されており、そのため、吐出口１４から吐出される水の態様が、吐出口１４と、内槽５０７に貯留されている水の液面との双方に繋がる連続流状の態様をなしている。さらに、基板浸漬処理中には、水配管１５内および分岐配管１６内で水が液密状態にある。そのため、吐出口１４と、水の電荷授受部分Ｄ１（図５参照）とが、水によって繋がっている。更に、内槽５０７に貯留されている水の液面と吐出口１４とが水で繋がっている。これにより、水の電荷授受部分Ｄ１と内槽５０７に貯留されている水とが、水を介して繋がっている。

このとき、基板Ｗやカセット６０２が正に帯電すると、水の電荷授受部分Ｄ１と、正に帯電している基板Ｗやカセット６０２との間の電位差に起因して、水の電荷授受部分Ｄ１からの負電荷（電子）が、内槽５０７に貯留されている水に向けて、連続流状の水を伝って移動する。これにより、内槽５０７に貯留されている水に多量の負電荷が供給されて正に帯電している基板Ｗが除電される。

以上により、第６実施形態においても、第１実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果を奏する。
また、水の浸漬処理時におけるカセット６０２の帯電をも防止できる。また、浸漬処理前からカセット６０２が帯電していても、その基板Ｗに帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。

本発明は、角形（シート状）の基板を処理するための基板搬送型の基板処理装置に適用することもできる。
図１１は、本発明の第７実施形態に係る基板処理装置７０１の構成を示す図解的な斜視図である。基板処理装置７０１は、基板Ｗの一例としての角形の液晶表示装置用ガラス基板の表面（処理対象面）を、水等の処理液を用いて洗浄するために用いられる装置である。処理対象となる角形の基板Ｗの一辺の長さは、例えば数十ｃｍ〜３ｍ程度の範囲であり、その板厚は０．０５〜１．２mm程度である。

以下、次に述べる、基板Ｗの搬送方向に沿う水平方向をＸ方向とし、Ｘ方向に直交する水平方向をＹ方向とし、上下方向をＺ方向とする。
基板処理装置７０１は、基板ＷをＸ方向に沿って搬送するためのコロ搬送ユニット７０４（基板保持搬送手段）と、コロ搬送ユニット７０４によって搬送されている基板Ｗの表面に処理液としてのＤＩＷ（水の一例）を供給する水供給ユニット（処理液供給装置）７０５とを含む。

基板処理装置７０１は、基板Ｗの表面に水を供給して、基板Ｗの表面に洗浄処理を施すための洗浄処理室７０２を含む。洗浄処理室７０２内において、コロ搬送ユニット７０４の上方に、水供給ユニット７０５が配置されている。
コロ搬送ユニット７０４は、洗浄処理室７０２の内部空間において、左右方向に延びて配置されている。洗浄処理室７０２の上流側の側壁に形成された基板搬入口７２３から搬入された基板Ｗは、コロ搬送ユニット７０４により、洗浄処理室７０２の内部空間を搬送させられ、洗浄処理室７０２の側壁に形成された基板搬出口７２４から搬出させられる。

基板Ｗは、その表面を上方に向けてコロ搬送ユニット７０４上に載置される。基板ＷをＸ方向に沿って搬送することにより、基板Ｗの表面が、水供給位置Ｐ０において走査され、水により洗浄される。
図１２は、コロ搬送ユニット７０４の構成を示す斜視図である。
コロ搬送ユニット７０４は、搬送コロ７５５が、Ｘ方向にほぼ等ピッチで並設されている。各搬送コロ７５５は、駆動ユニット（図示しない）の駆動により同一方向に同期回転されるようになっている。

各搬送コロ７５５は、Ｘ方向に直交する面（Ｙ−Ｚ面）内で、水平面に対し傾斜したコロ軸７６５を備える。そのため、コロ搬送ユニット７０４により実現される搬送路は、水平面に対して全体的にＹ方向に傾斜している。基板Ｗは、傾斜姿勢を保ちながら搬送される。なお、基板Ｗの水平面に対する傾斜角度α（図１３参照）は、例えば約５°に設定されている。

各搬送コロ７５５は、例えば、コロ軸７６５の左右両側部にコロ軸７６５と同伴回転可能に外嵌された左右一対の側部ローラ７６６と、コロ軸７６５の中央部に設けられた中央ローラ７６７とを含む、いわゆる部分支持型搬送コロである。
個々の各側部ローラ７６６は、外方側部に、側部ローラ７６６と一体的に設けられた鍔部７６６Ａを有している。鍔部７６６Ａは、搬送される基板Ｗの横ずれを防止するとともに、下側の鍔部７６６Ａによって基板Ｗが傾斜面に沿って滑落するのを防止している。また、各ローラ７６６，７６７には、ゴム等からなるＯリング（図示しない）が外嵌されており、このＯリングの滑り止め作用により、基板Ｗの滑落をより確実に防止している。

図１１に示すように、水供給ユニット７０５は、水ノズル７１３を複数（例えば３つ）備える点において、水供給ユニット５（図１等）と相違している。すなわち、水ノズル７１３は、個々の水ノズル７１３に水を供給するための水配管７１５と、個々の水配管７１５の上流端が接続される水集合配管（処理液配管）１５とを含む。水集合配管１５における所定の分岐位置１５Ａから分岐配管１６が分岐している。水集合配管１５には、分岐位置１５Ａの下流側の部分において、水流量調整バルブ７１９および水バルブ７１８が、分岐位置１５Ａ側からこの順に介装されている。水バルブ７１８は、複数の水ノズル７１３からの水の供給／供給停止を切り換える。水流量調整バルブ７１９は、複数の水ノズル７１３から吐出される水の流量を調整する。水集合配管１５は、分岐位置１５Ａよりも下流側で、複数の水配管７１５に分かれている。水供給ユニット７０５は、以上述べた部分を除いて、水供給ユニット５（図１等）と共通の構成を有している。

図１２は、水供給ユニット７０５が基板Ｗに水を供給している状態を示す断面図である。 図１２に示すように、洗浄処理時には、各吐出口７１４から吐出された水は、基板Ｗの上面の水供給位置Ｐ０に供給され、基板Ｗの上面を傾斜面に沿って流れる。これにより、基板Ｗの上面に水の液膜が形成される。また、各水ノズル７１３に対する水の供給流量は、比較的大流量（ガラス基板の大きさや洗浄程度に応じて例えば１〜数十L/min）に設定されている。そのため、各水ノズル７１３の吐出口７１４から吐出される水が、吐出口７１４から吐出される水の態様が、吐出口７１４と基板Ｗの上面の水の液膜との双方に繋がる連続流状をなしている。

また、洗浄処理（水供給ユニット７０５による水の供給）に並行して、制御ユニット４０は軟Ｘ線発生器２５（図２参照。高電圧ユニット３１）を制御して、分岐配管１６の取付位置１６Ａの内部に軟Ｘ線を照射させる。これにより、水の電荷授受部分Ｄ１（図５参照）に、多量の負電荷（電子と負イオン）と、多量の正電荷（正イオン）とが混在するプラズマ状態が形成される。

洗浄処理中には、水集合配管１５内、水配管７１５内および分岐配管１６内で水が液密状態にある。そのため、吐出口７１４と、水の電荷授受部分Ｄ１（図５参照）とが、水によって繋がっている。更に、内槽５０７に貯留されている水の液面と吐出口７１４とが水で繋がっている。これにより、水の電荷授受部分Ｄ１と基板Ｗの上面の水とが、水を介して繋がっている。

このとき、基板Ｗが正に帯電すると水の電荷授受部分Ｄ１（図５参照）と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、水の電荷授受部分Ｄ１からの負電荷（電子）が、基板Ｗ上の水に向けて、連続流状の水を伝って移動する。これにより、基板Ｗ上の水に負電荷が供給されて、正に帯電している基板Ｗが除電される。
以上により、第７実施形態においても、第１実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果を奏する。

本発明は、基板Ｗ以外を処理対象物とする処理装置にも適用できる。以下、処理対象物を基板収容器（収容器）８０２とする物品洗浄装置８０１を例に挙げて説明する。
図１４は、本発明の第８実施形態に係る処理液供給装置が適用された物品洗浄装置８０１の構成を示す図である。物品洗浄装置８０１は、例えば基板収容器８０２を処理対象物とし、基板収容器８０２を、処理液（洗浄液）を用いて洗浄するための装置である。図１５は、図１４に示す基板収容器８０２の構成を示す斜視図である。

物品洗浄装置８０１は、処理槽５０２に基板収容器８０２を浸漬させることにより、当該基板収容器８０２を洗浄する。図１４に示すように、物品洗浄装置８０１の概略構成は、第５および第６実施形態に係る基板処理装置５０１，６０１の構成と同等であるので、第８実施形態において、第５および第６実施形態と共通する部分には、図９や図１０の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。

図１５に示すように、基板収容器８０２は、基板Ｗを密閉した状態で収容する容器である。基板収容器８０２の一例として、ＦＯＳＢ（Front Opening Shipping Box）を挙げることができる。ＦＯＳＢは、専ら、半導体ウエハメーカから半導体装置メーカに、基板Ｗを納入するために用いられる。ＦＯＳＢは、未処理の複数枚の基板Ｗを収容し、これらの基板Ｗの清浄度を維持しつつ、基板Ｗへの損傷を防止する。

基板収容器８０２は、側方に開口８０３Ａを有する有底箱状の収容器本体８０３と、収容器本体８０３の開口８０３Ａを開閉するための蓋８０４と、収容器本体８０３の内壁に取り付けられた多段の収容器支持棚８０６と、蓋８０４に取り付けられた多段の蓋支持棚８０５とを含む。開口８０３Ａを介して収容器本体８０３の内部に対し、基板Ｗの出し入れが行われる。収容器本体８０３および蓋８０４は、それぞれ、例えば塩ビ(poly-vinyl-chloride)等の樹脂材料を用いて形成されている。

物品洗浄装置８０１では、基板収容器８０２（収容器本体８０３）が処理槽５０２内に投入された後、処理槽５０２に処理液（水）が溜められる。これにより、基板収容器８０２が処理液（水）に浸漬され、このような浸漬処理が予め定める期間の間、断続的に続行されることにより基板収容器８０２が洗浄される。
基板浸漬処理に並行して、制御ユニット４０は軟Ｘ線発生器２５（図２参照。高電圧ユニット３１）を制御して、分岐配管１６の取付位置１６Ａの内部に軟Ｘ線を照射させる。これにより、水の電荷授受部分Ｄ１（図５参照）に、多量の負電荷（電子と負イオン）と、多量の正電荷（正イオン）とが混在するプラズマ状態が形成される。

この浸漬処理では、水ノズル１３に対する水の供給流量が比較的大流量に設定されており、そのため、吐出口１４から吐出される水の態様が、吐出口１４と、内槽５０７に貯留されている水の液面との双方に繋がる連続流状の態様をなしている。さらに、基板浸漬処理中には、水配管１５内および分岐配管１６内で水が液密状態にある。そのため、吐出口１４と、水の電荷発生部分Ｄ１（図５参照）とが、水によって繋がっている。更に、内槽５０７に貯留されている水の液面と吐出口１４とが水で繋がっている。これにより、水の電荷授受部分Ｄ１と内槽５０７に貯留されている水とが、水を介して繋がっている。

このとき、基板収容器８０２が正に帯電すると、水の電荷授受部分Ｄ１（図５参照）と、正に帯電している基板収容器８０２との間の電位差で、水の電荷授受部分Ｄ１からの負電荷（電子）が、内槽５０７に貯留されている水に向けて、連続流状の水に負電荷が供給されて、正に帯電している基板収容器８０２（収容器本体８０３）が除電される。
また、基板収容器８０２の材質によっては、基板収容器８０２が負に帯電することも考えられるが、この場合、基板収容器８０２上の負電荷（電子）が、水の電荷授受部分Ｄ１（図５参照）との間に生じる電位差で、水を通じて電荷授受部分Ｄ１に移動し、電荷授受部分Ｄ１に存在する多量の正電荷と結合することで、基板収容器８０２の負電荷が除去（除電）される。

以上により、浸漬処理時における基板収容器８０２の帯電を防止できる。また、浸漬処理前から基板収容器８０２が帯電していても、その基板収容器８０２に帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。
図１６は、本発明の第９実施形態に係る処理液供給装置が適用された物品洗浄装置９０１の構成を示す図である。

物品洗浄装置９０１は、基板収容器８０２の収容器本体８０３を載置するための載置台９０７を含む。物品洗浄装置９０１は、また、基板収容器８０２に対して洗浄液の一例としての水を供給する水供給ユニット５を備えている。水供給ユニット５は、第１実施形態に係る水供給ユニット５（図１参照）と同等の構成を採用している。そのため、図１６には、第１実施形態の場合と同一の参照符号を付し、説明を省略する。

水供給ユニット５の水ノズル１３は、載置台９０７に載置された収容器本体８０３の上方で、その吐出口１４を下方に向けて配置されている。
洗浄処理では、水供給ユニット５から基板収容器８０２の収容器本体８０３の外壁に対して水が供給される。具体的には、水バルブ１８が開かれ、水配管１５を流通する水が水ノズル１３に供給される。これにより、水ノズル１３の吐出口１４から、収容器本体８０３の外壁の上面に向けて下向きに水が吐出される。

収容器本体８０３の外壁の上方の側面に供給された水は、傾斜面からなる当該上方の側面および底面を伝って流下する。これにより、収容器本体８０３の外壁に水の液膜９０２が形成される。この液膜９０２によって、収容器本体８０３の外壁に付着している汚れやゴミなどが洗い流される。
また、洗浄処理（水供給ユニット５による水の供給）に並行して、制御ユニット４０は軟Ｘ線発生器２５（図２参照。高電圧ユニット３１）を制御して、分岐配管１６の取付位置１６Ａの内部に軟Ｘ線を照射させる。これにより、水の電荷授受部分Ｄ１（図５参照）に、多量の負電荷（電子と負イオン）と、多量の正電荷（正イオン）とが混在するプラズマ状態が形成される。

洗浄処理中には、水配管１５内および分岐配管１６内で水が液密状態にある。そのため、吐出口１４と、水の電荷授受部分Ｄ１（図５参照）とが、水によって繋がっている。更に、収容器本体８０３の外壁に形成されている水の液膜９０２と吐出口１４とが水で繋がっている。これにより、水の電荷授受部分Ｄ１と水の液膜９０２とが、水を介して繋がっている。

収容器本体８０３の外壁が正に帯電しているとすると、水の電荷授受部分Ｄ１と、正に帯電している収容器本体８０３の外壁との間の電位差に起因して、水の電荷授受部分Ｄ１からの負電荷（電子）が、収容器本体８０３の外壁に接液している水の液膜に向けて、連続流状の水を伝って移動する。これにより、収容器本体８０３の外壁に接液している水に負電荷が供給されて、正の電荷を除去（除電）できる。

また、基板収容器８０２の材質によっては、基板収容器８０２が負に帯電することも考えられるが、この場合、基板収容器８０２上の負電荷（電子）が、水の電荷授受部分Ｄ１（図５参照）との間に生じる電位差で、処理液を通じて電荷授受部分Ｄ１に移動し、電荷授受手段Ｄ１に存在する多量の正電荷と結合することで、基板収容器８０２の負電荷が除去（除電）される。

以上により、第９実施形態によれば、洗浄処理時における収容器本体８０３の帯電を防止できる。また、洗浄処理前から収容器本体８０３が帯電していても、その収容器本体８０３に帯びた電荷を除去（すなわち、除電）できる。
なお、第８および第９実施形態では、基板収容器８０２のうち収容器本体８０３を洗浄する場合を例に挙げて説明したが、蓋８０４や、支持棚８０５，８０６を洗浄する場合にも、同様に洗浄方法を採用することにより、蓋８０４や支持棚８０５，８０６の除電を図りつつ、蓋８０４や支持棚８０５，８０６に洗浄処理を施すことができる。

また、基板収容器８０２として、ＦＯＳＢを例に挙げて説明したが、専ら、半導体ウエハメーカの工場内で基板Ｗを搬送するために用いられ、基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を挙げることもできる。その他、基板収容器８０２として、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッドや、ＯＣ（Open Cassette）等の他の形態の基板収容器を例示することもできる。

また、収容器は、基板Ｗを収容するものに限られず、ＣＤ、ＤＶＤ、ブルーディスク等の円盤状のメディアを収容するメディア収容器や、レンズ、ミラー、回折格子等の光学部品を収容する部品収容器を処理対象とすることができる。
図１７は、他の形態に係る基板処理装置１００１の構成を示す図である。
基板処理装置１００１が、第１実施形態と相違する点は、水供給ユニット５（図１参照）に代えて、水供給ユニット（処理液供給装置）１００５を設けた点である。水供給ユニット１００５が水供給ユニット５と相違する点は、軟Ｘ線照射ユニット１７を設けないようにした点である。また、排液パン１０２４が金属材料を用いて形成されており、排液パン１０２４がアース線１０２５に、抵抗値１ＭΩ程度の電流制限抵抗１０２６を介して接続されている。それ以外の点においては、水供給ユニット５と共通している。図１７において、第１実施形態と共通する部分には、図１〜図５の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。

基板処理装置１００１においても、図３や図４に示す処理例と同等の処理例が実行される。
水供給処理（Ｓ４）では、制御ユニット４０（図１参照）は、バルブ１８を開いて、水ノズル１３の吐出口１４から水を吐出する。またこの水バルブ１８の開放よりも若干早く（例えば数秒程度）、制御ユニット４０は、分岐バルブ２０を開く。これにより、水配管１５を流通する水が、分岐位置１５Ａから分岐配管１６内へと流入し、分岐配管１６内を流通する。分岐配管１６内を流通した水は、排出ノズル２２の排出口２３から吐出される。

水供給処理（Ｓ４）中における、水ノズル１３に対する水の供給流量は、比較的大流量（例えば０．５〜２．０L/min）に設定されている。基板Ｗの上面に供給された水は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの周縁部に向けて流れる（基板Ｗの全域へと拡がる）。これにより、基板Ｗの上面に、当該上面の全域に接液する（当該上面の全域を覆う）水の液膜（図５に示す水の液膜６０と同等）が形成される。水の液膜によって、基板Ｗの上面に付着している薬液が洗い流される。

水ノズル１３に対する水の供給流量が比較的大流量に設定されているので、吐出口１４から吐出される水の態様が、吐出口１４と基板Ｗの上面の水の液膜との双方に繋がる連続流状をなしている。換言すると、水流量調整バルブ１９の開度は、吐出口１４から吐出される水の態様が、吐出口１４と基板Ｗの上面の水の液膜との双方に繋がる連続流状となるように設定されている。

排出ノズル２２の排出口２３から吐出された水は、排液パン１０２４によって受け止められる。水供給処理（Ｓ４）中における、排出ノズル２２に対する水の供給流量は、比較的大流量（例えば０．５〜２．０L/min）に設定されている。そのため、排出ノズル２２の排出口２３から吐出される水の態様が、排出口２３と排液パン１０２４との双方に繋がる連続流状をなしている。

水供給処理（Ｓ４）中においては、分岐バルブ２０および分岐流量調整バルブ２１が、開かれている。さらに、水供給処理（Ｓ４）中には、水配管１５内および分岐配管１６内で水が液密状態にある。そのため、吐出口１４と、アース接続されている排液パン１０２４とが水によって繋がっている。
基板Ｗが正に帯電すると、アースされている排液パン１０２４と、正に帯電している基板Ｗとの間の電位差で、アースから電子が供給されて、アース線１０２５、電流制限抵抗１０２６、排液パン１０２４および連続流状の水を伝って基板Ｗに移動する。これにより、基板Ｗが除電または帯電防止される。このとき、分岐配管１６内の水を流れる電流を制限するための電流制限抵抗１０２６がない場合には、高帯電した基板から低電位の処理液に瞬間的に大電流が流れて高エネルギーの放電が起こり基板Ｗにダメージを与える虞があるが、電流制限抵抗１０２６があることによりかかる不具合を防止できる。なお、基板Ｗ表面からアース線１０２５までの処理液の電気抵抗が１ＭΩ程度以上となる条件のもとでは、この処理液が電流制限抵抗１０２６の機能を果たすので電流制限抵抗１０２６は不要ともいえるが、その場合でも電流制限抵抗１０２６が設けられていても接地効果への影響はほとんどなく、上記条件を満たさない場合に備えて電流制限抵抗１０２６を設けておくことが好ましい。

この形態において、分岐配管１６の分岐バルブ２０よりも下流側の部分（少なくとも先端部分）を導電性チューブにより構成し、かつ当該導電性チューブをアース接続するようにしてもよい。この場合には、導電性の排液パン１０２４の構成を省略可能である。
また、この他の形態において、図１７に二点鎖線で示すように、分岐配管１６の途中部に、パージガス（窒素やエア等）を供給するためのガス配管１０１０が接続されていてもよい。ガス配管１０１０には、ガス配管１０１０を開閉するためのガスバルブ１０１１が介装されている。水配管１５からの水の吐出停止後に、ガスバルブ１０１１を開いて、分岐配管１６の分岐バルブ２０よりも下流側の部分にパージガスを流通させることにより、当該部分に水の液滴が付着するのを防止できる。これにより、排出口２３からの水のぼた落ちを確実に抑制できる。

また、水ノズル１３から水の供給停止時には、分岐バルブ２０が閉じられており、分岐配管１６が閉塞されているのである。万が一、分岐バルブ２０が故障して分岐バルブ２０が開状態のままとなった場合には、分岐配管１６に水が垂れ流しになるおそれがある。この場合、排出ノズル２２の排出口２３から吐出される連続流の水によって、排出口２３と排液パン１０２４との双方が繋がることも考えられるが、この場合、排液パン１０２４が金属製であるために、水や基板Ｗに、金属汚染が発生するおそれがある。しかしながら、このような場合に、ガスバルブ１０１１が開かれて、分岐配管１６の分岐バルブ２０よりも下流側の部分にパージガスを流通させることにより、排出口２３から吐出される水に液切れが生じ、当該水が連続流状でなく、液滴状をなすようになる。これにより、前記のような金属汚染の懸念を解消できる。

以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。
例えば、水供給ユニット５，３０５，４０５，７０５では、分岐配管１６の水の流量を、分岐流量調整バルブ２１を用いて排出口２３から吐出される処理液が連続流にならないような小流量に調整したが、排出口２３に連続流を吐出しないような（例えば液滴流のみを吐出する）構成が採用されており、この構成により、排出口２３から吐出される処理液が連続流にならないようにされていてもよい。この場合には、分岐流量調整バルブ２１を省略した構成であってもよい。

また、吐出口１４，７１４から吐出される処理液が連続流になるように、水配管１５の水の流量を水流量調整バルブ１９を用いて調整する場合を例に挙げて説明したが、吐出口１４，７１４から連続流をなす流量で水が吐出されるのであれば、水流量調整バルブ１９を省略した構成であってもよい。
第２実施形態に係る発明を、第３実施形態に係る発明や、第４実施形態に係る発明と組み合わせて使用することができる。すなわち、第３実施形態に係る水供給ユニット３０５および第４実施形態に係る水供給ユニット４０５において、分岐配管１６に代えて、分岐配管２１６を設けることができる。

また、第５、第６、第８および第９実施形態において、基板処理装置や物品洗浄装置が水供給ユニット５を備える場合を例に挙げて説明したが、水供給ユニット５に代えて、水供給ユニット２０５，３０５，４０５，７０５を設けるようにしてもよい。
また、第７実施形態において、基板処理装置７０１が水供給ユニット７０５を備える場合を例に挙げて説明したが、水供給ユニット７０５に代えて、水供給ユニット５，２０５，３０５，４０５を設けるようにしてもよい。

また、処理液としての水は、ＤＩＷに限らず、電解イオン水、水素水、オゾン溶存水のいずれかを、水として採用することもできる。この場合、体積抵抗率が１０^１０Ωｃｍ以下であることが除電性能の面から好ましい。なお、ＤＩＷの体積抵抗率の理論値は１.８×１０^７Ωｃｍであり、好ましい範囲に含まれる。
また、処理液は、水に限られず薬液（希釈薬液）であってもよい。この場合、薬液としては、所定濃度に希釈されたフッ酸、BHF（Buffered HF）、ＡＰＭ（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）、アンモニア水、ＨＰＭ（hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：塩酸過酸化水素水混合液）、アルコール、有機溶剤等を用いることができる。

なお、基板Ｗとして、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板を例に挙げて説明したが、基板Ｗにはその他に、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、OLED（有機エレクトロルミネッセンス）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。また、基板の材質としては、シリコンやガラスの他、ＳｉＣ、石英、サファイヤ、プラスチック、セラミック等を例示することができる。

また以上の変形例は任意に組み合わせて実施してもよく、その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

１ 基板処理装置
３ スピンチャック（基板保持回転手段）
５ 水供給ユニット（処理液供給装置）
１３ 処理液ノズル
１４ 吐出口
１５ 処理液配管 （水配管）
１５Ａ 分岐位置
１５Ｂ 下流側部分（分岐配管の分岐位置よりも下流側の部分）
１６ 分岐配管
１７ 軟Ｘ線照射ユニット
１９ 水流量調整バルブ（第１の流量調整ユニット）
２１ 分岐流量調整バルブ（第２の流量調整ユニット）
２３ 排出口
４０ 制御ユニット（吐出制御ユニット、排出制御ユニット）
７１ 窓部材（導電性窓）
２０１ 基板処理装置
２０５ 水供給ユニット（処理液供給装置）
２１６ 分岐配管
２１６Ａ 取付位置（対向位置）
２１６Ｂ 上流側部分（分岐配管における対向位置よりも上流側の部分）
２１６Ｃ 下流側部分（分岐配管における対向位置よりも下流側の部分）
３０１ 基板処理装置
３０５ 水供給ユニット（処理液供給装置）
３１７ 大気圧プラズマユニット
３１８ 導電性窓
４０１ 基板処理装置
４０５ 水供給ユニット（処理液供給装置）
４１７ コロナ放電ユニット（放電ユニット）
４１８ 導電性窓
５０１ 基板処理装置
５０２ 処理槽
６０１ 基板処理装置
７０１ 基板処理装置
７０４ コロ搬送ユニット（基板保持搬送手段）
７０５ 水供給ユニット（処理液供給装置）
７１３ 処理液ノズル
７１４ 吐出口
８０２ 基板収容器（処理対象物）
Ｗ 基板（処理対象物）

Claims (13)

1. 処理対象物に対し処理液を吐出する吐出口を有する処理液ノズルと、
   前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液配管と、
   前記処理液配管から分岐する分岐配管と、
   前記分岐配管に対向して配置され、前記分岐配管の内部に存在する処理液と導電性窓を介して電子を授受する電荷授受ユニットとを含む、処理液供給装置。
2. 前記吐出口から吐出される処理液は、当該処理液が前記吐出口と前記処理対象物との双方に繋がる連続流状をなすような流量に設定されている、請求項１に記載の処理液供給装置。
3. 前記分岐配管は、排出口を有し、前記分岐配管を流通する処理液を排出する排出用配管を含む、請求項１または２に記載の処理液供給装置。
4. 前記排出口から吐出される処理液は、当該処理液が連続流にならないような小流量に設定されている、請求項３に記載の処理液供給装置。
5. 前記処理液配管および前記分岐配管は、前記分岐配管における、前記電荷授受ユニットに対向する対向位置よりも下流側の部分に含まれる処理液の電気抵抗値が、前記分岐配管における前記対向位置よりも上流側の部分の電気抵抗値、および前記処理液配管における、前記分岐配管の分岐位置よりも下流側の部分の電気抵抗値の和よりも大きく設定されている請求項３または４に記載の処理液供給装置。
6. 前記電荷授受ユニットは、前記分岐配管内に存在する処理液にＸ線を照射するＸ線照射ユニットを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
7. 前記電荷授受ユニットは、大気圧環境下でプラズマガスを放出する大気圧プラズマユニットを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
8. 前記電荷授受ユニットは、放電を発生させ、その電離気体を供給する放電ユニットを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
9. 基板を保持する基板保持手段と、請求項１〜８のいずれか一項に記載の処理液供給装置とを含み、前記吐出口から吐出された処理液を、前記基板保持手段に保持されている前記基板の主面に供給する、基板処理装置。
10. 処理液を貯留し、その処理液中に処理対象物を浸漬させる処理槽と、請求項１〜８のいずれか一項に記載の処理液供給装置とを含み、前記吐出口から吐出された処理液が前記処理槽に貯留される、基板処理装置。
11. 処理液供給装置の処理液ノズルの吐出口から処理液を吐出させ、この処理液を処理対象物に供給する処理液供給方法であって、
    前記吐出口を、前記処理対象物に対向して配置する対向配置工程と、
    前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液配管から分岐する分岐配管の内部に存在する処理液と、電荷授受ユニットにより電荷を授受させる電荷授受工程と、
    前記電荷授受工程と並行して、前記吐出口から処理液を吐出させる処理液吐出工程とを含み、前記処理液吐出工程では、前記吐出口と前記処理対象物との間で処理液が液状に繋がっている、処理液供給方法。
12. 前記処理液吐出工程では、前記吐出口から吐出される処理液が、当該吐出口と前記処理対象物との双方に繋がる連続流状をなしている、請求項１１に記載の処理液供給方法。
13. 処理液供給装置から供給される処理液を用いて基板の主面を処理する基板処理方法であって、
    吐出口を、基板保持手段に保持されている前記基板の主面に対向して配置する対向配置工程と、
    前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液配管から分岐する分岐配管の内部に存在する処理液と、電荷授受ユニットにより電荷を授受させる電荷授受工程と、
    前記電荷授受工程と並行して、前記吐出口から処理液を吐出させる処理液吐出工程とを含み、
    前記処理液吐出工程では、前記吐出口と前記基板の主面との間で処理液が液状に繋がっている、基板処理方法。

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