JPS6047400A - 溶液帯電除去装置 - Google Patents
溶液帯電除去装置Info
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- JPS6047400A JPS6047400A JP15456883A JP15456883A JPS6047400A JP S6047400 A JPS6047400 A JP S6047400A JP 15456883 A JP15456883 A JP 15456883A JP 15456883 A JP15456883 A JP 15456883A JP S6047400 A JPS6047400 A JP S6047400A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は浴液又は液滴の静電気ｊ１）電除去装置に関す
る。
る。
近年手導体基体に搭載ブる集ｄイ回路は、該半導体基体
表面の微細加工技術の進展と共［、高集積化が進み、大
容量、高速のＶＬＳＩの実現をみるに致っているが、今
後共、ホトリングラフィ技術を含む斯くなる半導体基体
表面の微細加工技術の研穿・開うれは、集積回路の更な
る高集積化にとり必要なものとなっている。更に又、斯
くなる微細加工技術（Ｃ−駆使して形成するＶＬＳＩＶ
Ｃ於いては、該ｖ１・Ｓｌ製造工程の清浄化が必要とさ
れる。これは、ＶＬＳＩを構成する個々ｑ）素子寸法が
微細化されるた＾゛）に、位かの汚染又は微粒子の素子
への付着が。
表面の微細加工技術の進展と共［、高集積化が進み、大
容量、高速のＶＬＳＩの実現をみるに致っているが、今
後共、ホトリングラフィ技術を含む斯くなる半導体基体
表面の微細加工技術の研穿・開うれは、集積回路の更な
る高集積化にとり必要なものとなっている。更に又、斯
くなる微細加工技術（Ｃ−駆使して形成するＶＬＳＩＶ
Ｃ於いては、該ｖ１・Ｓｌ製造工程の清浄化が必要とさ
れる。これは、ＶＬＳＩを構成する個々ｑ）素子寸法が
微細化されるた＾゛）に、位かの汚染又は微粒子の素子
への付着が。
該νＬ８＋の′Ｆ〒性劣化又は、良品夛留低下全引き起
こす、［うに乙：るためである。このために、製造工程
Ｑ）環イ１例えｄ：、空気、純水薬品液性・の清浄化技
術σ（ＩＪト究・開発も今佼益々乗要となってくる。
こす、［うに乙：るためである。このために、製造工程
Ｑ）環イ１例えｄ：、空気、純水薬品液性・の清浄化技
術σ（ＩＪト究・開発も今佼益々乗要となってくる。
」−かしここで、上記気体、液体、固体等の清浄１ヒＶ
〆−伴い、取り扱う材料に静電気帯市が生起し易く４つ
一、ｈ ＜る。これは、版体と固体、固体と固体等の接
触又ｔ：Ｉ：摩擦で生じる静電気が、該、液体又１７Ｊ
：［−・：体Ｃ’）清浄化に伴う低電気伝導化で動きに
くくなり該ｒ＋Ｖ ７本又は固体（（帯電し易くなるこ
とによる。
〆−伴い、取り扱う材料に静電気帯市が生起し易く４つ
一、ｈ ＜る。これは、版体と固体、固体と固体等の接
触又ｔ：Ｉ：摩擦で生じる静電気が、該、液体又１７Ｊ
：［−・：体Ｃ’）清浄化に伴う低電気伝導化で動きに
くくなり該ｒ＋Ｖ ７本又は固体（（帯電し易くなるこ
とによる。
斯くなン、液体、固体の静電気帯電は、前６ピＶｌ、Ｓ
ｉＫ悪い影響ケおよほす。例えば、 ｉ４ｕ水、薬品等
の静礼１気帝箪ば、半纏体基体表■ｊに形成した集積回
路剖品１例えば、電気容量を構成する薄い絶縁膜■絶に
減破壊等を引き起し高品質の乗積ｌｌ路の形成全困難Ｇ
てする。斯くなる静′市気帝′１↓ｉによる障害は。
ｉＫ悪い影響ケおよほす。例えば、 ｉ４ｕ水、薬品等
の静礼１気帝箪ば、半纏体基体表■ｊに形成した集積回
路剖品１例えば、電気容量を構成する薄い絶縁膜■絶に
減破壊等を引き起し高品質の乗積ｌｌ路の形成全困難Ｇ
てする。斯くなる静′市気帝′１↓ｉによる障害は。
該集積回路の筒集積化の進行と共ｔｉｃ工り顕在化して
くるものである。なぜなら茜集積化に伴い、素子寸法は
より微Ｉｌ狙化し、使用する薄）漠のノＶさは。
くるものである。なぜなら茜集積化に伴い、素子寸法は
より微Ｉｌ狙化し、使用する薄）漠のノＶさは。
より薄くなり、静電気帯電によりＬｆ≧響さね易くなる
ためである。
ためである。
不発ＩＪ４は、かかる静電気帯電時に浴液への静Ｍｆ気
帯電除去装置を提供し高品質のＶＬＳＩの製造全容易に
せんとするものである。こび）ために不発明に於いてＣ
」：、浴液の流出口に正文？Ｊ負のイオンθ」へ。
帯電除去装置を提供し高品質のＶＬＳＩの製造全容易に
せんとするものである。こび）ために不発明に於いてＣ
」：、浴液の流出口に正文？Ｊ負のイオンθ」へ。
又は、高電圧源を設け、該イオン源又は高電圧源から発
生した正又は負のイオンを、帯’（ｉ’ｉ、した溶液を
１１鴫口するよつに該暦仮に照射する。斯くして純水又
は薬品溶液等は中和され、該ｓＷダ内での半導体基体０
し洗浄時生じ易い該半導体基体σ〕苗・電気イ）７軍は
除去される。
生した正又は負のイオンを、帯’（ｉ’ｉ、した溶液を
１１鴫口するよつに該暦仮に照射する。斯くして純水又
は薬品溶液等は中和され、該ｓＷダ内での半導体基体０
し洗浄時生じ易い該半導体基体σ〕苗・電気イ）７軍は
除去される。
不発明に次Ｑ厘氷な知見にもとすく。即ちに第１図に示
す如く、溶ｌＫ用配管１０１２通って流れる溶液１０２
中には、該配管内壁１０３と浴液１（）２Ｖ接触又は摩
擦から生じた電荷１０４が入り込み、該配管１０１に該
電荷１０４と逆符号の電荷１０５全残す、ここで一般に
配管１ （１１はどこかで、接地１（）６がなされてい
るため、・該逆電荷１０５は接Ｊ１１．１．葡通して配
肯から離脱する。しかし該溶液に？ｉ）宜した電荷１０
４は、溶液の電気伝導性が清浄化と共Ｋ（氏７′ｊ″る
ためその１ま該溶液１０２がら離脱することなくその−
１，を液中に残留する。斯くし′Ｃ１！１体と液体の接
触で液体への静電気帯電が生じ乙。仁こで、不発明は、
該静電気帯電した電荷と逆ｔ０；（の・１′オン全該溶
液１０２に照射し溶液全′市気的に中旬する力広全とる
。ここで、該浴液の静１１Ｆ、気帯電（ま、配管１０１
の材質及び浴液１０２の（・（（類史に＆、１ 、溶液
１０２の流出速度に依存するの−にｔ１−等１／）禾件
に合わせて、該溶液１０２全中和する工うイオン種、イ
オン址全決めて照射する。
す如く、溶ｌＫ用配管１０１２通って流れる溶液１０２
中には、該配管内壁１０３と浴液１（）２Ｖ接触又は摩
擦から生じた電荷１０４が入り込み、該配管１０１に該
電荷１０４と逆符号の電荷１０５全残す、ここで一般に
配管１ （１１はどこかで、接地１（）６がなされてい
るため、・該逆電荷１０５は接Ｊ１１．１．葡通して配
肯から離脱する。しかし該溶液に？ｉ）宜した電荷１０
４は、溶液の電気伝導性が清浄化と共Ｋ（氏７′ｊ″る
ためその１ま該溶液１０２がら離脱することなくその−
１，を液中に残留する。斯くし′Ｃ１！１体と液体の接
触で液体への静電気帯電が生じ乙。仁こで、不発明は、
該静電気帯電した電荷と逆ｔ０；（の・１′オン全該溶
液１０２に照射し溶液全′市気的に中旬する力広全とる
。ここで、該浴液の静１１Ｆ、気帯電（ま、配管１０１
の材質及び浴液１０２の（・（（類史に＆、１ 、溶液
１０２の流出速度に依存するの−にｔ１−等１／）禾件
に合わせて、該溶液１０２全中和する工うイオン種、イ
オン址全決めて照射する。
とＶ（実施例で以って本発明の詳Ａ、ｌｌｌな説明を行
う。
う。
第２ 、 ’、：’ｉ’＝ ３ ｉ’ＪＦｊ：、２つの
本発明適用例を示す。以ＩＳ羊この２例＋（（つき１１
と明する。第２図は、半導体基体等の央積回路製造時に
必央とされる拐料物賀の洗浄に不発明全適用したもので
ある。溶液洗浄槽２０］内の被洗浄物質の多持台２０２
上に被洗浄物質２０３葡取り付けた後、洗浄用配管２０
４全通（〜て洗浄、鷺２０５を該浴１代洗浄槽２０１内
に導入する時、該洗浄液２０５全ノズル２０６全通して
磁状洗浄液２０７にして被洗浄物質２０３にふりかける
と共に、イオン源又は＋ｌＩ’ｂｌポ圧霜―源２０８を
該ノズル口の直下部に設け％溶液２０５の静電気會中第
１１するようにする。
本発明適用例を示す。以ＩＳ羊この２例＋（（つき１１
と明する。第２図は、半導体基体等の央積回路製造時に
必央とされる拐料物賀の洗浄に不発明全適用したもので
ある。溶液洗浄槽２０］内の被洗浄物質の多持台２０２
上に被洗浄物質２０３葡取り付けた後、洗浄用配管２０
４全通（〜て洗浄、鷺２０５を該浴１代洗浄槽２０１内
に導入する時、該洗浄液２０５全ノズル２０６全通して
磁状洗浄液２０７にして被洗浄物質２０３にふりかける
と共に、イオン源又は＋ｌＩ’ｂｌポ圧霜―源２０８を
該ノズル口の直下部に設け％溶液２０５の静電気會中第
１１するようにする。
ここで、配管２０４がステンレス製の金属で洗浄８！ｉ
、２０５が純水の時は純水は負に帯電し易いので正のイ
オン全イオン源又は高電圧′市原２０８．１：、０川（
水中に照射する。又は、配管２０４がポリエチレン、塩
化ビニル等のＱ＋分子でｔｆｌ’成されている場合は、
純水は正に帯電し２易いので、負イオンを該イオン源か
らひきだし純水全中４［１する。斯くすることで洗浄時
に生じ易い被洗浄物質２０３の静電気帯電は、減少する
。尚ここで排出口２０９は洗浄液の廃棄に使用する。
、２０５が純水の時は純水は負に帯電し易いので正のイ
オン全イオン源又は高電圧′市原２０８．１：、０川（
水中に照射する。又は、配管２０４がポリエチレン、塩
化ビニル等のＱ＋分子でｔｆｌ’成されている場合は、
純水は正に帯電し２易いので、負イオンを該イオン源か
らひきだし純水全中４［１する。斯くすることで洗浄時
に生じ易い被洗浄物質２０３の静電気帯電は、減少する
。尚ここで排出口２０９は洗浄液の廃棄に使用する。
第；つ図は、半導体基体表面上にホトレジスト液を塗布
する時生じる静電気帯電の除去方法を示すも（１）であ
る。回転軸３０１を有する支持台３０２上ｔ（半！Ｊ誉
体基体３０３全貢仝吸着して取りイ」けた後；ｊトレジ
入ト液配管３０４全通して該半導体基体１１０３表面に
ホトレジス）ｉ３０５を塗布する１１な、正又は負のイ
オン源３０６を通して、ホトレジスト、夜：（（１５に
弗）ｔｌた静′低気會中オ［１するように一１′Ａンを
該ホトレジスト液に照射する。ここでイソン独り選択は
、ホトレジスト液配管の材質及び・Ｉ； ｌ−レ／ス１
欣によってきまる。これは第１り災ｈ１１３例で述べた
如＜ ）４１ｉ くなるそれぞれの材質で弗軍気の符号
が異ってくるためである。尚ここで遮Ｖ＆４ｋ ３０７
は、該ホトレジスト液の塗布時飛敵する一し１（ポトレ
ジスト液會除去するためのものである・
する時生じる静電気帯電の除去方法を示すも（１）であ
る。回転軸３０１を有する支持台３０２上ｔ（半！Ｊ誉
体基体３０３全貢仝吸着して取りイ」けた後；ｊトレジ
入ト液配管３０４全通して該半導体基体１１０３表面に
ホトレジス）ｉ３０５を塗布する１１な、正又は負のイ
オン源３０６を通して、ホトレジスト、夜：（（１５に
弗）ｔｌた静′低気會中オ［１するように一１′Ａンを
該ホトレジスト液に照射する。ここでイソン独り選択は
、ホトレジスト液配管の材質及び・Ｉ； ｌ−レ／ス１
欣によってきまる。これは第１り災ｈ１１３例で述べた
如＜ ）４１ｉ くなるそれぞれの材質で弗軍気の符号
が異ってくるためである。尚ここで遮Ｖ＆４ｋ ３０７
は、該ホトレジスト液の塗布時飛敵する一し１（ポトレ
ジスト液會除去するためのものである・
藁１図は溶液と同体接触で生じる溶液の静電気帯’ｆｉ
Ｉの様子を示す図面であり、＠２図、第３図はネジ１〕
ゆ」の適用実施例を示す図面である。 −４８１− 伯３図
Ｉの様子を示す図面であり、＠２図、第３図はネジ１〕
ゆ」の適用実施例を示す図面である。 −４８１− 伯３図
Claims (1)
- 溶液全導入する配管又は、溶液全大気中に排用するノズ
ル口の少くとも一部に正、負のイオン全発生するイオン
源が設けられ、該イオン源よりイオンが該浴液中に、照
射できる工うＶこなっていることを特徴とした溶液帯電
除去装置−０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15456883A JPS6047400A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 溶液帯電除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15456883A JPS6047400A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 溶液帯電除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047400A true JPS6047400A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15587078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15456883A Pending JPS6047400A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 溶液帯電除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047400A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07201785A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | ウェット処理方法及び処理装置 |
| WO2014050941A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 処理液供給装置、基板処理装置、処理液供給方法、基板処理方法、処理液処理装置および処理液処理方法 |
| JP2014082472A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-05-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液処理装置および処理液処理方法 |
| CN104662644A (zh) * | 2012-09-27 | 2015-05-27 | 斯克林集团公司 | 处理液供给装置及方法、处理液及基板处理装置及方法 |
| JP2015204384A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 処理液供給装置、基板処理装置、処理液供給方法および基板処理方法 |
| JP2016136590A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、液体除去方法および記憶媒体 |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP15456883A patent/JPS6047400A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07201785A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | ウェット処理方法及び処理装置 |
| WO2014050941A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 処理液供給装置、基板処理装置、処理液供給方法、基板処理方法、処理液処理装置および処理液処理方法 |
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| US10133173B2 (en) | 2012-09-27 | 2018-11-20 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Processing fluid supply device, substrate processing device, processing fluid supply method, substrate processing method, processing fluid processing device, and processing fluid processing method |
| US10761422B2 (en) | 2012-09-27 | 2020-09-01 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Processing fluid supply device, substrate processing device, processing fluid supply method, substrate processing method, processing fluid processing device, and processing fluid processing method |
| JP2015204384A (ja) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 処理液供給装置、基板処理装置、処理液供給方法および基板処理方法 |
| JP2016136590A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、液体除去方法および記憶媒体 |
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