JP2015215536A

JP2015215536A - 電気光学装置および電子機器

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Publication number: JP2015215536A
Application number: JP2014099307A
Authority: JP
Inventors: 剛裕浅利; Tsunahiro Asari
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2014-05-13
Filing date: 2014-05-13
Publication date: 2015-12-03

Abstract

【課題】電気光学層の光劣化を防止しつつ、シール材を効率よく硬化させることのできる電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０において画素電極９ａや素子基板側配向膜１６を構成するためのＩＴＯ膜および酸化シリコン膜によって、素子基板１０において、波長３５０ｎｍにおける透過率を電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高くする。このため、素子基板１０を介してシール材１０７にＵＶ光を照射した際、シール材１０７にＵＶ光が効率よく届く。また、電気光学層５０に紫外域あるいは近紫外域の光が照射されるのを抑制することができるので、電気光学層５０に用いた液晶分子がＵＶ光によって劣化しにくい。また、対向基板２０でも、波長３５０ｎｍにおける透過率を電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高くする。
【選択図】図３

Description

本発明は、表示領域の外側のシール領域で第１基板と第２基板とがＵＶ硬化性のシール材でシールされた電気光学装置および電子機器に関するものである。

透過型液晶装置や反射型液晶装置等の電気光学装置において、電気光学層が設けられた表示領域の外側で第１基板と第２基板とがＵＶ硬化性のシール材でシールされた構造とする場合、第１基板と第２基板の間に電気光学層を設けた状態で、第１基板および第２基板の少なくとも一方の基板を介してシール材にＵＶ光を照射してシール材を硬化させる（特許文献１、２参照）。また、第１基板と第２基板とを第１シール材で貼り合わせた後、第１シール材の注入口から液晶材料を真空注入する方式を採用した場合でも、液晶を注入した後、注入口にＵＶ硬化性の第２シール材を塗布し、その後、第２シール材にＵＶ光を照射して第２シール材を硬化させる。その際、シール材に直接ＵＶ光を照射するとともに、第１基板および第２基板の少なくとも一方の基板を介して第２シール材にＵＶ光を照射して第２シール材を硬化させる。一方、表示領域と外周領域とにおいて構成を相違させた電気光学装置が提案されている（特許文献３、４参照）。

特開２０１０−７８９３９号公報特開２０１１−２２１４３３号公報特開２０１２−１６８３４７号公報特開２０１１−１４５５３５号公報

特許文献１、２等に記載された電気光学装置において、明るい表示を行う場合には、第１基板あるいは第２基板における透過率が高いことが好ましい。また、シール材を効率よく効果させるには、第１基板あるいは第２基板のＵＶ光に対する透過率が高いことが好ましい。しかしながら、電気光学層にＵＶ光が照射されると、電気光学層に用いた液晶材料が光劣化してイオン性不純物が発生し、表示品位が低下することがある。従って、シール材にＵＶ光を照射する際、表示領域をカットフィルターで覆う等の対策が行われるが、そのような場合でも、電気光学層にＵＶ光が照射されることを完全に防止することは困難である。一方、特許文献３、４には、表示領域と外周領域とにおいて構成を相違させた電気光学装置が提案されている。しかしながら、特許文献３に記載の構成は、第１基板側において対向基板側との間隔を領域によって相違させたものであり、かかる構成は、セルギャップを調整することを目的としており、上記問題点を解消することはできない。また、特許文献４に記載の構成は、表示領域と外周領域とにおいて配向膜の厚さを相違させているが、かかる構成では、シール領域への配向膜の侵入を防止することを目的としており、上記問題点を解消することはできない。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電気光学層の光劣化を防止しつつ、シール材を効率よく硬化させることのできる電気光学装置および電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置されたＵＶ硬化性のシール材と、を有し、前記第１基板は、平面視で前記電気光学層と重なる領域である電気光学層配置領域と、平面視で前記シール材と重なる領域であるシール領域と、を備え、前記第１基板の前記シール領域は、波長３５０ｎｍにおける透過率が前記電気光学層配置領域より高い透過率であることを特徴とする。

本発明において、第１基板は、透過率の波長分散特性において、波長３５０ｎｍにおける透過率がシール領域で高いため、第１基板を介してシール材にＵＶ光を照射した際、シール材にＵＶ光が効率よく届く。従って、シール材を効率よく硬化させることができる。また、第１基板は、電気光学層配置領域の波長３５０ｎｍにおける透過率が低いため、第１基板を介してシール材にＵＶ光を照射した際、電気光学層に紫外域あるいは近紫外域の光が照射されるのを抑制することができる。それ故、電気光学層がＵＶ光によって劣化しにくい。

本発明において、前記第１基板の前記電気光学層配置領域は、波長５００ｎｍにおける透過率が前記シール領域より高い透過率であることが好ましい。かかる構成によれば、第１基板の電気光学層配置領域では、紫外域あるいは近紫外域の透過率を低下させたが、可視域の透過率が高いので、第１基板において光源光あるいは変調光を透過させて表示を行う際、明るい表示を行うことができる。

本発明において、前記第１基板は、前記第２基板側の面の前記電気光学層配置領域に、透光性の第１導電膜と、前記第１導電膜とは異なる屈折率である透光性の第１絶縁膜と、が形成され、前記第１基板は、前記第２基板側の面の前記シール領域に、前記第１導電膜と同一材料からなる透光性の第２導電膜と、前記第１絶縁膜と同一材料からなる透光性の第２絶縁膜と、が形成され、前記第１導電膜の膜厚と前記第２導電膜の膜厚、および前記第１絶縁膜の膜厚と前記第２絶縁膜の膜厚のうち、少なくとも一方は、異なる膜厚である構成を採用することができる。かかる構成によれば、第１基板に形成された透光性の導電膜および透光性の絶縁膜によって、第１基板の領域毎の透過率の波長分散特性を適正化することができる。

本発明において、前記第１導電膜の膜厚と前記第１絶縁膜の膜厚との和と、前記第２導電膜の膜厚と前記第２絶縁膜の膜厚との和とが等しいことが好ましい。かかる構成によれば、電気光学物質層配置領域とシール領域との間に、上記の導電膜および絶縁膜に起因する余計な段差の発生を抑制することができる。

本発明において、前記第１導電膜および前記第２導電膜はＩＴＯ膜からなり、前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜は酸化シリコン膜からなることが好ましい。かかる構成によれば、上記の導電膜および絶縁膜が透光性を有し、かつ、屈折率の差を有するので、第１基板の領域毎の透過率の波長分散特性を適正化するのに適している。

本発明において、前記第２基板の平面視で前記シール領域と重なる領域は、波長３５０ｎｍにおける透過率が前記第２基板の平面視で前記電気光学層配置領域と重なる領域より高い透過率であることが好ましい。かかる構成によれば、第２基板を介してもシール材にＵＶ光を照射した際、シール材にＵＶ光が効率よく届くので、シール材を効率よく硬化させることができる。また、第２基板を介しても、シール材にＵＶ光を照射した際、電気光学層に紫外域あるいは近紫外域の光が照射されるのを抑制することができるので、電気光学層がＵＶ光によって劣化しにくい。

本発明において、前記第２基板の平面視で前記電気光学層配置領域と重なる領域は、波長５００ｎｍにおける透過率が前記第２基板の平面視で前記シール領域より高い透過率であることが好ましい。かかる構成によれば、第２基板の電気光学層配置領域では、紫外域あるいは近紫外域の透過率を低下させたが、可視域の透過率が高いので、第２基板において光源光あるいは変調光を透過させて表示を行う際、明るい表示を行うことができる。

本発明において、前記第２基板は、前記第１基板側の面の前記電気光学層配置領域と重なる領域に、透光性の第３導電膜と、前記第３導電膜とは異なる屈折率である透光性の第３絶縁膜と、が形成され、前記第２基板は、前記第１基板側の面の前記シール領域と重なる領域に、前記第３導電膜と同一材料からなる透光性の第４導電膜と、前記第３絶縁膜と同一材料からなる透光性の第４絶縁膜と、が形成され、前記第３導電膜の膜厚と前記第４導電膜の膜厚、および前記第３絶縁膜の膜厚と前記第４絶縁膜の膜厚のうち、少なくとも一方は、異なる膜厚である構成を採用することができる。かかる構成によれば、第２基板に形成された透光性の導電膜および透光性の絶縁膜によって、第２基板の領域毎の透過率の波長分散特性を適正化することができる。

本発明において、前記第３導電膜の膜厚と前記第３絶縁膜の膜厚との和と、前記第４導電膜の膜厚と前記第４絶縁膜の膜厚との和とが等しいことが好ましい。かかる構成によれば、電気光学物質層配置領域とシール領域との間に、上記の導電膜および絶縁膜に起因する余計な段差の発生を抑制することができる。

本発明において、前記第３導電膜および前記第４導電膜はＩＴＯ膜からなり、前記第３絶縁膜および前記第４絶縁膜は酸化シリコン膜からなることが好ましい。かかる構成によれば、上記の導電膜および絶縁膜が透光性を有し、かつ、屈折率の差を有するので、第２基板の領域毎の透過率の波長分散特性を適正化するのに適している。

本発明において、前記電気光学層は、液晶層である場合に適用すると効果的である。液晶層の場合には特に、紫外域あるいは近紫外域の光によって劣化しやすいが、本発明によれば、かかる劣化を抑制することができる。

本発明に係る電気光学装置は、投射型表示装置や直視型表示装置等、各種の電子機器に用いることができる。

本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの一態様を示す説明図である。本発明を適用した電気光学装置の画素の一態様を示す説明図である。本発明を適用した電気光学装置における素子基板および対向基板の構成例１を模式的に示す説明図である。図３に示す素子基板および対向基板の透過率の波長分散特性を示す説明図である。本発明を適用した電気光学装置における素子基板および対向基板の構成例２を模式的に示す説明図である。図５に示す素子基板および対向基板の透過率の波長分散特性を示す説明図である。本発明の変形例に係る電気光学装置の液晶パネルの一態様を示す説明図である。本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

また、以下の説明では、電気光学装置として透過型の液晶装置を中心に説明する。従って、以下に説明する「素子基板１０」が本発明の「第１基板」に相当し、「対向基板２０」が本発明の「第２基板」に相当する。

（電気光学装置の全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの一態様を示す説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。

図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００は、液晶装置であり、液晶パネル１００ｐを有している。電気光学装置１００では、第１基板としての素子基板１０と、第２基板としての対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされている。本形態において、シール材１０７は、対向基板２０の外縁に沿って無端形状に枠状に設けられており、対向基板２０は、シール材１０７によって全周にわたって素子基板１０との間がシールされている。シール材１０７は、ＵＶ硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、液晶層からなる電気光学層５０が設けられている。

従って、素子基板１０において、シール材１０７で囲まれた領域が電気光学層配置領域１０ｄであり、電気光学層配置領域１０ｄと素子基板１０の端部１０ｆ〜１０ｉとの間において、シール材１０７が配置された領域がシール領域１０ｅである。

本形態において、電気光学層５０（液晶層）には、ビフェニル系液晶材料、フェニルシクロヘキサン系液晶材料、シクロヘキサン系液晶材料、フェニルピリジミン系液晶材料、エステル系液晶材料、ジオキサン系液晶材料等が用いられている。ここで、電気光学層５０では、上記の液晶材料を単独で用いることがある他、駆動電圧の低下、耐熱性、粘度等に関して要求される性能を満たすために複数の液晶材料をブレンドして用いることがある。

本形態の電気光学装置１００において、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０は、Ｙ方向（第２方向）で対向する２つの端部１０ｆ、１０ｉと、Ｘ方向（第１方向）で対向する２つの端部１０ｇ、１０ｈとを備えている。電気光学装置１００において、電気光学層配置領域１０ｄの略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられており、表示領域１０ａの外側は、表示に直接寄与しない四角枠状の外周領域１０ｃになっている。

素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０においてＹ軸方向の一方側に位置する端部１０ｉに沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この端部１０ｉに隣接する他の端部１０ｇ、１０ｈの各々に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。

図２等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａには、画素電極９ａや、画素スイッチング素子がマトリクス状に配列されている。従って、表示領域１０ａは、画素電極９ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域として構成されている。かかる構成の素子基板１０において、画素電極９ａの上層側には素子基板側配向膜１６が形成されている。なお、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。

対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素に跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。

対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には対向基板側配向膜２６が積層されている。遮光層２９は、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。

電気光学装置１００において、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、共通電位Ｖcomが印加されている。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられているが、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられている。

本形態において、電気光学装置１００が透過型の液晶装置である場合、画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側から出射される間に変調されて画像を表示する。また、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。

本形態では、電気光学装置１００が透過型の液晶装置として構成されており、画素電極９ａおよび共通電極２１は、いずれもＩＴＯ膜（透光性導電膜）からなる。

（画素の具体的構成）
図２は、本発明を適用した電気光学装置１００の画素の一態様を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、および電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図２（ａ）では、各層を以下の線
下層側遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ａ＝太い一点鎖線
上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図２（ａ）では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。

図２（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素の各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ方向に延在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向に延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素スイッチング素子３０が形成されており、本形態において、画素スイッチング素子３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ａが形成されており、かかる容量線５ａには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素スイッチング素子３０の上層側には上層側遮光層７ａが形成されており、かかる上層側遮光層７ａは、データ線６ａおよび走査線３ａに重なるように延在している。画素スイッチング素子３０の下層側には下層側遮光層８ａが形成されており、かかる下層側遮光層８ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａと重なるように延在している。

図２（ｂ）に示すように、素子基板１０は、基板本体が石英基板やガラス基板等の透光性基板１０ｗからなり、透光性基板１０ｗの電気光学層５０側の面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）には、以下に説明する画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素スイッチング素子３０、および素子基板側配向膜１６等が構成されている。また、対向基板２０の基板本体は、石英基板やガラス基板等の透光性基板２０ｗからなり、透光性基板２０ｗの電気光学層５０側の面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）には、以下に説明する遮光層２９、共通電極２１、および対向基板側配向膜２６等が構成されている。

素子基板１０において、透光性基板１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側遮光層８ａが形成されている。本形態において、下層側遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、タングステン、窒化チタン等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素スイッチング素子３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、下層側遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｂと下層側遮光層８ａを導通させた構成とする。本形態において、下層側遮光層８ａは、タングステンシリサイドからなる。

透光性基板１０ｗの一方面１０ｓ側において、下層側遮光層８ａの上層側には、シリコン酸化膜からなる透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素スイッチング素子３０が形成されている。画素スイッチング素子３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｂとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｂは走査線３ａの一部からなる。画素スイッチング素子３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素スイッチング素子３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。

半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｂおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｂは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。

ゲート電極３ｂの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。

ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ａが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ａは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ａは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構成している。

容量線５ａの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。

データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。上層側遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、上層側遮光層７ａを容量線５ａと導通させて、シールド層として利用してもよい。

上層側遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側にはＩＴＯ膜等からなる画素電極９ａが形成されている。層間絶縁膜４５には、層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。

画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや無機配向膜からなる透光性の素子基板側配向膜１６が形成されている。本形態において、素子基板側配向膜１６は、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。

（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の透光性基板２０ｗ（透光性基板）の電気光学層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる透光性の対向基板側配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、対向基板側配向膜２６は、素子基板側配向膜１６と同様、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる素子基板側配向膜１６および対向基板側配向膜２６は、電気光学層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_X）の斜方蒸着膜が用いられている。

本形態では、素子基板側配向膜１６および対向基板側配向膜２６は、酸化シリコン（ＳｉＯ_X（ｘ＜２））の斜方蒸着膜からなる。

（電気光学装置の製造方法）
このように構成した電気光学装置１００の製造方法においては、例えば、素子基板１０や対向基板２０は、大型のマザー基板の状態で上記の電極や絶縁膜等が形成される。そして、基板間に電気光学層５０を保持した状態にシール材１０７によって貼り合わされた後、所定サイズに切断される。また、素子基板１０や対向基板２０が大型のマザー基板の状態で上記の電極や絶縁膜等が形成した後、対向基板２０については単品サイズに切断し、その後、基板間に電気光学層５０を保持した状態にシール材１０７によって貼り合わされることもある。

いずれの場合も、本形態では、液晶滴下法を採用する。具体的には、まず、素子基板１０の側にシール１０７を枠状に形成した後、シール材１０７の内側に液晶材料を滴下する。次に、対向基板２０を重ねて、液晶材料を展開させる。しかる後に、シール材１０７にＵＶ光を照射してシール材１０７を硬化させる。本形態では、素子基板１０の側からシール材１０７にＵＶ光を照射するとともに、対向基板２０の側からもシール材１０７にＵＶ光を照射して、シール材１０７を硬化させる。

かかる製造方法に対応して、素子基板１０および対向基板２０は、図３〜図６を参照して説明する構成を有している。

（素子基板１０および対向基板２０の構成例１）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１００における素子基板１０および対向基板２０の構成例１を模式的に示す説明図であり、図３では、画素電極９ａ、共通電極２１、素子基板側配向膜１６、対向基板側配向膜２６のみを図示し、他の膜の図示を省略してある。図４は、図３に示す素子基板１０および対向基板２０の透過率の波長分散特性を示す説明図であり、透光性基板にＩＴＯ膜と酸化シリコン膜を積層した場合の透過率の波長分散特性のシミュレーション結果である。なお、図４では、実線Ｌ１０ｄによって電気光学層配置領域１０ｄの透過率の波長分散特性を示し、破線Ｌ１０ｅによってシール領域１０ｅの透過率の波長分散特性を示してある。

図３に示すように、本形態では、素子基板１０の一方面１０ｓに、ＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成され、画素電極９ａに対して対向基板２０の側に酸化シリコン膜からなる素子基板側配向膜１６が形成されていることから、ＩＴＯ膜を所定の膜厚をもって、素子基板１０の電気光学層配置領域１０ｄおよびシール領域１０ｅに形成することにより、第１基板１０の透過率の波長分散特性において、波長３５０ｎｍにおける透過率を電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高くしてある。

より具体的には、素子基板１０の一方面１０ｓ側には、電気光学層配置領域１０ｄに、画素電極９ａおよび素子基板側配向膜１６が形成されていることから、まず、画素電極９ａを透光性の第１導電膜９ｄとして形成し、シール領域１０ｅには、ＩＴＯ膜からなる透光性の第２導電膜９ｅを形成する。また、素子基板側配向膜１６は、第１導電膜９ｄ（画素電極９ａ）および第２導電膜９ｅの双方に重なるように形成し、素子基板側配向膜１６のうち、電気光学層配置領域１０ｄに形成されている部分を透光性の第１絶縁膜１６ｄとする一方、シール領域１０ｅに形成されている部分を透光性の第２絶縁膜１６ｅとする。

ここで、第１導電膜９ｄ（画素電極９ａ）および第２導電膜９ｅを構成するＩＴＯ膜と、素子基板側配向膜１６（第１絶縁膜１６ｄおよび第２絶縁膜１６ｅ）を構成する酸化シリコン膜とは屈折率が相違することから、第１導電膜９ｄ、第２導電膜９ｅ、第１絶縁膜１６ｄおよび第２絶縁膜１６ｅの膜厚を、例えば、以下の条件に設定し、波長３５０ｎｍにおける透過率を電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高くしてある。また、電気光学層配置領域１０ｄでの緑色光（波長５００〜５７０ｎｍ）に対する透過率をできるだけ高め、青色光（波長４３０〜５００ｎｍ）に対する透過率をできるだけ低くしてある。
電気光学層配置領域１０ｄ
第１導電膜９ｄ（ＩＴＯ膜）の膜厚ｔ９ｄ＝１４０ｎｍ
第１絶縁膜１６ｄ（酸化シリコン膜）の膜厚ｔ１６ｄ＝１００ｎｍ
シール領域１０ｅ
第２導電膜９ｅ（ＩＴＯ膜）の膜厚ｔ９ｅ＝１４０ｎｍ
第２絶縁膜１６ｅ（酸化シリコン膜）の膜厚ｔ１６ｅ＝７０ｎｍ

その結果、素子基板１０の電気光学層配置領域１０ｄの透過率の波長分散特性は、図４に実線Ｌ１０ｄで示す結果となり、素子基板１０のシール領域１０ｅの透過率の波長分散特性は、図４に破線Ｌ１０ｅに示す結果となる。これらの結果を比較すればわかるように、波長３５０ｎｍにおける透過率は、電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高い。また、波長５００ｎｍにおける透過率は、シール領域１０ｅより電気光学層配置領域１０ｄで高い。かかる構成は、ＩＴＯ膜や酸化シリコン膜を蒸着により形成する途中、膜厚を薄くすべき領域を成膜途中にマスクで覆う等の方法で実現することができる。

同様に、図３に示すように、対向基板２０の一方面２０ｓ側には、平面視で電気光学層配置領域１０ｄと重なる領域に、共通電極２１および対向基板側配向膜２６が形成されていることから、以下の構成とする。まず、共通電極２１のうち、電気光学層配置領域１０ｄと平面視で重なる領域に形成されている部分を透光性の第３導電膜２１ｄとする一方、シール領域１０ｅと平面視で重なる領域に形成されている部分を透光性の第４導電膜２１ｅとする。また、対向基板側配向膜２６のうち、電気光学層配置領域１０ｄと平面視で重なる領域に形成されている部分を透光性の第３絶縁膜２６ｄとする一方、シール領域１０ｅと平面視で重なる領域に形成されている部分を透光性の第４絶縁膜２６ｅとする。

また、第３導電膜２１ｄ、第４導電膜２１ｅ、第３絶縁膜２６ｄおよび第４絶縁膜２６ｅの膜厚を、素子基板１０と同様、例えば、以下の条件に設定し、波長３５０ｎｍにおける透過率を電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高くしてある。
電気光学層配置領域１０ｄ
第３導電膜２１ｄ（ＩＴＯ膜）の膜厚ｔ２１ｄ＝１４０ｎｍ
第３絶縁膜２６ｄ（酸化シリコン膜）の膜厚ｔ２６ｄ＝１００ｎｍ
シール領域１０ｅ
第４導電膜２１ｅ（ＩＴＯ膜）の膜厚ｔ２１ｅ＝１４０ｎｍ
第４絶縁膜２６ｅ（酸化シリコン膜）の膜厚ｔ２６ｅ＝７０ｎｍ

その結果、対向基板２０の電気光学層配置領域１０ｄの透過率の波長分散特性は、図４に実線Ｌ１０ｄで示す結果となり、対向基板２０のシール領域１０ｅの透過率の波長分散特性は、図４に破線Ｌ１０ｅで示す結果となる。これらの結果を比較すればわかるように、波長３５０ｎｍにおける透過率は、電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高い。また、波長５００ｎｍにおける透過率は、シール領域１０ｅより電気光学層配置領域１０ｄで高い。かかる構成は、ＩＴＯ膜や酸化シリコン膜を蒸着やスパッタ等により形成する途中、膜厚を薄くすべき領域を成膜途中にマスクで覆う方法や、形成後にエッチングによって薄くする方法等で実現することができる。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、素子基板１０において、波長３５０ｎｍにおける透過率は、電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高い。このため、図３に矢印ＵＶ１で示すように、素子基板１０を介してシール材１０７にＵＶ光を照射した際、シール材１０７にＵＶ光が効率よく届く。また、対向基板２０においても、素子基板１０と同様、波長３５０ｎｍにおける透過率は、電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高い。このため、図３に矢印ＵＶ２で示すように、対向基板２０を介してシール材１０７にＵＶ光を照射した際、シール材１０７にＵＶ光が効率よく届く。従って、シール材１０７を効率よく硬化させることができる。

また、素子基板１０は、電気光学層配置領域１０ｄの波長３５０ｎｍにおける透過率が低いため、素子基板１０を介してシール材１０７にＵＶ光を照射した際、電気光学層５０に紫外域あるいは近紫外域の光が照射されるのを抑制することができる。同様に、対向基板２０は、電気光学層配置領域１０ｄの波長３５０ｎｍにおける透過率が低いため、対向基板２０を介してシール材１０７にＵＶ光を照射した際、電気光学層５０に紫外域あるいは近紫外域の光が照射されるのを抑制することができる。従って、電気光学層５０に用いた液晶分子がＵＶ光によって劣化しにくい。このため、液晶分子が劣化してイオン性不純物が発生する等という事態が発生しにくいので、イオン性不純物に起因する焼き付き等の画像品位の劣化が発生しにくい。

また、素子基板１０および対向基板２０のいずれにおいても、波長５００ｎｍにおける透過率がシール領域１０ｅより電気光学層配置領域１０ｄで高い。すなわち、素子基板１０および対向基板２０の電気光学層配置領域１０ｄでは、紫外域あるいは近紫外域の透過率を低下させたが、可視域の透過率が高い。従って、素子基板１０および対向基板２０において光源光あるいは変調光を透過させて表示を行う際、明るい表示を行うことができる。

また、素子基板１０において画素電極９ａや素子基板側配向膜１６を構成するためのＩＴＯ膜および酸化シリコン膜によって、素子基板１０の領域毎の透過率の波長分散特性を適正化するため、構成の簡素化を図ることができる。また、対向基板２０において共通電極２１や対向基板側配向膜２６を構成するためのＩＴＯ膜および酸化シリコン膜によって、対向基板２０の領域毎の透過率の波長分散特性を適正化するため、構成の簡素化を図ることができる。

（素子基板１０および対向基板２０の構成例２）
図５は、本発明を適用した電気光学装置１００における素子基板１０および対向基板２０の構成例２を模式的に示す説明図であり、図５では、画素電極９ａ、共通電極２１、素子基板側配向膜１６、対向基板側配向膜２６のみを図示し、他の膜の図示を省略してある。図６は、図５に示す素子基板１０および対向基板２０の透過率の波長分散特性を示す説明図であり、透光性基板にＩＴＯ膜と酸化シリコン膜を積層した場合の透過率の波長分散特性のシミュレーション結果である。なお、図６では、実線Ｌ１０ｄによって電気光学層配置領域１０ｄの透過率の波長分散特性を示し、破線Ｌ１０ｅによってシール領域１０ｅの透過率の波長分散特性を示してある。

図５に示すように、本形態では、第１導電膜９ｄ、第２導電膜９ｅ、第１絶縁膜１６ｄおよび第２絶縁膜１６ｅの膜厚を、例えば、以下の条件に設定し、波長３５０ｎｍにおける透過率を電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高くしてある。また、電気光学層配置領域１０ｄでの緑色光（波長５００〜５７０ｎｍ）に対する透過率をできるだけ高め、青色光（波長４３０〜５００ｎｍ）に対する透過率をできるだけ低くしてある。
電気光学層配置領域１０ｄ
第１導電膜９ｄ（ＩＴＯ膜）の膜厚ｔ９ｄ＝１２０ｎｍ
第１絶縁膜１６ｄ（酸化シリコン膜）の膜厚ｔ１６ｄ＝９０ｎｍ
シール領域１０ｅ
第２導電膜９ｅ（ＩＴＯ膜）の膜厚ｔ９ｅ＝７０ｎｍ
第２絶縁膜１６ｅ（酸化シリコン膜）の膜厚ｔ１６ｅ＝１４０ｎｍ

その結果、素子基板１０の電気光学層配置領域１０ｄの透過率の波長分散特性は、図６に実線Ｌ１０ｄで示す結果となり、素子基板１０のシール領域１０ｅの透過率の波長分散特性は、図６に破線Ｌ１０ｅで示す結果となる。これらの結果を比較すればわかるように、波長３５０ｎｍにおける透過率は、電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高い。また、波長５００ｎｍにおける透過率は、シール領域１０ｅより電気光学層配置領域１０ｄで高い。

同様に、図５に示すように、第３導電膜２１ｄ、第４導電膜２１ｅ、第３絶縁膜２６ｄおよび第４絶縁膜２６ｅの膜厚を、素子基板１０と同様、例えば、以下の条件に設定し、波長３５０ｎｍにおける透過率を電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高くしてある。
電気光学層配置領域１０ｄ
第３導電膜２１ｄ（ＩＴＯ膜）の膜厚ｔ２１ｄ＝１４０ｎｍ
第３絶縁膜２６ｄ（酸化シリコン膜）の膜厚ｔ２６ｄ＝１００ｎｍ
シール領域１０ｅ
第４導電膜２１ｅ（ＩＴＯ膜）の膜厚ｔ２１ｅ＝１４０ｎｍ
第４絶縁膜２６ｅ（酸化シリコン膜）の膜厚ｔ２６ｅ＝７０ｎｍ

その結果、対向基板２０の電気光学層配置領域１０ｄの透過率の波長分散特性は、図６に実線Ｌ１０ｄで示す結果となり、対向基板２０のシール領域１０ｅの透過率の波長分散特性は、図６に破線Ｌ１０ｅで示す結果となる。これらの結果を比較すればわかるように、波長３５０ｎｍにおける透過率は、電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高い。また、波長５００ｎｍにおける透過率は、シール領域１０ｅより電気光学層配置領域１０ｄで高い。かかる構成は、ＩＴＯ膜や酸化シリコン膜を蒸着やスパッタ等により形成する途中、膜厚を薄くすべき領域を成膜途中にマスクで覆う方法や、形成後にエッチングによって薄くする方法等で実現することができる。

このように、素子基板１０および対向基板２０において、波長３５０ｎｍにおける透過率は、電気光学層配置領域１０ｄよりシール領域１０ｅで高い。このため、図３に矢印ＵＶ１で示すように、素子基板１０を介してシール材１０７にＵＶ光を照射した際、あるいは図３に矢印ＵＶ２で示すように、対向基板２０を介してシール材１０７にＵＶ光を照射した際、シール材１０７にＵＶ光が効率よく届くので、シール材１０７を効率よく硬化させることができる。その際、素子基板１０および対向基板２０は、電気光学層配置領域１０ｄの波長３５０ｎｍにおける透過率が低いため、電気光学層５０に紫外域あるいは近紫外域の光が照射されるのを抑制することができる。従って、電気光学層５０に用いた液晶分子がＵＶ光によって劣化しにくい。

また、素子基板１０および対向基板２０のいずれにおいても、波長５００ｎｍにおける透過率がシール領域１０ｅより電気光学層配置領域１０ｄで高いため、明るい表示を行うことができる。

さらに、本形態では、第１導電膜９ｄの膜厚ｔ９ｄと第１絶縁膜１６ｄの膜厚ｔ１６ｄとの和と、第２導電膜９ｅの膜厚ｔ９ｅと第２絶縁膜１６ｅの膜厚ｔ１６ｅとの和とが等しいため、素子基板１０に、上記の導電膜および絶縁膜に起因する余計な段差の発生を抑制することができる。また、第３導電膜２１ｄの膜厚ｔ２１ｄと第３絶縁膜２６ｄの膜厚ｔ２６ｄとの和と、第４導電膜２１ｅの膜厚ｔ２１ｅと第４絶縁膜２６ｅの膜厚ｔ２６ｅとの和とが等しいため、対向基板２０に、上記の導電膜および絶縁膜に起因する余計な段差の発生を抑制することができる。

［電気光学装置１００の変形例］
図７は、本発明の変形例に係る電気光学装置の液晶パネルの一態様を示す説明図であり、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。なお、本形態の基本的な構成は、図１等を参照して説明した上記実施の形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。

上記実施の形態では、シール材１０７が全周に無端形状に形成されていたが、本形態では、図７に示すように、素子基板１０と対向基板２０とが、注入口１０７ｄを有する第１シール材１０７ｂによって貼り合わされている。また、注入口１０７ｄは、ＵＶ硬化性の第２シール材１０７ｃによって塞がれている。かかる構成の場合、まず、電気光学層５０を設ける前に素子基板１０と対向基板２０とを第１シール材１０７ｂによって貼り合わせた後、注入口１０７ｄから液晶材料を真空注入して電気光学層５０を形成する。次に、注入口１０７ｄにＵＶ硬化性の第２シール材１０７ｃを塗布し、その後、第２シール材１０７ｃにＵＶ光を照射して第２シール１０７ｃ材を硬化させる。その際、シール材１０７ｃに直接ＵＶ光を照射するとともに、素子基板１０および対向基板２０を介して第２シール材１０７ｃにＵＶ光を照射して第２シール材１０７ｃを硬化させる。

その際、第２シール材１０７ｃが形成されている領域を含む領域をシール領域１０ｅとして、図３〜図６を参照して説明した構成を採用する。このため、第２シール材１０７ｃにＵＶ光を照射して第２シール材１０７ｃを硬化させる際、電気光学層５０が光劣化することを抑制することができる。

［他の実施の形態］
図１等を参照して説明した形態では、電気光学装置１００が透過型液晶装置であったが、電気光学装置１００が反射型液晶装置である場合に本発明を適用してもよい。この場合、画素電極９ａが反射膜で形成されている。このため、素子基板１０を介してシール材１０７にＵＶ光を照射した際、ＵＶ光が電気光学層５０に届きにくい。従って、対向基板２０を本発明の「第１基板」として、電気光学層配置領域１０ｄとシール領域１０ｅの透過率の波長分散特性を適正化すればよい。

また、電気光学装置１００が反射型液晶装置である場合、透光性基板１０ｗに半導体基板が用いられることがある。この場合にも、対向基板２０を本発明の「第１基板」として、電気光学層配置領域１０ｄとシール領域１０ｅの透過率の波長分散特性を適正化すればよい。

なお、電気光学装置１００が、有機エレクトロルミネッセンス装置等として構成されている場合に本発明を適用してもよい。

［電子機器へ搭載例］
図８は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。なお、以下の説明では、互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００が用いられているが、いずれの電気光学装置１００にも、本発明を適用した電気光学装置１００が用いられている。

図８に示す投射型表示装置１１０は、透過型の電気光学装置１００を用いた液晶プロジェクターであり、スクリーン等からなる被投射部材１１１に光を照射し、画像を表示する。投射型表示装置１１０は、装置光軸Ｌに沿って、照明装置１６０と、照明装置１６０から出射された光が供給される複数の電気光学装置１００（液晶ライトバルブ１１５〜１１７）と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９（光合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１１９により合成された光を投射する投射光学系１１８とを有している。また、投射型表示装置１１０は、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０を備えている。投射型表示装置１１０において、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット２００を構成している。

照明装置１６０では、装置光軸Ｌに沿って、光源部１６１、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第１インテグレーターレンズ１６２、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第２インテグレーターレンズ１６３、偏光変換素子１６４、およびコンデンサーレンズ１６５が順に配置されている。光源部１６１は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを含む白色光を出射する光源１６８と、リフレクター１６９とを備えている。光源１６８は超高圧水銀ランプ等により構成されており、リフレクター１６９は、放物線状の断面を有している。第１インテグレーターレンズ１６２および第２インテグレーターレンズ１６３は、光源部１６１から出射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子１６４は、光源部１６１から出射された光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする。

ダイクロイックミラー１１３は、照明装置１６０から出射された光に含まれる赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを反射する。ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち、青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、照明装置１６０から出射された光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂに分離する色分離光学系を構成している。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光Ｒを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。

λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。

λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射する。反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射する。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射する。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることにより、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン等の被投射部材１１１に投射する。

（他の投射型表示装置）
上記投射型表示装置においては、透過型の電気光学装置１００を用いたが、反射型の電気光学装置１００を用いて投射型表示装置を構成してもよい。また、投射型表示装置においては、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。

９ａ・・画素電極、９ｄ・・第１導電膜、９ｅ・・第２導電膜、１０・・素子基板、１０ｄ・・電気光学層配置領域、１０ｅ・・シール領域、１６・・素子基板側配向膜、１６ｄ・・第１絶縁膜、１６ｅ・・第２絶縁膜、２０・・対向基板、２１・・共通電極、２１ｄ・・第３導電膜、２１ｅ・・第４導電膜、２６・・対向基板側配向膜、２６ｄ・・第３絶縁膜、２６ｅ・・第４絶縁膜、５０・・電気光学層、１００・・電気光学装置、１０７・・シール材、１０７ｂ・・第１シール材、１０７ｃ・・第２シール材

Claims

第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置されたＵＶ硬化性のシール材と、
を有し、
前記第１基板は、平面視で前記電気光学層と重なる領域である電気光学層配置領域と、平面視で前記シール材と重なる領域であるシール領域と、を備え、
前記第１基板の前記シール領域は、波長３５０ｎｍにおける透過率が前記電気光学層配置領域より高い透過率であることを特徴とする電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記第１基板の前記電気光学層配置領域は、波長５００ｎｍにおける透過率が前記シール領域より高い透過率であることを特徴とする電気光学装置。
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記第１基板は、前記第２基板側の面の前記電気光学層配置領域に、透光性の第１導電膜と、前記第１導電膜とは異なる屈折率である透光性の第１絶縁膜と、が形成され、
前記第１基板は、前記第２基板側の面の前記シール領域に、前記第１導電膜と同一材料からなる透光性の第２導電膜と、前記第１絶縁膜と同一材料からなる透光性の第２絶縁膜と、が形成され、
前記第１導電膜の膜厚と前記第２導電膜の膜厚、および前記第１絶縁膜の膜厚と前記第２絶縁膜の膜厚のうち、少なくとも一方は、異なる膜厚であることを特徴とする電気光学装置。
請求項３に記載の電気光学装置において、
前記第１導電膜の膜厚と前記第１絶縁膜の膜厚との和と、前記第２導電膜の膜厚と前記第２絶縁膜の膜厚との和とが等しいことを特徴とする電気光学装置。
請求項３または４に記載の電気光学装置において、
前記第１導電膜および前記第２導電膜はＩＴＯ膜からなり、
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜は酸化シリコン膜からなることを特徴とする電気光学装置。
請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第２基板の平面視で前記シール領域と重なる領域は、波長３５０ｎｍにおける透過率が前記第２基板の平面視で前記電気光学層配置領域と重なる領域より高い透過率であることを特徴とする電気光学装置。
請求項６に記載の電気光学装置において、
前記第２基板の平面視で前記電気光学層配置領域と重なる領域は、波長５００ｎｍにおける透過率が前記第２基板の平面視で前記シール領域より高い透過率であることを特徴とする電気光学装置。
請求項６または７に記載の電気光学装置において、
前記第２基板は、前記第１基板側の面の前記電気光学層配置領域と重なる領域に、透光性の第３導電膜と、前記第３導電膜とは異なる屈折率である透光性の第３絶縁膜と、が形成され、
前記第２基板は、前記第１基板側の面の前記シール領域と重なる領域に、前記第３導電膜と同一材料からなる透光性の第４導電膜と、前記第３絶縁膜と同一材料からなる透光性の第４絶縁膜と、が形成され、
前記第３導電膜の膜厚と前記第４導電膜の膜厚、および前記第３絶縁膜の膜厚と前記第４絶縁膜の膜厚のうち、少なくとも一方は、異なる膜厚であることを特徴とする電気光学装置。
請求項８に記載の電気光学装置において、
前記第３導電膜の膜厚と前記第３絶縁膜の膜厚との和と、前記第４導電膜の膜厚と前記第４絶縁膜の膜厚との和とが等しいことを特徴とする電気光学装置。
請求項８または９に記載の電気光学装置において、
前記第３導電膜および前記第４導電膜はＩＴＯ膜からなり、
前記第３絶縁膜および前記第４絶縁膜は酸化シリコン膜からなることを特徴とする電気光学装置。
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記電気光学層は、液晶層であることを特徴とする電気光学装置。
請求項１乃至１１の何れか一項に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。