JP2017167403A - 表示装置 - Google Patents

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昌哉 玉置
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Tamahiko Saito
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Abstract

【課題】狭額縁化が可能な表示装置を提供する。【解決手段】駆動部と、平面視で前記駆動部から離間し、前記駆動部と電気的に接続された第1画素回路と、平面視で前記駆動部から前記第1画素回路よりも離間し、前記駆動部と電気的に接続された第2画素回路と、平面視で前記駆動部と重なる第1画素電極と、平面視で前記第1画素回路と重なる第2画素電極と、前記第1画素回路と前記第1画素電極とを電気的に接続する第1中継配線と、前記第2画素回路と前記第2画素電極とを電気的に接続する第2中継配線と、を備えている表示装置。【選択図】 図2

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。
サイネージ用途などの表示装置において、スケールアップのために、複数の表示装置をタイルのように並べて表示するマルチディスプレイシステムが知られている(例えば、特許文献1参照)。ところで、表示装置は、駆動部やダミー電極などを遮光するために、枠状の非表示部分(額縁)に、額縁遮光膜を備えている。上記のようなマルチディスプレイシステムにおいては、隣接する表示装置間に存在する額縁で表示画像が途切れてしまうため、表示品位の改善のために、表示装置のそれぞれの狭額縁化が要求されている。
特開2010−48918号公報 特開2012−247662号公報
本実施形態の目的は、狭額縁化が可能な表示装置を提供することにある。
本実施形態によれば、
駆動部と、平面視で前記駆動部から離間し、前記駆動部と電気的に接続された第1画素回路と、平面視で前記駆動部から前記第1画素回路よりも離間し、前記駆動部と電気的に接続された第2画素回路と、平面視で前記駆動部と重なる第1画素電極と、平面視で前記第1画素回路と重なる第2画素電極と、前記第1画素回路と前記第1画素電極とを電気的に接続する第1中継配線と、前記第2画素回路と前記第2画素電極とを電気的に接続する第2中継配線と、を備えている表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
駆動部と、それぞれ前記駆動部と電気的に接続された第1乃至第3画素回路で構成され、平面視で前記駆動部から離間した第1回路群と、第1画素電極と、前記第1画素電極よりも面積が大きい第2画素電極と、前記第2画素電極よりも面積が大きい第3画素電極とで構成され、平面視で前記駆動部と重なる第1電極群と、前記第1画素回路と前記第1画素電極とを電気的に接続する第1中継配線と、前記第2画素回路と前記第2画素電極とを電気的に接続する第2中継配線と、前記第3画素回路と前記第3画素電極とを電気的に接続する第3中継配線と、を備えている、表示装置が提供される。
図1は、表示装置DSPの構成例を示す平面図である。 図2は、図1に示した表示装置DSPの領域CAを拡大して示した平面図である。 図3は、図2に示した画素電極PE1及びPE3を含む領域を拡大した平面図である。 図4は、図3中のA−A’線に沿った第1基板SUB1の断面図である。 図5は、図3中のB−B’線に沿った第1基板SUB1の断面図である。 図6は、図3中のC−C’線に沿った第1基板SUB1の断面図である。 図7Aは、表示パネルPNLの断面を示した図である。 図7Bは、図7Aに示した散乱層FSの断面図である。 図7Cは、図7Bで図示した異方性散乱層AS1の平面図である。 図7Dは、散乱層FSにおける散乱が等方的である場合の、入射光の光路の一例を示した表示パネルPNLの断面図である。 図7Eは、図7Dに示した散乱層FSの断面図である。 図7Fは、図7Eに示した等方性散乱層ISの平面図である。 図8は、セグメントSGの一構成例を示す図である。 図9は、図8に示したセグメントSGの動作を説明するためのタイミングチャートを示す図である。 図10は、主画素PX、及び主画素回路CRの一構成例を示す平面図である。 図11は、図10に示した主画素PX1における画素電極とカラーフィルタとの位置関係を説明するための平面図である。 図12は、図10に示した主画素PX1における電極群EG1乃至EG4の一構成例を示す平面図である。 図13は、図10に示した主画素回路CR1における回路群CG1乃至CG4の一構成例を示す模式図である。 図14は、表示パネルPNLにおける主画素PX、及び主画素回路CRの配置例を示す図である。 図15は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第1変形例を示す図である。 図16は、図12に示した電極群EG1乃至EG4の構成の第1変形例を示す図である。 図17は、図12に示した電極群EG1乃至EG4の構成の第2変形例を示す図である。 図18は、図12に示した電極群EG1乃至EG4の構成の第3変形例を示す図である。 図19は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第2変形例を示す図である。 図20は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第3変形例を示す図である。 図21は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第4変形例を示す図である。 図22は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第5変形例を示す図である。 図23は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第6変形例を示す図である。 図24は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第7変形例を示す図である。 図25は、マルチディスプレイシステムの構成例を示す図である。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
本実施形態の説明では、表示装置DSPの一例として、反射型の液晶表示装置を開示する。反射型の液晶表示装置は、液晶層の光学特性を変調させることによって、外光や補助光といった表示面側からの入射光を選択的に反射させ画像を表示するものである。本実施形態は、反射型に限定されるものではなく、表示面とは反対側からの入射光を選択的に透過させる透過型の機能と、反射型の機能とを併せ持った半透過型の表示装置であってもよい。また、入射光を選択的に反射又は透過させる機能は、液晶方式に限定されるものではなく、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)方式や電気泳動方式など、液晶以外の手段によって達成されてもよい。
[実施の形態1]
図1は、表示装置DSPの構成例を示す平面図である。
図中において、第1方向X及び第2方向Yは、互いに交差し、一例では、互いに直交している。第3方向Zは、第1方向X及び第2方向Yと交差し、一例では第1方向X及び第2方向Yと直交している。また、第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX−Y平面に対して、直交する法線方向から表示装置DSP又は表示パネルPNLを視認することを平面視という。
表示装置DSPは、表示パネルPNL、駆動部DRなどを備えている。表示パネルPNLは、一例では、第1方向Xに沿った一対の長辺L1及びL2と、第2方向Yに沿った一対の短辺S1及びS2とを有する長方形状に形成されているが、その形状は図示した例に限らず、他の多角形状、円形状、楕円形状などの形状であっても良い。
表示パネルPNLは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2を備えている。第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、シール材SEによって貼り合せられている。シール材SEは、短辺S1及びS2、及び、長辺L1及びL2に沿ってそれぞれ配置されている。表示パネルPNLは、シール材SEの内側に、画像を表示する表示領域DAを備えている。表示パネルPNLは、表示領域DAの外側に、枠状の非表示領域NDAを備えている。表示領域DAには、後に詳述するが、複数の、画素電極や画素回路などが備えられている。第1基板SUB1は、表示領域DAにおいて、信号線SL、走査線GL、図示しない各種電圧を供給するための配線や電源線などを備えている。複数の信号線SLは、それぞれ第1方向Xに並んでいる。複数の走査線GLは、それぞれ第2方向Yに並んでいる。
駆動部DRは、複数の画素回路へそれぞれに応じた映像信号等の各種電圧を供給し、複数の画素電極を駆動する機能を有している。駆動部DRは、シール材SEで囲まれた領域に位置する周辺回路Cr1乃至Cr4を備えている。周辺回路Cr1乃至Cr4は、第1基板SUB1に配置され、非表示領域NDAから表示領域DA内の周縁部に亘って位置している。一例では、周辺回路Cr1は、短辺S1に沿って配置され、信号線駆動回路などを備えている。周辺回路Cr2は、長辺L1に沿って配置され、走査線駆動回路、極性反転回路、コモン駆動回路などを備えている。周辺回路Cr3は、短辺S2に沿って配置され、保護回路などを備えている。周辺回路Cr4は、長辺L2に沿って配置され、走査線駆動回路、極性反転回路、コモン駆動回路などを備えている。信号線SLは、周辺回路Cr1及びCr3に電気的に接続されている。走査線GLは、周辺回路Cr2またはCr4に電気的に接続されている。なお、駆動部DRは、さらに、駆動タイミング発生回路や電源回路などを備えていても良い。
図示した例では、表示パネルPNLは、非表示領域NDAに駆動ICチップCPを備えている。駆動ICチップCPは、短辺S1に沿った第1基板SUB1の実装部MTに実装されている。駆動ICチップCPは、駆動部DRを構成する各種回路の一部を備えている。
図2は、図1に示した表示装置DSPの領域CAを拡大して示した平面図である。
図示した例では、表示装置DSPは、それぞれの画素の表示に関する情報が記憶されるメモリとして、複数のSRAM(Static Random Access Memory)を表示領域DAに備えている、いわゆるMIP(Memory In Pixel)駆動方式の表示装置である。図中において、画素回路PCがSRAMに相当し、画素電極PEが各画素の表示領域に相当する。なお、メモリは、SRAMに限定されるものではなく、DRAM(Dynamic Random Access Memory)などの他の構成を適用してもよい。
表示領域DAには、複数の、画素回路PC、画素電極PE、及び中継配線RLが配置されている。また、周辺回路Cr1及びCr4の一部は、表示領域DAに位置している。なお、図示した様に、表示領域DAには、光遮光性を有する遮光部SHが配置されていてもよい。図示した例では、非表示領域NDAには、シール材SE、ダミー電極DM、遮光層BMが配置されており、周辺回路Cr1及びCr4の一部も位置している。なお、表示領域DAの非表示領域NDAに臨む外縁部のうち、第1方向Xに延在し第2方向Yで非表示領域NDAに対向する部分を外縁部DAYとし、第2方向Yに延在し第1方向Xで非表示領域NDAに対向する部分を外縁部DAXとする。
次に、表示領域DAの構成について説明する。
画素回路PCは、平面視で、周辺回路Cr1及びCr4(駆動部DR)から離間し、駆動部DRの内側に配置されている。また、複数の画素回路PCが遮光部SHと重なっているが、幾つかの画素回路PCは遮光部SHと重なっていなくてもよい。画素回路PCは、それぞれ、図1で図示した信号線SLや走査線GLで駆動部DRと電気的に接続されている。平面視で、幾つかの画素電極PEは、駆動部DRと重なっており、幾つかの画素電極PEは、画素回路PCと重なっている。また、幾つかの画素電極PEは、遮光部SHと重なっている。中継配線RLは、それぞれ、画素回路PCと画素電極PEとを一対一で電気的に接続している。中継配線RLは、第3方向Zで、画素回路PCと画素電極PEとの間、及び駆動部DRと画素電極PEとの間に位置している。遮光部SHは、平面視で、駆動部DRの内側に配置され、中継配線RLから離間している。遮光部SHは、第3方向Zで画素回路PCと画素電極PEとの間に位置している。遮光部SHは、第3方向Zの矢印の位置する側からの画素回路PCへの入射光を遮光する。なお、図示した例では、画素回路PCや画素電極PEは、それぞれ第1方向X及び第2方向Yに配列されているが、それらの配列は特に限定されるものではなく、別の方向に配列されていてもよく、千鳥で配列されていてもよい。
画素回路PC1乃至PC4、画素電極PE1乃至PE4、中継配線RL1乃至RL4を例に挙げ、画素回路及び画素電極の位置関係及び接続関係について、より詳しく説明する。
画素回路PC1は、周辺回路Cr1から離間して第1方向Xで隣り合っている。画素電極PE1は、周辺回路Cr1と重なっており、第1方向Xで画素回路PC1から離間している。画素電極PE1は、第1方向Xで画素回路PC1とシール材SEの間に位置し、画素回路PC1よりも外縁部DAXに近接する側に位置している。中継配線RL1は、画素回路PC1と画素電極PE1とを電気的に接続している。中継配線RL1は、第1方向Xに延在し、平面視で画素回路PC1と画素電極PE1との間に位置する複数の画素電極PEと重なっている。
画素回路PC2は、第1方向Xで画素回路PC1と並んでおり、画素回路PC1よりも周辺回路Cr1から離間する側に位置している。画素電極PE2は、第1方向Xで画素回路PC2から離間し、第1方向Xで画素電極PE1と並んでいる。画素電極PE2は、画素電極PE1よりも外縁部DAXから離間する側に位置し、周辺回路Cr1から離間している。画素電極PE2は、画素回路PC2と画素電極PE1との間に位置し、画素回路PC1と重なっている。中継配線RL2は、画素回路PC2と画素電極PE2とを電気的に接続している。中継配線RL2は、中継配線RL1やその他の中継配線RLと重ならない様に配置されている。
画素回路PC3は、画素回路PC2よりも周辺回路Cr1から離間する側に位置しており、平面視で遮光部SHと重なっている。画素電極PE3は、画素回路PC3と重なっており、図示した例では中継配線を介さずに画素回路PC3と電気的に接続されている。但し、画素電極PE3と画素回路PC3とは、互いに中継配線を介して接続されていてもよい。
画素回路PC4は、第2方向Yで画素回路PC3と並んでおり、画素回路PC3よりも周縁回路Cr4に近接する側に位置している。画素回路PC4は、周辺回路Cr4から離間し、第2方向Yで隣り合っている。画素電極PE4は、周辺回路Cr4と重なっており、第2方向Yで画素回路PC4から離間している。画素電極PE4は、第2方向Yで画素回路PC4とシール材SEの間に位置し、画素回路PC4よりも外縁部DAYに近接する側に位置している。中継配線RL4は、画素回路PC4と画素電極PE4とを電気的に接続している。中継配線RL4は、第2方向Yに延在し、平面視で画素回路PC4と画素電極PE4との間に位置する複数の画素電極PEと重なっている。
次に、非表示領域NDAの構成について説明する。
シール材SEは、表示領域DAの外縁部DAX及びDAYに沿って配置され、外縁部DAX及びDAYと間隔を空けて配置されている。図示した例では、シール材SEは、平面視で周辺回路Cr1及びCr4から離間している。
ダミー電極DMは、外縁部DAX及びDAYに沿って配置され、外縁部DAXと遮光層BMとの間、及び外縁部DAYと遮光層BMとの間に位置している。図示した例では、平面視で、ダミー電極DMは外縁部DAX及びDAYに隣接し、ダミー電極DMの一部がシール材SEに重なっている。但し、ダミー電極DMは、平面視で外縁部DAX及びDAYやシール材SEから離間していてもよい。ダミー電極DMは、図1に示した第1基板SUB1に配置され、図示を省略する一定電位の電源線と電気的に接続されている。ここでの電源線とは、例えば、コモン駆動回路に接続されたコモン電位の電源線である。ダミー電極DMは、イオン性不純物の取り込み等のために配置される。表示装置DSPは、ダミー電極DMを備えていなくてもよい。
遮光層BMは、図1に示した第2基板SUB2に配置されている。遮光層BMは、平面視で、外縁部DAX及びDAYに隣接し、シール材SE及びダミー電極DMと重なっている。図示した例では、遮光層BMは、周辺回路Cr1及びCr4の全体とは重なっておらず、周辺回路Cr1及びCr4の一部のみと重なっている。遮光層BMは、平面視で周辺回路Cr1及びCr4と離間していてもよい。但し、遮光層BMは、いずれの画素電極PEとも重ならない。
図3は、図2に示した画素電極PE1及びPE3を含む領域を拡大した平面図である。
複数の画素回路PCと複数の画素電極PEとは、それぞれ、下接続部CTa及び上接続部CTbを介して電気的に接続されている。下接続部CTaは、後述する絶縁膜13を第3方向Zに貫通している。上接続部CTbは、後述する絶縁膜14を第3方向Zに貫通している。画素回路PCと画素電極PEとが中継配線RLを介して電気的に接続されている場合は、下接続部CTaは中継配線RLの一端側に位置し、上接続部CTbは中継配線RLの一端側とは反対の他端側に位置している。画素回路PCと画素電極PEとが重なっており中継配線RLを介さずに電気的に接続されている場合は、平面視で上接続部CTbの少なくとも一部が下接続部CTaと重なっている。このとき、下接続部CTa及び上接続部CTbは、一体に形成されていてもよい。
画素回路PC1と画素電極PE1との間では、下接続部CTa1を介して画素回路PC1と中継配線RL1とが電気的に接続され、上接続部CTb1を介して中継配線RL1と画素電極PE1とが電気的に接続されている。上接続部CTb1は、平面視で下接続部CTa1から第1方向Xに離間している。画素回路PC2と画素電極PE2との間では、下接続部CTa2を介して画素回路PC2と中継配線RL2とが電気的に接続され、上接続部CTb2を介して中継配線RL2と画素電極PE2とが電気的に接続されている。上接続部CTb2は、平面視で、下接続部CTa2から第1方向Xに離間し、第2方向Yにも離間している。画素回路PC3と画素電極PE3との間では、互いに平面視で重なった下接続部CTa3及び上接続部CTb3を介して、画素回路PC3と画素電極PE3とが電気的に接続されている。
図示した例では、複数の下接続部CTaは、第1方向Xに並び、第2方向Yに並んでいる。それぞれの下接続部CTaは、等しい配列ピッチで並んでいてもよく、位置によって異なる配列ピッチで並んでいてもよい。図示した例では、下接続部CTaの第2方向Yの配列ピッチは、位置に因らず一定であり、下接続部CTaの第1方向Xの配列ピッチは、周辺回路Cr1からの距離に応じて異なっている。複数の下接続部CTaのうち最も周辺回路Cr1に近接している下接続部CTa1は、ピッチPT1で他の下接続部CTaと第1方向Xで隣り合っている。周辺回路Cr1から下接続部CTa1よりも離間する側に配置された下接続部CTa3は、ピッチPT2で他の下接続部CTaと第1方向Xで隣り合っている。ピッチPT2は、ピッチPT1よりも大きい。
次に、図4〜図6において、周辺回路Cr1、画素回路PC、及び画素電極PE、などの第3方向Zの位置関係を説明する。なお、図4〜図6には、説明に必要な構成のみを図示している。また、第3方向Zの矢印の指す側を上(上方)とし、第3方向Zの矢印とは反対側を下(下方)とする。
図4は、図3中のA−A’線に沿った第1基板SUB1の断面図である。
図示した領域において、第1基板SUB1は、絶縁基板10、アンダーコート層UC、絶縁膜11,12,13,14、周辺回路Cr1、中継配線RL1、及び画素電極PE1などを備えている。
絶縁基板10は、例えば、第3方向Zで対向する一対の平坦な主面を有する絶縁基板である。アンダーコート層UCは、絶縁基板10の上に位置している。アンダーコート層UCは、複数の絶縁膜によって形成された多層構造であってもよい。また、アンダーコート層UCは、省略されてもよい。絶縁膜11はアンダーコート層UCの上方に位置し、絶縁膜12は絶縁膜11の上方に位置し、絶縁膜13は絶縁膜12の上方に位置し、絶縁膜14は絶縁膜13の上方に位置している。絶縁膜11,12,14は、例えばシリコン窒化物やシリコン酸化物などの無機系材料によって形成されている。絶縁膜13は、例えば樹脂などの有機系材料によって形成されている。但し、絶縁膜11乃至14の材料は特に限定されるものではなく、例えば、絶縁膜13が無機系材料によって形成され、絶縁膜14が有機系材料によって形成されていてもよい。
周辺回路Cr1は、アンダーコート層UCの上面(アンダーコート層UCが省略される場合は絶縁基板10の上面)と、絶縁膜13の下面と間の領域に位置している。なお、図示しないが、周辺回路Cr1は、上記の走査線や信号線などの各種配線、及び、nチャネルMOSトランジスタやpチャネルMOSトランジスタなどの各種回路素子、などを備えている。
中継配線RL1は、絶縁膜13と絶縁膜14との間に位置している。すなわち、中継配線RL1は、絶縁膜13の第3方向Zの厚さの分だけ、周辺回路Cr1から離間している。中継配線RL1(RL)は、例えばモリブデン、タングステン、アルミニウム、チタン、などの金属材料やそれらの合金材料によって形成されているが、導電性材料であれば特に限定されるものではなく、インジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明導電材料によって形成されていてもよい。
絶縁膜14には、上接続部CTb1が形成されている。上接続部CTb1は、絶縁膜14を貫通し、中継配線RL1を絶縁膜14から露出させている。
画素電極PE1は、絶縁膜14の上に位置している。画素電極PE1は、上接続部CTb1の内部にも配置され、上接続部CTb1内部で中継配線RL1と接触している。画素電極PE1と間隔を空けて隣り合う画素電極PEは、絶縁膜14を介して第3方向Zで中継配線RL1と対向している。画素電極PEは、第3方向Zに周辺回路Cr1から離間している。図示した例では、画素電極PEは、反射電極REと、透明電極TEと、を備えている。反射電極REは、それぞれ画素電極PEの下側に位置し、透明電極TE1は、反射電極REを覆っている。反射電極REは、アルミニウムや銀などの光反射性を有する金属材料によって形成されている。透明電極TEは、ITOやIZOなどの光透過性を有する透明導電材料によって形成されており、反射電極REの腐食を抑制することができる。
図5は、図3中のB−B’線に沿った第1基板SUB1の断面図である。
図示した領域において、第1基板SUB1は、図4で説明した構成の他に、スイッチ部SW2、ノード電極EN、コンタクト電極EC1、等を備えている。また、画素電極PE1,PE2に替わり、画素電極PEを備えている。
スイッチ部SW2は、半導体層SC、ゲート電極GE、ソース・ドレインに相当するノード電極ENを備えている。半導体層SCは、絶縁基板10の上方に位置し、絶縁膜11によって覆われている。ゲート電極GEは、絶縁膜11の上に位置し、絶縁膜12によって覆われている。ゲート電極GEは、図8で後述するラッチ部LTと図示しない領域で電気的に接続されている。なお、図示した例では、スイッチ部SW2は、ゲート電極GEが半導体層SCよりも上方に位置するトップゲート型であるが、ゲート電極GEが半導体層SCよりも下方に位置するボトムゲート型であっても良い。また、図示したスイッチ部SW2は、1個のゲート電極GEが半導体層SCと対向するシングルゲート構造であるが、2個のゲート電極GEが半導体層SCと対向するダブルゲート構造であっても良い。
ノード電極ENは、絶縁膜12の上に位置し、半導体層SCにコンタクトし、第3絶縁膜13によって覆われている。ノード電極ENは、図8で後述する出力ノードNoutに相当し、図8で後述するスイッチ部SW3の半導体層とも図示しない領域で電気的に接続されている。
画素回路PC1は、アンダーコート層UCの上面(アンダーコート層UCが省略される場合は絶縁基板10の上面)と、絶縁膜13の下面と間の領域に位置している。すなわち、画素回路PC1は、周辺回路Cr1と同一の層に位置している。他の画素回路PCも同様に、周辺回路Cr1乃至Cr4と同一の層に位置している。画素回路PCは、スイッチ部SW2を含んでいる。
絶縁膜13には、下接続部CTa1が形成されている。下接続部CTa1は、絶縁膜13を貫通し、ノード電極ENを絶縁膜13から露出させている。
コンタクト電極EC1は、下接続部CTa1の内部に形成されており、下接続部CTa1内部のノード電極ENを覆っている。
中継配線RL1は、下接続部CTa1の内部にも配置され、コンタクト電極EC1の少なくとも一部と接触している。つまり、中継配線RL1は、コンタクト電極EC1を介して、画素回路PC1(ノード電極EN)と電気的に接続されている。
画素電極PEは、コンタクト電極EC1及び中継配線RL1と、絶縁膜14を介して対向し、画素回路PC1から電気的に離間している。
図6は、図3中のC−C’線に沿った第1基板SUB1の断面図である。
図示した領域における断面は、遮光部SHが備えられ、中継配線RLが配置されておらず、下接続部CTa1の内部に上接続部CTb3が位置している点で、図5に図示した断面と相違している。
図示した領域の断面では、第1基板SUB1は、画素回路PC3、コンタクト電極EC3、遮光部SH、画素電極PE3、などを備えている。
コンタクト電極EC3は、下接続部CTa3の内部に配置され、下接続部CTa3内のノード電極ENを覆っている。遮光部SHは、絶縁膜13と絶縁膜14との間に位置しており、中継配線RLと同一層(絶縁膜13)上に位置している。遮光部SHは、例えば遮光性を有する金属材料などの、中継配線RLを形成する材料によって形成されていることが望ましい。この場合、中継配線RLと遮光部SHとは、同じプロセスで同時に形成することが可能となる。遮光部SHは、絶縁膜14を介して画素電極PE3と対向している。また、遮光部SHは、隣り合う画素電極PEの隙間にも配置されている。これにより、遮光部SHは、隣り合う画素電極PEの隙間を通り第1基板SUB1の上方から画素回路PCへ入射する光を遮光する。
絶縁膜14は、絶縁膜13、コンタクト電極EC3、及び遮光部SHの上に位置している。上接続部CTb3は、絶縁膜13の下接続部CTa3内部に位置する領域を貫通する様に形成され、コンタクト電極EC3を絶縁膜13から露出させている。
画素電極PE3は、上接続部CTb3の内部にも配置され、コンタクト電極EC3の少なくとも一部と接触している。つまり、画素電極PE3は、コンタクト電極EC3を介して、画素回路PC3(ノード電極EN)と電気的に接続されている。
図7Aは、表示パネルPNLの断面を示した図である。
ここでは、表示領域DAにおける表示パネルPNLの断面において、説明に必要な構成のみを図示している。表示パネルPNLは、第1基板SUB1、第2基板SUB2、液晶層LC、及び、光学素子ODを備えている。
第1基板SUB1は、図4乃至図6で説明した構成の他に、配向膜AL1を備えている。配向膜AL1は、画素電極PEを覆っている。
第2基板SUB2は、絶縁基板20、遮光層BM、カラーフィルタ層CF、オーバーコート層OC、共通電極CE、配向膜AL2などを備えている。遮光層BMは、絶縁基板20の第1基板SUB1と対向する側に位置している。遮光層BMは、図示した表示領域DAにおいては隣り合う画素電極PEの隙間に対向している。また、遮光層BMは、図2に示した様に、非表示領域NDAにも配置されている。カラーフィルタ層CFは、絶縁基板20の第1基板SUB1と対向する側に位置し、それらの一部が遮光層BMと重なっている。カラーフィルタ層CFは、図2で図示した画素電極PE1乃至PE4と対向しており、本構成例においては全ての画素電極PEと対向している。カラーフィルタ層CFは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含んでいる。赤色カラーフィルタは、赤色を表示する副画素(赤色画素)の画素電極に対向配置される。緑色カラーフィルタは、緑色を表示する副画素(緑色画素)の画素電極に対向配置される。青色カラーフィルタは、青色を表示する副画素(青色画素)の画素電極に対向配置される。カラーフィルタ層CFが、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタを含んで構成されている場合、主画素は、赤色画素、緑色画素、青色画素を、それぞれ少なくとも1つ含んで構成される。なお、カラーフィルタ層CFは、さらに他の色のカラーフィルタを含んでいても良く、一例では、白色を表示する副画素に配置される白色のカラーフィルタ、あるいは、透明層を含んでいても良い。オーバーコート層OCは、カラーフィルタ層CFを覆っている。共通電極CEは、オーバーコート層OCの第1基板SUB1と対向する側に位置している。共通電極CEは、複数の画素電極PEと対向している。共通電極CEは、ITOやIZOなどの透明導電材料によって形成されている。配向膜AL2は、共通電極CEを覆っている。
なお、第2基板SUB2において、互いに異なる色を表示する副画素の境界においては、異なる色の複数のカラーフィルタが積層されることで、透過率を低減することができるため、遮光層BMを省略しても良い。モノクロ表示タイプの表示パネルPNLにおいては、カラーフィルタ層CFは省略される。
液晶層LCは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に保持され、配向膜AL1と配向膜AL2との間に位置した液晶分子LMを含んでいる。
光学素子ODは、第2基板SUB2の液晶層LCに接する面とは反対側に位置している。光学素子ODは、例えば散乱層FS、位相差板RT、偏光板PLなどを備えている。図示した例では、散乱層FSは絶縁基板20に接着され、位相差板RTは散乱層FSに積層され、偏光板PLは位相差板RTに積層されている。なお、光学素子ODの構成は、図示した例に限らない。
散乱層FSは、画素電極PEへの入射光、若しくは画素電極PEで反射された反射光を散乱させるものであれば、その構成は特に限定されるものではない。また、散乱層FSは、図示した例では光学素子ODに備えられ第2基板SUB2に配置されているが、画素電極PEの中継配線RLと対向する側とは反対側に配置され、画素電極PEと対向していれば、その位置は特に限定されるものではない。散乱層FSは、画素電極PEでの反射光を拡散することで、画素電極PEの凹凸などによって生じる表示ムラを抑制することができ、また、視野角を拡大することができる。図示した例では、散乱層FSは、特定方向からの入射光を散乱させる異方性散乱層である。異方性散乱層である散乱層FSは、図中の光源LS側からの入射光をほとんど散乱させずに透過し、特定方向、つまり、画素電極PEでの反射光を散乱させる機能を有している。なお、異方性散乱層である散乱層FSは、拡散範囲の拡大、虹色の防止などの目的のために複数枚を積層することが望ましい。位相差板RTは、1/4波長板としての機能を有している。一例では、位相差板RTは、1/4波長板と1/2波長板とを積層した積層体であり、波長依存性を低減し、カラー表示に利用される波長範囲において所望の位相差が得られるように構成されている。偏光板PLは、透過軸を有し、透過軸と平行な偏光成分を透過させ、透過軸と直交する偏光成分を吸収、又は反射する。
このような表示パネルPNLにおいて、光源LSに近接する側が表示面側に相当する。図示した例では、光学素子ODの表面が表示面に相当するが、光学素子ODの表面にカバー部材が配置された場合には、カバー部材の表面が表示面に相当する。光源LSから表示パネルPNLへ入射した光は、偏光板PLを透過する際に、直線偏光となる。この直線偏光は、画素電極PEで反射される前後において、表示パネルPNLの液晶層LCを通過する。
図7Bは、図7Aに示した散乱層FSの断面図である。
図示した例では、散乱層FSは、積層配置された異方性散乱層AS1及びAS2を備えている。異方性散乱層AS1は、光源LSに近接する側に上面AS1aを有し、上面AS1aとは反対側に下面AS1bを有している。異方性散乱層AS2は、光源LSに近接する側に上面AS2aを有し、上面AS2aとは反対側に下面AS2bを有している。異方性散乱層AS2は、異方性散乱層AS1の画素電極PEと対向する側に位置しており、異方性散乱層AS1及びAS2は、例えば互いに接着されている。
異方性散乱層AS1は、複数の透明部材TP1と、複数の透明部材TP2と、を備えている。透明部材TP1の屈折率は、透明部材TP2の屈折率と異なる。透明部材TP1及びTP2は、それぞれ、上面AS1aから下面AS1bに亘って配置され、第3方向Zから同一方向に傾いている。複数の透明部材TP1及びTP2は、上面AS1a(下面AS1b)と平行な方向に交互に並んでいる。なお、異方性散乱層AS2も、透明部材TP1及びTP2を備え、異方性散乱層AS1と同様の構成を備えている。図示した例では、下面AS1bにおける異方性散乱層AS1の透明部材TP2は、上面AS2aにおける異方性散乱層AS2の透明部材TP2からずれて配置されている。
図7Cは、図7Bで図示した異方性散乱層AS1の平面図である。
透明部材TP1及びTP2は、例えば、第2方向Yにストライプ状に延在し、第1方向Xに交互に配置されている。透明部材TP1及びTP2の第1方向Xの幅は、特に限定されるものではなく、例えば、透明部材TP1の第1方向Xの幅は、透明部材TP2の第1方向Xの幅よりも大きい。
なお、図7Cでは、透明部材TP1及びTP2は第2方向Yに延在する例を示したが、これに限定されない。透明部材TP1及びTP2は、第1方向Xに延在する構成であってもよい。
また、図7B及び図7Cは、複数の板状の透明部材TP2が、透明部材TP1中に所定間隔で配列された、ルーバー構造を示しているが、これに限定されない。異方性散乱層AS1は、複数の円柱状の透明部材TP2が、透明部材TP1中に配列された、ピラー構造(円柱状構造)であってもよい。
図7Dは、散乱層FSにおける散乱が等方的である場合の、入射光の光路の一例を示した表示パネルPNLの断面図である。
図示した例では、散乱層FSは、どのような方向からの入射光でも散乱させる等方性散乱層である。この様な散乱層FSは、図中の光源LS側から画素電極PEへの入射光を散乱させ、画素電極PEでの反射光を散乱させる機能を有している。散乱層FSは、例えば、光散乱性を有する粘着剤である。
図7Eは、図7Dに示した散乱層FSの断面図である。
散乱層FSは、等方性散乱層ISを備えている。等方性散乱層ISは、透明部材TP3と、複数の透明部材TP4と、を備えている。透明部材TP4の屈折率は、透明部材TP3の屈折率と異なる。透明部材TP4は、例えば球状に形成されているが、その形状は特に限定されるものではなく、柱状や円盤状などの他の形状であってもよい。複数の透明部材TP4は、透明部材TP3の中に分散して配置されている。
図7Fは、図7Eに示した等方性散乱層ISの平面図である。
図7E及び図7Fに図示した様に、複数の透明部材TP4は、透明部材TP3の中に分散配置されている。図示した例では、透明部材TP3中の透明部材TP4の密度は、第1方向X及び第2方向Yで略均一である。
本構成例において、表示装置DSPは、平面視で、周辺回路Cr1から離間した画素回路PC1と、周辺回路Cr1と重なる画素電極PE1と、画素回路PC1と画素電極PE1とを電気的に接続する中継配線RL1と、を備えている。このため、周辺回路Cr1と重なる領域であっても、表示に寄与することができる。また、周辺回路Cr1と重なる画素電極PEであっても一対一でそれぞれ個別の画素回路PCに接続されているため、周辺回路Cr1と重なる領域の画素電極PEは、周辺回路Cr1から離間する領域の画素電極PEと同等の制御が可能である。さらに、画素電極PEが反射電極REを備え、駆動部DRと重なる画素電極PEもカラーフィルタ層CFに対向している場合、表示装置DSPは、周辺回路Cr1と重なる領域においても、周辺回路Cr1の内側に位置する領域と同等の表示性能を発揮することができる。これにより、外縁部DAX及びDAYの近接する領域においても表示領域DA中央付近の表示性能を維持した状態で表示領域DAを拡大することができる。
また、例えば、画素回路PCと画素電極PEとの間には絶縁膜13,14が位置し、中継配線RLは、絶縁膜13と絶縁膜14との間に位置している。この場合、中継配線RLは、下接続部CTa及び上接続部CTbの位置でのみ画素回路PC及び画素電極PEと接触する。このため、中継配線RLは、平面視で駆動部DR、画素回路PC、及び画素電極PEと重なって配置されることができる。すなわち、中継配線RLは、平面視で画素回路PC及び画素電極PEを迂回しなくてもよく、画素回路PC及び画素電極PEの位置に因らず配置可能である。例えば、画素電極PE2は、画素回路PC2から第1方向Xに離間し、下接続部CTa2は、上接続部CTb2から第2方向Yにも離間している。中継配線RL2は、他の中継配線RLと接触しない様に第1方向X及び第2方向Yに延在して配置され、複数の画素電極PEと重なっている。すなわち、中継配線RLは、画素回路PCと画素電極PEとが互いに離間している方向だけではなく、画素回路PCと画素電極PEとが互いに離間している方向と交差する方向にも延在してもよいため、中継配線RLは、互いにより離れた位置に配置された画素回路PCと画素電極PEとを接続可能である。
下接続部CTa1及びCTa2が第1方向Xに並んでいる場合、中継配線RL1及びRL2の屈曲箇所を減らすことができる。これにより、中継配線RLを密に配置することができ、周辺回路Cr1乃至Cr4と重なる位置に配置可能な画素電極PEの数を増加させることが可能となる。
また、ピッチPT1がピッチPT2よりも小さい場合、周辺回路Cr1乃至Cr4よりも内側の領域に配置可能な画素回路PCの数が増加させることができるため、周辺回路Cr1乃至Cr4と重なる位置に配置可能な画素電極PEの数を増加させることが可能となる。
表示装置DSPは、平面視で、周辺回路Cr4から離間した画素回路PC4と、周辺回路Cr4と重なる画素電極PE4と、画素回路PC4と画素電極PE4とを電気的に接続する中継配線RL4と、を備えていてもよい。この場合、周辺回路Cr4と重なる領域であっても、表示に寄与することができる。すなわち、表示領域DAを第1方向Xだけではなく第2方向Yにも拡大することができる。
なお、表示装置DSPは、中継配線RLと同じく絶縁膜13と絶縁膜14との間に位置する遮光部SHを備えている。遮光部SHは、画素回路PCのトランジスタに入射して誤作動の原因となる外光を遮光することができるため、表示装置DSPは、表示品位の改善が可能となる。
以上説明した様に、本実施形態によれば、狭額縁化が可能な表示装置DSPを提供することができる。
次に、画素を構成するセグメントSGの一構成例について説明する。ここでのセグメントSGとは、画像を表示するために独立して駆動される最小単位に相当し、本実施形態においては、画素電極PEの数と同数のセグメントSGが構成されている。例えば、実施の形態2で後述する様に、主画素PXが複数の副画素Pを備え、それぞれの副画素Pが複数の画素電極PEを備えている場合、それぞれの副画素Pは複数のセグメントSGによって構成される。
図8は、セグメントSGの一構成例を示す図である。
セグメントSGは、液晶容量CLC、及び、画素回路PCを備えている。液晶容量CLCは、画素電極PEと共通電極CEとの間で発生する液晶層LCの容量成分を意味している。画素電極PEは、画素回路PCと電気的に接続されている。共通電極CEは、画素電極PEと対向し、図示しないコモン駆動回路と電気的に接続され、コモン電圧Vcomが印加される。
画素回路PCは、3つのスイッチ部SW1〜SW3、及び、ラッチ部LTを備えている。スイッチ部SW1は、例えば、単一のnチャネルMOSトランジスタによって構成されている。スイッチ部SW1は、その一端が信号線SLと電気的に接続され、その他端がラッチ部LTと電気的に接続されている。スイッチ部SW1のオン及びオフは、走査線GLから供給される走査信号によって制御される。すなわち、スイッチ部SW1は、図1に示した周辺回路Cr2またはCr4に含まれる走査線駆動回路から走査線GLを介して走査信号φVが与えられることによってオン(閉)状態となり、図1に示した周辺回路Cr1またはCr3に含まれる信号線駆動回路から信号線SLを介して供給されるデータ(階調に対応した信号電位)SIGを取り込む。
ラッチ部LTは、互いに逆向きに並列接続されたインバータIV1及びIV2を備えている。インバータIV1及びIV2の各々は、例えば、CMOSインバータによって構成されている。ラッチ部LTは、スイッチ部SW1によって取り込まれたデータSIGに応じた電位を保持(ラッチ)する。すなわち、ラッチ部LTは、データを保持可能なメモリ部として機能する。
スイッチ部SW2及びSW3の各々は、例えば、nチャネルMOSトランジスタ及びpチャネルMOSトランジスタが並列に接続されてなるトランスファスイッチによって構成されているが、他の構成のトランジスタを用いて構成することも可能である。スイッチ部SW2の一端には、コモン電圧Vcomと逆相の電圧XFRPが与えられる。スイッチ部SW3の一端には、コモン電圧Vcomと同相の電圧FRPが与えられる。スイッチ部SW2及びSW3の各々の他端は、互いに接続され、且つ、画素電極PEと電気的に接続され、画素回路PCの出力ノードNoutとなる。スイッチ部SW2及びSW3は、ラッチ部LTの保持電位の極性に応じていずれか一方がオン状態となる。これにより、共通電極CEにコモン電圧Vcomが印加されている液晶容量CLCにおいて、画素電極PEに同相の電圧FRPまたは逆相の電圧XFRPが印加される。
図9は、図8に示したセグメントSGの動作を説明するためのタイミングチャートを示す図である。
ここでは、液晶層LCに対して電圧が印加されない状態で黒を表示するノーマリーブラックモードを適用した場合を例に説明する。
画素回路PCにおいては、スイッチ部SW1に対して走査信号φVが与えられたタイミングで、信号線SLに供給されたデータSIGを取り込み、取り込んだデータSIGに応じた電位をラッチ部LTで保持する。画素回路PCが論理“0”に相当するデータSIGを取り込んだ場合には、ラッチ部LTの保持電位は負極性となる。この場合、スイッチ部SW2はオフ(開)状態であって、スイッチ部SW3がオン(閉)状態となり、画素電極PEに対してコモン電圧Vcomと同相の電圧FRPが印加される。これにより、画素電極PEの画素電位は、共通電極CEのコモン電圧Vcomと同等となる。このため、液晶層LCに対して電圧が印加されず、セグメントSGは黒を表示する。
一方、画素回路PCが論理“1”に相当するデータSIGを取り込んだ場合には、ラッチ部LTの保持電位は正極性となる。この場合、スイッチ部SW3はオフ(開)状態であって、スイッチ部SW2がオン(閉)状態となり、画素電極PEに対してコモン電圧Vcomと逆相の電圧XFRPが印加される。これにより、画素電極PEの画素電位と、共通電極CEのコモン電圧Vcomとの間に電位差が生ずる。つまり、液晶層LCに電圧が印加される。このため、液晶層LCを透過する光が変調され、その一部が表示に寄与するため、セグメントSGは白を表示する。
上記の通り、本実施形態においては、画素回路PC内のメモリ部は、2値のデータ(論理“1”/論理“0”)を記憶することができ、この2値データに基づいてデジタル的に階調を表示することができる。このような2値データを用いたMIP方式の表示装置で階調表現を行おうとした場合、例えば、1つの副画素を複数のセグメントSGによって構成し、複数のセグメントSGの面積の組み合わせによって階調表示を実現する面積階調方式が適用され得る。ここで、面積階調方式とは、一例として、面積比を2,2,2,…,2n−1、という具合に重み付けしたN個のセグメントSGにより、2個の階調を表現する階調表現方式である。
このようなMIP方式によれば、メモリ部に保持されているデータを用いて副画素の階調が表現されるため、階調を反映した信号電位を画素毎に書き込む書込み動作をフレーム周期で実行する必要がない。このため、表示装置DSPの消費電力を低減することができる。
また、表示領域DAに表示される表示画面のうち、一部の画素だけを書き換えたい、というニーズがある。この場合、部分的にセグメントSGの信号電位を書き換えれば良い。すなわち、書き換える必要のあるセグメントSGの画素回路PCのみにデータを転送し、書き換え不要のセグメントSGの画素回路PCについてはデータを転送する必要がなくなる。したがって、データ転送量を減らすことができるため、表示装置DSPの更なる省電力化を図ることができる、という利点もある。
また、MIP方式を適用した構成においては、ラッチ部LTの保持電位の極性に応じてスイッチ部SW2及びSW3のいずれか一方がオン状態となることにより、画素電極PEに対して、同相の電圧FRPまたは逆相の電圧XFRPが印加される。これにより、セグメントSGには常に一定電圧が印加されることになるため、シェーディングを抑制することができる。
次に、本実施形態において面積階調方式を適用した場合の、表示装置DSPの構成例について説明する。なお、以下において、実施の形態1と重複する構成については、説明を省略する。また、実施の形態2、及びその変形例は、実施の形態1で説明したのと同様の効果を得ることができる。
[実施の形態2]
図10は、主画素PX、及び主画素回路CRの一構成例を示す平面図である。
本図は、表示領域DAの外縁部近傍の領域を拡大して図示した拡大図である。
表示装置DSPは、複数の主画素PXと、複数の主画素PXをそれぞれ駆動する複数の主画素回路CRと、を備えている。主画素PXは、表示の最小単位を構成する領域に相当する。主画素PXは、図示した例では第1方向X及び第2方向Yに沿ったそれぞれの長さがほぼ等しい正方形状であるが、特に限定されるものではなく、多角形や円形などの他の形状であってもよい。
主画素PXは複数の画素電極PEを備え、主画素回路CRは複数の画素回路PCを備えている。主画素PXの画素電極PEと、主画素PXに対応する主画素回路CRの画素回路PCとは、それぞれ中継配線RLを介して一対一で電気的に接続されている。図示した例では、下接続部CTaは第1方向Xに並んでおり、上接続部CTbも第1方向Xに並んでいる。下接続部CTaと上接続部CTbとは第2方向Yで離間しており、複数の下接続部CTaと複数の上接続部CTbとの間の配線領域WRに中継配線RLが配置され、配線領域WRは第1方向Xに延在している。
主画素PX1は、平面視で周辺回路Cr1と重なっている。主画素PX1を駆動する主画素回路CR1は、平面視で周辺回路Cr1(駆動部DR)から離間している。周辺回路CR1は、第1方向Xで主画素PXから離間し、主画素PXに対して第2方向Yにもずれている。
図11は、図10に示した主画素PX1における画素電極とカラーフィルタとの位置関係を説明するための平面図である。
主画素PX1は、面積階調によって輝度が制御される副画素P1,P2,P3,P4を備えている。副画素P1乃至P4は、それぞれ主画素PX1の中で同じ色を表示する領域に相当し、それぞれ異なる色を表示する。主画素PX1は、遮光層BMによって区画されている。副画素P1乃至P4も、それぞれ遮光層BMによって区画されている。副画素P1乃至P4は、長方形(正方形)状であり、副画素P1乃至P4の面積はほぼ等しい。図示した例では、副画素P1乃至P4は、第1方向X及び第2方向Yに沿ったそれぞれの長さがほぼ等しい正方形状である。
副画素P1及び副画素P2は、第1方向Xに並んでいる。副画素P3及び副画素P4は、第1方向Xに並んでいる。また、副画素P1及び副画素P3は、第2方向Yに並んでいる。副画素P2及び副画素P4は、第2方向Yに並んでいる。図示した例では、副画素P1は緑色(G)を表示するG画素であり、副画素P2は、赤色(R)を表示するR画素であり、副画素P3は青色(B)を表示するB画素であり、副画素P4は白色(W)を表示するW画素である。
副画素P1は、第1方向Xで副画素P2と隣り合い、第2方向Yで副画素P3と隣り合っている。副画素P4は、副画素P1の対角に位置し、第1方向Xで副画素P3と隣り合い、第2方向Yで副画素P2と隣り合っている。なお、図11に示す副画素P1乃至P4に対応する色は、一例であり、それぞれ対応する色が別の色であってもよい。ただし、B画素及びW画素は隣り合っていることが好ましい。さらに、R画素及びG画素は隣り合っていることが好ましい。
副画素P1乃至P4は、それぞれ3ビットの階調を表現するための3つのセグメントSGを備えている。本構成例において、各セグメントSGの表示領域とは、各セグメントSGに対応する画素電極PEが配置され、遮光層BMによって区画された領域に相当するものとする。各セグメントSGの面積とは、各セグメントSGの表示領域の面積であるものとする。
主画素PX1において、副画素P1乃至P4は、それぞれ同様の構成を有している。各副画素の構成について、以下により詳細に説明する。なお、副画素P1を例に説明し、他の副画素P2乃至P4についての詳細な説明を省略する。
副画素P1は、3ビットの階調を表示するための3つのセグメントSG11乃至SG13で構成されている。副画素P1は、3つの画素電極PE11乃至PE13で構成された電極群EG1を備えている。画素電極PE11はセグメントSG11の表示領域に配置され、画素電極PE12はセグメントSG12の表示領域に配置され、画素電極PE13はセグメントSG13の表示領域に配置されている。平面視で、それぞれの画素電極PE11乃至画素電極PE13は、互いに遮光層BMを介して対向している。
セグメントSG11の面積は、3ビットの面積階調における最下位のビット(例えば2)に相当する表示領域である。セグメントSG13の面積は、3ビットの面積階調における最上位のビット(例えば2)に相当する表示領域である。セグメントSG12の面積は、3ビットの面積階調における中間のビット(例えば21)に相当する表示領域である。これらのセグメントSG11乃至SG13の組み合わせにより、3ビットの面積階調表示が可能となる。
セグメントSG12の面積はセグメントSG11の面積よりも大きく、セグメントSG13の面積はセグメントSG12の面積よりも大きい。同様に、画素電極PE12の面積は画素電極PE11の面積よりも大きく、画素電極PE13の面積は画素電極PE12の面積よりも大きい。セグメントSG11、セグメントSG12、及び、セグメントSG13の面積比は、例えば、1:2:4(=2:2:2)である。または、画素電極PE11、画素電極PE12、及び、画素電極PE13の面積比が、1:2:4(=2:2:2)である。なお、画素電極PE11乃至PE13の面積比の組み合わせ、またはセグメントSG11乃至セグメントSG13の面積比の組み合わせは、上記の例に限定されるものではない。
副画素P1は、カラーフィルタCF11乃至CF13で構成されたカラーフィルタCF1を備えており、カラーフィルタCF1は例えば緑色カラーフィルタである。第3方向Zにおいて、カラーフィルタCF1は、電極群EG1と対向しており、カラーフィルタCF11乃至CF13は、それぞれ画素電極PE11乃至PE13と対向している。平面視で、それぞれのカラーフィルタCF11乃至CF13の間には遮光層BMが配置されている。カラーフィルタCF11乃至CF13は、互いに離間していてもよく、一体に形成されていてもよい。なお、電極群EG1及びカラーフィルタCF1は、図10で図示した周辺回路Cr1と平面視で重なっている。
副画素P2は、セグメントSG21乃至23で構成されており、画素電極PE21乃至PE23で構成された電極群EG2を備えている。副画素P2は、カラーフィルタCF21乃至CF23で構成され、且つ電極群EG2と重なる赤色のカラーフィルタCF2を備えている。副画素P3は、セグメントSG31乃至33で構成されており、画素電極PE31乃至PE33で構成された電極群EG3を備えている。副画素P3は、カラーフィルタCF31乃至CF33で構成され、且つ電極群EG3と重なる青色のカラーフィルタCF3を備えている。副画素P4は、セグメントSG41乃至43で構成されており、画素電極PE41乃至PE43で構成された電極群EG4を備えている。副画素P4は、カラーフィルタCF41乃至CF43で構成され、且つ電極群EG4と重なる白色のカラーフィルタCF4を備えている。
なお、副画素P1乃至P4の色がRGBWとは異なる場合、それぞれのカラーフィルタCF1乃至CF4の色を変えればよい。
図12は、図10に示した主画素PX1における電極群EG1乃至EG4の一構成例を示す平面図である。
主画素PX1は、第1方向Xに延在し、副画素P1とP3との間、及び副画素P2とP4との間に位置する境界線B1を有している。また、主画素PX1は、第2方向Yに延在し、副画素P1とP2との間、及び副画素P2とP4との間に位置する境界線B2を有している。電極群EG1乃至EG4のレイアウトは特に限定されるものではないが、図示した例では、電極群EG3及びEG4は、境界線B1を対称軸として、それぞれ電極群EG1及びEG2と線対称なレイアウトの構成を有している。また、電極群EG2及びEG4は、境界線B2を対称軸として、それぞれ電極群EG1及びEG3と線対称なレイアウトの構成を有している。また、電極群EG1乃至EG4は、それぞれ、境界線B1と境界線B2との交点XPを対称点として、点対称なレイアウトの構成を有している。
次に、副画素P1を例に挙げて電極群EG1の構成を説明する。他の電極群EG2乃至EG4の構成の説明については省略する。
画素電極PE11は四角形状であり、画素電極PE11の交差する2辺がそれぞれ境界線B1及びB2に近接している。画素電極PE12は、画素電極PE11の4辺のうち境界線B1及びB2から離間する側に位置し交差する2辺に沿って配置されたL字型である。画素電極PE13は、画素電極PE12の画素電極PE11に隣接する2辺に対向する他の2辺に沿って配置されたL字形である。画素電極PE11は、画素電極PE12の交点XPに近接する側に配置され、画素電極PE13は、画素電極PE12の交点XPから離間する側に配置されている。
画素電極PE11及びPE12で形成される図形(長方形)は、画素電極PE11の相似形である。画素電極PE11乃至PE13で形成される図形(長方形)は、画素電極PE11及びPE12で形成される図形(長方形)の相似形である。このため、中間階調における副画素P1の発光領域の形状の変化を抑制することができる。
上接続部CTb11は、画素電極PE11と図10に図示した中継配線RL11とを電気的に接続する。上接続部CTb12は、画素電極PE12と図10に図示した中継配線RL12とを電気的に接続する。上接続部CTb13は、画素電極PE13と図10に図示した中継配線RL13とを電気的に接続する。上接続部CTb11乃至CTb13は、それぞれ画素電極PE11乃至PE13の、電極群EG3に隣接する側の端部に配置され、境界線B1に沿って第1方向Xに並んでいる。
電極群EG2に配置された上接続部CTb21乃至CTb23は、電極群EG2の電極群EG4に隣接する側の端部に配置され、境界線B1に沿って第1方向Xに並んでいる。上接続部CTb11乃至CTb13、及び上接続部CTb11乃至CTb13は、同一直線上に位置している。画素電極EG3に配置された上接続部CTb31乃至CTb33は、電極群EG1及びEG3の構成が境界線B1を挟んで線対称であるため、電極群EG3の電極群EG1に隣接する側の端部に配置され、境界線B1に沿って第1方向Xに並んでいる。画素電極EG4に配置された上接続部CTb41乃至CTb43についても、上接続部CTb31乃至CTb33と同様である。上接続部CTb31乃至CTb33、及びCTb41乃至CTb43は、同一直線上に位置している。
以上のことから、図示した例において、上接続部CTbは、副画素P1乃至P4の第2方向Yにおける端部に配置され、主画素PX1の第2方向Yにおける中央部に配置され、第1方向Xに並んでいる。
図13は、図10に示した主画素回路CR1における回路群CG1乃至CG4の一構成例を示す模式図である。
ここでは、画素回路PCは、図中の一点鎖線で示した領域に形成されるものとし、その具体的な構成の図示は省略するが、図8に示した等価回路を実現できれば如何なる構成であっても良い。図示した例において、第1方向Xに並ぶ画素回路PCは、いずれも同一レイアウトの構成を有している。また、第2方向Yに隣り合う画素回路PCは、第1方向Xに延在する直線を対称軸として、互いに線対称なレイアウトの構成を有している。図示した例では、信号線SL1乃至SL3が対称軸に相当する。一例では、1つの画素回路PCは、隣り合う2本の信号線SLと、隣り合う2本の走査線GLとで区画された領域に形成されるが、この例に限らず、電圧FRPあるいは電圧XFRPを供給するための配線などの他の配線によって区画されたものであっても良い。
画素回路PC11乃至PC13、及び、画素回路PC21乃至PC23は、それぞれ第1方向Xに沿った長さが第2方向Yに沿った長さより短い領域に形成され、且つ、第1方向Xに並んでいる。画素回路PC31乃至PC33、及び、画素回路PC41乃至PC43は、それぞれ第1方向Xに沿った長さが第2方向Yに沿った長さより短い領域に形成され、且つ、第1方向Xに並んでいる。
画素回路PC11乃至PC13は、副画素P1の電極群EG1を駆動する回路群CG1を構成している。画素回路PC21乃至PC23は、副画素P2の電極群EG2を駆動する回路群CG2を構成している。画素回路PC31乃至PC33は、副画素P3の電極群EG3を駆動する回路群CG3を構成している。画素回路PC41乃至PC43は、副画素P4の電極群EG4を駆動する回路群CG4を構成している。回路群CG2は回路群CG1と第1方向Xで隣り合い、回路群CG4は回路群CG3と第1方向Xで隣り合っている。回路群CG3は回路群CG1と第2方向Yで隣り合い、回路群CG4は回路群CG2と第2方向Yで隣り合っている。
画素回路PCに対応する領域には、平面視で、図8で説明したラッチ部LTと、図10で説明した下接続部CTaと、が配置されている。ラッチ部LTと下接続部CTaとは、例えば、第2方向Yに隣り合って並んでいる。次に、回路群CG1を例に、画素回路PCの構成について説明する。
画素回路PC11乃至PC13は、それぞれ、ラッチ部LT11乃至LT13と、下接続部CTa11乃至CTa13と、を備えている。ラッチ部LT11乃至LT13は、平面視で、それぞれ画素回路PC11乃至PC13の中央部に配置されている。下接続部CTa11は、画素回路PC11と図10に図示した中継配線RL11とを電気的に接続している。下接続部CTa12は、画素回路PC12と図10に図示した中継配線RL12とを電気的に接続している。下接続部CTa13は、画素回路PC13と図10に図示した中継配線RL13とを電気的に接続している。下接続部CTa11乃至CTa13は、それぞれラッチ部LT11乃至LT13と第2方向Yで並び、平面視で信号線SL1にラッチ部LT11乃至LT13よりも近接する位置に配置されている。すなわち、下接続部CTa11乃至CTa13は、それぞれ画素回路PC11乃至PC13の第2方向Yにおける端部のうち、回路群CG3に隣接する側の端部に配置され、第1方向Xに並んでいる。
回路群CG2は回路群CG1と同じレイアウトの構成を有しており、回路群CG3及びCG4は、信号線SL2を対称軸として、回路群CG3及びCG4と線対称なレイアウトの構成を有している。すなわち、回路群CG2に配置された下接続部CTa21乃至CTa23は、信号線SL1にラッチ部LT21乃至LT23よりも近接する位置に配置され、第1方向Xに並んでいる。下接続部CTa11乃至CTa13、及びCTa21乃至CTa23は、同一直線上に位置している。回路群CG3に配置された下接続部CTa31乃至CTa33は、信号線SL3にラッチ部LT31乃至LT33よりも近接する位置に配置されている。回路群CG4についても、回路群CG3と同様である。下接続部CTa31乃至CTa33、及びCTa41乃至CTa43は、第1方向Xに並び、同一直線上に位置している。
以上のことから、図示した例では、主画素回路CR1に配置された下接続部CTaは、回路群CG1乃至CG4において第2方向Yにおける端部に配置され、主画素回路CR1の第2方向Yにおける端部に配置され、第1方向Xに並んでいる。
本構成例においては、上接続部CTb及び下接続部CTaは、第1方向Xに並んでいる。下接続部CTa及び上接続部CTbは、それぞれ同一直線状に配置されており、第2方向Yに離間しているので、第1方向Xに延在する配線領域WRを確保することができる。このため、配線領域WRが分散している場合と比べて、より長い中継配線RLを配置可能であり、電極群EG1をより回路群CG1から離れた位置に配置することができる。すなわち、表示領域DAの平面視で駆動部DRと重なる領域を拡大することができる。
一例として、主画素PX1に配置された上接続部CTbは、各電極群EG1乃至EG4の第2方向Yにおける端部において第1方向Xに並んで配置されており、主画素PX1の第2方向Yにおける中央部に相当する境界線B1近傍に境界線B1に沿って並んで配置されている。また、主画素回路CR1に配置された下接続部CTaは、各回路群CG1乃至CG4の第2方向Yにおける端部に配置されており、主画素回路CR1の第2方向Yにおける端部に並んでいる。このため、配線領域WRの第2方向Yの幅を広くすることができる。なお、図10で図示した例では、主画素PX1が主画素回路CR1から第2方向Yにずれているため、電極群EG1は、回路群CG1から第2方向Yにずれている。この結果として、電極群EG1と回路群CG1とを接続する中継配線RL11乃至RL13が配置される配線領域WRを更に広げることができる。
図14は、表示パネルPNLにおける主画素PX、及び主画素回路CRの配置例を示す図である。
外縁部DAXの近傍において第1方向Xの額縁領域を狭小化する場合、表示領域DAは、図示する様な領域R1及びR2を有していることが望ましい。2つの領域R1は、それぞれ外縁部DAXに沿って配置されている。領域R2は、第1方向Xにおいて、表示領域DAの中央部に位置し、領域R1の間に位置している。
複数の主画素PXが第1方向X及び第2方向Yに並んで配置され、複数の主画素回路CRも第1方向X及び第2方向Yに並んで配置されている。領域R1では、主画素PXは、平面視で対応する主画素回路CRから第1方向Xにずれている。主画素PXと主画素回路CRとの第1方向Xのずれは、領域R2に近い位置では小さく、外縁部DAXに近い位置では大きい。周辺回路Cr1及びCr3と重なる領域では、主画素PXと主画素回路CRとの第1方向Xのずれは、主画素PXの第1方向の幅よりも大きくなり、前述した様に、主画素PXが平面視で主画素回路CRから離間している。一方、領域R2では、主画素PXは、平面視で対応する主画素回路CRから第1方向Xにずれていない。
図示した例では、領域R1の主画素PXに配置された画素電極PEのレイアウトの構成は、領域R2の主画素PXに配置されたものと同様である。領域R1の主画素回路CRのレイアウトの構成は領域R2のものと同様であり、第1方向Xに並んだ画素回路PCのレイアウトの構成は、領域R1であっても領域R2であっても同様である。下接続部CTaは、領域R1及びR2に亘って第1方向Xに並び、上接続部CTbは領域R1及びR2に亘って第1方向Xに並び、下接続部CTaから第2方向Yに離間している。中継配線RLのレイアウトの構成は、領域R1と領域R2とで異なっており、領域R1の中継配線RLは第1方向X及び第2方向Yに延在するL字状に配置され、領域R2の中継配線RLは第2方向Yに延在する直線状に配置されている。
領域R1において、中継配線RLの密度が高い領域と低い領域とが、第2方向Yに交互に並んでいる。下接続部CTaに近接する領域では、第1方向Xに延在する中継配線RLの密度が高く、下接続部CTaから離間する領域では、第1方向Xに延在する中継配線RLの密度が低い。中継配線RLの密度が高い領域では、中継配線RLの密度が低い領域に比べて、画素電極PEの中継配線RLと対向する側とは反対側の表面が隆起する場合がある。すなわち、複数の画素電極PEの表面に、第2方向Yに沿って周期的な凹凸形状が形成される場合がある。この場合、画素電極PEの表面の凹凸によって反射ムラが生じ、領域R1にスジ状の表示ムラが生じる恐れがある。しかし、表示装置DSPは、図7A乃至7Fに図示した散乱層FSを備えることで、画素電極PEで反射された反射光を散乱させることができるため、図14に図示した構成例であっても、領域R1における表示ムラの発生を抑制することができる。
[変形例]
次に、実施の形態2で示した構成の変形例について説明する。以下の変形例においても、副画素P1を例に挙げて構成の説明を行い、副画素P2乃至P4の詳細な説明は省略する。なお、このような変形例においても、実施の形態2で説明したのと同様の効果が得られる。
[第1変形例]
図15は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第1変形例を示す図である。
本変形例は、主画素PX1と主画素回路CR1とが第2方向Yにずれていない点で図10に図示した構成例と相違している。本変形例においては、主画素回路CR1に配置された下接続部CTaは、主画素PX1の画素電極PEと第1方向Xで対向している。
図16は、図12に示した電極群EG1乃至EG4の構成の第1変形例を示す図である。
図16で図示した電極群EG1乃至EG4は、図15で図示した主画素PX1に備えられた電極群である。本変形例は、画素電極PE11,PE21,PE31,PE41の位置が、図12に図示した構成例と相違している。
3つの画素電極PE11乃至PE13のうち最も小さい画素電極PE11が、副画素P1の中央に配置されている。中間の大きさの画素電極PE12は、画素電極PE11の交差する2辺に沿って配置されている。最も大きい画素電極PE13は、画素電極PE11の他の交差する2辺に沿って配置されている。画素電極PE12は、画素電極PE11の交点XPに近接する側に配置され、画素電極PE13は、画素電極PE11の交点XPから離間する側に配置されている。
上接続部CTb11は、画素電極PE11の中央部に配置されている。上接続部CTb11乃至CTb13は、電極群EG1の第2方向Yにおける中央部において第1方向Xに並び、同一直線上に位置している。
[第2変形例]
図17は、図12に示した電極群EG1乃至EG4の構成の第2変形例を示す図である。
本変形例は、画素電極PE11,PE21,PE31,PE41がそれぞれ副画素P1乃至P4の境界線B1と近接する側の反対側に位置している点で、図12に図示した構成例と相違している。
画素電極PE11は、境界線B2に隣接し、境界線B1から離間している。画素電極PE12は、画素電極PE11の交差する2辺に沿って配置されたL字形である。画素電極PE11の画素電極PE12と隣接する2辺は、境界線B1と対向する側の1辺、及び、境界線B2と隣接する側とは反対側の1辺である。画素電極PE13は、画素電極PE12の画素電極PE11に隣接する2辺に対向する他の2辺に沿って配置されたL字形である。画素電極PE13は、境界線B1及びB2に隣接している。
上接続部CTb11乃至CTb13は、それぞれ、画素電極PE11乃至PE13の、電極群EG3と隣接する側とは反対側の端部に配置されている。主画素PX1の上接続部CTbは、主画素PX1の第2方向Yにおける端部に配置され、第1方向Xに並んでいる。
[第3変形例]
図18は、図12に示した電極群EG1乃至EG4の構成の第3変形例を示す図である。
本変形例は、各画素電極PEの形状がストライプ状である点で、図12に図示した構成例と相違している。
画素電極PE11乃至PE13は、それぞれ、第1方向Xに並び、第2方向Yに延在して境界線B1に隣接している。画素電極PE13は、境界線B2から離間して配置されている。画素電極PE11は、画素電極PE13と境界線B2との間に位置している。画素電極PE12は、画素電極PE11と境界線B2との間に位置している。
上接続部CTb11乃至CTb13は、図17で説明した変形例同様、電極群CG1の電極群CG3に隣接する側とは反対側の端部に配置され、第1方向Xに並んでいる。
次に、上接続部CTbが第1方向Xに並んでいない変形例を図19及び図20に図示する。
[第4変形例]
図19は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第4変形例を示す図である。
図19では、複数の上接続部CTbの一部が、第1方向Xに並ばず、第2方向Yでずれている構成を示す。さらに具体的には、図19は、領域R1において上接続部CTbが第1方向Xに並ばない構成の例である。また図19の副画素のレイアウトは、図16と同様である。
図19に図示した変形例においては、中継配線RLは、互いの干渉を避ける様に配置されている。本変形例においても、前述の様に、図10で図示した構成例と同様の効果を得ることができる。
[第5変形例]
図20は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第5変形例を示す図である。
図20では、複数の上接続部CTbの一部が、第1方向Xに並ばず、第2方向Yでずれている構成を示す。さらに具体的には、図20は、領域R1において上接続部CTbが第1方向Xに並ばない構成の例である。また図19の副画素のレイアウトは、図12と同様である。
図20に図示した変形例においては、中継配線RLは、互いの干渉を避ける様に配置されている。本変形例においても、前述の様に、図10で図示した構成例と同様の効果を得ることができる。
[第6変形例]
図21は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第6変形例を示す図である。
本変形例は、領域R2に配置された電極群EG5のレイアウトの構成が領域R1に配置された電極群EG1のレイアウトの構成と異なっている点で、図14に図示した構成例と相違している。
主画素PX1は領域R1に配置され、主画素PX2は領域R2に配置されている。主画素PX1及びPX2は、第1方向Xに並んでいる。電極群EG1は、主画素PX1に備えられた副画素P1を構成している。電極群EG5は、主画素PX5に備えられ、且つ、副画素P1と同じ色を表示する副画素P5を構成している。図示した例では、副画素P1及びP5はG画素であり、電極群EG1及びEG5は共に緑色のカラーフィルタと重なっている。
図示した例では、電極群EG5は、図16に図示したレイアウトで構成され、電極群EG1は、図18に図示したレイアウトで構成されている。回路群CG5を構成する画素回路PC51乃至PC53は、電極群EG5のレイアウトに合う様に構成されている。したがって、副画素P5の下接続部CTa及び上接続部CTbは、副画素P5の第2方向Yにおける中央部に配置されている。下接続部CTaは、領域R1及びR2に亘って第1方向Xに並んでいるが、上接続部CTbは、領域R1と領域R2とで第2方向Yにずれている。
本変形例によれば、それぞれの電極群EGに対応する上接続部CTbの位置を、領域R1と領域R2とで変えることができる。この場合、領域R1における中継配線RLのレイアウトの自由度を向上させることができるため、主画素PX1と主画素回路CR1とは、互いにより離れた位置に配置されることが可能となる。
[第7変形例]
図22は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第7変形例を示す図である。
本変形例は、図21の説明と同様に、領域R1とR2とで電極群EGのレイアウトの構成が異なっている。図示した例では、電極群EG5は図12で図示したレイアウトで構成され、電極群EG1は図17で図示したレイアウトで構成されている。
図22で説明した変形例においても、図21の説明と同様の効果を得ることができる。
[第8変形例]
図23は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第8変形例を示す図である。
本変形例は、図21の説明と同様に、領域R1とR2とで電極群EGのレイアウトの構成が異なっている。図示した例では、電極群EG5は図16で図示したレイアウトで構成され、電極群EG1は図12で図示したレイアウトで構成されている。
図23で説明した変形例においても、図21の説明と同様の効果を得ることができる。
[第9変形例]
図24は、図10に示した主画素PX、及び主画素回路CRの構成の第9変形例を示す図である。
本変形例は、平面視における主画素PX1の面積が主画素PX2の面積と異なる点で、図14で説明した構成例と相違している。
平面視で、駆動部DRと重なる主画素PX1と、駆動部DRから離間した主画素PX2とを比較した場合、主画素PX1及びPX2の第2方向Yの幅は、互いに等しい。主画素PX1の第1方向Xの幅はピッチPT3であり、主画素PX2の第1方向Xの幅はピッチPT4である。ピッチPT3の大きさはピッチPT4の大きさと異なり、図示した例ではピッチPT3がピッチPT4よりも大きい。
このような変形例によれば、駆動部DRと主画素PXとが重なる領域の大きさを調整することができる。また、駆動部DRと重なる様に配置される主画素PXの数を減少させることができる。
[実施の形態3]
本実施形態では、実施の形態1及び2で説明した表示装置DSPの適用例について説明する。
図25は、マルチディスプレイシステムの構成例を示す図である。
図示したマルチディスプレイシステムは、映像信号出力装置VD、及び、表示装置DSP1乃至DSP4を備えている。映像信号出力装置VDは、ケーブルを介して表示装置DSP1乃至DSP4とそれぞれ接続されている。表示装置DSP1乃至DSP4は、いずれも、上記した本実施形態の表示装置DSPと同一に構成されている。表示装置DSP1乃至DSP4は、それぞれ表示領域DA1乃至DA4と、実装部MT1乃至MT4と、を備えている。
図示した例では、表示装置DSP1乃至DSP4は、それぞれの実装部が隣接する表示装置間に配置されないような向きで並んでいる。すなわち、表示装置DSP1及びDSP2は第1方向Xに並び、表示装置DSP3及びDSP4は第1方向Xに並び、表示装置DSP1及びDSP3は第2方向Yに並び、表示装置DSP2及びDSP4は第2方向Yに並んでいる。但し、表示装置DSP1及びDSP3は、それぞれの表示領域DA1及びDA3が隣り合うように配置され、表示領域DA1及びDA3の間には実装部MT1及びMT3のいずれも位置していない。同様に、表示装置DSP2及びDSP4も、それぞれの表示領域DA2及びDA4が隣り合うように配置されている。なお、実施の形態2で示した表示装置DSPを用いてマルチディスプレイを構成する場合、表示装置DSPは、互いの領域R1が近接する、すなわち互いのDAXが対向する様に配置されることが望ましい。
このような構成例によれば、表示装置DSP1乃至DSP4のそれぞれの表示領域DA1乃至DA4が近接して隣り合う。しかも、それぞれの表示装置DSP1乃至DSP4は上記の通り狭額縁化されているため、隣り合う表示領域DA1乃至DA4の間隔を小さくすることができる。このため、表示領域DA1乃至DA4間での表示画像の途切れを視認しにくくすることができ、表示品位を改善することが可能となる。
以上説明したように、本実施形態によれば、狭額縁化が可能な表示装置を提供することができる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
(1)
駆動部と、
平面視で前記駆動部から離間し、前記駆動部と電気的に接続された第1画素回路と、
平面視で前記駆動部から前記第1画素回路よりも離間し、前記駆動部と電気的に接続された第2画素回路と、
平面視で前記駆動部と重なる第1画素電極と、
平面視で前記第1画素回路と重なる第2画素電極と、
前記第1画素回路と前記第1画素電極とを電気的に接続する第1中継配線と、
前記第2画素回路と前記第2画素電極とを電気的に接続する第2中継配線と、を備えている、表示装置。
(2)
前記第1画素回路と前記第1中継配線との間、及び前記第2画素回路と前記第2中継配線との間に位置する第1絶縁膜と、
前記第1中継配線と前記第1画素電極との間、及び前記第2中継配線と前記第2画素電極との間に位置する第2絶縁膜と、
前記第1絶縁膜を貫通し、前記第1画素回路と前記第1中継配線とを電気的に接続する第1下接続部と、
前記第2絶縁膜を貫通し、前記第1中継配線と前記第1画素回路とを電気的に接続する第1上接続部と、を備え、
前記第1画素電極は、前記第1画素回路から第1方向に離間し、
前記第1下接続部は、前記第1上接続部から前記第1方向と交差する第2方向にも離間している、(1)に記載の表示装置。
(3)
前記第1絶縁膜を貫通し、前記第2画素回路と前記第2中継配線とを電気的に接続する第2下接続部と、を備え、
前記第1及び第2画素回路は、前記第1方向に並び、
前記第1及び第2下接続部は、前記第1方向に並んでいる、(2)に記載の表示装置。
(4)
前記駆動部から前記第2画素回路よりも離間した第3画素回路と、
前記第3画素回路と平面視で重なり、前記第3画素回路と電気的に接続された第3画素電極と、
前記第1絶縁膜を貫通し、前記第3画素回路と前記第3画素電極とを電気的に接続する第3下接続部と、を備え、
前記第1下接続部は、第1ピッチで他の下接続部と前記第1方向に隣り合い、
前記第2下接続部は、前記第1ピッチよりも大きい第2ピッチで他の下接続部と前記第1方向に隣り合っている、(3)に記載の表示装置。
(5)
平面視で前記駆動部から離間し、前記駆動部と電気的に接続された第4画素回路と、
平面視で、前記第4画素回路から前記第2方向に離間し、前記駆動部と重なる第4画素電極と、
前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜の間に位置し、前記第4画素回路と前記第4画素電極とを電気的に接続する第4中継配線と、を備えている、(2)乃至(4)のいずれか1項に記載の表示装置。
(6)
前記第1及び第2中継配線と同一層上に位置し、前記第1及び第2中継配線から離間し、遮光性を有する遮光部を備えている、(1)乃至(5)のいずれか1項に記載の表示装置。
(7)
駆動部と、
それぞれ前記駆動部と電気的に接続された第1乃至第3画素回路を有し、平面視で前記駆動部から離間した第1回路群と、
第1画素電極と、前記第1画素電極よりも面積が大きい第2画素電極と、前記第2画素電極よりも面積が大きい第3画素電極を有し、平面視で前記駆動部と重なる第1電極群と、
前記第1画素回路と前記第1画素電極とを電気的に接続する第1中継配線と、
前記第2画素回路と前記第2画素電極とを電気的に接続する第2中継配線と、
前記第3画素回路と前記第3画素電極とを電気的に接続する第3中継配線と、を備えている、表示装置。
(8)
前記第1画素回路と前記第1中継配線との間、前記第2画素回路と前記第2中継配線との間、及び前記第3画素回路と前記第3中継配線との間に位置する第1絶縁膜と、
前記第1中継配線と前記第1画素電極との間、前記第2中継配線と前記第2画素電極との間、及び前記第3中継配線と前記第3画素電極との間に位置する第2絶縁膜と、
前記第1絶縁膜を貫通し、前記第1画素回路と前記第1中継配線とを電気的に接続する第1下接続部と、
前記第1絶縁膜を貫通し、前記第2画素回路と前記第2中継配線とを電気的に接続する第2下接続部と、
前記第1絶縁膜を貫通し、前記第3画素回路と前記第3中継配線とを電気的に接続する第3下接続部と、
前記第2絶縁膜を貫通し、前記第1中継配線と前記第1画素電極とを電気的に接続する第1上接続部と、
前記第2絶縁膜を貫通し、前記第2中継配線と前記第2画素電極とを電気的に接続する第2上接続部と、
前記第2絶縁膜を貫通し、前記第3中継配線と前記第3画素電極とを電気的に接続する第3上接続部と、を備え、
前記第1乃至第3画素回路は、第1方向に並び、
前記第1電極群は、平面視で前記第1回路群から前記第1方向に離間し、
前記第1乃至第3下接続部は、前記第1方向に並び、平面視でそれぞれ前記第1乃至第3上接続部から前記第1方向と交差する第2方向にも離間している、(7)に記載の表示装置。
(9)
前記第1乃至第3上接続部は、前記第1電極群の前記第2方向における端部に配置され、前記第1方向に並んでいる、(8)に記載の表示装置。
(10)
前記第1回路群と前記第1方向で隣り合う第2回路群と、
前記第1回路群と前記第2方向で隣り合う第3回路群と、を備え、
前記第2回路群は、前記第1回路群と同じレイアウトの構成を有し、
前記第3回路群は、前記第1方向に延在する直線を対称軸として、前記第1回路群と線対称なレイアウトの構成を有し、
前記第1乃至第3下接続部は、それぞれ前記第1乃至第3画素回路の前記第3回路群に隣接する側とは反対側の端部に配置されている、(8)又は(9)に記載の表示装置。
(11)
前記第1画素電極は、四角形状であり、
前記第2画素電極は、前記第1画素電極の交差する2辺に沿って配置されたL字形であり、
前記第3画素電極は、前記第1画素電極の他の2辺に沿って配置されたL字形である、(7)乃至(10)のいずれか1項に記載の表示装置。
(12)
前記第1画素電極は、四角形状であり、
前記第2画素電極は、前記第1画素電極の交差する2辺に沿って配置されたL字形であり、
前記第3画素電極は、前記第2画素電極の前記第1画素電極に隣接する2辺に対向する他の2辺に沿って配置されたL字形である、(7)乃至(10)のいずれか1項に記載の表示装置。
(13)
前記第1乃至第3画素電極は、第1方向に並び、それぞれ前記第1方向と交差する第2方向に延在している、(7)乃至(10)のいずれか1項に記載の表示装置。
(14)
前記第1電極群と同じ主画素に属する第2乃至第4電極群と、
前記第1電極群と前記第3電極群との間に位置し、且つ、前記第2電極群と前記第4電極群との間に位置する第1境界線と、を備え、
前記第3電極群は、前記第1境界線を対称軸として、前記第1電極群と線対称なレイアウトの構成を有し、
前記第4電極群は、前記第1境界線を対称軸として、前記第2電極群と線対称なレイアウトの構成を有している、(7)乃至(13)のいずれか1項に記載の表示装置。
(15)
前記第1電極群と同じ主画素に属する第2乃至第4電極群と、
前記第1電極群と前記第2電極群との間に位置し、且つ、前記第3電極群と前記第4電極群との間に位置する第2境界線と、を備え、
前記第2電極群は、前記第2境界線を対称軸として、前記第1電極群と線対称なレイアウトの構成を有し、
前記第4電極群は、前記第2境界線を対称軸として、前記第3電極群と線対称なレイアウトの構成を有している、(7)乃至(14)のいずれか1項に記載の表示装置。
(16)
平面視で前記駆動部から離間し、前記第1電極群と同じ色のカラーフィルタと重なる第5電極群を備え、
前記第5電極群は、前記第1電極群とは異なるレイアウトの構成を有している、(7)乃至(15)のいずれか1項に記載の表示装置。
(17)
平面視で前記駆動部から離間した第6電極群を備え、
前記第1電極群は、平面視で前記第1回路群から第1方向に離間し、
前記第6電極群の前記第1方向の幅は、前記第1電極群の前記第1方向の幅と異なる、(7)乃至(16)のいずれか1項に記載の表示装置。
(18)
前記第1電極群は、平面視で、前記第1回路群から第1方向に離間し、前記第1回路群に対して前記第1方向と交差する第2方向にもずれている、(7)乃至(17)のいずれか1項に記載の表示装置。
(19)
駆動部と、
それぞれ前記駆動部と電気的に接続された第1乃至第3画素回路を有する第1回路群と、
第1画素電極と、前記第1画素電極よりも面積が大きい第2画素電極と、前記第2画素電極よりも面積が大きい第3画素電極とを有する第1電極群と、
前記第1画素回路と前記第1画素電極とを電気的に接続する第1中継配線と、
前記第2画素回路と前記第2画素電極とを電気的に接続する第2中継配線と、
前記第3画素回路と前記第3画素電極とを電気的に接続する第3中継配線と、
前記第1中継配線と前記第1画素電極とを電気的に接続する第1上接続部と、
前記第2中継配線と前記第2画素電極とを電気的に接続する第2上接続部と、
前記第3中継配線と前記第3画素電極とを電気的に接続する第3上接続部と、
前記第1画素回路と前記第1中継配線とを電気的に接続する第1下接続部と、
前記第2画素回路と前記第2中継配線とを電気的に接続する第2下接続部と、
前記第3画素回路と前記第3中継配線とを電気的に接続する第3下接続部と、
を有し、
前記第1乃至第3上接続部は、前記第1電極群の端部に並んで配置されている、表示装置。
(20)
前記第1電極群と同じ主画素に属する第2乃至第4電極群と、
前記第1電極群と前記第3電極群との間に位置し、且つ、前記第2電極群と前記第4電極群との間に位置する第1境界線と、を備え、
前記第3電極群は、前記第1境界線を対称軸として、前記第1電極群と線対称なレイアウトの構成を有し、
前記第4電極群は、前記第1境界線を対称軸として、前記第2電極群と線対称なレイアウトの構成を有する、(19)に記載の表示装置。
(21)
第1基板と、
前記第1基板に対向配置された第2基板と、を備え、
前記第1基板には、前記第1画素電極が配置され、
前記第2基板には、前記第1画素電極と対向し、特定方向からの入射光を散乱させる異方性散乱層が配置されている、(1)乃至(20)のいずれか1項に記載の表示装置。
(22)
第1基板と、
前記第1基板に対向配置された第2基板と、を備え、
前記第1基板には、前記第1画素電極が配置され、
前記第2基板には、前記第1画素電極と対向し、どのような方向からの入射光でも散乱させる等方性散乱層が配置されている、(1)乃至(20)のいずれか1項に記載の表示装置。
DSP…表示装置 PNL…表示パネル DR…駆動部 Cr…画素回路
PE…画素電極 PC…画素回路 RL…中継配線 SH…遮光部
CTa…下接続部 CTb…上接続部
PX…主画素 CR…主画素回路 P…副画素 CF…カラーフィルタ
EG…電極群 CG…回路群

Claims (20)

  1. 駆動部と、
    平面視で前記駆動部から離間し、前記駆動部と電気的に接続された第1画素回路と、
    平面視で前記駆動部から前記第1画素回路よりも離間し、前記駆動部と電気的に接続された第2画素回路と、
    平面視で前記駆動部と重なる第1画素電極と、
    平面視で前記第1画素回路と重なる第2画素電極と、
    前記第1画素回路と前記第1画素電極とを電気的に接続する第1中継配線と、
    前記第2画素回路と前記第2画素電極とを電気的に接続する第2中継配線と、を備えている、表示装置。
  2. 前記第1画素回路と前記第1中継配線との間、及び前記第2画素回路と前記第2中継配線との間に位置する第1絶縁膜と、
    前記第1中継配線と前記第1画素電極との間、及び前記第2中継配線と前記第2画素電極との間に位置する第2絶縁膜と、
    前記第1絶縁膜を貫通し、前記第1画素回路と前記第1中継配線とを電気的に接続する第1下接続部と、
    前記第2絶縁膜を貫通し、前記第1中継配線と前記第1画素回路とを電気的に接続する第1上接続部と、を備え、
    前記第1画素電極は、前記第1画素回路から第1方向に離間し、
    前記第1下接続部は、前記第1上接続部から前記第1方向と交差する第2方向にも離間している、請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記第1絶縁膜を貫通し、前記第2画素回路と前記第2中継配線とを電気的に接続する第2下接続部と、を備え、
    前記第1及び第2画素回路は、前記第1方向に並び、
    前記第1及び第2下接続部は、前記第1方向に並んでいる、請求項2に記載の表示装置。
  4. 前記駆動部から前記第2画素回路よりも離間した第3画素回路と、
    前記第3画素回路と平面視で重なり、前記第3画素回路と電気的に接続された第3画素電極と、
    前記第1絶縁膜を貫通し、前記第3画素回路と前記第3画素電極とを電気的に接続する第3下接続部と、を備え、
    前記第1下接続部は、第1ピッチで他の下接続部と前記第1方向に隣り合い、
    前記第2下接続部は、前記第1ピッチよりも大きい第2ピッチで他の下接続部と前記第1方向に隣り合っている、請求項3に記載の表示装置。
  5. 平面視で前記駆動部から離間し、前記駆動部と電気的に接続された第4画素回路と、
    平面視で、前記第4画素回路から前記第2方向に離間し、前記駆動部と重なる第4画素電極と、
    前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜の間に位置し、前記第4画素回路と前記第4画素電極とを電気的に接続する第4中継配線と、を備えている、請求項2乃至4のいずれか1項に記載の表示装置。
  6. 前記第1及び第2中継配線と同一層上に位置し、前記第1及び第2中継配線から離間し、遮光性を有する遮光部を備えている、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の表示装置。
  7. 駆動部と、
    それぞれ前記駆動部と電気的に接続された第1乃至第3画素回路を有し、平面視で前記駆動部から離間した第1回路群と、
    第1画素電極と、前記第1画素電極よりも面積が大きい第2画素電極と、前記第2画素電極よりも面積が大きい第3画素電極を有し、平面視で前記駆動部と重なる第1電極群と、
    前記第1画素回路と前記第1画素電極とを電気的に接続する第1中継配線と、
    前記第2画素回路と前記第2画素電極とを電気的に接続する第2中継配線と、
    前記第3画素回路と前記第3画素電極とを電気的に接続する第3中継配線と、を備えている、表示装置。
  8. 前記第1画素回路と前記第1中継配線との間、前記第2画素回路と前記第2中継配線との間、及び前記第3画素回路と前記第3中継配線との間に位置する第1絶縁膜と、
    前記第1中継配線と前記第1画素電極との間、前記第2中継配線と前記第2画素電極との間、及び前記第3中継配線と前記第3画素電極との間に位置する第2絶縁膜と、
    前記第1絶縁膜を貫通し、前記第1画素回路と前記第1中継配線とを電気的に接続する第1下接続部と、
    前記第1絶縁膜を貫通し、前記第2画素回路と前記第2中継配線とを電気的に接続する第2下接続部と、
    前記第1絶縁膜を貫通し、前記第3画素回路と前記第3中継配線とを電気的に接続する第3下接続部と、
    前記第2絶縁膜を貫通し、前記第1中継配線と前記第1画素電極とを電気的に接続する第1上接続部と、
    前記第2絶縁膜を貫通し、前記第2中継配線と前記第2画素電極とを電気的に接続する第2上接続部と、
    前記第2絶縁膜を貫通し、前記第3中継配線と前記第3画素電極とを電気的に接続する第3上接続部と、を備え、
    前記第1乃至第3画素回路は、第1方向に並び、
    前記第1電極群は、平面視で前記第1回路群から前記第1方向に離間し、
    前記第1乃至第3下接続部は、前記第1方向に並び、平面視でそれぞれ前記第1乃至第3上接続部から前記第1方向と交差する第2方向にも離間している、請求項7に記載の表示装置。
  9. 前記第1乃至第3上接続部は、前記第1電極群の前記第2方向における端部に配置され、前記第1方向に並んでいる、請求項8に記載の表示装置。
  10. 前記第1回路群と前記第1方向で隣り合う第2回路群と、
    前記第1回路群と前記第2方向で隣り合う第3回路群と、を備え、
    前記第2回路群は、前記第1回路群と同じレイアウトの構成を有し、
    前記第3回路群は、前記第1方向に延在する直線を対称軸として、前記第1回路群と線対称なレイアウトの構成を有し、
    前記第1乃至第3下接続部は、それぞれ前記第1乃至第3画素回路の前記第3回路群に隣接する側とは反対側の端部に配置されている、請求項8又は9に記載の表示装置。
  11. 前記第1画素電極は、四角形状であり、
    前記第2画素電極は、前記第1画素電極の交差する2辺に沿って配置されたL字形であり、
    前記第3画素電極は、前記第1画素電極の他の2辺に沿って配置されたL字形である、請求項7乃至10のいずれか1項に記載の表示装置。
  12. 前記第1画素電極は、四角形状であり、
    前記第2画素電極は、前記第1画素電極の交差する2辺に沿って配置されたL字形であり、
    前記第3画素電極は、前記第2画素電極の前記第1画素電極に隣接する2辺に対向する他の2辺に沿って配置されたL字形である、請求項7乃至10のいずれか1項に記載の表示装置。
  13. 前記第1乃至第3画素電極は、第1方向に並び、それぞれ前記第1方向と交差する第2方向に延在している、請求項7乃至10のいずれか1項に記載の表示装置。
  14. 前記第1電極群と同じ主画素に属する第2乃至第4電極群と、
    前記第1電極群と前記第3電極群との間に位置し、且つ、前記第2電極群と前記第4電極群との間に位置する第1境界線と、を備え、
    前記第3電極群は、前記第1境界線を対称軸として、前記第1電極群と線対称なレイアウトの構成を有し、
    前記第4電極群は、前記第1境界線を対称軸として、前記第2電極群と線対称なレイアウトの構成を有している、請求項7乃至13のいずれか1項に記載の表示装置。
  15. 前記第1電極群と同じ主画素に属する第2乃至第4電極群と、
    前記第1電極群と前記第2電極群との間に位置し、且つ、前記第3電極群と前記第4電極群との間に位置する第2境界線と、を備え、
    前記第2電極群は、前記第2境界線を対称軸として、前記第1電極群と線対称なレイアウトの構成を有し、
    前記第4電極群は、前記第2境界線を対称軸として、前記第3電極群と線対称なレイアウトの構成を有している、請求項7乃至14のいずれか1項に記載の表示装置。
  16. 平面視で前記駆動部から離間し、前記第1電極群と同じ色のカラーフィルタと重なる第5電極群を備え、
    前記第5電極群は、前記第1電極群とは異なるレイアウトの構成を有している、請求項7乃至15のいずれか1項に記載の表示装置。
  17. 平面視で前記駆動部から離間した第6電極群を備え、
    前記第1電極群は、平面視で前記第1回路群から第1方向に離間し、
    前記第6電極群の前記第1方向の幅は、前記第1電極群の前記第1方向の幅と異なる、請求項7乃至16のいずれか1項に記載の表示装置。
  18. 前記第1電極群は、平面視で、前記第1回路群から第1方向に離間し、前記第1回路群に対して前記第1方向と交差する第2方向にもずれている、請求項7乃至17のいずれか1項に記載の表示装置。
  19. 第1基板と、
    前記第1基板に対向配置された第2基板と、を備え、
    前記第1基板には、前記第1画素電極が配置され、
    前記第2基板には、前記第1画素電極と対向し、特定方向からの入射光を散乱させる異方性散乱層が配置されている、請求項1乃至18のいずれか1項に記載の表示装置。
  20. 第1基板と、
    前記第1基板に対向配置された第2基板と、を備え、
    前記第1基板には、前記第1画素電極が配置され、
    前記第2基板には、前記第1画素電極と対向し、どのような方向からの入射光でも散乱させる等方性散乱層が配置されている、請求項1乃至18のいずれか1項に記載の表示装置。
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