JP2016007701A - 化学機械研磨法 - Google Patents
化学機械研磨法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016007701A JP2016007701A JP2015125653A JP2015125653A JP2016007701A JP 2016007701 A JP2016007701 A JP 2016007701A JP 2015125653 A JP2015125653 A JP 2015125653A JP 2015125653 A JP2015125653 A JP 2015125653A JP 2016007701 A JP2016007701 A JP 2016007701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- chemical mechanical
- substrate
- polyurethane
- mechanical polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
- H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H10P90/123—Preparing bulk and homogeneous wafers by grinding or lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/06—Planarisation of inorganic insulating materials
- H10P95/062—Planarisation of inorganic insulating materials involving a dielectric removal step
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
【解決手段】プラテンを有する研磨機を提供する工程、露出した酸化ケイ素面を有する基材を提供する工程、ポリウレタン研磨層を含み、前記ポリウレタン研磨層組成が≧0.5mg(KOH)/gの酸価を示す、化学機械研磨パッドを提供する工程、水及びセリア砥粒を含む砥粒スラリーを提供する工程、化学機械研磨パッドと基材との間の界面で動的接触を生じさせる工程、及び化学機械研磨パッドのポリウレタン研磨層の研磨面上、基材との間の界面又はその近くに砥粒スラリーを分配する工程を含み、基材を化学機械研磨する方法。
【選択図】なし
Description
セリアベース研磨スラリーを使用する従来の化学機械研磨工程においては、コンディショニングディスクの選択が、研磨のために化学機械研磨パッドの研磨層の研磨面上で適切なテキスチャの形成及び維持を促進するのに不可欠であるといえる。従来のポリウレタン研磨層をセリアベース研磨スラリーとともに使用する従来の研磨法の場合、コンディショニングディスクの選択が、研磨中に実現される除去速度に対して大きな影響を及ぼす。すなわち、従来のポリウレタン研磨層は、特にセリアベース研磨スラリーとともに使用される場合、限られたコンディショニング許容度しか有しないことがよく知られている。したがって、実際に安定な除去速度を得ることは困難といえる。本出願人は、驚くことに、ポリウレタン研磨層が≧0.5mg(KOH)/gの酸価を示すように選択される、セリアベース研磨スラリーを使用する化学機械研磨の方法が、≧80%のコンディショニング許容度を提供することを見いだした。
CT=[(TEOSA/TEOSM)*100%]
に従って測定される。
式中、CTは、コンディショニング許容度(%単位)であり、TEOSAは、実施例に記載された手順に従ってアグレッシブなコンディショニングディスクを使用して計測されるポリウレタン研磨層のTEOS除去速度(Å/min単位)であり、TEOSMは、実施例に記載された手順に従ってマイルドなコンディショニングディスクを使用して計測されるポリウレタン研磨層のTEOS除去速度(Å/min単位)である。
(式中、m及びnは、独立して、0〜100、好ましくは1〜50、より好ましくは2〜25、最も好ましくは4〜10からなる群より選択される整数である)
によって示される、ペンダントカルボン酸官能基を有する直鎖状飽和ポリエステルジオールからなる材料の群より選択される。
(式中、m及びnは、独立して、1〜100、好ましくは1〜50、より好ましくは2〜25、最も好ましくは4〜10からなる群より選択される整数である)
によって示される材料から選択される。好ましくは、使用されるポリカプロラクトンジオールは、1,000〜10,000(より好ましくは1,000〜5,000、最も好ましくは1,500〜3,000)の数平均分子量MNを有する。
(式中、m及びnは、独立して、0〜100、好ましくは1〜50、より好ましくは2〜25、最も好ましくは4〜10からなる群より選択される整数である)
によって示される、ペンダントカルボン酸官能基を有する直鎖状飽和ポリエステルジオールからなる材料の群より選択される。
ポリウレタン研磨層の調製
表3に記す(a)51℃のイソシアネート末端ウレタンプレポリマー、(b)硬化剤系、及び(c)複数の微小エレメント(すなわちExpancel(登録商標)551DE20d60気孔形成剤)の制御された混合によって比較例C1のポリウレタン研磨層を調製した。イソシアネート末端ウレタンプレポリマーと硬化剤系との比は、イソシアネート末端ウレタンプレポリマー中の未反応イソシアネート(NCO)基に対する硬化剤系中の活性水素基(すなわち、−OH基と−NH2基との合計)の比によって決まる化学量論比が表3に示された比になるように設定した。硬化剤系の添加の前に、複数の微小エレメントをイソシアネート末端ウレタンプレポリマーに混合した。次いで、高剪断混合ヘッドを使用して、複数の微小エレメントが組み込まれたイソシアネート末端ウレタンプレポリマーと硬化剤系とを混合した。混合ヘッドから出たのち、混合物を直径86.4cm(34インチ)の円形型の中に5分かけて分配して、約8cm(3インチ)の全注入厚さを得た。分配された混合物を15分かけてゲル化させたのち、型を硬化オーブンに入れた。そして、型を、硬化オーブン中、以下のサイクルを使用して硬化させた。周囲温度から104℃までオーブン設定値温度への30分間の上昇、次いで104℃のオーブン設定値温度で15.5時間保持、次いで104℃から21℃までオーブン設定値温度への2時間の下降。
比較例C1〜C2及び実施例1に従って、それぞれ気孔形成剤(Expancel(登録商標)材料)を添加して調製した溝なしポリウレタン研磨層材料、及び実施例1〜6に従って、それぞれ気孔形成剤(Expancel(登録商標)材料)を添加せずに調製した溝なしポリウレタン研磨層材料を分析して、表4に報告する物性を測定した。報告する比重は、ASTM D1622に従って純水に対して測定したものであり、報告するショアD硬度は、ASTM D2240に従って測定したものであることに留意すること。
マラソン研磨例
比較例CP2及び実施例P1のそれぞれのために、比較例C2及び実施例1に従って調製したポリウレタン研磨層を感圧接着剤によってSuba(商標)IVサブパッド(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から市販)に貼り合わせた。
マイルドコンディショニング研磨例
比較例MPC1及び実施例MP2〜MP6のそれぞれのために、比較例C1及び実施例2〜6に従って調製したポリウレタン研磨層を感圧接着剤によってSuba(商標)IVサブパッド(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から市販)に貼り合わせた。
アグレッシブコンディショニング研磨例
比較例APC1及び実施例AP2〜AP6のそれぞれのために、比較例C1及び実施例2〜6に従って調製したポリウレタン研磨層を感圧接着剤によってSuba(商標)IVサブパッド(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から市販)に貼り合わせた。
Claims (10)
- プラテンを有する研磨機を提供する工程、
露出した酸化ケイ素面を有する基材を提供する工程、
ポリウレタン研磨層を含む化学機械研磨パッドであって、前記ポリウレタン研磨層が、組成、下面及び研磨面を有するように選択され、前記ポリウレタン研磨層組成が≧0.5mg(KOH)/gの酸価を示し、前記研磨面が基材を研磨するように適合されている、化学機械研磨パッドを提供する工程、
水及びセリア砥粒を含む砥粒スラリーを提供する工程、
前記基材及び前記化学機械研磨パッドを前記研磨機に設置する工程、
前記化学機械研磨パッドと前記基材との間の界面で動的接触を生じさせる工程、及び
前記化学機械研磨パッドの前記ポリウレタン研磨層の前記研磨面上、前記化学機械研磨パッドと前記基材との間の前記界面又はその近くに前記砥粒スラリーを分配する工程
を含み、前記露出した酸化ケイ素面の少なくともいくらかを前記基材の前記表面から研磨除去する、基材を化学機械研磨する方法。 - 提供される前記基材が、磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される、請求項1記載の方法。
- 砥粒コンディショナを提供する工程、及び
前記研磨面を前記砥粒コンディショナでコンディショニングする工程
をさらに含む、請求項1記載の方法。 - 前記研磨面が≧80%のコンディショニング許容度を示す、請求項3記載の方法。
- 選択される前記ポリウレタン研磨層の前記組成が、
(a)多官能イソシアネート、
(b)(i)1分子あたり平均で少なくとも2個の活性水素及び少なくとも1個のカルボン酸官能基を有するカルボン酸含有多官能硬化剤
を含む硬化剤系、及び
(c)任意選択で、複数の微小エレメント
を含む成分の反応生成物である、請求項4記載の方法。 - 前記硬化剤系が、
ジアミン、
ジオール、
アミン開始ポリオール硬化剤、及び
2,000〜100,000の数平均分子量MNを有し、1分子あたり平均で3〜10個のヒドロキシル基を有する高分子量ポリオール硬化剤
の少なくとも一つをさらに含む、請求項5記載の方法。 - 選択される前記ポリウレタン研磨層の前記組成が、
(a)(i)多官能イソシアネート、及び
(ii)1分子あたり平均で少なくとも2個の活性水素及び少なくとも1個のカルボン酸官能基を有するカルボン酸含有多官能材料、及び
(iii)プレポリマーポリオール
を含む成分の反応生成物であるイソシアネート末端ウレタンプレポリマー、並びに
(b)少なくとも一つの多官能硬化剤を含む硬化剤系、並びに
(c)任意選択で、複数の微小エレメント
を含む成分の反応生成物である、請求項4記載の方法。 - 提供される前記研磨機が光源及びフォトセンサをさらに有し、提供される前記化学機械研磨パッドが終点検出ウィンドウをさらに含み、方法が、
前記光源からの光を前記終点検出ウィンドウに通して伝達し、前記基材の前記表面から反射して前記終点検出ウィンドウを反対に通過して前記フォトセンサに入射する光を分析することによって研磨終点を決定する工程
をさらに含む、請求項1記載の方法。 - 提供される前記化学機械研磨パッドが、
スタック側及びプラテン側を有する感圧プラテン接着剤層
をさらに含み、前記感圧プラテン接着剤層の前記スタック側が前記ポリウレタン研磨層の前記下面に隣接する、請求項1記載の方法。 - 提供される前記化学機械研磨パッドが、
前記ポリウレタン研磨層の前記下面と前記感圧プラテン接着剤層の前記スタック側との間に界面で接続され、挿入された少なくとも一つのさらなる層
をさらに含む、請求項9記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/314,355 | 2014-06-25 | ||
| US14/314,355 US20150375361A1 (en) | 2014-06-25 | 2014-06-25 | Chemical mechanical polishing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016007701A true JP2016007701A (ja) | 2016-01-18 |
| JP6563707B2 JP6563707B2 (ja) | 2019-08-21 |
Family
ID=54839848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015125653A Active JP6563707B2 (ja) | 2014-06-25 | 2015-06-23 | 化学機械研磨法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150375361A1 (ja) |
| JP (1) | JP6563707B2 (ja) |
| KR (1) | KR20160000855A (ja) |
| CN (1) | CN105215837B (ja) |
| DE (1) | DE102015006980A1 (ja) |
| FR (1) | FR3022815B1 (ja) |
| TW (1) | TWI568531B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016007700A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | コンディショニング許容度を有する化学機械研磨層組成物 |
| DE102018002425A1 (de) | 2017-03-31 | 2018-10-31 | Fanuc Corporation | Numerische Regelungsvorrichtung |
| KR20210061721A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-28 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드용 조성물, 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
| KR20240015167A (ko) | 2014-10-17 | 2024-02-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 cmp 패드 구성 |
| US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
| US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
| US9776361B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles |
| JP6940495B2 (ja) | 2015-10-30 | 2021-09-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 所望のゼータ電位を有する研磨用物品を形成するための装置及び方法 |
| US9484212B1 (en) * | 2015-10-30 | 2016-11-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
| US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
| US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
| US10086494B2 (en) * | 2016-09-13 | 2018-10-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High planarization efficiency chemical mechanical polishing pads and methods of making |
| KR101835090B1 (ko) | 2017-05-29 | 2018-03-06 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이를 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR101835087B1 (ko) * | 2017-05-29 | 2018-03-06 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이를 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
| WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
| JP6968651B2 (ja) * | 2017-10-12 | 2021-11-17 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
| CN111684571A (zh) | 2018-02-05 | 2020-09-18 | 应用材料公司 | 用于3d打印的cmp垫的压电终点指示 |
| KR102693955B1 (ko) * | 2018-04-11 | 2024-08-09 | 삼성전자주식회사 | 글래스 표면 연마를 위한 연마 조성물, 연마 조성물을 이용한 연마 장치 및 연마 방법 |
| KR102054309B1 (ko) * | 2018-04-17 | 2019-12-10 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 연마 패드 및 이의 제조방법 |
| WO2020050932A1 (en) | 2018-09-04 | 2020-03-12 | Applied Materials, Inc. | Formulations for advanced polishing pads |
| US10464188B1 (en) * | 2018-11-06 | 2019-11-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad and polishing method |
| KR102177748B1 (ko) * | 2019-11-28 | 2020-11-11 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 연마 패드 및 이의 제조방법 |
| JPWO2021117834A1 (ja) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | ||
| KR102421208B1 (ko) * | 2020-09-10 | 2022-07-14 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마 패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
| US11813713B2 (en) * | 2021-01-21 | 2023-11-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad and polishing method |
| US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
| CN113276017B (zh) * | 2021-06-09 | 2022-10-28 | 广东工业大学 | 一种防静电抛光层、抛光垫及其制备方法和应用 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH097985A (ja) * | 1995-03-28 | 1997-01-10 | Applied Materials Inc | ケミカルメカニカルポリシングの操作をインシチュウでモニタするための装置及び方法 |
| JP2005511356A (ja) * | 2001-12-07 | 2005-04-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 保護ポリウレタン層を含む多層シート |
| JP2007287938A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Adeka Corp | 金属cmp用研磨組成物 |
| JP2007313640A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | ケミカルメカニカル研磨パッド |
| JP2010509773A (ja) * | 2006-11-09 | 2010-03-25 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Low−k誘電体材料のcmp用組成物及び方法 |
| JP2010099828A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-05-06 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | シールされた窓を有するケミカルメカニカル研磨パッド |
| JP2011235426A (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-24 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
| JP2013176824A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Kuraray Co Ltd | 皮膜および皮膜を有する研磨パッド |
| JP2014097567A (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-29 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 軟質かつコンディショニング可能なケミカルメカニカル研磨パッド |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3850589A (en) * | 1959-05-15 | 1974-11-26 | Sherwin Williams Co | Grinding tool having a rigid and dimensionally stable resin binder |
| US5532058A (en) * | 1990-12-10 | 1996-07-02 | H. B. Fuller Licensing & Financing, Inc. | Dry-bonded film laminate employing polyurethane dispersion adhesives with improved crosslinkers |
| US5142001A (en) * | 1991-07-17 | 1992-08-25 | Kyowa Hakko Kogyo Co., Ltd. | Polyurethane composition |
| US5964643A (en) * | 1995-03-28 | 1999-10-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ monitoring of chemical mechanical polishing operations |
| CN100379522C (zh) * | 2000-12-01 | 2008-04-09 | 东洋橡膠工业株式会社 | 研磨垫及其制造方法和研磨垫用缓冲层 |
| EP1270148A1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-01-02 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Arrangement and method for conditioning a polishing pad |
| US20060127666A1 (en) * | 2001-12-07 | 2006-06-15 | Fuchs Iris L | Multilayer sheet comprising a protective polyurethane layer |
| KR100434189B1 (ko) * | 2002-03-21 | 2004-06-04 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법 |
| US20050171224A1 (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-04 | Kulp Mary J. | Polyurethane polishing pad |
| US8697239B2 (en) | 2009-07-24 | 2014-04-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multi-functional polishing pad |
| CN102310366B (zh) * | 2010-07-08 | 2014-03-05 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 具有低缺陷整体窗的化学机械抛光垫 |
-
2014
- 2014-06-25 US US14/314,355 patent/US20150375361A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-05-29 DE DE102015006980.2A patent/DE102015006980A1/de not_active Withdrawn
- 2015-06-11 TW TW104118883A patent/TWI568531B/zh active
- 2015-06-15 CN CN201510329335.2A patent/CN105215837B/zh active Active
- 2015-06-22 KR KR1020150088246A patent/KR20160000855A/ko not_active Withdrawn
- 2015-06-22 FR FR1555697A patent/FR3022815B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-23 JP JP2015125653A patent/JP6563707B2/ja active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH097985A (ja) * | 1995-03-28 | 1997-01-10 | Applied Materials Inc | ケミカルメカニカルポリシングの操作をインシチュウでモニタするための装置及び方法 |
| JP2005511356A (ja) * | 2001-12-07 | 2005-04-28 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 保護ポリウレタン層を含む多層シート |
| JP2007287938A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Adeka Corp | 金属cmp用研磨組成物 |
| JP2007313640A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | ケミカルメカニカル研磨パッド |
| JP2010509773A (ja) * | 2006-11-09 | 2010-03-25 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Low−k誘電体材料のcmp用組成物及び方法 |
| JP2010099828A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-05-06 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | シールされた窓を有するケミカルメカニカル研磨パッド |
| JP2011235426A (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-24 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
| JP2013176824A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Kuraray Co Ltd | 皮膜および皮膜を有する研磨パッド |
| JP2014097567A (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-29 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 軟質かつコンディショニング可能なケミカルメカニカル研磨パッド |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016007700A (ja) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | コンディショニング許容度を有する化学機械研磨層組成物 |
| DE102018002425A1 (de) | 2017-03-31 | 2018-10-31 | Fanuc Corporation | Numerische Regelungsvorrichtung |
| DE102018002425B4 (de) | 2017-03-31 | 2023-05-11 | Fanuc Corporation | Numerische Regelungsvorrichtung |
| KR20210061721A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-28 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드용 조성물, 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6563707B2 (ja) | 2019-08-21 |
| US20150375361A1 (en) | 2015-12-31 |
| CN105215837B (zh) | 2018-10-19 |
| DE102015006980A1 (de) | 2015-12-31 |
| FR3022815A1 (fr) | 2016-01-01 |
| KR20160000855A (ko) | 2016-01-05 |
| TW201615338A (zh) | 2016-05-01 |
| TWI568531B (zh) | 2017-02-01 |
| FR3022815B1 (fr) | 2020-01-10 |
| CN105215837A (zh) | 2016-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6563707B2 (ja) | 化学機械研磨法 | |
| JP6563706B2 (ja) | コンディショニング許容度を有する化学機械研磨層組成物 | |
| US8697239B2 (en) | Multi-functional polishing pad | |
| JP6177665B2 (ja) | 軟質かつコンディショニング可能なケミカルメカニカル研磨パッド | |
| EP2151299B1 (en) | Chemical mechanical polishing pad | |
| JP5270182B2 (ja) | ケミカルメカニカル研磨パッド | |
| TWI577706B (zh) | 化學機械硏磨墊 | |
| JP6849389B2 (ja) | ケミカルメカニカルポリッシング方法 | |
| TWI791157B (zh) | 採用聚胺及環己烷二甲醇固化劑之研磨墊 | |
| CN111203798B (zh) | 化学机械抛光垫和抛光方法 | |
| JP2017052078A (ja) | ケミカルメカニカル研磨パッド及び同研磨パッドの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180608 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190219 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190415 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190702 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190725 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6563707 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |