JP2016212380A - 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびタッチパネル - Google Patents
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Abstract
Description
この層間絶縁膜の形成には、必要とするパターン形状を得るための工程数が少なく、しかも十分な平坦性が得られるという理由から、感光性樹脂組成物が広く使用されている。
そこで、本発明者らは、特許文献1に記載された感光性樹脂組成物を用いて高温で製膜したところ、熱塩基発生剤の種類によっては、透明性(以下、「耐熱透明性」という。)やパターニング性に劣る場合があることを明らかとした。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。
ポリベンゾオキサゾール前駆体が、フェノール性水酸基の少なくとも一部を酸分解性基で保護したポリベンゾオキサゾール前駆体であり、
熱塩基発生剤が、下記式(X)で表される化合物である、感光性樹脂組成物。
[2] ポリベンゾオキサゾール前駆体が、下記式(1)で表される繰り返し単位を有する、[1]に記載の感光性樹脂組成物。
[3] 熱塩基発生剤の含有量が、ポリベンゾオキサゾール前駆体100質量部に対して0.1〜30質量部である、[1]または[2]に記載の感光性樹脂組成物。
[4] 式(X)のR4が、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アルキレンオキシ基およびアルコキシシリル基からなる群から選択される少なくとも1つを含む、[1]〜[3]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[5] 式(X)のmが2であり、式(X)のR4がヘテロ原子を有していてよい2価の脂肪族炭化水素基である、[1]〜[4]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[6] 式(X)のmが1である、[4]に記載の感光性樹脂組成物。
[7] ポリベンゾオキサゾール前駆体が、式(1)中のYが炭素数3〜15の環状の脂肪族基で表される繰り返し単位Aと、式(1)中のYが炭素数4〜20の直鎖状または分岐状の脂肪族基で表される繰り返し単位Bと、含有する、[2]〜[6]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[8] ポリベンゾオキサゾール前駆体が、式(1)中のYが炭素数6〜20の芳香族基を少なくとも含有する、[2]〜[6]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
[9] ポリベンゾオキサゾール前駆体が、繰り返し単位Aおよび繰り返し単位Bを合計で、ポリベンゾオキサゾール前駆体中の全繰り返し単位の70mol%以上の割合で含有し、繰り返し単位Aと繰り返し単位Bとの含有量の比率がモル比で9:1〜3:7である、[7]に記載の感光性樹脂組成物。
[10] ポリベンゾオキサゾール前駆体が、ポリベンゾオキサゾール前駆体の全繰り返し単位が有するフェノール性水酸基の10〜60%が、酸分解性基で保護されている、[1]〜[9]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
塗布された感光性樹脂組成物から溶剤を除去する工程と、
溶剤が除去された感光性樹脂組成物を活性放射線で露光する工程と、
露光された感光性樹脂組成物を現像液により現像する工程と、
現像された感光性樹脂組成物を熱硬化して硬化膜を得る工程とを含む硬化膜の製造方法。
[12] 現像する工程の後、かつ熱硬化する工程の前に、現像された感光性樹脂組成物を露光する工程を含む、[11]に記載の硬化膜の製造方法。
[13] [1]〜[10]のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を硬化してなる硬化膜。
[14] 層間絶縁膜である、[13]に記載の硬化膜。
[15] [13]または[14]に記載の硬化膜を有する、液晶表示装置。
[16] [13]または[14]に記載の硬化膜を有する、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
[17] [13]または[14]に記載の硬化膜を有する、タッチパネル。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書における基(原子団)の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本明細書において、固形分は、25℃における固形分である。
本明細書において、ポリマーの重量平均分子量および数平均分子量は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフ)測定によるポリスチレン換算値として定義される。ポリマーの重量平均分子量および数平均分子量は、例えば、HLC−8120(東ソー製)を用い、カラムとしてTSK gel Multipore HXL−M(東ソー製、7.8mmID×30.0cmを、溶離液としてTHF(テトラヒドロフラン)を用いることによって求めることができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、ポリベンゾオキサゾール前駆体と、pKaが3以下の酸を発生する光酸発生剤と、熱塩基発生剤と、溶剤とを含有する。
また、ポリベンゾオキサゾール前駆体は、フェノール性水酸基の少なくとも一部を酸分解性基で保護したポリベンゾオキサゾール前駆体である。
また、熱塩基発生剤は、下記式(X)で表される化合物である。
これは、詳細には明らかではないが、本発明者は以下のように推測している。
まず、ポリベンゾオキサゾール前駆体は、高温で焼成されることにより環化(ベンゾオキサゾール環を形成)し、優れた耐熱性および絶縁性を示すポリベンゾオキサゾールとなる。
また、この焼成過程(ポストベーク工程)において、酸(例えば、光酸発生剤が熱分解して生じた酸など)が存在していると、脱保護したフェノール性水酸基が酸化するなどして、ベンゾオキサゾール前駆体の閉環反応以外の副反応が進行し、その結果、得られる硬化膜の透明性が低下することになる。
一方、酸による熱硬化時の副反応を抑制するには、塩基化合物を添加することが有効であるが、未保護の塩基化合物を添加した場合、光酸発生剤より発生する酸を中和してしまい、パターニング性が低下することになる。
そして、本発明においては、1級アミンを保護した上記式(X)で表される化合物を熱塩基発生剤として用いることにより、パターニング性を低下させることなく、焼成過程における副反応を抑制し、ベンゾオキサゾール前駆体の閉環反応を進行させることができたため、透明性およびパターニング性が改善されたと考えられる。
なお、特許文献1の感光性樹脂組成物においても、熱塩基発生剤を含有しているが、後述する比較例(特に比較例1および6)に示す通り、窒素原子を含む複素環構造を有する2級アミンを用いた場合には、透明性またはパターニング性が劣ることから、焼成過程における副反応が抑制できなかったと考えられる。
以下に、本発明の感光性樹脂組成物が含有するポリベンゾオキサゾール前駆体、pKaが3以下の酸を発生する光酸発生剤、熱塩基発生剤および溶剤、ならびに、任意に含有する添加剤について詳述する。
本発明の感光性樹脂組成物が含有するポリベンゾオキサゾール前駆体は、フェノール性水酸基の少なくとも一部を酸分解性基で保護したポリベンゾオキサゾール前駆体である。
ここで、「フェノール性水酸基」とは、芳香環の水素原子をヒドロキシ基で置換してなる基である。また、「芳香環」は、単環および多環のいずれであってもよく、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環等が挙げられる。
また、「酸分解性基」とは、酸の作用で分解して、フェノール性水酸基、カルボキシル基などのアルカリ可溶性基を生じる基をいい、例えば、アセタール基、シリル基、シリルエーテル基、3級アルキルエステル基等を挙げることができ、中でも、感度の観点からアセタール基が好ましい。なお、アセタール基とは、後述する式(1)中のRと結合している酸素原子を含めた基をいう。
なお、以下に示す4価の有機基において、「*1」および「*2」は、いずれか一方が上記式(1)における−ORとの連結部分を表し、他方が上記式(1)における−NH−との連結部分を表す。同様に、「*3」および「*4」は、いずれか一方が上記式(1)における−ORとの連結部分を表し、他方が上記式(1)における−NH−との連結部分を表す。
環状の脂肪族基の炭素数は、3〜15であり、6〜12が好ましい。炭素数が上記範囲であると、耐光性、耐薬品性に優れた硬化膜を得ることができる。環状の脂肪族基は、6員環が好ましい。炭素数3〜15の環状の脂肪族基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。無置換が好ましい。
置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子などが挙げられる。
なお、環状の脂肪族基が置換基を有する場合、環状の脂肪族基の炭素数は、置換基の炭素数を除いた数とする。
炭素数3〜15の環状の脂肪族基の具体例としては、環状脂肪族ジカルボン酸のカルボキシル基の除去後に残存する残基(環状の脂肪族基)が挙げられる。具体的には、以下に示す基が挙げられ、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、ビスシクロヘキシレン基、アダマンチレン基が好ましく、シクロヘキシレン基またはビスシクロヘキシレン基がより好ましい。なお、以下に示す基中、*は上記式(1)中のYに隣接するカルボニル基を構成する炭素原子(カルボニル炭素)との結合位置を表す。
直鎖または分岐の脂肪族基の炭素数は、4〜20であり、4〜15が好ましく、4〜12が更に好ましい。炭素数が上記範囲であると、溶剤溶解性が良好である。
炭素数4〜20の直鎖または分岐の脂肪族基の具体例としては、直鎖の脂肪族ジカルボン酸、または、分岐の脂肪族ジカルボン酸のカルボキシル基の除去後に残存する残基(脂肪族基)が挙げられる。
直鎖の脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘキサデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸、ドコサン二酸などが挙げられる。
分岐の脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、3−メチルグルタル酸、3,3−ジメチルグルタル酸、2−メチルアジピン酸、2−エチルアジピン酸、2−プロピルアジピン酸、2−ブチルアジピン酸、3−メチルアジピン酸、3−tert−ブチルアジピン酸、2,3−ジメチルアジピン酸、2,4−ジメチルアジピン酸、3,3−ジメチルアジピン酸、3,4−ジメチルアジピン酸、2,4,4−トリメチルアジピン酸、2,2,5,5−テトラメチルアジピン酸、2−メチルピメリン酸、3−メチルピメリン酸、3−メチルスベリン酸、2−メチルセバシン酸、ノナン−2,5−ジカルボン酸などが挙げられる。
なお、以下に示す基中、*は上記式(1)中のカルボニル炭素との結合位置を表し、Aは−CH2−、−O−、−S−、−SO2−、−CO−、−NHCO−および−C(CF3)2−からなる群から選択される2価の基を表す。
置換基の例としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子、シアノ基、アミド基、スルホニルアミド基が挙げられる。
上記式(2)中のR101、R102およびR103が表すアルキル基は、Rで説明したアルキル基と同義であり、好ましい範囲も同様である。アルキル基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
また、上記式(2)中のR101またはR102とR103とが連結して形成される環状エーテルとしては、例えば、以下に示す構造が挙げられる。なお、以下に示す構造において、*は酸素原子との結合位置を表す。また、以下に示す構造は、*の位置で結合している酸素原子を含めるとアセタール基ともいう。
Rcが表すアルキル基は、Rで説明したアルキル基と同義であり、好ましい範囲も同様である。アルキル基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
Rcが表すアリール基としては、炭素数6〜20のアリール基が好ましく、炭素数6〜14のアリール基がより好ましく、炭素数6〜10のアリール基がさらに好ましい。具体的にアリール基としては、フェニル基、トルイル基、メシチル基、ナフチル基などが挙げられる。アリール基は、置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
なお、ここでいうポリベンゾオキサゾール前駆体の全繰り返し単位が有するフェノール性水酸基とは、酸分解性基による保護を行う前の状態のポリベンゾオキサゾール前駆体の全繰り返し単位が有するフェノール性水酸基を意味する。
ここで、炭素数3〜15の環状の脂肪族基および炭素数4〜20の直鎖状または分岐状の脂肪族基は、上記式(1)中のYで説明した各脂肪族基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
なお、本発明において、「繰り返し単位Aおよび繰り返し単位Bのみで実質的に構成されている」とは、繰り返し単位Aおよび繰り返し単位B以外の繰り返し単位の含有量が、例えば、5mol%以下であることが好ましく、1mol%以下であることがより好ましく、含有しないことが一層好ましい。
また、例えば、繰り返し単位Aとして、上記式(1)中のYがシクロヘキシレン基またはビスシクロヘキシレン基で表される繰り返し単位を有し、繰り返し単位Bとして、上記式(1)中のYが炭素数4〜20の直鎖または分岐の脂肪族基で表される繰り返し単位を有する場合、繰り返し単位Aと繰り返し単位Bとの含有量の比率は、モル比で8.5:1.5〜4:6が好ましく、7.5:2.5〜4:6がより好ましく、7.5:2.5〜5:5が更に好ましく、7.5:2.5〜5.5:4.5が一層好ましく、7.5:2.5〜6:4が特に好ましい。
また、例えば、繰り返し単位Aとして、上記式(1)中のYがアダマンチレン基で表される繰り返し単位を有し、繰り返し単位Bとして、上記式(1)中のYが炭素数4〜20の直鎖または分岐の脂肪族基で表される繰り返し単位を有する場合、繰り返し単位Aと繰り返し単位Bとの含有量の比率は、モル比で6.5:3.5〜4:6が好ましく、6:4〜5:5がより好ましい。
他の繰り返し単位としては、例えば、一般式(a1)で表される繰り返し単位、一般式(a2)で表される繰り返し単位、一般式(a3)で表される繰り返し単位などが例示される。
一般式(a1)中、X10は、上記式(1)で説明したXと同様の範囲であり、好ましい範囲も同様である。また、一般式(a1)中、R11およびR12は、上記式(1)で説明したRと同様の範囲であり、好ましい範囲も同様である。
一般式(a1)中、Y10は芳香族環基を表す。芳香族環基としては、単環であってもよく、多環であってもよい。芳香族環基は、ヘテロ原子を含むヘテロ芳香族環基であってもよい。芳香族環の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、および、フェナジン環が挙げられる。
芳香族環基、環状の脂肪族基、直鎖の脂肪族基、分岐の脂肪族基は、上述したものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。
芳香族環基、環状の脂肪族基、直鎖の脂肪族基、分岐の脂肪族基は、上述したものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。
X12が表す、ケイ素原子を含む基は、下記で表される基であることが好ましい。
直鎖または分岐のアルキレン基の炭素数は、1〜20が好ましく、1〜10がより好ましく、1〜6がさらに好ましい。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、t−ブチレン基などが挙げられる。
アリーレン基の炭素数は、6〜20が好ましく、6〜14がより好ましく、6〜10がさらに好ましい。具体的なアリーレン基としては、1,4−フェニレン基、1,3−フェニレン基、1,2−フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基などが挙げられる。
2価の環状脂肪族基の炭素数は、3〜20が好ましく、3〜10がより好ましく、5〜6がさらに好ましい。2価の環状脂肪族基としては、1,4−シクロヘキシレン基、1,3−シクロヘキシレン基、1,2−シクロヘキシレン基などが挙げられる。
炭素数1〜20の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、炭素数6〜20のアリーレン基、および炭素数3〜20の2価の環状脂肪族基は置換基を有していてもよい。置換基としては、炭素数1〜6のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、アミド基、スルホニルアミド基などを挙げることができる。
炭素数1〜20の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、炭素数6〜20のアリーレン基、または炭素数3〜20の2価の環状脂肪族基を組み合わせてなる基としては、特に制限はないが、炭素数3〜20の2価の環状脂肪族基を組み合わせてなる基を組み合わせた基であることが好ましい。以下、炭素数1〜20の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、炭素数6〜20のアリーレン基、または炭素数3〜20の2価の環状脂肪族基を組み合わせてなる基の具体例としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
直鎖もしくは分岐のアルキル基の炭素数は、1〜20が好ましく、1〜10がより好ましく、1〜6が更に好ましい。具体的には、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t−ブチル基などが挙げられる。
アリール基の炭素数は、6〜20が好ましく、炭素数6〜14がより好ましく、6〜10がさらに好ましい。具体的にアリール基としては、フェニル基、トルイル基、メシチル基、ナフチル基などが挙げられる。
炭素数1〜20の直鎖もしくは分岐のアルキル基、アリール基は置換基を有していてもよい。置換基としては、炭素数1〜6のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、アミド基、スルホニルアミド基などを挙げることができる。
溶剤溶解性の観点では、炭素数3以上の酸クロリドが好ましい。耐溶剤性の観点では、炭素数12以下の酸クロリドが好ましい。熱安定性の観点では、カルボン酸クロリドが好ましい。
一般式(b1)
R30は1価の有機基を表す。1価の有機基としては特に制限はないが、一分子あたりの式量が20〜500のものが例示される。また、1価の有機基を構成する原子は、炭素原子、酸素原子、窒素原子、水素原子、硫黄原子から選択されることが好ましく、炭素原子、酸素原子、窒素原子、水素原子から選択されることがより好ましい。
具体的には、アルキル基(好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜6)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜10、より好ましくは炭素数2〜6)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜10、より好ましくは炭素数2〜6)、アリール基(好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは炭素数6〜10)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜6)、カルボキシル基、架橋性基、ならびに、酸素原子、カルボニル基、スルホニル基、アリーレン基(好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは炭素数6〜10)、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜6)、アルケニレン基(好ましくは炭素数2〜10、より好ましくは炭素数2〜6)、およびアルキニレン基(好ましくは炭素数2〜10、より好ましくは炭素数2〜6)と、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、カルボニル基、カルボキシル基、酸素原子、アルキレン基、アルキニレン基またはアリーレン基との組み合わせからなる基であることがより好ましい。
これらの基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、水酸基、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、アミド基、スルホニルアミド基などを挙げることができる。
本発明の感光性樹脂組成物が有する光酸発生剤は、pKaが3以下の酸を発生する光酸発生剤である。
ここで、pKaは、基本的に25℃の水中におけるpKaを指す。水中で測定できないものは、測定に適する溶剤に変更し測定したものを指す。具体的には、化学便覧等に記載のpKaが参考にできる。
また、pKaが3以下の酸としては、スルホン酸またはホスホン酸であることが好ましく、スルホン酸であることがより好ましい。
また、光酸発生剤は、pKaが2以下の酸を発生するものが好ましい。
イミドスルホネート化合物の具体例としてはWO2011/087011号公報の段落番号0065〜0075に記載の化合物が例示でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
R21のアルキル基としては、炭素数1〜10の、直鎖状または分岐状アルキル基が好ましい。R21のアルキル基は、ハロゲン原子、炭素数6〜11のアリール基、炭素数1〜10のアルコキシ基、または、シクロアルキル基(7,7−ジメチル−2−オキソノルボルニル基などの有橋式脂環基を含む、好ましくはビシクロアルキル基等)で置換されてもよい。
R21のアリール基としては、炭素数6〜11のアリール基が好ましく、フェニル基またはナフチル基がより好ましい。R21のアリール基は、低級アルキル基、アルコキシ基あるいはハロゲン原子で置換されてもよい。
また、光酸発生剤の含有量は、ポリベンゾオキサゾール前駆体100質量部に対して、0.1〜20質量部であることが好ましく、0.1〜10質量部であることがより好ましく、0.1〜8質量部であることが更に好ましい。
なお、光酸発生剤は、1種のみを用いてもよいし、2種以上を併用することもできる。2種類以上の光酸発生剤を用いる場合は、その合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物が含有する熱塩基発生剤は、下記式(X)で表される化合物である。
具体的なアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。
これらのうち、上記式(X)中のR4がヒドロキシ基および/またはカルボキシル基を含む化合物であるのがより好ましく、ヒドロキシ基を含む化合物であるのが更に好ましい。
このような化合物としては、具体的には、例えば、下記式で表される化合物等が挙げられる。
また、熱塩基発生剤の含有量は、ポリベンゾオキサゾール前駆体100質量部に対して、0.1〜30質量部であることが好ましく、0.1〜20質量部であるのことより好ましく、0.1〜15質量部であることが更に好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物が含有する溶剤は特に限定されず、公知の溶剤を用いることができる。
なお、本発明の感光性樹脂組成物は、上述した必須成分と、後述する任意成分を溶剤に溶解した溶液として調製されることが好ましい。また、溶剤としては、必須成分および任意成分を溶解し、各成分と反応しないものが好ましい。
溶剤は、1種単独であってもよく、2種以上を用いてもよい。2種以上を用いる場合は、例えば、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類とジアルキルエーテル類、ジアセテート類とジエチレングリコールジアルキルエーテル類、あるいは、エステル類とブチレングリコールアルキルエーテルアセテート類とを併用することがさらに好ましい。
沸点130℃以上160℃未満の溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(沸点146℃)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート(沸点158℃)、プロピレングリコールメチル−n−ブチルエーテル(沸点155℃)、プロピレングリコールメチル−n−プロピルエーテル(沸点131℃)が例示できる。
沸点160℃以上の溶剤としては、3−エトキシプロピオン酸エチル(沸点170℃)、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル(沸点176℃)、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート(沸点160℃)、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(沸点213℃)、3−メトキシブチルエーテルアセテート(沸点171℃)、ジエチレングリコールジエチエルエーテル(沸点189℃)、ジエチレングリコールジメチルエーテル(沸点162℃)、プロピレングリコールジアセテート(沸点190℃)、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(沸点220℃)、ジプロピレングリコールジメチルエーテル(沸点175℃)、1,3−ブチレングリコールジアセテート(沸点232℃)が例示できる。
また、溶剤の含有量は、ポリベンゾオキサゾール前駆体100質量部に対して、500〜2000質量部であるのが好ましく、700〜1800質量部であるのがより好ましい。
なお、溶剤は、1種類のみ用いてもよいし、2種類以上用いてもよい。2種類以上用いる場合は、その合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、密着改良剤を含有してもよい。密着改良剤としてはアルコキシシラン化合物などが挙げられる。
アルコキシシラン化合物は、基材となる無機物、例えば、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、モリブデン、チタン、アルミニウム等の金属と絶縁膜との密着性を向上させる化合物であることが好ましい。
密着改良剤の具体例としては、例えば、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどのγ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、γ−グリシドキシプロピルジアルコキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシランなどのγ−メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリアルコキシシラン、ビニルトリアルコキシシランが挙げられる。これらのうち、γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランやγ−メタクリロキシプロピルトリアルコキシシランが好ましく、γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランがより好ましく、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランがさらに好ましい。これらは1種単独または2種以上を組み合わせて使用することができる。
密着改良剤の含有量は、感光性樹脂組成物の全固形成分100質量部に対し、0.001〜15質量部であることが好ましく、0.005〜10質量部であることがより好ましい。密着改良剤は、1種類のみ用いてもよいし、2種類以上用いてもよい。2種類以上用いる場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、増感剤を含有してもよい。増感剤は、活性光線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった増感剤は、光酸発生剤と接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱などの作用が生じる。これにより光酸発生剤は化学変化を起こして分解し、酸を生成する。このため、増感剤を含有させることで、光酸発生剤の分解を促進させることができる。好ましい増感剤の例としては、以下の化合物類に属しており、かつ350〜450nmの波長域に吸収波長を有する化合物を挙げることができる。
これら増感剤の中でも、多核芳香族類、アクリドン類、スチリル類、ベーススチリル類、クマリン類が好ましく、多核芳香族類がより好ましい。多核芳香族類の中でもアントラセン誘導体が最も好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、架橋剤を含有してもよい。架橋剤を含有することにより、より強硬な硬化膜を得ることができる。
架橋剤としては、熱によって架橋反応が起こるものであれば制限は無い。例えば、分子内に2個以上のエポキシ基またはオキセタニル基を有する化合物、ブロックイソシアネート化合物、アルコキシメチル基含有架橋剤、エチレン性不飽和二重結合を有する化合物等が挙げられる。具体的には、国際公開公報第2014/050730号公報の段落番号0153〜0163に記載の化合物を使用することが好ましい。
その他の架橋剤としては、特開2012−8223号公報の段落番号0107〜0108に記載のアルコキシメチル基含有架橋剤、エチレン性不飽和二重結合を有する化合物なども好ましく用いることができ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。アルコキシメチル基含有架橋剤としては、アルコキシメチル化グリコールウリルが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、塩基性化合物を含有してもよい。塩基性化合物としては、化学増幅型ポジ型レジストで用いられるものの中から任意に選択して使用することができる。例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、第四級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸の第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらの具体例としては、特開2011−221494号公報の段落番号0204〜0207に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。
複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、N−メチル−4−フェニルピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、N−シクロヘキシル−N’−[2−(4−モルホリニル)エチル]チオ尿素、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.3.0]−7−ウンデセンなどが挙げられる。
第四級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。
カルボン酸の第四級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエートなどが挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物は、界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系、または、両性のいずれでも使用することができるが、好ましい界面活性剤はノニオン界面活性剤である。界面活性剤は、例えば、特開2012−88459号公報の段落番号0201〜0205に記載のものや、特開2011−215580号公報の段落番号0185〜0188に記載のものを用いることができ、これらの記載は本願明細書に組み込まれる。
ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類、シリコーン系、フッ素系界面活性剤を挙げることができる。また、以下商品名で、KP−341、X−22−822(信越化学工業製)、ポリフローNo.99C(共栄社化学製)、エフトップ(三菱マテリアル化成製)、メガファック(DIC製)、F−554(DIC製)、フロラードノベックFC−4430(住友スリーエム製)、サーフロンS−242(AGCセイミケミカル製)、PolyFoxPF−6320(OMNOVA製)、SH−8400(東レ・ダウコーニングシリコーン)、フタージェントFTX−218G(ネオス製)等を挙げることができる。
また、界面活性剤として、特開2014−238438号公報の段落番号0151〜0155に記載の化合物も好ましく用いられる。
本発明の感光性樹脂組成物が界面活性剤を有する場合、界面活性剤の含有量は、感光性樹脂組成物の全固形成分100質量部に対し、10質量部以下であることが好ましく、0.001〜10質量部がより好ましく、0.01〜3質量部がさらに好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、酸化防止剤を含有してもよい。酸化防止剤としては、公知の酸化防止剤を含有することができる。酸化防止剤を添加することにより、硬化膜の着色を防止できる。更には、分解による膜厚減少を低減でき、また、耐熱透明性に優れるという利点がある。
酸化防止剤としては、例えば、リン系酸化防止剤、アミド類、ヒドラジド類、ヒンダードアミン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、アスコルビン酸類、硫酸亜鉛、糖類、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、ヒドロキシルアミン誘導体などを挙げることができる。これらの中では、硬化膜の着色、膜厚減少の観点からフェノール系酸化防止剤、ヒンダードアミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、アミド系酸化防止剤、ヒドラジド系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤が好ましく、フェノール系酸化防止剤が最も好ましい。これらは1種単独で用いてもよいし、2種以上を混合してもよい。
具体例としては、特開2005−29515号公報の段落番号0026〜0031に記載の化合物、特開2011-227106号公報の段落番号0106〜0116に記載の化合物を挙げる事ができ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
好ましい市販品として、アデカスタブAO−20、アデカスタブAO−60、アデカスタブAO−80、アデカスタブLA−52、アデカスタブLA−81、アデカスタブAO−412S、アデカスタブPEP−36、イルガノックス1035、イルガノックス1098、チヌビン144を挙げる事ができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、感度向上を目的に、酸増殖剤を用いることができる。
酸増殖剤は、酸触媒反応によってさらに酸を発生して反応系内の酸濃度を上昇させることができる化合物であり、酸が存在しない状態では安定に存在する化合物である。
酸増殖剤の具体例としては、特開2011−221494号公報の段落番号0226〜0228に記載の酸増殖剤が挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれる。
本発明の感光性樹脂組成物が酸増殖剤を含有する場合、酸増殖剤の含有量は、光酸発生剤100質量部に対して、10〜1000質量部とするのが、露光部と未露光部との溶解コントラストの観点から好ましく、20〜500質量部がさらに好ましい。酸増殖剤は、1種単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。2種類以上の酸増殖剤を用いる場合は、その合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、現像促進剤を含有することができる。
現像促進剤としては、特開2012−042837号公報の段落番号0171〜0172に記載されているものを参酌でき、この内容は本願明細書に組み込まれる。
現像促進剤は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用することも可能である。
本発明の感光性樹脂組成物が現像促進剤を有する場合、現像促進剤の添加量は、感度と残膜率の観点から、感光性樹脂組成物の全固形分100質量部に対し、0〜30質量部が好ましく、0.1〜20質量部がより好ましく、0.5〜10質量部であることが最も好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、必要に応じて、熱ラジカル発生剤、熱酸発生剤、紫外線吸収剤、増粘剤、有機または無機の沈殿防止剤などの公知の添加剤を、それぞれ独立に1種または2種以上、加えることができる。
これらの化合物としては、例えば特開2012−88459号公報の段落番号0201〜0224の記載の化合物を使用することができ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
また、特開2012−8223号公報の段落番号0120〜0121に記載の熱ラジカル発生剤、WO2011/136074A1に記載の窒素含有化合物および熱酸発生剤も用いることができ、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
本発明の感光性樹脂組成物は、組成物の保存安定性の悪化や装置汚染につながる可能性があるため、不純物の含有量は少ないほうが好ましい。
不純物の具体例としては、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、鉄、マンガン、銅、アルミニウム、チタン、クロム、コバルト、ニッケル、亜鉛、スズ、またはこれらのイオン、遊離ハロゲンやハロゲン化物イオンなどが挙げられる。
これら不純物の含有量は、本発明の感光性樹脂組成物中に、1000ppb以下が好ましく、500ppb以下がより好ましく、100ppb以下がさらに好ましい。特に金属不純物については、20ppb以下が特に好ましい。下限は特に定めるものではないが、現実的に減らせる限界や、測定限界の観点から、10ppt以上又は100ppt以上とすることができる。
不純物をこのように減らす方法としては、樹脂や添加剤の原料にこれら不純物を含まないものを使用すること、組成物調合時にこれら不純物が混入しないようにすること、および混入した場合には洗浄することなどにより、不純物量を上記範囲内とすることができる。これら不純物は、例えば、ICP(Inductively Coupled Plasma)発光分光分析法、原子吸光分光法などの公知の方法で定量することができる。
これら化合物の含有量は、本発明の感光性樹脂組成物中に、500ppm以下が好ましく、10ppm以下がより好ましく、1ppm以下がさらに好ましい。下限は特に定めるものではないが、現実的に減らせる限界や、測定限界の観点から、0.1ppb以上又は1ppb以上とすることができる。
これら不純物は、金属の不純物と同様の方法で含有量を抑制することができ、また、公知の測定法により定量することができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、各成分を所定の割合でかつ任意の方法で混合し、撹拌溶解して調製することができる。例えば、各成分を、それぞれ予め溶剤に溶解させた溶液とした後、これらを所定の割合で混合して本発明の感光性樹脂組成物を調製することもできる。以上のように調製した組成物溶液は、例えば、孔径0.2μmのフィルター等を用いてろ過した後に、使用することもできる。
ここで、フィルターの孔径は、目的とする純度等に応じて適宜調節でき、0.2μmの他に、0.05μm、0.1μm、0.3μm、0.5μmなどを例示することができる。フィルターの材質は、組成物に使用される溶剤などに合わせて、適宜選択できる。例えばポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ナイロン、ポリテトラフルオロエチレン、金属、活性炭、セルロースなどを挙げることができる。さらに、ろ過を繰り返し行うこともできる。例えば2回ろ過したり、5回ろ過したり、循環ろ過により多数回ろ過したりする態様を挙げることができる。
スリットコートする場合は、感光性樹脂組成物の固形分濃度は2〜40質量%が好ましく、3〜30質量%がより好ましく、4〜20質量%が更に好ましい。
また、スリットコートする場合の粘度は、1〜40mPa・sが好ましく、2〜25mPa・sがより好ましく、3〜20mPa・sが更に好ましい。なお、本発明において、粘度は、25℃での値である。
また、スピンコートする場合は、組成物の固形分濃度は5〜60質量%が好ましく、7〜50質量%がより好ましく、10〜40質量%が更に好ましい。
一方、スピンコートする場合の粘度は、5〜100mPa・sが好ましく、8〜70mPa・sがより好ましく、10〜50mPa・sが更に好ましい。
また、表面張力は、塗布性の観点から10〜100mN/mが好ましく、15〜80mN/mが好ましく、20〜50mN/mが更に好ましい。
好ましい具体例として、固形分濃度15質量%、粘度5mPa・s、表面張力27mN/mのスリットコート用組成物を挙げることができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、公知の方法で保管することができ、例えば、ガラスや金属の密閉容器に保管することができる。
この際、雰囲気を大気とすることも可能であり、窒素とすることも可能である。感光性樹脂組成物の予期せぬ酸化を防ぐという観点からは、窒素雰囲気とすることが好ましい。
保管温度は公知の温度とすることができ、例えば、室温(20〜25℃)、冷蔵(0〜5℃)、冷凍(−50℃〜−10℃)が挙げることができる。感光性樹脂組成物の予期せぬ劣化を防ぐという観点で、冷凍又は冷蔵が好ましく、冷凍がより好ましい。具体的には、5℃、−10℃、−20℃、−30℃を挙げることができ、−20℃が好ましい。
また、保管期間に特に制限されず、例えば、組成物を調製後、−10℃で3日間保管後に使用する態様、−20℃で20日間保管後に使用する態様、−30℃で150日間保管後に使用する態様などを挙げることができる。
本発明の硬化膜の製造方法は、以下の(1)〜(5)の工程を含むことが好ましい。
(1)本発明の感光性樹脂組成物を基板上に塗布する工程(塗布工程)
(2)塗布された感光性樹脂組成物から溶剤を除去する工程(溶剤除去工程)
(3)溶剤が除去された感光性樹脂組成物を活性光線により露光する工程(露光工程)
(4)露光された感光性樹脂組成物を現像液により現像する工程(現像工程)
(5)現像された感光性樹脂組成物を熱硬化して硬化膜を得る工程(ポストベーク工程)
以下に各工程を順に説明する。
基板としては、無機基板、樹脂、樹脂複合材料などが挙げられる。
無機基板としては、例えばガラス、石英、シリコーン、シリコンナイトライド、および、それらのような基板上にモリブデン、チタン、アルミ、銅などを蒸着した複合基板が挙げられる。
樹脂としては、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンズアゾール、ポリフェニレンサルファイド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等のフッ素樹脂、液晶ポリマー、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アイオノマー樹脂、シアネート樹脂、架橋フマル酸ジエステル、環状ポリオレフィン、芳香族エーテル、マレイミドーオレフィン、セルロース、エピスルフィド化合物等の合成樹脂からなる基板が挙げられる。
これらの基板は、最終製品の形態によって、例えば薄膜トランジスター(TFT)素子のような多層積層構造が形成されていてもよい。
基板への感光性樹脂組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、スリットコート法、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法、流延塗布法、スリットアンドスピン法等の方法を用いることができる。
スリットコート法の場合には基板とスリットダイとの相対移動速度を50〜120mm/secとすることが好ましい。
感光性樹脂組成物を塗布したときの湿潤膜厚は特に限定されるものではなく、用途に応じた膜厚で塗布することができる。例えば、0.5〜10μmが好ましい。
基板に本発明の感光性樹脂組成物を塗布する前に、特開2009−145395号公報に記載されているような、所謂プリウェット法を適用することも可能である。
活性光線の光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、発光ダイオード(LED)光源、エキシマレーザー発生装置などを用いることができ、i線(365nm)、h線(405nm)、g線(436nm)などの波長300nm以上450nm以下の波長を有する活性光線が好ましく使用できる。また、必要に応じて長波長カットフィルター、短波長カットフィルター、バンドパスフィルターのような分光フィルターを通して照射光を調整することもできる。露光量は好ましくは1〜500mJ/cm2である。
露光装置としては、ミラープロジェクションアライナー、ステッパー、スキャナー、プロキシミティ、コンタクト、マイクロレンズアレイ、レンズスキャナ、レーザー露光、など各種方式の露光機を用いることができる。また、いわゆる超解像技術を用いた露光をすることもできる。超解像技術としては、複数回露光する多重露光や、位相シフトマスクを用いる方法、輪帯照明法などが挙げられる。これら超解像技術を用いることでより高精細なパターン形成が可能となり、好ましい。
現像工程で使用する現像液には、塩基性化合物の水溶液が含まれることが好ましい。塩基性化合物としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物類;炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムなどのアルカリ金属炭酸塩類;重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウムなどのアルカリ金属重炭酸塩類;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、ジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類:コリン等の(ヒドロキシアルキル)トリアルキルアンモニウムヒドロキシド類;ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウムなどのケイ酸塩類;エチルアミン、プロピルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン等のアルキルアミン類;ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類;1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−[4.3.0]−5−ノネン等の脂環式アミン類を使用することができる。
これらのうち、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリン(2−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド)が好ましい。
また、上記アルカリ類の水溶液にメタノールやエタノールなどの水溶性有機溶剤や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。
現像液のpHは、好ましくは10.0〜14.0である。
現像時間は、好ましくは30〜500秒間であり、また、現像の手法は液盛り法(パドル法)、シャワー法、ディップ法等の何れでもよい。
現像の後に、リンス工程を行うこともできる。リンス工程では、現像後の基板を純水などで洗うことで、付着している現像液除去、現像残渣除去を行う。リンス方法は公知の方法を用いることができる。例えばシャワーリンスやディップリンスなどを挙げる事ができる。
この加熱は、ホットプレートやオーブン等の加熱装置を用いて行うことが好ましい。加熱温度は200℃〜350℃が好ましく、250℃〜350℃がより好ましい。加熱時間は、ホットプレート上なら5〜90分間、オーブンなら30〜120分間が好ましい。加熱によって環化反応または架橋反応を進行させることにより、耐熱性、硬度等により優れた硬化膜を形成することができる。また、加熱処理を行う際は窒素雰囲気下で行うことにより、透明性をより向上させることもできる。
加熱雰囲気の酸素濃度は、低い程好ましい。窒素置換雰囲気下で加熱する場合、硬化膜の透明性の観点から、加熱雰囲気の酸素濃度(mol換算)は1.0ppt〜10%が好ましく、1.0ppb〜5%がより好ましく、1.0ppm〜3%が最も好ましい。
ポストベーク工程としては、例えば、窒素置換により酸素分圧を100ppmにしたオーブンで、90℃で30分、120℃で30分、180℃で40分、320℃で60分と順次加熱する例を挙げることができる。
また、本発明においては、ポストベークの前に、比較的低温で行うミドルベールを追加することができる。ミドルベークを行う場合は、90〜150℃で1〜60分加熱した後に、200℃以上の高温でポストベークすることが好ましい。また、ミドルベーク、ポストベークを3段階以上の多段階に分けて加熱する事もできる。このようなミドルベーク、ポストベークの工夫により、パターンのテーパー角を調整することができる。これらの加熱は、ホットプレート、オーブン、赤外線ヒーターなど、公知の加熱方法を使用することができる。
なお、ポストベークに先立ち、パターンを形成した基板に活性光線により全面再露光(ポスト露光)した後、ポストベークすることにより未露光部分に存在する光酸発生剤から酸を発生させ、架橋工程を促進する触媒として機能させることができ、膜の硬化反応を促進することができる。ポスト露光工程を含む場合の好ましい露光量としては、100〜3,000mJ/cm2が好ましく、100〜500mJ/cm2が特に好ましい。
ポスト露光工程を行う場合は、パターンを形成した際のパターンのテーパー角を大きくすることができる。逆にポスト露光工程を行わない場合は、パターンのテーパー角を小さくすることができる。ポスト露光工程の有無、およびポスト露光を行う際の露光量は、目的とするパターンのテーパー角によって、適宜調整することができる。パターンのテーパー角としては例えば、15°、30°、45°、60°、75°、および90°を挙げることができる。このうち、硬化膜を絶縁膜として用いる場合は、テーパー角が30°、45°、60°、および75°であることが好ましい。
本発明の硬化膜は、上述した本発明の感光性樹脂組成物を硬化して得られた硬化膜である。また、本発明の硬化膜は、上述した本発明の硬化膜の形成方法により得られた硬化膜であることが好ましい。
本発明の硬化膜は、層間絶縁膜および保護膜として好適に用いることができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、高温でベークされた場合においても高い透明性を有する層間絶縁膜が得られる。本発明の感光性樹脂組成物を用いてなる層間絶縁膜は、高い透明性を有し、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、タッチパネル等の用途に有用である。
半導体素子などの層間絶縁膜に用いる場合には、素子内に発生する寄生容量を低減する観点から比誘電率が低い方が好ましい。この場合の比誘電率は1.5〜4.0が好ましく、2.2〜3.2がより好ましい。
また、本発明の硬化膜を絶縁膜に使用する場合は、絶縁性を向上する観点から体積抵抗が高い方が好ましい。体積抵抗は1.0×1010〜1.0×1020Ω・cmであることが好ましく、1.0×1013〜1.0×1018Ω・cmであることがより好ましい。
また、本発明の硬化膜を帯電防止能が要求される用途に使用する場合は、体積抵抗は1.0×104〜1.0×1013Ω・cmであることが好ましく、1.0×106〜1.0×1011Ω・cmであることがより好ましい。
また、硬化膜を用いて電子素子を形成する際の、電子素子の堅牢性を向上させる観点から、硬化膜のヤング率は高い方が好ましい。ヤング率は0.5〜8.0GPaや1.0〜4.0GPaを好ましい例として挙げることができる。
また、硬化膜を用いて電子素子を形成する際の、電子素子の堅牢性を向上させる観点から、硬化膜の破断伸びは高い方が好ましい。破断伸びは20〜200%や50〜150%を好ましい例として挙げることができる。
また、硬化膜を用いて電子素子を形成する際の、電子素子の堅牢性を向上させる観点からは、硬化膜のガラス転移温度(Tg)は100〜500℃が好ましく、150〜400℃がより好ましく、200〜300℃が最も好ましい。
また、硬化膜が形成された基板の反りを防止する観点から、硬化膜の線膨張係数は基板の線膨張係数に近いことが好ましい。例えば、線膨張係数が2〜20ppm/℃の範囲の金属基板、ガラス基板、およびシリコン基板を用いる場合は、硬化膜の線膨張係数は10〜100ppm/℃が好ましく、15〜65ppm/℃がより好ましい。その場合の硬化膜の線膨張係数の具体例としては、15ppm/℃、および、25ppm/℃を挙げることができる。また、線膨張係数が20〜120ppm/℃の範囲の樹脂基板を用いる場合は、硬化膜の線膨張係数は20〜120ppm/℃が好ましく、40〜80ppm/℃がより好ましい。その場合の硬化膜の線膨張係数の具体例としては、48ppm/℃、59ppm/℃、および、69ppm/℃を挙げることができる。なお、上記の線膨張係数は、硬化膜がTgを有する場合は、Tgの温度以下における線膨張係数を意味する。
本発明の硬化膜をレンズ材料に用いる場合には、屈折率は高いことが好ましい。この場合、例えば400nmにおける屈折率は1.5〜2.0が好ましく、1.6〜1.8がより好ましい。
本発明の硬化膜を反射防止膜に用いる場合には、屈折率は低いことが好ましい。この場合、例えば400nmにおける屈折率は1.0〜1.6が好ましく、1.2〜1.4がより好ましい。
本発明の硬化膜をディスプレイ用途に用いる場合には、膜厚1.0μmあたりの400nm〜700nmの可視光線透過率最低値は、80%以上が好ましく、90%以上がより好ましい。ヘイズは3.0以下が好ましく、1.0以下がより好ましい。色度はL*a*b*表色系で表した場合、a*値は−3.0〜3.0が好ましく、b*値は−3.0〜3.0が好ましい。特に好ましい具体例としては、a*値が0.0であり、b*値が0.0であるという硬化膜を挙げることができる。
本発明の硬化膜をディスプレイ用途に用いる場合には、硬化膜の面内位相差は、10nm以下が好ましく、より好ましくは5nm以下、さらに好ましくは3nm以下である。
面内位相差は、光弾性定数測定装置により25℃、波長550nmの光で測定される値である。具体的には、光弾性定数測定装置で硬化膜の屈折率を測定し、屈折率が最大となる方向をX軸、このX軸に垂直な方向をY軸とする。そして、X軸方向の屈折率をnx、Y軸方向の屈折率をny、硬化膜の厚みをdとしたときに、(nx−ny)×dで表される値を、面内位相差とする。好ましい具体例として、膜厚20μmで面内位相差が0.5nmである硬化膜を挙げることができる。
本発明の液晶表示装置は、本発明の硬化膜を有する。
本発明の液晶表示装置としては、本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成される平坦化膜や層間絶縁膜を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとる公知の液晶表示装置を挙げることができる。
例えば、本発明の液晶表示装置が具備するTFTの具体例としては、アモルファスシリコン−TFT、低温ポリシリコン−TFT、酸化物半導体TFT等が挙げられる。本発明の硬化膜は電気特性に優れるため、これらのTFTに組み合わせて好ましく用いることができる。
また、本発明の液晶表示装置が取りうる液晶駆動方式としてはTN(Twisted Nematic)方式、VA(Virtical Alignment)方式、IPS(In−Place−Switching)方式、FFS(Frings Field Switching)方式、OCB(Optical Compensated Bend)方式などが挙げられる。
パネル構成においては、COA(Color Filter on Allay)方式の液晶表示装置でも本発明の硬化膜を用いることができ、例えば、特開2005−284291号公報の有機絶縁膜(115)や、特開2005−346054号公報の有機絶縁膜(212)として用いることができる。また、本発明の液晶表示装置が取りうる液晶配向膜の具体的な配向方式としてはラビング配向法、光配向方などが挙げられる。また、特開2003−149647号公報や特開2011−257734号公報に記載のPSA(Polymer Sustained Alignment)技術によってポリマー配向支持されていてもよい。
また、本発明の感光性樹脂組成物および本発明の硬化膜は、上記用途に限定されず種々の用途に使用することができる。例えば、平坦化膜や層間絶縁膜以外にも、カラーフィルターの保護膜や、液晶表示装置における液晶層の厚みを一定に保持するためのスペーサーや固体撮像素子においてカラーフィルター上に設けられるマイクロレンズ等に好適に用いることができる。
液晶表示装置の詳細については、特開2007−328210号公報および特開2014−238438号公報の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれることとする。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)表示装置は、本発明の硬化膜を有する。
本発明の有機EL表示装置としては、本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成される平坦化膜や層間絶縁膜を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとる公知の各種有機EL表示装置や液晶表示装置を挙げることができる。
例えば、本発明の有機EL表示装置が具備するTFTの具体例としては、アモルファスシリコン−TFT、低温ポリシリコン−TFT、酸化物半導体TFT等が挙げられる。本発明の硬化膜は電気特性に優れるため、これらのTFTに組み合わせて好ましく用いることができる。
液晶表示装置の詳細については、特開2014−238438号公報の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれることとする。
有機EL表示装置の他の態様として、特開2012−203121号公報の図1に記載の画素分離膜(19)や平坦化膜(17)を本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成することができる。また、特開2013−196919号公報の図1に記載の高抵抗層(18)や画素間絶縁膜(16)や層間絶縁膜(14)や層間絶縁膜(12c)を本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成することができる。
本発明のタッチパネルは、絶縁層及び/又は保護層の、全部又は一部が本発明の感光性組成物の硬化物からなるタッチパネルである。また、本発明のタッチパネルは、透明基板、電極及び絶縁層及び/又は保護層を少なくとも有することが好ましい。
本発明のタッチパネル表示装置は、本発明のタッチパネルを有するタッチパネル表示装置であることが好ましい。本発明のタッチパネルとしては、抵抗膜方式、静電容量方式、超音波方式、電磁誘導方式など公知の方式いずれでもよい。中でも、静電容量方式が好ましい。
静電容量方式のタッチパネルとしては、特開2010−28115号公報に開示されるものや、国際公開第2012/057165号に開示されるものが挙げられる。
タッチパネル表示装置としては、いわゆる、インセル型(例えば、特表2012−517051号公報の図5、図6、図7、図8)、いわゆる、オンセル型(例えば、特開2012−43394号公報の図14、国際公開第2012/141148号の図2(b))、OGS型、TOL型、その他の構成(例えば、特開2013−164871号公報の図6)を挙げることができる。
静電容量方式のタッチパネルは、前面板と、前面板の非接触側に、少なくとも下記(1)〜(5)の要素を有し、(4)の絶縁層が本発明の感光性樹脂組成物を用いた硬化膜であることが好ましい。
(1)額縁層
(2)複数のパッド部分が接続部分を介して第一の方向に延在して形成された複数の第一の透明電極パターン
(3)第一の透明電極パターンと電気的に絶縁され、第一の方向に交差する方向に延在して形成された複数のパッド部分からなる複数の第二の透明電極パターン
(4)第一の透明電極パターンと第二の透明電極パターンとを電気的に絶縁する絶縁層
(5)第一の透明電極パターンおよび第二の透明電極パターンの少なくとも一方に電気的に接続され、第一の透明電極パターンおよび第二の透明電極パターンとは別の導電性要素
本発明の静電容量型入力装置は、さらに上記(1)〜(5)の要素の全てまたは一部を覆うように透明保護層を設置することが好ましく、透明保護層が本発明の硬化膜であることがより好ましい。
温度計、攪拌器、窒素導入管を備えた3つ口フラスコに、73.25g(0.200mol)のヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン(Bis−AP−AF、セントラル硝子製)、30.20g(0.382mol)のピリジンおよび330gのN−メチルピロリドン(NMP)を添加した。これを室温で撹拌、次いでドライアイス/メタノールバスで−15℃まで冷却した。この溶液に、反応温度を−5℃〜−15℃で維持しながら、27.51g(0.132mol)の1,4−シクロヘキシルジカルボニルクロリド(商品名14−CHDC、日本軽金属製)、13.49g(0.056mol)のセバコイルクロリド(東京化成工業製)、0.45g(0.006mol)のアセチルクロリド(東京化成工業製)および260.5gのNMPの混合溶液を2時間かけて滴下した。滴下が完了した後、得られた混合物を室温で1時間撹拌した。
次に、この反応液を氷/メタノールバスで−5℃以下まで冷却し、反応温度を−0℃以下で維持しながらアセチルクロリド(東京化成工業製)1.80g(0.023mol)を滴下した。滴下が完了した後、さらに1時間撹拌した。
この反応液をNMP550gで希釈し、激しく攪拌した4Lの脱イオン/メタノール(80/20体積比)混合物中に投入し、析出した白色粉体を濾過によって回収し、そして脱イオン水によって洗浄した。真空下でポリマーを50℃で2日間乾燥させ、樹脂A−1aを得た。
500mLナスフラスコに25.00gの樹脂A−1a、125gのNMP、0.43g(1.85mmol)のカンファースルホン酸(東京化成工業製)と、5.12g(0.065mol)の2,3−ジヒドロフラン(和光純薬工業製)を添加し、室温で1.5時間撹拌した。得られた溶液にトリエチルアミン0.37gとNMP150gを加えて希釈した。
得られた溶液を激しく攪拌した2Lの脱イオン水/メタノール(80/20体積比)混合物中に投入し、析出した白色粉体を濾過によって回収し、そして脱イオン水によって洗浄した。真空下でポリマーを50℃において2日間乾燥させ、ポリベンゾオキサゾール(PBO)前駆体A−1を得た。得られたPBO前駆体A−1の重量平均分子量は2.9万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−1のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−1aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、30%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−1の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−1>
PBO前駆体A−1の合成において調製した樹脂A−1aをPBO前駆体A−2として用いた。
用いたPBO前駆体A−2の重量平均分子量は2.8万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。用いたPBO前駆体A−2は、フェノール性水酸基を保護していないため保護率0%である。PBO前駆体A−2の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−2>
樹脂A−1aの合成において、アセチルクロリドに代えて、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物(東京化成工業製)を用いた以外は、樹脂A−1aと同様の方法により、樹脂A−3aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−3aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−3を得た。
得られたPBO前駆体A−3の重量平均分子量は2.8万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−3のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−3aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、30%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−3の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−3>
樹脂A−1aの合成において、1,4−シクロヘキシルジカルボニルクロリドを用いず、セバコイルクロリド(東京化成工業製)を0.188mol用いた以外は、樹脂A−1aと同様の方法により、樹脂A−4aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−4aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−4を得た。
得られたPBO前駆体A−4の重量平均分子量は2.8万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−4のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−4aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、30%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−4の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−4>
樹脂A−1aの合成において、1,4−シクロヘキシルジカルボニルクロリド(商品名14−CHDC、日本軽金属製)に代えて、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン(東京化成工業製)を0.132mmol用いた以外は、樹脂A−1aと同様の方法により、樹脂A−5aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−5aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−5を得た。
得られたPBO前駆体A−5の重量平均分子量は2.5万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−5のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−5aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、28%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−5の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−5>
樹脂A−1aの合成において、1,4−シクロヘキシルジカルボニルクロリド(商品名14−CHDC、日本軽金属製)に代えて、9,9−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(東京化成工業製)を0.132mmol用いた以外は、樹脂A−1aと同様の方法により、樹脂A−6aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−6aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−6を得た。
得られたPBO前駆体A−6の重量平均分子量は2.4万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−6のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−6aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、26%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−6の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−6>
樹脂A−1aの合成において、1,4−シクロヘキシルジカルボニルクロリド(商品名14−CHDC、日本軽金属製)に代えて、3,3´−ジヒドロキシベンジジン(東京化成工業製)を0.132mol用いた以外は、樹脂A−1aと同様の方法により、樹脂A−7aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−7aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−7を得た。
得られたPBO前駆体A−7の重量平均分子量は2.3万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−7のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−7aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、27%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−7の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−7>
樹脂A−1aの合成において、1,4−シクロヘキシルジカルボニルクロリド(商品名14−CHDC、日本軽金属製)を0.094mol用い、セバコイルクロリド(東京化成工業製)を0.094mol用いた以外は、樹脂A−1aと同様の方法により、樹脂A−8aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−8aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−8を得た。
得られたPBO前駆体A−8の重量平均分子量は2.8万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−8のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−8aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、25%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−8の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−8>
樹脂A−8aの合成において、セバコイルクロリド(東京化成工業製)に代えて、スベロイルクロリド(東京化成工業製)を0.094mol用いた以外は、樹脂A−8aと同様の方法により、樹脂A−9aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−9aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−9を得た。
得られたPBO前駆体A−9の重量平均分子量は2.8万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−9のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−9aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、31%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−9の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−9>
樹脂A−1aの合成において、セバコイルクロリド(東京化成工業製)に代えて、スベロイルクロリド(東京化成工業製)を0.056mol用いた以外は、樹脂A−1aと同様の方法により、樹脂A−10aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−10aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−10を得た。
得られたPBO前駆体A−10の重量平均分子量は2.8万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−10のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−10aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、29%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−10の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−10>
樹脂A−1aの合成において、セバコイルクロリド(東京化成工業製)に代えて、アジポイルクロリド(東京化成工業製)を0.0560mol用いた以外は、樹脂A−1aと同様の方法により、樹脂A−11aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−11aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−11を得た。
得られたPBO前駆体A−11の重量平均分子量は2.8万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−11のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−11aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、30%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−11の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−11>
樹脂A−1aの合成において、セバコイルクロリドを用いず、1,4−シクロヘキシルジカルボニルクロリド(商品名14−CHDC、日本軽金属製)を0.188mol用いた以外は、樹脂A−1aと同様の方法により、樹脂A−12aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−12aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−12を得た。
得られたPBO前駆体A−12の重量平均分子量は2.8万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−12のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−12aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、27%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−12の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−12>
PBO前駆体A−9の合成で得られた樹脂A−9aの124gと、125gのNMP、0.43g(1.85mmol)のカンファースルホン酸(東京化成工業製)と、5.47g(0.065mol)の3,4−ジヒドロ-2H-ピラン(和光純薬工業製)を添加し、室温で1.5時間撹拌した。得られた溶液にトリエチルアミン0.37gとNMP150gを加えて希釈した。
得られた溶液を激しく攪拌した2Lの脱イオン水/メタノール(80/20体積比)混合物中に投入し、析出した白色粉体を濾過によって回収し、そして脱イオン水によって洗浄した。真空下でポリマーを50℃において2日間乾燥させ、PBO前駆体A−13を得た。
得られたPBO前駆体A−13の重量平均分子量は2.8万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−13のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−9aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、27%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−13の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−13>
樹脂A−1aの合成において、セバコイルクロリドおよび1,4−シクロヘキシルジカルボニルクロリドを用いず、4,4’−オキシビス(ベンゾイルクロリド)(東京化成工業製)を0.188mol用いた以外は、樹脂A−1aと同様の方法により、樹脂A−14aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−14aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−14を得た。
得られたPBO前駆体A−14の重量平均分子量は2.8万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)、重量平均分子量/数平均分子量は、2.2であった。
得られたPBO前駆体A−14のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−14aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、26%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−14の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−14>
樹脂A−1aの合成において、セバコイルクロリドおよび1,4−シクロヘキシルジカルボニルクロリドを用いず、イソフタロイルクロリド(東京化成工業製)を0.188mol用いた以外は、樹脂A−1aと同様の方法により、樹脂A−15aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−15aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−15を得た。
得られたPBO前駆体A−15の重量平均分子量は2.7万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)、重量平均分子量/数平均分子量は、2.0であった。
得られたPBO前駆体A−15のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−15aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、25%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−15の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−15>
樹脂A−1aの合成において、セバコイルクロリドおよび1,4−シクロヘキシルジカルボニルクロリドを用いず、4,4’−オキシビス(ベンゾイルクロリド)を0.094mmol用い、イソフタロイルクロリドを0.094mmol用いた以外は、樹脂A−1aと同様の方法により、樹脂A−16aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−16aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−16を得た。
得られたPBO前駆体A−16の重量平均分子量は2.5万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)、重量平均分子量/数平均分子量は、2.0であった。
得られたPBO前駆体A−16のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−16aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、25%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−16の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−16>
PBO前駆体A−16の合成で得られた樹脂A−16aの124gと、125gのNMP、0.43g(1.85mmol)のカンファースルホン酸(東京化成工業製)と、4.69g(0.065mol)のエチルビニルエーテル(和光純薬工業製)を添加し、室温で1.5時間撹拌した。得られた溶液にトリエチルアミン0.37gとNMP150gを加えて希釈した。
得られた溶液を激しく攪拌した2Lの脱イオン水/メタノール(80/20体積比)混合物中に投入し、析出した白色粉体を濾過によって回収し、そして脱イオン水によって洗浄した。真空下でポリマーを50℃において2日間乾燥させ、PBO前駆体A−17を得た。
得られたPBO前駆体A−17の重量平均分子量は2.5万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)、重量平均分子量/数平均分子量は、2.0であった。得られたPBO前駆体A−17のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−16aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、28%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−17の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−17>
樹脂A−16aの合成において、アセチルクロリドに代えて、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物を用いた以外は、樹脂A−16aと同様の方法により、樹脂A−18aを合成した。
次いで、樹脂A−16aに代えて、樹脂A−18aを用いた以外は、PBO前駆体A−17と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−18を得た。
得られたPBO前駆体A−18の重量平均分子量は2.6万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)、重量平均分子量/数平均分子量は、2.0であった。
得られたPBO前駆体A−18のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−18aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、27%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−18の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−18>
PBO前駆体A−17の合成において、樹脂A−16aに代えて樹脂A−1aを用いた以外は、PBO前駆体A−17と同様の方法により、PBO前駆体A−19を合成した。
得られたPBO前駆体A−19の重量平均分子量は2.5万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった、重量平均分子量/数平均分子量は、2.0であった。
得られたPBO前駆体A−19のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−1aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、26%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−19の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−19>
樹脂A−1aの合成において、アセチルクロリドに代えて、プロピオニルクロリド(ダイセル製)を用いた以外は、樹脂A−1aと同様の方法により、樹脂A−20aを合成した。
次いで、樹脂A−1aに代えて、樹脂A−20aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−20を得た。
得られたPBO前駆体A−20の重量平均分子量は2.7万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−20のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−20aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、29%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−20の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−20>
PBO前駆体A−17の合成において、樹脂A−16aに代えて樹脂A−20aを用いた以外は、PBO前駆体A−17と同様の方法により、PBO前駆体A−21を合成した。
得られたPBO前駆体A−21の重量平均分子量は2.9万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−21のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−20aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、28%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−21の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−21>
樹脂A−16aの合成において、アセチルクロリドに代えて、プロピオニルクロリド(ダイセル製)を用いた以外は、樹脂A−16aと同様の方法により、樹脂A−22aを合成した。
次いで、樹脂A−16aに代えて、樹脂A−22aを用いた以外は、PBO前駆体A−1と同様の方法でフェノール性水酸基を保護し、PBO前駆体A−22を得た。
得られたPBO前駆体A−22の重量平均分子量は2.7万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−22のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−22aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、29%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−22の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−22>
PBO前駆体A−17の合成において、樹脂A−16aに代えて樹脂A−22aを用いた以外は、PBO前駆体A−17と同様の方法により、PBO前駆体A−23を合成した。
得られたPBO前駆体A−23の重量平均分子量は2.7万(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値)であった。得られたPBO前駆体A−23のフェノール性水酸基の保護率は、樹脂A−22aの全フェノール性水酸基量(モル量)に対して、30%であった(1H−NMR)。PBO前駆体A−23の構造を以下に示す。
<PBO前駆体A−23>
光酸発生剤としては、以下に示す化合物を用いた。
下記に示す構造(PAG−103、BASF製、pKaが3以下の酸を発生する光酸発生剤)
下記に示す構造(PAI−101、みどり化学製、pKaが3以下の酸を発生する光酸発生剤)、Meはメチル基を表す。
下記に示す構造(pKaが3以下の酸を発生する光酸発生剤、合成例を後述する。)
下記に示す構造(pKaが3以下の酸を発生する光酸発生剤、合成例を後述する)、Tsはトシル基を表す。
下記に示す構造(pKaが3以下の酸を発生する光酸発生剤、合成例を後述する)
下記に示す構造(GSID−26−1、トリアリールスルホニウム塩(BASF製)、pKaが3以下の酸を発生する光酸発生剤)
TAS−200(ナフトキノンジアジド、東洋合成工業製)
溶剤としては、以下に示す溶剤を用いた。
C−1:ハイソルブEDM(東邦化学製)
C−2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA、ダイセル製)
C−3:γ-ブチロラクトン
光酸発生剤としては、以下に示す化合物を用いた。
下記に示す構造
温度計、攪拌器、窒素導入管を備えた3つ口フラスコに、200g(1.74mol)のtrans−4−アミノシクロヘキサノール(東京化成工業製)、810gのメタノールを添加し、氷水を用いて0℃まで冷却した。この溶液を攪拌しながら、379.0g(1.74mol)の二炭酸ジ−tert−ブチル(東京化成工業製)を滴下した。滴下が完了した後、得られた混合物を40℃で1時間撹拌した後、50℃で1時間減圧濃縮することにより、目的のS−1を360g得た。
下記に示す構造
S−1の合成において、trans−4−アミノシクロヘキサノールに代えて、3−アミノプロピルトリエトキシシラン(東京化成工業製)1.74molを用いた以外は、S−1と同様の方法により、S−2を合成した。
下記に示す構造(1−(tert−ブトキシカルボニル)−4−ヒドロキシピペリジン、東京化成工業製)
下記に示す構造(trans−4−アミノシクロヘキサノール、東京化成工業製)
下記に示す構造(3−アミノ−1−(tert−ブトキシカルボニル)ピロリジン、東京化成工業製)
下記に示す構造
S−1の合成において、trans−4−アミノシクロヘキサノールに代えて、1,4−ブタンジオールビス(3−アミノプロピル)エーテル(東京化成工業製)1.74molを用いた以外は、S−1と同様の方法により、S−6を合成した。
下記に示す構造
S−1の合成において、trans−4−アミノシクロヘキサノールに代えて、4−ヒドロキシ−D−(−)−2−フェニルグリシン(東京化成工業製)1.74molを用いた以外は、S−1と同様の方法により、S−7を合成した。
下記に示す構造(N−(tert−ブトキシカルボニル)グリシン、東京化成工業製)
下記に示す構造
S−1の合成において、二炭酸ジ−tert−ブチルに代えて、二炭酸ジ−tert−アミル(東京化成工業製)1.74molを用いた以外は、S−1と同様の方法により、S−9を合成した。
下記に示す構造
S−1の合成において、trans−4−アミノシクロヘキサノールに代えて、2−(2−アミノエトキシ)エタノール(東京化成工業製)1.74molを用いた以外は、S−1と同様の方法により、S−10を合成した。
下記に示す構造(4−(tert−アミロキシカルボニルアミノ)シクロヘキサンカルボン酸、東京化成工業製)
<アルコキシシラン化合物>
J−1:3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM−403、信越化学工業製)
J−2:1,2−ビス(トリエトキシシリル)エタン(KBE−3026、信越化学社工業)
<増感剤>
J−3:9,10−ジブトキシアントラセン(アントラキュアー UVS−1331、川崎化成工業製)
<界面活性剤>
W−1:フッ素系界面活性剤(FTX−218、ネオス製)
W−2:下記構造式で示されるパーフルオロアルキル基含有ノニオン界面活性剤(F−554,DIC製)
2−ナフトール(10g)、クロロベンゼン(30mL)の懸濁溶液に塩化アルミニウム(10.6g)、2−クロロプロピオニルクロリド(10.1g)を添加し、混合液を40℃に加熱して2時間反応させた。氷冷下、反応液に4NHCl水溶液(60mL)を滴下し、酢酸エチル(50mL)を添加して分液した。有機層に炭酸カリウム(19.2g)を加え、40℃で1時間反応させた後、2NHCl水溶液(60mL)を添加して分液し、有機層を濃縮後、結晶をジイソプロピルエーテル(10mL)でリスラリーし、ろ過、乾燥してケトン化合物(6.5g)を得た。
得られたケトン化合物(3.0g)、メタノール(30mL)の懸濁溶液に酢酸(7.3g)、50質量%ヒドロキシルアミン水溶液(8.0g)を添加し、加熱還流した。放冷後、水(50mL)を加え、析出した結晶をろ過、冷メタノール洗浄後、乾燥してオキシム化合物(2.4g)を得た。
得られたオキシム化合物(1.8g)をアセトン(20mL)に溶解させ、氷冷下トリエチルアミン(1.5g)、p−トルエンスルホニルクロリド(2.4g)を添加し、室温に昇温して1時間反応させた。反応液に水(50mL)を添加し、析出した結晶をろ過後、メタノール(20mL)でリスラリーし、ろ過、乾燥してB−3の化合物(上述の構造)(2.3g)を得た。
なお、B−3の1H−NMRスペクトル(300MHz、CDCl3)は、δ=8.3(d,1H),8.0(d,2H),7.9(d,1H),7.8(d,1H),7.6(dd,1H),7.4(dd,1H)7.3(d,2H),7.1(d,1H),5.6(q,1H),2.4(s,3H),1.7(d,3H)であった。
1−アミノ−2−ナフトール塩酸塩(東京化成工業製)4.0gをN−メチルピロリドン(和光純薬精)16gに懸濁させ、炭酸水素ナトリウム(和光純薬製)3.4gを添加後、4,4−ジメチル−3−オキソ吉草酸メチル(和光純薬製)4.9gを滴下し、窒素雰囲気下120℃で2時間加熱した。放冷後、反応混合液に水、酢酸エチルを添加して分液し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過、濃縮して粗B−1−2Aを得た。粗B−1−2Aをシリカゲルカラムクロマトグラフィー精製して、中間体C−1−2Aを1.7g得た。
C−1−2A(1.7g)とp−キシレン(6mL)を混合し、p−トルエンスルホン酸一水和物(和光純薬製)0.23gを添加して140℃で2時間加熱した。放冷後、反応混合液に水、酢酸エチルを添加して分液し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過、濃縮して粗C−1−2Bを得た。
テトラヒドロフラン(THF)(2mL)と粗C−1−2B全量を混合し、氷冷下2M塩酸/THF溶液6.0mL、次いで亜硝酸イソペンチル(和光純薬製)(0.84g)を滴下し、室温まで昇温後2時間攪拌した。得られた反応混合物に水、酢酸エチルを添加して分液し、有機層を水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過、濃縮して中間体粗C−1−2Cを得た。
中間体粗C−1−2C全量をアセトン(10mL)と混合し、氷冷下でトリエチルアミン(和光純薬製)(1.2g)、p−トルエンスルホニルクロリド(東京化成製)(1.4g)を添加後、室温まで昇温して1時間攪拌した。得られた反応混合液に水、酢酸エチルを添加して分液し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過、濃縮して粗C−4を得た。粗C−4を冷メタノールでリスラリー後、ろ過、乾燥してB−4(1.2g)を得た。
B−4の1H−NMRスペクトル(300MHz、CDCl3)は、δ=8.5−8.4(m,1H),8.0−7.9(m,4H),7.7−7.6(m,2H),7.6−7.5(m,1H),7.4(d,2H),2.4(s,3H),1.4(s,9H)であった。
攪拌器および温度計を装着したセパラブルフラスコにN―ヒドロキシナフタルイミドナトリウム塩33.6g、4―ジメチルアミノピリジン0.72g、テトラヒドロフラン300ミリリットルを仕込み、室温25℃下で攪拌し溶解させた。次いで、(+)10―カンファースルホニルクリライド42gを加えて3時間攪拌した後、トリエチルアミン15gを加えた後、室温下で10時間攪拌した。次いで、蒸留水300ミリリットル中に反応溶液を入れ、析出した沈殿をろ別した。この沈殿をアセトンとヘキサンを用いて再沈殿処理を数回繰り返し、N―カンファースルホニルオキシ−1,8−ナフタルイミドを12g得た。
上述した各成分を下記表に示す種類および添加量で混合し、孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過して、各感光性樹脂組成物を得た。
なお、実施例44については、ガラス基板(コーニング1737、0.7mm厚(コーニング製))上に、各感光性樹脂組成物を東レエンジニアリング製スリットノズルコーターにてスリットコートした以外は、他の実施例と同様にして評価を行った。
調製した各感光性樹脂組成物について、以下に示す方法および基準により、耐熱透明性、パターニング性およびパターン形状について評価した。これらの結果を下記表に示す。
ガラス基板(コーニング1737、0.7mm厚(コーニング製))上に、各感光性樹脂組成物をスピンコートした後、90℃/120秒ホットプレート上でプリベークして溶剤を揮発させ、膜厚4.0μmの感光性樹脂組成物層を形成した。
その後、この基板をオーブンにて300℃/60分窒素下で加熱して硬化膜を得た。
この硬化膜をさらにオーブンにて300℃/60分窒素下で加熱した後、透過率測定器(大塚電子製MCPD−3000)を用いて、波長400nmで透過率を計測し、以下に示す基準で評価した。透過率が大きいほど耐熱透明性が高く、評価1および2が実用範囲である。
1:95%以上
2:93%以上
3:90%以上
4:85%以上
ヘキサメチルジシラザン(HMDS)蒸気下に30秒曝したガラス基板(EAGLE XG、0.7mm厚(コーニング製))上に、各感光性樹脂組成物をスピンコート塗布した後、90℃/120秒ホットプレート上でプリベークして溶剤を揮発させ、膜厚4.0μmの感光性樹脂組成物層からなる膜を形成した。
次いで、形成した膜に対して、キヤノン製のMPA 5500CF(高圧水銀灯)を用いて、10μmのホールパターンが形成されたマスクを介して露光した。そして、露光後の膜を、アルカリ現像液(2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液)で23℃/60秒間現像した後、超純水で20秒リンスした。これらの操作によりマスクと同等のホール径が解像する時の露光量を最適i線露光量(Eopt)とした。
また、形成した膜に対して、ホール径4、6、8μmのパターンが形成されたマスクを介して上記最適i線露光量にて露光した。そして、露光後の膜を、アルカリ現像液(2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液)で23℃/60秒間現像した後、超純水で20秒リンスした。
形成されたパターンを走査型電子顕微鏡にて観察し、実ホール径を測定した。なお、実ホール径は、膜のボトム(底面)のサイズで規定した。
次いで、4μmのホール径と、これに対応する実ホールパターン径のサイズ差の比を算出した。
同様に、6μmのホール径と、これに対応する実ホールパターン径のサイズ差の比を算出した。
同様に、8μmのホール径と、これに対応する実ホールパターン径のサイズ差の比を算出した。
算出した比を以下に示す基準で評価した。実ホール径とマスク径との差が小さいほど、パターニング性が良好であり、パネル設計が容易となる。評価1、2および3が実用範囲である。
1:4、6、8μmの各径のサイズ差の比の平均が10%以内のもの
2:4、6、8μmの各径のサイズ差の比の平均が10%を超え、かつ20%以内のもの
3:4、6、8μmの各径のサイズ差の比の平均が20%を超え、かつ30%以内のもの
4:4、6、8μmの各径のサイズ差の比の平均が30%を超え、かつ40%以内のもの
5:4、6、8μmの各径のサイズ差の比の平均が40%を超えるもの
上記パターニング性評価でホール径6μmのマスクを用いて、膜にホールパターンが形成された基板をオーブンにて300℃/60分窒素下で加熱した。
加熱後の基板を割断し、走査型電子顕微鏡にて水平方向からホールパターンの断面形状の観察を行った。ホールパターンのボトム(底面)とトップ(上部)の角度(テーパー角度)を計測した。
計測した角度を以下に示す基準で評価した。テーパー角度が高いほど、高精細なパネル設計が容易となり、評価1および2が実用範囲である。
1:70〜80°
2:60〜70°
3:50〜60°
4:50°以下
また、フェノール性水酸基を保護していないポリベンゾオキサゾール前駆体A−2を用いた場合には、得られる硬化膜の耐熱透明性およびパターニング性のいずれかが劣ることが分かった(比較例2および4)。また、比較例2および4は、いずれもパターン形状が劣ることが分かった。
また、pKaが3以下の酸を発生しない光酸発生剤を用いた場合には、耐熱透明性に劣り、パターン形状も劣ることが分かった(比較例5)。
また、実施例1〜8の対比から、熱塩基発生剤として、上記式(X)中のR4がヒドロキシ基を含む化合物であると、耐熱透明性およびパターニング性がいずれもより良好となる傾向があることが分かった。
また、実施例1、13および21の対比から、ポリベンゾオキサゾール前駆体が、上記式(1)中のYが炭素数3〜15の環状の脂肪族基で表される繰り返し単位Aと、上記式(1)中のYが炭素数4〜20の直鎖状または分岐状の脂肪族基で表される繰り返し単位Bとを有していると、耐熱透明性、パターニング性およびパターン形状がいずれもより良好となる傾向があることが分かった。
特開2007−328210号公報の図1に記載の液晶表示装置において、有機絶縁膜PASを以下の方法で形成し、液晶表示装置を得た。
先ず、特開2007−328210号公報に従って、特開2007−328210号公報の図1に記載の液晶表示装置の有機絶縁膜PAS直前まで形成したアレイ基板を作製した。
次に、この基板をHMDS蒸気下に30秒曝し、その後、実施例1の感光性樹脂組成物をスリット塗布した後、90℃で2分ホットプレート上でプリベークして溶剤を揮発させ、所定膜厚の感光性樹脂組成物層を形成した。
次に、得られた感光性樹脂組成物層を、キヤノン(株)製 MPA 7800CFを用いて、6μmφのホールパターンのマスクを介して最適露光量露光し、70℃/90秒ホットプレート上で加熱した。
そして、露光後の樹脂組成物層を、アルカリ現像液(0.6%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液)で現像した後、超純水でリンスした。続いて超高圧水銀灯を用いて積算照射量が320mJ/cm2(エネルギー強度:20mW/cm2、i線で計測)となるように全面露光し、その後、この基板をオーブンにて窒素雰囲気下320℃で60分加熱して有機絶縁膜PASを得た。
以降は特開2007−328210号公報に従って液晶表示装置を得た。なお、本実施例ではPASに耐熱性の高い材料を用いているため、層間絶縁膜IN3を層間絶縁膜IN2と同等の温度で製膜した。これによりIN3を緻密な膜とすることができた。
得られた液晶表示装置に対して、駆動電圧を印加したところ、非常に良好な表示特性を示し、信頼性の高い液晶表示装置であることが分かった。
実施例101において実施例1の組成物をそれぞれ実施例2〜50の組成物に置き換えたこと以外は実施例101と同様に液晶表示装置を作成した。良好な表示特性で信頼性の高い液晶表示装置であった。
Claims (17)
- ポリベンゾオキサゾール前駆体と、pKaが3以下の酸を発生する光酸発生剤と、熱塩基発生剤と、溶剤とを含有し、
前記ポリベンゾオキサゾール前駆体が、フェノール性水酸基の少なくとも一部を酸分解性基で保護したポリベンゾオキサゾール前駆体であり、
前記熱塩基発生剤が、下記式(X)で表される化合物である、感光性樹脂組成物。
ここで、前記式(X)中、mは1〜4の整数を表し、R1、R2およびR3はそれぞれ独立に炭素数1〜5のアルキル基を表し、R4はヘテロ原子を有していてもよいm価の有機基を表す。mが2〜4の場合、複数のR1、R2およびR3は、それぞれが同一であっても異なっていてもよい。 - 前記ポリベンゾオキサゾール前駆体が、下記式(1)で表される繰り返し単位を有する、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
ここで、前記式(1)中、Xは芳香環を含む4価の有機基を表し、Yは2価の有機基を表し、Rはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、下記式(2)で表される構造または−CORcで表される基を表し、少なくとも1つのRは、下記式(2)で表される構造を表す。Rcはアルキル基またはアリール基を表す。
ここで、前記式(2)中、*は酸素原子との結合位置を表し、R101およびR102はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を表し、R103はアルキル基を表す。ただし、R101およびR102がいずれも水素原子である場合を除き、R101またはR102とR103とが連結して環状エーテルを形成してもよい。 - 前記熱塩基発生剤の含有量が、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体100質量部に対して0.1〜30質量部である、請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記式(X)のR4が、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アルキレンオキシ基およびアルコキシシリル基からなる群から選択される少なくとも1つを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記式(X)のmが2であり、前記式(X)のR4がヘテロ原子を有していてよい2価の脂肪族炭化水素基である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記式(X)のmが1である、請求項4に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記ポリベンゾオキサゾール前駆体が、前記式(1)中のYが炭素数3〜15の環状の脂肪族基で表される繰り返し単位Aと、前記式(1)中のYが炭素数4〜20の直鎖状または分岐状の脂肪族基で表される繰り返し単位Bと、含有する、請求項2〜6のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記ポリベンゾオキサゾール前駆体が、前記式(1)中のYが炭素数6〜20の芳香族基を少なくとも含有する、請求項2〜6のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記ポリベンゾオキサゾール前駆体が、前記繰り返し単位Aおよび前記繰り返し単位Bを合計で、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体中の全繰り返し単位の70mol%以上の割合で含有し、前記繰り返し単位Aと前記繰り返し単位Bとの含有量の比率がモル比で9:1〜3:7である、請求項7に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記ポリベンゾオキサゾール前駆体が、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体の全繰り返し単位が有するフェノール性水酸基の10〜60%が、前記酸分解性基で保護されている、請求項1〜9のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物を基板に塗布する工程と、
塗布された感光性樹脂組成物から溶剤を除去する工程と、
溶剤が除去された感光性樹脂組成物を活性放射線で露光する工程と、
露光された感光性樹脂組成物を現像液により現像する工程と、
現像された感光性樹脂組成物を熱硬化して硬化膜を得る工程とを含む硬化膜の製造方法。 - 前記現像する工程の後、かつ前記熱硬化する工程の前に、現像された感光性樹脂組成物を露光する工程を含む、請求項11に記載の硬化膜の製造方法。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物を硬化してなる硬化膜。
- 層間絶縁膜である、請求項13に記載の硬化膜。
- 請求項13または14に記載の硬化膜を有する、液晶表示装置。
- 請求項13または14に記載の硬化膜を有する、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 請求項13または14に記載の硬化膜を有する、タッチパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160045372A KR101915541B1 (ko) | 2015-04-28 | 2016-04-14 | 감광성 수지 조성물, 경화막의 제조 방법, 경화막, 액정 표시 장치, 유기 일렉트로루미네선스 표시 장치 및 터치패널 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015092032 | 2015-04-28 | ||
| JP2015092032 | 2015-04-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016212380A true JP2016212380A (ja) | 2016-12-15 |
| JP6349335B2 JP6349335B2 (ja) | 2018-06-27 |
Family
ID=57551684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016037039A Active JP6349335B2 (ja) | 2015-04-28 | 2016-02-29 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびタッチパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6349335B2 (ja) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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