JP2016225542A - インプリント装置、インプリント方法、および、物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パターンの転写不良の低減に有利な技術を提供する。【解決手段】インプリント装置は、基板の上のインプリント材に型を用いてパターンを形成する。インプリント装置は、前記型と前記基板との間の相対的な位置および相対的な傾きを調整する駆動部と、前記駆動部によって前記型と前記基板との距離が縮小されることによって前記インプリント材と前記型との接触領域が拡大している過程において、前記型を介して前記基板を照明することによって形成される干渉縞を複数回にわたって撮像する撮像部と、前記撮像部によって複数回にわたって撮像された画像に基づいて、前記過程において、前記型と前記基板との間の前記相対的な傾きが複数回にわたって修正されるように、前記駆動部を制御する制御部と、を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および、物品の製造方法に関する。

基板の上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント装置がある。特許文献１には、型を湾曲させて基板の上のインプリント材に接触させた後に、型の弯曲を徐々に小さくしてゆくことで型のパターンとインプリント材との接触面積を広げることが記載されている。特許文献１にはまた、型のパターンとインプリント材との接触領域の周囲に形成される干渉縞を観察し、ショット領域の中心からの干渉縞の中心の位置ずれ方向と量とに基づいて型または基板の傾きを調整することが記載されている。

特開２０１５−５６５８９号公報

型と基板との間の相対的な傾きは、型と基板との距離の変化に応じて変化しうる。したがって、型と基板との距離が縮小されることによってインプリント材と型との接触領域が拡大している過程において、ある時点において型と基板との間の相対的な傾きを修正したとしても、その後に相対的な傾きが大きくなる可能性がある。相対的な傾きが大きな状態でインプリント材が硬化されると、基板の上のインプリント材へのパターンの形成不良が起こりうる。

本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、パターンの形成不良の低減に有利な技術を提供することを目的とする。

本発明の１つの側面は、基板の上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント装置に係り、前記インプリント装置は、前記型と前記基板との間の相対的な位置および相対的な傾きを調整する駆動部と、前記駆動部によって前記型と前記基板との距離が縮小されることによって前記インプリント材と前記型との接触領域が拡大している過程において、前記型を介して前記基板を照明することによって形成される干渉縞を複数回にわたって撮像する撮像部と、前記撮像部によって複数回にわたって撮像された画像に基づいて、前記過程において、前記型と前記基板との間の前記相対的な傾きが複数回にわたって修正されるように、前記駆動部を制御する制御部と、を備える。

本発明によれば、パターンの形成不良の低減に有利な技術が提供される。

本発明の１つの実施形態のインプリント装置の構成を模式的に示す図。 図１に示されたインプリント装置の動作を示す図。 湾曲した型と基板とによって形成される干渉縞を例示する図。 インプリント材と型との接触面積の拡大および干渉縞の変化を模式的に示す図。 干渉縞の中心座標、および、該中心座標を原点とする座標を示す図。 インプリント材と型との接触面積の拡大に伴う干渉縞の偏芯を例示する図。 図６（ｄ）のｘ軸上、ｙ軸上の光強度分布を示す図。 偏芯量Ａｘ、Ａｙと傾きθｘ、θｙとの関係を例示する図。 光強度分布の内積の定義を視覚的に示す図。 接触拡大過程における相対的な傾きθおよび内積のピーク値Ｓ_ｐを例示する図。

以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。

図１には、本発明の１つの実施形態のインプリント装置１の構成が模式的に示されている。インプリント装置１は、基板Ｓの上のインプリント材Ｒに型（モールド）Ｍを用いてパターンを形成するように構成されている。つまり、インプリント装置１は、基板Ｓの上に型Ｍのパターンに対応するパターンを形成するように構成されている。インプリント装置１は、駆動部ＤＲＶ、硬化部ＣＵ、塗布部ＤＳＰ、撮像部ＩＣおよび制御部ＣＮＴを備えうる。

駆動部ＤＲＶは、型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な位置および相対的な傾きを調整するように構成される。駆動部ＤＲＶは、例えば、型Ｍを保持する型保持部ＭＣＨ、型保持部ＭＣＨを駆動する型駆動部ＭＤＲＶ、基板Ｓを保持する基板保持部ＳＣＨ、および、基板保持部ＳＣＨを駆動する基板駆動部ＳＤＲＶを含みうる。型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な位置および相対的な傾きは、型駆動部ＭＤＲＶによる型保持部ＭＣＨの駆動および基板駆動部ＳＤＲＶによる基板保持部ＳＣＨの駆動によって調整あるいは制御されうる。型駆動部ＭＤＲＶは、例えば、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、および、Ｚ軸回りの回転の全部または一部に関して型保持部ＭＣＨを駆動しうる。基板駆動部ＳＤＲＶは、例えば、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、および、Ｚ軸回りの回転の全部または一部に関して基板保持部ＳＣＨを駆動しうる。ここで、Ｚ軸は、型Ｍと基板Ｓとの距離を規定する方向であり、Ｘ軸およびＹ軸は、Ｚ軸に垂直な方向であり、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、ＸＹＺ座標系を規定する。

駆動部ＤＲＶは、型保持部ＭＣＨによって保持された型Ｍを変形させる型変形部ＭＤＵを含む。型Ｍは、パターン（不図示）が形成された第１面Ｆ１と、第１面Ｆ１の反対側の第２面Ｆ２とを有し、型変形部ＭＤＵは、例えば、第２面Ｆ２の側の空間の圧力を制御することによって型Ｍを変形させうる。例えば、第２面Ｆ２の側の空間の圧力を第１面Ｆ１の側の空間より高くすることによって、型Ｍを基板Ｓまたはインプリント材Ｒに向かって突出するように湾曲させることができる。

塗布部ＤＳＰ（樹脂供給部）は、基板Ｓの上にインプリント材Ｒ（例えば、樹脂）を塗布する。硬化部ＣＵ（照明部）は、型Ｍのパターンが基板Ｓの上のインプリント材Ｒに接触した状態でインプリント材Ｒを硬化させる。一例において、インプリント材Ｒは、光硬化樹脂であり、硬化部ＣＵは、インプリント材Ｒに光を照射することでインプリント材Ｒを硬化させる。他の例において、インプリント材Ｒは、熱硬化樹脂である、硬化部ＣＵは、インプリント材Ｒに熱を加えることによってインプリント材Ｒを硬化させる。

撮像部ＩＣは、型Ｍを介して基板Ｓを照明することによって形成される干渉縞を撮像する。撮像部ＩＣは、例えば、駆動部ＤＲＶによって型Ｍと基板Ｓとの距離が縮小されることによってインプリント材Ｒと型Ｍとの接触領域が拡大している過程（接触拡大過程）において、干渉縞を複数回にわたって撮像するように制御されうる。

制御部ＣＮＴは、駆動部ＤＲＶ、撮像部ＩＣ、硬化部ＣＵおよび塗布部ＤＳＰを制御する。制御部ＣＮＴは、例えば、撮像部ＩＣによって複数回にわたって撮像された画像に基づいて、接触拡大過程において、型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きが複数回にわたって修正されるように、駆動部ＤＲＶを制御しうる。

図２を参照しながらインプリント装置１の動作を例示的に説明する。この動作は、制御部ＣＮＴによって制御されうる。制御部ＣＮＴは、例えば、プログラムが組み込まれたＣＰＵによって構成されうる。あるいは、制御部ＣＮＴは、ＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ）またはＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ−Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）で構成されてもよい。あるいは、制御部ＣＮＴは、プログラムが組み込まれたＣＰＵ、ＰＬＤおよびＡＳＩＣのうちの２以上の組み合わせによって構成されうる。

ステップＳ１００では、制御部ＣＮＴは、基板Ｓにインプリント材Ｒが塗布（供給）されるように塗布部ＤＳＰおよび駆動部ＤＲＶを制御する。例えば、基板Ｓの上のインプリント対象のショット領域が塗布部ＤＳＰによる塗布作業領域に入るように基板駆動部ＳＤＲＶによって基板Ｓが駆動され、塗布部ＤＳＰからインプリント材Ｒが吐出されることによって該ショット領域にインプリント材Ｒが塗布されうる。

ステップＳ１０２では、制御部ＣＮＴは、基板Ｓの上のインプリント材Ｒに型Ｍのパターンが接触するように駆動部ＤＲＶを制御する。この際に、型変形部ＭＤＵは、例えば、第２面Ｆ２の側の空間の圧力を第１面Ｆ１の側の空間より高くすることによって、型Ｍを基板Ｓまたはインプリント材Ｒに向かって突出するように湾曲させる。

ステップＳ１０４では、制御部ＣＮＴは、型Ｍを介して基板Ｓを照明することによって形成される干渉縞の画像（以下、第１画像）が撮像されるように撮像部ＩＣを制御する。ここで、図３に模式的に示されるように、型Ｍを介して基板Ｓを照明すると、型Ｍで反射される光Ｌｍと基板Ｓで反射される光Ｌｓとの間の光路長差によって干渉縞ＩＦが形成されうる。干渉縞ＩＦは、例えば、明環３０２および暗環３０３を含むニュートンリングである。明環３０２は、光路長差が光の波長の整数倍となる位置に現れ、暗環３０３は、光路長差が光の波長の半整数倍となる位置に現れる。

ステップＳ１０６では、制御部ＣＮＴは、撮像部ＩＣによって撮像された第１画像における干渉縞ＩＦの中心座標（Ｃｘ，Ｃｙ）を算出する。干渉縞ＩＦの中心座標（Ｃｘ，Ｃｙ）は、例えば、明環３０２および暗環３０３を含む複数の環のいずれか１つの中心座標、または、該複数の環の中心座標から最小二乗法などで決定される中心座標でありうる。図５には、干渉縞ＩＦの中心座標（Ｃｘ，Ｃｙ）、および、中心座標（Ｃｘ，Ｃｙ）を原点とするｘ軸およびｙ軸が示されている。

ステップＳ１０８では、制御部ＣＮＴは、型Ｍの湾曲量が小さくなるように型変形部ＭＤＵを制御し、これによりインプリント材Ｒと型Ｍのパターンとの接触面積を拡大させる。ステップＳ１０８〜Ｓ１２０までは、駆動部ＤＲＶによって型Ｍと基板Ｓとの距離が縮小されることによってインプリント材Ｒと型Ｍとの接触領域が拡大している接触拡大過程である。接触拡大過程では、駆動部ＦＲＶによって型Ｍと基板Ｓとの距離は、一定に維持されてもよいし、目標距離に近づくように変更されてもよい。接触拡大過程では、制御部ＣＮＴは、干渉縞ＩＦを複数回にわたって撮像するように撮像部ＩＣを制御し、該複数回にわたって撮像された画像に基づいて、型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きが修正されるように駆動部ＤＲＶを制御する。

接触拡大過程では、型Ｍのパターンとインプリント材Ｒとの接触面積の拡大に応じて干渉縞ＩＦも変化する。ステップＳ１１０では、制御部ＣＮＴは、型Ｍを介して基板Ｓを照明することによって形成される干渉縞ＩＦの画像（以下、第２画像）が撮像されるように撮像部ＩＣを制御する。ここで、第２画像は、第１画像の後に撮像される画像である。

図４には、インプリント材Ｒと型Ｍとの接触面積の拡大および干渉縞ＩＦの変化が模式的に示されている。（ａ）→（ｂ）→（ｃ）のようにインプリント材Ｒと型Ｍのパターンとの接触面積が拡大すると、それに応じて、（ｄ）→（ｅ）→（ｆ）のように干渉縞ＩＦが変化する。

ステップＳ１１２〜Ｓ１１６では、制御部ＣＮＴは、第１画像における干渉縞の中心からの第２画像における干渉縞の中心の偏芯量に基づいて、型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きが修正されるように駆動部ＤＲＶを制御する。つまり、制御部ＣＮＴは、第１画像における干渉縞の中心からの第２画像における干渉縞の中心の偏芯量が低減されるように駆動部ＤＲＶを制御する。これは、第１画像の撮像時における型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きが接触拡大過程において維持されるように駆動部ＤＲＶが制御されることを意味する。

以下、より具体的な例を通してステップＳ１１２〜Ｓ１１６における処理を説明する。ステップＳ１１２において、制御部ＣＮＴは、第１画像における干渉縞ＩＦの中心座標（Ｃｘ，Ｃｙ）からの第２画像における干渉縞の中心座標の偏芯量として、以下で定義される偏芯量Ａｘ、Ａｙを算出する。

図６（ａ）には、ステップＳ１０４で第１画像ＩＭＧ１を撮像するときの型Ｍの湾曲が模式的に示され、図６（ｂ）には、ステップＳ１１０で第２画像ＩＭＧ２を撮像するときの型Ｍの湾曲が模式的に示されている。図６（ｃ）には、第１画像ＩＭＧ１が模式的に示され、図６（ｄ）には、第２画像ＩＭＧ２が模式的に示されている。偏芯量Ａｘ、Ａｙは、例えば、第１画像ＩＭＧ１における干渉縞の中心座標（Ｃｘ，Ｃｙ）を原点とするｘｙ座標を定義し、このｘｙ座標の下で、第２画像ＩＭＧ２における干渉縞の１つの環のｘ座標値およびｙ座標値に基づいて算出されうる。

図７（ａ）は、図６（ｄ）におけるｘ軸上の光強度分布である。図７（ａ）において、ある環の左側部分７０１の位置、右側部分７０２の位置をそれぞれＬｘ、Ｒｘとする。ずれ量Δｘ、平均位置をＭｘ、偏芯量をＡｘとすると、それらは、以下のように定義されうる。

Δｘ＝Ｒｘ＋Ｌｘ （式１）
Ｍｘ＝（Ｒｘ−Ｌｘ）／２ （式２）
Ａｘ＝Δｘ／Ｍｘ （式３）
図７（ｂ）は、図６（ｄ）におけるｙ軸上の光強度分布である。図７（ｂ）において、ある環の下側部分７０３の位置、上側部分７０４の位置をそれぞれＤｙ、Ｕｙとする。ずれ量Δｙ、平均位置をＭｙ、偏芯量をＡｙとすると、それらは、以下のように定義されうる。

Δｙ＝Ｕｙ＋Ｄｙ （式４）
Ｍｙ＝（Ｕｙ−Ｄｙ）／２ （式５）
Ａｙ＝Δｙ／Ｍｙ （式６）
つまり、制御部ＣＮＴは、（式３）、（式６）に従って偏芯量Ａｘ，Ａｙを算出することができる。

ステップＳ１１４では、制御部１１４は、偏芯量Ａｘ，Ａｙに基づいて、型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きθｘ，θｙを算出する。ここで、θｘはｘ軸成分の傾きであり，θｙはｙ軸成分の傾きである。

相対的な傾きθｘ，θｙと偏芯量Ａｘ，Ａｙとの関係を示す関数θｘ＝Ｆｘ（Ａｘ）、θｙ＝Ｆｙ（Ａｙ）は、一般には複雑な関数になりうるが、実際に起こりうる範囲のＡｘ，Ａｙに限定すれば、図８に例示されるように一次関数で近似することができる。つまり、相対的な傾きθｘ，θｙと偏芯量Ａｘ，Ａｙとの関係は、以下のように定義されうる。

θｘ＝Ｋｘ・Ａｘ （式７）
θｙ＝Ｋｙ・Ａｙ （式８）
即ち、ステップＳ１１４では、制御部１１４は、偏芯量Ａｘ，Ａｙに基づいて、（式７）、（式８）に従って型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きθｘ，θｙを算出する。ステップＳ１１６では、制御部１１４は、ステップＳ１１４で算出した型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きθｘ，θｙに基づいて、θｘ，θｙがそれぞれ０に近づくように、駆動部ＤＲＶを制御する。つまり、この例では、制御部ＣＮＴは、偏芯量Ａｘ，Ａｙを型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きの修正量に換算し、該修正量に基づいて型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きが修正されるように駆動部ＤＲＶが制御される。

ステップＳ１１８では、制御部ＣＮＴは、型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きθｘ，θｙの修正が終了したかどうかを判断し、まだ終了していないと判断した場合には、ステップＳ１０８に戻り、終了したと判断した場合には、ステップＳ１２０に進む。ここで、型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きθｘ，θｙの修正は、例えば、干渉縞ＩＦの外側エッジとショット領域の外側エッジとの距離が所定距離未満になったときに終了したと判断されうる。ステップＳ１０８〜Ｓ１１８の繰り返しにより、干渉縞ＩＦの複数回にわたる撮像、および、当該撮像によって得られた複数の画像に基づく相対的な傾きθｘ，θｙの複数回にわたる修正がなされる。

ステップＳ１２０では、制御部ＣＮＴは、基板Ｓのショット領域に塗布されたインプリント材Ｒと型Ｍのパターンとが完全に接触するまでインプリント材Ｒと型Ｍとの接触領域を拡大するように型変形部ＭＤＵを制御する。

ステップＳ１２２では、制御部ＣＮＴは、基板Ｓのショット領域と型Ｍとが位置合わせされるように駆動部ＤＲＶを制御する。つまり、この例では、複数回にわたる型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きの修正の後に、基板Ｓ（のショット領域）と型Ｍとの位置合わせがなされうる。型Ｍと基板Ｓの位置合わせは、型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きの修正の前に行っても良いし、傾きの修正を行う各ステップの間に行っても良い。

ステップＳ１２４では、インプリント材Ｒを硬化させるように硬化部ＣＵを制御する。次いで、ステップＳ１２６では、硬化されたインプリント材Ｒと型Ｍとが離隔されるように駆動部ＤＲＶを制御する。

上記の実施形態において、インプリント材Ｒに型Ｍの接触が開始された直後では、インプリント材Ｒと型Ｍとの接触領域が小さく干渉縞が形成される領域も小さいので、偏芯量Ａｘ，Ａｙの誤差が大きい。一方、干渉縞の外側エッジがショット領域の外側エッジに近づくと、干渉縞の形が崩れやすい。そこで、以下では、上記の実施形態の改良例を提供する。改良例では、制御部ＣＮＴは、撮像部ＩＣによって撮像された画像における干渉縞の対称性が所定基準を満たす場合に、当該画像に基づいて、型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きθが修正されるように駆動部ＤＲＶを制御する。ここで、制御部ＣＮＴは、撮像部ＩＣによって撮像された画像の所定軸（例えばｘ軸）に沿った光強度分布の内積に基づいて干渉縞の対称性を評価しうる。

以下、内積の定義を例示的に説明するが、内積の定義は、他の定義にしたがってもよい。所定軸（例えばｘ軸）における位置をｘ、所定軸に沿った光強度分布をＩ（ｘ）、内積をＳ（ｘ）とすると、Ｓ（ｘ）は、

（式９）
で定義されうる。

図９（ａ）は、図７（ａ）における右側（ｘの値が正の部分）の一部（９０１に相当）に対して、図７（ａ）における左側（ｘの値が負の部分）の一部（９０２）をひっくり返して重ねて示したものである。実線９０１と点線９０２との一致度が高い場合、即ち対称性が高い場合に、内積Ｓ（ｘ）の値は大きい。

図９（ｂ）において、内積Ｓ（ｘ）がピークを示す座標ｘ_ｐ左右でのずれを表し、前述のΔｘに相当する。内積Ｓ（ｘ）のピーク値Ｓ_ｐ＝Ｓ（ｘ_ｐ）は、左右の対称性を表す。内積Ｓ（ｘ）のピーク値Ｓ_ｐが高いことは、Ｉ（ｘ）の対称性（ｘ_ｐを中心する左右の対称性）が高いことを意味する。一方、Ｓ_ｐが低いことは、Ｉ（ｘ）の対称性（ｘ_ｐを中心する左右の対称性）が低いことを意味する。また、内積Ｓ（ｘ）のピーク値Ｓ_ｐが高いことは、撮像部ＩＣによって得られた画像に基づいて型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きθを修正することの有効性が高いことを示す。一方、Ｓ_ｐが低いことは、撮像部ＩＣによって得られた画像に基づいて型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きθを修正することの有効性が低いことを示す。そこで、制御部ＣＮＴは、内積Ｓ（ｘ）のピーク値Ｓ_ｐが所定値より大きい場合に、撮像部ＩＣによって得られた画像に基づいて型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きθを修正するように構成されうる。

図１０には、接触拡大過程における相対的な傾きθおよび内積のピーク値Ｓ_ｐが示されている。接触拡大過程の初期では、内積のピーク値Ｓ_ｐが上昇し、その後、１付近で安定し、その後、低下する。内積のピーク値Ｓ_ｐが安定した領域は、撮像部ＩＣによって得られた画像に基づいて型Ｍと基板Ｓとの間の相対的な傾きθを補正することの有効性が高いことを示す。

他の例において、制御部ＣＮＴは、インプリント材Ｒと型Ｍとの接触領域の大きさが第１閾値を超えてから第２閾値を下回るまでの期間において撮像部ＩＣによって撮像された画像に基づいて、相対的な傾きθが修正されるように駆動部ＤＲＶを制御してもよい。ここで、第１閾値は、内積のピーク値Ｓ_ｐが安定した領域の開始点に対応し、第２閾値は、内積のピーク値Ｓ_ｐが安定した領域の終了点に対応する。

物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンが形成された基板を処理（例えば、エッチング）する工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。

１：インプリント装置、ＤＲＶ：駆動部、ＭＤＲＶ：型駆動部、ＳＤＲＶ：基板駆動部、Ｍ：型、Ｓ：基板、ＭＣＨ：型保持部、ＳＣＨ：基板保持部、ＭＤＵ：型変形部、ＩＣ：撮像部、ＤＳＰ：塗布部、ＣＵ：硬化部、ＣＮＴ：制御部

Claims (10)

1. 基板の上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記型と前記基板との間の相対的な位置および相対的な傾きを調整する駆動部と、
   前記駆動部によって前記型と前記基板との距離が縮小されることによって前記インプリント材と前記型との接触領域が拡大している過程において、前記型を介して前記基板を照明することによって形成される干渉縞を複数回にわたって撮像する撮像部と、
   前記撮像部によって複数回にわたって撮像された画像に基づいて、前記過程において、前記型と前記基板との間の前記相対的な傾きが複数回にわたって修正されるように、前記駆動部を制御する制御部と、
   を備えることを特徴とするインプリント装置。
2. 前記撮像部によって撮像される画像は、第１画像と、前記第１画像の後に撮像される第２画像とを含み、
   前記制御部は、前記第１画像における干渉縞の中心からの前記第２画像における干渉縞の中心の偏芯量に基づいて、前記相対的な傾きが修正されるように前記駆動部を制御する、
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記制御部は、前記偏芯量を前記相対的な傾きの修正量に換算し、前記修正量に基づいて、前記相対的な傾きが修正されるように前記駆動部を制御する、
   ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
4. 前記制御部は、複数回にわたる前記相対的な傾きの修正の後に、前記基板と前記型との位置合わせがなされるように前記駆動部を制御する、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
5. 前記制御部は、前記撮像部によって撮像された画像における干渉縞の対称性が所定基準を満たす場合に、当該画像に基づいて、前記相対的な傾きが修正されるように前記駆動部を制御する、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
6. 前記制御部は、前記撮像部によって撮像された画像の所定軸に沿った光強度分布の内積に基づいて前記対称性を評価する、
   ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
7. 前記所定軸における位置をｘ、前記光強度分布をI（ｘ）、前記内積をＳ（ｘ）とすると、Ｓ（ｘ）が、
   

   

   で定義され、
   前記制御部は、前記撮像部によって撮像される画像から求められたＳ（ｘ）のピーク値が所定値より大きい場合に、当該画像に基づいて、前記相対的な傾きが修正されるように前記駆動部を制御する、
   ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
8. 前記制御部は、前記接触領域の大きさが第１閾値を超えてから第２閾値を下回るまでの期間において前記撮像部によって撮像された画像に基づいて、前記相対的な傾きが修正されるように前記駆動部を制御する、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
9. 基板の上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント方法であって、
   前記型と前記基板との距離を縮小させることによって前記インプリント材と前記型との接触領域を拡大させる過程において、前記型を介して前記基板を照明することによって形成される干渉縞に基づいて前記型と前記基板との間の相対的な傾きを修正する動作を複数回にわたって実施し、その後、
   前記インプリント材を硬化させる、
   ことを特徴とするインプリント方法。
10. 請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板の上のインプリント材にパターンを形成する工程と、
    前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。

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