JP2017103403A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、試料台に載置された試料に成膜された被エッチング膜をマスクを用いて所定の深さまでプラズマエッチングするドライエッチング方法において、反応性ガスを用いて前記被エッチング膜をプラズマエッチングすることにより前記被エッチング膜のエッチング形状を裾引き形状とする第一の工程と、前記第一の工程後、前記第一の工程にてエッチングされた被エッチング膜を不活性ガスのみを用いてスパッタエッチングする第二の工程とを有し、前記所定の深さに到達するまで前記第一の工程と前記第二の工程を繰り返し、前記第二の工程の前記試料台に供給する高周波バイアス電力を前記第一の工程の前記試料台に供給する高周波バイアス電力より高くすることを特徴とする。
また、本発明は、試料台に載置された試料に成膜された被エッチング膜をマスクを用いて所定の深さまでプラズマエッチングするドライエッチング方法において、反応性ガスを用いて前記被エッチング膜をプラズマエッチングすることにより前記被エッチング膜のエッチング形状を裾引き形状とする第一の工程と、前記第一の工程後、前記第一の工程にてエッチングされた被エッチング膜を不活性ガスのみを用いてスパッタエッチングする第二の工程とを有し、前記所定の深さに到達するまで前記第一の工程と前記第二の工程を繰り返し、前記第一の工程の時間は、前記マスクのパターン間のスペース幅を半分にした値を前記第一の工程のエッチング速度により除した値以下の時間であることを特徴とする。
Claims (6)
- 試料台に載置された試料に成膜された被エッチング膜をマスクを用いて所定の深さまでプラズマエッチングするドライエッチング方法において、
反応性ガスを用いて前記被エッチング膜をプラズマエッチングすることにより前記被エッチング膜のエッチング形状を裾引き形状とする第一の工程と、
前記第一の工程後、前記第一の工程にてエッチングされた被エッチング膜を不活性ガスのみを用いてスパッタエッチングする第二の工程とを有し、
前記所定の深さに到達するまで前記第一の工程と前記第二の工程を繰り返し、
前記第二の工程の前記試料台に供給する高周波バイアス電力を前記第一の工程の前記試料台に供給する高周波バイアス電力より高くすることを特徴とするドライエッチング方法。 - 試料台に載置された試料に成膜された被エッチング膜をマスクを用いて所定の深さまでプラズマエッチングするドライエッチング方法において、
反応性ガスを用いて前記被エッチング膜をプラズマエッチングすることにより前記被エッチング膜のエッチング形状を裾引き形状とする第一の工程と、
前記第一の工程後、前記第一の工程にてエッチングされた被エッチング膜を不活性ガスのみを用いてスパッタエッチングする第二の工程とを有し、
前記所定の深さに到達するまで前記第一の工程と前記第二の工程を繰り返し、
前記第一の工程の時間は、前記マスクのパターン間のスペース幅を半分にした値を前記第一の工程のエッチング速度により除した値以下の時間であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項１または請求項２に記載のドライエッチング方法において、
前記被エッチング膜は、シリコン元素を含有する膜であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項１または請求項２に記載のドライエッチング方法において、
前記被エッチング膜の構造は、高アスペクト比の構造であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項１または請求項２に記載のドライエッチング方法において、
前記不活性ガスは、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガス、Ｎ ２ ガスの中の少なくともいずれか一つのガスであることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項２に記載のドライエッチング方法において、
前記第二の工程の前記試料台に供給する高周波バイアス電力を前記第一の工程の前記試料台に供給する高周波バイアス電力より高くすることを特徴とするドライエッチング方法。
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