JP2017134884A - 透明導電体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の課題は、光透過性に優れ、接続配線と導電層の導通性が良好な透明導電体の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の透明導電体の製造方法は、少なくとも、導電層と絶縁層と前記導電層に導通する接続配線とを有する透明導電体の製造方法であって、前記絶縁層の表面端部に接続配線を形成した後に交流電圧を前記導電層と前記接続配線間に印加する導通工程を経て、前記導電層と前記接続配線とを導通させることを特徴とする。
【選択図】なし

Description

本発明は、光透過性に優れ、接続配線と導電層の導通性が良好な透明導電体の製造方法に関する。

近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電体が使用されている。

タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電体を含む配線が配置される。したがって、透明導電体には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を用いた透明導電体が多用されている。

近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電体の表面電気抵抗をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗を十分に下げられないという問題があった。

そこで、銀を蒸着又はスパッタして形成する層（以下、Ａｇ層ともいう。）を透明導電層に用いることが検討されている（例えば、特許文献１参照。）。また、透明導電体の光透過性を高めるため、Ａｇ層を屈折率の高い膜（例えば、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム・酸素の非晶質酸化物）等からなる膜）で挟み込むことも提案されている（例えば、特許文献２及び非特許文献１参照。）。さらに、Ａｇ層を、硫化亜鉛を含有する層（以下、ＺｎＳ含有層ともいう。）で挟み込むことが提案されている（例えば、非特許文献２〜４参照。）。

しかし、特許文献２に示されるように、酸化ニオブやＩＺＯ等の誘電体層でＡｇ層が挟み込まれた透明導電体では、耐湿性が十分でなかった。その結果、高湿度環境下で透明導電体を使用すると、Ａｇ層が腐食しやすい等の問題があった。

一方、Ａｇ層がＺｎＳ含有層に挟み込まれた透明導電体では、透明導電体の耐湿性が十分に高いものの、Ａｇ層を形成する際、若しくはＺｎＳ含有層を形成する際に、銀が硫化されて硫化銀が生じやすい。その結果、透明導電体の光透過性が低くなるという問題があった。

また、導電性ペーストを基板に印刷することで、配線回路を形成させる技術は公知であるが（例えば、特許文献３及び４参照。）、導電層にＺｎＳ含有層等の高屈折率層を積層する構成は、高屈折率層が絶縁体又は高抵抗体であることが多く、接続配線を形成する際導通がとれないといった問題があった。

特表２０１１−５０８４００号公報 特開２００８−２２６５８１号公報 特開２０１２−８９２５２号公報 特開２０１２−３８６１４号公報

Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ Ｎｂ２Ｏ５／Ａｇ／ＩＺＯ ｗｉｔｈ ａｎ Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｄｅｓｉｇｎ，Ｙｗｈ−Ｔａｒｎｇ Ｌｅｕ， ｅｔ ａｌ．， ＳＩＤ ２０１２ ＤＩＧＥＳＴ ｐ．３５２−３５３ Ｘｕａｎｊｉｅ Ｌｉｕ，ｅｔ ａｌ， （２００３）． Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ ４４１， ２００−２０６ Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ＩＲ ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｈｅａｔ ｍｉｒｒｏｒ ｆｉｌｍｓ ｏｆ ＺｎＳ−Ａｇ−ＺｎＳ， Ｂｒｕｃｅ Ｗ． Ｓｍｉｔｈ， Ｍａｙ １９８９． Ｒｏｃｈｅｓｔｅｒ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｅｒ Ｆｏｒ Ｉｍａｇｉｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｏｆ ＺｎＳ−ＳｉＯ２／Ａｇ／ＺｎＳ−ＳｉＯ２ ａｓ ｈｉｇｈ ｓｔａｂｌｅ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ａｎｄ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ｆｉｌｍｓ， Ｇｕｏｙｕｎ Ｌｏｎｇ、Ｙｏｎｇｙｏｕ Ｇｅｎｇ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ，２６３（２０１２）ｐ．５４６−５５２

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、光透過性に優れ、接続配線と導電層の導通性が良好な透明導電体の製造方法を提供することである。

本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、絶縁層の表面端部に接続配線を配設した後に交流電圧を前記導電層と前記接続配線間に印加することにより導電層と接続配線間の良好な導通性が得られることを見いだし本発明に至った。

すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

１．少なくとも、導電層と絶縁層と前記導電層に導通する接続配線とを有する透明導電体の製造方法であって、前記絶縁層の表面端部に接続配線を形成した後に交流電圧を前記導電層と前記接続配線間に印加する導通工程を経て、前記導電層と前記接続配線とを導通させることを特徴とする透明導電体の製造方法。

２．前記接続配線が、少なくとも銀ペーストからなることを特徴とする第１項に記載の透明導電体の製造方法。

３．前記導電層が、銀を含有する導電層であることを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明導電体の製造方法。

４．前記導電層が、硫化亜鉛を含有する二つの絶縁層で挟持されていることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。

本発明の上記手段により、光透過性に優れ、接続配線と導電層の導通性が良好な透明導電体の製造方法を提供することができる。

本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。

導電層と接続配線間に交流電圧を印加することにより、高屈折率層中に存在する異物から電気トリーが成長し、導電性ペーストと導電層間で絶縁破壊が発生するためと考えられる。

透明導電体の層構成の一例を示す概略断面図 パターニングされた透明導電体の層構成の一例を示す概略断面図 導電性ペーストが塗布された透明導電体の一例を示す概略断面図 透明導電体の層構成の他の一例を示す概略断面図 パターニングされた透明導電体の全体を示す模式図 タッチパネルの一例を示す概略断面図

本発明の透明導電体の製造方法は、少なくとも、導電層と絶縁層と前記導電層に導通する接続配線とを有する透明導電体の製造方法であって、前記絶縁層の表面端部に接続配線を形成した後に交流電圧を前記導電層と前記接続配線間に印加する導通工程を経て、前記導電層と前記接続配線とを導通させることを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項４までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。

本発明の実施態様としては、接続配線が、少なくとも銀ペーストからなることが好ましい。また、導電層が、銀を含有する導電層であることが、高い導電性を得られることから好ましい。さらに、導電層が、硫化亜鉛を含有する二つの絶縁層で挟持されていることが、耐湿性向上の効果が得られることから、好ましい。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。

≪透明導電体の製造方法の概要≫
本発明の透明導電体の製造方法は、少なくとも、導電層と絶縁層と前記導電層に導通する接続配線とを有する透明導電体の製造方法であって、前記絶縁層の表面端部に接続配線を形成した後に交流電圧を前記導電層と前記接続配線間に印加する導通工程を経て、前記導電層と前記接続配線とを導通させることを特徴とする。

本発明に係る導電層が、導電性ペーストからなる接続配線に導通する工程の概略を、一例として図１Ａ〜図１Ｃに示す。

図１Ａは透明導電体の層構成の一例を示す概略断面図である。本発明に係る透明導電体は、図１Ａに示すように、基板１上に、例えば、高い屈折率を有する硫化亜鉛を含有する第１高屈折率層２と導電層３と硫化亜鉛を含有する絶縁層３（第２高屈折率層）とが積層されている。第１高屈折率層２は、好ましい態様として、光透過性を高くし、耐湿性を向上するために設けられている。

導電層としては、銀を用いることが高い導電性を得られることから好ましい。また、導電層として銀を用いる場合、導電層に隣接する層に硫化防止層を設けて、硫化銀の生成に起因する光透過性の劣化を防ぐことができる。このような構成とすることで高い光透過性を有する積層体１０を形成することができる。

図１Ｂは、パターニングされた透明導電体の層構成の一例を示す概略断面図である。積層体１０は、パターニングにより、導通領域ａと絶縁領域ｂが形成されていてもよい。導通領域ａから引き出されている引き出し配線部（以下、単に「引き出し配線」ともいう。）を有していることが好ましい。

図１Ｃは、導電性ペーストが塗布された透明導電体の一例を示す概略断面図である。パターニングされた透明導電体の絶縁層の表面端部に導電性ペーストを塗布する。この導電性ペーストは接続配線として、パターニングされた透明導電体の導電層と回路基板を電気的に接続する機能を有している。しかし、導電層の上にＺｎＳ含有層等の第２高屈折率層を積層する構成は、高屈折率層が絶縁体又は高抵抗体であることが多く、接続配線を形成する際、導通がとれないといった問題があった。

本発明では、接続配線（導電性ペースト）を形成した後に、交流電圧を前記導電層と前記接続配線間に印加することにより、導電層と接続配線間に良好な導通性を得ることができる。

この効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。

導電層と接続配線間に交流電圧を印加することにより、高屈折率層中に存在する異物から電気トリーが成長し、導電性ペーストと導電層間で絶縁破壊が発生するためと考えられる。一般的に極性が逆転し高電圧が印加されること、電子の移動量が大きいこと、渦電流損失などにより配線等が加熱されることなどから交流の方が絶縁破壊しやすいと言われている。また、導電性ペーストを用いる場合、電解が導電性ペーストに含まれる金属粒子の最先端の粒子一点に集中するため絶縁破壊が起きやすいとも考えられる。

≪透明導電体の製造方法≫
本発明の透明導電体の製造方法は、少なくとも、導電層と絶縁層を成膜する成膜工程と、成膜した後絶縁層の表面端部に接続配線形成工程と、その後に交流電圧を導電層と接続配線間に印加する導通工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて、パターニングをする工程等のその他の工程を含むことができる。

以下に、透明導電体の製造方法をより詳細に説明する。

＜成膜工程＞
成膜工程としては、基板の一方の面上に少なくとも導電層とその上に絶縁層を成膜する。絶縁層は高屈折率を有する層（第２高屈折率層）であることが好ましい。必要に応じて導電層と基板との間に第１高屈折率層を設けることもできる。また目的に応じて、適宜硫化防止層、下地層などを選択することができる。

透明導電体の好ましい層構成の一例として、図２に示したような、基板１の一方の面上に第１高屈折率層２、第１硫化防止層５ａ、導電層３、第２硫化防止層５ｂ及び絶縁層（第２高屈折率層）４をこの順に形成した積層体を挙げることができる。

このような積層体を形成する工程であれば、成膜方法は特に限定されない。例えば真空蒸着法やスパッタリング等の公知の方法により薄膜を形成することができる。また必要に応じて、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等の公知の湿式法により薄膜を形成することもできる。

＜接続配線形成工程＞
接続配線形成工程では、成膜した積層体の表面に位置する絶縁層の表面端部と回路基板間に接続配線を形成する。接続配線は、透明導電体の導電層と回路基板との電気的接続を可能とするために設けられる。具体的には、導電性ペーストや金属を用い基板上に接続配線として導電層と回路基板とを配設する。配設する際、パターニングされた積層体の引き出し配線を用いて導電層と回路基板とを配設することが好ましい。

接続配線は、パターニングして得られた絶縁層の表面の端が覆われていればよい。具体的には、絶縁層の表面端部とは、端から少なくとも３００μｍ程度覆われていればよい。導電層を含む端面は導電性ペーストに接していることが好ましいが、必ずしも接していなくともよい。絶縁層の表面端部が、接続配線に覆われていればよい。

接続配線の幅は、必要に応じて変えることができるが、１０〜１００μｍの範囲内とすることができる。また厚さは５ｎｍ〜５０μｍの範囲内とすることができる。

（接続配線）
接続配線は、透明導電体の導電層と回路基板との電気的接続を可能とするために設けられる。したがって抵抗が１０^−４Ω／□以下の導電体であることが好ましい。より好ましくは抵抗が１０^−５Ω／□以下であることである。

接続配線に用いられる材料は、導電性ペースト又は金属が好ましい。好ましくは大掛かりな装置を用いずに安価に形成できることから、導電性ペーストが好ましく、銀ペーストであることがより好ましい。

接続配線に金属を用いる場合、金属配線は金属をスパッタ又は蒸着し配線を行ったものでも良い。この場合均一かつ正確に配線できるため、不良を少なくすることができる。金属としてはＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｂｉ及びこれらの合金などから選ぶことが可能であるが、導電性の面からＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔが好ましく、耐久性の面からＣｒ、Ｎｉが好ましい。

接続配線に導電性ペーストを用いる場合、導電性ペーストを透明基板上に配設する塗布方法は、インクジェット、スクリーン印刷、グラビア印刷等の配線基板に用いる公知の方法を適宜用いることができる。これらの中では均一に仕上がることからスクリーン印刷、グラビア印刷等の印刷法が好ましい。

導電性ペーストは、少なくとも銀又は銅を含有していることが好ましい。導電性ペーストに含有される銀又は銅は、球状の粒子として含有されていることが好ましい。銀粒子又は銅粒子は、それぞれの粒子のメジアン径（Ｄ５０）が、０．２〜０．９μｍの範囲内であることが好ましい。

例えば、大研化学製造販売（株）製ＣＡ−Ｔ３０、ＩｎｋＴｅｃ社製ＴＥＣ−ＰＲ０３０（ペーストＡ）、ＩｎｋＴｅｃ社製ＴＥＣ−ＰＡ０１０（ペーストＢ）、三ツ星ベルト（株）製ＭＤｏｔ−ＳＬＰ、東洋インキ（株）製ＲＡ ＦＳ０３９、ＲＡ ＦＳ０４５、ＲＡ ＦＳ０８８、藤倉化成（株）製ナノドータイト ＸＡ−３５４１、同ＸＡ−９０５３、（株）アサヒ化学研究所製ＬＳ−４５０−５、ＬＳ−４５０−７Ｈ、ＬＳ−４６２Ｈ−２、ＬＳ−４５３−２、ＬＳ−４７０Ｌ−２、ＬＳ−４６０Ｈ−１、ペルノックス（株）製Ｋ−３１００、ペルトロンＫ−３１０７Ｓ、Ｋ−３１１１、太陽インキ製造（株）製ＥＣＭ−１００ ＡＦ６１００ Ｌ１０、ＥＰＨ−３００ＴＲ６７００４、旭硝子（株）製スクリーン印刷用銅ペースト「ＥＰＲＩＭＡ ＣＵ」、ナミックス（株）製ＸＥ１０８
−６、ＸＥ１０８−６Ｋ等を用いることができる。

銀粒子又は銅粒子の導電性ペースト中の含有率は、７０〜９７質量％の範囲内であることが好ましく、７５〜９２質量％の範囲内であることがより好ましい。この範囲であると、良好な導電性を有する接続配線を配設することができる。

当該導電性ペーストは、銀粒子又は銅粒子とともに、有機溶媒や樹脂を含有する。導電性ペーストが含有する有機溶媒及び樹脂は、銀粒子又は銅粒子と反応性を有さないものであればよい。

導電性ペーストが含有する有機溶媒として、導電性ペースト用の公知の有機溶媒を用いることができる。具体的には、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテートを好ましく用いることができる。これらは、一種を単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。また、有機溶媒の沸点は、乾燥速度の観点から、１２０〜１８０℃の範囲内であることが好ましい。

また、導電性ペーストが含有する樹脂として、具体的には、ビニルアクリル樹脂を用いることができる。例えば、ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。これらは、一種を単独で用いてもよいし、二種以上を併用して用いてもよい。

これらの有機溶媒又は樹脂を含有することで、印刷に適した導電性ペーストが得られる。

（焼結）
導電性ペーストで配設したあと、焼結により、接続配線を固定することが好ましい。基板として樹脂を用いた場合、温度が高いと樹脂の変形が起きやすくなるため、焼結の温度は９０〜１６０℃の範囲内とすることができる。また焼結時間は３〜３０分の範囲が好ましい。焼結は公知の加熱炉を用いて行うことができる。

＜導通工程＞
導通工程では、導電層と接続配線間に交流電圧を印加して、導電層と前記接続配線を導通させる。導電層の両端に接続配線を有する場合、導電層を介して両端の接続配線間に交流電圧を印加することにより、導電層の両端の２か所の導通を一回の交流電圧の印加で可能にすることもできる。

単に接続配線を配設しただけでは、導通は不十分である。導電層と接続配線間に交流電圧を印加することにより、十分な導通性を得ることができる。なお、本発明において導通するとは、抵抗が導電層の理論値の１０倍以下であることをいう。

印加する交流電圧の電圧としては、１００Ｖ（家庭用電源）以下が好ましく、特に１〜５Ｖの範囲内が好ましい。

用いる周波数としては、２Ｈｚ〜２０ＭＨｚの範囲内が好ましく、１０Ｈｚ〜１ＭＨｚの範囲内が更に好ましく、２０〜２００Ｈｚの範囲内が特に好ましい。また、１３．５６ＭＨｚの周波数も工業用途として広く用いられており汎用性が高く好ましい。

印加時間は、電圧にもよるが、１０分以下が好ましく、１分以下が更に好ましく、１〜５秒の範囲内が特に好ましい。

交流電圧を印加するには、市販の装置を適宜用いることができる。例えば、日置電機社製、ＨＩＯＫＩ ＬＣＲ ＨｉＴｅｓｔｅｒ（型番３５２２−５０）等を用いることができる。

≪透明導電体の構成要素≫
本発明に係る透明導電体は、少なくとも導電層と絶縁層と接続配線とを有する。これらの層は透明基板上に有していることが好ましい。絶縁層は高屈折率を有する層（第２高屈折率層）であることが好ましい。必要に応じて導電層と基板との間に第１高屈折率層を設けることもできる。また目的に応じて、適宜硫化防止層、下地層などを選択することができる。具体的な一例として、図２に示した、基板１の一方の面上に第１高屈折率層２、第１硫化防止層５ａ、導電層３、第２硫化防止層５ｂ及び絶縁層（第２高屈折率層）４をこの順に積層した本発明に係る透明導電体の各層について詳細に説明する。

〔第１高屈折率層〕
第１高屈折率層は、透明導電体の導通領域、つまり導電層が形成されている領域の光透過性を調整する層であり、少なくとも透明導電体の導通領域に形成される。第１高屈折率層は、透明導電体の絶縁領域にも形成されていてもよいが、導通領域及び絶縁領域からなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域のみに形成されていることが好ましい。

第１高屈折率層には、後述する基板の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。当該誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率（測定温度２５℃）は、基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。

一方、第１高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５の範囲内であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５の範囲内である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１高屈折率層によって、透明導電体の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。

なお、第１高屈折率層の屈折率は、第１高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。

第１高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物でありうる。金属酸化物の例にはＴｉＯ_２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモンスズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＷＯ_３、ＨｆＯ_２、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム・酸素の非晶質酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）等が含まれる。第１高屈折率層には、当該金属酸化物が一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。

また、第１高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、ＺｎＳでもありうる。第１高屈折率層にＺｎＳが含まれると、基板側から水分が透過し難くなり、導電層の腐食が抑制される。第１高屈折率層には、ＺｎＳのみが含まれてもよく、ＺｎＳとともに他の材料が含まれてもよい。ＺｎＳとともに含まれる材料は、上記誘電性材料又は酸化物半導体材料でありうる金属酸化物やＳｉＯ_２等であり、特に好ましくはＳｉＯ_２である
。ＺｎＳとともにＳｉＯ_２が含まれると、第１高屈折率層が非晶質になりやすく、透明導電体のフレキシブル性が高まりやすい。

第１高屈折率層にＺｎＳとともに他の材料が含まれる場合、ＺｎＳの量は、第１高屈折率層を構成する材料の総モル数に対して、０．１〜９５質量％の範囲内であることが好ましく、５０〜９０質量％であることがより好ましく、さらに好ましくは６０〜８５質量％の範囲内である。

ＺｎＳの比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第１高屈折率層の形成速度が速くなる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多く含まれると、第１高屈折率層の非晶質性が高まり、第１高屈折率層の割れが抑制される。

第１高屈折率層の厚さは、１５〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは２０〜８０ｎｍである。第１高屈折率層の厚さが１５ｎｍ以上であると、第１高屈折率層によって、透明導電体の導通領域の光透過性が十分に調整される。一方、第１高屈折率層の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、第１高屈折率層が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第１高屈折率層の厚さは、エリプソメーターで測定される。

第１高屈折率層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法で形成された層でありうる。第１高屈折率層の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第１高屈折率層は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成された層であることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、イオンアシスト法（Ｉｏｎ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＩＡＤ）などによるアシストがあることが望ましい。

また、第１高屈折率層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１高屈折率層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

〔第１硫化防止層〕
第１高屈折率層にＺｎＳが含まれる場合、つまり第１高屈折率層が硫化亜鉛含有層である場合、第１高屈折率層と導電層との間に第１硫化防止層が設けられることが好ましい。第１硫化防止層は、透明導電体の絶縁領域にも形成されていてもよいが、導通領域及び絶縁領域からなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域のみに形成されていることが好ましい。

当該第１硫化防止層は、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物等、又はＺｎを含む層でありうる。第１硫化防止層には、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。ただし、第１高屈折率層と、第１硫化防止層と、導電層とが連続的に形成される場合には、金属酸化物が硫黄と反応可能、又は硫黄を吸着可能な化合物であることが好ましい。金属酸化物が、硫黄と反応する化合物である場合、金属酸化物と硫黄との反応物は、可視光の透過性が高いことが好ましい。

金属酸化物の例には、ＴｉＯ_２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔｉ_３Ｏ_５、Ｔｉ_４Ｏ_７、Ｔｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ、ＳｎＯ_２、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＷＯ_３、ＩＧＺＯ等が含まれる。

金属フッ化物の例には、ＬａＦ_３、ＢａＦ_２、Ｎａ_５Ａｌ_３Ｆ_１４、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＡｌＦ_３、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＣｅＦ_３、ＮｄＦ_３、ＹＦ_３等が含まれる。

金属窒化物の例には、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ等が含まれる。

上記の化合物を用いることができるが、十分な硫化防止機能、耐久性を持たせるために、特にＺｎＯ、ＧＺＯ、ＩＧＺＯを用いることが好ましい。

ここで、第１硫化防止層の厚さは、導電層の形成時の衝撃から、第１高屈折率層の表面を保護可能な厚さであることが好ましい。一方で、第１高屈折率層に含まれ得るＺｎＳは、導電層に含まれる金属との親和性が高い。そのため、第１硫化防止層の厚さが非常に薄く、第１高屈折率層の一部が僅かに露出していると、当該露出部分を中心に導電層が成長し、導電層が緻密になりやすい。つまり、第１硫化防止層は比較的薄いことが好ましく、０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍであり、さらに好ましくは１〜３ｎｍである。第１硫化防止層の厚さは、エリプソメーターで測定される。

第１硫化防止層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成された層でありうる。

第１硫化防止層が、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１硫化防止層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

〔導電層〕
導電層は、透明導電体において電気を導通させるための層である。本発明に係る透明導電体に設けられる導電層では、導電層が基板の全面に積層されていてもよく、図３に示すように、目的とするデバイスの用途に合わせて所望の形状にパターニングされていてもよい。本発明に係る透明導電体において、導電層が積層されている領域が、電気が導通する領域（以下、「導通領域」とも称する。）である。一方、導電層が含まれない領域が絶縁領域である。

導通領域及び絶縁領域からなるパターンは、透明導電体の用途に応じて、適宜選択される。例えば透明導電体が静電方式のタッチパネルに適用される場合には、複数の導通領域と、これを区切るライン状の絶縁領域とを含むパターン等でありうる。

導電層に含まれる金属は、導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば、銀、銅、金、白金、チタン、クロム等でありうる。導電層には、これらの金属が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。導電性が高いとの観点から、導電層は銀、又は銀が９０原子％以上含まれる合金からなることが好ましい。

銀と組み合わされる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン等でありうる。例えば銀と亜鉛とが組み合わされると、導電層の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。また、パラジウム、銅を含有することにより耐湿性が向上する。

導電層のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは５％
以下である。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。

導電層の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。

（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ成膜する。白金パラジウムの平均厚さは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を２０ｎｍ形成する。

（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の光透過率及び光反射率を測定する。そして各波長における光透過率及び光反射率から、光吸収率＝１００−（光透過率＋光反射率）を算出し、これをリファレンスデータとする。光透過率及び光反射率は、分光光度計で測定する。

（iii）続いて、測定対象の導電層を同様のガラス基板上に形成する。そして、当該導電層について、同様に光透過率及び光反射率を測定する。得られた光吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。

導電層の厚さは１０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは３〜９ｎｍであり、さらに好ましくは５〜８ｎｍである。本発明に係る透明導電体では、導電層の厚さが１０ｎｍ以下であると、導電層に金属本来の反射が生じ難い。さらに、導電層の厚さが１０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層及び第２高屈折率層によって、透明導電体の光透過性が調整されやすく、導通領域表面での光の反射が抑制されやすい。導電層の厚さは、エリプソメーターで測定される。

導電層は、いずれの形成方法で形成された層でありうるが、導電層の平均透過率を変えるためには、スパッタ法で形成された層、若しくは後述する下地層上に形成された層であることが好ましい。

スパッタ法では、形成時に材料が被形成体に高速で衝突するため、緻密かつ平滑な層が得られやすく、導電層の光透過性が高まりやすい。また、導電層がスパッタ法により形成された層であると、導電層が高温かつ低湿度な環境においても腐食し難くなる。スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等でありうる。導電層は、特に対向スパッタ法で形成された層であることが好ましい。すなわち、導電層が、対向スパッタ法で形成された層であると、導電層が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、導電層の表面電気抵抗がより低くなり、光の透過率も高まりやすい。

一方、導電層が後述する下地層上に形成された層である場合、導電層の形成時に下地層が成長核となるため、導電層が平滑な層になりやすい。その結果、導電層が薄くとも、プラズモン吸収が生じ難くなる。この場合、導電層の形成方法は特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法でありうる。

また、導電層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。導電層は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

〔第２硫化防止層〕
後述する第２高屈折率層が硫化亜鉛含有層である場合、導電層と第２高屈折率層との間に第２硫化防止層が形成されることが好ましい。第２硫化防止層は、透明導電体の絶縁領域にも形成されていてもよいが、導通領域及び絶縁領域からなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域のみに形成されていることが好ましい。

当該第２硫化防止層は、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物等、又はＺｎを含む層である。第２硫化防止層には、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物は、第１高屈折率層に含まれる金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物と同様でありうる。

一方、第２硫化防止層の厚さは、第２高屈折率層の形成時の衝撃から、導電層の表面を保護可能な厚さであることが好ましい。一方で、導電層に含まれる金属と、第２高屈折率層に含まれるＺｎＳは、親和性が高い。そのため、第２硫化防止層の厚さが非常に薄く、導電層の一部が僅かに露出していると、導電層や第２硫化防止層と第２高屈折率層との密着性が高まりやすい。したがって、第２硫化防止層ｂの具体的な厚さは０．１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍであり、さらに好ましくは１〜３ｎｍである。第２硫化防止層の厚さは、エリプソメーターで測定される。

第２硫化防止層は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成された層でありうる。

第２硫化防止層が、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第２硫化防止層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

なお、第１高屈折率層及び第２高屈折率層の両方が硫化亜鉛含有層である場合、いずれか一方の第１高屈折率層又は第２高屈折率層と導電層との間に、硫化防止層が設けられればよいが、透明導電体の光透過性を十分に高めるとの観点から、各第１高屈折率層及び第２高屈折率層と導電層との間に、それぞれ硫化防止層が設けられることが好ましい。つまり、第１高屈折率層と導電層との間、及び導電層と第２高屈折率層との間に、それぞれ、第１硫化防止層と第２硫化防止層とが設けられることが好ましい。

〔絶縁層〕
絶縁層は第２高屈折率層であることが、光透過率を高める上で好ましい。しかし導電層にＺｎＳ含有層等の第２高屈折率層を積層する構成は、高屈折率層が絶縁体又は高抵抗体であることが多く、接続配線を形成する際導通が取れないといった問題があった。本発明はＺｎＳのような絶縁性の高屈折率層を有していても、導電層と接続配線との優れた導通性を得ることができる。

ここで、本発明において絶縁層とは、導電層の１０倍を超える抵抗値を有する層をいう。特に１０^−４Ω／□を超える抵抗を有する層に好ましく適用できる。

第２高屈折率層は、透明導電体の導通領域、つまり導電層が形成されている領域の光透過性を調整するための層であり、少なくとも透明導電体の導通領域に形成される。したがって、第２高屈折率層は、透明導電体の絶縁領域に形成されてもよいが、導通領域及び絶縁領域からなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域のみに形成されていることが好ましい。

第２高屈折率層には透明基板の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが、光透過性の観点から好ましい。当該誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。一方、第２高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層によって、透明導電体の導通領域の光透過性が十分に調整される。なお、第２高屈折率層の屈折率は、第２高屈折率層に含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層に含まれる材料の密度で調整される。

第２高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であり、金属酸化物でありうる。当該金属酸化物は、第１高屈折率層に含まれる金属酸化物と同様でありうる。第２高屈折率層には、当該金属酸化物が一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。

また、第２高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、ＺｎＳでもありうる。第２高屈折率層にＺｎＳが含まれると、第２高屈折率層側から水分が透過し難くなり耐湿性が向上し、導電層の腐食が抑制される。耐湿性向上の観点からは、第２高屈折率層及び第１高屈折率層の両方にＺｎＳが含まれることが好ましい。すなわち導電層が、ＺｎＳを含有する二つの絶縁層で挟持されていることが好ましい。第２高屈折率層には、ＺｎＳのみが含まれてもよく、ＺｎＳとともに他の材料が含まれてもよい。ＺｎＳとともに含まれる材料は、上記誘電性材料又は酸化物半導体材料でありうる金属酸化物、若しくはＳｉＯ_２であり、特に好ましくはＳｉＯ_２である。ＺｎＳとともにＳｉＯ_２が含まれると、第２高屈折率層が非晶質になりやすく、透明導電体のフレキシブル性が高まりやすい。

第２高屈折率層にＺｎＳとともに他の材料が含まれる場合、ＺｎＳの量は、第２高屈折率層を構成する成分の総モル数に対して、０．１質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは６０質量％以上８５質量％以下である。ＺｎＳの比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第２高屈折率層の形成速度が早くなる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多くなると、第２高屈折率層の非晶質性が高まり、第２高屈折率層の割れが抑制される。

第２高屈折率層の厚さは、好ましくは１５〜１５０ｎｍであり、さらに好ましくは２０〜８０ｎｍである。第２高屈折率層の厚さが１５ｎｍ以上であると、第２高屈折率層によって、透明導電体の導通領域の光透過性が十分に調整される。一方、第２高屈折率層の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、第２高屈折率層が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第２高屈折率層の厚さは、エリプソメーターで測定される。

第２高屈折率層の形成方法は特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成された層であり得る。第２高屈折率層の透湿性が低くなるとの観点から、第２高屈折率層はスパッタ法で形成された層であることが特に好ましい。

また、第２高屈折率層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第２高屈折率層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよい。また、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

〔透明導電体のその他の構成〕
透明導電体に設けられるその他の構成について説明する。

〔下地層〕
透明導電体には、導電層の形成時に成長核となる下地層が設けられてもよい。下地層は、導電層より基板側、かつ導電層に隣接して形成された層、つまり、第１高屈折率層と導電層との間、又は第１硫化防止層と導電層との間に形成された層でありうる。下地層は、少なくとも透明導電体の導通領域に形成されていることが好ましく、透明導電体の絶縁領域に形成されていてもよい。

透明導電体下地層が設けられると、導電層の厚さが薄くとも、導電層の表面の平滑性が高まる。その理由は以下のとおりである。

一般的な気相成膜法で導電層の材料を、例えば第１高屈折率層上に堆積させると、形成初期には、第１高屈折率層上に付着した原子がマイグレート（移動）し、原子が寄り集まって塊（島状構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら膜が成長する。そのため、形成初期の層では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長すると、塊同士の一部がつながり、辛うじて導通する。しかし、塊同士の間にいまだ隙間があるため、プラズモン吸収が生じる。そして、さらに形成が進むと、塊同士が完全につながって、プラズモン吸収が少なくなる。しかしその一方で、金属本来の反射が生じ、層の光透過性が低下する。

これに対し、第１高屈折率層上をマイグレートし難い金属からなる下地層が形成されていると、当該下地層を成長核として、導電層が成長する。つまり、導電層の材料がマイグレートし難くなり、前述の島状構造を形成せずに膜が成長する。その結果、厚さが薄くとも平滑な導電層が得られやすくなる。

ここで、下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウム、あるいはこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物（例えばＺｎＳ）が含まれることが好ましい。下地層には、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。

下地層に含まれるパラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムの量は、２０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、さらに好ましくは６０質量％以上である。下地層に上記金属が２０質量％以上含まれると、下地層と導電層との親和性が高まり、下地層と導電層との密着性が高まりやすい。下地層にはパラジウム又はモリブデンが含まれることが特に好ましい。

一方、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムと合金を形成する金属は特に制限されないが、例えばパラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等でありうる。

下地層の厚さは、３ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ以下であり、さらに好ましくは単原子膜である。下地層は、基板上に金属原子が互いに離間して付着している膜でもありうる。下地層の付着量が３ｎｍ以下であれば、下地層が透明導電体の光透過性や光学アドミッタンスに影響を及ぼし難い。下地層の有無はＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の厚さは、形成速度と形成時間との積から算出される。

下地層は、スパッタ法又は蒸着法で形成された層でありうる。スパッタ法の例には、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法
、バイアススパッタ法等が含まれる。下地層形成時のスパッタ時間は、所望の下地層の平均厚さ、及び形成速度に合わせて適宜選択される。スパッタ形成速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。

一方、蒸着法の例には、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着時間は、所望の下地層の厚さ及び形成速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒である。

下地層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。下地層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。

〔基板〕
透明導電体が有する基板は、各種表示デバイスの透明基板と同様でありうる。基板は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えばパンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えばゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えばポリメチルメタクリレート、「アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。基板が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには二種以上の樹脂が含まれてもよい。

透明性の観点から、基板はガラス基板、又はセルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、又はスチレン系ブロックコポリマー樹脂からなるフィルムであることが好ましい。

基板は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。基板の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電体の光透過性が高まりやすい。また、基板の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。

上記平均透過率は、基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、基板の平均反射率を測定し、平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）として算出する。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定される。

基板の波長５７０ｎｍの光の屈折率は１．４０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０の
範囲内である。基板の屈折率は、通常、基板の材質によって定まる。基板の屈折率は、エリプソメーターで測定される。

基板１のヘイズ値は０．０１〜２．５％であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２％の範囲内である。基板のヘイズ値が２．５％以下であると、透明導電体のヘイズ値が抑制される。ヘイズ値は、ヘイズメーターで測定される。

基板１の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍの範囲内である。基板の厚さが１μｍ以上であると、基板の強度が高まり、第１高屈折率層の作製時に割れたり、裂けたりし難くなる。一方、基板の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体のフレキシブル性が十分となる。さらに透明導電体を用いた機器の厚さを薄くできる。また、透明導電体を用いた機器を軽量化することもできる。

〔透明導電体の物性〕
本発明に係る透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域及び絶縁領域のいずれにおいても８３％以上であることが好ましく、より好ましくは８５％以上であり、さらに好ましくは８８％以上である。上記波長範囲における平均透過率が８３％以上であると、透明導電体を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。

一方、透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域及び絶縁領域のいずれにおいても８０％以上であることが好ましく、より好ましくは８３％以上、さらに好ましくは８５％以上である。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が８０％以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば太陽電池にも透明導電体を適用することができる。

一方、透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域及び絶縁領域のいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。また、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域及び絶縁領域のいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。一方、透明導電体の波長５００〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域及び絶縁領域のいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。透明導電体の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均透過率が高まる。

上記平均透過率、平均吸収率、及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下での平均透過率、平均吸収率、及び平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を作製して平均透過率及び平均反射率測定することが好ましい。一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定することができる。吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。

また、透明導電体が導通領域及び絶縁領域を有する場合、導通領域の反射率及び絶縁領域の反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域の視感反射率と、絶縁領域の視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは０．５％以下であり、特に好ましくは０．３％以下である。一方、導通領域及び絶縁領域の視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ま
しく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光測色計（ＣＭ−５；コニカミノルタ株式会社製）で測定されるＹ値である。

また、透明導電体が導通領域及び絶縁領域を有する場合、いずれの領域においても、Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるａ^＊値及びｂ^＊値は±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、さらに好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくはａ^＊値が−０．５〜０の範囲内、ｂ^＊値が０〜２．０の範囲内である。Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるａ^＊値及びｂ^＊値が±３０以内であれば、導通領域及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊表色系におけるａ^＊値及びｂ^＊値は、分光光度計で測定される。

透明導電体の導通領域の表面電気抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域の表面電気抵抗値は、導電層の厚さ等によって調整される。導通領域の表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ Ｋ７１９４−１９９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。

〔タッチパネル〕
本発明に係る透明導電体は、種々の方式のタッチパネルのタッチセンサー（以下において、「タッチセンサー電極部」ともいう。）に適用され得る。例えば、表面型静電容量方式タッチパネル、投影型静電容量方式タッチパネル、抵抗膜式タッチパネルなどにおいて用いることができる。

タッチセンサー部の層構成が、透明電極として２枚の透明導電体を貼合する貼合方式、一枚の基材の両面に透明電極として透明導電体を具備する方式、片面ジャンパー又はスルーホール方式又は片面積層方式のいずれかであることが好ましい。

また、投影型静電容量式タッチセンサーは、ＤＣ駆動よりＡＣ駆動が好ましく、電極への電圧印加時間が少ない駆動方式がより好ましい。

図３は、パターニングされた透明導電体の全体を示す模式図である。本発明に係る透明導電体をタッチセンサーに適用する場合には、例えば、図３に示されるように、複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターンを有する透明電極として成形して用いることができる。

図３に示す状態から、さらに接着剤１５によって、ディスプレイパネル１６と、透明導電体１００と、配線パターン１４を有するフレキシブル基板８とを貼り合わせることで、タッチパネル２００を製造することができる（図４参照）。図４に示すように、透明導電層は、接続配線６により、回路基板に配設された電極７から配線パターン１４へと電気的に接続されている。

透明導電体１００にディスプレイパネル１６を貼り合わせることで、タッチパネルとした場合、図３に示す破線で囲まれた領域がタッチセンサー部１３として機能する。

透明導電体１００にディスプレイパネル１６を貼り合わせてタッチパネルを製造する方法については、公知の方法を適宜利用することができる。

〔電極パターンを有する透明導電体の形成方法〕
本発明に係る透明導電体に対し、図３で示すような導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなる
パターンの形成方法について説明する。

本発明に係る透明導電体１００においては、上記のような方法で基板１上に、第１高屈折率層２と、導電層３と、絶縁層（第２高屈折率層）４とをこの順で積層して製造した後、透明導電体１００を所定の形状にパターニングして、金属電極を形成することが好ましい。

具体的には、フォトリソグラフィー法により、エッチング液を用いて、例えば、図３に示すような電極パターンを形成することが好ましい。形成する電極の線幅としては、５０μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは、２０μｍ以下である。

（製造工程）
以下、フォトリソグラフィー法による電極パターンの形成方法について説明する。本発明に適用するフォトリソグラフィー法とは、硬化性樹脂等のレジスト塗布、予備加熱、露光、現像（未硬化樹脂の除去）、リンス、エッチング液によるエッチング処理、レジスト剥離の各工程を経ることにより、銀薄膜層を、例えば、図３に示すようなパターンに加工することができ、パターンの形状は適宜変更することができる。

本発明では、従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型又はネガ型のいずれのレジストでも使用可能である。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱又はプリベークを実施することができる。露光に際しては、所定のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線や電子線等を照射すればよい。露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行う。現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。

次いで、形成されたレジストパターンを、必要に応じて前処理又はポストベークを実施してから、有機溶媒を含むエッチング液によるエッチングで、レジストで保護されていない領域の中間層の溶解及び銀薄膜電極の除去を行う。エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所定のパターンを有する透明電極が得られる。このように、適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば所定の目的に応じて容易に選定することができる。

次いで、図を交えて、本発明に適用可能な電極パターンの形成方法について説明する。

第１ステップとして、基板上に、第１高屈折率層、第１硫化防止層、導電層、第２硫化防止層及び絶縁層（第２高屈折率層）をこの順で形成した積層体を作製する（図２参照。）。

次いで、レジスト膜の形成工程で、積層体上に感光性樹脂組成物等から構成されるレジスト膜を均一に塗設する。感光性樹脂組成物としては、ネガ型感光性樹脂組成物あるいはポジ型感光性樹脂組成物を用いることができる。

塗布方法としては、マイクログラビアコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、スリットコーティングなどの公知の方法によって、積層体上に塗布し、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置でプリベークすることができる。プリベークは、例えば、ホットプレート等を用いて、５０〜１５０℃の範囲内で３０秒〜３０分間行うことができる。

次いで、露光工程で、所定の電極パターンにより作製したマスクを介して、ステッパー
、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、パラレルライトマスクアライナーなどの露光機を用いて、１０〜４０００Ｊ／ｍ^２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）の光を、次工程で除去するレジスト膜に照射する。露光光源に制限はなく、紫外線、電子線や、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）レーザー、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）レーザーなどを用いることができる。

次いで、現像工程で、露光済みの透明導電体を、現像液に浸漬して、光照射した領域のレジスト膜を溶解する。

現像方法としては、シャワー、ディッピング、パドルなどの方法で現像液に５秒〜１０分間浸漬することが好ましい。現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができる。具体例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどのアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、コリンなどの４級アンモニウム塩を一種あるいは二種以上含む水溶液などが挙げられる。現像後、水でリンスすることが好ましく、続いて５０〜１５０℃の範囲内で乾燥ベークを行ってもよい。

次いで、エッチング液を用いたエッチング処理を行う。

本発明に適用可能なエッチング液としては、無機酸あるいは有機酸を含有する液が好ましく、シュウ酸、塩酸、酢酸、リン酸を挙げることができ、特に、シュウ酸、酢酸、リン酸が好ましい。

具体的には、例えば、有機酸等を含むエッチング液に、レジスト膜を有する積層体を浸漬し、レジスト膜で保護されていない絶縁領域ｂの積層体を溶解し、レジスト膜で保護している導通領域ａの積層体を所定の電極パターンとして形成する。

最後に、レジスト膜剥離液、例えば、ナガセケムテックス社製のＮ−３００に浸漬して、レジスト膜を除去して、電極パターンを有する積層体を作製することができる。

なお、本発明に係るタッチセンサーに使用する画像表示装置は、特に制限されず、小型電子端末に通常使用される液晶表示装置や、有機ＥＬ装置などが使用できる。

〔透明導電体の用途〕
透明導電体は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッションなど各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。特にタッチパネル用の電極に好ましく適用することができる。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。

［実施例１］
≪透明導電体１の作製≫
〈成膜工程〉
〈積層体１の作製〉
基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＨＣＰＥＴ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＨＣＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、蒸着法により導電層（Ａｇ）／絶縁層（第２高屈折率層：ＺｎＳ−ＳｉＯ_２）をこの順に積層した。次いで、当該積層体を下記の方法でパターニングして、引き出し配線を有する積層体１を、バッチ方式で作製した。なお、各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。

（導電層（Ａｇ）の形成）
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１４Å／秒でＡｇを高周波（ＲＦ）スパッタ（周波数１３．５６ＭＨｚ）した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。Ａｇ層の層厚は７ｎｍであった。

（絶縁層（第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２））の形成）
次いで、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．８Å／秒でターゲット（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２の焼成体）を高周波（ＲＦ）スパッタ（周波数１３．５６ＭＨｚ）した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。層厚は４０ｎｍであった。

なお、第２高屈折率層におけるＺｎＳとＳｉＯ_２の体積比率は、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）を用いて測定した結果、ＺｎＳとＳｉＯ_２の体積比率が８０：２０であることを確認した。

〈パターニング工程〉
〈積層体１のパターニング〉
次いで、上記作製した導電層及び絶縁層（第２高屈折率層）を有する積層体に対し、前述したパターニング方法に従って、図３に示す導通領域と絶縁領域を有するパターン（引き出し配線を有する２枚の電極パターン）を形成した。

積層体上に、フォトリソグラフィー法でレジスト層をパターン状に形成し、導電層及び絶縁層（第２高屈折率層）を、エッチング液を用いて、複数の導通領域と、これを区切るライン状の絶縁領域とを含むパターン状にエッチングした。複数の導通領域は、それぞれ引き出し配線１２を介して接続端子１１に配置した。

エッチング液としては、関東化学社製の「混液 ＳＥＡ−５」（リン酸：５５質量％、酢酸：３０質量％、水その他の成分：１５質量％）を用いた。絶縁領域には、基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域の幅は１６μｍとした。

〈接続配線形成工程〉
東海商事社製スクリーン印刷装置にて導電性ペーストとしてＡｇペースト（大研化学製造販売株式会社製ＣＡ−Ｔ３０）を用い、積層体の両方の端部について、それぞれの表面端部（絶縁層）と透明基板上に接続配線としてスクリーン印刷し、両端部に導電性ペーストを有する積層体を作製した。これを１５０℃で３０分間焼結した。線幅は５０μｍ、高さは５μｍだった。

さらに以下の導通工程を経ることにより、透明導電体１を作製した。具体的な作製方法を説明する。

〈導通工程〉
それぞれの接続配線について、片方の導電性ペーストのみ塗布されている接続配線部分
と、他端の導電性ペーストのみ塗布されている接続配線部分に、積層体（導電層）を介して電圧３Ｖ、周波数１００Ｈｚの交流電圧を３秒間印加した。交流電圧の印加は、ＨＩＯＫＩ ＬＣＲ ＨｉＴｅｓｔｅｒ（日置電機社製、型番３５２２−５０）を用いて行った。このようにして透明導電体１を作製した。

≪透明導電体２〜３９の作製≫
〈成膜工程〉
〈積層体２〜３９の作製〉
透明導電体１の作製において、基板、導電層及び絶縁層を、それぞれ、表１及び表２に示した材料と厚さに代え、さらに基板、第１高屈折率層、第１硫化防止層、導電層、第２硫化防止層及び絶縁層からなる積層体を、この順で形成して、積層体２〜３９を作製した。なお、表中「−」は、層が形成されなかったことを表す。

表１及び表２に記載した各層の形成条件は以下のとおりである。

〔基板〕
フィルム：上記株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム
ガラス：ヤマナカヒューテック株式会社製 ＢＫ７（厚さ２ｍｍ）
〔第１高屈折率層の形成〕
（ＺｎＳ層の形成）
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．８Å／秒でターゲット（ＺｎＳの焼成体）を高周波（ＲＦ）スパッタ（周波数１３．５６ＭＨｚ）した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。層厚は４０ｎｍであった。

（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層の形成）
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．８Å／秒でターゲット（ＺｎＳ−ＳｉＯ_２の焼成体）を高周波（ＲＦ）スパッタ（周波数１３．５６ＭＨｚ）した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。層厚は４０ｎｍであった。

なお、第１高屈折率層におけるＺｎＳとＳｉＯ_２の体積比率は、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）を用いて測定した結果、ＺｎＳとＳｉＯ_２の体積比率が８０：２０であることを確認した。

（ＴｉＯ_２層の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０７ｎｍ／秒で、層厚が４０ｎｍとなるようＴｉＯ_２を高周波（ＲＦ）スパッタ（周波数１３．５６ＭＨｚ）した。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

（ＺｎＳ−ＧＺＯ層の形成）
ＺｎＳ−ＧＺＯとは、ＧＺＯ（Ｇａを１０質量％含有したＺｎＯ）に、さらに、ＺｎＳを４ａｔ％含有させたものを表す。

アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０７ｎｍ／秒で、層厚が３ｎｍとなるよう、また組成比が上記となるようにＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）とＺｎ
Ｓを高周波（ＲＦ）スパッタ（周波数１３．５６ＭＨｚ）した。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

〔第１硫化防止層の形成〕
（ＧＺＯ層の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温下、形成速度０．０７ｎｍ／秒で、層厚が３ｎｍとなるようＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）を高周波（ＲＦ）スパッタ（周波数１３．５６ＭＨｚ）した。ターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。

（ＺｎＯ層の形成）
真空スパッタ装置として大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．１Å／秒でＺｎＯを高周波（ＲＦ）スパッタ（周波数１３．５６ＭＨｚ）した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＺｎＯ層の層厚は３ｎｍであった。

（ＺＴＯ層の形成）
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．１Å／秒でＺＴＯを高周波（ＲＦ）スパッタ（周波数１３．５６ＭＨｚ）した。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。ＺＴＯ層の層厚は３ｎｍであった。

〔導電層の形成〕
（導電層（Ａｇ）の形成）
上記積層体１に用いた導電層（Ａｇ）の形成方法と同様にして形成した。

（導電層（Ｃｕ）の形成）
上記積層体１に用いた導電層（Ａｇ）の形成方法において、ＡｇをＣｕに代えて、上記積層体１と同様にして厚さが７ｎｍとなるようにして形成した。

（導電層（ＡＰＣ）の形成）
上記積層体１に用いた導電層（Ａｇ）の形成方法において、Ａｇを、ＡｇとＰｄとＣｕとの合金（Ａｇ：Ｐｄ：Ｃｕ＝９８．６：１．２：０．２（質量比）：表２ではＡＰＣと略記した。）に代えて、上記積層体１と同様にして厚さが７ｎｍとなるようにして形成した。

〔第２硫化防止層の形成〕
ＧＺＯ層の形成、ＺｎＯ層の形成及びＺＴＯ層の形成方法は、第１硫化防止層の形成に記載した方法と同様にしてそれぞれ行った。

〔絶縁層の形成〕
ＺｎＳ−ＳｉＯ_２層の形成は積層体１の作製方法と同様に行った。

ＺｎＳ層の形成、ＴｉＯ_２層及びＺｎＳ−ＧＺＯ層の形成は、第１高屈折率層の形成に記載した方法と同様にしてそれぞれ行った。

〈パターニング工程〉
透明導電体１の作製におけるパターニング工程と同様にして積層体２〜３９のパターニングを行った。

〈接続配線形成工程〉
透明導電体１の作製における接続配線形成工程、及び焼結工程と同様にして導電性ペーストを用いた。透明導電体１の作製において用いた導電性ペーストを＊１として表１及び表２に記載した。その他の導電性ペーストとして下記の三種を用いた。それぞれ、＊２、＊３、＊４として記載した。なお、焼結時間と温度は以下のように変えた。
１：大研化学製造販売（株）製 ＣＡ−Ｔ３０、焼結温度１５０℃、焼結時間３０分
２：ＩｎｋＴｅｃ社製 ＴＥＣ−ＰＲ０３０（ペーストＡ）、焼結温度１４０℃、焼結時間５分
３：ＩｎｋＴｅｃ社製 ＴＥＣ−ＰＡ０１０（ペーストＢ）、焼結温度１４０℃、焼結時間５分
４：三ツ星ベルト（株）製 ＭＤｏｔ−ＳＬＰ、焼結温度１２０℃、焼結時間３０分
さらに、下記に示す金属からなる接続配線も形成した。表２では＊５、＊６、＊７と略記した。
５：蒸着Ｃｕ配線
６：スパッタＣｕ配線
７：蒸着Ｃｒ配線
（蒸着Ｃｕ配線の形成）
接続配線する部分以外に厚さ０．１ｍｍのＳＵＳ板にパターン穴を開けたものでマスクし、蒸着機ＢＭＣ−８００Ｔ（（株）シンクロン社製）を用いてＣｕ蒸着を行った。蒸着にはタングステンボートを用いた抵抗加熱を用いて、２００Ａの電流値でレート１０Å／秒で５０ｎｍ堆積を行った。

（スパッタＣｕ配線の形成）
接続配線する部分以外に厚さ０．１ｍｍのＳＵＳ板にパターン穴を開けたものでマスクし、真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力５０Ｗ、成膜レート１．１Å／秒でＣｕを直流（ＤＣ）スパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。Ｃｕ層の層厚は５０ｎｍであった。

（蒸着Ｃｒ配線の形成）
接続配線する部分以外に厚さ０．１ｍｍのＳＵＳ板にパターン穴を開けたものでマスクし、蒸着機ＢＭＣ−８００Ｔ（（株）シンクロン社製）を用いてＣｒ蒸着を行った。蒸着にはＣｕハースを用いた電子ビーム加熱方式を用いて、１０Å／秒で５０ｎｍ堆積を行った。

〈導通工程〉
透明導電体１の作製の導通工程において、電圧、周波数、印加時間を表１及び表２のように変えて透明導電体１の作製の導通工程と同様にして交流電圧を印加して透明導電体２〜３９を作製した。なお、周波数の欄の‘Ｍ’はメガを表し、１ＭはＭＨｚの周波数であることを表す。また時間の欄の‘ｓ’、‘ｍ’は、それぞれ、秒、分を表す。

《評価》
作製した透明導電体１〜３９のそれぞれについて、以下の光透過性、導通性及び耐湿性の評価を行った。

〈光透過性〉
パターン状に形成された透明導電体を用いて導通領域における平均透過率を以下の方法に従って測定した。

パターン状に形成された透明導電体の第２高屈折率層側の表面に、マッチングオイル（
ニコン社製 屈折率＝１．５１５）を塗布した。そして、透明導電体とコーニング社製無アルカリガラス基板（ＥＡＧＬＥ ＸＧ（厚さ７ｍｍ×縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ））とを貼り合わせた。そして、無アルカリガラス基板側から、透明導電体の４５０〜８００ｎｍの波長範囲における平均透過率（％）を測定した。このとき、無アルカリガラス基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から、導通領域に測定光を入射させ、（株）日立ハイテクノロジーズ：分光光度計 Ｕ４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。

なお、無アルカリガラス基板と大気との界面での反射（４％）、及び透明導電体の透明基板と大気との界面での反射（４％）を差し引いた値を考慮し、透過率の測定値に８％足した値を透明導電体の各平均透過率とした。以上の測定値をもとに、以下のランク付けを行った。

◎：平均透過率が８８％以上である
○：平均透過率が８５％以上８８％未満である
△：平均透過率が８３％以上８５％未満である
×：平均透過率が８３％未満である
〈導通性〉
導通性の評価は、作製した電極パターンの導通性の歩留りを測定することで行った。すなわち上記透明導電体１〜３９のそれぞれを１０ずつ作製して、それぞれ、導電層の両端の接続配線の導通性を測定した。その際、導通がとれたもの（理論抵抗値の１０倍以下になったもの）の歩留りを交流電圧印加前後で評価した。

測定はカスタム社製ＣＤＭ−２０００Ｄを用いて２端子法にて測定した。具体的には、複数の接続端子のうち、図３で示す接続端子１１ａと１１ｂとにカスタム社製ＣＤＭ−２０００Ｄをあてることにより導通があることを確認した。これを全ての接続配線について行った。

導通性は、以下の評価基準で評価した。

◎：図３の１０個の電極パターンの１４か所の接続端子１１で全て導通がとれたものが１００％である
○：図３の１０個の電極パターンの１４か所の接続端子１１で全て導通がとれたものが９０％以上１００％未満である
△：図３の１０個の電極パターンの１４か所の接続端子１１で全て導通がとれたものが７０％以上９０％未満である
×：図３の１０個の電極パターンの１４か所の接続端子１１で全て導通がとれたものが７０％未満である
〈耐湿性〉
耐湿性の評価は、水分により腐食された透明金属層の腐食数を観察することで行った。具体的には、温度６５℃、相対湿度９５％の環境下で透明導電体１〜３９を１００時間さらしたのち、上記作製した各透明導電体を目視することにより、下記の基準に従って評価した。

◎：クラックや変色等が認められない
○：クラックや変色等がほとんど認められない
△：クラックや変色等が少し認められる
×：クラックや変色等が多数認められる
以上の結果を透明導電体の構成とともに、表１及び表２に示した。

なお絶縁層の抵抗値は、別途測定し、導電層の理論値の１０倍を超える値であることを
確認した。

表１及び表２から、本発明の透明導電体は、光透過性と導通性に優れていることが分かり、タッチパネル用の電極として有用であることが分かった。

〔実施例２〕
実施例１の透明導電体１３の作製において、導電性ペーストの種類、焼結温度及び焼結時間を以下のように変えて透明導電体１３と同様にして透明導電体をそれぞれ作作製した。

実施例１と同様にして、作製した透明導電体のそれぞれの光透過性、導通性及び耐湿性を評価した。その結果、透明導電体１３と同様な良好な結果を得た。
東洋インキ（株）製：
ＲＡ ＦＳ０３９、焼結温度８０℃、焼結時間２０分
ＲＡ ＦＳ０４５、焼結温度１３５℃、焼結時間３０分
ＲＡ ＦＳ０８８、焼結温度１３０℃、焼結時間３０分
藤倉化成（株）製：
ナノドータイトＸＡ−３５４１、焼結温度１４０℃、焼結時間２０分
ナノドータイトＸＡ−９０５３、焼結温度１５０℃、焼結時間３０分
（株）アサヒ化学研究所製：
ＬＳ−４５０−５、焼結温度１３０℃、焼結時間３０分
ＬＳ−４５０−７Ｈ、焼結温度１３０℃、焼結時間３０分
ＬＳ−４６２Ｈ−２、焼結温度１３０℃、焼結時間３０分
ＬＳ−４５３−２、焼結温度１３０℃、焼結時間３０分
ＬＳ−４７０Ｌ−２、焼結温度１３０℃、焼結時間３０分
ＬＳ−４６０Ｈ−１、焼結温度１３０℃、焼結時間３０分
ペルノックス（株）製：
Ｋ−３１００、焼結温度１３０℃、焼結時間１５分
ペルトロンＫ−３１０７Ｓ、焼結温度１３０℃、焼結時間１５分
Ｋ−３１１１、焼結温度１３５℃、焼結時間２０分
太陽インキ製造（株）製：
ＥＣＭ−１００ ＡＦ６１００ Ｌ１０、焼結温度１３０℃、焼結時間３０分
ＥＰＨ−３００ＴＲ６７００４、焼結温度１４０℃、焼結時間３０分
旭硝子（株）製：
スクリーン印刷用銅ペースト「ＥＰＲＩＭＡ ＣＵ」、焼結温度１５０℃、焼結時間５分
ナミックス（株）製：
ＸＥ１０８−６、焼結温度１５０℃、焼結時間３０分
ＸＥ１０８−６Ｋ、焼結温度１５０℃、焼結時間３０分

１ 基板
２ 第１高屈折率層
３ 導電層
４ 第２高屈折率層
５ａ 第１硫化防止層
５ｂ 第２硫化防止層
６ 接続配線
７ 電極
８ フレキシブル基板
１０ 積層体
１１、１１ａ、１１ｂ 接続端子
１２ 引き出し配線
１３ タッチセンサー部
１４ 配線パターン
１５ 接着剤
１６ ディスプレイパネル
１００ 透明導電体
２００ タッチパネル
ａ 導通領域
ｂ 絶縁領域

Claims (4)

1. 少なくとも、導電層と絶縁層と前記導電層に導通する接続配線とを有する透明導電体の製造方法であって、前記絶縁層の表面端部に接続配線を形成した後に交流電圧を前記導電層と前記接続配線間に印加する導通工程を経て、前記導電層と前記接続配線とを導通させることを特徴とする透明導電体の製造方法。
2. 前記接続配線が、少なくとも銀ペーストからなることを特徴とする請求項１に記載の透明導電体の製造方法。
3. 前記導電層が、銀を含有する導電層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明導電体の製造方法。
4. 前記導電層が、硫化亜鉛を含有する二つの絶縁層で挟持されていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明導電体の製造方法。

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