JP2017135230A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置の信頼性を向上する。【解決手段】半導体装置ＳＤは、ダイパッド３と、ボンディングパッド７ｅが形成された半導体チップ７と、その一端が、半導体チップ７の近傍に位置するリード２と、電極７ｅとリード２を接続する接続ワイヤ８と、半導体チップ７、接続ワイヤ８、リード７の一部、および、ダイパッド３の一部を封止する封止体１と、を有する。そして、ダイパッド３の下面３ｂは、封止体１の下面１ｂから露出しており、ダイパッド３および接続ワイヤ８は、銅から成り、半導体チップ７の厚さＬ２ａは、ダイパッド３の厚さＬ３ａと半導体チップ７の上面７ａから封止体１の上面１ａまでの厚さＬ１ａの和よりも大きい。【選択図】図３

Description

本発明は、例えば、封止体からダイパッドを露出した樹脂封止型の半導体装置およびその製造方法に適用して有効な技術に関する。

特開２０１０−１６５７７７号公報（特許文献１）および特開平０６−２５２３１８号公報（特許文献２）には、半導体チップを搭載したダイパッドを封止体の裏面から露出した半導体装置が開示されている。

特開２０１０−１６５７７７号公報（特許文献１）の要約には、ダイパッドを封止体から露出させるために、バスバー１ｄを、インナーリード１ａとバスバー１ｄとの間隔がバスバー１ｄと封止体３の実装面３ｂとの間隔以上となるように配置する技術が開示されている。

特開平０６−２５２３１８号公報（特許文献２）の要約には、ステージが樹脂パッケージ本体から剥離するのを防止するために、ステージ２の周縁の位置から斜上方に延出するアンカー腕部２２、２２Ａおよびアンカー兼押付け腕部２３、２３Ａ、２４、２４Ａを設ける技術が開示されている。

特開２０１０−１６５７７７号公報 特開平０６−２５２３１８号公報

近年、半導体チップの高機能化および高速化に伴い、半導体チップから発せられる熱（半導体チップの発熱量）も増加する傾向にある。そこで、放熱対策として、上記のようにダイパッドを封止体から露出した半導体装置の構造が検討されている。

本願発明者の検討によれば、ダイパッドを露出した半導体装置において、半導体チップとダイパッド、ダイパッドと封止樹脂、および、半導体チップ表面と封止樹脂などの界面剥離により半導体チップまたは封止体にクラックが発生し、半導体装置の信頼性が低下することが判明した。

つまり、ダイパッドを露出した樹脂封止型の半導体装置において、信頼性の向上が求められている。

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

一実施の形態によれば、半導体装置は、第１上面および前記第１上面とは反対側の第１下面を有するチップ搭載部と、電極が形成された第２上面および第２上面とは反対側の第２下面を有する半導体チップと、第１方向に延在し、その一端が、半導体チップの近傍に位置するリードと、半導体チップの電極とリードを接続するワイヤと、を有する。さらに、半導体装置は、第３上面と第３上面とは反対側の第３下面を有し、半導体チップ、ワイヤ、リードの一部、および、チップ搭載部の一部、を封止した封止体とを有する。そして、チップ搭載部の前記第１下面は、前記封止体の前記第３下面から露出しており、チップ搭載部およびワイヤは、銅から成り、半導体チップの厚さは、チップ搭載部の厚さと半導体チップの第２上面から封止体の第３上面までの厚さの和よりも大きい。

一実施の形態によれば、半導体装置の信頼性を向上することができる。

本実施の形態１における半導体装置の斜視図である。 本実施の形態１における半導体装置の平面図である。 図２のＡ−Ａ´線に沿う断面図である。 図２のＢ−Ｂ´線に沿う断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、実施の形態１の半導体装置の製造工程中の断面図である。 実施の形態１の半導体装置の製造工程中のリードフレームの平面図である。 実施の形態１の半導体装置の製造工程中の断面図である。 図７に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。 実施の形態２における半導体装置の断面図である。 実施の形態３における半導体装置の断面図である。 実施の形態４における半導体装置の平面図である。 図１１のＣ−Ｃ´線に沿う断面図である。 変形例１における半導体装置の平面図である。 図１３のＤ−Ｄ´線に沿う断面図である。 変形例２における半導体装置の平面図である。 本願発明者が検討した半導体装置の断面図である。

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。

さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。

（実施の形態１）
先ず、本願発明者が検討したＳＯＰ（Small Outline Package）型の半導体装置（半導体パッケージ）において、本願発明者が明確にした課題について説明する。

上記の半導体装置は、例えば、自動車向けの電子部品として用いられる。自動車業界では、ハイブリッド車、プラグインハイブリッド車、電気自動車が急激に普及しており、小型化、燃費及び動力性能向上のニーズは高まる一方である。そして、これらのニーズに対応する為、ＰＣＵ（Power Control Unit）やモータ駆動用バッテリーなどの出力密度が著しく向上した。これに伴い、自動車向けの電子部品はこれまで以上に過酷（高温）な使用環境下で用いられる傾向にある。そこで、自動車向けの電子部品である半導体パッケージにおいては、放熱性を向上させる為、ダイパッドを封止体の裏面から露出する構造が主流となっている。

また、自動車向けの半導体装置には、過酷な使用環境での動作保証をするために、従来よりも厳しい条件（−６５℃〜１５０℃の温度範囲）の温度サイクル試験が要求されている。ここで言う温度サイクル試験は、半導体装置の開発段階における信頼性評価試験である。

図１６は、本願発明者が検討した半導体装置の断面図である。なお、図１６は、半導体装置に反りが発生した状態を示している。図１６に示すように、半導体装置は、半導体チップ７、半導体チップ７の主面に形成された複数のボンディングパッド７ｅ、接続ワイヤ８を介してボンディングパッド７ｅに接続された複数のリード、ダイボンド材９を介して半導体チップ７が搭載されるダイパッド３、および、半導体チップ７を封止する封止体１を有する。そして、ダイパッド３は、半導体チップ７が発する熱を外部に放熱するために封止体１から露出している。封止体１は、封止樹脂が硬化したものである。

本願発明者の検討によれば、上記半導体装置は、製造（例えば、樹脂封止工程または温度サイクル試験）時または実装後に高低温の熱負荷を受けるため、半導体装置には、その中央部が下側又は上側に向かって突出するような反りが発生する。そして、半導体チップ７とダイパット３、ダイパット３と封止樹脂、半導体チップ１の主面と封止樹脂など各々の界面を引き剥がす応力が働き、界面剥離から半導体チップ７または封止体１のクラックに至る。また、実装後には、実装基板との接続信頼性を悪化させる要因となっている。なお、図１６では、半導体装置の中央部が下側に向かって反る場合を示しているが、反りの方向はダイパッド３と封止体１との体積比率及び樹脂材の組成で決まる。

上記半導体装置は、ダイパッド３が封止体１の裏面に露出しているため、半導体チップ７が、封止体１の下側（言い換えると、インナーリード２ａの接続ワイヤ８の接続面よりも下側）に位置する構造となっており、半導体チップ７の主面上には、比較的厚い封止樹脂が存在している。そして、半導体チップ７の厚さは、半導体装置の厚さの１／３未満である。さらに、半導体チップ７の下に位置するダイパッド３の厚さは、半導体チップ７の厚さまたは半導体チップ７の主面上の封止樹脂の厚さに比べ非常に薄い。因みに、半導体装置の各部分の厚さは以下の通りである。半導体装置（言い換えると、パッケージ）の厚さ：１ｍｍ、半導体チップ７上の封止体１（封止樹脂）の厚さＬ１：０．５７５ｍｍ、半導体チップ７の厚さＬ２：０．２８ｍｍ、ダイパッド３（およびリード２）の厚さＬ３：０．１２５ｍｍ、ダイボンド材の厚さ：０．０２ｍｍとなっており、次の関係式（式１）が成立している。

Ｌ１＋Ｌ３＞Ｌ２・・・（式１）
また、封止体１を構成する封止樹脂は、シリカ等の添加物を含有したエポキシ系樹脂であり、その熱膨張係数は８ｐｐｍ／Ｋ、銅（Ｃｕ）板からなるダイパッド３の熱膨張係数は１７ｐｐｍ／Ｋ、そして、シリコン（Ｓｉ）からなる半導体チップ７の熱膨張係数は３．５ｐｐｍ／Ｋである。

つまり、例えば、半導体装置の厚さ（高さ）方向において、比較的、熱膨張係数および膜厚の小さい半導体チップ７が、比較的、熱膨張係数の大きなダイパッド３の上側にあって、かつ、比較的、熱膨張係数および膜厚の大きい封止樹脂が、半導体チップ７の上側に配置されており、半導体チップ７上の封止樹脂（封止体１の一部）の厚さＬ１とダイパッド３の厚さＬ３との和が、半導体チップ７の厚さＬ２より厚い構造となっている。そのため、半導体装置が高低温負荷を受けて膨張又は収縮すると、半導体装置の中央部を上側または下側に向かって突出させる応力が発生する（下側に向かって突出するときは、例えば図１６に示す応力Ｆ１が発生する）為、半導体装置に反りが生じる。言い換えると、半導体装置の厚さに対する半導体チップ７の厚さの比率が小さく（例えば、１／３未満）、半導体チップ７が半導体装置の下側に位置しているため、反りが発生する。

次に、上記課題を解決するための実施形態１の半導体装置の構造を説明する。

＜半導体装置の構造＞
図１は、本実施の形態１における半導体装置の斜視図である。図２は、本実施の形態１における半導体装置の平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ´線に沿う断面図である。図４は、図２のＢ−Ｂ´線に沿う断面図である。

図１に示すように、本実施の形態１における半導体装置ＳＤは、封止体１と複数のリード２を有する。封止体１は、直方体（略直方体）であり、互いに対向する主面（上面）１ａおよび裏面（下面）１ｂ、ならびに、主面１ａと裏面１ｂとを繋ぐ４つの側面１ｓを有している。主面１ａと裏面１ｂとは、長辺と短辺を有する長方形の形状であり、２つの長辺側の側面１ｓから、夫々、複数のリード２が、長辺に直交する方向に突出している。リード２の封止体１から露出した部分であるアウターリード（アウター部）２ｂは、ガルウイング形状に成形されており、封止体１から離れる方向に延在する第１部分、第１部分から封止体１の裏面１ｂ側に向かって延在する第２部分、第２部分に接続され封止体１から離れる方向に延在する第３部分からなる。そして、第１部分と第３部分とは、封止体１の主面１ａ又は裏面１ｂに略平行である。また、第３部分は、裏面１ｂとほぼ同等の高さに位置している。また、短辺側の側面１ｓには、吊りリード４が終端している。リード２は、長辺側の２つの側面１ｓにのみ配置されており、短辺側の２つの側面１ｓには配置されていない。

図２に示すように、半導体装置ＳＤは、半導体チップ７、ダイパッド（チップ搭載部、タブ）３、吊りリード４、複数のリード２、および、封止体１を有している。

半導体チップ７は、半導体装置ＳＤの中央部に配置されている。半導体チップ７は、シリコン（Ｓｉ）からなり、図示しないが、長方形の主面７ａには複数の半導体素子が形成されている。また、主面７ａ上には、半導体素子と電気的に接続された複数のボンディングパッド（電極、外部引出電極）７ｅが形成されている。ボンディングパッド７ｅは、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）を主導体とする導体膜で構成されており、接続ワイヤ８を介して、リード２に接続されている。

半導体チップ７は、長方形のダイパッド（タブ）３の主面３ａ上に、搭載（接着）されている。長方形のダイパッド３は、対向する２つの長辺３ｄと、対向する２つの短辺３ｃを有し、２つの短辺３ｃには、その中央部に吊りリード４が接続されている。吊りリード４は、封止体１の長辺方向であるＸ方向に延在しており、その一端がダイパッド３に接続され、その他端が封止体１の短辺側の側壁１ｓに達している。また、吊りリード４の一端側には、オフセット部４ａが設けられている。

複数のリード２は、封止体１の長辺と直交するＹ方向に延在しており、封止体１に覆われて、封止体１の内部に位置するインナーリード２ａと、封止体１から露出し、封止体１の外部に位置するアウターリード２ｂとで構成されている。リード２の一端は、封止体１の内部であって、かつ、半導体チップ７の周囲に位置しており、他端は、封止体１の外部で終端している。リード２の一端には、接続ワイヤ８が接続されており、接続ワイヤ８は、リード２とボンディングパッド７ｅを接続している。リード２、ダイパッド３および吊りリード４は、膜厚が０．１２５ｍｍ（１２５μｍ）の銅（Ｃｕ）板（銅箔）で構成されている。接続ワイヤ８は、３０〜３５μｍ径を有する銅ワイヤである。

封止体１は、シリカ等の添加物を含有したエポキシ樹脂からなり、半導体チップ７、接続ワイヤ８、ダイパッド３、吊りリード４、複数のインナーリード２ａを封止している。

図３に示すように、半導体チップ７は、ダイパッド３の主面３ａ上にダイボンド材９を介して搭載（接着）されている。ダイボンド材９は、導電性ペーストであり、有機バインダーに銀粉または銅粉等の導電フィラーを含有している。ダイパッド３の裏面３ｂが、封止体１の裏面１ｂから露出した構造の場合、放熱性向上の為に導電ペーストを用いるのが好ましいが、絶縁性ペーストを用いても良い。

半導体チップ７の主面７ａに形成されたボンディングパッド７ｅは、接続ワイヤ８を介してリード２に接続される。ワイヤボンディング工程では、先ず、接続ワイヤ８の一端をボンディングパッド７ｅに接続した後に、他端側をインナーリード２ａに接続し、その後に接続ワイヤ８を切断している。つまり、ボンディングパッド７ｅ側が第１ボンディング点であり、インナーリード２ａ側が第２ボンディング点である。このようなワイヤボンディングの順序によって、半導体装置ＳＤは、次のような特徴を有する。

ボンディングパッド７ｅに接続された接続ワイヤ８は、第１ボンディング点から半導体チップ７の主面７ａから離れて上昇し、最高地点に達した後、インナーリード２ａまで降下するワイヤループを描き、インナーリード２ａに接続されている。このワイヤループの最高地点を、例えば、ワイヤトップと呼ぶが、ワイヤトップは、半導体チップ１の真上、言い換えると、ボンディングパッド７ｅの真上に位置している。

また、第１ボンディング点において、接続ワイヤ８の一端にはボール部８ａが形成されており、このボール部８ａがボンディングパッド７ｅに接続している。ボール部８ａの径は、接続ワイヤ８の径よりも大きいので、図３に示すようにボール部８ａの幅は接続ワイヤ８の幅（径）よりも大きい（広い）。一方、第２ボンディング点では、接続ワイヤ８をインナーリード２ａに押圧して接続するため、ボール部８ａは存在しない。

また、第１ボンディング点において、半導体チップ７の主面７ａに対して接続ワイヤ８の延在方向がなす角度θ１は、ほぼ直角であり、８０°≦θ１≦１１０°の範囲となっている。また、第２ボンディング点において、インナーリード２ａに対して接続ワイヤ８の延在方向がなす角度θ２は、０＜θ２≦６０°とするのが一般的であり、θ１＞θ２となっている。

また、図３に示すように、本実施の形態１では、前述の検討例に比べ、半導体チップ７の厚さＬ２ａを大きくし（Ｌ２ａ＞Ｌ２）、かつ、半導体チップ７の主面７ａ上の封止樹脂の厚さＬ１ａを小さく（Ｌ１ａ＜Ｌ１）している。半導体装置ＳＤの厚さおよびダイパッド３の厚さＬ３ａは、検討例と等しい（Ｌ３ａ＝Ｌ３）。因みに、Ｌ１ａ＝０．３５５ｍｍ、Ｌ２ａ＝０．５ｍｍ、Ｌ３ａ＝０．１２５ｍｍとしている。従って、本実施の形態１では、次の関係式（式２）が成立している。

Ｌ１ａ＋Ｌ３ａ≦Ｌ２ａ・・・（式２）
このように、本実施の形態１は、半導体チップ７の厚さＬ２ａを厚く（大きく）し、半導体チップ７の主面７ａ上の封止樹脂の厚さＬ１ａを小さくすることにより、半導体装置ＳＤの厚さ（高さ）方向において、半導体チップ７上の熱膨張係数の比較的大きな封止樹脂（封止体１の一部）の厚さＬ１ａと熱膨張係数の大きなダイパッド３の厚さＬ３ａとの和が、半導体チップ７の厚さＬ２ａ以下となる構造とした。言い換えると、半導体装置ＳＤの厚さに対する半導体チップ７の厚さの比率を大きくする（例えば、１／３以上）ことで、半導体装置ＳＤの反りを防止するものである。この場合、リード２は、半導体装置ＳＤの厚さ（高さ）方向の中央に配置されるため、半導体チップ７の主面７ａは、インナーリード２ａの接続ワイヤ８が接続された面よりも高くなっている。

また、半導体チップ７の主面７ａ上の封止樹脂の厚さＬ１ａは、接続ワイヤ８が完全に隠れる程度に薄くするのが好適である。つまり、接続ワイヤ８は、主面７ａから露出していない。接続ワイヤ８が、封止体１の主面１ａから露出すると、接続ワイヤ８の断線等による信頼性低下が懸念される。また、接続ワイヤ８と封止樹脂との界面から水分が侵入するによる、半導体装置ＳＤの信頼性低下が懸念される。

また、図２および図３に示すように、ボンディングパッド７ｅに接続された銅線からなる接続ワイヤ８は、半導体チップ７の主面７ａ上を通過して、平面視において、半導体チップ７の外側に位置するインナーリード２ａに接続されている。つまり、多数の銅材からなる接続ワイヤ８が、半導体チップ７の主面７ａを覆い、インナーリード２ａまで延在しており、半導体チップ７の主面７ａ側には、銅材からなる複数の接続ワイヤ８が配置され、裏面７ｂ側には、銅材からなるダイパッド３が配置された構造となっている。このように、半導体チップ７の上下に銅材を配置したことにより、半導体チップ７の上下における伸縮率が近似となり、応力バランスが取れ、半導体装置ＳＤの反りを防止することができる。

図４に示すように、ダイパッド３の裏面３ｂは、封止体１の裏面１ｂから露出している。そして、ダイパッド３には、吊りリード４が接続されており、吊りリード４は、封止体１の側面１ｓまで延在し、側面１ｓで終端している。吊りリード４は、封止体１の裏面１ｂに対して角度θ３の傾きをなすオフセット部４ａを有している。好適には、オフセット部４ａの傾斜角度θ３は、３０°≦θ３≦４５°とする。傾斜角度θ３が浅いと、オフセット部４ａが塑性変形せず、ダイパッド３の高さが安定しない為である。ダイパッド３の高さが不安定になると、後述する樹脂封止工程において、ダイパッド３の裏面３ｂに封止樹脂が回り込み、ダイパッド３の露出が不十分となる弊害がある。なお、図４において、破線で示した部分がダイパッド３と吊りリード４の境界である。従って、オフセット部４ａとダイパッド３との間の吊りリード４は、封止体１から露出している。

＜半導体装置の製造方法＞
図５（ａ）〜図５（ｅ）は、実施の形態１の半導体装置の製造工程中の断面図である。図５は、図３で示した断面における製造工程中の断面図を示している。図６は、実施の形態１の半導体装置の製造工程中のリードフレームの平面図である。図７は、実施の形態１の半導体装置の製造工程中の断面図である。図８は、図７に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。

まず、図５（ａ）は、リードフレームＬＦの準備工程を示している。図５（ａ）および図６に示すように、銅（Ｃｕ）からなるリードフレームＬＦは、Ｘ方向に延在する一対の外枠６ａおよびＹ方向に延在する一対の外枠６ｂを有しており、Ｙ方向に延在する複数のリード２は、外枠６ａに接続され、ダイパッド３に接続されてＸ方向に延在する吊りリード４は、外枠６ｂに接続されている。また、吊りリード４には、オフセット部４ａが形成されており、ダイパッド３は、リード２の面よりも低くなっている。Ｙ方向に延在する複数のリード２は、Ｘ方向に延在し、外枠６ｂに接続されるバスバー５によって連結されている。バスバー５に対して、ダイパッド３側がインナーリード２ａとなり、外枠６ａ側がアウターリード２ｂとなる。

図６において、破線で示した外枠６ａおよび６ｂで囲まれた領域が、図２に示した半導体装置ＳＤの形成領域であるが、例えば、一対の外枠６ａは、Ｘ方向に延在しており、一対の外枠６ａ間には複数の形成領域が配置されている。つまり、リードフレームＬＦには、複数の形成領域が設けられている。

次に、図５（ｂ）は、ダイボンディング工程を示している。主面７ａに複数のボンディングパッド７ｅを有する半導体チップ７を、ダイボンド材９を用いてダイパッド３上に接続する。ダイボンド材９は、エポキシ系の熱硬化性樹脂からなる有機バインダーに銀粉または銅粉等の導電フィラーを含有させた導電性ペーストを用いる。なお、ダイボンド材９として、ＤＡＦ（Die Attach Film）と呼ばれる両面接着剤を用いても良い。

次に、図５（ｃ）は、ワイヤボンディング工程を示している。まず、銅線からなる銅ワイヤの一端をボンディングパッド７ｅに接続し、次に、リード２に接続した後、接続部を残して銅ワイヤを切断することで接続ワイヤ８を形成する。リード２側の銅ワイヤ接続部には、予め、銀メッキ層を形成しておくのが好適である。また、ワイヤボンディング工程は、超音波および熱圧着を併用して行うことが好適である。

次に、図５（ｄ）は、樹脂封止工程およびメッキ工程を示している。例えば、球形のシリカを含有する熱硬化性のエポキシ樹脂等からなる封止樹脂を用いて、半導体チップ７、インナーリード２ａ、接続ワイヤ８、および、ダイパッド３を封止して封止体１を形成する。もちろん、ダイパッド３の裏面３ｂは、封止体１から露出させる。

樹脂封止工程では、まず、図７に示すように、ワイヤボンディング工程を終了したリードフレームＬＦを成形金型１０の上型１０ａと下型１０ｂとの間に載置する。この時、半導体チップ７および接続ワイヤ８は、上型１０ａと下型１０ｂとで構成されるキャビティ１０ｃｖ１および１０ｃｖ２内に設置される。成形金型１０には、キャビティ１０ｃｖ１に封止樹脂を注入するための入り口であるゲート部１０ｇ、キャビティ１０ｃｖ１および１０ｃｖ２間の封止樹脂の通路であるスルーゲート部１０ｔｇ、ランナ１０ｒ、ならびに、カル１０ｃｕが形成されている。また、ポット部１０ｐｔのプランジャー１０ｐ上には、封止樹脂となるタブレット１１が配置されている。

リードフレームＬＦを挟み込むように、上型１０ａと下型１０ｂとを型締めした後、図８に示すように、プランジャー１０ｐを上昇させてタブレット１１をカル１０ｃｕに送り込むが、この時、成形金型１０は、例えば、１７５℃の高温になっているので、タブレット１１は溶融して流動性の樹脂１２となる。そして、流動性の樹脂１２は、プランジャー１０ｐの押圧力で、カル１０ｃｕからランナ１０ｒを通過してキャビティ１０ｃｖ１および１０ｃｖ２に順次注入される。

そして、樹脂封止工程が完了したリードフレームＬＦは、成形金型１０から取り出され、室温に戻される。その後、封止用樹脂として熱硬化性樹脂を用いた場合は、樹脂１２の硬度を高めることを目的に、樹脂封止工程が完了したリードフレームを１７５℃に熱せられた乾燥槽に６〜７時間投入して硬化促進処理を施した後、乾燥槽から取り出し、室温に戻す（「キュアベーク処理」と呼ぶ）。つまり、樹脂封止工程で高温となった半導体チップ７、ダイパッド３、および、樹脂１２（つまり、封止体１）が、室温まで冷却され、さらに、キュアベーク処理で高温となり、室温まで冷却されることで、反りが発生する要因となる。ただし、本実施の形態１では、半導体チップ７を厚くし、かつ、半導体チップ７の主面7ａ上の封止樹脂の厚さを薄くしたので、反りを低減でき、半導体チップ７または封止体１のクラックを防止することができる。

樹脂封止工程が完了した後、隣接するリード２間およびリード２と外枠６ｂ間のバスバー５を切断する。そして、その後に、アウターリード２ｂの表面に半田メッキ膜（図示せず）を形成する。半田メッキ膜は、純Ｓｎ、Ｓｎ−Ｂｉ系、または、Ｓｎ−Ｃｕ系の材料で構成される。ここまでの工程は、リードフレームＬＦの状態で実施する。

図５（ｅ）は、リード成形工程を示している。メッキ工程が終了した後、アウターリード２ｂを外枠６ａから切り離す。次に、アウターリード２ｂをガルウイング形状に成形し、その後に、吊りリード４を外枠６ｂから切断する。こうして、半導体装置ＳＤは完成する。なお、完成した半導体装置ＳＤに対して、実装信頼性を確認するために前述の温度サイクル試験が実施される場合がある。

図３に示す構造の半導体装置ＳＤに温度サイクル試験で想定されたような高低温の熱負荷がかかった場合、半導体チップ７、封止体１、および、ダイパッド３が、膨張、収縮を繰り返すため、半導体装置ＳＤに反りが発生する要因となる。しかしながら、本実施の形態１では、半導体チップ７を厚くし、かつ、半導体チップ７の主面7ａ上の封止樹脂の厚さを薄くしたので、半導体装置ＳＤの反りを低減できる。これにより、半導体チップ７とダイパット３、ダイパット３と封止樹脂、半導体チップ１の主面と封止樹脂など各々の界面を引き剥がす応力を低減できる為、半導体チップ７とダイパット３間のダイボンド材９の破壊（「バルク破壊」と呼ぶ）または封止体１のクラックによる接続ワイヤ８の断線を防止することができる。

＜主要な特徴と効果＞
半導体装置ＳＤの厚さ（高さ）方向において、半導体チップ７上の封止樹脂（封止体１の一部）の厚さＬ１ａとダイパッド３の厚さＬ３ａとの和が、半導体チップ７の厚さＬ２ａ以下となる構造とした。

これにより、樹脂封止工程、または温度サイクル試験で想定されたような高低温の熱負荷が半導体装置ＳＤにかかった場合でも、半導体チップ７とダイパット３、ダイパット３と封止樹脂、半導体チップ１の主面１ａと封止樹脂など各々の界面を引き剥がす応力を低減でき、界面剥離による半導体チップ７または封止体１のクラックを抑制できる。ここで、「温度サイクル試験で想定される高低温」は、例えば、半導体装置ＳＤの実装温度、または、半導体装置ＳＤの動作時の温度を考慮して設定される。つまり、上記構造により、半導体装置ＳＤの実装時、または、動作時の信頼性を向上することができる。

また、実装基板上に実装された後に、半導体チップ７の動作や、外気温度変化に伴う半導体装置ＳＤの熱伸縮による半導体装置ＳＤの反りを低減できるため、実装基板の実装部(はんだ付け部)へのストレスが緩和され信頼性を向上することができる。

（実施の形態２）
図９は、実施の形態２における半導体装置の断面図である。実施の形態２は、実施の形態１の変形例であり、ダイパッドの厚さを薄く、かつ、半導体チップの厚さを厚くしている。その他は同様であり、実施の形態１と同様の符号を付している。

実施の形態２の半導体装置ＳＤ１は、実施の形態１の半導体装置ＳＤに比べ、ダイパッド３１の厚さＬ３ｂを薄く（Ｌ３ｂ＜Ｌ３ａ）、半導体チップ７１の厚さＬ２ｂを厚く（Ｌ２ｂ＞Ｌ２ａ）、半導体チップ７１の主面７１ａ上の封止樹脂の厚さは等しく（Ｌ１ｂ＝Ｌ１ａ）している。つまり、ダイパッド３１を薄くした分だけ半導体チップ７１の厚さを厚くしている。つまり、実施の形態２の半導体装置ＳＤ１においても、実施の形態１と同様に、関係式（式３）が成立している。

Ｌ１ｂ＋Ｌ３ｂ≦Ｌ２ｂ・・・（式３）
実施の形態２では、実施の形態１に比べ、ダイパッドの厚さ（Ｌ３ｂ）を薄く、かつ、半導体チップの厚さ（Ｌ２ｂ）を厚くしたので、半導体装置ＳＤ１の厚さに対する半導体チップ７１の厚さの比率を大きくすることができ、半導体装置ＳＤ１の反り防止効果が増加する。

実施の形態２においても、半導体チップ７１の主面７１ａは、インナーリード２ａの接続ワイヤ８が接続された面よりも高くなっている。しかしながら、ダイボンド材９の厚さ以上にダイパッド３１を薄くした場合には、主面７１ａが、インナーリード２ａの接続ワイヤ８が接続された面と等しいか、または、それよりも低くなる。

なお、実施の形態２では、ダイパッド３１の厚さが、インナーリード２ａまたはアウターリード２ｂの厚さよりも薄くなっており、薄型ダイパッドを用いている。ダイパッド３は図示しない実装基板の金属からなる放熱パターンと接続されており、半導体チップ７が発する熱は放熱パターンを介して熱伝達される為、薄型ダイパッドを用いたことで、半導体チップ７と放熱パターンを介した実装基板までの距離が近くなり半導体チップ７の放熱特性を向上することができる。

（実施の形態３）
図１０は、実施の形態３における半導体装置の断面図である。実施の形態３は、実施の形態１の変形例であり、接続ワイヤの接続順序が異なる。つまり、インナーリード２ａ側が第１ボンディング点であり、ボンディングパッド７ｅ側が第２ボンディング点である（例えば、「逆ボンディング」と呼ぶ）。その他の部分は同様であり、実施の形態１と同様の符号を付している。

実施の形態３の半導体装置ＳＤ２は、実施の形態１の半導体装置ＳＤに比べ、半導体チップ７の主面７ａ上の封止樹脂の厚さを薄く（Ｌ１ｃ＜Ｌ１ａ）している。半導体チップ７の厚さおよびダイパッド３の厚さは、等しい（Ｌ２ｃ＝Ｌ２ａ、Ｌ３ｃ＝Ｌ３ａ）。つまり、半導体チップ７の主面７ａ上の封止樹脂の厚さ（Ｌ１ｃ）を薄くした分だけ、半導体装置ＳＤ２の厚さが薄くなっているが、実施の形態３の半導体装置ＳＤ２においても、関係式（式４）が成立している。

Ｌ１ｃ＋Ｌ３ｃ≦Ｌ２ｃ・・・（式４）
実施の形態３では、実施の形態１に比べ、半導体チップ７の主面７ａ上の封止樹脂の厚さ（Ｌ１ｃ）を薄くし、かつ、半導体装置ＳＤ２の厚さも薄くなったので、半導体装置ＳＤ２の厚さに対する半導体チップ７１の厚さの比率を大きくすることができ、半導体装置ＳＤ２の反り防止効果が増加する。

また、接続ワイヤ８１は、インナーリード２ａと半導体チップ７のボンディングパッド７ｅを接続しているが、逆ボンディングにより接続されているため、前述のワイヤトップは、インナーリード２ａの真上に位置している。また、接続ワイヤ８１の一端に形成されたボール部８１ａは、インナーリード２ａに接続されており、接続ワイヤ８１の他端は、バンプ電極１３を介してボンディングパッド７ｅに接続されている。バンプ電極１３は、例えば、銅（Ｃｕ）からなる金属導体層である。

インナーリード２ａ側が第１ボンディング点であり、ボンディングパッド７ｅ側が第２ボンディング点であるため、第１ボンディング点において、インナーリード２ａの主面（接続ワイヤ８１が接続された面）に対して、接続ワイヤ８１の延在方向がなす角度は、前述のθ１である（つまり、８０°≦θ１≦１１０°）。また、第２ボンディング点において、半導体チップ７の主面７ａに対して、接続ワイヤ８１の延在方向がなす角度θ４は、０＜θ４≦３０°としており、θ１＞θ４となっている。なお、角度θ４を小さくすることで、半導体チップ７上の封止樹脂の厚さ（Ｌ１ｃ）を薄くできるので、角度θ４を可能な範囲で小さくすることが好適である。

なお、実施の形態３において、実施の形態２の薄型ダイパッドを適用することで、ダイパッドを薄くした分だけ、半導体チップ７を厚くする、または、半導体チップの主面上の封止樹脂の厚さを薄くすることができ、より一層、反り防止効果が増加する。

（実施の形態４）
図１１は、実施の形態４における半導体装置の平面図である。図１２は、図１１のＣ−Ｃ´線に沿う断面図である。実施の形態４は、実施の形態１の変形例であり、実施の形態１とは、ダイパッドの形状が異なっている。その他は、同様であり、実施の形態１と同様の符号を付している。

図１１に示すように、実施の形態４の半導体装置ＳＤ３は、チップ搭載領域３ｍと屈曲部３ｖ１および３ｖ２からなるダイパッド３２を有している。図１１において、破線で囲まれた領域がチップ搭載領域３ｍであり、チップ搭載領域３ｍは、平面視において、長方形の領域であり、その上に搭載される半導体チップ７よりもＸ方向およびＹ方向において大きい外形を有する。

チップ搭載領域３ｍの長辺および短辺に沿って屈曲部３ｖ１および３ｖ２が設けられている。チップ搭載領域３ｍの長辺に沿う屈曲部３ｖ１は、長辺の全長にわたって形成されており、短辺に沿う屈曲部３ｖ２は、吊りリード４の両側に形成されている。屈曲部３ｖ２は、短辺のほぼ全長にわたって設けるが、吊りリード４からは分離しておくのが好ましい。チップ搭載領域３ｍの長辺に沿う屈曲部３ｖ１と短辺に沿う屈曲部３ｖ２とは、チップ搭載領域３ｍの角で分離されている。また、チップ搭載領域３ｍの短辺に沿う屈曲部３ｖ２は、吊りリード４から分離されている。屈曲部３ｖ１と屈曲部３ｖ２の間、および、屈曲部３ｖ２と吊りリード４の間には、凹部３ｅが形成されており、凹部３ｅは、チップ搭載領域３ｍに達している。

図１２に示すように、ダイパッド３２のチップ搭載領域３ｍは、封止体１の裏面１ｂから露出しており、屈曲部３ｖ１は、封止体１の内部に入り込んでいる。図示していないが屈曲部３ｖ２も封止体１の内部に入り込んでいる。図１１の破線がチップ搭載領域３ｍと屈曲部３ｖ１および３ｖ２との境界である。図１１の破線部分において、屈曲部３ｖ１（および、３ｖ２）は、チップ搭載領域３ｍから屈曲しており、封止体１の裏面１ｂに対して傾斜角度θ５を有する。傾斜角度θ５は、前述の塑性変形を加味して３０°≦θ５≦６０°とするのが好適である。屈曲部３ｖ１および３ｖ２が、封止体１の内部に入り込んでいるので、アンカー効果により、封止体１からダイパッド３２が剥離するのを防止することができる。

ダイパッド３２を、チップ搭載領域３ｍと屈曲部３ｖ１および３ｖ２で構成したことにより、ダイパッド３２が膨張、収縮する際の応力を水平方向の応力Ｆ２と、屈曲部３ｖ１および３ｖ２の延在方向の応力Ｆ３とに分散することができる。この為、半導体チップ７とダイパッド３２との熱膨張率の差異に起因してダイボンド材９に及ぼされる応力を緩和することができる。したがって、ダイボンド材９へのクラックの進展を防止することができ、更には、半導体チップ７がダイパッド３２から剥がれるのを防止することができる。屈曲部３ｖ１および３ｖ２は、リード２の延在方向および吊りリード４の延在方向の両方に形成することが肝要であり、これにより、リード２の延在方向および吊りリード４の延在方向において、ダイパッド３２の熱伸縮による応力を緩和できる。

また、屈曲部３ｖ１が屈曲部３ｖ２から分離されているので、屈曲部３ｖ１および３ｖ２の折り曲げ加工が容易であり、折り曲げ精度も向上する。また、屈曲部３ｖ２が、吊りリード４から分離されているので、屈曲部３ｖ２の熱伸縮が吊りリード４に影響することがなく、ダイパッド３２の高さバラツキを防止できる。

また、半導体チップ７の主面７ａ側には、銅材からなる複数の接続ワイヤ８が配置され、裏面７ｂ側には、銅材からなるダイパッド３２が配置されている。また、複数の接続ワイヤ８は、半導体チップ７の上空からインナーリード２ａに向かって下降するように傾斜している。一方、ダイパッド３２の屈曲部３ｖ１は、チップ搭載領域３ｍからインナーリード２ａに向かって上昇するように傾斜している。図１２に示すように左右のインナーリード２ａを通過する仮想線Ｘ−Ｘ´に対して、接続ワイヤ８と屈曲部３ｖ１は、線対称の方向に延在している。このように、半導体チップ７の主面７ａ側には、銅材からなる複数の接続ワイヤ８を配置し、裏面７ｂ側には、銅材からなるダイパッド３２を配置し、さらに、接続ワイヤ８と屈曲部３ｖ１の延在方向が線対称となっているため、半導体チップ７の上下における応力バランスを取ることができ、半導体装置ＳＤ３の反りを防止することができる。

また、実施の形態４の構造は、前述の関係式（式２）を満たしている。ここで、ダイパッドの厚さＬ３ａは、チップ搭載領域３ｍの厚さである。

また、実施の形態４において、前述の実施の形態２、実施の形態３、または、実施の形態２および３を適用しても良い。

<変形例１>
図１３は、変形例１における半導体装置の平面図である。図１４は、図１３のＤ−Ｄ´線に沿う断面図である。変形例１は、実施の形態４の変形例であり、ダイパッドの変形例である。その他は、同様であり、実施の形態１と同様の符号を付している。

図１３に示すように、変形例１の半導体装置ＳＤ４は、チップ搭載領域３ｍ、屈曲部３ｖ１および３ｖ２、ならびに、平坦部３ｆからなるダイパッド３２を有しており、平坦部３ｆには、スリット３ｓが設けられている。変形例１のチップ搭載領域３ｍならびに屈曲部３ｖ１および３ｖ２は、実施の形態４と同様の構造であり、変形例１では、屈曲部ｖ１および３ｖ２の先にスリット３ｓを有する平坦部３ｆが設けられている。

図１４に示すように、ダイパッド３３のチップ搭載領域３ｍは、封止体１の裏面１ｂから露出しており、屈曲部３ｖ１および平坦部３ｆは、封止体１の内部に入り込んでいる。図示していないが屈曲部３ｖ２も封止体１の内部に入り込んでいる。図１３の破線がチップ搭載領域３ｍと屈曲部３ｖ１および３ｖ２との境界であり、一点鎖線が屈曲部３ｖ１および３ｖ２と平坦部３ｆとの境界である。平坦部３ｆは、屈曲部３ｖ１および３ｖ２から、封止体１の裏面１ｂに平行に、チップ搭載領域３ｍから離れる方向に延在している。そして、平坦部３ｆには、チップ搭載領域３ｍ（または、半導体チップ７）の長辺または短辺に沿って延在するスリット３ｓが設けられている。スリット３ｓ内には、封止樹脂が充填されている。

ダイパッド３３を、チップ搭載領域３ｍ、屈曲部３ｖ１および３ｖ２、ならびに、平坦部３ｆで構成したことにより、ダイパッド３３が膨張、収縮する際の応力を水平方向の応力Ｆ４と、屈曲部３ｖ１および３ｖ２の延在方向の応力Ｆ５と、平坦部３ｆの延在方向の応力Ｆ６に分散することができる。この為、半導体チップ７とダイパッド３３との熱膨張率の差異に起因してダイボンド材９に及ぼされる応力を緩和することができる。

また、平坦部３ｆにスリット３ｓが形成されており、スリット３ｆ内に封止樹脂が充填されているため、アンカー効果により、ダイパッド３３の伸縮を抑制することができ、ダイボンド材９に及ぼされる応力をより緩和することができる。

スリット３ｓは、平坦部３ｆの領域内に閉じて設けることが肝要である。スリット３ｓが屈曲部３ｖ１および３ｖ２と平坦部３ｆに跨ると、安定した成形が困難となるためである。

また、スリット３ｓの形成は必須ではなく、スリット３ｓを有しない平坦部３ｆとしても、応力緩和の効果を奏することができる。

<変形例２>
図１５は、変形例２における半導体装置の平面図である。変形例１は、実施の形態４の変形例であり、ダイパッドの変形例である。その他は、同様であり、実施の形態１と同様の符号を付している。なお、半導体チップ７の下側の接続ワイヤ８は省略している。

図１５に示すように、変形例２の半導体装置ＳＤ５は、チップ搭載領域３ｍと屈曲部３ｖ１および３ｖ２からなるダイパッド３４を有している。図１５において、破線で囲まれた領域がチップ搭載領域３ｍであり、チップ搭載領域３ｍは、平面視において、長方形の領域であり、その上に搭載される半導体チップ７よりもＸ方向およびＹ方向において大きい外形を有する。

チップ搭載領域３ｍの長辺および短辺に沿って屈曲部３ｖ１および３ｖ２が設けられている。屈曲部３ｖ１および３ｖ２には、複数の凹部３ｅが設けられており、屈曲部３ｖ１および３ｖ２の先端には複数の凸部３ｐが形成されている。凸部３ｐは、その先端（半導体チップ７から遠い側）の幅（Ｗ１）が、その内側（半導体ップ７に近い側）の幅（Ｗ２）よりも広い（Ｗ１＞Ｗ２）。逆に、凹部３ｅは、その先端の幅が、その内側の幅よりも狭くなっており、凹部３ｅには、封止樹脂が充填されている。

このような凹部３ｅおよび凸部３ｐの形状により、アンカー効果を増大させることで、ダイパッド３４の熱伸縮を低減することができる。

変形例２では、凹部３ｅが、チップ搭載領域３ｍに達していない構造としたが、凹部３ｅが、チップ搭載領域３ｍに達する構造としても良い。いずれの場合にも、吊りリード４と凸部３ｐとの間の凹部３ｅは、チップ搭載領域３ｍに達いていることが好適である。

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、上記実施の形態は、ＳＯＰ型の半導体装置を用いて説明したが、ＱＦＰ（Quad Flat Package）型の半導体装置に適用することができる。

１ 封止体
１ａ 主面（上面）
１ｂ 裏面（下面）
１ｓ 側面
２ リード
２ａ インナーリード（インナー部）
２ｂ アウターリード（アウター部）
３、３１、３２、３３、３４ ダイパッド（チップ搭載部、タブ）
３ａ 主面（上面）
３ｂ 裏面（下面）
３ｃ 長辺
３ｄ 短辺
３e 凹部
３ｆ 平坦部
３ｍ チップ搭載領域
３ｐ 凸部
３ｓ スリット
３ｖ１、３ｖ２ 屈曲部
４ 吊りリード
４ａ オフセット部
５ バスバー（タイバー、ダム）
６ａ 外枠
６ｂ 外枠
７、７１ 半導体チップ
７ａ、７１ａ 主面（上面）
７ｂ 裏面（下面）
７ｅ ボンディングパッド（電極、外部引出電極）
８、８１ 接続ワイヤ（ワイヤ、ボンディングワイヤ）
８ａ、８１ａ ボール部
９ ダイボンド材（接着材、接着層）
１０ 成形金型
１０ａ 上型
１０ｂ 下型
１０ｃｖ１、１０ｃｖ２ キャビティ
１０ｃｕ カル
１０ｇ ゲート部
１０ｐ プランジャー
１０ｒ ランナ
１０ｐｔ ポット部
１０ｔｇ スルーゲート部
１１ タブレット
１２ 樹脂
１３ バンプ電極（スタッドバンプ電極、スタッドバンプ）
ＬＦ リードフレーム
ＳＤ、ＳＤ１、ＳＤ２、ＳＤ３、ＳＤ４、ＳＤ５ 半導体装置

Claims (17)

1. 第１上面、および、前記第１上面とは反対側の第１下面、を有するチップ搭載部と、
   第２上面、前記第２上面に形成された電極、および、前記第２上面とは反対側の第２下面、を有し、前記第１上面上に搭載された半導体チップと、
   リードと、
   前記半導体チップの前記電極と前記リードを接続するワイヤと、
   第３上面、前記第３上面とは反対側の第３下面を有し、前記半導体チップ、前記ワイヤ、前記リードの一部、および、前記チップ搭載部の一部、を封止する封止体と、
   を有し、
   前記チップ搭載部の前記第１下面は、前記封止体の前記第３下面から露出しており、
   前記チップ搭載部および前記ワイヤは、銅から成り、
   前記半導体チップの厚さは、前記チップ搭載部の厚さと前記半導体チップの第２上面から前記封止体の第３上面までの厚さの和よりも大きい、半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記リードは、平面視において、第１方向に延在しており、
   前記チップ搭載部は、前記半導体チップが搭載されるチップ搭載領域と、前記チップ搭載領域から、前記第１方向に延びる屈曲部と、を有し、
   前記チップ搭載領域の前記第１下面は、前記封止体から露出しており、
   前記屈曲部は、前記封止体の内部に位置している、半導体装置。
3. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記電極に前記ワイヤの一端が接続され、前記リードの一端に前記ワイヤの他端が接続されており、
   前記第２下面に垂直であって、前記第２下面から前記第２上面に向かう方向において、前記第２上面から最も離れた前記ワイヤの一部は、前記半導体チップの真上に位置している、半導体装置。
4. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記チップ搭載部の厚さは、前記リードの厚さよりも薄い、半導体装置。
5. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記第２下面に垂直であって、前記第２下面から前記第２上面に向かう方向において、前記リードから最も離れた前記ワイヤの一部は、前記リードの真上に位置している、半導体装置。
6. 平面視において、チップ搭載領域と第１屈曲部を含む第１上面、および、前記第１上面とは反対側の第１下面を有するダイパッドと、
   前記チップ搭載領域に搭載され、第２上面、前記第２上面とは反対側の第２下面、および、前記第２上面に形成された電極、を有する半導体チップと、
   第３上面、前記第３上面とは反対側の第３下面を有し、前記半導体チップと前記ダイパッドの前記第１上面を封止する封止体と、
   その一端が前記封止体内に位置し、その他端が前記封止体の外部に位置するリードと、
   前記封止体内に位置し、前記半導体チップの前記電極と前記リードの一端を接続するワイヤと、
   を有し、
   前記チップ搭載領域の前記第１下面は、前記封止体の前記第３下面から露出しており、
   前記第１屈曲部の前記第１下面は、前記封止体内に位置しており、
   前記第１屈曲部は、前記チップ搭載領域から前記第１方向に延在しており、
   前記半導体チップの厚さは、前記チップ搭載領域の厚さと前記半導体チップの第２上面から前記封止体の第３上面までの厚さの和よりも大きい、半導体装置。
7. 請求項６に記載の半導体装置において、
   平面視において、前記リードは、第１方向に延在し、
   前記ダイパッドは、前記チップ搭載領域から、前記第１方向と直交する第２方向に延在する第２屈曲部を有し、
   前記第２屈曲部の前記第１下面は、前記封止体内に位置しており、
   前記第１屈曲部と前記第２屈曲部とは、前記チップ搭載領域に達する第１凹部によって分離されている、半導体装置。
8. 請求項７に記載の半導体装置において、さらに、
   前記チップ搭載領域から、前記第２方向に延在する吊りリード、
   を有し、
   前記第２屈曲部と前記吊りリードとは、前記チップ搭載領域に達する第２凹部によって分離されている、半導体装置。
9. 請求項６に記載の半導体装置において、
   前記第１屈曲部は、前記第１方向において、前記チップ搭載領域から突出した第１凸部および第２凸部を含む、半導体装置。
10. 請求項９に記載の半導体装置において、
    前記第１凸部と前記第２凸部との間に、第３凹部が配置されており、
    前記第３凹部は、前記チップ搭載領域に達している、半導体装置。
11. 請求項９に記載の半導体装置において、
    前記チップ搭載領域に近い側における、前記第１凸部の幅は、前記チップ搭載領域から遠い側における、前記第１凸部の幅より狭い、半導体装置。
12. 請求項６に記載の半導体装置において、さらに、
    前記ダイパッドは、前記第１方向において、前記第１屈曲部から連続的に延在する平坦部、を有し、
    前記平坦部は、前記第３下面に平行な方向に延在する、半導体装置。
13. 請求項１２に記載の半導体装置において、
    前記平坦部は、前記第１上面から前記第１下面に達するスリットが形成されている、半導体装置。
14. （ａ）第１上面と、前記第１上面の反対側である第１下面を有するチップ搭載部、および、リード、を備えた銅から成るリードフレームを準備する工程、
    （ｂ）電極を有する第２上面と、前記第２上面の反対側である第２下面を有する半導体チップを、前記第２下面と前記第１上面を向かい合わせて、前記チップ搭載部に搭載する工程、
    （ｃ）前記リードと前記半導体チップの前記電極を、銅から成るワイヤで接続する工程、
    （ｄ）前記リードの一部、前記チップ搭載部の一部、前記半導体チップ、および、前記ワイヤを、加熱溶融した封止樹脂で覆い封止体を形成する工程、
    を有し、
    前記封止体は、第３上面と、前記第３上面と反対側の第３下面を有し、
    前記チップ搭載部の前記第１下面は、前記第３下面から露出しており、
    前記（ｄ）工程後において、前記第２下面から前記第２上面までの高さは、前記第１下面から前記第１上面までの高さと前記第２上面から前記第３上面までの高さの和より大きい、半導体装置の製造方法。
15. 請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記リードは、前記チップ搭載部に向かって第１方向に延在しており、
    前記チップ搭載部は、前記半導体チップが搭載されるチップ搭載領域と、前記チップ搭載領域から、前記第１方向に延びる屈曲部と、を有し、
    前記（ｄ）工程において、前記チップ搭載領域の前記第１下面は、前記封止体から露出させ、
    前記屈曲部は、前記封止樹脂で覆う、半導体装置の製造方法。
16. 請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程において、前記ワイヤは、前記リードに接続した後に、前記電極に接続する、半導体装置の製造方法。
17. 請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記（ａ）工程において、前記チップ搭載部の厚さが、前記リードの厚さよりも薄いリードフレームを準備する、半導体装置の製造方法。

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