JP2017143131A - 被加工物の樹脂被覆方法及び被加工物の加工方法 - Google Patents
被加工物の樹脂被覆方法及び被加工物の加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017143131A JP2017143131A JP2016022552A JP2016022552A JP2017143131A JP 2017143131 A JP2017143131 A JP 2017143131A JP 2016022552 A JP2016022552 A JP 2016022552A JP 2016022552 A JP2016022552 A JP 2016022552A JP 2017143131 A JP2017143131 A JP 2017143131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- workpiece
- wafer
- predetermined thickness
- resin coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
図1に示すウエーハWは、凹凸を有する被加工物の一例であって、その表面Waには、格子状の分割予定ラインSによって区画された領域にデバイスが形成されている。表面Waと反対側の裏面Wbは、例えば研削砥石などにより研削される被研削面である。ウエーハWの表面Waには、突起電極であるボール状のバンプBが複数形成されている。複数のバンプBが表面Waにおける凹凸を構成している。各バンプBは、厚み方向に例えば200μmの厚みを有している。
次に、図2〜9を参照しながら、ウエーハWの表面Waを樹脂で覆う被加工物への樹脂被覆方法と、ウエーハWを分割予定ラインSに沿って分割して所定厚みのチップを形成する被加工物の加工方法の第1例とについて説明する。被加工物への樹脂被覆方法は、ウエーハWの表面Waに紫外線を照射する紫外線照射ステップと、少なくとも2回以上に分けて樹脂をウエーハWの表面Waに被覆する樹脂被覆ステップとを備える。かかる被加工物への樹脂被覆方法は、被加工物の加工方法に含まれるため、以下では、被加工物の加工方法と合わせて説明する。
図2(a)に示すように、例えば、ウエーハWを切削する切削ブレード1を用いて、チップの分割起点となる溝Gを形成する。切削ブレード1は、水平方向の軸心を有するスピンドル2の先端に装着されており、スピンドル2が回転することにより、切削ブレード1を回転することができる。また、切削ブレード1には、図示しない昇降手段が接続されており、切削ブレード1が鉛直方向に昇降可能となっている。所定厚みとは、チップの仕上げ厚みを意味しており、特に限定されるものではない。
図3に示すように、例えばステージ3の内部に備える複数のUVランプ5を用いて、ウエーハWに紫外線を照射する。具体的には、ウエーハWの裏面Wb側からウエーハWをステージ3の上面4に載置する。次いで、複数のUVランプ5が点灯して、ウエーハWの裏面Wb側から紫外線を照射することにより、オゾンを生成するとともに活性酸素を生成する。その結果、ウエーハWの表面Waと後記の樹脂被覆ステップで用いられる樹脂との親和性を高めることができる。すなわち、ウエーハWの表面Waに親水性が付与されることで、樹脂が表面Waにおいてのびやすくなる。図示の例では、複数のUVランプ5をウエーハWの下方から照射した場合を説明したが、この構成に限られず、ウエーハWの表面Wa側にUVランプを配置して、表面Wa側から紫外線を照射してもよい。なお、紫外線照射ステップを実施してから、上記の溝形成ステップを実施してもよい。
次に、図4に示すように、少なくとも2回以上に分けて樹脂をウエーハWの表面Waに被覆する。まず、図4(a)に示すように、ステージ3aの上方側に配設された樹脂供給ノズル7を用いて1度目の樹脂被覆の準備を行う。ステージ3aは、例えば、ガラスによって構成されている。樹脂供給ノズル7は、樹脂供給源8に接続されており、ウエーハWの表面Waを保護する保護部材の材料となる樹脂9を表面Waに供給することができる。樹脂9としては、例えば、粘性を有する紫外線硬化樹脂を使用することができる。
ここで、樹脂被覆ステップと同時又は樹脂被覆ステップを実施した後、樹脂9に保護シート6を配設する。本実施形態では、樹脂被覆ステップを行うと同時(樹脂9をステージ3aに供給する際)に、ステージ3aの上面4に保護シート6を配設しておく。保護シート6の材料は、例えばPET樹脂によって構成されている。
樹脂被覆ステップを実施した後、ウエーハWの表面Waに被覆された樹脂9を硬化させる。例えば、図5に示すように、ステージ3aの下方側に配設された複数のUVランプ5aが図4に示した樹脂9に向けて下方から紫外光を照射し、樹脂9を硬化させてウエーハWの表面Waの全面を保護する保護部材9aを形成する。その後、樹脂被覆手段10は、ウエーハWの裏面Wbに対する保持部12の吸着を解除するとともに、保持部12を上昇させてウエーハWの裏面Wbから保持部12を退避させる。
樹脂硬化ステップを実施した後、図6(a)に示すように、ウエーハWを研削する研削手段20によって、保持テーブル30に保持されるウエーハWの裏面Wbを研削して所定厚みへ薄化するとともに溝Gを裏面Wbに露出させることでウエーハWを分割予定ラインSに沿って分割して所定厚みのチップを形成する。研削手段20は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル21と、スピンドル21の下端に装着された研削ホイール22と、研削ホイール22の下部に環状に固着された研削砥石23とを少なくとも備えている。図示しないモータによって駆動されてスピンドル21が所定の回転速度で回転すると、研削ホイール22を所定の回転速度で回転させることができる。
研削ステップを実施した後、図7に示すように、ウエーハWの表裏を反転させ、表面Wa側を上向きにさせ、例えば、中央が開口した環状のリングフレームFに貼着された拡張可能なテープTの露出面にウエーハWの裏面Wb側を貼着し、ウエーハWの表面Waを上向きに露出させる。
ウエーハWの表面Waに被覆された保護部材9a及び保護部材9aに配設された保護シート6を剥離して、図8に示すように、分割されたチップCをテープTの上に露出させる。ウエーハWの表面Waから保護部材9aが剥がれにくい場合は、樹脂9に例えば紫外光を照射して粘着力を低下させてもよい。続いてテープTに貼着された各チップCの間の間隔を拡げる。すなわち、図示しない拡張手段等を用いてテープTを放射状に拡張することにより、ウエーハWに対して放射方向の外力を付与し、各チップCの間隔を拡げる。これにより、各チップCのピックアップを容易にすることができる。
図9に示すように、各チップCをピックアップする。チップCのピックアップは、例えば、チップCを吸着する吸着部を有する搬送手段が用いられる。搬送手段がそれぞれのチップCを吸着するとともに上昇すると、チップCがテープTから引き剥がされる。そして、全てのチップCがテープTから引き剥がされて搬送された時点でピックアップステップが完了する。
次に、上記の被加工物への樹脂被覆方法とウエーハWの加工方法の第2例とについて説明する。第2例では、上記の溝形成ステップを行わず、上記紫外線照射ステップ、上記樹脂被覆ステップ、上記保護シート配設ステップ及び上記樹脂硬化ステップと同様の各ステップを実施した後、ウエーハWの裏面Wbを研削して所定厚みへと薄化する薄化ステップと、薄化されたウエーハWを該分割予定ラインSに沿って分割して所定厚みのチップCを形成する分割ステップとを実施する。以下では、薄化ステップと分割ステップのみ説明する。
上記樹脂硬化ステップを実施した後、図10(a)に示すように、ウエーハWを研削する研削手段20aによって、保持テーブル30aに保持されるウエーハWの裏面Wbを研削して所定厚みへと薄化する。図示しない吸引源によってウエーハWを保持面31で吸引保持したら、回転軸32によって保持テーブル30aを例えば矢印A方向に回転させる。研削手段20aは、研削ホイール22を例えば矢印A方向に回転させながら、回転する研削砥石23でウエーハWの裏面Wbを押圧しながら所定の厚み(チップの仕上げ厚み)に至るまで研削する。その結果、図10(b)に示すように、ウエーハWは、所定の厚みに薄化された状態となる。薄化ステップの際には、保護部材9aによってウエーハWの表面Waが保護される。また、上記同様に、保護部材9aに気泡が含まれていないため、ウエーハWの裏面Wbを平坦に研削することができる。
研削ステップを実施した後、例えば、図11に示す切削ブレード1aを用いてウエーハWを分割する。スピンドル2の回転によって切削ブレード1aを所定の回転速度で回転させながらウエーハWの表面Waに切り込ませる。このとき、切削ブレード1aをウエーハWの表裏を貫通する深さまで切り込ませて切削してウエーハWを完全切断する。全ての分割予定ラインSに沿って切削ブレード1aで切削してウエーハWを個々のチップCに分割する。図示の例では、分割ステップの際に、ウエーハWの表面Waから保護部材9a及び保護シート6を剥離しているが、これらを剥離せずにウエーハWの裏面Wb側から切削ブレード1aを切り込ませて切削するようにしてもよい。また、分割ステップは、切削ブレード1aのほか、レーザー照射によってウエーハWを完全切断してもよい。ウエーハWを個々のチップCに分割したら、図示しない搬送手段等を用いて各チップCをピックアップする。
5,5a:UVランプ 6:保護シート 7:樹脂供給ノズル 8:樹脂供給源
9:樹脂 9a:保護部材
10:樹脂被覆手段 11:枠体 12:保持部 13:吸着面 14:吸引路
15:吸引源
20,20a:研削手段 21:スピンドル 22:研削ホイール 23:研削砥石
30,30a:保持テーブル 31:保持面 32:回転軸
Claims (4)
- 凹凸を有する被加工物の表面を樹脂で覆う被加工物への樹脂被覆方法であって、
被加工物と樹脂との親和性を高くするために、被加工物の表面に紫外線を照射する紫外線照射ステップと、
少なくとも2回以上に分けて樹脂を被加工物の表面に被覆する樹脂被覆ステップと、を備えることを特徴とする被加工物への樹脂被覆方法。 - 請求項1記載の被加工物への樹脂被覆方法を含み、凹凸を有する被加工物の表面に形成された複数の分割予定ラインに沿って分割して所定厚みのチップを形成する被加工物の加工方法であって、
被加工物の表面に形成された複数の分割予定ラインに沿って所定厚みよりも深く且つ被加工物を完全切断しない深さの溝を形成する溝形成ステップと、
前記樹脂被覆ステップを実施した後、前記樹脂を硬化させる樹脂硬化ステップと、
該樹脂硬化ステップを実施した後、被加工物の裏面を研削して該所定厚みへ薄化するとともに該溝を該裏面に露出させることで被加工物を該分割予定ラインに沿って分割して該所定厚みのチップを形成する研削ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。 - 請求項1記載の被加工物への樹脂被覆方法を含み、凹凸を有する被加工物の表面に形成された複数の分割予定ラインに沿って分割して所定厚みのチップを形成する被加工物の加工方法であって、
前記樹脂被覆ステップを実施した後、前記樹脂を硬化させる樹脂硬化ステップと、
該樹脂硬化ステップを実施した後、被加工物の裏面を研削して該所定厚みへ薄化する薄化ステップと、
薄化された被加工物を該分割予定ラインに沿って分割して該所定厚みのチップを形成する分割ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。 - 前記樹脂被覆ステップと同時又は該樹脂被覆ステップを実施した後、前記樹脂に保護シートを配設する保護シート配設ステップを更に備えることを特徴とする請求項2及び3に記載の被加工物の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016022552A JP6621338B2 (ja) | 2016-02-09 | 2016-02-09 | 被加工物の樹脂被覆方法及び被加工物の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016022552A JP6621338B2 (ja) | 2016-02-09 | 2016-02-09 | 被加工物の樹脂被覆方法及び被加工物の加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017143131A true JP2017143131A (ja) | 2017-08-17 |
| JP6621338B2 JP6621338B2 (ja) | 2019-12-18 |
Family
ID=59627444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016022552A Active JP6621338B2 (ja) | 2016-02-09 | 2016-02-09 | 被加工物の樹脂被覆方法及び被加工物の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6621338B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190132918A (ko) * | 2018-05-21 | 2019-11-29 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| CN110828306A (zh) * | 2018-08-14 | 2020-02-21 | 株式会社迪思科 | 被加工物的加工方法 |
| KR20200133022A (ko) * | 2017-11-06 | 2020-11-25 | 가부시키가이샤 도교 세이미쓰 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| CN113524015A (zh) * | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 株式会社迪思科 | 板状物的加工方法 |
| CN115088059A (zh) * | 2020-02-20 | 2022-09-20 | 协立化学产业株式会社 | 加工对象物切割方法及树脂涂布装置 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794539A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JP2000294578A (ja) * | 1996-07-12 | 2000-10-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法 |
| JP2001176775A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体ウェハの塗膜形成方法 |
| JP2002313825A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Sony Corp | ベアチップ実装方法及びベアチップ処理装置 |
| JP2004119468A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハレベルパッケージの分割方法 |
| US20050142696A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-06-30 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Method of backside grinding a bumped wafer |
| JP2010267638A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜の被覆方法及びウエーハのレーザ加工方法 |
| JP2011155112A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
| JP2014060269A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護被膜被覆方法 |
-
2016
- 2016-02-09 JP JP2016022552A patent/JP6621338B2/ja active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794539A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JP2000294578A (ja) * | 1996-07-12 | 2000-10-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法 |
| JP2001176775A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体ウェハの塗膜形成方法 |
| JP2002313825A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Sony Corp | ベアチップ実装方法及びベアチップ処理装置 |
| JP2004119468A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハレベルパッケージの分割方法 |
| US20050142696A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-06-30 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Method of backside grinding a bumped wafer |
| JP2010267638A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜の被覆方法及びウエーハのレーザ加工方法 |
| JP2011155112A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
| JP2014060269A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護被膜被覆方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200133022A (ko) * | 2017-11-06 | 2020-11-25 | 가부시키가이샤 도교 세이미쓰 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| KR102520523B1 (ko) | 2017-11-06 | 2023-04-12 | 가부시키가이샤 도교 세이미쓰 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| KR20190132918A (ko) * | 2018-05-21 | 2019-11-29 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| KR102670602B1 (ko) | 2018-05-21 | 2024-05-29 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
| CN110828306A (zh) * | 2018-08-14 | 2020-02-21 | 株式会社迪思科 | 被加工物的加工方法 |
| CN110828306B (zh) * | 2018-08-14 | 2024-02-20 | 株式会社迪思科 | 被加工物的加工方法 |
| CN115088059A (zh) * | 2020-02-20 | 2022-09-20 | 协立化学产业株式会社 | 加工对象物切割方法及树脂涂布装置 |
| JP2025036730A (ja) * | 2020-02-20 | 2025-03-14 | 協立化学産業株式会社 | 加工対象物切断方法及び樹脂塗布装置 |
| TWI897924B (zh) * | 2020-02-20 | 2025-09-21 | 日商協立化學產業股份有限公司 | 加工對象物切斷方法及樹脂塗布裝置 |
| JP7791554B2 (ja) | 2020-02-20 | 2025-12-24 | 協立化学産業株式会社 | 加工対象物切断方法及び樹脂塗布装置 |
| US12519018B2 (en) | 2020-02-20 | 2026-01-06 | Kyoritsu Chemical & Co., Ltd. | Workpiece cutting method and resin applying device |
| CN113524015A (zh) * | 2020-04-13 | 2021-10-22 | 株式会社迪思科 | 板状物的加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6621338B2 (ja) | 2019-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102450309B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| CN106469681B (zh) | 晶片的加工方法 | |
| JP6621338B2 (ja) | 被加工物の樹脂被覆方法及び被加工物の加工方法 | |
| CN103700584B (zh) | 表面保护部件以及加工方法 | |
| JP2017079291A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| CN104733385B (zh) | 器件晶片的加工方法 | |
| JP2012015256A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
| JP4741332B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP5762213B2 (ja) | 板状物の研削方法 | |
| JP2017028157A (ja) | チャックテーブルの製造方法及び加工装置 | |
| KR20180131389A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| KR20130007424A (ko) | 피가공물의 연삭 방법 | |
| TW201935549A (zh) | 晶圓之加工方法 | |
| JP6328522B2 (ja) | 保護膜被覆方法および保護膜被覆装置 | |
| JP6814574B2 (ja) | テープ貼着方法 | |
| JP2015133434A (ja) | 板状物の分割方法及び紫外線照射ユニット | |
| JP2016119370A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| CN106024602A (zh) | 晶片的加工方法 | |
| TW201528359A (zh) | 裝置晶圓之加工方法 | |
| JP2018198241A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP2019009372A (ja) | ウエーハの研削方法 | |
| JP7132710B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP2013041908A (ja) | 光デバイスウェーハの分割方法 | |
| JP2015149386A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| TW201937617A (zh) | 板狀物的加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160531 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160531 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181219 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190805 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190808 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191003 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191024 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191119 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6621338 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |