JP2017148802A - 剥離した黒鉛を製造するための単一モードのマイクロ波装置 - Google Patents

剥離した黒鉛を製造するための単一モードのマイクロ波装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2017148802A
JP2017148802A JP2017053732A JP2017053732A JP2017148802A JP 2017148802 A JP2017148802 A JP 2017148802A JP 2017053732 A JP2017053732 A JP 2017053732A JP 2017053732 A JP2017053732 A JP 2017053732A JP 2017148802 A JP2017148802 A JP 2017148802A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microwave device
cavity
graphite
wall
housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017053732A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6315734B2 (ja
Inventor
ノックス,マイケル,アール.
r knox Michael
マーレイ,スコット,エル.
l murray Scott
ナレンダ,ジェフリ,ジェイ.
J Narendra Jeffri
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of JP2017148802A publication Critical patent/JP2017148802A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6315734B2 publication Critical patent/JP6315734B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64Heating using microwaves
    • H05B6/80Apparatus for specific applications
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182Graphene
    • C01B32/184Preparation
    • C01B32/19Preparation by exfoliation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/20Graphite
    • C01B32/21After-treatment
    • C01B32/22Intercalation
    • C01B32/225Expansion; Exfoliation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64Heating using microwaves
    • H05B6/6402Aspects relating to the microwave cavity
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64Heating using microwaves
    • H05B6/642Cooling of the microwave components and related air circulation systems
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64Heating using microwaves
    • H05B6/70Feed lines
    • H05B6/701Feed lines using microwave applicators
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64Heating using microwaves
    • H05B6/70Feed lines
    • H05B6/707Feed lines using waveguides
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64Heating using microwaves
    • H05B6/78Arrangements for continuous movement of material
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/734Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/84Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/842Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

【課題】低コストで大規模製造が可能な剥離黒鉛の製造方法の提供。
【解決手段】挿入された黒鉛、または、膨張黒鉛を、マイクロ波装置1の空洞2の上側部11に位置するシュート13を使用して空洞2内部に設置した剥離トレー12に制御された速度で供給し、マイクロ波エネルギーを当てることによって黒鉛を剥離し、吸気口18より流し込まれた空気または窒素中に黒鉛を懸濁することによってマイクロ波装置の空洞排気口17から剥離した黒鉛を抽出する、剥離黒鉛の製造方法。
【選択図】図2

Description

本出願は、2012年11月28日に出願され、現在係属中の米国特許出願番号13/686,961号の優先権を主張しており、該出願は、その優先権を主張している、2011年11月30日に出願された米国仮特許出願からの米国特許出願である。
本発明はナノテクノロジーの技術分野に属する。具体的には、本発明はナノ材料製造の技術分野に属する。さらに具体的には、本発明は、黒鉛の剥離の技術分野にある。
黒鉛は自然に発生する形態および合成の形態の周知の材料である。黒鉛は、六角形配列の積層シートまたはグラフェンと呼ばれるsp2−炭素原子のネットワークから構成される。黒鉛の有用な形態は剥離した黒鉛である。剥離黒鉛は一般に、黒鉛のブルナウアー−エメット−テラー(BET)表面積よりも大きいが、一枚の黒鉛シートのBETの理論上の表面積よりは小さい、剥離したまたは部分的に薄層に分離された黒鉛である。
黒鉛の剥離は様々な手段によって黒鉛に熱を加えることにより行うことができる。一般に、熱を直接当てて加熱することは、とりわけ、大規模製造の場合、大量のエネルギーを必要とする。無線周波数(RF)またはマイクロ波による膨張方法は、低コストで少ない時間で多くの材料を加熱することができる。
1つの実施形態では、本発明は、剥離した黒鉛を製造するためのマイクロ波装置と、マイクロ波装置によって製造された製品に関し、したがって、単一モードのマイクロ波装置があり、単一モードのマイクロ波装置は、全部で中空の空洞を形成する、上部、下部、2つの側壁、正面壁、および、可動性の背壁で構成される、ステンレススチール製のハウジングを含む。可動性の壁部は背面部を備えており、背面部には制御ロッドが固定して取り付けられている。
ハウジング内には剥離用トレーが収容されており、剥離用トレーは、少なくとも2つの支持ロッドで支持されており、該ロッドは側壁によってあらかじめ決められた高さで支持される。剥離用トレーは電気的に導電していない。
下部、正面壁、および、側壁は、外表面に取り付けられた冷却ジャケットを備えており、ハウジングの上部にはアダプターがある。可動性の背壁は内部を通る少なくとも1つのガス導入口を有しており、ハウジングの下部は排気口を包含している。
フィンガーストック(Fingerstock)ガスケットまたは導電性ブラシが可動性の背壁の縁部に取り付けられることで、可動性の背壁とハウジングの間の電気接点が保持されており、前記アダプターに接続された方形導波管を使用して中空の空洞にマイクロ波エネルギーを伝えるマイクロ波発振器がある。本発明の目的のために、「フィンガーストックガスケット」および「導電性ブラシ」は交換可能である。
フィンガーストックガスケットは、www.surptussales.comから購入可能である。本発明で特に良好に作動するガスケットは、97−440−02M Fingerstock,Cu−Beである。
別の実施形態では、黒鉛を剥離する方法があり、前記方法は、ナノ材料を提供する工程と、上で説明した装置の中空の空洞に該ナノ材料を置く工程を含む。
その後、ナノ材料が空胴の内部でマイクロ波周波数と共鳴するように、装置の可動性の背壁を移動させ、ナノ材料が剥離するまで空洞を加熱し、その後、中空の空洞から剥離したナノ材料を除去する。
さらなる実施形態は、剥離したグラフェンを準備する方法であり、該方法は、単一モードのマイクロ波装置を動作させながら、上で説明したように単一モードのマイクロ波装置を用いる工程と、915MHzと2.45GHzから選択された周波数でマイクロ波周波数を制御しつつ、デリバリシュートを介して剥離用トレーへと制御した速度で挿入された黒鉛を送達する工程を含む。
他の追加の実施形態は、上で説明されたとおりの方法によって準備された製品である。
本発明のマイクロ波装置の斜視図の全図である。 線A−Aを通る図1のマイクロ波装置の完全な断面図である。 図1のマイクロ波装置の完全な側面図である。 線B−Bを通る図3のマイクロ波装置の完全な断面図である。
本発明は、挿入された黒鉛、または、挿入された黒鉛にマイクロ波エネルギーを当てることによって膨張した黒鉛、または、マイクロ波装置の空洞の内部の膨張黒鉛を、剥離するための装置を提供する。そのような装置は、図1に示されるような単一モードのマイクロ波装置(1)である。
図1および2において、マイクロ波装置のハウジング(3)は、ステンレススチール、または、導電性を示す他の金属で作られている。ハウジング(3)によって形成されるマイクロ波装置の空洞(2)の寸法は、方形空洞内部のマイクロ波の動作周波数の共鳴の大きさに基づいて計算される。一般に、米国で産業用途に使用されるマイクロ波周波数は915MHzおよび2.45GHzである。
空胴(2)の寸法を調節するために、可動性の壁(4)が使用される。マイクロ波装置の空洞(2)がマイクロ波装置の空洞(2)の内部の材料に沿ってマイクロ波周波数と共鳴状態になるように、この可動性の壁(4)を設定することができる。ロッド(5)を可動性の壁(4)に接続して、その結果、マイクロ波装置の空洞(2)の外部で、空胴(2)の寸法に対して壁の位置を調節することができる。ロッド(5)は中実または中空であってもよい。この摺動する壁の特徴によって、マイクロ波装置の空洞(2)の寸法を調節して、共鳴状態を可能にするとともに、挿入された黒鉛負荷(graphite load)(6)上に位置する特定の共鳴モードを作り出すことができる(図2を参照)。フィンガーストックガスケット(7)が可動性の壁(4)の縁部(8)に取り付けられることで、壁(4)をマイクロ波装置の空洞壁の残りの部分に電気的に接続したまま、壁(4)を確実に移動させることができる。
マイクロ波エネルギーは、マイクロ波装置の空洞(2)の上側部(11)上でアダプター(10)に接続された方形導波管を用いて、マイクロ波発振器(図示せず)からマイクロ波装置の空洞(2)へと伝えられる。マイクロ波の空胴との結合を改善するために、アイリス構造が使用されることもある。
挿入された黒鉛または膨張黒鉛は、マイクロ波装置の空洞(2)の上側部(11)に位置するシュート(13)を使用して、マイクロ波装置の空洞(2)内部の剥離用トレー(12)へ、制御された速度で落とされる。剥離用トレー(12)は、高温環境に耐え得る非導電材料で作られる。このような材料の例は、溶融石英とアルミナである。剥離用トレー(12)は同様の材料で作られた上部の支持ロッド(14)上に置かれる。これらのロッド(14)は、マイクロ波装置の空洞(2)の幅に沿って伸び、マイクロ波装置の空洞(2)の側壁(16)で突出する外部のニップル(15)によって固定される。剥離用トレー(12)と支持ロッドのこの構造は図4でもっとも分かりやすく見ることができ、この図は、線B−Bを通る図3の装置の完全な断面図である。
剥離した黒鉛は、挿入された黒鉛または膨張黒鉛と比較して、著しく低いかさ密度を有している。したがって、マイクロ波装置の空洞(2)から剥離黒鉛を抽出することは、空気または窒素中の剥離した黒鉛を懸濁することによって行うことができる。サイクロン(図示せず)に接続されたマイクロ波装置の空洞排気口(17)は、マイクロ波装置の空洞(2)から剥離した黒鉛を抽出する。剥離した黒鉛の懸濁速度と、空胴(2)内部のガスの流れを制御するために、圧搾した空気または窒素を、可動性の壁(4)の下部に見られる吸気口(18)からマイクロ波装置の空洞(2)に流し込む。マイクロ波装置の空洞(2)の下部に圧搾した空気または窒素を流しこむことによって、マイクロ波装置の空洞(2)のその領域内の圧力は下がる。圧力差が導入されることで、マイクロ波装置の空洞(2)の上部からマイクロ波装置の空洞(2)の下部に至る空気の肉眼で見える偏流が形成される。したがって、懸濁された剥離黒鉛は下方に流れる。マイクロ波装置の空洞(2)は、マイクロ波装置の空洞(2)の下部壁(19)に堆積する剥離黒鉛を最小化し、かつ、マイクロ波装置の空洞の排気口(17)を用いて、剥離黒鉛の抽出を最大限にするための角度で、傾いている。
導波管は加圧されることで、剥離した黒鉛が導波管の伝送線に流れ込むのを防ぐ。可動性の壁(4)の背面領域も加圧されることで、剥離した黒鉛がフィンガーストックガスケット(7)を詰まらせるのを防ぐ。
マイクロ波装置の空洞(2)のシュート(13)と排気口(17)には、図2と図4で見られるようなグリッド構造がある。この構造はマイクロ波の放射を防ぐために建てられる。本質的には、グリッドは小さな導波管の一群として見ることもでき、その寸法は、そのカットオフ周波数が動作周波数よりもはるかに高くなるようなほど十分に小さいものである。したがって、マイクロ波はこれらの導波管またはグリッドによって減じられる。
マイクロ波装置の空洞(2)の下部(19)、正面部(20)、および、側部(16)の一部は、冷却ジャケット(21)で囲まれていることで、マイクロ波装置の空洞(2)の壁部の温度は、華氏120度未満などのように低く維持される。冷却剤は水またはエチレングリコールのような液体形態である。
のぞき窓(22)は、剥離工程を観察することができるように、マイクロ波装置の空洞(2)の側部に築くことができる。のぞき窓(22)の視野は、本発明の装置(1)の完全な側面図である図3でもっともよく観察することができる。のぞき窓(22)は穴の開いた金属から作られ、その穴の直径は、動作するマイクロ波周波数の波長の1/10よりもはるかに小さい。穴の開いた金属は、ガラスまたは任意の他の光学的に透明な媒体で覆われてもよい。

Claims (1)

  1. 単一モードのマイクロ波装置であって、
    前記単一モードのマイクロ波装置は、
    全部で中空の空洞を形成する、上部、下部、2つの側壁、正面壁、および、可動性の背壁で構成される、ステンレススチール製のハウジングを備え、
    前記可動性の背壁は背面部を備えており、前記背面部には制御ロッドが固定して取り付けられおり、
    前記ハウジング内には剥離用トレーが収容されており、前記剥離用トレーは、少なくとも2つの支持ロッドで支持されており、該ロッドは側壁によってあらかじめ決められた高さで支持され、前記剥離用トレーは電気的に導電しておらず、
    前記の下部、正面壁、および、側壁は、外表面に取り付けられた冷却ジャケットを備えており、
    前記単一モードのマイクロ波装置はさらに、
    ハウジングの上部にあるアダプターを備え、
    前記可動性の背壁は内部を通る少なくとも1つのガス導入口を有しており、
    前記ハウジングの前記下部は内部に排気口を包含しており、
    前記単一モードのマイクロ波装置はさらに、
    可動性の背壁とハウジングの間の電気接点を保持するために、可動性の背壁の縁部に取り付けられたフィンガーストックガスケット、および、
    前記アダプターに接続された方形導波管を使用して、中空の空洞にマイクロ波エネルギーを伝えるためのマイクロ波発振器を備え、圧搾した空気または窒素が、吸気口(18)から空洞(2)に流し込まれる
    ことを特徴とする単一モードのマイクロ波装置。
JP2017053732A 2011-11-30 2017-03-17 剥離した黒鉛を製造するための単一モードのマイクロ波装置 Active JP6315734B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161629871P 2011-11-30 2011-11-30
US61/629,871 2011-11-30
US13/686,961 US9763287B2 (en) 2011-11-30 2012-11-28 Single mode microwave device for producing exfoliated graphite
US13/686,961 2012-11-28

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014544855A Division JP6124027B2 (ja) 2011-11-30 2012-11-29 剥離した黒鉛を製造するための単一モードのマイクロ波装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018055210A Division JP6530098B2 (ja) 2011-11-30 2018-03-22 剥離した黒鉛を製造するための単一モードのマイクロ波装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017148802A true JP2017148802A (ja) 2017-08-31
JP6315734B2 JP6315734B2 (ja) 2018-04-25

Family

ID=48465878

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014544855A Active JP6124027B2 (ja) 2011-11-30 2012-11-29 剥離した黒鉛を製造するための単一モードのマイクロ波装置
JP2016187608A Active JP6501208B2 (ja) 2011-11-30 2016-09-26 剥離した黒鉛を製造するための単一モードのマイクロ波装置
JP2017053732A Active JP6315734B2 (ja) 2011-11-30 2017-03-17 剥離した黒鉛を製造するための単一モードのマイクロ波装置
JP2018055210A Active JP6530098B2 (ja) 2011-11-30 2018-03-22 剥離した黒鉛を製造するための単一モードのマイクロ波装置

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014544855A Active JP6124027B2 (ja) 2011-11-30 2012-11-29 剥離した黒鉛を製造するための単一モードのマイクロ波装置
JP2016187608A Active JP6501208B2 (ja) 2011-11-30 2016-09-26 剥離した黒鉛を製造するための単一モードのマイクロ波装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018055210A Active JP6530098B2 (ja) 2011-11-30 2018-03-22 剥離した黒鉛を製造するための単一モードのマイクロ波装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9763287B2 (ja)
EP (1) EP2785449B1 (ja)
JP (4) JP6124027B2 (ja)
KR (1) KR102105216B1 (ja)
CN (1) CN104066501B (ja)
WO (1) WO2013082202A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014050828A1 (ja) * 2012-09-25 2014-04-03 昭和電工株式会社 マイクロ波加熱装置
US9758378B2 (en) * 2015-11-12 2017-09-12 Michael R. Knox Single mode microwave device for producing exfoliated graphite
US10822239B2 (en) * 2017-04-19 2020-11-03 Global Graphene Group, Inc. Microwave system and method for graphene production
KR102176629B1 (ko) 2017-04-28 2020-11-09 주식회사 엘지화학 그래핀 제조방법
CN107416804B (zh) * 2017-05-26 2019-05-10 东莞市悉达纳米科技有限公司 一种应用悬浮技术生产石墨烯的方法
CN108675291A (zh) * 2018-07-14 2018-10-19 深圳市星聚工业自动化有限公司 一种氧化石墨烯微波还原剥离装置
CN109133048B (zh) * 2018-11-07 2020-01-21 广州越能工业微波设备有限公司 一种塔式微波石墨膨化设备
US12273988B2 (en) * 2023-06-15 2025-04-08 Radom Corporation High-power plasma torch with ignition detuning

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05238717A (ja) * 1992-02-27 1993-09-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd フラーレンの製造方法及び装置
JPH0891988A (ja) * 1994-09-27 1996-04-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd マイクロ波プラズマ化学蒸着装置
JPH1060652A (ja) * 1995-04-07 1998-03-03 Univ Michigan State 表面のプラズマ処理のための方法及び装置
US20050271574A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Jang Bor Z Process for producing nano-scaled graphene plates
JP2006089344A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Kanac Corp ハイブリッド反応炉とそれを利用した高機能材料の製造方法
JP2010025452A (ja) * 2008-07-19 2010-02-04 Ivoclar Vivadent Ag セラミックスの緻密化方法およびそのための装置

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1092861A (en) * 1963-06-19 1967-11-29 John Crawford Method and apparatus for heat treating coal
DE2605560C3 (de) * 1976-02-12 1979-08-30 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Aufschlußverfahren für Biomaterialien
US5073241A (en) * 1986-01-31 1991-12-17 Kabushiki Kaisha Meidenshae Method for carbon film production
JPH0214805A (ja) * 1988-06-30 1990-01-18 Mitsui Mining Co Ltd 膨張黒鉛の製造方法および膨張黒鉛製造用加熱炉
EP0418837B1 (en) * 1989-09-20 1993-12-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamond synthesizing apparatus
US5242663A (en) * 1989-09-20 1993-09-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of and apparatus for synthesizing hard material
EP0462902B1 (en) * 1990-06-20 1996-09-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process and apparatus for preparing superconducting thin films.
US5206471A (en) * 1991-12-26 1993-04-27 Applied Science And Technology, Inc. Microwave activated gas generator
US5361016A (en) * 1992-03-26 1994-11-01 General Atomics High density plasma formation using whistler mode excitation in a reduced cross-sectional area formation tube
US5225740A (en) * 1992-03-26 1993-07-06 General Atomics Method and apparatus for producing high density plasma using whistler mode excitation
KR100321325B1 (ko) * 1993-09-17 2002-06-20 가나이 쓰도무 플라즈마생성방법및장치와그것을사용한플라즈마처리방법및장치
US5470541A (en) * 1993-12-28 1995-11-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Apparatus and process for the preparation of hydrogen cyanide
CN1109576A (zh) * 1994-03-31 1995-10-04 刘功弼 多源定向耦合微波加热器
CN1111616C (zh) * 1996-08-19 2003-06-18 时至准钟表股份有限公司 在导衬内周面上形成硬质碳膜的方法
US6469286B1 (en) * 1997-11-13 2002-10-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Variable-impedance unit, microwave device using the unit, and microwave heater
US6057645A (en) * 1997-12-31 2000-05-02 Eaton Corporation Plasma discharge device with dynamic tuning by a movable microwave trap
US20060241237A1 (en) * 2002-09-12 2006-10-26 Board Of Trustees Of Michigan State University Continuous process for producing exfoliated nano-graphite platelets
TW551782U (en) * 2002-10-09 2003-09-01 Ind Tech Res Inst Microwave plasma processing device
US20060027539A1 (en) * 2003-05-02 2006-02-09 Czeslaw Golkowski Non-thermal plasma generator device
US20090021328A1 (en) * 2005-02-09 2009-01-22 Adrian Haldimann Microwave unit
US20090311436A1 (en) * 2006-05-16 2009-12-17 Board Of Trustees Of Michigan State University Conductive composite materials with graphite coated particles
US20080048152A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Jang Bor Z Process for producing nano-scaled platelets and nanocompsites
US7863522B2 (en) * 2006-12-20 2011-01-04 Dow Global Technologies Inc. Semi-conducting polymer compositions for the preparation of wire and cable
JP5029949B2 (ja) * 2007-06-25 2012-09-19 株式会社Ihi 高機能化炭素繊維の製造装置および方法
US8753539B2 (en) * 2007-07-27 2014-06-17 Nanotek Instruments, Inc. Environmentally benign graphite intercalation compound composition for exfoliated graphite, flexible graphite, and nano-scaled graphene platelets
JP5649979B2 (ja) * 2008-02-28 2015-01-07 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se 黒鉛のナノプレートレットおよび組成物
FI122204B (fi) * 2008-09-11 2011-10-14 Raute Oyj Laite tasomaisten tuotteiden mikroaaltolämmitystä varten
CN101726165B (zh) * 2008-10-29 2014-11-19 机械科学研究总院先进制造技术研究中心 一种织物烘干装置和方法
GB0823091D0 (en) * 2008-12-18 2009-01-28 Univ Nottingham Exfoliating vermiculite and other minerals
WO2010120598A1 (en) * 2009-04-15 2010-10-21 Dow Global Technologies, Inc. Continuous-feed furnace assembly and processes for preparing and continuously thermally exfoliating graphite oxide
US20100301212A1 (en) * 2009-05-18 2010-12-02 The Regents Of The University Of California Substrate-free gas-phase synthesis of graphene sheets
US20110300057A1 (en) * 2010-06-07 2011-12-08 Robert Angelo Mercuri Production Of Nano-Structures
WO2012076853A1 (en) * 2010-12-08 2012-06-14 Innovative Carbon Limited Particulate materials, composites comprising them, preparation and uses thereof

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05238717A (ja) * 1992-02-27 1993-09-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd フラーレンの製造方法及び装置
JPH0891988A (ja) * 1994-09-27 1996-04-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd マイクロ波プラズマ化学蒸着装置
JPH1060652A (ja) * 1995-04-07 1998-03-03 Univ Michigan State 表面のプラズマ処理のための方法及び装置
US20050271574A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Jang Bor Z Process for producing nano-scaled graphene plates
JP2006089344A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Kanac Corp ハイブリッド反応炉とそれを利用した高機能材料の製造方法
JP2010025452A (ja) * 2008-07-19 2010-02-04 Ivoclar Vivadent Ag セラミックスの緻密化方法およびそのための装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2785449A1 (en) 2014-10-08
KR20140117373A (ko) 2014-10-07
JP6315734B2 (ja) 2018-04-25
EP2785449B1 (en) 2017-04-05
US9763287B2 (en) 2017-09-12
JP2015501718A (ja) 2015-01-19
JP6124027B2 (ja) 2017-05-10
US20130134157A1 (en) 2013-05-30
EP2785449A4 (en) 2015-11-25
JP6530098B2 (ja) 2019-06-12
JP2017031051A (ja) 2017-02-09
JP6501208B2 (ja) 2019-04-17
US20170240427A1 (en) 2017-08-24
KR102105216B1 (ko) 2020-04-27
WO2013082202A1 (en) 2013-06-06
JP2018134638A (ja) 2018-08-30
CN104066501B (zh) 2016-01-20
CN104066501A (zh) 2014-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6315734B2 (ja) 剥離した黒鉛を製造するための単一モードのマイクロ波装置
Menezes et al. Microwave fast sintering of ceramic materials
MY167870A (en) Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture
MY166639A (en) A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
CN201625531U (zh) 一种多功能超声微波协同化学反应器
CN110268095B (zh) 用于微波等离子体辅助沉积的模块化反应器
CN101673655B (zh) 一种用于沉积金刚石薄膜的微波等离子体谐振腔
CN110112513A (zh) 一种基于可调谐仿表面等离子体的宽带片上太赫兹开关
Honda et al. Anisotropic properties of highly textured porous alumina formed from platelets
Li et al. Simulation of diamond synthesis by microwave plasma chemical vapor deposition with multiple substrates in a substrate holder
US9758378B2 (en) Single mode microwave device for producing exfoliated graphite
CN103390800B (zh) 基于人工电磁材料的表面等离激元透镜
CN103165401A (zh) 一种小型化的微波等离子无电极金卤灯
CN205687564U (zh) 一种石墨烯材料合成装置
CN203398306U (zh) 基于人工电磁材料的表面等离激元透镜
CN201574211U (zh) 一种筒式单晶炉的石墨热场
CN202226963U (zh) 一种多晶硅铸锭炉
CN103035997A (zh) 一种谐振腔
CN206052207U (zh) 一种分段式籽晶轴装置
CN202275919U (zh) 一种谐振腔
CN203192763U (zh) 一种小型化的微波等离子无电极金卤灯
CN103508452A (zh) 一种金刚石结晶机
RU2021133402A (ru) Производство лабораторно-выращенных алмазов
Hu et al. Simulation and deposition experimental study of a microwave plasma chemical vapor deposition device with an oblique cone structure design
CN103490122A (zh) 一种基于热敏铁氧体的温控负折射开关及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180216

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180221

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180323

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6315734

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150