JP2017183310A - 液処理装置 - Google Patents

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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract

【課題】基板を精度良く置きつつ、基板の下面における液残りを低減すること。【解決手段】実施形態に係る液処理装置は、傾斜部と、複数の支持部材と、処理液供給部と、回転機構とを備える。傾斜部は、基板の下方に配置され、基板の外側から基板の内側に向かって下り傾斜し且つ基板の周方向に沿って延在する傾斜面を有する。複数の支持部材は、傾斜面に対して突出して設けられ、基板を下方から支持する。処理液供給部は、複数の支持部材に支持された基板の上面に処理液を供給する。回転機構は、傾斜部を回転させる。また、複数の支持部材は、基板の外側から基板の内側に向かって延在する長細形状を有する。【選択図】図５

Description

開示の実施形態は、液処理装置に関する。
従来、半導体ウェハやガラス基板等の基板に対して液処理を行う液処理装置として、枚葉式の液処理装置が知られている。枚葉式の液処理装置は、たとえば、基板の外周部を保持して回転する基板保持部と、基板保持部に保持される基板の上面に対して処理液を供給する供給部とを備える。
このような液処理装置においては、基板の上面に供給された処理液の下面への回り込みを低減することが望まれている。そこで、近年、基板の周方向に沿って延在する傾斜面に基板を支持させて、基板の下面と傾斜面とを基板の略全周に亘って接触させることで、基板の上面から下面への処理液の回り込みを抑制する液処理装置が提案されている。
しかしながら、基板が反っている場合、基板と傾斜面との間に僅かな隙間が生じ、かかる隙間から基板の下面側に処理液が回り込むおそれがある。このため、上記の液処理装置においては、処理後の基板の下面周縁部に液残りが発生する場合があった。
一方、特許文献１には、傾斜面に球面状の支持部材を複数設け、かかる支持部材を用いて基板を支持する液処理装置が開示されている。具体的には、球面状の支持部材は、基板の下面において、外周縁から１〜２ｍｍ中心側の位置を支持するように配置される。
特開２０１０−９３１９０号公報
しかしながら、特許文献１に記載された構造では、たとえば、基板のパターン形成面を下面として液処理を行う場合に、精度よく基板を置くことができず、支持部材とパターン形成面との干渉が起きてしまうこともある。
実施形態の一態様は、基板を精度良く置きつつ、基板の下面における液残りを低減することができる液処理装置を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る液処理装置は、傾斜部と、複数の支持部材と、処理液供給部と、回転機構とを備える。傾斜部は、基板の下方に配置され、基板の外側から基板の内側に向かって下り傾斜し且つ基板の周方向に沿って延在する傾斜面を有する。複数の支持部材は、傾斜面に対して突出して設けられ、基板を下方から支持する。処理液供給部は、複数の支持部材に支持された基板の上面に処理液を供給する。回転機構は、傾斜部を回転させる。また、複数の支持部材は、基板の外側から基板の内側に向かって延在する長細形状を有する。
実施形態の一態様によれば、基板を精度良く置きつつ、基板の下面における液残りを低減することができる。
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図２は、処理ユニットの構成を説明するための図である。 図３は、把持部およびリフトピンの動作説明図である。 図４は、回転プレートの斜視図である。 図５は、回転プレートの平面図である。 図６は、図５におけるＡ−Ａ線断面図である。 図７は、図５におけるＨ１部の拡大図である。 図８は、図７におけるＢ−Ｂ線矢視断面図である。 図９は、図５におけるＨ２部の拡大図である。 図１０は、図９におけるＣ−Ｃ線矢視断面図である。 図１１は、図９におけるＤ−Ｄ線矢視断面図である。 図１２は、本実施形態に係る回転プレートにおけるウェハとの接触部分を拡大した模式断面図である。 図１３は、第１変形例に係る乾燥促進処理の動作例を示す図である。 図１４は、第２変形例に係る乾燥促進処理の動作例を示す図である。 図１５は、第２変形例に係る乾燥促進処理の動作例を示す図である。 図１６は、第３変形例に係る整流板の構成を示す図である。 図１７は、第４変形例に係る支持部材の構成を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する液処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
＜処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６の構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の構成を説明するための図である。
図２に示すように、処理ユニット１６は、ほぼ方形の筐体２１と、筐体２１内のほぼ中央部に設けられ、上面が開口する略円筒形状のカップ部２２と、カップ部２２の内側に配置され、ウェハＷを保持するとともに回転することができるウェハ保持回転部２３と、ウェハ保持回転部２３に保持されるウェハＷに対して処理液を供給するとともにウェハＷの上面に接してウェハＷの上面を洗浄するブラシ２４とを備える。
筐体２１には、基板搬送装置１７（図１参照）によりウェハＷを筐体２１に搬入出するための図示しない搬送口が形成されている。搬送口には、図示しないシャッタが設けられ、搬入出時にはシャッタが開き、処理時にはシャッタは閉じ搬送口は閉じられている。
カップ部２２は、ウェハＷに対して供給される処理液を受け、図示しないドレインから処理液を排出する。
ウェハ保持回転部２３は、筐体２１の下方に配置されるモータＭに接続されて回転する回転シャフト２３Ｓと、下面のほぼ中央部において回転シャフト２３Ｓに取り付けられる回転プレート２３Ｐとを有している。なお、モータＭおよび回転シャフト２３Ｓは、「回転機構」の一例に相当する。
回転シャフト２３Ｓには、その中央部を貫通する導管２３Ｃが形成されている。導管２３Ｃは、バルブ等の流量調整機構２５を介してＮ２ガス供給源２６に接続される。ウェハ保持回転部２３の回転プレート２３Ｐと、ウェハ保持回転部２３により保持されるウェハＷとの間には空間が形成されており、導管２３Ｃを通ったＮ２ガスは、導管２３Ｃの上端からこの空間へ流れ出て、外周に向かって流れる。ウェハ保持回転部２３およびウェハＷが回転すると、回転プレート２３ＰとウェハＷとの間の空間がウェハＷ上方の空間よりも陰圧になる。そうすると、ウェハＷの中心部が撓んで、ウェハＷの上面の平坦性が悪化し、液処理の均一性もまた悪化するおそれがある。しかし、その空間にＮ２ガスを供給しているため、ウェハＷの中心部の撓みを抑制することが可能となる。また、回転プレート２３ＰとウェハＷとの間の空間からＮ２ガスが吹き出すため、ウェハＷの上面に供給される処理液が下面に付着するのを低減する効果が得られる。
なお、導管２３Ｃから供給される気体は、Ｎ２ガスに限らず、アルゴンガス等の他の不活性ガスやドライエア等であってもよい。導管２３Ｃ、流量調整機構２５およびＮ２ガス供給源２６は、気体供給部の一例に相当する。
ブラシ２４は、水平面内で回動可能で上下動可能なアーム２４Ａにより支持されている。アーム２４Ａ内には、ウェハＷに対して供給される処理液が流れる導管２４Ｃが形成されている。導管２４Ｃは、バルブ等の流量調整機構２７を介して処理液供給源２８に接続される。アーム２４Ａが回動し下降し、ブラシ２４がウェハＷの上面に接すると同時に（又は僅かに前に）、処理液供給源２８からの処理液（例えば脱イオン水）が、導管２４Ｃ内を流れて、ブラシ２４の基端に設けられた開口２４ＢからウェハＷの上面に供給される。これにより、ブラシ２４はウェハＷの上面に接することにより、ウェハＷの上面を洗浄するとともに、ブラシ２４により除去されたパーティクルや残留物等を処理液により洗い流すことができる。
本実施形態において、ウェハＷは、パターン形成面を下方に向けた状態で把持部２３Ｇに把持され、パターン形成面とは反対側の面をブラシ２４によって処理される。
なお、ここでは、処理ユニット１６がブラシ２４を備えることとしたが、処理ユニット１６は、ウェハＷの上面に処理液を吐出するノズルを別途備えていてもよい。
回転プレート２３Ｐは、円板形状を有する部材であり、ウェハＷの下方に配置される。回転プレート２３Ｐの周縁部には、ウェハＷの周縁部を押さえることによりウェハＷを側方から把持する複数（図２では１つのみを図示）の把持部２３Ｇが設けられる。
各把持部２３Ｇは、回動軸２３Ｔまわりに回動可能なレバー部材２３Ｌと、レバー部材２３Ｌの回動に伴って回動することによってウェハＷの周縁部に接触可能な把持片２３Ａとを有している。各レバー部材２３Ｌの下方には、レバー部材２３Ｌの一端に当接可能な押上板４１が設けられている。押上板４１は、水平方向に延在しており、鉛直方向に円座する複数の支柱部材４２によって下方から支持される。複数の支柱部材４２は、水平方向に延在するアーム部材４３によって下方から支持されており、アーム部材４３は、昇降機構４４により上下動する。
また、回転プレート２３Ｐの周縁部には、基板搬送装置１７（図１参照）との間でウェハＷの受け渡しを行う際に、ウェハＷの周縁部を下方から支持して上下動させる複数（図２では１つのみ図示）のリフトピン２３Ｈを備える。リフトピン２３Ｈは、鉛直方向に延在し、水平方向に延在するアーム部材５１によって支持される。アーム部材５１は、昇降機構５２により上下動する。
ここで、上述した把持部２３Ｇおよびリフトピン２３Ｈの動作について図３を参照して説明する。図３は、把持部２３Ｇおよびリフトピン２３Ｈの動作説明図である。
図３に示すように、ウェハＷの搬入時において、押上板４１は、昇降機構４４によって上方に移動しており、把持部２３Ｇのレバー部材２３Ｌの一端を上方へ押し上げている。このため、レバー部材２３Ｌの他端に設けられた把持片２３Ａは外方に傾いている。また、ウェハＷの搬入時において、リフトピン２３Ｈは、昇降機構５２によって上方に移動しており、回転プレート２３Ｐよりも高い位置に配置された状態となっている。
筐体２１に搬入されたウェハＷは、基板搬送装置１７からリフトピン２３Ｈに受け渡される。その後、リフトピン２３Ｈが所定位置まで降下すると、押上板４１が降下する。これにより、押上板４１とレバー部材２３Ｌとの接触状態が解除され、レバー部材２３Ｌが回動軸２３Ｔを中心に回動し、これに伴って把持片２３ＡがウェハＷの周縁部に押しつけられる。複数の把持部２３Ｇの把持片２３ＡがウェハＷの周縁部を押しつけることにより、ウェハＷが把持される。この状態で、モータＭが回転すると、回転プレート２３Ｐと、これに取り付けられた把持部２３Ｇとが回転し、回転プレート２３Ｐ上で把持部２３Ｇに把持されたウェハＷが回転する。
＜回転プレートの構成＞
次に、回転プレート２３Ｐの構成について図４および図５を用いて説明する。図４は、回転プレート２３Ｐの斜視図であり、図５は、回転プレート２３Ｐの平面図である。
図４および図５に示すように、回転プレート２３Ｐは、第１平坦部６１と、傾斜部６２と、第２平坦部６３とを備える。
第１平坦部６１は、ウェハＷよりも小径の円板形状を有する。第１平坦部６１の中央部には、ウェハＷの下面に対してＮ２ガスを供給するための開口部６１ａが設けられる。
傾斜部６２は、第１平坦部６１の外周縁に連接して配置される。傾斜部６２は、ウェハＷよりも大径であり、ウェハＷの外側（第２平坦部６３）からウェハＷの内側（第１平坦部６１）に向かって下り傾斜する傾斜面を有する。かかる傾斜面は、ウェハＷの周方向に沿って延在する。具体的には、傾斜部６２の傾斜面は、第１平坦部６１の外周縁の全周に亘って設けられる。第２平坦部６３は、傾斜部６２の外周縁に連接する平坦面を有する。
また、回転プレート２３Ｐは、複数の第１切欠部６４と、複数の第２切欠部６５と、複数の支持部材６６と、複数の嵩上げ部６７とを備える。
複数の第１切欠部６４は、回転プレート２３Ｐの外周縁のうち複数の把持片２３Ａに対応する各部分を径方向内側に向かって切り欠いたものである。第１切欠部６４は、傾斜部６２の傾斜面の中途部まで到達する。把持部２３Ｇの把持片２３Ａは、かかる第１切欠部６４に配置される。
複数の第２切欠部６５は、回転プレート２３Ｐの外周縁のうち複数のリフトピン２３Ｈに対応する各部分を径方向内側に向かって切り欠いたものである。第２切欠部６５は、第１切欠部６４よりも大きく、傾斜部６２の傾斜面の下部まで到達する。リフトピン２３Ｈは、かかる第２切欠部６５を介して上下動する。
なお、本実施形態では、３つの第１切欠部６４および３つの第２切欠部６５が、回転プレート２３Ｐの外周部に対して所定の間隔を空けて交互に配置される場合の例を示すが、複数の第１切欠部６４および第２切欠部６５の個数や配置は、上記の例に限定されない。
複数の支持部材６６は、傾斜部６２の傾斜面に対して突出して設けられ、ウェハＷを下方から支持する。かかる支持部材６６は、ウェハＷの外側から内側に向かって、具体的には、第１平坦部６１（換言すればウェハＷ）の径方向に沿って延在する長細形状を有する。
ここで、支持部材６６の構成について図６を参照して説明する。図６は、図５におけるＡ−Ａ線断面図である。
図６に示すように、支持部材６６は、傾斜部６２の傾斜面６２ａと同一角度で傾斜する傾斜面６６ａを有しており、かかる傾斜面６６ａにおいてウェハＷを支持する。支持部材６６における傾斜面６６ａの傾斜部６２における傾斜面６２ａからの突出高さｄ１は、ウェハＷの上面側からのパーティクルの進入を防止しつつ、ウェハＷの下面へ回り込んだ処理液が適度に排出される高さに設定される。例えば、回転プレート２３Ｐの底面（第１平坦部６１の上面）から平坦面６３ａまでの高さが５ｍｍであるとき、突出高さｄ１は０．３ｍｍ程度の高さに設定される。
また、支持部材６６は、傾斜面６６ａおよび第２平坦部６３の平坦面６３ａに連接する平坦面６６ｂを有する。平坦面６６ｂは、第２平坦部６３の平坦面６３ａと同一の高さに設けられる。
図７は、図５におけるＨ１部の拡大図である。また、図８は、図７におけるＢ−Ｂ線矢視断面図である。図７および図８に示すように、複数の支持部材６６のうち２つは、第１切欠部６４の周方向両側に隣接して配置される。
図９は、図５におけるＨ２部の拡大図である。また、図１０は、図９におけるＣ−Ｃ線矢視断面図であり、図１１は、図９におけるＤ−Ｄ線矢視断面図である。
図９および図１０に示すように、複数の支持部材６６のうち２つは、第２切欠部６５の周方向両側にも隣接して配置される。
また、図９および図１１に示すように、第２切欠部６５よりも回転プレート２３Ｐの径方向内側には、傾斜部６２の傾斜面６２ａおよび第１平坦部６１の平坦面６１ｂの一部を嵩上げする嵩上げ部６７が設けられる。
嵩上げ部６７は、第２切欠部６５および第２切欠部６５の両側に設けられる２つの支持部材６６に連接する。具体的には、嵩上げ部６７は、第２切欠部６５の両側に設けられる２つの支持部材６６の各傾斜面６６ａに連接する平坦面６７ａと、平坦面６７ａおよび第１平坦部６１の平坦面６１ｂに連接する傾斜面６７ｂとを有する。
嵩上げ部６７における平坦面６７ａの第１平坦部６１における平坦面６１ｂからの嵩上げ高さｄ２は、平坦面６７ａがウェハＷの下面に接しない高さに設定される。具体的には、嵩上げ部６７の平坦面６７ａの外周縁は、ウェハＷの外周縁よりも径方向内側に位置しており、ウェハＷは、嵩上げ部６７の平坦面６７ａよりも高い位置において支持部材６６の傾斜面６６ａに支持される。
＜支持部材の作用＞
次に、上述した支持部材６６の作用について説明する。図１２は、本実施形態に係る回転プレート２３ＰにおけるウェハＷとの接触部分を拡大した模式断面図である。
仮に、支持部材６６の傾斜面にウェハＷを接触させて直接支持し、ウェハＷの上面側から下面側へ至る経路を傾斜面によって塞ぐようにしたとする。この構成をとることにより、ウェハＷの下面側への処理液Ｌの回り込みを抑制する効果は得られる。しかしながら、ウェハＷが反っている場合、ウェハＷと傾斜面との間に生じた僅かな隙間からウェハＷの下面側に処理液が回り込むおそれがある。
処理ユニットは、処理液を用いてウェハＷを処理した後、ウェハＷを高速で回転させてウェハＷに残存する処理液を遠心力によって除去する乾燥処理を行う。しかしながら、ウェハＷの下面側に回り込んだ処理液は、ウェハＷの反りによって生じた僅かな隙間からは抜けにくく、ウェハＷの下面側に残存し易い。したがって、従来の液処理装置においては、処理後のウェハＷの下面周縁部に液残りが発生するおそれがある。
これに対し、本実施形態に係る処理ユニット１６では、図１２に示すように、支持部材６６から突出して設けられた傾斜面６６ａにウェハＷを支持させることとした。これにより、ウェハＷと傾斜面６２ａとの間には、一定の隙間が設けられるため、ウェハＷの下面側への処理液Ｌの回り込みを傾斜部６２によってある程度防止しつつ、ウェハＷの下面側へ回り込んだ処理液Ｌをかかる隙間からウェハＷの回転に伴う遠心力とＮ２ガスの作用によってウェハＷの外方へ効率よく排出することができる。
また、本実施形態に係る支持部材６６は、ウェハＷの外側から内側に向かって延在する長細形状を有するため、局所的にみたときに、長細形状の平面によってウェハＷの下面周縁部の曲面を点接触で支持することとなる。よって、本実施形態のようにウェハＷのパターン形成面が下面を向いている場合であっても、パターンが形成されない部分であるウェハＷの下面周縁部が接触するように支持部材６６にウェハＷを精度良く置くことができる。したがって、簡単な構成で、例えばパターン形成面と支持部材６６との干渉等の不具合を防ぐことができる。
したがって、本実施形態に係る処理ユニット１６によれば、ウェハＷを精度良く置きつつ、ウェハＷの下面における液残りを低減することができる。
また、支持部材６６を単に設けることとすると、第１切欠部６４および第２切欠部６５の周辺においてウェハＷとの隙間が必要以上に大きくなるおそれがある。この場合、導管２３Ｃ（図２参照）からウェハＷの下面に供給されるＮ２ガスの流速が、第１切欠部６４および第２切欠部６５の周辺において他の部分よりも低くなり、第１切欠部６４および第２切欠部６５の周辺からパーティクル等が進入し易くなる。
そこで、本実施形態に係る処理ユニット１６では、第１切欠部６４および第２切欠部６５の周方向両側に２つの支持部材６６をそれぞれ配置することとした。これにより、第１切欠部６４および第２切欠部６５の周辺におけるＮ２ガスの流速の低下が抑制されるため、第１切欠部６４および第２切欠部６５の周辺からのパーティクル等の進入を抑制することができる。
また、第２切欠部６５は、第１切欠部６４よりも大きく形成されるため、第２切欠部６５の周辺におけるＮ２ガスの流速の低下は、第１切欠部６４の周辺におけるＮ２ガスの流速の低下と比べて大きくなる可能性がある。そこで、本実施形態に係る処理ユニット１６では、第２切欠部６５よりも径方向内側に位置する部分を嵩上げ部６７により嵩上げすることとした。これにより、第２切欠部６５よりも径方向内側に位置する部分におけるウェハＷとの隙間が小さくなるため、第２切欠部６５の周辺におけるＮ２ガスの流速の低下をさらに抑えることができる。
＜変形例＞
次に、本実施形態に係る処理ユニット１６の変形例について説明する。まず、第１変形例について図１３を参照して説明する。図１３は、第１変形例に係る乾燥促進処理の動作例を示す図である。
図１３に示すように、処理ユニット１６は、リフトピン２３Ｈを用いてウェハＷを支持部材６６から離隔させた状態でウェハＷの下面にＮ２ガスを供給してウェハＷの下面に残存する処理液の乾燥を促進させてもよい。
具体的には、制御部１８は（図１参照）、ブラシ２４（処理液供給部の一例）を用いてウェハＷを処理した後、ウェハＷを高速回転させてウェハＷの上面に残存する処理液を除去する。つづいて、制御部１８は、ウェハＷの回転を停止した後、複数のリフトピン２３Ｈを用いてウェハＷを複数の支持部材６６から離隔させ、この状態で、導管２３Ｃ（図２参照）からウェハＷの下面に対してＮ２ガスを供給する。
このようにすることで、ウェハＷの下面に残存する処理液をより効率よく排出することができる。したがって、ウェハＷの下面の液残りを更に低減させることができる。
なお、制御部１８は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、後述する制御を実現する。また、記憶部１９は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）等の半導体メモリ素子、又は、ハードディスク、光ディスク等の記憶装置によって実現される。
次に、第２変形例について図１４および図１５を参照して説明する。図１４および図１５は、第２変形例に係る乾燥促進処理の動作例を示す図である。
図１４に示すように、制御部１８は、上述した乾燥促進処理においてリフトピン２３Ｈを上昇させる場合に、基板搬送装置１７との間でウェハＷを受け渡しする場合にリフトピン２３Ｈを上昇させる速度よりも速い速度でリフトピン２３Ｈを上昇させてもよい。このように、リフトピン２３Ｈを高速で上昇させることで、ウェハＷの下面側へ回り込んだ処理液Ｌが、ウェハＷの下面に残存する処理液Ｌと、傾斜部６２または支持部材６６の傾斜面６２ａ，６６ａに残存する処理液Ｌとに分離する。これにより、リフトピン２３Ｈを通常の速度で上昇させた場合と比較し、ウェハＷの下面に残存する処理液Ｌの量を減らすことができる。
その後、制御部１８は、リフトピン２３Ｈを降下させて、ウェハＷを支持部材６６に接近させた後、導管２３Ｃ（図２参照）からウェハＷの下面に対してＮ２ガスを供給する。このように、リフトピン２３Ｈを降下させてウェハＷと傾斜部６２との隙間を狭めることで、図１４の状態でＮ２ガスを供給する場合と比較し、Ｎ２ガスの流速の低下が抑えられるため、ウェハＷの下面から処理液Ｌを効率よく除去することができる。
次に、第３変形例について図１６を参照して説明する。図１６は、第３変形例に係る整流板の構成を示す図である。なお、図１６では、理解を容易にするため、把持部２３Ｇや押上板４１等を適宜省略して示している。
図１６に示すように、処理ユニット１６は、整流板２９を備えていてもよい。整流板２９は、カップ部２２の内部において回転プレート２３Ｐよりも下方に設けられる。整流板２９は、回転プレート２３Ｐとカップ部２２との間に配置される周壁部２９ａと、周壁部２９ａをカップ部２２に固定する固定部２９ｂとを備える。周壁部２９ａは、カップ部２２の内壁に沿った形状を有する。
かかる整流板２９を備えることで、カップ部２２の外側から内側へ向かう気流のカップ部２２内での乱れ（巻き起こり）を抑制することができる。このため、筐体２１内部の排気を効率よく行うことができる。
次に、第４変形例について図１７を参照して説明する。図１７は、第４変形例に係る支持部材６６の構成を示す図である。
上述した実施形態では複数の支持部材６６が、ウェハＷの（換言すれば第１平坦部６１の）径方向に沿って延在する場合の例について説明したが、図１７に示すように、複数の支持部材６６は、径方向外側の端部（すなわち第２平坦部６３側の端部）を径方向内側の端部（すなわち第１平坦部６１側の端部）よりもウェハＷの回転方向後方側にずらした形状を有していてもよい。これにより、ウェハＷの下面側に回り込んだ処理液を支持部材６６の側面に沿って効率よく排出することができる。
上述してきたように、実施形態に係る液処理装置は、傾斜部と、複数の支持部材と、処理液供給部と、回転機構とを備える。傾斜部は、基板の下方に配置され、基板の外側から基板の内側に向かって下り傾斜し且つ基板の周方向に沿って延在する傾斜面を有する。複数の支持部材は、傾斜面に対して突出して設けられ、基板を下方から支持する。処理液供給部は、複数の支持部材に支持された基板の上面に処理液を供給する。回転機構は、傾斜部を回転させる。また、複数の支持部材は、基板の外側から基板の内側に向かって延在する長細形状を有する。
したがって、実施形態に係る処理ユニット１６によれば、パターン形成面との干渉を防ぎつつ、基板の下面における液残りを低減することができる。
なお、上述してきた実施形態では、処理液供給部の一例として、処理液を吐出するための開口２４Ｂを備えたブラシ２４を挙げて説明したが、処理液供給部は、ブラシ２４に限定されず、処理液を吐出するノズルであってもよい。処理ユニット１６は、必ずしもブラシ２４を備えることを要しない。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
Ｗ ウェハ
１６ 処理ユニット
２３ ウェハ保持回転部
２３Ｐ 回転プレート
６１ 第１平坦部
６２ 傾斜部
６３ 第２平坦部
６４ 第１切欠部
６５ 第２切欠部
６６ 支持部材
６７ 嵩上げ部

Claims (8)

  1. 基板の下方に配置され、前記基板の外側から前記基板の内側に向かって下り傾斜し且つ前記基板の周方向に沿って延在する傾斜面を有する傾斜部と、
    前記傾斜面に対して突出して設けられ、前記基板を下方から支持する複数の支持部材と、
    前記複数の支持部材に支持された前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、
    前記傾斜部を回転させる回転機構と
    を備え、
    前記複数の支持部材は、
    前記基板の外側から前記基板の内側に向かって延在する長細形状を有すること
    を特徴とする液処理装置。
  2. 前記基板を側方から把持する複数の把持部
    を備え、
    前記傾斜部は、
    前記傾斜面の外周縁のうち前記複数の把持部に対応する各部分を切り欠いた複数の第１切欠部
    を備え、
    前記第１切欠部の両側に前記複数の支持部材のうち２つが設けられること
    を特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
  3. 前記基板を上方へ持ち上げて前記複数の支持部材から離隔させる複数のリフトピン
    を備え、
    前記傾斜部は、
    前記傾斜面の外周縁のうち前記複数のリフトピンに対応する各部分を切り欠いた複数の第２切欠部
    を備え、
    前記第２切欠部の両側に前記複数の支持部材のうち２つが設けられること
    を特徴とする請求項１または２に記載の液処理装置。
  4. 前記傾斜部は、
    前記第２切欠部および前記第２切欠部の両側に設けられる２つの前記支持部材に連接し、前記第２切欠部よりも径方向内側に位置する部分を嵩上げした嵩上げ部
    を備えることを特徴とする請求項３に記載の液処理装置。
  5. 前記複数の支持部材は、
    前記基板の径方向に沿って延在すること
    を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の液処理装置。
  6. 前記複数の支持部材は、
    長手方向における両端部のうち前記基板の径方向外側に位置する端部を前記基板の径方向内側に位置する端部よりも前記回転機構による前記基板の回転方向後方側にずらした形状を有すること
    を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の液処理装置。
  7. 前記複数の支持部材に支持された前記基板の上面をブラシにより洗浄するブラシ洗浄部
    を備え、
    前記複数の支持部材は、
    パターン形成面を下方に向けた前記基板を下方から支持すること
    を特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の液処理装置。
  8. 前記基板を上方へ持ち上げて前記複数の支持部材から離隔させる複数のリフトピンと、
    前記傾斜部よりも径方向内側から前記基板の下面に対して気体を供給する気体供給部と、
    前記処理液供給部を用いて前記基板を処理した後、前記複数のリフトピンを用いて前記基板を前記複数の支持部材から離隔させた状態で、前記気体供給部を用いて前記基板の下面に対して気体を供給する制御部と
    を備えることを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
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