JP2017199677A - 漏電遮断器の制御回路 - Google Patents

漏電遮断器の制御回路 Download PDF

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Abstract

【課題】入力増幅器のオフセット電圧の発生による漏電判定のエラーを防止する漏電遮断器の制御回路を提供する。
【解決手段】本発明による漏電遮断器の制御回路は、回路の零相電流を漏電検出信号として検出する零相変流器10と、前記漏電検出信号に含まれる高周波ノイズを除去するフィルタ回路部20と、前記漏電検出信号の電流とフィルタ回路部20のインピーダンスにより形成される電圧を増幅し、ベースがフィルタ回路部20の両出力端にそれぞれ接続される一対のトランジスタQ1、Q2を備える入力増幅器30と、一対のトランジスタQ1、Q2のベースに共通に接続され、一対のトランジスタQ1、Q2に同じ量のベース電流を供給するベース電流発生器60と、入力増幅器30から出力される前記増幅された電圧の値と予め設定された基準電圧値とを比較してトリップ制御信号を出力するか否かを決定するトリップ決定回路部40とを含む。
【選択図】図1

Description

本発明は、漏電遮断器に関し、特に、零相変流器(Zero Phase Current Transformer; ZCT)の漏電検出電圧入力を増幅する入力増幅器を有する漏電遮断器の制御回路に関する。
回路遮断器(Circuit Breaker)は、回路に過電流や短絡電流などの事故電流(fault current)が発生するとそれを検出して自動的に回路遮断動作(トリップ動作)を行うことにより、回路と回路に接続された負荷を事故電流から保護する電気機器である。
漏電遮断器(Electric Leakage Circuit Breaker)は、電気エネルギーを供給する電力回路の電流が部分的にでも負荷側に流れずに大地に流れる漏電が発生するとそれを検出して自動的に回路を遮断する構成を、前記回路遮断器にさらに取り付けた電気機器である。
本発明は、このような漏電遮断器に関し、特に、回路に漏電が発生するとそれを検出してトリップ動作を開始するか否かを決定する漏電遮断器の制御回路に関する。
図5は従来技術による漏電遮断器の制御回路の構成を示すブロック図である。
従来技術による漏電遮断器の制御回路は、零相変流器(ZCT)10、フィルタ回路部20、入力増幅器30及びトリップ決定回路部40を含む。
零相変流器10は、内部に回路が貫通する環状のコアと、前記コアに巻回され、前記回路に漏電が発生すると誘導される漏電検出信号としての零相電流(IL)を出力する二次コイルとを含む。
フィルタ回路部20は、前記二次コイルに接続され、前記零相電流(IL)からノイズを除去する。
入力増幅器30は、フィルタ回路部20及びトリップ決定回路部40間に接続される。
入力増幅器30は、典型的な演算増幅器(Operational Amplifier)で構成されてもよい。
フィルタ回路部20を通過した零相電流(IL)は、入力増幅器30の一対のトランジスタQ1、Q2のベース電流(Ib)として供給される。
入力増幅器30に供給された零相電流(IL)は、一対のトランジスタQ1、Q2のベース電流(Ib)に対するコレクタ電流(Ic)の比率で増幅される。
入力増幅器30の出力電流、すなわちコレクタ電流(Ic)は、一対のトランジスタQ1、Q2のコレクタに接続されたコレクタ抵抗により電圧となり、トリップ決定回路部40に印加される。
トリップ決定回路部40は、増幅された前記漏電検出信号としての入力増幅器30の出力電圧値と予め設定されたトリップ決定のための基準電圧値とを比較し、前記出力電圧値が前記基準電圧値以上の場合、トリップ動作を開始することを決定し、トリップ制御信号を出力するようにしてもよい。
前記トリップ制御信号は、例えば、公知のマグネチックトリップ機構などのトリップ機構50に伝達される。
トリップ機構50は、例えば、コイル(図示せず)と、アーマチュアやプランジャなどの出力部(図示せず)とを含んでもよい。トリップ機構50は、前記コイルが前記トリップ制御信号により磁化すると、前記コイルの磁力により前記出力部を移動させ、開閉機構(図示せず)が自動的に回路遮断動作(トリップ動作)を行うようにトリガする。
すると、前記開閉機構により可動接点(図示せず)が対応する固定接点(図示せず)から分離し、漏電発生による回路遮断が行われる。
図5を参照すると、入力増幅器30は、演算増幅器回路で構成されてもよい。
前記演算増幅器回路は、一対のトランジスタQ1、Q2と、一対のトランジスタQ1、Q2のコレクタに接続される2つの定電流源と、一対のトランジスタQ1、Q2のエミッタに共通に接続される1つの定電流源とを含んでもよい。
このような従来技術による漏電遮断器の制御回路において、フィルタ回路部20を通過した零相電流(IL)は、入力増幅器30に入力され、入力増幅器30の一対のトランジスタQ1、Q2のベース電流(Ib)として用いられ、残りの電流
Figure 2017199677
は再び零相変流器10に送られる。
前記残りの電流
Figure 2017199677
とフィルタ回路部20のインピーダンス(Z)により電圧降下(Vd)が生じるが、当該電圧降下(Vd)は下記数式1のように表される。
Figure 2017199677
すなわち、入力増幅器30により増幅されるのは零相電流(IL)とフィルタ回路部20のインピーダンス(Z)の積からなる零相電流(IL)の電圧変換値のみでなければならないが、上記数式1のように、
Figure 2017199677
と入力増幅器30の増幅度の積に相当する零相電流(IL)の電圧変換値の誤差(オフセット電圧)が発生する。
当該零相電流(IL)の電圧変換値の誤差は後続のステージのトリップ決定回路部40のトリップ決定において誤動作を起こすことがあるという問題があった。
本発明は、このような従来技術の問題を解決するためになされたものであり、漏電検出信号の増幅において誤差(オフセット電圧)の発生を防止することにより正確な漏電判定を行うことができる漏電遮断器の制御回路を提供することを目的とする。
本発明の上記目的は、回路の零相電流を漏電検出信号として検出する零相変流器と、前記漏電検出信号に含まれる高周波ノイズを除去するフィルタ回路部と、前記漏電検出信号の電流及び前記フィルタ回路部のインピーダンスにより形成される電圧を増幅し、ベースが前記フィルタ回路部の両出力端にそれぞれ接続される一対のトランジスタを備える入力増幅器と、前記一対のトランジスタのベースに共通に接続され、前記一対のトランジスタに同じ量のベース電流を供給するベース電流発生器と、前記入力増幅器から出力される前記漏電検出信号としての前記増幅された電圧の値と予め設定された基準電圧値とを比較してトリップ制御信号を出力するか否かを決定するトリップ決定回路部とを含む、本発明による漏電遮断器の制御回路を提供することにより達成することができる。
本発明の好ましい一態様によれば、前記ベース電流発生器は、電流ミラー回路で構成される。
本発明の好ましい他の態様によれば、前記電流ミラー回路は、BJT(Bipolar Junction Transistor)ミラー回路である。
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、前記電流ミラー回路は、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)ミラー回路である。
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、前記電流ミラー回路は、基準電流が流れる第1BJTと、前記第1BJTのベースに接続されるベースを有し、前記基準電流と同じ電流値の出力電流を供給する第2BJTと、前記第1BJTのベースに接続されるベースを有し、前記基準電流と同じ電流値の出力電流を供給する第3BJTとを含む。
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、前記第1BJT、前記第2BJT及び前記第3BJTは、同じ電気的特性を有するBJTで構成される。
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、本発明による漏電遮断器の制御回路は、前記ベース電流発生器に接続され、前記一対のトランジスタのベースに供給される前記ベース電流を調整することにより、前記ベース電流に対する前記一対のトランジスタのコレクタ電流のゲインを調整するゲイン調整器をさらに含む。
本発明の好ましいさらに他の態様によれば、前記ゲイン調整器は、定電圧源と、前記定電圧源に直列に接続される可変抵抗とから構成され、前記可変抵抗の抵抗値の調整により前記ベース電流を調整するように構成される。
本発明による漏電遮断器の制御回路は、従来技術とは異なり、検出した零相電流が入力増幅器を構成する一対のトランジスタのベース電流として用いられるのではなく、一対のトランジスタのベース電流を供給するベース電流発生器を備えるので、零相電流と2つのトランジスタのベース電流の差を発生させる電圧降下、すなわちオフセット電圧が生じない。従って、入力増幅器により増幅される漏電検出信号にオフセット電圧が含まれないので、正確な漏電判定を行える漏電遮断器の制御回路を提供できるという効果がある。
また、本発明による漏電遮断器の制御回路は、ゲイン調整器を用いて入力増幅器の一対のトランジスタのベース電流を調整することにより、一対のトランジスタのコレクタ電流、すなわち出力電流の変化(ゲイン)及び出力電圧の変化(ゲイン)を調整でき、このような特性により、トリップ決定回路部の入力信号としての前記漏電検出信号のレベル(電圧レベル)を容易に調整できるという効果がある。
本発明の好ましい一実施形態による漏電遮断器の制御回路の構成を示すブロック図である。 図1に示すベース電流発生器の一構成例(能動素子としてBJTを用いた構成例)を示す回路図である。 図1に示すベース電流発生器の他の構成例(能動素子としてMOSFETを用いた構成例)を示す回路図である。 本発明の好ましい他の実施形態による漏電遮断器の制御回路の構成を示すブロック図である。 図3に示すゲイン調整器の一構成例を示す回路図である。 従来技術による漏電遮断器の制御回路の構成を示すブロック図である。
前述した本発明の目的とそれを達成する本発明の構成及びその作用効果は、添付図面を参照した本発明の好ましい実施形態についての以下の説明によりさらに明確に理解できるであろう。
まず、図1を参照して、本発明の好ましい一実施形態による漏電遮断器の制御回路の構成について説明する。
本発明の好ましい一実施形態による漏電遮断器の制御回路は、零相変流器(ZCT)10、フィルタ回路部20、入力増幅器30、ベース電流発生器60及びトリップ決定回路部40を含む。
トリップ機構50は、周知のように、マグネチックコイルと、前記マグネチックコイルが励磁するとその磁力により回動するアーマチュアや前進するプランジャなどの機械的出力部とを含み、前記漏電遮断器の制御回路により動作する機構である。
トリップ機構50の機械的出力は、周知のように、トリップスプリング、ラッチ、リンクなどから構成された開閉機構がトリップ動作を行うようにトリガする。
零相変流器10は、従来技術と同様に、回路に漏電が発生すると生成される零相電流(IL)を漏電検出信号として検出する。
零相変流器10は、内部に回路が貫通する環状のコアと、前記コアに巻回され、誘導された前記零相電流(IL)を出力する二次コイルとを含む。
フィルタ回路部20は、前記漏電検出信号に含まれる高周波ノイズを除去する回路部であって、公知のローパスフィルタ(Low Pass Filter)回路部で構成されてもよい。
フィルタ回路部20から出力される電流が入力増幅器30のベース電流(Ib)として用いられる従来技術とは異なり、本発明においては、前記零相電流(IL)が再び零相変流器10に送られる。
本発明においては、フィルタ回路部20が有するインピーダンスをZとすると、高周波成分が除去された零相電流(IL)とフィルタ回路部20のインピーダンス(Z)による電圧(電圧降下)、すなわち
Figure 2017199677
が入力増幅器30により増幅される。
すなわち、本発明においては、オフセット電圧による誤差が生じることなく、前記漏電検出信号としての零相電流(IL)とフィルタ回路部20のインピーダンス(Z)による電圧、すなわち前記漏電検出信号の電圧変換値のみ入力増幅器30により増幅されるので、後続のステージでトリップ決定回路部40により正確な漏電判定が行われることになる。
入力増幅器30は、前記漏電検出信号の電流、すなわち零相電流(IL)とフィルタ回路部20のインピーダンス(Z)により形成される電圧を増幅する。
入力増幅器30は、典型的な演算増幅器で構成されてもよい。
入力増幅器30は、ベースがフィルタ回路部20の両出力端にそれぞれ接続される一対のトランジスタQ1、Q2を備える。
入力増幅器30は、一対のトランジスタQ1、Q2のコレクタに定電流を供給する定電流源と、一対のトランジスタQ1、Q2のエミッタに共通に定電流を供給する定電流源とをさらに備える。
ベース電流発生器60は、一対のトランジスタQ1、Q2のベースに共通に接続され、一対のトランジスタQ1、Q2に同じ量のベース電流(Ib)を供給する。
ベース電流発生器60は、図2A又は図2Bに示すように、電流ミラー回路で構成されてもよい。
図2Aは、ベース電流発生器60の一構成例として、BJTミラー回路で構成された場合を示す。
図2Aを参照すると、前記BJTミラー回路は、ベース同士が当接して接続されるBJT3 Q3、BJT4 Q4及びBJT5 Q5を含む。
前記BJTミラー回路は、基準電流(Iref)を供給する定電流源(符号なし)をさらに含んでもよい。
BJT3 Q3には前記基準電流(Iref)が流れる。つまり、前記基準電流(Iref)はBJT3 Q3のコレクタ及びベースに供給される。
BJT4 Q4は、BJT3 Q3のベースに接続されるベースを有し、前記基準電流(Iref)と同じ電流値の出力電流、すなわちコレクタ電流(Ic)を供給する。BJT4 Q4のコレクタには電流出力端子が接続される。
BJT5 Q5は、BJT3 Q3のベースに接続されるベースを有し、前記基準電流(Iref)と同じ電流値の出力電流、すなわちコレクタ電流(Ic)を供給する。BJT5 Q5のコレクタには電流出力端子が接続される。
BJT3 Q3、BJT4 Q4及びBJT5 Q5のエミッタは接地される。
BJT3 Q3、BJT4 Q4及びBJT5 Q5は、同じ電気的特性を有するBJTで構成されてもよい。
図2AのBJTミラー回路は、前記基準電流(Iref)と同じ電流値の出力電流(Iout)をBJT4 Q4及びBJT5 Q5のコレクタに接続された前記電流出力端子を介して出力する。
図2Bは、ベース電流発生器60の他の構成例として、MOSFETミラー回路で構成された場合を示す。
図2Bの構成例は、能動素子としてMOSFETを用いたことを除いては、能動素子としてBJTを用いた図2Aの構成例と同様である。
よって、図2Bの構成例の構成及び作用については、図2Aを参照して説明した通りであるのでその説明を省略する。
一方、図1において、トリップ決定回路部40は、入力増幅器30から出力される前記漏電検出信号としての前記増幅された電圧の値と予め設定された基準電圧値とを比較してトリップ制御信号を出力するか否かを決定する。
次に、図1を参照して、本発明の好ましい一実施形態による漏電遮断器の制御回路の動作について簡単に説明する。
零相変流器10は、回路に漏電が発生すると生成される零相電流(IL)を漏電検出信号として検出する。
フィルタ回路部20は、前記漏電検出信号、すなわち零相電流(IL)に含まれる高周波ノイズを除去する。そして、フィルタ回路部20は、零相電流(IL)とフィルタ回路部20のインピーダンス(Z)による電圧、すなわち
Figure 2017199677
を入力電圧として入力増幅器30に印加する。
なお、フィルタ回路部20から出力される零相電流(IL)がトランジスタのベース電流として用いられる従来技術とは異なり、本発明においては、ベース電流発生器60が入力増幅器30の一対のトランジスタQ1、Q2に同じ量のベース電流(Ib)を供給する。
前記零相電流(IL)は、再び零相変流器10に送られる。
本発明において、前記漏電検出信号としての零相電流(IL)は、フィルタ回路部20のインピーダンス(Z)により入力電圧
Figure 2017199677
に変換される。よって、本発明において、増幅される前の前記漏電検出信号は、フィルタ回路部20において形成される電圧値となる。
フィルタ回路部20において形成される前記漏電検出信号としての入力電圧
Figure 2017199677
は、入力増幅器30によりベース電流(Ib)に対するコレクタ電流(Ic)の比率で増幅される。
コレクタ電流(Ic)は、コレクタ抵抗により電圧に変換され、一対のトランジスタQ1、Q2のコレクタに接続された電流出力端子を介して出力されるようにしてもよい。
すなわち、図1において、それぞれのトランジスタQ1、Q2のコレクタに接続された電流出力端子の電圧は、入力増幅器30から出力される前記漏電検出信号の増幅された電圧信号として、トリップ決定回路部40に印加される。
トリップ決定回路部40は、入力増幅器30から出力される前記漏電検出信号としての前記増幅された電圧の値と予め設定された基準電圧値とを比較してトリップ制御信号を出力するか否かを決定する。
例えば、前記漏電検出信号としての前記増幅された電圧の値が前記予め設定された基準電圧値以上の場合、トリップ決定回路部40は、トリップ制御信号を後続のステージのトリップ機構50に出力する。
トリップ機構50は、例えば、コイル(図示せず)と、アーマチュアやプランジャなどの出力部(図示せず)とを含んでもよい。トリップ機構50は、前記コイルが前記トリップ制御信号により磁化すると、前記コイルの磁力により前記出力部を移動させ、開閉機構(図示せず)が自動的に回路遮断動作(トリップ動作)を行うようにトリガする。
すると、前記開閉機構により可動接点(図示せず)が対応する固定接点(図示せず)から分離し、漏電発生による回路遮断が行われる。
以下、図3及び図4を参照して、本発明の好ましい他の実施形態による漏電遮断器の制御回路について説明する。
図3に示す本発明の好ましい他の実施形態による漏電遮断器の制御回路は、ゲイン調整器70をさらに含むことを除いては、図1に示す本発明の好ましい一実施形態による漏電遮断器の制御回路と同様である。
よって、説明の重複を避けるために、ゲイン調整器70についてのみ図3及び図4を参照して説明する。
ゲイン調整器70は、ベース電流発生器60に接続され、入力増幅器30の一対のトランジスタQ1、Q2のベースに供給されるベース電流(Ib)を調整することにより、前記ベース電流(Ib)に対する一対のトランジスタQ1、Q2のコレクタ電流(Ic)のゲインを調整する。
図4に示すように、ゲイン調整器70は、定電圧源70aと、定電圧源70aに直列に接続される可変抵抗70bとを含んでもよい。
よって、定電圧源70aから印加される一定電圧に対して可変抵抗70bの抵抗値を手動で調整することにより、可変抵抗70bに流れる出力電流が変化する。
ここで、ゲイン調整器70の出力電流は、基準電流(Iref)としてベース電流発生器60に供給される。
可変抵抗70bの抵抗値を調整することにより、ゲイン調整器70の出力電流である基準電流(Iref)を調整することができ、従って、電流ミラー回路で構成されたベース電流発生器60から出力される同じ電流値を有する2つのベース電流(Ib)を調整することができる。
一方、入力増幅器30のベース電流(Ib)とコレクタ電流(Ic)の関係は下記数式2のように表される。
Figure 2017199677
ここで、βは入力増幅器30の増幅度である。
上記数式2から分かるように、増幅度(β)が一定である場合、前記ベース電流(Ib)が増加すると前記コレクタ電流(Ic)も増加し、前記ベース電流(Ib)が減少すると前記コレクタ電流(Ic)も減少する。
従って、前記ベース電流(Ib)の大きさを調整することにより、前記コレクタ電流(Ic)が変化する程度、すなわちゲインを調整することができる。
また、前記コレクタ電流(Ic)は、コレクタ抵抗(図1及び図3においてコレクタに接続された抵抗記号を参照)により電圧に変換され、入力増幅器30の出力信号としてトリップ決定回路部40に供給される。
10 零相変流器
20 フィルタ回路部
30 入力増幅器
40 トリップ決定回路部
50 トリップ機構
60 ベース電流発生器
70 ゲイン調整器

Claims (8)

  1. 回路の零相電流を漏電検出信号として検出する零相変流器と、
    前記漏電検出信号に含まれる高周波ノイズを除去するフィルタ回路部と、
    前記漏電検出信号の電流及び前記フィルタ回路部のインピーダンスにより形成される電圧を増幅し、ベースが前記フィルタ回路部の両出力端にそれぞれ接続される一対のトランジスタを備える入力増幅器と、
    前記一対のトランジスタのベースに共通に接続され、前記一対のトランジスタに同じ量のベース電流を供給するベース電流発生器と、
    前記入力増幅器から出力される前記漏電検出信号としての前記増幅された電圧の値と予め設定された基準電圧値とを比較してトリップ制御信号を出力するか否かを決定するトリップ決定回路部とを含む、漏電遮断器の制御回路。
  2. 前記ベース電流発生器は、電流ミラー回路で構成される、請求項1に記載の漏電遮断器の制御回路。
  3. 前記電流ミラー回路は、BJT(Bipolar Junction Transistor)ミラー回路である、請求項2に記載の漏電遮断器の制御回路。
  4. 前記電流ミラー回路は、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)ミラー回路である、請求項2に記載の漏電遮断器の制御回路。
  5. 前記電流ミラー回路は、
    基準電流が流れる第1BJTと、
    前記第1BJTのベースに接続されるベースを有し、前記基準電流と同じ電流値の出力電流を供給する第2BJTと、
    前記第1BJTのベースに接続されるベースを有し、前記基準電流と同じ電流値の出力電流を供給する第3BJTとを含む、請求項2に記載の漏電遮断器の制御回路。
  6. 前記第1BJT、前記第2BJT及び前記第3BJTは、同じ電気的特性を有するBJTで構成される、請求項5に記載の漏電遮断器の制御回路。
  7. 前記ベース電流発生器に接続され、前記一対のトランジスタのベースに供給される前記ベース電流を調整することにより、前記ベース電流に対する前記一対のトランジスタのコレクタ電流のゲインを調整するゲイン調整器をさらに含む、請求項1に記載の漏電遮断器の制御回路。
  8. 前記ゲイン調整器は、定電圧源と、前記定電圧源に直列に接続される可変抵抗とから構成され、前記可変抵抗の抵抗値の調整により前記ベース電流を調整するように構成される、請求項7に記載の漏電遮断器の制御回路。
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