JP2017220011A - 積層膜、表示装置及び入力装置 - Google Patents

積層膜、表示装置及び入力装置 Download PDF

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Abstract

【課題】電気抵抗率と反射率が共に低い、積層薄膜（低反射導電膜）を提供する。【解決手段】本発明は、第１層、第２層及び第３層がこの順に積層された積層膜であって、第１層が電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下である金属薄膜であり、第２層が４０原子％以上６１原子％以下の窒素を含むアルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜であり、第３層が５０原子％以上６０原子％以下の酸素を含むアルミニウム酸化膜若しくはアルミニウム合金酸化膜、５０原子％以上６０原子％以下の酸素及び１原子％以上１０原子％以下の窒素を含むアルミニウム酸窒化膜若しくはアルミニウム合金酸窒化膜、又は５０原子％以上６０原子％以下の窒素を含むアルミニウム窒化膜若しくはアルミニウム合金窒化膜である積層膜に関する。【選択図】図１

Description

本発明は、光吸収性を有し、入力装置内の金属電極に用いられる積層膜、前記積層膜を備えた表示装置及び入力装置に関する。
以下に入力装置の代表例としてタッチパネルセンサーを例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されない。タッチパネルセンサーは、液晶表示装置又は有機ＥＬ装置などの表示装置の表示画面上に入力装置として貼り合わせて使用される。
タッチパネルセンサーの入力ポイントの検出方式には、抵抗膜方式、静電容量方式、光学式又は圧電式等が挙げられる。
静電容量方式のタッチパネルセンサーは、一例として、ガラス基板などの透明基板上に、二方向の透明電極が直交して配置され、その表面に保護ガラスなどの絶縁体であるカバーが被覆された構造を有している。
上記構成のタッチパネルセンサーに用いられる透明基板として、表示装置に用いられる透明基板を用いることもできる。具体的には、液晶表示装置に用いられるカラーフィルター基板又は有機ＥＬ装置に用いられるガラス基板などが例として挙げられる。
最近では、入力装置内の電極薄膜として、低抵抗な金属電極薄膜の使用が検討されている。金属電極薄膜は接触感度向上又はノイズ低減に有効である。しかし、金属電極薄膜は反射率が高く、使用者の肉眼で見える、即ち視認されるため、コントラスト比が低下する。
そこで、特許文献１には、導電性透明パターンセルを相互接続するブリッジ電極における視認性の問題を解決するため、基板上に相互離隔される複数の導電性パターンセルを形成し、前記導電性パターンセル上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に黒色の導電材料を用いて前記ブリッジ電極を形成する、ことを特徴とするタッチパネルの電極の形成方法が開示されている。具体的には、ブリッジ電極として、Ａｌ又はＴｉなどの金属を、薬品との反応により酸化物、窒化物又はフッ化物などに黒色化させる方法が例示されている。
また、特許文献２には透明性基板上に形成された反射防止膜であって、膜厚２５ｎｍにおいて波長５５０ｎｍの透過率が１０％未満であり、主成分がＡｌであるＡｌ系膜と、前記Ａｌ系膜の上層、又は／及び下層に形成され、膜厚２５ｎｍにおいて波長５５０ｎｍの透過率が１０％以上であり、かつ、主成分がＡｌであり、添加物として少なくともＮ元素を含むアルミニウム系Ｎ含有膜と、を備え、比抵抗値が１．０×１０−２Ω・ｃｍ以下であり、前記Ａｌ系Ｎ含有膜面の可視光領域における反射率が５０％以下である反射防止膜が開示されている。
特開２０１３−１２７７９２号公報 特許５１９７４１８号公報
しかしながら、特許文献１に記載の薬液を使用する黒化処理では、金属薄膜として膜厚が数百ｎｍ程度の薄膜を用いる場合は黒化層成長の制御が難しく黒化層を形成する化合物からなる高抵抗層の増加により配線の断線が生じ易くなり、金属部の膜厚が薄くなるため抵抗増加に繋がる。
また、特許文献２に記載されるＡｌ系膜は膜厚２５ｎｍにおける透過率は通常１％以下である。そのため、比抵抗値が１．０×１０−２Ω・ｃｍ以下であり、前記Ａｌ系Ｎ含有膜面の可視光領域における反射率が５０％以下である反射防止膜をＡｌ系膜に積層しただけでは、特許文献２の実施例３−１に示されているような、上層膜面側での波長５５０ｎｍにおける反射率値１．６％という値は達成できない。
そのため、従来、特許文献２に記載されるような膜厚２５ｎｍにおいて波長５５０ｎｍの透過率が１０％未満であり、主成分がＡｌであるＡｌ系膜に関しては、酸化もしくは窒化又は添加元素によって低反射化させるか、あるいは、膜厚を薄くし透過率を高くすることで反射率を下げている。主成分がＡｌであるＡｌ系膜をこのような方法で低反射化する場合、当該Ａｌ系膜を含む積層膜を配線に用いると抵抗増加につながるため、低反射かつ低抵抗な配線材料として利用することはできない。しかしながら、特許文献２では積層膜の抵抗については考慮されていない。
本発明は上記を鑑みてなされたものであり、電気抵抗率及び反射率が共に低い、積層薄膜（低反射導電膜）を提供することを目的とする。
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、電気抵抗率が特定範囲以下である金属薄膜である第１層、特定の組成を有するアルミニウム又はアルミニウム合金の窒化膜である第２層、特定の組成を有するアルミニウム又はアルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜である第３層がこの順に積層された積層膜を採用することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、以下の［１］〜［３］に係るものである。
［１］第１層、第２層及び第３層がこの順に積層された積層膜であって、
第１層が電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下である金属薄膜であり、
第２層が４０原子％以上６１原子％以下の窒素を含むアルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜であり、
第３層が５０原子％以上６０原子％以下の酸素を含むアルミニウム酸化膜若しくはアルミニウム合金酸化膜、５０原子％以上６０原子％以下の酸素及び１原子％以上１０原子％以下の窒素を含むアルミニウム酸窒化膜若しくはアルミニウム合金酸窒化膜、又は５０原子％以上６０原子％以下の窒素を含むアルミニウム窒化膜若しくはアルミニウム合金窒化膜である積層膜。
［２］［１］に記載の積層膜を備えた表示装置。
［３］［１］に記載の積層膜を備えた入力装置。
本発明によれば、前記した金属薄膜である第１層、アルミニウム又はアルミニウム合金の窒化膜である第２層、及びアルミニウム又はアルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜である第３層をこの順に積層することで、電気抵抗率が低く、低反射性、導電性及びエッチング加工性に優れ、かつ安価な光吸収薄膜及び低反射導電膜を得られるとともに、安定した製造が可能になる。
図１は、本発明の積層膜の一構造例を示す概略断面図である。 図２は、本発明の積層膜の一構造例を示す概略断面図である。 図３は、本発明の積層膜の一構造例を示す概略断面図である。 図４は、本発明の積層膜の一構造例を示す概略断面図である。
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、任意に変形して実施することができる。また本明細書において数値範囲を示す「〜」とは、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。「反射率」とは、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおける反射率を意味する。また「ａｔ％」と「原子％」とは同義である。
＜積層膜＞
図１〜図４に本発明の積層膜の一構造例の概略断面図を示す。図１の積層膜は、基板１上に導電層となる金属薄膜である第１層２を備え、その上にアルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜である第２層３を備え、その上にアルミニウム又はアルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜である第３層４を備える。第１層と第３層との間に第２層が配置されていればよく、図２で示すように基板１上に第３層４を備え、その上に第２層３を備え、その上にさらに第１層２を備えてもよい。
また、図３又は図４に示すように、密着層又は保護層５を、基板１と第１層２との界面、又は第１層２の上下層に積層してもよい。第１層２となる金属膜の種類によって、密着性の改善及び耐食性の改善を目的として、該密着層又は保護層５を設けることが好ましい。
（基板）
基板の材料としては、ＰＥＴフィルム若しくはプラスチック等の樹脂基板、ガラス基板、シリコン基板又はカラーフィルター基板等、従来公知の材料から適宜選択することができる。基板の厚みは用途によっても異なるが、一般的には０．１〜３ｍｍが好ましい。
（金属薄膜：第１層）
導電層となる金属電極薄膜（以下、金属膜ともいう。）である第１層２は、単膜としての電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下であり、１０μΩ・ｃｍ以下が好ましく、８μΩ・ｃｍ以下がより好ましい。電気抵抗率の下限は特に限定されないが、通常１．５μΩ・ｃｍ以上である。金属膜の電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍを超えると、積層膜とした時の目安であるシート抵抗が１．５Ω／ｃｍ２以下となるように厚膜を積層する必要がある。電気抵抗率及びシート抵抗は四端子法で測定する。
金属膜としては、導電性の観点から純アルミニウム薄膜、アルミニウム合金薄膜、純銅薄膜、銅合金薄膜、純銀薄膜又は銀合金薄膜が好ましく、耐熱性及び耐薬品性を鑑みると、アルミニウム合金薄膜、銅合金薄膜又は銀合金薄膜がより好ましい。
金属膜の合金薄膜として含まれていてもよい合金成分としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｌａ、Ｇｅ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｂｉ及びＺｎ等が挙げられる。これらの主元素でない成分の合計含有量は一般的に０．１〜３．０原子％である。なお、具体的な金属膜の例とその電気抵抗率を表１に示す。
金属膜はスパッタリング法又は蒸着法等により成膜することができる。金属膜の膜厚は好ましくは５０ｎｍ以上であり、シート抵抗の点から８０ｎｍ以上がより好ましい。また、膜厚が厚くなると成膜プロセス時間が長くなるため、５００ｎｍ以下が好ましく、３５０ｎｍ以下がより好ましい。スパッタリング法を用いて金属膜を成膜する場合、スパッタリング条件を変えることで、膜厚を調整することができる。
（アルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜：第２層）
アルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜である第２層３は光吸収膜として機能する。そのため、第２層は光の入射側又は視認する側に設けることが好ましい。第２層は、金属膜である第１層とアルミニウム又はアルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜である第３層との間に設ける。
第２層は、金属膜の低反射化を目的とするため、例えば図１に示すように表面側に設けてもよいし、図２に示すように基板側に設けてもよく、その位置は光の入射側又は視認する側に依存する。これにより、積層膜の低反射化を実現する。
アルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜は、窒素の含有量が４０原子％以上であり、好ましくは４５原子％以上である。窒素の含有量が４０原子％未満では単膜反射率が高く、積層構造にしても反射率１５．０％以下を達成することができない。窒素の含有量は、６１原子％以下であり、好ましくは５８原子％以下である。窒素の含有量が６１原子％超では透過率が高く、積層構造にしても反射率１５．０％以下を達成することができない。
アルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜の膜厚は、その組成及び積層する金属膜の種類等によっても異なるが、反射率をより低減できることから２０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは２５ｎｍ以上である。膜厚が厚くなりすぎると、成膜プロセス時間の超過につながるため、２００ｎｍ以下が好ましく、１５０ｎｍ以下がより好ましい。
アルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜は、スパッタリング法又は蒸着法等により成膜することができる。スパッタリング法を用いてアルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化薄膜を成膜する場合、スパッタリング条件を変えることで、膜厚を調整することができる。
アルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜は上記成分以外のその他の成分として酸素（Ｏ）、銅（Ｃｕ）、イットリウム（Ｙ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）若しくはネオジム（Ｎｄ）等の元素又は不可避不純物が含まれていてもよい。その他の成分の含有量は、アルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜における窒素含有量又はその他の元素組成によっても異なる。
アルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜における酸素の含有量は、一般的には、１０．０原子％以下であることが好ましく、より好ましくは５．０原子％以下である。また、酸素の含有量は、３原子％以上であることが好ましく、より好ましくは５原子％以上である。
アルミニウム合金窒化膜におけるＣｕの含有量は、３原子％以上であることが好ましく、より好ましくは５原子％以上である。また、Ｃｕの含有量は、２０原子％以下であることが好ましく、より好ましくは１５原子％以下である。
アルミニウム合金窒化膜におけるＹの含有量は、１原子％以上であることが好ましく、より好ましくは２原子％以上である。また、Ｙの含有量は、２．９原子％以下であることが好ましく、より好ましくは２．５原子％以下である。
アルミニウム合金窒化膜におけるＳｉの含有量は、１原子％以上であることが好ましく、より好ましくは１．５原子％以上である。また、Ｓｉの含有量は、３原子％以下であることが好ましく、より好ましくは２．５原子％以下である。
アルミニウム合金窒化膜におけるＴｉの含有量は、０．５原子％以上であることが好ましく、より好ましくは１原子％以上である。また、Ｔｉの含有量は、７原子％以下であることが好ましく、より好ましくは５原子％以下である。
アルミニウム合金窒化膜におけるＮｄの含有量は、１原子％以上であることが好ましく、より好ましくは２原子％以上である。また、Ｎｄの含有量は、５原子％以下であることが好ましく、より好ましくは４．５原子％以下である。
不可避不純物としてはＣ、Ｆｅ又はＭｇ等の金属元素が挙げられる。不可避不純物の含有量の上限は、合計で０．１原子％未満であることが好ましい。
（アルミニウム又はアルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜：第３層）
アルミニウム又はアルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜である第３層４は積層膜の低反射化を実現するために機能するための光学調整層として機能する。そのため、第３層は、アルミニウム又はアルミニウム合金の窒化膜である第２層の直上又は直下に設けることが好ましい。金属膜の低反射化を目的とするため、例えば、図１に示すように第３層を表面側に設けてもよいし、図２に示すように基板側に設けてもよく、その位置は光の入射側又は視認する側に依存する。
第３層が単層である場合、以下の（１）〜（３）のいずれか１であることを特徴とする。
（１）５０原子％以上６０原子％以下の酸素を含む、アルミニウム酸化膜又はアルミニウム合金酸化膜
（２）５０原子％以上６０原子％以下の酸素及び１原子％以上１０原子％以下の窒素を含む、アルミニウム酸窒化膜又はアルミニウム合金酸窒化膜
（３）５０原子％以上６０原子％以下の窒素を含む、アルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜
前記（１）のアルミニウム酸化膜又はアルミニウム合金酸化膜における酸素の含有量は、５０原子％以上である。また、酸素の含有量は、６０原子％以下である。酸素の含有量が５０原子％以上であることにより、低反射性を実現することができる。また、酸素の含有量が６０原子％以下であることにより、ウェットエッチング法での加工性を確保できる。
前記（２）のアルミニウム酸窒化膜又はアルミニウム合金酸窒化膜における酸素の含有量は、５０原子％以上である。また、酸素の含有量は、６０原子％以下である。酸素の含有量が５０原子％以上であることにより、低反射性を実現することができる。また、酸素の含有量が６０原子％以下であることにより、ウェットエッチング法での加工性を確保できる。
前記（２）のアルミニウム酸窒化膜又はアルミニウム合金酸窒化膜における窒素の含有量は、１原子％以上である。また、窒素の含有量は、１０原子％以下であり、好ましくは７原子％以下である。窒素の含有量が上記範囲になることで、低反射性とウェットエッチング加工性を確保できる。
前記（２）のアルミニウム酸窒化膜又はアルミニウム合金酸窒化膜における酸素と窒素の含有量の合計は、５０原子％以上であることが好ましく、より好ましくは５５原子％以上である。また、６５原子％以下であることが好ましく、より好ましくは６２原子％以下である。酸素と窒素の含有量の合計が５５原子％以上であることにより、低反射性と高い透過性を確保できる。また、酸素と窒素の含有量の合計が６５原子％以下であることにより、ウェットエッチング加工性を確保できる。
前記（３）のアルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜における窒素の含有量は、５０原子％以上であり、好ましくは５５原子％以上である。また、窒素の含有量は、６０原子％以下である。窒素の含有量が５０原子％以上であることにより、低反射性を実現することができる。また、窒素の含有量が６０原子％以下であることにより、ウェットエッチング加工性を確保できる。
アルミニウム又はアルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜の膜厚は、その組成及び積層する金属膜の種類等によっても異なるが、反射率をより低減できることから２０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは２５ｎｍ以上である。膜厚が厚くなりすぎると、成膜プロセス時間の超過につながるため、２００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１５０ｎｍ以下である。
アルミニウム又はアルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜は、スパッタリング法又は蒸着法等により成膜することができる。スパッタリング法を用いてアルミニウム合金窒化薄膜を成膜する場合、スパッタリング条件を変えることで、膜厚を調整することができる。
アルミニウム又はアルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜は上記成分以外のその他の成分として銅（Ｃｕ）、ネオジム（Ｎｄ）、鉄（Ｆｅ）、炭素（Ｃ）等の元素又は不可避不純物が含まれていてもよい。その他の成分の含有量は、アルミニウム又はアルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜における酸素含有量若しくは窒素含有量又はその他の元素組成によっても異なる。
アルミニウム又はアルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜におけるＣｕの含有量は３原子％以上であることが好ましく、より好ましくは５原子％以上である。Ｃｕの含有量は、２０原子％以下であることが好ましく、より好ましくは１５原子％以下である。
アルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜におけるＮｄの含有量は１原子％以上であることが好ましく、より好ましくは２．０原子％以上である。Ｎｄの含有量は、５原子％以下であることが好ましく、より好ましくは４．５原子％以下である。
不可避不純物としてはＣ、Ｆｅ又はＭｇ等の金属元素が挙げられる。不可避不純物の含有量の上限は、合計で０．１原子％未満であることが好ましい。
（密着層又は保護層）
密着層又は保護層５は、金属電極薄膜の種類によって、密着性の改善又は耐食性の改善を目的として適宜設ける。具体的には、例えば、金属電極薄膜が純アルミニウム薄膜又はアルミニウム合金薄膜である場合には、加熱によるヒロック発生を抑制するため、保護層としてＴｉ、Ｍｏ、ＴｉＮ又はＭｏＮを積層することが好ましい。
また、例えば、金属電極薄膜が純Ｃｕ薄膜又はＣｕ合金薄膜である場合には、密着性の向上又は耐熱性向上を目的としてＴｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＮ又はＳｉＣＮを積層することが好ましい。また、例えば、金属電極薄膜が純Ａｇ薄膜又はＡｇ合金薄膜である場合には、密着性の向上又は耐熱性向上を目的としてＩＴＯ薄膜又はＩＺＯ薄膜に代表される透明導電膜を積層することが好ましい。
密着層又は保護層はスパッタリング法、ＣＶＤ法又は蒸着法等により成膜することができる。密着層又は保護層の膜厚は、金属電極薄膜の種類等にもよっても異なるが、連続的に表面が平坦な膜を得るためには１０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは１５ｎｍ以上である。また膜厚の増加は成膜プロセス時間が長くなるため、５００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは３００ｎｍ以下である。スパッタリング法を用いて密着層又は保護層を成膜する場合、スパッタリング条件を変えることで、膜厚を調整することができる。
以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、その趣旨に適合し得る範囲で変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
［評価方法］
（１）窒化薄膜中の窒素量
純アルミニウム窒化薄膜及びアルミニウム合金窒化薄膜における膜中窒素量（膜中Ｎ濃度）（原子％）はＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製のＰＨＩ６５０走査型オージェ電子分光装置を用いて、エネルギー ３ｋｅＶ、電流 約５０ｎＡの電子線を７５°の角度で膜表面に照射し、オージェ（Ａｕｇｅｒ）スペクトルを測定した。膜の深さ方向については、Ａｒ＋のイオンスパッタでエッチングしながら、上記と同様の条件で測定を行った。
（２）単膜の反射率、透過率及び吸収率
純アルミニウム窒化薄膜及びアルミニウム合金窒化薄膜における反射率及び透過率は、日本分光社製Ｖ−５７０分光光度計を用い、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの反射率スペクトルと透過率スペクトルを測定した。表１には波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおける反射率と透過率を記載した。また各波長における吸収率は下記式より求めた。
吸収率（％）＝１００−反射率（％）−透過率（％）
（３）窒化薄膜、金属電極薄膜及びアルミニウム合金窒化積層薄膜の電気抵抗率及びシート抵抗
窒化薄膜、金属電極薄膜及びアルミニウム合金窒化積層薄膜のシート抵抗はそれぞれ四端子法で測定した。なお窒化薄膜及び金属電極薄膜の単膜の電気抵抗率は、上記で得られたシート抵抗の値に膜厚を掛けることにより算出した。
（４）積層薄膜の反射率
積層薄膜の反射率は、日本分光社製Ｖ−５７０分光光度計を用い、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの反射率スペクトルを測定した。
［金属電極薄膜の評価：試験例１−１〜１−２２］
金属電極薄膜の評価を行うため、表１に示す組成となるように、下記条件でスパッタリング法により金属電極薄膜を成膜した。基板には厚みが０．７ｍｍのＣｏｒｎｉｎｇ社製ＥＡＧＬＥ ＸＧガラスを用いた。
（スパッタリング条件）
・成膜装置：ＵＬＶＡＣ社製 型式ＣＳ−２００
・ガス圧：２ｍＴｏｒｒ
・成膜ガス：Ａｒガス
・成膜パワー：ＤＣ５００Ｗ
・基板温度：室温
なお、アルミニウム合金窒化薄膜及び金属電極薄膜の膜厚は成膜時間を変更することで調整した。得られた薄膜の膜厚は触針式段差計により測定した。得られた試験例１−１〜１−２２の金属電極薄膜の組成及び評価結果を表１に示す。
表１に示すように、いずれの金属電極薄膜も電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下であって、高い導電性を示し、第１層として利用可能であることがわかった。
［アルミニウム合金窒化薄膜の評価：試験例２−１〜２−２９］
アルミニウム合金窒化薄膜の光吸収特性についての評価を行うため、純アルミニウム窒化薄膜（試験例２−１〜２−４）及びアルミニウム合金窒化薄膜（試験例試験例２−５〜２−２９）を表２に記載の組成となるように下記条件でスパッタリング法により成膜した。基板には厚みが０．７ｍｍのＣｏｒｎｉｎｇ社製ＥＡＧＬＥ ＸＧガラスを用いた。
（スパッタリング条件）
・成膜装置：ＵＬＶＡＣ社製 型式ＣＳ−２００
・ガス圧：２ｍＴｏｒｒ
・成膜ガス：Ａｒガス及びＮ２ガスからなる混合ガス
・成膜パワー：ＤＣ５００Ｗ
・基板温度：室温
なお、表２に示す膜中窒素量（膜中Ｎ濃度）（原子％）になるように、Ａｒガス及びＮ２ガスの混合量を変化させた成膜ガスにより成膜した。得られた試験例２−１〜２−２９の純アルミニウム窒化薄膜又はアルミニウム合金窒化薄膜の組成及び評価結果を表２に示す。表２中、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍにおける反射率が５０％以下であれば、評価を「○」とした。
表２に示すように、試験例２−１〜２−４は純アルミニウム窒化薄膜である。膜中の窒素量が４０原子％以上である試験例２−４は、反射率が５０％以下であり、要求を満たした。一方、膜中の窒素量が４０原子％未満である試験例２−１〜２−３は、反射率が５０％超であり、要求を満たさなかった。
試験例２−５〜２−１０はＡｌとＣｕからなるアルミニウム合金窒化薄膜である。膜中の窒素量が４０原子％以上である試験例２−７〜２−１０は、反射率が５０％以下であり、要求を満たした。一方、膜中の窒素量が４０原子％未満である試験例２−５〜２−６は、反射率が５０％超であった。
試験例２−１１〜２−２７はＡｌとＣｕを含み、Ｙ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＮｄから選ばれる少なくとも１種を含むアルミニウム合金窒化薄膜である。膜中の窒素量が４０原子％以上である試験例２−１２〜２−２７は、反射率が５０％以下であり、要求を満たした。一方、膜中の窒素量が４０原子％未満である試験例２−１１は、反射率が５０％超であり、要求を満たさなかった。
これらの結果から、アルミニウム又はアルミニウム合金の窒化膜中の窒素量を４０原子％以上とすることにより、反射率が５０％以下となることがわかった。
［アルミニウム合金酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜：試験例３−１〜３−１１］
アルミニウム合金酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜の分光特性を評価するため、純アルミニウム窒化薄膜（試験例３−１〜３−３）及びアルミニウム合金窒化薄膜（試験例３−４〜３−１１）を表３に示す組成となるように下記条件でスパッタリング法により成膜した。基板には厚みが０．７ｍｍのＣｏｒｎｉｎｇ社製ＥＡＧＬＥ ＸＧガラスを用いた。
（スパッタリング条件）
・成膜装置：ＵＬＶＡＣ社製 型式ＣＳ−２００
・ガス圧：２ｍＴｏｒｒ
・成膜ガス：Ａｒガス、Ｎ２ガス及びＯ２ガスからなる混合ガス
・成膜パワー：ＤＣ５００Ｗ
・基板温度：室温
なお、成膜ガスは表３に示す膜中窒素量（膜中Ｎ濃度）（原子％）になるように、ＡｒガスとＮ２ガス及びＯ２ガスの混合量を変えて成膜を行った。得られた試験例３−１〜３−１１の薄膜の組成及び評価結果を表３に示す。表３中、反射率が３５％以下で、電気抵抗率が１．０×１０７μΩ・ｃｍ以上であれば、評価を「○」とした。
表３に示すように、５０原子％以上６０原子％以下の酸素を含むアルミニウム酸化膜又はアルミニウム合金酸化膜である試験例３−１、３−４及び３−１０は、反射率が３５％以下、電気抵抗率が１．０×１０７μΩ・ｃｍ以上であり、要求を満たした。
また、５０原子％以上６０原子％以下の酸素、１原子％以上１０原子％以下の窒素を含むアルミニウム酸窒化膜又はアルミニウム合金酸窒化膜である試験例３−２、３−５〜３−７及び３−１１は、反射率が３５％以下、電気抵抗率が１．０×１０７μΩ・ｃｍ以上であり、要求を満たした。
さらに、５０原子％以上６０原子％以下の窒素を含むアルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜である試験例３−１及び３−４は、反射率が３５％以下、電気抵抗率が１．０×１０７μΩ・ｃｍ以上であり、要求を満たした。
一方、膜中の窒素濃度が５０原子％未満のアルミニウム合金窒化膜である試験例３−８は、反射率が３５％超と高く、電気抵抗率が１．０×１０７μΩ・ｃｍ未満であり、要求を満たさなかった。
表４に、第１層を表１で示した各金属電極薄膜として、該第１層に表４に示す第２層及び第３層を積層した場合の積層膜の例を示す。表４において、ウェットエッチング加工性は、一括ウェットエッチング加工が可能であれば「ＯＫ」とした。
表４に示すように、電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下である金属薄膜である第１層、４０原子％以上６１原子％以下の窒素を含むアルミニウム合金窒化膜である第２層、並びに５０原子％以上６０原子％以下の酸素及び１原子％以上１０原子％以下の窒素を含むアルミニウム酸窒化膜である第３層を積層することで低反射性、導電性及びエッチング加工性を両立する積層膜が得られることがわかった。
表５に、第２層を表２で示したアルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜として、該第２層に表５に示す第１層及び第３層を積層した積層膜の例を示す。表５において、ウェットエッチング加工性は、一括ウェットエッチング加工が可能であれば「ＯＫ」とした。
表５に示すように、試験例５−１〜５−３、５−５、５−６及び５−１１は、第２層の単膜反射率が５０％以上と高いことから、第１層及び第３層を積層しても反射率が１５．０％超と高く、要求する低反射性を満たすことができないことがわかった。
表６には、第３層を表３で示した、アルミニウム合金酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜とし、該第３層に表６に示す第１層及び第２層を積層した積層膜の例を示す。表６において、ウェットエッチング加工性は、ウェットエッチング法で一括加工可能であれば「ＯＫ」、一括加工できなければ「ＮＧ」とした。
表６において、反射率（４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍ）が１５．０％以下であり且つウェットエッチング加工性が「ＯＫ」であれば「○」、反射率（４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍ）が１５．０％以下であり且つウェットエッチング加工性が「ＮＧ」であれば「△」、反射率（４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍ）が１５．０％超である場合は「×」と評価した。
表６に示すように、電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下である金属薄膜である第１層、４０原子％以上６１原子％以下の窒素を含むアルミニウム合金窒化膜である第２層、並びに５０原子％以上６０原子％以下の酸素を含むアルミニウム酸化膜若しくはアルミニウム合金酸化膜、５０原子％以上６０原子％以下の酸素及び１原子％以上１０原子％以下の窒素を含むアルミニウム酸窒化膜若しくはアルミニウム合金酸窒化膜、又は５０原子％以上６０原子％以下の窒素を含むアルミニウム窒化膜若しくはアルミニウム合金窒化膜である第３層を積層した試験例６−２〜６−９及び６−１１〜６−２２は、低反射性、導電性及びエッチング加工性を両立する積層膜が得られることがわかった。
一方、試験例６−１は反射率が１５．０％以上と高く、要求を満たさなかった。また、単膜反射率が高い試験例３−８の第３層を積層した試験例６−１０は、反射率が１５．０％以上と高く、要求を満たさなかった。
１ 基板
２ 第１層（導電層）
３ 第２層（アルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜）
４ 第３層（アルミニウム又はアルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜）
５ 密着層又は保護層
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、電気抵抗率が特定範囲以下である金属薄膜である第１層、特定の組成を有するアルミニウム又はアルミニウム合金の窒化膜である第２層、特定の組成を有するアルミニウム合金の酸化膜、又はアルミニウム若しくはアルミニウム合金の酸窒化膜である第３層がこの順に積層された積層膜を採用することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、以下の［１］〜［３］に係るものである。
［１］第１層、第２層及び第３層がこの順に積層された積層膜であって、
第１層が、電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下である金属薄膜であり、
第２層が４０原子％以上６１原子％以下の窒素を含むアルミニウム窒化膜又は４０原子％以上６１原子％以下の窒素と、酸素（Ｏ）、銅（Ｃｕ）、イットリウム（Ｙ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジム（Ｎｄ）うち少なくとも１つを含むアルミニウム合金窒化膜であり、
第３層が５０原子％以上６０原子％以下の酸素と、銅（Ｃｕ）、ネオジム（Ｎｄ）、鉄（Ｆｅ）、炭素（Ｃ）の少なくとも１つを含むアルミニウム合金酸化膜、５０原子％以上６０原子％以下の酸素及び１原子％以上１０原子％以下の窒素を含むアルミニウム酸窒化膜、又は５０原子％以上６０原子％以下の酸素及び１原子％以上１０原子％以下の窒素と、銅（Ｃｕ）、ネオジム（Ｎｄ）、鉄（Ｆｅ）、炭素（Ｃ）の少なくとも１つを含むアルミニウム合金酸窒化膜であり、
前記第２層の膜厚が２０ｎｍ〜２００ｎｍ、かつ、前記第３層の膜厚が１５ｎｍ〜２００ｎｍである積層膜。
［２］［１］に記載の積層膜を備えた表示装置。
［３］［１］に記載の積層膜を備えた入力装置。
本発明によれば、前記した金属薄膜である第１層、アルミニウム又はアルミニウム合金の窒化膜である第２層、及びアルミニウム合金の酸化膜、又はアルミニウム若しくはアルミニウム合金の酸窒化膜である第３層をこの順に積層することで、電気抵抗率が低く、低反射性、導電性及びエッチング加工性に優れ、かつ安価な光吸収薄膜及び低反射導電膜を得られるとともに、安定した製造が可能になる。
アルミニウム合金窒化膜は上記成分以外のその他の成分として酸素（Ｏ）、銅（Ｃｕ）、イットリウム（Ｙ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）若しくはネオジム（Ｎｄ）等の元素又は不可避不純物が含まれていてもよい。その他の成分の含有量は、アルミニウム合金窒化膜における窒素含有量又はその他の元素組成によっても異なる。
（アルミニウム合金の酸化膜、アルミニウム若しくはアルミニウム合金の窒化膜又は酸窒化膜：第３層）
アルミニウム合金の酸化膜、アルミニウム若しくはアルミニウム合金の窒化膜又は酸窒化膜である第３層４は積層膜の低反射化を実現するために機能するための光学調整層として機能する。そのため、第３層は、アルミニウム又はアルミニウム合金の窒化膜である第２層の直上又は直下に設けることが好ましい。金属膜の低反射化を目的とするため、例えば、図１に示すように第３層を表面側に設けてもよいし、図２に示すように基板側に設けてもよく、その位置は光の入射側又は視認する側に依存する。
第３層が単層である場合、以下の（１）〜（３）のいずれか１であることを特徴とする。
（１）５０原子％以上６０原子％以下の酸素を含む、アルミニウム合金酸化膜
（２）５０原子％以上６０原子％以下の酸素及び１原子％以上１０原子％以下の窒素を含む、アルミニウム酸窒化膜又はアルミニウム合金酸窒化膜
（３）５０原子％以上６０原子％以下の窒素を含む、アルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜
前記（１）のアルミニウム合金酸化膜における酸素の含有量は、５０原子％以上である。また、酸素の含有量は、６０原子％以下である。酸素の含有量が５０原子％以上であることにより、低反射性を実現することができる。また、酸素の含有量が６０原子％以下であることにより、ウェットエッチング法での加工性を確保できる。
アルミニウム合金の酸化膜、又はアルミニウム若しくはアルミニウム合金の窒化膜又は酸窒化膜の膜厚は、その組成及び積層する金属膜の種類等によっても異なるが、反射率をより低減できることから２０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは２５ｎｍ以上である。膜厚が厚くなりすぎると、成膜プロセス時間の超過につながるため、２００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１５０ｎｍ以下である。
アルミニウム合金の酸化膜、又はアルミニウム若しくはアルミニウム合金の窒化膜又は酸窒化膜は、スパッタリング法又は蒸着法等により成膜することができる。スパッタリング法を用いてアルミニウム合金窒化薄膜を成膜する場合、スパッタリング条件を変えることで、膜厚を調整することができる。
アルミニウム合金の酸化膜、アルミニウム合金の窒化膜又は酸窒化膜は上記成分以外のその他の成分として銅（Ｃｕ）、ネオジム（Ｎｄ）、鉄（Ｆｅ）、炭素（Ｃ）等の元素又は不可避不純物が含まれていてもよい。その他の成分の含有量は、アルミニウム合金の酸化膜、アルミニウム合金の窒化膜又は酸窒化膜における酸素含有量若しくは窒素含有量又はその他の元素組成によっても異なる。
アルミニウム合金の酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜におけるＣｕの含有量は３原子％以上であることが好ましく、より好ましくは５原子％以上である。Ｃｕの含有量は、２０原子％以下であることが好ましく、より好ましくは１５原子％以下である。
表６に示すように、電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下である金属薄膜である第１層、４０原子％以上６１原子％以下の窒素を含むアルミニウム合金窒化膜である第２層、並びに５０原子％以上６０原子％以下の酸素を含むアルミニウム合金酸化膜、５０原子％以上６０原子％以下の酸素及び１原子％以上１０原子％以下の窒素を含むアルミニウム酸窒化膜若しくはアルミニウム合金酸窒化膜、又は５０原子％以上６０原子％以下の窒素を含むアルミニウム窒化膜若しくはアルミニウム合金窒化膜である第３層を積層した試験例６−２〜６−９及び６−１１〜６−２２は、低反射性、導電性及びエッチング加工性を両立する積層膜が得られることがわかった。
１ 基板
２ 第１層（導電層）
３ 第２層（アルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜）
４ 第３層（アルミニウム合金の酸化膜、又はアルミニウム若しくはアルミニウム合金の窒化膜又は酸窒化膜）
５ 密着層又は保護層

Claims (3)

  1. 第１層、第２層及び第３層がこの順に積層された積層膜であって、
    第１層が電気抵抗率が１５μΩ・ｃｍ以下である金属薄膜であり、
    第２層が４０原子％以上６１原子％以下の窒素を含むアルミニウム窒化膜又はアルミニウム合金窒化膜であり、
    第３層が５０原子％以上６０原子％以下の酸素を含むアルミニウム酸化膜若しくはアルミニウム合金酸化膜、５０原子％以上６０原子％以下の酸素及び１原子％以上１０原子％以下の窒素を含むアルミニウム酸窒化膜若しくはアルミニウム合金酸窒化膜、又は５０原子％以上６０原子％以下の窒素を含むアルミニウム窒化膜若しくはアルミニウム合金窒化膜である積層膜。
  2. 請求項１に記載の積層膜を備えた表示装置。
  3. 請求項１に記載の積層膜を備えた入力装置。
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Cited By (234)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018170360A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 ジオマテック株式会社 導電膜，電極，電子機器，静電容量型入力装置及び電極の製造方法
US11274369B2 (en) 2018-09-11 2022-03-15 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition method
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11296189B2 (en) 2018-06-21 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US11315794B2 (en) 2019-10-21 2022-04-26 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching films
US11342216B2 (en) 2019-02-20 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11339476B2 (en) 2019-10-08 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device having connection plates, substrate processing method
US11345999B2 (en) 2019-06-06 2022-05-31 Asm Ip Holding B.V. Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas
US11355338B2 (en) 2019-05-10 2022-06-07 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method
US11361990B2 (en) 2018-05-28 2022-06-14 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by using the same
US11378337B2 (en) 2019-03-28 2022-07-05 Asm Ip Holding B.V. Door opener and substrate processing apparatus provided therewith
US11387120B2 (en) 2017-09-28 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US11387106B2 (en) 2018-02-14 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11390945B2 (en) 2019-07-03 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
US11393690B2 (en) 2018-01-19 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Deposition method
US11390946B2 (en) 2019-01-17 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US11396702B2 (en) 2016-11-15 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit
US11398382B2 (en) 2018-03-27 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US11401605B2 (en) 2019-11-26 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11411088B2 (en) 2018-11-16 2022-08-09 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11410851B2 (en) 2017-02-15 2022-08-09 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11417545B2 (en) 2017-08-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Radiation shield
US11414760B2 (en) 2018-10-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same
US11424119B2 (en) 2019-03-08 2022-08-23 Asm Ip Holding B.V. Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer
US11430640B2 (en) 2019-07-30 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
US11443926B2 (en) 2019-07-30 2022-09-13 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11476109B2 (en) 2019-06-11 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11482418B2 (en) 2018-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and apparatus
US11488854B2 (en) 2020-03-11 2022-11-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate handling device with adjustable joints
US11488819B2 (en) 2018-12-04 2022-11-01 Asm Ip Holding B.V. Method of cleaning substrate processing apparatus
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11495459B2 (en) 2019-09-04 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer
US11499226B2 (en) 2018-11-02 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same
US11501973B2 (en) 2018-01-16 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11515187B2 (en) 2020-05-01 2022-11-29 Asm Ip Holding B.V. Fast FOUP swapping with a FOUP handler
US11515188B2 (en) 2019-05-16 2022-11-29 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method
US11521851B2 (en) 2020-02-03 2022-12-06 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures including a vanadium or indium layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11530876B2 (en) 2020-04-24 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply
US11530483B2 (en) 2018-06-21 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing system
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
US11551925B2 (en) 2019-04-01 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method for manufacturing a semiconductor device
US11557474B2 (en) 2019-07-29 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587821B2 (en) 2017-08-08 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11594600B2 (en) 2019-11-05 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same
US11594450B2 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a structure with a hole
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
US11605528B2 (en) 2019-07-09 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
US11610775B2 (en) 2016-07-28 2023-03-21 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11610774B2 (en) 2019-10-02 2023-03-21 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process
US11615980B2 (en) 2019-02-20 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
US11615970B2 (en) 2019-07-17 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Radical assist ignition plasma system and method
US11626308B2 (en) 2020-05-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Laser alignment fixture for a reactor system
US11626316B2 (en) 2019-11-20 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure
US11629407B2 (en) 2019-02-22 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method for processing substrates
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
US11637011B2 (en) 2019-10-16 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Method of topology-selective film formation of silicon oxide
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US11646184B2 (en) 2019-11-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11644758B2 (en) 2020-07-17 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Structures and methods for use in photolithography
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US11646197B2 (en) 2018-07-03 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11646204B2 (en) 2020-06-24 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a layer provided with silicon
US11649546B2 (en) 2016-07-08 2023-05-16 Asm Ip Holding B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US11658035B2 (en) 2020-06-30 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US11658029B2 (en) 2018-12-14 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same
US11664199B2 (en) 2018-10-19 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11664245B2 (en) 2019-07-16 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11664267B2 (en) 2019-07-10 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate support assembly and substrate processing device including the same
US11676812B2 (en) 2016-02-19 2023-06-13 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions
US11674220B2 (en) 2020-07-20 2023-06-13 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing molybdenum layers using an underlayer
US11680839B2 (en) 2019-08-05 2023-06-20 Asm Ip Holding B.V. Liquid level sensor for a chemical source vessel
US11682572B2 (en) 2017-11-27 2023-06-20 Asm Ip Holdings B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US11688603B2 (en) 2019-07-17 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium structures
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11695054B2 (en) 2017-07-18 2023-07-04 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures
US11694892B2 (en) 2016-07-28 2023-07-04 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11705333B2 (en) 2020-05-21 2023-07-18 Asm Ip Holding B.V. Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
US11725277B2 (en) 2011-07-20 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US11735445B2 (en) 2018-10-31 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11735422B2 (en) 2019-10-10 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a photoresist underlayer and structure including same
US11735414B2 (en) 2018-02-06 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11742189B2 (en) 2015-03-12 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
US11749562B2 (en) 2016-07-08 2023-09-05 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition method to form air gaps
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769670B2 (en) 2018-12-13 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11781221B2 (en) 2019-05-07 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Chemical source vessel with dip tube
US11795545B2 (en) 2014-10-07 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US11804364B2 (en) 2020-05-19 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11802338B2 (en) 2017-07-26 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US11804388B2 (en) 2018-09-11 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11810788B2 (en) 2016-11-01 2023-11-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US11823876B2 (en) 2019-09-05 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11823866B2 (en) 2020-04-02 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11830738B2 (en) 2020-04-03 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11827981B2 (en) 2020-10-14 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing material on stepped structure
US11828707B2 (en) 2020-02-04 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for transmittance measurements of large articles
US11840761B2 (en) 2019-12-04 2023-12-12 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11848200B2 (en) 2017-05-08 2023-12-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
US11876008B2 (en) 2019-07-31 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11873557B2 (en) 2020-10-22 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing vanadium metal
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11885023B2 (en) 2018-10-01 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same
US11885020B2 (en) 2020-12-22 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Transition metal deposition method
US11887857B2 (en) 2020-04-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US11891696B2 (en) 2020-11-30 2024-02-06 Asm Ip Holding B.V. Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
US11901179B2 (en) 2020-10-28 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and device for depositing silicon onto substrates
US11923181B2 (en) 2019-11-29 2024-03-05 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing
US11923190B2 (en) 2018-07-03 2024-03-05 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11929251B2 (en) 2019-12-02 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method
US11939673B2 (en) 2018-02-23 2024-03-26 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
US11956977B2 (en) 2015-12-29 2024-04-09 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US11961741B2 (en) 2020-03-12 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Method for fabricating layer structure having target topological profile
US11959168B2 (en) 2020-04-29 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Solid source precursor vessel
US11967488B2 (en) 2013-02-01 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method for treatment of deposition reactor
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
US11976359B2 (en) 2020-01-06 2024-05-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same
US11987881B2 (en) 2020-05-22 2024-05-21 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide
US11986868B2 (en) 2020-02-28 2024-05-21 Asm Ip Holding B.V. System dedicated for parts cleaning
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11996309B2 (en) 2019-05-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US12006572B2 (en) 2019-10-08 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
US12020934B2 (en) 2020-07-08 2024-06-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12027365B2 (en) 2020-11-24 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap and related systems and devices
US12033885B2 (en) 2020-01-06 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Channeled lift pin
US12033849B2 (en) 2019-08-23 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane
US12033861B2 (en) 2017-10-05 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US12040184B2 (en) 2017-10-30 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US12051567B2 (en) 2020-10-07 2024-07-30 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit
US12051602B2 (en) 2020-05-04 2024-07-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing system for processing substrates with an electronics module located behind a door in a front wall of the substrate processing system
US12068154B2 (en) 2020-04-13 2024-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a nitrogen-containing carbon film and system for performing the method
US12074022B2 (en) 2020-08-27 2024-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process
US12087586B2 (en) 2020-04-15 2024-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer
US12106944B2 (en) 2020-06-02 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Rotating substrate support
US12107005B2 (en) 2020-10-06 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material
US12112940B2 (en) 2019-07-19 2024-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film
US12125700B2 (en) 2020-01-16 2024-10-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming high aspect ratio features
US12129545B2 (en) 2020-12-22 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Precursor capsule, a vessel and a method
US12131885B2 (en) 2020-12-22 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Plasma treatment device having matching box
US12148609B2 (en) 2020-09-16 2024-11-19 Asm Ip Holding B.V. Silicon oxide deposition method
US12154824B2 (en) 2020-08-14 2024-11-26 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US12173402B2 (en) 2018-02-15 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
US12195852B2 (en) 2020-11-23 2025-01-14 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus with an injector
US12203166B2 (en) 2020-05-07 2025-01-21 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for performing an in-situ etch of reaction chambers with fluorine-based radicals
US12209308B2 (en) 2020-11-12 2025-01-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor and related methods
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
US12218269B2 (en) 2020-02-13 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus including light receiving device and calibration method of light receiving device
US12217946B2 (en) 2020-10-15 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Method of manufacturing semiconductor device, and substrate treatment apparatus using ether-CAT
US12218000B2 (en) 2020-09-25 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing method
US12217954B2 (en) 2020-08-25 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Method of cleaning a surface
US12221357B2 (en) 2020-04-24 2025-02-11 Asm Ip Holding B.V. Methods and apparatus for stabilizing vanadium compounds
US12230531B2 (en) 2018-04-09 2025-02-18 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
US12241158B2 (en) 2020-07-20 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming structures including transition metal layers
US12240760B2 (en) 2016-03-18 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US12243742B2 (en) 2020-04-21 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Method for processing a substrate
US12243757B2 (en) 2020-05-21 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Flange and apparatus for processing substrates
US12243747B2 (en) 2020-04-24 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including vanadium boride and vanadium phosphide layers
US12247286B2 (en) 2019-08-09 2025-03-11 Asm Ip Holding B.V. Heater assembly including cooling apparatus and method of using same
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12266524B2 (en) 2020-06-16 2025-04-01 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing boron containing silicon germanium layers
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
US12278129B2 (en) 2020-03-04 2025-04-15 Asm Ip Holding B.V. Alignment fixture for a reactor system
US12288710B2 (en) 2020-12-18 2025-04-29 Asm Ip Holding B.V. Wafer processing apparatus with a rotatable table
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
US12363960B2 (en) 2017-07-19 2025-07-15 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US12406846B2 (en) 2020-05-26 2025-09-02 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing boron and gallium containing silicon germanium layers
US12410515B2 (en) 2020-01-29 2025-09-09 Asm Ip Holding B.V. Contaminant trap system for a reactor system
US12428726B2 (en) 2019-10-08 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Gas injection system and reactor system including same
US12431334B2 (en) 2020-02-13 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution assembly
US12442082B2 (en) 2020-05-07 2025-10-14 Asm Ip Holding B.V. Reactor system comprising a tuning circuit
US12444599B2 (en) 2018-11-30 2025-10-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
US12454755B2 (en) 2014-07-28 2025-10-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US12518970B2 (en) 2020-08-11 2026-01-06 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a titanium aluminum carbide film structure on a substrate and related semiconductor structures
US12532674B2 (en) 2019-09-03 2026-01-20 Asm Ip Holding B.V. Methods and apparatus for depositing a chalcogenide film and structures including the film
US12550644B2 (en) 2020-10-06 2026-02-10 Asm Ip Holding B.V. Method and system for forming silicon nitride on a sidewall of a feature
US12564871B2 (en) 2020-12-02 2026-03-03 Asm Ip Holding B.V. Cleaning fixture for showerhead assemblies
US12601062B2 (en) 2018-08-06 2026-04-14 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014513335A (ja) * 2011-03-04 2014-05-29 エルジー・ケム・リミテッド 導電性構造体およびその製造方法
JP2016500853A (ja) * 2012-08-31 2016-01-14 エルジー・ケム・リミテッド 伝導性構造体およびその製造方法｛ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｂｏｄｙａｎｄｍｅｔｈｏｄｆｏｒｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｔｈｅｓａｍｅ｝
JP2016058055A (ja) * 2013-11-12 2016-04-21 株式会社神戸製鋼所 電極およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014513335A (ja) * 2011-03-04 2014-05-29 エルジー・ケム・リミテッド 導電性構造体およびその製造方法
JP2016500853A (ja) * 2012-08-31 2016-01-14 エルジー・ケム・リミテッド 伝導性構造体およびその製造方法｛ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｂｏｄｙａｎｄｍｅｔｈｏｄｆｏｒｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｔｈｅｓａｍｅ｝
JP2016058055A (ja) * 2013-11-12 2016-04-21 株式会社神戸製鋼所 電極およびその製造方法

Cited By (274)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11725277B2 (en) 2011-07-20 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US11967488B2 (en) 2013-02-01 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method for treatment of deposition reactor
US12454755B2 (en) 2014-07-28 2025-10-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US11795545B2 (en) 2014-10-07 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US11742189B2 (en) 2015-03-12 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11956977B2 (en) 2015-12-29 2024-04-09 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US11676812B2 (en) 2016-02-19 2023-06-13 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions
US12240760B2 (en) 2016-03-18 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US11749562B2 (en) 2016-07-08 2023-09-05 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition method to form air gaps
US11649546B2 (en) 2016-07-08 2023-05-16 Asm Ip Holding B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US11610775B2 (en) 2016-07-28 2023-03-21 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US12525449B2 (en) 2016-07-28 2026-01-13 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11694892B2 (en) 2016-07-28 2023-07-04 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US11810788B2 (en) 2016-11-01 2023-11-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US11396702B2 (en) 2016-11-15 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit
US11851755B2 (en) 2016-12-15 2023-12-26 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11970766B2 (en) 2016-12-15 2024-04-30 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US12000042B2 (en) 2016-12-15 2024-06-04 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US12043899B2 (en) 2017-01-10 2024-07-23 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US12106965B2 (en) 2017-02-15 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11410851B2 (en) 2017-02-15 2022-08-09 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP2018170360A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 ジオマテック株式会社 導電膜，電極，電子機器，静電容量型入力装置及び電極の製造方法
US11848200B2 (en) 2017-05-08 2023-12-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11976361B2 (en) 2017-06-28 2024-05-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US11695054B2 (en) 2017-07-18 2023-07-04 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures
US12363960B2 (en) 2017-07-19 2025-07-15 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11802338B2 (en) 2017-07-26 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US11587821B2 (en) 2017-08-08 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11417545B2 (en) 2017-08-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11581220B2 (en) 2017-08-30 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11387120B2 (en) 2017-09-28 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US12033861B2 (en) 2017-10-05 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US12040184B2 (en) 2017-10-30 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11682572B2 (en) 2017-11-27 2023-06-20 Asm Ip Holdings B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US11501973B2 (en) 2018-01-16 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11393690B2 (en) 2018-01-19 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Deposition method
US11972944B2 (en) 2018-01-19 2024-04-30 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US12119228B2 (en) 2018-01-19 2024-10-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition method
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11735414B2 (en) 2018-02-06 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11387106B2 (en) 2018-02-14 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US12173402B2 (en) 2018-02-15 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US11482418B2 (en) 2018-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and apparatus
US11939673B2 (en) 2018-02-23 2024-03-26 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11398382B2 (en) 2018-03-27 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US12020938B2 (en) 2018-03-27 2024-06-25 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US12230531B2 (en) 2018-04-09 2025-02-18 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
US11361990B2 (en) 2018-05-28 2022-06-14 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by using the same
US11908733B2 (en) 2018-05-28 2024-02-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by using the same
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11530483B2 (en) 2018-06-21 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing system
US11296189B2 (en) 2018-06-21 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11814715B2 (en) 2018-06-27 2023-11-14 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11952658B2 (en) 2018-06-27 2024-04-09 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11923190B2 (en) 2018-07-03 2024-03-05 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11646197B2 (en) 2018-07-03 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US12601062B2 (en) 2018-08-06 2026-04-14 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11804388B2 (en) 2018-09-11 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11274369B2 (en) 2018-09-11 2022-03-15 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition method
US11885023B2 (en) 2018-10-01 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same
US11414760B2 (en) 2018-10-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same
US11664199B2 (en) 2018-10-19 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11735445B2 (en) 2018-10-31 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11499226B2 (en) 2018-11-02 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same
US11866823B2 (en) 2018-11-02 2024-01-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US12448682B2 (en) 2018-11-06 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11798999B2 (en) 2018-11-16 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11411088B2 (en) 2018-11-16 2022-08-09 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US12444599B2 (en) 2018-11-30 2025-10-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
US11488819B2 (en) 2018-12-04 2022-11-01 Asm Ip Holding B.V. Method of cleaning substrate processing apparatus
US11769670B2 (en) 2018-12-13 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11658029B2 (en) 2018-12-14 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same
US11959171B2 (en) 2019-01-17 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11390946B2 (en) 2019-01-17 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11615980B2 (en) 2019-02-20 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
US12176243B2 (en) 2019-02-20 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11798834B2 (en) 2019-02-20 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11342216B2 (en) 2019-02-20 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US12410522B2 (en) 2019-02-22 2025-09-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method for processing substrates
US11629407B2 (en) 2019-02-22 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method for processing substrates
US11424119B2 (en) 2019-03-08 2022-08-23 Asm Ip Holding B.V. Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer
US11901175B2 (en) 2019-03-08 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
US11378337B2 (en) 2019-03-28 2022-07-05 Asm Ip Holding B.V. Door opener and substrate processing apparatus provided therewith
US11551925B2 (en) 2019-04-01 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method for manufacturing a semiconductor device
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11781221B2 (en) 2019-05-07 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Chemical source vessel with dip tube
US11355338B2 (en) 2019-05-10 2022-06-07 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method
US11515188B2 (en) 2019-05-16 2022-11-29 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method
US11996309B2 (en) 2019-05-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11345999B2 (en) 2019-06-06 2022-05-31 Asm Ip Holding B.V. Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas
US12195855B2 (en) 2019-06-06 2025-01-14 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor system including a gas detector
US12252785B2 (en) 2019-06-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning quartz epitaxial chambers
US11908684B2 (en) 2019-06-11 2024-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method
US11476109B2 (en) 2019-06-11 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method
US11746414B2 (en) 2019-07-03 2023-09-05 Asm Ip Holding B.V. Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
US11390945B2 (en) 2019-07-03 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
US11605528B2 (en) 2019-07-09 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method
US11664267B2 (en) 2019-07-10 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate support assembly and substrate processing device including the same
US12107000B2 (en) 2019-07-10 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate support assembly and substrate processing device including the same
US11996304B2 (en) 2019-07-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11664245B2 (en) 2019-07-16 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11688603B2 (en) 2019-07-17 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium structures
US11615970B2 (en) 2019-07-17 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Radical assist ignition plasma system and method
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
US12129548B2 (en) 2019-07-18 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
US12112940B2 (en) 2019-07-19 2024-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film
US11557474B2 (en) 2019-07-29 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11430640B2 (en) 2019-07-30 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11443926B2 (en) 2019-07-30 2022-09-13 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11876008B2 (en) 2019-07-31 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11680839B2 (en) 2019-08-05 2023-06-20 Asm Ip Holding B.V. Liquid level sensor for a chemical source vessel
US12247286B2 (en) 2019-08-09 2025-03-11 Asm Ip Holding B.V. Heater assembly including cooling apparatus and method of using same
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US12040229B2 (en) 2019-08-22 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a structure with a hole
US11594450B2 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a structure with a hole
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
US12033849B2 (en) 2019-08-23 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane
US11827978B2 (en) 2019-08-23 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
US11898242B2 (en) 2019-08-23 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a polycrystalline molybdenum film over a surface of a substrate and related structures including a polycrystalline molybdenum film
US12532674B2 (en) 2019-09-03 2026-01-20 Asm Ip Holding B.V. Methods and apparatus for depositing a chalcogenide film and structures including the film
US11495459B2 (en) 2019-09-04 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer
US11823876B2 (en) 2019-09-05 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US12230497B2 (en) 2019-10-02 2025-02-18 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process
US11610774B2 (en) 2019-10-02 2023-03-21 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process
US12006572B2 (en) 2019-10-08 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same
US12428726B2 (en) 2019-10-08 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Gas injection system and reactor system including same
US11339476B2 (en) 2019-10-08 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device having connection plates, substrate processing method
US11735422B2 (en) 2019-10-10 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a photoresist underlayer and structure including same
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
US11637011B2 (en) 2019-10-16 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Method of topology-selective film formation of silicon oxide
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
US11315794B2 (en) 2019-10-21 2022-04-26 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching films
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US12266695B2 (en) 2019-11-05 2025-04-01 Asm Ip Holding B.V. Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same
US11594600B2 (en) 2019-11-05 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
US11626316B2 (en) 2019-11-20 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure
US11915929B2 (en) 2019-11-26 2024-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
US11401605B2 (en) 2019-11-26 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11923181B2 (en) 2019-11-29 2024-03-05 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing
US11646184B2 (en) 2019-11-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11929251B2 (en) 2019-12-02 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method
US11840761B2 (en) 2019-12-04 2023-12-12 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US12119220B2 (en) 2019-12-19 2024-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US12033885B2 (en) 2020-01-06 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Channeled lift pin
US11976359B2 (en) 2020-01-06 2024-05-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US12125700B2 (en) 2020-01-16 2024-10-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming high aspect ratio features
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
US12410515B2 (en) 2020-01-29 2025-09-09 Asm Ip Holding B.V. Contaminant trap system for a reactor system
US11521851B2 (en) 2020-02-03 2022-12-06 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures including a vanadium or indium layer
US11828707B2 (en) 2020-02-04 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for transmittance measurements of large articles
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US12431334B2 (en) 2020-02-13 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution assembly
US12218269B2 (en) 2020-02-13 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus including light receiving device and calibration method of light receiving device
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11986868B2 (en) 2020-02-28 2024-05-21 Asm Ip Holding B.V. System dedicated for parts cleaning
US12278129B2 (en) 2020-03-04 2025-04-15 Asm Ip Holding B.V. Alignment fixture for a reactor system
US11837494B2 (en) 2020-03-11 2023-12-05 Asm Ip Holding B.V. Substrate handling device with adjustable joints
US11488854B2 (en) 2020-03-11 2022-11-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate handling device with adjustable joints
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
US11961741B2 (en) 2020-03-12 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Method for fabricating layer structure having target topological profile
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
US11823866B2 (en) 2020-04-02 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US11830738B2 (en) 2020-04-03 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
US12598928B2 (en) 2020-04-08 2026-04-07 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
US12068154B2 (en) 2020-04-13 2024-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a nitrogen-containing carbon film and system for performing the method
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US12087586B2 (en) 2020-04-15 2024-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US12243742B2 (en) 2020-04-21 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Method for processing a substrate
US11887857B2 (en) 2020-04-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element
US12243747B2 (en) 2020-04-24 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including vanadium boride and vanadium phosphide layers
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
US12130084B2 (en) 2020-04-24 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply
US11530876B2 (en) 2020-04-24 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply
US12221357B2 (en) 2020-04-24 2025-02-11 Asm Ip Holding B.V. Methods and apparatus for stabilizing vanadium compounds
US11959168B2 (en) 2020-04-29 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Solid source precursor vessel
US11515187B2 (en) 2020-05-01 2022-11-29 Asm Ip Holding B.V. Fast FOUP swapping with a FOUP handler
US11798830B2 (en) 2020-05-01 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Fast FOUP swapping with a FOUP handler
US12051602B2 (en) 2020-05-04 2024-07-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing system for processing substrates with an electronics module located behind a door in a front wall of the substrate processing system
US12442082B2 (en) 2020-05-07 2025-10-14 Asm Ip Holding B.V. Reactor system comprising a tuning circuit
US12203166B2 (en) 2020-05-07 2025-01-21 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for performing an in-situ etch of reaction chambers with fluorine-based radicals
US11626308B2 (en) 2020-05-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Laser alignment fixture for a reactor system
US11804364B2 (en) 2020-05-19 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11705333B2 (en) 2020-05-21 2023-07-18 Asm Ip Holding B.V. Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same
US12243757B2 (en) 2020-05-21 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Flange and apparatus for processing substrates
US11987881B2 (en) 2020-05-22 2024-05-21 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide
US12406846B2 (en) 2020-05-26 2025-09-02 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing boron and gallium containing silicon germanium layers
US12106944B2 (en) 2020-06-02 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Rotating substrate support
US12266524B2 (en) 2020-06-16 2025-04-01 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing boron containing silicon germanium layers
US11646204B2 (en) 2020-06-24 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a layer provided with silicon
US11658035B2 (en) 2020-06-30 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US12020934B2 (en) 2020-07-08 2024-06-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US12055863B2 (en) 2020-07-17 2024-08-06 Asm Ip Holding B.V. Structures and methods for use in photolithography
US11644758B2 (en) 2020-07-17 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Structures and methods for use in photolithography
US11674220B2 (en) 2020-07-20 2023-06-13 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing molybdenum layers using an underlayer
US12241158B2 (en) 2020-07-20 2025-03-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming structures including transition metal layers
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
US12518970B2 (en) 2020-08-11 2026-01-06 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a titanium aluminum carbide film structure on a substrate and related semiconductor structures
US12154824B2 (en) 2020-08-14 2024-11-26 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US12217954B2 (en) 2020-08-25 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Method of cleaning a surface
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
US12074022B2 (en) 2020-08-27 2024-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
US12148609B2 (en) 2020-09-16 2024-11-19 Asm Ip Holding B.V. Silicon oxide deposition method
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12218000B2 (en) 2020-09-25 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing method
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
US12107005B2 (en) 2020-10-06 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material
US12550644B2 (en) 2020-10-06 2026-02-10 Asm Ip Holding B.V. Method and system for forming silicon nitride on a sidewall of a feature
US12051567B2 (en) 2020-10-07 2024-07-30 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit
US11827981B2 (en) 2020-10-14 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing material on stepped structure
US12217946B2 (en) 2020-10-15 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Method of manufacturing semiconductor device, and substrate treatment apparatus using ether-CAT
US11873557B2 (en) 2020-10-22 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing vanadium metal
US11901179B2 (en) 2020-10-28 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and device for depositing silicon onto substrates
US12209308B2 (en) 2020-11-12 2025-01-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor and related methods
US12195852B2 (en) 2020-11-23 2025-01-14 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus with an injector
US12027365B2 (en) 2020-11-24 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap and related systems and devices
US11891696B2 (en) 2020-11-30 2024-02-06 Asm Ip Holding B.V. Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus
US12564871B2 (en) 2020-12-02 2026-03-03 Asm Ip Holding B.V. Cleaning fixture for showerhead assemblies
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
US12288710B2 (en) 2020-12-18 2025-04-29 Asm Ip Holding B.V. Wafer processing apparatus with a rotatable table
US12129545B2 (en) 2020-12-22 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Precursor capsule, a vessel and a method
US12131885B2 (en) 2020-12-22 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Plasma treatment device having matching box
US11885020B2 (en) 2020-12-22 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Transition metal deposition method
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

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