JP2018065721A - ガラス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】静電吸引方式の塗布装置によりパターン形成を行う場合に、パターン周辺にインクが飛散することを防止する。【解決手段】ガラス基板の製造方法は、無アルカリガラスよりなるガラス基板Ｇの表面に帯電防止剤Ｗを塗布する塗布工程Ｓ３１と、塗布工程Ｓ３１後に、ガラス基板Ｇを常温乾燥させる乾燥工程Ｓ３３と、乾燥工程Ｓ３３後に、ガラス基板Ｇの表面にプラズマ照射処理又は紫外線照射処理を施す照射処理工程Ｓ３４と、を備える。【選択図】図４

Description

本発明は、ガラス基板の製造方法に関し、特に、静電吸引式の塗布装置を使用したパターン形成を行うためのガラス基板を製造する方法に関する。

周知のように、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイには、ガラス基板が使用される。近年、スマートフォンやタブレット型端末の登場により、フラットパネルディスプレイの薄型化及び軽量化と共に、高精細化が進んでおり、これに伴い、ガラス基板の薄板化も推進されている。ガラス基板の材質としては、変形や重力たわみが小さく、高温プロセスでの寸法安定性に優れる無アルカリガラスが好適に使用される。

例えばフラットパネルディスプレイの製造工程において、ガラス基板の表面に薄膜電気回路（パターン）が形成される。そのパターン形成の方法としては、従来、フォトリソグラフィ−エッチング方式やインクジェット方式によるものが実施されている。

インクジェット方式としては、ピエゾ方式、サーマル方式の他、静電吸引方式のものが公知である。特許文献１には、ノズルと基板との間に電源から駆動電圧を印加して、ノズル内に供給された吐出材料に電荷を供給し、この吐出材料をノズル孔から基板に吐出させる静電吸引方式の塗布装置（流体吐出装置）が開示されている。この塗布装置は、ノズルの孔径を０．０１μｍ〜２５μｍとするとともに、正負両極性に反転する両極性パルスであり、周波数が１Ｈｚ以上の駆動電圧を印加することで、ノズルの微細化と駆動電圧の低電圧化とを両立させている。

特開２００５−５８８１０号公報

静電吸引方式の塗布装置を使用してガラス基板に塗膜パターンを形成する場合、所定位置への塗膜形成が好適に為されず、インクがパターンの周辺に飛散する場合がある。このインクの飛散は、無アルカリガラスからなるガラス基板を用いる場合に特に顕著である。

本発明は、上記の事情に鑑みて為されたものであり、静電吸引方式の塗布装置によりパターンの形成を行う場合に、パターンの周辺にインクが飛散することを防止することを技術的課題とする。

本発明に係るガラス基板の製造方法は、上記の課題を解決するためのものであり、無アルカリガラスよりなるガラス基板の表面に帯電防止剤を塗布する塗布工程と、前記塗布工程後に、前記ガラス基板を常温乾燥させる乾燥工程と、前記乾燥工程後に、前記ガラス基板の前記表面にプラズマ照射処理又は紫外線照射処理を施す照射処理工程と、を備えることを特徴とする。

本発明では、上記のように、塗布工程において、ガラス基板に帯電防止剤を塗布することで、静電吸引式の塗布装置によるパターン形成において、パターンの周辺へのインクの飛散を好適に防止できる。ガラス基板は、塗布工程後に乾燥工程を経るが、無アルカリガラスは、高温に加熱されると帯電し易い性質を有する。このため、乾燥工程では高温加熱に因らずに、常温乾燥を行うことで、ガラス基板の帯電を防止する。さらに、乾燥工程後の照射処理工程において、ガラス基板の表面にプラズマ照射処理又は紫外線照射処理を施し、その表面改質を行う。この照射処理工程後に、ガラス基板の表面に静電吸引方式により所定のパターンを形成するパターニング工程を実施すれば、パターンの周辺に、インクが飛散することなく所定のパターンを好適に塗布することが可能になる。

本発明に係るガラス基板の製造方法は、前記塗布工程の前に、前記ガラス基板にプラズマ照射処理又は紫外線照射処理を施す清浄化工程を備えることが望ましい。このように、帯電防止剤を塗布する前に、ガラス基板の表面にプラズマ照射処理又は紫外線照射処理を施し、その表面の改質を行うことで、後の塗布工程において、ガラス基板の表面に対して帯電防止剤を均等に塗布することが可能になる。

また、前記清浄化工程は、前記プラズマ照射処理又は前記紫外線照射処理を施した後に、前記ガラス基板の前記表面に対して洗剤による擦り洗浄を行うことが望ましい。これにより、塗布工程において、ガラス基板の表面に付着する異物を除去することができ、後の塗布工程において、ガラス基板の表面に対して帯電防止剤を均等に付着させることができる。

また、本発明に係るガラス基板の製造方法では、前記乾燥工程における常温乾燥は、１０℃以上３５℃以下の環境下にて行われることが望ましい。これにより、乾燥処理の際にガラス基板が帯電することを防止できる。

本発明に係るガラス基板の製造方法において、前記帯電防止剤は、界面活性剤を含むことが望ましい。ガラス基板の表面に界面活性剤を塗布することにより、この表面における親水性を確保し、基板表面の帯電を効果的に防止できる。

本発明に係る塗膜付ガラス基板の製造方法では、上記のガラス基板の表面に静電吸引式の塗布装置により所定のパターンを形成するパターニング工程を備えることを特徴とする。

本発明によれば、静電吸引方式の塗布装置を使用してパターン形成を行う場合に、パターン周辺にインクが飛散することを防止できる。

ガラス基板の製造方法に係るフローチャートである。 清浄化工程を示すフローチャートである。 清浄化工程を説明するための図である。 帯電防止工程を示すフローチャートである。 帯電防止工程を説明するための図である。 帯電防止工程後のガラス基板を示す断面図である。 パターニング工程を説明するための図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明する。図１乃至図７は、本発明に係るガラス基板の製造方法の一実施形態を示す。

図１に示すように、本製造方法は、基板形成工程Ｓ１と、清浄化工程Ｓ２と、帯電防止工程Ｓ３とを備える。

基板形成工程Ｓ１では、例えばオーバーフローダウンドロー法によって成形される枚葉状のガラス板を所定の寸法に切断し、その端面に研削、研磨処理を施すことにより、ガラス基板Ｇを形成する。オーバーフローダウンドロー法は、断面が略くさび形の成形体の上部に設けられたオーバーフロー溝に溶融ガラスを流し込み、このオーバーフロー溝から両側に溢れ出た溶融ガラスを成形体の両側の側壁部に沿って流下させながら、成形体の下端部で融合一体化し、一枚の板ガラスを連続成形するというものである。基板形成工程Ｓ１は、オーバーフローダウンドロー法に限定されず、他の方法、例えば、スロットダウンドロー法、ロールアウト法又はフロート法、アップドロー法、リドロー法等により、ガラス基板Ｇを形成し得る。

基板形成工程Ｓ１により形成されるガラス基板Ｇは、無アルカリガラスからなる。ここで、無アルカリガラスとは、アルカリ成分（アルカリ金属酸化物）が実質的に含まれていないガラスのことであって、アルカリ成分が３０００ｐｐｍ以下のガラスのことである。アルカリ成分の含有量は、好ましくは１０００ｐｐｍ以下であり、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、最も好ましくは３００ｐｐｍ以下である。ガラス基板Ｇとして、例えば日本電気硝子株式会社製の無アルカリガラス（製品名：ＯＡ−１１、３０〜３８０℃における熱膨張係数：３８×１０^−７／℃、歪点６８５℃、徐冷点７４０℃）が好適に使用される。

清浄化工程Ｓ２は、図２に示すように、照射洗浄工程Ｓ２１と、洗浄工程Ｓ２２と、すすぎ工程Ｓ２３とを有する。

照射洗浄工程Ｓ２１では、図３（ａ）（ｂ）に示すように、ガラス基板Ｇの表面を改質する装置、すなわちプラズマ照射装置１又は紫外線照射装置２により、プラズマ又は紫外線をガラス基板Ｇの一方の面（パターニングが施される面）に照射する。

図３（ａ）に示すプラズマ照射装置１は、いわゆるリモート式である。プラズマ照射装置１は、処理ヘッド３と、電源４と、処理ガス供給源５と、搬送装置６とを主に備える。処理ヘッド３は、処理ガス供給源５から供給される処理ガスを通過させる流路７と、この流路７に隣接して設けられる電極８とを備える。流路７の下端部には、プラズマ化した処理ガスをガラス基板Ｇに向かって照射するスリット状の吹出口７ａが形成されている。処理ガス供給源５は、処理ヘッド３に接続されており、プラズマ発生のために、例えば窒素、酸素等を含む処理ガスを処理ヘッド３に供給する。搬送装置６は、例えばローラコンベアにて構成されており、ガラス基板Ｇを一方向に搬送するとともに、処理ヘッド３の下方を横切るように通過させる。

プラズマ照射装置１は、電源４を介して電極８に所定の電圧を印加し、電極８間にプラズマ電界を生じさせる。プラズマ照射装置１は、このプラズマ電界により、処理ガス供給源５から流路７に供給された処理ガスをプラズマ化する。プラズマは、吹出口７ａを通じて、搬送装置６により搬送されるガラス基板Ｇに照射される。これにより、ガラス基板Ｇの表面が改質される。なお、吹出口７ａとガラス基板Ｇとの距離は、１ｍｍ以上１０ｍｍ未満とされることが望ましい。

図３（ｂ）に示すように、紫外線照射装置２は、例えばＸｅエキシマランプ、低圧水銀ランプ等の発光源９を有する。本実施形態では、発光源９は、２００ｎｍ未満の波長の紫外線光を放出できる。紫外線照射装置２は、発光源９から放射される紫外線光をガラス基板Ｇに一定時間照射する。紫外線光の照射時間は１０分以上とされることが望ましい。紫外線照射装置２は、上記のように紫外線光をガラス基板Ｇに照射することで、オゾンを発生させるとともに、その酸化作用にてガラス基板Ｇ上の有機物を除去できる。

洗浄工程Ｓ２２では、図３（ｃ）に示すように、プラズマ照射処理または紫外線照射処理を施したガラス基板Ｇの表面を洗剤Ｄにて洗浄する。洗剤Ｄとしては、中性洗剤、アルカリ洗剤その他の各種洗剤を使用できるが、アルカリ洗剤を使用することが望ましい。また、洗剤Ｄには、界面活性剤、キレート剤が含まれていてもよい。本実施形態では、洗剤Ｄをガラス基板Ｇに吐出し、スポンジ等の洗浄具１０ａにて手作業によりガラス基板Ｇの表面を洗浄する。これに限定されず、洗浄具１０ａを備える装置により自動的に洗浄作業を行ってもよい。

すすぎ工程Ｓ２３は、洗剤Ｄによる洗浄後、図３（ｄ）に示すように、ハンドシャワーにより純水ＰＷを注ぎながら、スポンジ等の洗浄具１０ｂを使用して、手作業によりガラス基板Ｇの表面を擦るように行うことが望ましい。すすぎ工程Ｓ２３は、これに限定されず、洗浄具１０ｂを備える装置により自動的にすすぎ作業を行ってもよい。これにより、ガラス基板Ｇの表面に付着していた汚れ等の異物を除去できる。

図４に示すように、帯電防止工程Ｓ３は、塗布工程Ｓ３１と、すすぎ工程Ｓ３２と、乾燥工程Ｓ３３と、照射処理工程Ｓ３４とを備える。

図５（ａ）に示すように、塗布工程Ｓ３１では、容器１１内に収容された帯電防止剤Ｗを含む溶液にガラス基板Ｇを浸漬する。帯電防止剤Ｗとしては、洗剤、界面活性剤、キレート剤等を使用できる。帯電防止剤Ｗとしての洗剤は、例えばアルカリ洗剤を使用することが望ましい。アルカリ洗剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなどを水溶液として使用することが好ましい。また、界面活性剤としては、カチオン系のものや非イオン系のものを好適に使用できる。塗布工程Ｓ３１において、帯電防止剤Ｗを含む溶液にガラス基板Ｇを浸漬する時間は、５分以上とされることが好ましい。なお、帯電防止剤Ｗを含む溶液に使用される溶媒としては、水、エタノール等のアルコールが好ましい。

すすぎ工程Ｓ３２では、図５（ｂ）に示すように、ハンドシャワーにより純水ＰＷを注ぎながら、スポンジ等の洗浄具１０ｃを使用して、手作業によりガラス基板Ｇの表面を擦るようにすることが望ましい。またこの際、洗浄具１０ｃをガラス基板Ｇの中心部から外縁部に向かって移動させることが好ましい。すすぎ工程Ｓ３２は、これに限定されず、洗浄具１０ｃを備える装置により自動的にすすぎ作業を行ってもよい。このすすぎ工程Ｓ３２では、帯電防止剤Ｗがガラス基板Ｇに適度に残存するように、余分な帯電防止剤Ｗをガラス基板Ｇから洗い落とす。したがって、このすすぎ工程Ｓ３２では、帯電防止剤Ｗが完全に除去されることなく、ガラス基板Ｇは、好適な厚さの帯電防止剤Ｗの膜によりコーティングされることになる。

乾燥工程Ｓ３３では、図５（ｃ）に示すように、ガラス基板Ｇを乾燥室１２に設置する。乾燥室１２は、一定の温度及び湿度に維持されている。例えば乾燥室１２内の温度は、１０℃以上３５℃以下の範囲に維持管理されることが望ましい。室温が１０℃未満であると、ガラス基板Ｇが乾燥し難く、乾燥時間が長期化するため、好ましくない。室温が３５℃を超えると、帯電防止剤Ｗを塗布した状態であっても、後のパターニング工程においてインクがガラス基板Ｇの表面において飛散するおそれがあり、好ましくない。乾燥室１２内には、送風機１３が配置されており、ガラス基板Ｇに送風しながら乾燥を行うことが望ましい。

照射処理工程Ｓ３４では、図５（ｄ）に示すように、プラズマ照射装置１により、ガラス基板Ｇの表面にプラズマ照射を行う。プラズマ照射装置１は、図３（ａ）に示した装置を使用する。なお、プラズマ照射に替えて、紫外線照射装置２（図３（ｂ）参照）によりガラス基板Ｇの表面に紫外線を照射してもよい。

清浄化工程Ｓ２の照射洗浄工程Ｓ２１において、ガラス基板Ｇにプラズマ照射処理を施した場合には、この照射処理工程Ｓ３４においてもガラス基板Ｇにプラズマ照射処理を施すことが望ましい。同様に、清浄化工程Ｓ２の照射洗浄工程２１においてガラス基板Ｇに紫外線照射処理を施した場合には、この照射処理工程Ｓ３４においてもガラス基板Ｇに紫外線照射処理を施すことが望ましい。これに限定されず、照射洗浄工程Ｓ２１においてプラズマ照射処理を実行した後に、この照射処理工程Ｓ３４において紫外線照射処理を実行してもよく、その逆も可能である。

以上の帯電防止工程Ｓ３を経ることにより、後のパターニング工程の際にインクの飛散を防止することが可能なガラス基板Ｇが製造される。具体的には、図６に示すように、ガラス基板Ｇの表面が帯電防止剤Ｗにより被覆されてなるガラス基板Ｇが完成する。

パターニング工程では、図７に示す静電吸引式の塗布装置１４を使用して、塗布材料（インク）をガラス基板Ｇの表面に塗布する（静電塗装）。塗布材料としては、金、銀、銅、白金、パラジウム、タングステン、タンタル、ビスマス、鉛、錫、インジウム、亜鉛、チタン、ニッケル、鉄、コバルト、アルミニウム等の金属が挙げられるが、これに限定されるものではない。

塗布装置１４は、ノズル（インクジェットヘッド）１５と、圧力調整器１６と、電圧発生装置１７と、制御装置１８とを主に備える。

ノズル１５は、例えばガラス製のキャピラリチューブからなり、先細り形状を有する。ノズル１５は、先端部に超微細の吐出口１５ａを有する。この吐出口１５ａの開口径は０．０１μｍ〜１０μｍとされている。ノズル１５の内部には、金属線が電極として挿入されており、電極は電圧発生装置１７に接続されている。

塗布装置１４は、制御装置１８の制御信号に基づき、電圧発生装置１７により所定の波形を有する電圧を発生させ、この電圧を高電圧アンプ（図示せず）によって増幅して電極に印加する。これにより、ノズル１５内部の塗布材料に電荷が付与される。塗布装置１４は、圧力調整器１６によってノズル１５の吐出圧力を調整しつつ、インクをノズル１５の吐出口１５ａから帯電した微小流体としてガラス基板Ｇに向けて噴射し、ノズル１５の先端部における電界の集中効果と、ガラス基板Ｇに誘起される鏡像力により、インクをガラス基板Ｇに付着させる。これにより、直線状で所定幅の塗膜Ｍを有する塗膜付ガラス基板が完成する。

以上により、インクが飛散することなく所期のパターンが形成されてなる塗膜付ガラス基板が製造される。塗膜付ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用として好適に使用される他、例えば、熱収縮率を測定するための検査用その他の種々の用途に使用され得る。

以上説明した本実施形態に係るガラス基板Ｇの製造方法によれば、帯電防止工程Ｓ３において、塗布工程Ｓ３１によりガラス基板Ｇの表面に帯電防止剤Ｗを塗布した後、乾燥工程Ｓ３３によりガラス基板Ｇを常温にて乾燥させ、その後に当該ガラス基板Ｇにプラズマ照射又は紫外線照射処理を施すこと（照射処理工程Ｓ３４）により、後のパターニング工程の際にインクがパターン周辺に飛散することを確実に防止できる。

無アルカリガラスは、高温環境下においてガラス表面に吸着している水分子が蒸発することにより、強く帯電する性質を有するため、上記の乾燥工程Ｓ３３において、乾燥室１２内の温度を一定の常温範囲内（１０℃以上３５℃以下）に維持することにより、ガラス基板Ｇの帯電化を防止することができる。

また、清浄化工程Ｓ２において、予めガラス基板Ｇの表面にプラズマ照射処理又は紫外線照射処理を施し（照射洗浄工程Ｓ２１）、この表面を改質することにより、後の塗布工程Ｓ３１において、帯電防止剤Ｗをこの表面に均等に付着させることが可能になる。

本発明者は、本発明に係るガラス基板の製造方法の効果を確認するための試験を行った。以下、試験の内容について説明する。

ガラス基板として、実施例１、実施例２を作製し、これらを、別途製作した比較例１〜３と対比した。各例ともに、無アルカリガラスからなるガラス基板（日本電気硝子株式会社製 ＯＡ−１１）を用いた。

以下、実施例１について説明する。清浄化工程において、プラズマ照射装置として、株式会社積水化学工業製の常圧プラズマ表面処理装置を用い、ガラス基板の一方の面にプラズマ照射処理（ガラス基板と処理ヘッド３の距離１０ｍｍ以下、搬送速度０．５ｍ／ｍｉｎ）を施した。その後、株式会社パーカーコーポレーション製のアルカリ洗剤（製品名ＰＫ−ＬＣＧ２１７、希釈倍率２０倍）により、ガラス基板の表面に対して擦り洗浄を行った。その後、純水によりガラス基板の表面をすすいだ。

その後、容器に収容した帯電防止剤を含む溶液にこのガラス基板を浸漬した。帯電防止剤には、株式会社パーカーコーポレーション製のアルカリ洗剤（製品名ＰＫ−ＬＣＧ２１７）を用い、純水を用いて２０倍に希釈した。ガラス基板を浸漬した時間は５分である。その後、ガラス基板を容器１１から取出し、純水によるすすぎを行った。

その後、ガラス基板を乾燥室にて乾燥させた。乾燥室内の温度は２４℃とし、送風を行いながらガラス基板を乾燥させた。ガラス基板を乾燥させた後、上記の常圧プラズマ表面処理装置により、ガラス基板の表面にプラズマ照射処理を施した。

その後、株式会社ＳＩＪテクノロジ製の超微細インクジェット装置（吐出口の口径３μｍ、ノズルとガラス基板との距離６０μｍ、ノズルの移動速度０．５ｍ／ｓ）を使用して、ガラス基板の表面に銅インクを直線状（線幅１０μｍ〜３０μｍ）に塗布した。以上により実施例１に係る塗膜付ガラス基板を作製した。

以下、実施例２について説明する。実施例２では、清浄化工程における照射洗浄工程の処理を行わず、洗剤、純水による洗浄、すすぎのみを行った。また、帯電防止工程として、実施例１と同様に、容器に収容した帯電防止剤（アルカリ洗剤）を含む溶液に浸漬した後、純水によるすすぎを行った。この実施例２では、帯電防止工程における照射処理工程として、Ｘｅエキシマライトによる紫外線の照射処理をガラス基板の表面に施した。紫外線の照射時間は１０分である。その後、実施例１と同じ条件で、ガラス基板にインクを塗布し、塗膜付ガラス基板を作製した。

以下、比較例１について説明する。比較例１では、清浄化工程における照射洗浄工程の処理を行わず、ガラス基板の表面に対してアルカリ洗剤による擦り洗浄、純水による洗浄、すすぎのみを行った。また、比較例１については、帯電防止工程における塗布工程を行わなかった。帯電防止工程における乾燥工程は、実施例１とは異なり、７５〜９５℃の温度条件にてガラス基板を乾燥させた。その後の照射処理工程、パターニング工程は、実施例１と同様な条件で実施し、塗膜付ガラス基板を作製した。

比較例２については、実施例１と同様に、清浄化工程による処理をガラス基板に施した後、比較例１と同様に、帯電防止工程の乾燥工程を７５〜９５℃の温度条件で実施した。その他の条件は実施例１と同じである。比較例３については、帯電防止工程における照射処理工程を実行せず、他の工程を実施例１と同じように実行して、塗膜付ガラス基板を作製した。

上記のように実施例１，２、比較例１〜３に係る塗膜付ガラス基板を作製した後、電子顕微鏡を用いて、その表面に形成された銅インクによる塗膜の拡大画像データを取得した。この画像データに基づいてインクの飛散の有無や程度について観察し、良否の判定を行った。各例の作製の条件及び良否判定の結果を表１に示す。

実施例１については、直線状に形成された塗膜の周りにインクの飛散は一切認められなかったため、良否の判定を「◎」（最良）とした。実施例２については、直線状の塗膜の近傍に若干の微小インクの飛散を確認できたものの、ガラス基板の性能に大きく影響を及ぼすことはないと考えられるため、判定を「○」（良）とした。各比較例１〜３については、ガラス基板に塗布された塗膜の近傍に、無数の微小インクの飛散を確認したため、判定を「×」（不良）とした。

実施例１の判定結果から、清浄化工程、帯電防止工程を実行して形成された塗膜付ガラス基板は、パターニング工程におけるインクの飛散を確実に防止できることが判る。実施例２のように、清浄化工程における照射洗浄工程を省略しても、帯電防止工程を実行することにより、パターニング工程におけるインクの飛散を抑制させることが可能である。また、比較例１〜３の判定結果により、帯電防止工程の塗布工程を省略した場合、帯電防止工程における乾燥工程を高温で実行した場合、帯電防止工程の照射処理工程を省略した場合には、パターニング工程においてインクの飛散が生じることが判る。

なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

上記の実施形態では、帯電防止工程Ｓ３における塗布工程Ｓ３１において、容器１１に収容した帯電防止剤Ｗを含む溶液にガラス基板Ｇを浸漬させる例を示したが、これに限定されず、例えば噴霧、スピンコートその他の手段により、ガラス基板Ｇの表面に帯電防止剤Ｗを塗布するようにしてもよい。

１４ 塗布装置
Ｇ ガラス基板
Ｓ２ 清浄化工程
Ｓ２１ 照射洗浄工程
Ｓ３１ 塗布洗浄工程
Ｓ３３ 乾燥工程
Ｓ３４ 照射処理工程
Ｗ 帯電防止剤

Claims (6)

1. 無アルカリガラスよりなるガラス基板の表面に帯電防止剤を塗布する塗布工程と、
   前記塗布工程後に、前記ガラス基板を常温乾燥させる乾燥工程と、
   前記乾燥工程後に、前記ガラス基板の前記表面にプラズマ照射処理又は紫外線照射処理を施す照射処理工程と、を備えることを特徴とする、ガラス基板の製造方法。
2. 前記塗布工程前に、前記ガラス基板の前記表面にプラズマ照射処理又は紫外線照射処理を施す清浄化工程を備える、請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
3. 前記清浄化工程は、前記プラズマ照射処理又は前記紫外線照射処理を施した後に、前記ガラス基板の前記表面に対して洗剤による擦り洗浄を行う、請求項２に記載のガラス基板の製造方法。
4. 前記乾燥工程における常温乾燥は、１０℃以上３５℃以下の環境下にて行われる、請求項１から３のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
5. 前記帯電防止剤は、界面活性剤を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
6. 請求項１から５のいずれか１項に記載のガラス基板の前記表面に静電吸引式の塗布装置により所定のパターンを形成するパターニング工程を備えることを特徴とする、塗膜付ガラス基板の製造方法。
   
   

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