JP2018092933A - バックライトユニット、表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】バックライトユニット、表示装置および表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係るバックライトユニットは、導光板と、前記導光板の一側に配置される波長変換部材と、前記波長変換部材を収容し、前記導光板に接合される収容部とを含む。【選択図】図１

Description

本発明は、バックライトユニット、表示装置および表示装置の製造方法に係り、より詳しくは、導光板と、前記導光板の一側に配置される波長変換部材と、前記波長変換部材を収容し前記導光板に接合される収容部とを含むバックライトユニット、表示装置および表示装置の製造方法に関する。

液晶表示装置は、情報表示技術に占める比重が非常に大きい。液晶表示装置は、２枚のガラス基板の間に液晶を封入して、ガラス基板の上下にある電源を介して電極を注入し、各液晶により光を外部に出すことにより、情報を表示する。

前記液晶表示装置は、それ自体では発光できず、外部から入ってくる光の透過率を調節して画像を表示する受光素子であるため、表示パネルに光を照射するための別途の装置、すなわちバックライトユニット（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）が要求される。

最近では、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＬＥＤ）が液晶表示装置のバックライトユニットの光源として脚光を浴びており、ＬＥＤは電流が流れるときに光を出す半導体発光装置である。ＬＥＤは、長寿命、低消費電力、高速応答、および優れた初期駆動特性などにより照明装置、電光板、ディスプレイ装置のバックライトユニットとして広く使用されており、その適用分野が益々拡大している。

一方、ＬＥＤ光源を用いる場合、色の純度を高めるために量子ドットが使用されているが、量子ドットは、伝導帯から価電子帯へ励起状態の電子が遷移しながら発光するが、同じ物質の場合でも粒子の大きさに応じて波長が変わる特性を示す。量子ドットのサイズが小さくなるほど短い波長の光を発光するので、サイズを調節して所望の波長領域の光が得られる。

量子ドット物質は、主にガラスなどの密封材の内部に密封された状態であるので、外部からの衝撃によって密封材が破損するおそれがあり、量子ドット物質の内部にはＣｒなどの成分が含まれており、外部へ流出する場合には環境汚染を引き起こすおそれがある。したがって、最近では、量子ドット物質を用いて高色再現率の白色光を実現しつつ、量子ドット物質を密封する密封材の破損を防止する研究が行われている。

本発明が解決しようとする課題は、アライメントを正確に維持するバックライトユニットを提供することである。

本発明が解決しようとする課題は、部品の数を簡素化したバックライトユニットを提供することである。

本発明が解決しようとする課題は、アライメントを正確に維持する表示装置を提供することである。

本発明が解決しようとする課題は、部品の数を簡素化した表示装置を提供することである。

本発明が解決しようとする課題は、アライメントを正確に維持する表示装置の製造方法を提供することである。

本発明が解決しようとする課題は、部品の数を簡素化して生産性を向上させた表示装置の製造方法を提供することである。

本発明の課題は上述した技術的課題に制限されず、上述していない別の技術的課題は以降の記載から当業者は明確に理解できるであろう。

本発明の一実施形態に係るバックライトユニットは、導光板と、前記導光板の一側に配置される波長変換部材と、前記波長変換部材を収容し、前記導光板に接合される収容部とを含む。

また、前記導光板は、互いに対向する上面と下面、および前記上面と前記下面とを結ぶ側面を含み得る。

また、前記収容部は前記導光板の前記側面に接合できる。

また、前記収容部の一側に形成される突出部をさらに含み、前記突出部は前記導光板の前記上面に接合できる。

また、前記導光板の前記側面は、前記収容部および前記波長変換部材に接することができる。

また、前記導光板の前記側面から内側に陥凹した第１溝をさらに含み、前記波長変換部材は前記第１溝に充填できる。

また、前記収容部は前記導光板の前記上面に接合できる。

また、前記導光板の前記上面から内側に陥凹した第２溝をさらに含み、前記波長変換部材は前記第２溝に充填できる。

また、前記収容部と前記導光板の側面とが接して第１接触面を形成し、前記第１接触面には接合部が形成できる。

また、前記接合部は複数の接合ドットを含み得る。

また、前記接合ドットは、中心領域、および前記中心領域の外側に配置される周辺領域を含み得る。

また、前記中心領域の幅は１０μｍ乃至２０μｍであり得る。

また、前記周辺領域の幅は７０μｍ乃至１００μｍであり得る。

また、前記収容部の内部に形成された複数のトレンチをさらに含み、前記波長変換部材は前記トレンチに充填できる。

また、前記収容部は、前記トレンチを覆うカバーガラスをさらに含み得る。

また、前記導光板および前記収容部はガラスからなり得る。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、バックライトユニット、および前記バックライトユニット上に配置される表示パネルを含み、前記バックライトユニットは、導光板と、前記導光板の一側に配置される波長変換部材と、前記波長変換部材を収容し、前記導光板に接合される収容部とを含む。

また、前記収容部は前記表示パネルに接合できる。

また、前記収容部の一側に形成された第１突出部を含み、前記第１突出部は前記表示パネルに接合できる。

また、前記収容部の他側に形成された第２突出部をさらに含み、前記第２突出部は前記表示パネルに接合できる。

また、前記導光板は前記表示パネルに接合できる。

また、前記収容部は前記導光板の上面に接合され、前記表示パネルは前記収容部に接合できる。

本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、導光板、前記導光板の一側に配置される波長変換部材、および前記波長変換部材を収容し且つ前記導光板に接触する収容部を準備する段階と、前記導光板と前記収容部とをフェムト秒レーザーを用いて接合させる段階とを含んでなる。

また、接合された前記導光板と前記収容部を表示パネルに接合する段階をさらに含み得る。

また、接合された前記導光板と前記収容部を下部カバーと組み立てる段階をさらに含み得る。

本発明の実施形態によれば、少なくとも次のような効果がある。
波長変換部材と導光板のアライメントを固定させることにより、ミスアライメントの発生を防止できる。つまり、アライメントが適切に行われない場合には、入光効率および色変換率の低下が発生するおそれがあるが、波長変換部材と導光板のアライメントを固定させる場合、このような入光効率低下および色変換率低下の現象を抑制できる。
部品の数を減らして製造方法を簡素化し、製品の生産性を向上できる。
本発明の実施形態による効果は、以上に示した内容によって制限されず、さらに様々な効果が本明細書に含まれている。

本発明の一実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。 図１の実施形態の側面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の側面配置図である。 図２の「Ａ」部分を拡大して示す拡大図である。 本発明の別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。 図５の実施形態の側面図である。 本発明の一実施形態に係るバックライトユニットの部分配置図である。 本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。 図８の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。 図１０の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。 図１２の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。 図１４の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。 図１６の実施形態の部分斜視図である。 図１７の実施形態の平面図である。 図１６の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。 図２０の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。 図２２の実施形態に係るバックライトユニットの部分斜視図である。 図２２の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の別の実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。

本発明の利点、特徴、およびそれらを達成する方法は、添付図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は、以下に開示する実施形態に限定されるものではなく、異なる多様な形態により実現される。但し、本実施形態は、単に本発明の開示を完全たるものにし、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。本発明は、請求項の範疇によってのみ定義される。

第１、第２などを様々な構成要素を述べるために使用するが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されないのは勿論である。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。よって、以下に言及する第１構成要素は本発明の技術的思想内において第２構成要素であり得る。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。

図１は本発明の一実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。図２は図１の実施形態の側面図である。

図１および図２を参照すると、本発明の一実施形態に係るバックライトユニットは、導光板ＬＧと、導光板ＬＧの一側に配置される波長変換部材Ｒと、波長変換部材Ｒを収容し、導光板ＬＧに接合される収容部Ｈとを含む。

導光板ＬＧは、提供された光をガイドして、後述する表示パネル（図示せず）に提供する。

一実施形態において、導光板ＬＧは、互いに対向する上面ＵＳと下面ＬＳ、および上面ＵＳと下面ＬＳとを結ぶ側面ＳＳを含む。

光源Ｌから提供される光は、導光板ＬＧの上面ＵＳを経由して出光できる。すなわち、導光板ＬＧは、光源Ｌから提供される光が上面ＵＳに向かってまたは上面を経由して出光するように誘導する。すなわち、上面ＵＳは出光面である。

図１は上面ＵＳが平坦な面を含む場合を例示するが、上面ＵＳの形状はこれに制限されるものではない。すなわち、上面ＵＳには、光学的機能を行う機能パターンが形成できる。この機能パターンは複数の突出パターンや陥没パターンを含む。

上面ＵＳに対向するように下面ＬＳが配置される。下面ＬＳは、上面ＵＳと実質的に同じ形状を有し、上面ＵＳと並んで配置される。

下面ＬＳは、光源Ｌから提供される光を反射したり散乱させたりして光が上面ＵＳに向かって進行するように誘導する役目を行う。

図１は下面ＬＳが平坦な面を有する場合を例示するが、下面ＬＳの形状はこれに制限されるものではない。すなわち、別の実施形態において、下面ＬＳには複数の機能パターンが形成できる。機能パターンは、上述したように、反射および／または散乱機能を行うパターンであり、その形状と個数は制限されない。

上面ＵＳと下面ＬＳとの間に側面ＳＳが配置される。一実施形態において、側面ＳＳは上面ＵＳと下面ＬＳとを結ぶ。

一実施形態において、導光板ＬＧは一つ以上の側面ＳＳを含む。例えば、図１のように導光板ＬＧが直方体形状を有する例示的な実施形態において、側面ＳＳは４つである。また、この場合、側面ＳＳは、互いに対向する２つの短側面と互いに対向する２つの長側面を含む。

一実施形態において、後述する光源Ｌは、導光板ＬＧの短側面に隣接するように配置される。すなわち、一実施形態において、導光板ＬＧの光源に隣接する短側面は入光面になり、入光面に対向する短側面は対光面になる。

図１は短側面がｙ軸方向に延長され、長側面がｘ軸方向に延長される場合を例示する。
また、図１は側面ＳＳが平坦な面を含む場合を例示するが、これに制限されるものではなく、別の実施形態において、側面ＳＳは少なくとも部分的に一つ以上の傾斜面を含むこともできる。

一実施形態において、導光板ＬＧは、ガラスを含むガラス導光板である。

導光板ＬＧの一側には波長変換部材Ｒが配置される。図１は波長変換部材Ｒが導光板ＬＧの側面ＳＳに隣接した場合を例示する。

光源Ｌから提供される光は、波長変換部材Ｒを通過して導光板ＬＧに提供される。一実施形態において、波長変換部材Ｒを通過した光は、白色光に波長変換されて導光板ＬＧに提供される。すなわち、波長変換部材Ｒは、提供される光の波長をシフト（Ｓｈｉｆｔ）させる役目をなす。このため、波長変換部材Ｒは量子ドット（ＱＤ、Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）を含む。
波長変換部材Ｒが含む量子ドットは、例えば、Ｓｉ系ナノ結晶、ＩＩ−ＶＩ族系化合物半導体ナノ結晶、ＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体ナノ結晶、ＩＶ−ＶＩ族系化合物半導体ナノ結晶、およびこれらの混合物のうち、いずれか一つのナノ結晶を含む。

一実施形態において、ＩＩ−ＶＩ族系化合物半導体ナノ結晶は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇｇＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、およびＨｇＺｎＳＴｅよりなる群から選択されたいずれかである。

一実施形態において、ＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体ナノ結晶は、ＧａＰＡｓ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＰＡｓ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＰＡｓ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、およびＩｎＡｌＰＡｓよりなる群から選択されたいずれかである。

一実施形態において、ＩＶ−ＶＩ族系化合物半導体ナノ結晶はＳｂＴｅであり得る。但し、これは例示的なものであり、量子ドット物質の種類はこれに制限されるものではない。すなわち、波長変換機能を行う量子ドット物質であれば、波長変換部材Ｒに属する量子ドットとして使用できる。

一実施形態において、波長変換部材Ｒは、バー（ｂａｒ）形状を有し、長手方向に延長できる。図１は波長変換部材Ｒがｙ軸方向に延長される場合を例示する。言い換えれば、波長変換部材Ｒは導光板ＬＧの側面ＳＳに沿って延長できる。一実施形態において、波長変換部材Ｒは導光板ＬＧの短側面のうちの入光面、すなわち、光源Ｌと隣接する側面ＳＳに隣接するように配置される。

波長変換部材Ｒは一方向に連続的に延長できる。但し、これに制限されるものではなく、別の実施形態において、波長変換部材Ｒは断続的に延長できる。すなわち、図１は一つの波長変換部材Ｒが一体に形成される場合を例示するが、これに制限されるものではなく、別の実施形態において、複数の波長変換部材Ｒが独立して形成されてもよい。

一実施形態において、波長変換部材Ｒは収容部Ｈによって収容される。このため、収容部Ｈは長さ方向に延長されるバー（Ｂａｒ）形状を有する。

収容部Ｈは、内部に形成される一定の空間を含む。内部に形成される空間は、密閉され、外部との空気および水分の交換が遮断される。収容部Ｈに設けられた内部空間には波長変換部材Ｒが充填される。すなわち、波長変換部材Ｒは収容部Ｈによって密閉収容される。波長変換部材Ｒが収容部によって密閉収容されると、波長変換部材Ｒは、外部の空気や水分に晒されない。

収容部Ｈはガラスを含んで構成できる。すなわち、収容部Ｈは、内部が空いているガラス管の形状を有する。

一実施形態において、収容部Ｈは導光板ＬＧと同種のガラスからなってもよい。
別の実施形態において、収容部Ｈは導光板ＬＧと異種のガラスからなってもよい。

収容部Ｈは、波長変換部材Ｒを収容したまま導光板ＬＧに接合される。本明細書において、接合されるとは、二つの構成が直接接触して互いに結合されることを意味する。

一実施形態において、収容部Ｈは導光板ＬＧの側面ＳＳと直接接触する。また、収容部Ｈは導光板ＬＧの側面ＳＳに接合できる。言い換えれば、収容部Ｈと導光板ＬＧとは互いに接合されて一体を成す。

収容部Ｈが導光板ＬＧと直接接すると、収容部Ｈと導光板ＬＧとの間には接触面ＣＳが形成される。すなわち、接触面ＣＳは、導光板ＬＧの側面ＳＳと収容部Ｈの一面とが直接接している領域である。これを導光板ＬＧの基準により説明すると、接触面ＣＳは導光板ＬＧの側面ＳＳに全面的に形成されるか或いは部分的に形成される。

このように収容部Ｈと導光板ＬＧとが直接接合される場合、収容部Ｈ内に配置される波長変換部材Ｒと導光板ＬＧとの間におけるミスアライメントの発生を防止できる。また、収容部Ｈと導光板ＬＧとを一体化させることにより、モジュールに組み込まれる部品の数を簡素化できる。収容部Ｈと導光板ＬＧとの接合については、図３乃至図５を参照してより詳細に後述する。

本発明の一実施形態に係るバックライトユニットは、導光板ＬＧの一側に配置される光源Ｌをさらに含む。
光源Ｌは導光板ＬＧに光を提供する。一実施形態において、光源Ｌは、導光板ＬＧの側面ＳＳに隣接するように配置される。
光源Ｌと導光板ＬＧとの間には、波長変換部材Ｒを収容する収容部Ｈが配置される。これにより、光源Ｌから提供される光が波長変換部材Ｒを介して導光板ＬＧに提供される。

一実施形態において、光源ＬはベースプレートＢと発光ダイオードＤを含む。ベースプレートＢは発光ダイオードＤを支持する。一実施形態において、ベースプレートＢは長さ方向に延長される。一実施形態において、ベースプレートＢは波長変換部材Ｒと同じ方向、すなわち、図１におけるｙ軸方向に延長される。つまり、ベースプレートＢと波長変換部材Ｒは互いに並んで延長される。

ベースプレートＢは、発光ダイオードＤを制御するための回路基板（図示せず）を含む。

ベースプレートＢ上には発光ダイオードＤが配置される。発光ダイオードＤは、青色光を発光する発光ダイオードであるか、或いはＵＶ光を発光する発光ダイオードであり得る。但し、これは例示的なものであり、発光ダイオードＤはこれに制限されない。

発光ダイオードＤはベースプレートＢに沿って複数個配置される。前述のように、発光ダイオードＤから放出される光は、波長変換部材Ｒを経由して導光板ＬＧへ進行する。また、波長変換部材Ｒを通過した光は、白色光に変換されて導光板ＬＧに提供される。

以下、図３および図４を参照して、収容部Ｈと導光板ＬＧとの接合についてさらに具体的に説明する。
図３は本発明の一実施形態に係る表示装置の側面配置図である。図４は図２の「Ａ」部分を拡大して示す拡大図である。
図３は図２の第１矢印（１）の方向から眺めた図である。

図３を参照すると、収容部Ｈと導光板ＬＧとの接触面ＣＳには接合部ＢＰが形成される。接合部ＢＰは収容部Ｈと導光板ＬＧとを一体化させる。
接合部ＢＰは、接触面ＣＳに全面的に形成されるか、或いは部分的に形成される。

一実施形態において、接合部ＢＰは複数の接合ドットＢＤを含む。接合ドットＢＤは、接触面ＣＳを挟んでいる２つの構成を少なくとも部分的に溶かして両者を接合させる。すなわち、接合ドットＢＤによって収容部Ｈと導光板ＬＧとは互いに融着される。

一実施形態において、接合ドットＢＤは接触面ＣＳに沿って断続的に配置される。図３に示すように、接合ドットＢＤは、接触面ＣＳの内側に接触面ＣＳの外周に沿って配置される。接触面ＣＳが四角形の形状を有する実施形態において、複数の接合ドットＢＤの集まりは四角形の形状を有する。

但し、接合ドットＢＤの形状はこれに制限されるものではない。すなわち、接合ドットＢＤは、接触面ＣＳの内側に１つの直線に沿って配置されてもよい。

また、図３は接合ドットＢＤが断続的に配置される場合を例示するが、これに制限されるものではなく、別の実施形態において、接合ドットＢＤは連続的に配置されてもよい。接合ドットＢＤが連続的に配置されるとは、複数の接合ドットＢＤが互いに連結されている場合を意味する、この場合、接合部ＢＰは、複数の接合ドットＢＤが集まってなす接合ラインを少なくとも一つ含む。

次いで、図４を参照すると、図４は一つの接合ドットＢＤを拡大して示す。
一実施形態において、接合ドットＢＤは、中心領域Ａ１、および中心領域Ａ１の外側に配置される周辺領域Ａ２を含む。

一実施形態において、接合ドットＢＤの形状はレーザーを用いた接合方式によって形成できる。レーザーを用いた接合方式については詳細に後述する。

接合ドットＢＤの中心領域Ａ１は接触面ＣＳを横切って形成できる。一実施形態において、中心領域Ａ１の断面は、長軸が短軸よりも長い楕円形状を有する。

以下、中心領域Ａ１が断面楕円形の形状を有する場合を例示して説明するが、中心領域の断面形状はこれに制限されるものではない。別の実施形態において、中心領域Ａ１の断面は円形の形状を有してもよく、この場合、長軸に対する説明は円の直径に対する説明により代替できることを予め明らかにしておく。

図４は中心領域Ａ１の長軸が接触面ＣＳに対して垂直するように配置される場合を例示するが、長軸の方向はこれに制限されない。すなわち、長軸の方向はレーザー照射方向によって異なる。

中心領域Ａ１においては、収容部Ｈと導光板ＬＧとの境界が消えることがある。すなわち、収容部Ｈと導光板ＬＧとの接触面ＣＳが明確に識別されないことがある。つまり、収容部Ｈが第１材料からなり、導光板ＬＧが第２材料からなる実施形態において、中心領域Ａ１は、第１材料と第２材料とが境界なく混合された領域である。

収容部Ｈと導光板ＬＧが同種のガラスからなる一実施形態において、接合ドットＢＤの中心領域Ａ１は、収容部Ｈと導光板ＬＧとが境界なく混合された領域である。
収容部Ｈと導光板ＬＧが異種のガラスからなる別の実施形態において、中心領域Ａ１は、様々な種類のガラスが境界なく混合された領域である。

一実施形態において、中心領域Ａ１の長軸の幅は１０μｍ乃至２０μｍである。
中心領域Ａ１の外側には、中心領域Ａ１を囲むように周辺領域Ａ２が配置される。一実施形態において、中心領域Ａ１の断面形状は円形である。

周辺領域Ａ２に含まれる収容部Ｈと導光板ＬＧは、少なくとも部分的に溶融された状態である。但し、この場合においても、収容部Ｈと導光板ＬＧとの境界が維持され、接触面ＣＳも明確に識別できる。

一実施形態において、周辺領域Ａ２の幅は７０μｍ乃至１００μｍである。
接合ドットＢＤの大きさが大きい場合、収容部Ｈに収容された波長変換部材Ｒに熱損傷が加えられることがある。上述したように、接合ドットＢＤの最大幅が７０μｍ乃至１００μｍである場合、波長変換部材Ｒに加わる熱損傷を防ぐか或いは最小限に抑える。

一実施形態において、接合ドットＢＤの大きさを最小化するために、波長がフェムト秒レーザーを用いる。すなわち、フェムト秒レーザーを用いて収容部Ｈと導光板ＬＧとを接合させる場合、接合ドットＢＤの最大幅を１００μｍ以下に維持でき、これにより、波長変換部材Ｒが熱によって損傷を被ることを最小限に抑える。

次に、本発明の別の実施形態に係るバックライトユニットについて説明する。
以下の実施形態において、既に説明した構成と同一の構成については同一の参照番号を付し、重複説明は省略または簡略化する。

図５は本発明の別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。図６は図５の実施形態の側面図である。
図５および図６を参照すると、本発明の別の実施形態に係るバックライトユニットは、収容部Ｈ１の一側に形成される突出部ＰＲを含むことが、図１の実施形態とは異なる点である。

一実施形態において、収容部Ｈ１の一側には突出部ＰＲが形成される。突出部ＰＲは、収容部Ｈ１から導光板ＬＧに向かって突出形成される。

一実施形態において、突出部ＰＲは収容部Ｈ１と一体に形成できる。すなわち、収容部Ｈ１がガラスにより形成される実施形態において、突出部ＰＲは、収容部Ｈ１と同様にガラスにより形成されて透明である。
すなわち、突出部ＰＲと収容部Ｈ１の断面は全体的に「Ｌ」字状を有する。

本発明の一実施形態に係るバックライトユニットが突出部ＰＲを含む場合、収容部Ｈ１と導光板ＬＧとの間には第１接触面ＣＳ１が形成され、突出部ＰＲと導光板ＬＧとの間には第２接触面ＣＳ２が形成される。第１接触面ＣＳ１は、図１などにおいて説明したように、導光板ＬＧの側面ＳＳに形成される。すなわち、第１接触面ＣＳ１は、図１などにおいて説明した接触面ＣＳと実質的に同一である。

第２接触面ＣＳ２は導光板ＬＧの上面ＵＳ上に形成される。言い換えれば、第２接触面ＣＳ２は導光板ＬＧと突出部ＰＲとの間に形成される。具体的に、導光板ＬＧの上面と突出部ＰＲの下面とが接触して第２接触面ＣＳ２を形成する。
上述したように、第１接触面ＣＳ１および第２接触面ＣＳ２が形成される場合には、収容部Ｈ１と導光板ＬＧとの接合がさらに強固になる。

また、突出部ＰＲと収容部Ｈ１の一面が導光板ＬＧを正確に支持することにより、収容部Ｈ１、さらに具体的には波長変換部材Ｒと導光板ＬＧのアライメントを正確に合わせることができる。

図７は本発明の一実施形態に係るバックライトユニットの部分配置図である。図７は導光板ＬＧの下部からｚ軸の正方向に向かって見た配置図である。
突出部ＰＲと導光板ＬＧの上面とが接触して形成する第２接触面ＣＳ２には、接合部ＢＰが形成される。
接合部ＢＰは複数の接合ドットＢＤを含む。一つの接合ドットＢＤは、図３および図４において説明したのと実質的に同一である。

複数の接合ドットＢＤはｙ軸方向に沿って断続的に配置される。一実施形態において、複数の接合ドットＢＤは突出部ＰＲの長さ方向に沿って配置される。ここで、突出部ＰＲの長さ方向はｙ軸方向である。（突出部ＰＲの突出方向はｘ軸方向と定義できる。）

別の実施形態において、複数の接合ドットＢＤは、互いに繋がって連続的に配置される。すなわち、複数の接合ドットＢＤが集まって一つ以上の接合ラインを形成する。

別の実施形態において、複数の接合ドットＢＤは、第２接触面ＣＳ２の内側に第２接触面ＣＳの外周に沿って配置される。すなわち、第２接触面ＣＳ２が四角形の形状を有する例示的な実施形態において、複数の接合ドットＢＤは四角形の形状に沿って配置される。

図８は本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。図９は図８の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。
図８および図９を参照すると、本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットは、波長変換部材Ｒが導光板ＬＧと直接接することが、図１の実施形態とは異なる点である。

一実施形態において、波長変換部材Ｒは、導光板ＬＧの側面ＳＳと直接接する。具体的に、波長変換部材Ｒの一面と導光板ＬＧの側面ＳＳが同じ方向に延長され、互いに接触する。
この場合、収容部Ｈ２は波長変換部材Ｒを囲むように配置される。言い換えれば、収容部Ｈ２と導光板ＬＧの側面ＳＳによって波長変換部材Ｒは密封される。

波長変換部材Ｒの密封のために、収容部Ｈ２と導光板ＬＧとの接触面ＣＳには、図３において説明したように接合部ＢＰが形成される。
言い換えれば、導光板ＬＧの側面ＳＳは波長変換部材Ｒと接し、側面ＳＳにおける、波長変換部材Ｒと接する部分を除いた残りの領域において、側面ＳＳと収容部Ｈ２とが接触して接触面ＣＳを形成する。すなわち、一実施形態において、導光板ＬＧと収容部Ｈ２との接触面ＣＳは波長変換部材Ｒの外周に沿って形成される。

図１０は本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。図１１は図１０の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。
図１０および図１１を参照すると、本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットは、導光板ＬＧに、側面ＳＳから内側に陥凹した第１溝ＧＲ１が形成されるのが、図８の実施形態とは異なる点である。

一実施形態において、導光板ＬＧには、側面ＳＳから内側に陥凹した第１溝ＧＲ１が形成される。第１溝ＧＲ１は、導光板ＬＧの側面ＳＳの延長方向に沿って延長される。一実施形態において、第１溝ＧＲ１は連続的に延長される。図１０は第１溝ＧＲ１が連続的に延長される場合を例示するが、これに制限されるものではなく、別の実施形態において、第１溝ＧＲは複数個が断続的に延長されてもよい。

第１溝ＧＲ１が形成する内部空間には波長変換部材Ｒが充填される。一実施形態において、波長変換部材Ｒの厚さと第１溝ＧＲ１の高さとは実質的に同一である。これにより、導光板ＬＧの側面ＳＳと波長変換部材Ｒの外側面とが同一の平面上に配置される。

側面ＳＳと波長変換部材Ｒを覆うように収容部Ｈ２が配置される。一実施形態において、収容部Ｈ２の中央部は波長変換部材Ｒと接し、収容部Ｈ２の周辺部は側面ＳＳと接して接触面ＣＳを形成する。接触面ＣＳについては、上述した本発明の幾つかの実施形態に係るバックライトユニットにおいて説明したのと実質的に同一である。
収容部Ｈ２と導光板ＬＧの側面ＳＳによって、波長変換部材Ｒは完全に密封される。

図１２は本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。図１３は図１２の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。
図１２および図１３を参照すると、本発明の別の実施形態に係るバックライトユニットは、波長変換部材Ｒ１が導光板ＬＧの上面ＵＳ上に配置されることが、図１の実施形態とは異なる点である。

一実施形態において、波長変換部材Ｒ１は導光板ＬＧの上面ＵＳ上に配置される。この場合、光源Ｌから提供された光は導光板ＬＧにより上面ＵＳに誘導され、波長変換部材Ｒ１を通過した光は白色光に波長変換される。
一実施形態において、波長変換部材Ｒ１は導光板ＬＧの上面ＵＳ上に全面的に配置される。但し、これに制限されるものではなく、別の実施形態において、波長変換部材Ｒ１は導光板ＬＧの上面ＵＳ上に部分的に配置されることも可能である。

この場合、波長変換部材Ｒ１と導光板ＬＧとは直接接触する。
波長変換部材Ｒ１上には収容部Ｈ３が配置される。
一実施形態において、収容部Ｈ３の中央部は波長変換部材Ｒ１と接し、収容部Ｈ３の周辺部は導光板ＬＧの上面ＵＳと接して接触面ＣＳを形成する。言い換えれば、接触面ＣＳは波長変換部材Ｒ１の外周に沿って配置される。
導光板ＬＧの上面ＵＳと収容部Ｈ３によって波長変換部材Ｒ１は完全に密封される。

接触面ＣＳに接合部が形成されることは、上述した本発明の幾つかの実施形態に係るバックライトユニットにおいて説明したのと実質的に同一である。

図１４は本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。図１５は図１４の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。
図１４および図１５を参照すると、本発明の別の実施形態に係るバックライトユニットは、導光板ＬＧの上面ＵＳから内側に陥凹した第２溝ＧＲ２が形成されるのが、図１２の実施形態とは異なる点である。

一実施形態において、導光板ＬＧには、上面ＵＳから内側に陥没した第２溝ＧＲ２が形成される。第２溝ＧＲ２の平面形状は四角形の形状である。
一実施形態において、第２溝ＧＲ２の外周は、導光板ＬＧの上面の外周よりも内側に配置される。
第２溝ＧＲ２が形成する内部空間には、波長変換部材Ｒ１が充填される。

一実施形態において、波長変換部材Ｒ１の厚さと第２溝ＧＲ２の高さとは実質的に同一である。これにより、導光板ＬＧの上面ＵＳと波長変換部材Ｒ１の上面とが同一の平面上に配置される。
上面ＵＳと波長変換部材Ｒ１を覆うように収容部Ｈ３が配置される。

一実施形態において、収容部Ｈ３の中央部は波長変換部材Ｒ１と接し、収容部Ｈ３の周辺部は上面ＵＳと接して接触面ＣＳを形成する。接触面ＣＳについては、上述した本発明の幾つかの実施形態に係るバックライトユニットにおいて説明したのと実質的に同一である。
収容部Ｈ３と導光板ＬＧの上面によって波長変換部材Ｒ１は完全に密封される。

図１６は本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。図１７は図１６の実施形態の部分斜視図である。図１８は図１７の実施形態の平面図である。図１９は図１６の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。
図１６乃至図１９を参照すると、本発明の別の実施形態によるバックライトユニットは、収容部Ｈ４内にトレンチＴＲが形成されるのが、図１の実施形態とは異なる点である。

一実施形態において、収容部Ｈ４内には複数のトレンチＴＲが形成される。複数のトレンチＴＲは複数の隔壁ＰＷによって区画される。トレンチＴＲが形成する内部空間には、波長変換部材Ｒ２が充填される。図１７および図１８は３つのトレンチＴＲ内に三つの波長変換部材Ｒ２が充填される場合を示すが、これは例示的なものであり、トレンチＴＲおよび波長変換部材Ｒ２の個数はこれに制限されるものではない。

一実施形態において、収容部Ｈ４は、トレンチＴＲおよび波長変換部材Ｒ２上に配置されるカバーガラスＣＧをさらに含む。カバーグラスＣＧは、トレンチＴＲおよび波長変換部材Ｒ２と接触して接合される。この場合、波長変換部材Ｒ２はカバーガラスＣＧによって完全に密封される（図１７）。

また、導光板ＬＧはカバーガラスＣＧと接触する。すなわち、導光板ＬＧの側面ＳＳとカバーガラスＣＧとが接触して接触面ＣＳを形成する。
この場合、波長変換部材Ｒ２は導光板ＬＧと直接接しない。
収容部Ｈ４に隔壁ＰＷが形成される場合、接合部ＢＰは隔壁ＰＷと重畳するように形成される（図１８）。

波長変換部材Ｒ２は、熱に脆弱であり、波長変換部材Ｒ２に熱が加わる場合、内部に配置される量子ドットが破壊されるおそれがある。図１８のように接合部ＢＰが波長変換部材Ｒ２を囲むように形成される場合、すなわち、接合部ＢＰの一部が隔壁ＰＷと重畳するように形成される場合、波長変換部材Ｒ２の損傷を避けながらも、接合部ＢＰの面積を増加させて導光板ＬＧと収容部Ｈ４との接着力を向上できる。

図２０は本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。図２１は図２０の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。
図２０および図２１を参照すると、本発明の別の実施形態に係るバックライトユニットは、波長変換部材Ｒ２が導光板ＬＧと直接接触するのが、図１６の実施形態とは異なる点である。

一実施形態において、波長変換部材Ｒ２は導光板ＬＧの側面ＳＳと直接接する。
この場合、収容部Ｈ４は、波長変換部材Ｒ２を包むように配置される。言い換えれば、収容部Ｈ２と導光板ＬＧの側面ＳＳによって波長変換部材Ｒ２は密封される。

これについて具体的に説明すると、導光板ＬＧの側面ＳＳは波長変換部材Ｒ２と接し、側面ＳＳにおける波長変換部材Ｒ２と接する部分を除いた残りの領域において、収容部Ｈ２および隔壁ＰＷが側面ＳＳと接して接触面ＣＳを形成する。

図２２は本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。図２３は図２２の実施形態に係るバックライトユニットの部分斜視図である。図２４は図２２の実施形態に係るバックライトユニットの側面図である。
図２２乃至図２４を参照すると、本発明の別の実施形態に係るバックライトユニットは、収容部Ｈ５の一側に突出部ＰＲが形成され、収容部Ｈ５内にトレンチＴＲが形成されるのが、図１の実施形態とは異なる点である。

突出部ＰＲは、上述の図５に関連して説明したのと実質的に同一である。したがって、これについての詳細な説明は省略する。すなわち、突出部ＰＲは導光板ＬＧの上面ＵＳに接触して第２接触面ＣＳ２を形成する。

一実施形態において、収容部Ｈ５内には複数のトレンチＴＲが形成される。複数のトレンチＴＲは複数の隔壁ＰＷによって区画される。トレンチＴＲが形成する内部空間には、波長変換部材Ｒ２が充填される。図２２、２３は三つのトレンチＴＲ内に三つの波長変換部材Ｒ２が充填される場合を示すが、これは例示的なものであり、トレンチＴＲおよび波長変換部材Ｒ２の個数はこれに制限されるものではない。

一実施形態において、収容部Ｈ５は、トレンチＴＲおよび波長変換部材Ｒ２上に配置されるカバーガラスＣＧをさらに含む。カバーグラスＣＧは、トレンチＴＲおよび波長変換部材Ｒ２と接触して接合できる。この場合、波長変換部材Ｒ２はカバーガラスＣＧによって完全に密封される（図２３）。

また、導光板ＬＧはカバーガラスＣＧと接触する。すなわち、導光板ＬＧの側面ＳＳとカバーガラスＣＧとが接触して第１接触面ＣＳ１を形成する（図２４）。
この場合、波長変換部材Ｒ２は導光板ＬＧと直接接しない。
収容部Ｈ５に隔壁が形成される場合、第１接触面ＣＳ１に形成される接合部ＢＰは隔壁ＰＷと重畳するように形成される。

図２５は本発明のさらに別の実施形態に係るバックライトユニットの斜視図である。
図２５を参照すると、本発明の別の実施形態に係るバックライトユニットは、波長変換部材Ｒ２が導光板ＬＧと直接接触するのが、図２２の実施形態とは異なる点である。

一実施形態において、波長変換部材Ｒ２は導光板ＬＧの側面ＳＳと直接接する。
この場合、収容部Ｈ６は波長変換部材Ｒ２を包むように配置される。
言い換えれば、収容部Ｈ６と導光板ＬＧの側面ＳＳによって波長変換部材Ｒ２は密封される。
これについて具体的に説明すると、導光板ＬＧの側面ＳＳは波長変換部材Ｒ２と接し、側面ＳＳにおける、波長変換部材Ｒ２と接する部分を除いた残りの領域において、収容部Ｈ６および隔壁ＰＷが側面ＳＳと接して第１接触面ＣＳ１を形成する。

以下、本発明の一実施形態に係る表示装置について説明する。
図２６は本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。
図２６を参照すると、本発明の一実施形態に係る表示装置は、バックライトユニット、および前記バックライトユニット上に配置される表示パネルＰＡを含む。
バックライトユニットは、上述した本発明の幾つかの実施形態に係るバックライトユニットと実質的に同一である。よって、これについての詳細な説明は省略する。

表示パネルＰＡは表示領域および非表示領域を含む。一実施形態において、表示パネルＰＡは、第１基板５００、第１基板５００に対向する第２基板１０００、および第１基板５００と第２基板との間に配置される液晶層（図示せず）を含む。

一実施形態において、第１基板５００は、複数のトランジスタが形成されたアレイ基板であり、第２基板１０００は、カラーフィルターが形成されたカラーフィルター基板である。
別の実施形態において、カラーフィルターは第１基板５００上に形成される。すなわち、表示パネルＰＡは、カラーフィルターオンアレイ（ＣＯＡ、Ｃｏｌｏｒｆｉｌｔｅｒ ｏｎ Ａｒｒａｙ）構造を持つ表示パネルである。

一実施形態において、第１基板５００および／または第２基板１０００はガラスからなってもよい。
一実施形態において、第１基板５００の少なくとも一部は第２基板１０００と重畳する。この場合、第１基板５００上において第２基板１０００と重畳しない領域に駆動部（図示せず）およびプリント回路基板（図示せず）などが配置される。

一実施形態において、第１基板５００は、第２基板１０００に比べて広い面積を持つ。但し、これに制限されるものではなく、別の実施形態において、第２基板１０００が第１基板５００に比べて広い面積を持つ。

図２７は本発明の別の実施形態に係る表示装置の断面図である。図２７を参照すると、本発明の別の実施形態に係る表示装置は、収容部Ｈが第１基板５００と接合されるのが、図２６の実施形態とは異なる点である。

一実施形態において、導光板ＬＧと収容部Ｈの側面とが接触して第１接触面ＣＳ１が形成され、第１基板５００の下面と収容部Ｈの上面とが接触して第２接触面ＣＳ２が形成される。
第１接触面ＣＳ１および第２接触面ＣＳ２には接合部（図示せず）が形成される。接合部は、上述の図３および図４に関連して説明したのと実質的に同一である。

上述したように、収容部Ｈが第１基板５００および導光板ＬＧと直接接する場合、収容部Ｈ内に配置される波長変換部材Ｒと導光板ＬＧとのミスアライメントを防止でき、収容部Ｈ、第１基板５００および導光板ＬＧを一体に形成することにより、モジュールに組み込まれる部品の数を減らすことができる。

図２８は本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置の断面図である。図２８を参照すると、本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置は、収容部Ｈ７の一側に第１突出部ＰＲ１が形成されるのが、図２６の実施形態とは異なる点である。

一実施形態において、第１突出部ＰＲ１は収容部Ｈ７から光源Ｌに向かって突出形成される。

一実施形態において、第１突出部ＰＲ１は収容部Ｈ７と一体に形成される。すなわち、収容部Ｈ７がガラスにより形成される実施形態において、第１突出部ＰＲ１は収容部Ｈ７と同じガラスにより形成されて透明である。
すなわち、第１突出部ＰＲ１と収容部Ｈ７の断面は全体的に「Ｌ」字状を有する。

本発明の一実施形態に係る表示装置が第１突出部ＰＲ１を含む場合、収容部Ｈ７と導光板ＬＧとが接触して第１接触面ＣＳ１が形成され、第１突出部ＰＲ１と第１基板５００とが接触して第２接触面ＣＳ２が形成される。
第１接触面ＣＳ１および第２接触面ＣＳ２には接合部（図示せず）が形成される。接合部は、上述の図３および図４に関連して説明したのと実質的に同一である。

一実施形態において、第２接触面ＣＳ２は波長変換部材Ｒと重畳しなくてもよい。すなわち、一実施形態において、第２接触面ＣＳ２の接合部（図示せず）は、導光板ＬＧの下部からｚ軸の正方向にレーザーを照射して形成する。この場合、レーザーが波長変換部材Ｒを通過すると、波長変換部材Ｒが熱による損傷を被るが、図２８の如く第２接触面ＣＳ２を波長変換部材Ｒと重畳しないように形成する場合、照射されるレーザーが波長変換部材Ｒを通過せずに接合部を形成するため、波長変換部材Ｒが熱損傷により破壊されることを防止できる。

図２９は本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置の断面図である。
図２９を参照すると、本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置は、収容部Ｈ１の一側に第２突出部ＰＲ２が形成されるのが、図２６の実施形態とは異なる点である。

第２突出部ＰＲ２は、第１突出部ＰＲ１と反対の方向、すなわち、収容部Ｈ１から導光板ＬＧに向かって突出形成される。
一実施形態において、第２突出部ＰＲ２は収容部Ｈ１と一体に形成できる。すなわち、収容部Ｈ１がガラスにより形成される例示的な実施形態において、第２突出部ＰＲ２は収容部Ｈ１と同様のガラスにより形成されて透明である。
すなわち、第２突出部ＰＲ２と収容部Ｈ１の断面は全体的に「Ｌ」字状を有する。

一実施形態において、第２突出部ＰＲ２は第１基板５００および導光板ＬＧと接触する。具体的に、第２突出部ＰＲ２と第１基板５００とが接触して第２接触面ＣＳ２が形成され、第２突出部ＰＲ２と導光板ＬＧの上面ＵＳとが接触して第３接触面ＣＳ３が形成される。
第１接触面ＣＳ１乃至第３接触面ＣＳ３には接合部（図示せず）が形成される。接合部は、上述の図３および図４に関連して説明したのと実質的に同一である。

図３０は本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置の断面図である。
図３０を参照すると、本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置は、収容部Ｈ８の両側に第１突出部ＰＲ１および第２突出部ＰＲ２が形成されるのが、図２６の実施形態とは異なる点である。

第１突出部ＰＲ１は図２８において説明したのと実質的に同一であり、第２突出部ＰＲ２は図２９において説明したのと実質的に同一である。

一実施形態において、第１突出部ＰＲ１、第２突出部ＰＲ２および収容部Ｈ８は、一体に形成されて断面が全体的に「Ｔ」字状を有する。
一実施形態において、収容部Ｈ７と導光板ＬＧの側面ＳＳとが接触して第１接触面を形成し、第１突出部ＰＲ１が第１基板５００と接触して第２接触面ＣＳ２を形成し、第２突出部ＰＲ２と第１基板５００とが接触して第３接触面ＣＳ３を形成し、第２突出部ＰＲ２と導光板ＬＧの上面ＵＳとが接触して第４接触面ＣＳ４を形成する。
第１接触面ＣＳ１乃至第４接触面ＣＳ４には接合部（図示せず）が形成される。接合部は、上述の図３および図４に関連して説明したのと実質的に同一である。

一実施形態において、第２接触面ＣＳ２、第３接触面ＣＳ３および第４接触面ＣＳ４は、波長変換部材Ｒと重畳しなくてよい。すなわち、一実施形態において、第２接触面ＣＳ２、第３接触面ＣＳ３および第４接触面ＣＳ４の接合部は、導光板ＬＧの下部からｚ軸の正方向にレーザーを照射して形成する。この場合、レーザーが波長変換部材Ｒを通過すると、波長変換部材Ｒが熱による損傷を被るおそれがあるが、図３０に示すように、第２接触面ＣＳ２、第３接触面ＣＳ３および第４接触面ＣＳ４を波長変換部材Ｒと重畳しないように形成する場合、照射されるレーザーが波長変換部材Ｒを通過せずに接合部を形成するので、波長変換部材Ｒが熱損傷により破壊されるのを防止できる。

図３１は本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置の断面図である。
図３１を参照すると、本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置は、光源Ｌを収容する下部カバーＢＣをさらに含むのが、図２６の実施形態と異なる点である。

一実施形態において、表示装置は、光源Ｌを収容する下部カバーＢＣをさらに含む。下部カバーＢＣは、導光板ＬＧを支持し、導光板ＬＧが収容される空間を提供する。
一実施形態において、下部カバーＢＣと導光板ＬＧとの間には反射層ＲＬが配置される。反射層ＲＬは、導光板ＬＧの下面ＬＳを通過した光を再び上面ＵＳに向かって反射させる役目をする。反射層ＲＬは鏡面反射および／または拡散反射を行う。
一実施形態において、反射層ＲＬはシート状をしてもよい。反射層ＲＬ上には複数の機能パターンが形成される。

一実施形態において、導光板ＬＧと第１基板５００とは直接接触する。
すなわち、収容部Ｈと導光板ＬＧの側面ＳＳとが接触して第１接触面ＣＳ１が形成され、第１基板５００と導光板ＬＧの上面ＵＳとが接触して第２接触面ＣＳ２を形成する。
第１接触面ＣＳ１と第２接触面ＣＳ２には接合部（図示せず）が形成される。接合部は、上述の図３および図４に関連して説明したのと実質的に同一である。

また、導光板ＬＧと第１基板５００とが直接接する場合、接合部は、表示パネルの表示領域と重畳しないように、すなわち、非表示領域と重畳するように形成される。
導光板ＬＧと第１基板５００とが接合される場合、表示装置に組み込まれる部品の数を減らしてモジュールを簡素化できる。

図３２は本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置の断面図である。図３２を参照すると、本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置は、第１基板５００と導光板ＬＧとの間に光学シートＯＳが介在するのが、図３１の実施形態と異なる点である。

一実施形態において、第１基板５００と導光板ＬＧとの間には少なくとも一つの光学シートＯＳが配置される。
一実施形態において、光学シートＯＳは、一枚であり、散乱および拡散などの複合的な機能を行う複合機能光学シートＯＳである。
別の実施形態において、光学シートＯＳは複数枚であり、それぞれの光学シートＯＳは互いに独立した機能を行う。

図３３は本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置の断面図である。
図３３を参照すると、本発明のさらに別の実施形態に係る表示装置は、導光板ＬＧの上面ＵＳ上に波長変換部材Ｒ１および収容部Ｈ３が配置され、収容部Ｈ３上に第１基板５００が配置されるのが、図２６の実施形態とは異なる点である。

図３３におけるバックライトユニットは、上述の図１２および図１３に関連して説明したのと実質的に同一である。よって、これについての詳細な説明は省略する。

上述したように、収容部Ｈ３と導光板ＬＧの上面とが接触して第１接触面ＣＳ１を形成する。
収容部Ｈ３上には第１基板５００が配置される。第１基板５００と収容部Ｈ３とは直接接触して互いに接合できる。これにより、第１基板５００と収容部Ｈ３とが接触して第２接触面ＣＳ２を形成する。

一実施形態において、第２接触面ＣＳ２は第１接触面ＣＳ１と重畳して形成される。すなわち、第２接触面ＣＳ２も第１接触面ＣＳ１と同様に波長変換部材Ｒ１と重畳しないように配置される。
このように、第２接触面ＣＳ２を波長変換部材Ｒ１と重畳しないように形成すると、第２接触面ＣＳ２に接合部を形成する過程において波長変換部材Ｒ１がレーザーによる熱損傷を被ることを防止できる。

以下、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。以下において説明する構成の一部は、上述した本発明の幾つかの実施形態に係る液晶表示装置の構成と同一であり、重複説明を回避するために、一部の構成についての説明は省略する。

図３４は本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法のフローチャートである。図３４を参照すると、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、導光板ＬＧ、導光板ＬＧの一側に配置される波長変換部材Ｒ、および波長変換部材Ｒを収容し且つ導光板ＬＧと接触する収容部Ｈを準備する段階（Ｓ１）と、導光板ＬＧと収容部Ｈとをフェムト秒レーザーを用いて接合させる段階（Ｓ２）とを含み、接合された導光板ＬＧと収容部Ｈを下部カバーＢＣに組み立てる段階（Ｓ３）をさらに含む。

まず、導光板ＬＧ、導光板ＬＧの一側に配置される波長変換部材Ｒ、および波長変換部材Ｒを収容し且つ導光板ＬＧと接触する収容部Ｈを準備する段階（Ｓ１）が行われる。
導光板ＬＧ、波長変換部材Ｒおよび収容部Ｈは、上述の本発明の幾つかの実施形態に係るバックライトユニットにおいて説明したのと実質的に同一である。よって、これについての詳細な説明は省略する。

続いて、導光板ＬＧと収容部Ｈからフェムト秒レーザーを用いて導光板−収容部組立体を形成する段階（Ｓ２）が行われる。
これについて具体的に説明すると、前記段階は、ガラスからなる導光板ＬＧと収容部Ｈとの接触面ＣＳにフェムト秒レーザーを照射する段階を含む。導光板ＬＧと収容部Ｈとの接触面ＣＳにフェムト秒レーザーを照射する場合、接触面ＣＳには、接合ドットＢＤを含む接合部ＢＰが形成される。

接触面の位置は、上述の本発明の幾つかの実施形態に係るバックライトユニットにおいて説明したのと実質的に同一である。
フェムト秒レーザーを使用する場合、接合ドットＢＤのサイズは１００μｍ以下であり、具体的な内容は図４について説明した通りである。
フェムト秒レーザーを使用する場合、ガラスからなる導光板ＬＧと収容部Ｈとを直接接合させる。具体的に、導光板ＬＧと収容部Ｈとを少なくとも部分的に溶かして融着させる。この場合、導光板ＬＧと収容部Ｈとの間には他の物質が介在せず、導光板ＬＧと収容部Ｈとは直接接触して接合される

本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、互いに接合された導光板ＬＧと収容部Ｈに表示パネルＰＡを接合する段階をさらに含む。
接合された導光板ＬＧと収容部Ｈと表示パネルＰＡとを接合する段階は、収容部Ｈおよび／または導光板ＬＧと第１基板５００とを接合させる段階を含む。
収容部Ｈおよび／または導光板ＬＧと第１基板５００とを接合させる段階は、収容部Ｈおよび／または導光板ＬＧと第１基板５００との接触面に接合部を形成する段階を含む。接触面の位置は、上述の図２６乃至図３３に関連して説明したのと実質的に同一である。
続いて、接合された導光板ＬＧ、収容部Ｈおよび表示パネルＰＡを下部カバーＢＣと組み立てる段階（Ｓ３）が行われる。

図３５は本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図３５は接合された導光板ＬＧ、収容部Ｈおよび表示パネルＰＡを下部カバーＢＣと組み立てる段階を示す。

接合された導光板ＬＧ、収容部Ｈおよび表示パネルＰＡは、上述の本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置において説明したのと実質的に同一である。言い換えれば、接合された導光板ＬＧ、収容部Ｈおよび表示パネルＰＡは図２６乃至図３３について説明したものにより代替できる。

下部カバーＢＣには光源Ｌが収容される。一実施形態において、接合された導光板ＬＧ、収容部Ｈおよび表示パネルＰＡは、光源Ｌの収容された下部カバーＢＣと組み立てられる。
上述したように、一体化された導光板ＬＧ、収容部Ｈおよび表示パネルＰＡと、光源Ｌの収容された下部カバーＢＣとを組み立てる場合、モジュールに組み込まれる部品の数を減らすことができ、組立工程を簡素化して生産性を向上できる。

以上、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明のその技術的思想や必須の特徴を変更することなく他の具体的な形態により実施され得ることを理解できる。よって、以上に記述した実施形態は、あらゆる面において例示的なもので、限定的ではないものと理解すべきである。

５００ 第１基板
１０００ 第２基板
Ｂ ベースプレート
ＢＣ 下部カバー
ＢＤ 接合ドット
ＢＰ 接合部
ＣＳ 接触面
ＣＧ カバーガラス
Ｄ 発光ダイオード
ＧＲ１ 第１溝
ＧＲ２ 第２溝
Ｈ 収容部
Ｌ 光源
ＬＧ 導光板
ＬＳ 下面
ＯＳ 光学シート
ＰＡ 表示パネル
ＰＲ 突出部
ＰＷ 隔壁
Ｒ 波長変換部材
ＲＬ 反射層
ＳＳ 側面
ＴＲ トレンチ
ＵＳ 上面

Claims (25)

1. 導光板と、
   前記導光板の一側に配置される波長変換部材と、
   前記波長変換部材を収容し、前記導光板に接合される収容部とを含む、ことを特徴とするバックライトユニット。
2. 前記導光板は、互いに対向する上面と下面、および前記上面と前記下面とを結ぶ側面を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のバックライトユニット。
3. 前記収容部は前記導光板の前記側面に接合される、ことを特徴とする請求項２に記載のバックライトユニット。
4. 前記収容部の一側に形成される突出部をさらに含み、前記突出部は前記導光板の前記上面に接合される、ことを特徴とする請求項３に記載のバックライトユニット。
5. 前記導光板の前記側面は前記収容部および前記波長変換部材に接する、ことを特徴とする請求項３に記載のバックライトユニット。
6. 前記導光板の前記側面から内側に陥凹した第１溝をさらに含み、前記波長変換部材は前記第１溝に充填される、ことを特徴とする請求項５に記載のバックライトユニット。
7. 前記収容部は前記導光板の前記上面に接合される、ことを特徴とする請求項２に記載のバックライトユニット。
8. 前記導光板の前記上面から内側に陥凹した第２溝をさらに含み、前記波長変換部材は前記第２溝に充填される、ことを特徴とする請求項７に記載のバックライトユニット。
9. 前記収容部と前記導光板の側面とが接して第１接触面を形成し、前記第１接触面には接合部が形成される、ことを特徴とする請求項２に記載のバックライトユニット。
10. 前記接合部は複数の接合ドットを含む、ことを特徴とする請求項９に記載のバックライトユニット。
11. 前記接合ドットは、中心領域、および前記中心領域の外側に配置される周辺領域を含む、ことを特徴とする請求項１０に記載のバックライトユニット。
12. 前記中心領域の幅は１０μｍ乃至２０μｍである、ことを特徴とする請求項１１に記載のバックライトユニット。
13. 前記周辺領域の幅は７０μｍ乃至１００μｍである、ことを特徴とする請求項１２に記載のバックライトユニット。
14. 前記収容部の内部に形成された複数のトレンチをさらに含み、前記波長変換部材は前記トレンチに充填される、ことを特徴とする請求項１に記載のバックライトユニット。
15. 前記収容部は、前記トレンチを覆うカバーガラスをさらに含む、ことを特徴とする請求項１４に記載のバックライトユニット。
16. 前記導光板および前記収容部はガラスからなる、ことを特徴とする請求項１に記載のバックライトユニット。
17. バックライトユニット、および前記バックライトユニット上に配置される表示パネルを含み、
    前記バックライトユニットは、
    導光板と、
    前記導光板の一側に配置される波長変換部材と、
    前記波長変換部材を収容し、前記導光板に接合される収容部とを含む、ことを特徴とする表示装置。
18. 前記収容部は前記表示パネルに接合される、ことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
19. 前記収容部の一側に形成された第１突出部を含み、前記第１突出部は前記表示パネルに接合される、ことを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
20. 前記収容部の他側に形成された第２突出部をさらに含み、前記第２突出部は前記表示パネルに接合される、ことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
21. 前記導光板は前記表示パネルに接合される、ことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
22. 前記収容部は前記導光板の上面に接合され、前記表示パネルは前記収容部に接合される、ことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
23. 導光板、前記導光板の一側に配置される波長変換部材、および前記波長変換部材を収容し且つ前記導光板に接触する収容部を準備する段階と、
    前記導光板と前記収容部とをフェムト秒レーザーを用いて接合させる段階とを含んでなる、ことを特徴とする表示装置の製造方法。
24. 接合された前記導光板と前記収容部を表示パネルに接合する段階をさらに含む、ことを特徴とする請求項２３に記載の表示装置の製造方法。
25. 接合された前記導光板と前記収容部を下部カバーと組み立てる段階をさらに含む、ことを特徴とする請求項２４に記載の表示装置の製造方法。

Images