JP2019057628A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の反りを抑制して基板上の処理液を良好に排除する技術を提供する。【解決手段】チャックピン２０は基板を水平に保持する。第１移動ノズル１１はチャックピン２０に保持されている基板Ｗの上面にＩＰＡを供給する。昇降ユニット７は基板Ｗをチャックピン２０によって保持されるときの位置よりも上側の上位置に移動させる。ヒータユニット６は上位置に配された基板Ｗを加熱する。周縁当接部６５は上位置に配された基板Ｗの周縁部の上面に当接する。第２移動ノズル１２は上位置に配された基板Ｗの上面に向けて窒素ガスを吹き付ける。【選択図】図１４

Description

この発明は、基板を処理液で処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置や有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置などのＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ等の基板の表面が処理液で処理される。基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の表面に処理液を供給するためのノズルとを備えている。

典型的な基板処理工程では、スピンチャックに保持された基板に対して薬液が供給される。その後、リンス液が基板に供給され、それによって、基板上の薬液がリンス液に置換される。その後、基板上のリンス液を排除するためのスピンドライ工程が行われる。スピンドライ工程では、基板が高速回転されることにより、基板に付着しているリンス液が振り切られて除去（乾燥）される。一般的なリンス液は脱イオン水である。

基板の表面に微細なパターンが形成されている場合に、スピンドライ工程では、パターンの内部に入り込んだリンス液を除去できないおそれがあり、それによって、乾燥不良が生じるおそれがある。そこで、特許文献１に記載されているように、リンス液による処理後の基板の表面に、イソプロピルアルコール（Isopropyl Alcohol: IPA）液等の有機溶剤の液体を供給して、パターンの内部に入り込んだリンス液を有機溶剤の液体に置換することによって基板の表面を乾燥させる手法が提案されている。

また、特許文献２および特許文献３には、基板上の液膜を良好に排除する技術が開示されている。具体的には、水平に保持された基板の上面に有機溶剤を供給して、基板上面全域を覆う有機溶剤の液膜が形成される。そして、基板を加熱して基板の上面に接する有機溶剤を蒸発させて、基板の上面と有機溶剤液膜との間に気相層が形成される。気相層が形成された後に、基板上の液膜に小流量で不活性ガスを吹き付けることによって、液膜に穴が開けられる。そして、基板を加熱することにより、液膜の穴が基板の外周に向かって広げられる。さらに、液膜の穴内の領域に大流量の不活性ガスが吹き付けられることによって、気相層上で液膜が移動させられる。その後、基板が低速で回転させられることによって、周縁部の液膜が振り落とされる。

特開平９−３８５９５号公報 特開２０１６−１３６５９９号公報 特開２０１４−１１２６５２号公報

しかしながら、特許文献２に記載の乾燥処理では、気体が吹き付けられることで液膜が除かれた基板の中央部は、液膜が残存する周縁部よりも熱容量が小さいため、相対的に昇温しやすい。また、液膜が残存する周縁部は、液膜が残存するために液膜の沸点以上に昇温し難くなっている。このため、基板の中央部と周縁部との間に温度差が発生することにより、基板に反りが発生するおそれがあった。このように、基板上の中央側と周縁側との間で温度差が生じると、基板が凹状に反ってしまうおそれがある。このような場合、周縁部の温度が低下することによって、基板上の有機溶剤を完全に除去することが困難となるおそれがあった。

そこで、本発明は、基板の反りを抑制して基板上の処理液を良好に排除する技術を提供することを目的とする。

第１態様は、基板の周縁を把持する把持状態と把持を解除する解除状態との間で変位する複数のチャック部材と、前記複数のチャック部材に把持されている基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、前記複数のチャック部材に把持されている基板の下方に配置され、基板を加熱する加熱部と、前記基板の下面に対して前記加熱部を接離させる接離部と、前記複数のチャック部を解除状態とし、前記加熱部が下面に当接している前記基板の上面に形成された液膜を基板の中央から周縁に向けて排除する液膜排除部と、前記液膜排除部により液膜が排除されている基板の周縁に当接する周縁当接部とを備える。

第２態様は、第１態様の基板処理装置であって、前記周縁当接部が、前記基板の周縁部の上面に接触する接触部を含む。

第３態様は、第２態様の基板処理装置であって、前記接触部に接続され、前記鉛直方向に弾性変形可能な弾性部材をさらに備える。

第４態様は、第２態様または第３態様の基板処理装置であって、前記接触部の前記基板に接触する下部が、弾性材料によって形成されている。

第５態様は、第１態様から第４態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記周縁当接部を、前記基板の周縁部に当接する周縁当接位置と、前記基板の周縁部から離間する離間位置との間で移動させる周縁当接部駆動ユニット、をさらに備える。

第６態様は、第１態様から第５態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記周縁当接部は、前記基板の周端面に接触する周端面接触部、をさらに備える。

第７態様は、第１態様から第６態様のいずれか１つの基板処理装置であって、前記接離部は、前記加熱部を上方へ移動させることにより、前記基板を前記チャック部材に保持されるときの位置よりも上側の上位置に移動させる。

第８態様は、基板処理装置であって、その上面に処理液の液膜が形成された基板の下面に当接しつつ基板を加熱する加熱部と、加熱部により加熱される基板の上面に形成された液膜を基板の中央から周縁に向けて排除する液膜排除部と、液膜排除部により液膜が排除されている基板の反りを抑制する反り抑制部とを備える。

第９態様は、基板を処理する基板処理方法であって、（ａ）上面に処理液の液膜が形成された基板の下面に加熱部を当接させつつ加熱する工程と、（ｂ）前記加熱部により加熱される基板の上面に形成された液膜を基板の中央から周縁に向けて排除する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）により液膜が排除されている基板の反りを抑制する工程とを備える。

第１態様の基板処理装置によると、液膜を基板の中央から周縁に向けて排除した際に、中央と周縁の温度差によって生じる基板の反りを、周縁当接部が基板の周縁部に当接することによって抑制できる。これにより、基板の周縁の温度低下を抑制できるため、基板上の処理液を好適に除去し得る。

第２態様の基板処理装置によると、接触部が基板の上面に当接するため、基板の周縁部の上側への反りを抑制し得る。

第３態様の基板処理装置によると、弾性部材が鉛直方向に弾性変形可能であるため、基板の周縁部の上面に対して接触部を柔軟に接触させることができる。このため、基板の周縁部に与えられる衝撃を軽減できる。また、基板の周縁部が接触部に接触するとき、あるいは、接触している間に、弾性部材に蓄えられた弾性力により、接触部が適度な力で周縁部を下方に押圧する。このため、周縁部の破損を抑制しつつ、基板の周縁部の上側への反りを抑制し得る。

第４態様の基板処理装置によると、接触部における基板の周縁部に接触する下部を弾性材料によって形成するため、基板の周縁部に与えられる衝撃を軽減できる。これによって、周縁部の破損を抑制し得る。

第５態様の基板処理装置によると、周縁当接部を離間位置に待避させることによって、基板を基板保持部に対して搬入または搬出する際に、周縁当接部が基板に干渉することを抑制できる。

第６態様の基板処理装置によると、周縁当接部が基板の周端面に接触することによって、基板の周縁部の上下方向の反りを抑制し得る。

第７態様の基板処理装置によると、加熱部が基板を支持した状態で加熱するため、基板を効率よく加熱し得る。

第８態様の基板処理装置によると、反り抑制部を設けることにより、液膜を基板の中央から周縁に向けて排除した際に、中央と周縁の温度差によって生じる基板の反りを抑制できる。これにより、基板の周縁の温度低下を抑制できるため、基板上の処理液を好適に除去し得る。

第９態様の基板処理方法によると、液膜を基板の中央から周縁に向けて排除した際に、中央と周縁の温度差によって生じる基板の反りが抑制される。これにより、基板の周縁の温度低下を抑制できるため、基板上の処理液を好適に除去し得る。

第１実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。 スピンチャック５およびヒータユニット６の平面図である。 チャックピン２０の構造例を説明するための斜視図である。 チャックピン２０の平面図である。 周縁当接部６５の概略平面図である。 周縁当接部６５の図解的な側面図である。 第１移動ノズル１１の構成例を説明するための模式的な縦断面図である。 基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 基板処理装置１による基板処理の一例を説明するための流れ図である。 有機溶剤処理（図１０のステップＳ４）の詳細を説明するためのタイムチャートである。 有機溶剤処理の各ステップの様子を説明するための図解的な断面図である。 有機溶剤処理の各ステップの様子を説明するための図解的な断面図である。 有機溶剤処理の各ステップの様子を説明するための図解的な断面図である。 有機溶剤処理の各ステップの様子を説明するための図解的な断面図である。 乾燥処理（図１０のステップＳ５）の様子を説明するための図解的な断面図である。 基板Ｗの温度差による有機溶剤液膜９０の移動を説明するための図である。 第２実施形態の周縁当接部６５ａの概略平面図である。 周縁当接部６５ａの図解的な側面図である。

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。

＜１． 第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状に形成されている。

基板処理装置１は、複数の処理ユニット２、ロードポートＬＰ、搬送ロボットＩＲ、搬送ロボットＣＲおよび制御ユニット３を含む。処理ユニット２は、処理液で基板Ｗを処理する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。ロードポートＬＰは、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置される。搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。制御ユニット３は、基板処理装置１の各要素の動作を制御する。

図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。処理ユニット２は、スピンチャック５、ヒータユニット６、昇降ユニット７、カップ８と、下面ノズル９、ＤＩＷノズル１０、第１移動ノズル１１、第２移動ノズル１２およびチャンバ１３（図１参照）を備えている。

スピンチャック５は、一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる。ヒータユニット６は、基板Ｗを下面側から加熱する。昇降ユニット７は、ヒータユニット６を基板Ｗの下方で上下動させる。カップ８は、スピンチャック５を取り囲み可能な筒状に形成されている。下面ノズル９は、基板Ｗの下面に処理流体を供給する。ＤＩＷノズル１０は、基板Ｗの上面にリンス液としての脱イオン水（ＤＩＷ）を供給する。第１移動ノズル１１および第２移動ノズル１２は、基板Ｗの上方で移動可能に構成されている。チャンバ１３は、カップ８を収容可能に構成されている。チャンバ１３には、基板Ｗを搬入／搬出するための搬入／搬出口が形成されており、この搬入／搬出口を開閉するシャッタユニットが備えられている。

スピンチャック５は、チャックピン２０（チャック部材）と、スピンベース２１と、スピンベース２１の下面中央に結合された回転軸２２と、回転軸２２に回転力を与える電動モータ２３とを含む。回転軸２２は回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びており、この実施形態では中空軸である。回転軸２２の上端に、スピンベース２１が結合されている。スピンベース２１は、水平方向に沿う円盤形状を有している。スピンベース２１の上面の周縁部には、複数のチャックピン２０が周方向に間隔を空けて配置されている。

複数のチャックピン２０は、基板Ｗの周端に接触して基板Ｗを把持する閉状態と、基板Ｗの周端から退避した開状態との間で開閉可能である。また、複数のチャックピン２０は、開状態において、基板Ｗの周縁部の下面に接触して、基板Ｗを下方から支持する。

チャックピン駆動ユニット２５は、チャックピン２０を開閉駆動する。チャックピン駆動ユニット２５は、たとえば、スピンベース２１に内蔵されたリンク機構２６と、スピンベース２１外に配置された駆動源２７とを含む。駆動源２７は、たとえば、ボールねじ機構と、それに駆動力を与える電動モータとを含む。

ヒータユニット６は、スピンベース２１の上方に配置されている。ヒータユニット６の下面には、回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びる昇降軸３０が結合されている。昇降軸３０は、スピンベース２１の中央部に形成された貫通孔２４と、中空の回転軸２２とを挿通している。昇降軸３０の下端は、回転軸２２の下端よりもさらに下方にまで延びている。この昇降軸３０の下端に、昇降ユニット７が結合されている。昇降ユニット７を作動させることにより、ヒータユニット６は、スピンベース２１の上面に近い下位置から、基板Ｗの下面を支持してチャックピン２０から持ち上げる上位置までの間で上下動する。

昇降ユニット７は、たとえば、ボールねじ機構と、それに駆動力を与える電動モータとを含む。これにより、昇降ユニット７は、下位置および上位置の間の任意の中間位置にヒータユニット６を配置する。たとえば、ヒータユニット６の上面である加熱面６ａを基板Ｗの下面との間に所定の間隔を開けた離隔位置に配置した状態で、加熱面６ａからの輻射熱によって基板Ｗを加熱できる。また、ヒータユニット６で基板Ｗを持ち上げれば、加熱面６ａを基板Ｗの下面に接触させた接触状態で、加熱面６ａからの熱伝導により、基板Ｗをより大きな熱量で加熱できる。このように、昇降ユニット７は、基板Ｗの下面に対してヒータユニット６（加熱部）を接離させる接離部の一例である。

第１移動ノズル１１は、第１ノズル移動ユニット１５によって、水平方向および鉛直方向に移動する。第１移動ノズル１１は、水平方向への移動によって、基板Ｗの上面の回転中心に対向する処理位置と、基板Ｗの上面に対向しないホーム位置（退避位置）との間で移動する。ここで、「基板Ｗの上面の回転中心」とは、基板Ｗの上面における回転軸線Ａ１との交差位置である。「基板Ｗの上面に対向しないホーム位置」とは、平面視において、スピンベース２１の外方の位置であり、具体的には、カップ８の外方の位置であってもよい。

第１移動ノズル１１は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりする。第１ノズル移動ユニット１５は、たとえば、鉛直方向に沿う回動軸と、回動軸に結合されて水平に延びるアームと、アームを駆動するアーム駆動機構とを含む。アーム駆動機構は、回動軸を鉛直な回動軸線まわりに回動させることによってアームを揺動させ、回動軸を鉛直方向に沿って昇降させることによって、アームを上下動させる。第１移動ノズル１１はこのアームに固定され得る。アームの揺動および昇降に応じて、第１移動ノズル１１が水平方向および垂直方向に移動する。

第２移動ノズル１２は、第２ノズル移動ユニット１６によって、水平方向および垂直方向に移動する。第２移動ノズル１２は、水平方向への移動によって、基板Ｗの上面の回転中心に対向する位置と、基板Ｗの上面に対向しないホーム位置（退避位置）との間で移動する。ここで、「ホーム位置」は、平面視において、スピンベース２１の外方の位置であり、具体的には、カップ８の外方の位置であってもよい。

第２移動ノズル１２は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりする。第２ノズル移動ユニット１６は、たとえば、鉛直方向に沿う回動軸と、回動軸に結合されて水平に延びるアームと、アームを駆動するアーム駆動機構とを含む。アーム駆動機構は、回動軸を鉛直な回動軸線まわりに回動させることによってアームを揺動させ、回動軸を鉛直方向に沿って昇降させることによって、アームを上下動させる。第２移動ノズル１２はアームに固定され得る。アームの揺動および昇降に応じて、第２移動ノズル１２が水平方向および垂直方向に移動する。

第１移動ノズル１１は、この実施形態では、有機溶剤を吐出する有機溶剤ノズルとしての機能と、窒素ガス等の不活性ガスを吐出するガスノズルとしての機能とを有する。第１移動ノズル１１には、有機溶剤供給管３５および不活性ガス供給管３６が連結している。有機溶剤供給管３５には、その流路を開閉する有機溶剤バルブ３７が介装されている。不活性ガス供給管３６には、その流路を開閉する不活性ガスバルブ３８が介装されている。有機溶剤供給管３５には、有機溶剤供給源から、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の有機溶剤が供給される。不活性ガス供給管３６には、不活性ガス供給源から、窒素ガス（Ｎ２）等の不活性ガスが供給される。

第２移動ノズル１２は、この実施形態では、酸、アルカリ等の薬液を供給する薬液ノズルとしての機能と、窒素ガス等の不活性ガスを吐出するガスノズルとしての機能とを有している。より具体的には、第２移動ノズル１２は、液体と気体とを混合して吐出することができる二流体ノズルの形態を有していてもよい。二流体ノズルは、気体の供給を停止して液体を吐出すれば液体ノズルとして使用でき、液体の供給を停止して気体を吐出すればガスノズルとして使用できる。

第２移動ノズル１２には、薬液供給管４１および不活性ガス供給管４２が結合されている。薬液供給管４１には、その流路を開閉する薬液バルブ４３が介装されている。不活性ガス供給管４２には、その流路を開閉する不活性ガスバルブ４４と、不活性ガスの流量を可変する流量可変バルブ４５とが介装されている。薬液供給管４１には、薬液供給源から、酸、アルカリ等の薬液が供給されている。不活性ガス供給管４２には、不活性ガス供給源から、窒素ガス（Ｎ_２）等の不活性ガスが供給されている。

薬液の具体例は、エッチング液および洗浄液である。さらに具体的には、薬液は、フッ酸、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）、バッファードフッ酸（フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液）などであってもよい。

ＤＩＷノズル１０は、この実施形態では、基板Ｗの上面の回転中心に向けてＤＩＷを吐出可能な位置に固定されたノズルである。ＤＩＷノズル１０には、ＤＩＷ供給源から、ＤＩＷ供給管４６を介して、ＤＩＷが供給される。ＤＩＷ供給管４６には、その流路を開閉するためのＤＩＷバルブ４７が介装されている。ＤＩＷノズル１０は固定ノズルである必要はなく、たとえば、水平方向に移動可能な移動ノズルであってもよい。

下面ノズル９は、中空の昇降軸３０を挿通し、さらに、ヒータユニット６を貫通している。下面ノズル９は、基板Ｗの下面中央に臨む吐出口９ａを上端に有している。下面ノズル９には、流体供給源から流体供給管４８を介して処理流体が供給されている。供給される処理流体は、液体であってもよいし、気体であってもよい。流体供給管４８には、その流路を開閉するための流体バルブ４９が介装されている。

図３は、スピンチャック５およびヒータユニット６の平面図である。スピンチャック５のスピンベース２１は、平面視において、回転軸線Ａ１を中心とする円形であり、その直径は基板Ｗの直径よりも大きい。スピンベース２１の周縁部には、間隔を空けて複数個（この実施形態では３個）のチャックピン２０が配置されている。

ヒータユニット６は、円板状のホットプレートの形態を有しており、プレート本体６０と、支持ピン６１と、ヒータ６２とを含む。プレート本体６０は、平面視において、基板Ｗの外形とほぼ同形同大で、回転軸線Ａ１を中心とする円形に構成されている。より正確には、プレート本体６０は、基板Ｗの直径よりも僅かに小さい直径の円形の平面形状を有している。たとえば、基板Ｗの直径が３００ｍｍであり、プレート本体６０の直径（とくに加熱面６ａの直径）がそれよりも６ｍｍだけ小さい２９４ｍｍであってもよい。この場合、プレート本体６０の半径は基板Ｗの半径よりも３ｍｍ小さい。

プレート本体６０の上面は、水平面に沿う平面である。プレート本体６０の上面に複数の支持ピン６１（図２を併せて参照）が突出している。支持ピン６１は、たとえば、それぞれ半球状であり、プレート本体６０の上面から微小高さ（たとえば０．１ｍｍ）だけ突出している。したがって、基板Ｗが複数の支持ピン６１に接触して支持されるとき、基板Ｗの下面はたとえば０．１ｍｍの微小間隔を開けてプレート本体６０の上面に対向する。このように基板Ｗをプレート本体６０に近接した位置にて点で支持することにより、基板Ｗを効率的かつ均一に加熱し得る。

なお、複数の支持ピン６１は必須ではない。支持ピン６１を有していない場合には、基板Ｗをプレート本体６０の上面に接触させることができる。ヒータユニット６の加熱面６ａは、支持ピン６１を有している場合には、プレート本体６０の上面および支持ピン６１の表面を含む。また、支持ピン６１が備えられていない場合には、プレート本体６０の上面が加熱面６ａに相当する。以下では、支持ピン６１が基板Ｗの下面に接している状態を、加熱面６ａに基板Ｗの下面が接しているなどという場合がある。

ヒータ６２は、プレート本体６０に内蔵されている抵抗体であってもよい。図３には、複数の領域に分割されたヒータ６２を示している。ヒータ６２に通電することによって、加熱面６ａが室温（たとえば２０〜３０℃。たとえば２５℃）よりも高温に加熱される。具体的には、ヒータ６２への通電によって、第１移動ノズル１１から供給される有機溶剤の沸点よりも高温に加熱面６ａを加熱することができる。図２に示すように、ヒータ６２への給電線６３は、昇降軸３０内に通されている。そして、給電線６３には、ヒータ６２に電力を供給するヒータ通電ユニット６４が接続されている。ヒータ通電ユニット６４は、基板処理装置１の動作中、常時、通電されてもよい。

支持ピン６１は、プレート本体６０の上面にほぼ均等に配置されている。プレート本体６０の外周端よりも外方に、チャックピン２０が配置されている。チャックピン２０の全体がプレート本体６０の外周端よりも外方に配置されている必要はなく、ヒータユニット６の上下動範囲に対向する部分がプレート本体６０の外周端よりも外方に位置していればよい。

図４は、チャックピン２０の構造例を説明するための斜視図である。また、図５は、チャックピン２０の平面図である。図５中、（ａ）は閉状態を示しており、（ｂ）は開状態を示している。

チャックピン２０は、ベース部５０と、鉛直方向に延びたシャフト部５３と、シャフト部５３の上端に設けられたベース部５０と、シャフト部５３の下端に設けられた回動支持部５４とを含む。ベース部５０は、把持部５１と、支持部５２とを含む。回動支持部５４は、鉛直方向に沿うチャック回動軸線５５まわりに回動可能にスピンベース２１に結合されている。シャフト部５３は、チャック回動軸線５５から離れた位置にオフセットされて、回動支持部５４に結合されている。より具体的には、シャフト部５３はチャック回動軸線５５よりも、回転軸線Ａ１から離れた位置に配置されている。したがって、チャックピン２０がチャック回動軸線５５まわりに回動されると、ベース部５０は、その全体が基板Ｗの周端面に沿って移動しながら、チャック回動軸線５５まわりに回動する。回動支持部５４は、スピンベース２１の内部に設けられたリンク機構２６（図２参照）に結合されている。このリンク機構２６からの駆動力によって、回動支持部５４は、チャック回動軸線５５まわりに所定角度範囲で往復回動する。なお、基板Ｗの周端面とは、基板Ｗの外周面であり、基板Ｗの表面のうち主面（最も面積が大きい面）を除いた径方向外方を向く面である。

ベース部５０は、平面視において、くさび形に形成されている。ベース部５０の上面には、チャックピン２０の開状態で基板Ｗの周縁部下面に当接して基板Ｗを下方から支持する支持面５２ａが設けられている。換言すれば、ベース部５０は支持面５２ａを上面とする支持部５２を有している。把持部５１は、ベース部５０の上面において、支持部５２とは別の位置で上方に突出している。把持部５１は、基板Ｗの周端面に対向するようにＶ字状に開いた保持溝５１ａを有している。

回動支持部５４が図５（ｂ）に示す開状態からチャック回動軸線５５まわりに時計まわり方向に回動されるとき、把持部５１は基板Ｗの周端面に接近し、支持部５２は基板Ｗの回転中心から離反する。また、回動支持部５４が図５（ａ）に示す閉状態からチャック回動軸線５５まわりに反時計まわり方向に回動されるとき、把持部５１は基板Ｗの周端面から離反し、支持部５２は基板Ｗの回転中心に接近する。

図５（ａ）に示すチャックピン２０の閉状態では、保持溝５１ａに基板Ｗの周端面が入り込む。このとき、基板Ｗの下面は、支持面５２ａから微小距離だけ上方に離間した高さに位置する。図５Ｂに示すチャックピン２０の開状態では、保持溝５１ａから基板Ｗの周端面が脱していて、平面視において、把持部５１は基板Ｗの周端面よりも外方に位置する。チャックピン２０の開状態および閉状態のいずれにおいても、支持面５２ａは、少なくとも一部が基板Ｗの周縁部下面の下方に位置している。

チャックピン２０が開状態のとき、チャックピン２０は基板Ｗを支持部５２で支持する。その開状態からチャックピン２０を閉状態に切り換えると、断面Ｖ字状の保持溝５１ａに案内されてせり上がりながら基板Ｗの周端面が保持溝５１ａ内へと案内され、保持溝５１ａの上下の傾斜面によって基板Ｗが挟持された状態に至る。その状態からチャックピン２０を開状態に切り換えると、基板Ｗの周端面が保持溝５１ａの下側傾斜面に案内されながら滑り降り、基板Ｗの周縁部下面が支持面５２ａに当接する。

図５に示すように、ベース部５０は、平面視において、ヒータユニット６のプレート本体６０に対向する縁部が、プレート本体６０の周縁形状に倣っている。すなわち、支持部５２は、平面視において、プレート本体６０よりも回転中心に対して外方に位置する側面５２ｂを有している。このため、基板Ｗよりも若干小さい円形の加熱面６ａを有するプレート本体６０は、ヒータユニット６が上下動するときに、チャックピン２０と干渉しない。この非干渉位置関係は、チャックピン２０が閉状態および開状態のいずれにおいても保たれる。すなわち、チャックピン２０が閉状態のときも開状態のときも、支持部５２の側面５２ｂは、平面視において、ヒータユニット６の加熱面６ａから外方に離隔している。それによって、ヒータユニット６は、チャックピン２０が閉状態か開状態かを問わず、加熱面６ａを側面５２ｂの内側を通過させながら、昇降できる。

基板Ｗの直径は、たとえば３００ｍｍであり、プレート本体６０の上面の直径はたとえば２９４ｍｍである。したがって、加熱面６ａは、基板Ｗの下面の中央領域および周縁領域を含むほぼ全域に対向している。チャックピン２０の閉状態および開状態のいずれにおいても、加熱面６ａの外周縁の外側に所定の微小間隔（たとえば２ｍｍ）以上の間隔を確保した状態で、支持部５２が配置される。

把持部５１は、チャックピン２０の閉状態において、その内側縁が、プレート本体６０の外周縁の外側に所定の微小間隔（たとえば２ｍｍ）以上の間隔を確保した状態で位置するように構成されている。したがって、ヒータユニット６は、チャックピン２０の閉状態および開状態のいずれにおいても、加熱面６ａを把持部５１の内側で上下させて、基板Ｗの下面に接触するまで上昇させることができる。

チャック回動軸線５５は、平面視において、回転軸線Ａ１（図２および図３参照）を中心とし、加熱面６ａの半径よりも小さな半径の円周上に位置している。

＜周縁当接部６５＞
スピンベース２１の周縁部には、その周縁に沿って等間隔を空けて複数個（ここでは、３個）の周縁当接部６５が配置されている。ここでは、チャックピン２０と周縁当接部６５とが、スピンベース２１の周縁部に沿って交互に配置されている。また、周縁当接部６５各々は、プレート本体６０の外周端よりも外方に配置されている。ただし、周縁当接部６５の全体がプレート本体６０よりも外方に配置されている必要はない。周縁当接部６５のうち、上下動するプレート本体６０の外周面に対向する部分（ここでは、シャフト部６６）が、プレート本体６０の外周端よりも外方に位置していればよい。

図６は、周縁当接部６５の概略平面図である。図６（ａ）は開状態を示しており、図６（ｂ）は閉状態を示している。図７は、周縁当接部６５の図解的な側面図である。

周縁当接部６５は、鉛直方向に延びたシャフト部６６と、水平方向に延びた接触部６７とを備えている。シャフト部６６は、ベース部６６０、筒状部６６２、ばね部６６４（弾性部材）および連結部６６６を備えている。ベース部６６０は、円柱状に形成された部材であり、鉛直方向に沿う周縁当接部回動軸線６６Ｚまわりに回動可能にスピンベース２１に結合されている。筒状部６６２は、ベース部６６０の上端部に取り付けられている。筒状部６６２は、円筒状に形成されている。ここでは、ベース部６６０および筒状部６６２の外形を同一半径の円形状としているが、これは必須ではない。

筒状部６６２の内部に、ばね部６６４および連結部６６６が収容されている。ばね部６６４は、下端部がベース部６６０に固定されており、上端部が連結部６６６に固定されている。連結部６６６は、筒状部６６２の内側に、上下移動可能に挿通されている。連結部６６６上端部には、接触部６７の一端寄りの部分が取り付けられている。

なお、筒状部６６２、ばね部６６４および連結部６６６を備えていることは必須ではない。たとえば、ベース部６６０を鉛直方向上方に延ばし、その先端に接触部６７が取り付けられていてもよい。

周縁当接部６５各々のベース部６６０は、周縁当接部駆動ユニット６８に連結されている。この周縁当接部駆動ユニット６８の駆動力によって、ベース部６６０が周縁当接部回動軸線６６Ｚまわりに所定の回転角度範囲で往復回動する。周縁当接部駆動ユニット６８は、たとえば、スピンベース２１の内部に設けられたリンク機構と、スピンベース２１の外側に配置された駆動源とを含む。駆動源は、たとえば、ボールねじ機構と、そのボールネジ機構に駆動力を与える電動モータとを含む。

周縁当接部駆動ユニット６８により、周縁当接部６５を回動駆動すると、接触部６７が周縁当接部回動軸線６６Ｚまわりに回動する。図６（ａ）に示すように、周縁当接部６５が開状態のときには、接触部６７全体が基板Ｗよりも外方の位置（離間位置）に配された状態となる。そして、図６（ｂ）に示すように、周縁当接部６５が閉状態のときには、接触部６７の先端部が基板Ｗの周縁部に対して鉛直方向に重なる位置（周縁接触位置）に配された状態となる。周縁当接部６５を離間位置に待避させることにより、チャックピン２０に対して基板Ｗを搬入または搬出する際に、周縁当接部６５の接触部６７が基板Ｗに干渉することを抑制できる。

接触部６７は、弾性変形可能な構造を有していてもよい。たとえば、接触部６７の全部または基板Ｗに当接する下部のみを弾性材料により形成するとよい。弾性材料は耐熱性および耐薬性を有する例えばＰＴＦＥ（polytetrafluoroethylene）などのフッ素樹脂が考えられる。このように接触部６７を弾性変形可能に構成することによって、接触部６７を基板Ｗの周縁部に柔軟に接触させることができる。これにより、基板Ｗの周縁部に与えられる衝撃を軽減できるため、基板Ｗの周縁部が破損することを有効に抑制できる。

図７に示すように、この実施形態では、昇降ユニット７によりヒータユニット６のプレート本体６０が上昇することで、基板Ｗがチャックピン２０によって保持されるときの位置（保持位置：図２参照）よりも上側の位置（上位置）に移動する。周縁当接部６５各々は、この上位置に配された基板Ｗの周縁部の上面を下方に押圧する。

バネ部６６４が自然長のとき、接触部６７の下面の高さは、ヒータユニット６に支持されて上位置に配される基板Ｗの上面よりも低い位置とされる。このため、接触部６７が上位置に配された基板Ｗの周縁部に当接する際、ばね部６６４が鉛直方向に伸びる弾性変形によって、接触部６７を基板Ｗの周縁部に柔軟に接触させることができる。これにより、基板Ｗの周縁部に与えられる衝撃を軽減できる。また、接触部６７が基板Ｗの周縁部に当接している間、接触部６７が基板Ｗの周縁部から上向きの力を受けることにより、バネ部６６４が伸張し、接触部６７および連結部６６６が通常時よりも上側に配置される。このとき、バネ部６６４に蓄えられた弾性力によって、接触部６７が適度な力で基板Ｗの周縁部を下方に押圧する。このため、基板Ｗの周縁部を破損させずに、基板Ｗの凹状の反り（上側への反り）を抑制できる。

図８は、第１移動ノズル１１の構成例を説明するための模式的な縦断面図である。第１移動ノズル１１は、有機溶剤ノズル７１を備えている。有機溶剤ノズル７１は、鉛直方向に沿った直管で構成されている。有機溶剤ノズル７１に、有機溶剤供給管３５が結合されている。

有機溶剤ノズル７１に、基板Ｗの上方を不活性ガス雰囲気で覆うためのガスノズル７２が結合されている。ガスノズル７２は、下端にフランジ部７３を有する円筒状のノズル本体７４を有している。フランジ部７３の側面である外周面には、上側気体吐出口７５および下側気体吐出口７６が、それぞれ環状に外方に向けて開口している。上側気体吐出口７５および下側気体吐出口７６は、上下に間隔を空けて配置されている。ノズル本体７４の下面には、中心気体吐出口７７が配置されている。

ノズル本体７４には、不活性ガス供給管３６から不活性ガスが供給される気体導入口７８，７９が形成されている。気体導入口７８，７９に対して、個別の不活性ガス供給管が結合されてもよい。ノズル本体７４内には、気体導入口７８と上側気体吐出口７５および下側気体吐出口７６とを接続する筒状の気体流路８１が形成されている。また、ノズル本体７４内には、気体導入口７９に連通する筒状の気体流路８２が有機溶剤ノズル７１のまわりに形成されている。気体流路８２の下方にはバッファ空間８３が連通している。バッファ空間８３は、さらに、パンチングプレート８４を介して、その下方の空間８５に連通している。この空間８５が中心気体吐出口７７に開放している。

気体導入口７８から導入された不活性ガスは、気体流路８１を介して上側気体吐出口７５および下側気体吐出口７６に供給され、これらの気体吐出口７５，７６から放射状に吐出される。これにより、上下方向に重なる２つの放射状気流が基板Ｗの上方に形成される。一方、気体導入口７９から導入された不活性ガスは、気体流路８２を介してバッファ空間８３に蓄えられ、さらにパンチングプレート８４を通って拡散された後に、空間８５を通って中心気体吐出口７７から基板Ｗの上面に向けて下方に吐出される。この不活性ガスは、基板Ｗの上面にぶつかって方向を変え、放射方向の不活性ガス流を基板Ｗの上方に形成する。

したがって、中心気体吐出口７７から吐出される不活性ガスが形成する放射状気流と、気体吐出口７５，７６からの吐出される二層の放射状気流とを合わせて、三層の放射状気流が基板Ｗの上方に形成されることになる。この三層の放射状気流によって、基板Ｗの上面が保護される。とくに、後述するとおり、基板Ｗを高速回転するときに、三層の放射状気流によって基板Ｗの上面が保護されることにより、液滴やミストが基板Ｗの表面に付着することを回避できる。

有機溶剤ノズル７１は、気体流路８２、バッファ空間８３およびパンチングプレート８４を貫通して上下方向に延びている。有機溶剤ノズル７１の下端の吐出口７１ａは、パンチングプレート８４の下方に位置しており、基板Ｗの上面に向けて鉛直上方から有機溶剤を吐出する。

図９は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御ユニット３は、マイクロコンピュータを備えており、所定の制御プログラムに従って、基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。特に、制御ユニット３は、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ、スピンチャック５を回転駆動する電動モータ２３、第１ノズル移動ユニット１５、第２ノズル移動ユニット１６、ヒータ通電ユニット６４、ヒータユニット６を昇降する昇降ユニット７、チャックピン駆動ユニット２５、周縁当接部駆動ユニット６８、バルブ類３７，３８，４３，４４，４５，４７，４９などの動作を制御する。

図１０は、基板処理装置１による基板処理の一例を説明するための流れ図である。未処理の基板Ｗは、搬送ロボットＩＲ，ＣＲによってキャリヤＣから処理ユニット２に搬入され、スピンチャック５に渡される（ステップＳ１）。このとき、制御ユニット３は、ヒータユニット６を下位置に配置するように昇降ユニット７を制御する。また、制御ユニット３は、チャックピン２０が開状態になるようにチャックピン駆動ユニット２５を制御する。また、制御ユニット３は、周縁当接部６５を開状態としておく。その状態で、搬送ロボットＣＲは、基板Ｗをスピンチャック５に渡す。基板Ｗは、開状態のチャックピン２０の支持部５２（支持面５２ａ）に載置される。その後、制御ユニット３は、チャックピン駆動ユニット２５を制御して、チャックピン２０を閉状態とする。それにより、複数のチャックピン２０の把持部５１によって基板Ｗが把持される。

搬送ロボットＣＲが処理ユニット２外に退避した後、薬液処理が実行される（ステップＳ２）。詳細には、制御ユニット３は、電動モータ２３を駆動してスピンベース２１を所定の薬液回転速度で回転させる。その一方で、制御ユニット３は、第２ノズル移動ユニット１６を制御して、第２移動ノズル１２を基板Ｗの上方の薬液処理位置に配置する。薬液処理位置は、第２移動ノズル１２から吐出される薬液が基板Ｗの上面の回転中心に着液する位置であってもよい。そして、制御ユニット３は、薬液バルブ４３を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの上面に向けて、第２移動ノズル１２から薬液が供給される。供給された薬液は遠心力によって基板Ｗの全面に行き渡る。

一定時間の薬液処理の後、基板Ｗ上の薬液をＤＩＷに置換することにより、基板Ｗ上から薬液を排除するためのＤＩＷリンス処理が実行される（ステップＳ３）。具体的には、制御ユニット３は、薬液バルブ４３を閉じ、代わって、ＤＩＷバルブ４７を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの上面に向けてＤＩＷノズル１０からＤＩＷが供給される。供給されたＤＩＷは遠心力によって基板Ｗの全面に行き渡る。このＤＩＷによって基板Ｗ上の薬液が洗い流される。この間に、制御ユニット３は、第２ノズル移動ユニット１６を制御して、第２移動ノズル１２を基板Ｗの上方からカップ８の側方へと退避させる。

一定時間のＤＩＷリンス処理の後、基板Ｗ上のＤＩＷを、より表面張力の低い処理液（低表面張力液）である有機溶剤に置換する有機溶剤処理が実行される（ステップＳ４）。詳細には、制御ユニット３は、第１ノズル移動ユニット１５を制御して、第１移動ノズル１１を基板Ｗの上方の有機溶剤リンス位置に移動させる。有機溶剤リンス位置は、第１移動ノズル１１に備えられた有機溶剤ノズル７１（図６参照）から吐出される有機溶剤（たとえばＩＰＡ）が基板Ｗの上面の回転中心に着液する位置であってもよい。そして、制御ユニット３は、ＤＩＷバルブ４７を閉じて、有機溶剤バルブ３７を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの上面に向けて、第１移動ノズル１１（有機溶剤ノズル７１）から有機溶剤（液体）が供給される。供給された有機溶剤は遠心力によって基板Ｗの全面に行き渡り、基板Ｗ上のＤＩＷを置換する。

有機溶剤処理において、制御ユニット３は、昇降ユニット７を制御して、ヒータユニット６を基板Ｗに向けて上昇させ、それによって、基板Ｗを加熱する。また、制御ユニット３は、スピンチャック５の回転を減速して基板Ｗの回転を停止し、かつ有機溶剤バルブ３７を閉じて有機溶剤の供給を停止する。それにより、静止状態の基板Ｗ上に有機溶剤液膜が支持されたパドル状態とされる。基板Ｗの加熱によって、基板Ｗの上面に接している有機溶剤の一部が蒸発し、それによって、有機溶剤液膜と基板Ｗの上面との間に気相層が形成される。その気相層に支持された状態の有機溶剤液膜が排除される。

有機溶剤液膜の排除に際して、制御ユニット３は、第１ノズル移動ユニット１５を制御して、第１移動ノズル１１を基板Ｗの上方からカップ８の側方へと退避させる。そして、制御ユニット３は、第２ノズル移動ユニット１６を制御して、第２移動ノズル１２を基板Ｗの上方の気体吐出位置に配置する。気体吐出位置は、第２移動ノズル１２から吐出される不活性ガス流が基板Ｗの上面の回転中心に向けられる位置であってもよい。そして、制御ユニット３は、不活性ガスバルブ４４を開いて、基板Ｗ上の有機溶剤液膜に向けて不活性ガスを吐出する。これにより、不活性ガスの吐出を受ける位置、すなわち、基板Ｗの中央において、有機溶剤液膜が不活性ガスによって排除され、有機溶剤液膜の中央に、基板Ｗの表面を露出させる穴が空けられる。この穴を広げることによって、基板Ｗ上の有機溶剤が基板Ｗ外へと排出される。

こうして、有機溶剤処理を終えた後、制御ユニット３は、不活性ガスバルブ４４を閉じ、第２移動ノズル１２を退避させた後、電動モータ２３を制御して、基板Ｗを乾燥回転速度で高速回転させる。それにより、基板Ｗ上の液成分を遠心力によって振り切るための乾燥処理が行われる（ステップＳ５：スピンドライ）。

その後、制御ユニット３は、電動モータ２３を制御してスピンチャック５の回転を停止させる。また、昇降ユニット７を制御して、ヒータユニット６を下位置に制御する。さらに、制御ユニット３は、チャックピン駆動ユニット２５を制御して、チャックピン２０を開位置に制御する。これにより、基板Ｗは、チャックピン２０の把持部５１に把持された状態から、支持部５２に載置された状態となる。その後、搬送ロボットＣＲが、処理ユニット２に進入して、スピンチャック５から処理済みの基板Ｗをすくい取って、処理ユニット２外へと搬出する（Ｓ６）。その基板Ｗは、搬送ロボットＣＲから搬送ロボットＩＲへと渡され、搬送ロボットＩＲによって、キャリヤＣに収納される。

図１１は、有機溶剤処理（図１０のステップＳ４）の詳細を説明するためのタイムチャートである。また、図１２〜図１５は、有機溶剤処理の各ステップの様子を説明するための図解的な断面図である。図１６は、乾燥処理（図１０のステップＳ５）の様子を説明するための図解的な断面図である。

有機溶剤処理は、順に、有機溶剤リンスステップＴ１と、有機溶剤パドルステップＴ２と、持ち上げパドルステップＴ３と、ノズル入れ替えステップＴ４と、穴開けステップＴ５と、穴広げステップＴ６と、外周液落としステップＴ７とを含む。

有機溶剤リンスステップＴ１は、基板Ｗを回転しながら、基板Ｗの上面に有機溶剤を供給するステップ（処理液供給工程、有機溶剤供給工程）である。たとえば、図１２（ａ）に示すように、基板Ｗの上面に有機溶剤ノズル７１から有機溶剤が供給される。供給された有機溶剤は、遠心力を受けて基板Ｗの上面の中心から外方へと向かい、基板Ｗの上面を覆う液膜９０を形成する。液膜９０が基板Ｗの上面全域を覆うことにより、ＤＩＷリンス処理（図１０のステップＳ３）で基板Ｗの上面に供給されたＤＩＷ（別の処理液）が全て有機溶剤に置換される。

有機溶剤リンスステップＴ１の期間中、基板Ｗは、スピンチャック５によって、有機溶剤リンス処理速度（液供給速度。たとえば３００ｒｐｍ程度）で回転させられる（液供給速度回転工程）。第１移動ノズル１１（有機溶剤ノズル７１）は、基板Ｗの回転中心の上方に配置される。有機溶剤バルブ３７は開状態とされ、したがって、有機溶剤ノズル７１から吐出される有機溶剤（たとえば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ））が基板Ｗの上面の回転中心に向けて上方から供給される。チャックピン２０は閉状態とされ、基板Ｗは把持部５１によって把持され、スピンチャック５とともに回転する。ヒータユニット６は、下位置よりも上方に位置制御され、基板Ｗの下面から所定距離（たとえば２ｍｍ）だけ下方に離隔した離隔位置にその加熱面６ａが配置される。これにより、基板Ｗは、加熱面６ａからの輻射熱によって予熱される（基板予熱工程）。ヒータユニット６の加熱面の温度は、たとえば１５０℃程度であり、面内で均一である。第２移動ノズル１２は、カップ８の側方のホーム位置に退避している。薬液バルブ４３および不活性ガスバルブ３８，４４は閉状態に制御される。したがって、第２移動ノズル１２は、不活性ガス（たとえば窒素ガス）を吐出しない。

有機溶剤パドルステップＴ２は、図１２（ｂ）に示すように、基板Ｗの回転を減速して停止させ、基板Ｗの表面に有機溶剤の厚い液膜９０を形成して保持するステップである。

基板Ｗの回転は、この例では、有機溶剤リンス処理速度から段階的に減速される（減速工程、漸次減速工程、段階的減速工程）。より具体的には、基板Ｗの回転速度は、３００ｒｐｍから、５０ｒｐｍに減速されて所定時間（たとえば１０秒）維持され、その後、１０ｒｐｍに減速されて所定時間（たとえば１０秒）維持され、その後、０ｒｐｍ（停止）に減速されて所定時間（たとえば１０秒）維持される。一方、有機溶剤ノズル７１は、回転軸線Ａ１上に保持され、引き続き、基板Ｗの上面の回転中心に向けて有機溶剤を吐出する。有機溶剤ノズル７１からの有機溶剤の吐出は、有機溶剤パドルステップＴ２の全期間において継続される。すなわち、基板Ｗが停止しても、有機溶剤の吐出が継続される。このように、基板Ｗの回転の減速から停止に至る全期間において有機溶剤の供給が継続されることにより、基板Ｗの上面の至るところで処理液が失われることがない。また、基板Ｗの回転が停止した後も有機溶剤の供給が継続されることにより、基板Ｗの上面に厚い液膜９０を形成できる。

ヒータユニット６の位置は、有機溶剤リンスステップのときと同じ位置であり、加熱面６ａが基板Ｗの下面から所定距離（たとえば２ｍｍ）だけ下方に離隔した離隔位置である。これにより、基板Ｗは、加熱面６ａからの輻射熱によって予熱される（基板予熱工程）。チャックピン２０は、基板Ｗの回転が停止した後、その停止状態が保持されている間に、閉状態から開状態へと切り換わる。それにより、基板Ｗの周縁部下面がチャックピン２０の支持部５２によって下方から支持された状態となり、把持部５１が基板Ｗの上面周縁部から離れるので、基板Ｗの上面全域が開放される。第２移動ノズル１２は、ホーム位置のままである。

また、制御ユニット３は、チャックピン２０を閉状態から開状態へと切り換えるタイミングで、周縁当接部６５を開状態から閉状態へ切り換える。ただし、この周縁当接部６５の切り換えのタイミングは、基板搬入処理（図１０のステップＳ１）が完了した後から、持ち上げパドルステップＴ３が開始される前までの期間内で任意に変更され得る。

持ち上げパドルステップＴ３は、図１２（ｃ）に示すように、ヒータユニット６で基板Ｗを持ち上げた状態で、すなわち、加熱面６ａを基板Ｗの下面に接触させた状態で、基板Ｗを加熱しながら、基板Ｗの上面に有機溶剤液膜９０を保持するステップである。

ヒータユニット６が離隔位置から上位置まで上昇させられて、所定時間（たとえば１０秒間）保持される。ヒータユニット６が上位置まで上昇させられる過程で、チャックピン２０の支持部５２から加熱面６ａに基板Ｗが渡され、加熱面６ａ（より具体的には支持ピン６１。図２参照）によって基板Ｗが支持される（ヒータユニット接近工程、ヒータユニット接触工程）。そして、図１３に示すように、ヒータユニット６が上位置まで上昇することで、基板Ｗが所定の上位置（図８参照）に配されると、閉状態の周縁当接部６５各々が基板Ｗの周縁部に接触する（周縁部接触工程Ｔ３０）。

第１移動ノズル１１（有機溶剤ノズル７１）からの有機溶剤の吐出は、持ち上げパドルステップＴ３の途中まで継続される。したがって、ヒータユニット６の加熱面６ａが基板Ｗの下面に接触し、加熱面６ａからの熱伝導による基板Ｗの急加熱が開始され、基板Ｗに与えられる熱量が増加（熱量増加工程）するときには、有機溶剤の供給は継続している。それにより、基板Ｗの急激な昇温に伴う有機溶剤の蒸発によって有機溶剤の液膜９０に不特定の位置で穴があくことを回避している。有機溶剤の供給は、ヒータユニット６の加熱面６ａが基板Ｗの下面に接触した後（熱量増加工程の後）、所定時間の経過の後に停止される（供給停止工程）。すなわち、制御ユニット３は、有機溶剤バルブ３７を閉じて、有機溶剤ノズル７１からの有機溶剤の吐出を停止させる。

スピンチャック５の回転は停止状態であり、第２移動ノズル１２はホーム位置にあり、不活性ガスバルブ４４は閉状態である。第１移動ノズル１１（有機溶剤ノズル７１）は基板Ｗの回転中心の上方に位置している。

有機溶剤の供給が停止された後、所定時間が経過するまで、ヒータユニット６は上位置に保持される。基板Ｗに供給された有機溶剤は、中心に供給される新たな有機溶剤によって外周側へと押しやられ、その過程で、ヒータユニット６によって加熱された基板Ｗの上面からの熱で加熱されて昇温していく。有機溶剤の供給を継続している期間には、基板Ｗの中央領域の有機溶剤の温度は比較的低い。そこで、有機溶剤の供給を停止した後、所定の短時間だけヒータユニット６の接触状態を保持することによって、基板Ｗの中央領域における有機溶剤を昇温できる。それにより、基板Ｗの上面に支持された有機溶剤の液膜９０の温度を均一化できる。

基板Ｗの上面からの熱を受けた有機溶剤液膜９０では、基板Ｗの上面との界面において蒸発が生じる。それによって、基板Ｗの上面と有機溶剤液膜９０との間に、有機溶剤の気体からなる気相層が生じる。したがって、有機溶剤液膜９０は、基板Ｗの上面の全域において、気相層上に支持された状態となる（気相層形成工程）。

ノズル入れ替えステップＴ４は、図１４（ａ）に示すように、第１移動ノズル１１を回転軸線Ａ１上から退避させ、代わって、第２移動ノズル１２を回転中心上に配置するステップである。

具体的には、有機溶剤の供給を停止した後に、第１移動ノズル１１は、カップ８の側方に設定したホーム位置に退避させられる。その後、第２移動ノズル１２が、ホーム位置から回転軸線Ａ１上の中心位置に移動させられる。ノズル入れ替えステップＴ４の期間中、ヒータユニット６は上位置から若干下に下降させられる。それにより、基板Ｗは、ヒータユニット６からチャックピン２０の支持部５２に渡され、加熱面６ａは、基板Ｗの下面から所定の微小距離だけ間隔を空けた非接触状態で基板Ｗの下面に対向する。これにより、基板Ｗの加熱は加熱面６ａからの輻射熱による加熱に切り換わり、基板Ｗに与えられる熱量が減少する（熱量減少工程）。これによって、ノズルを入れ替えている間に基板Ｗが過熱することを回避し、蒸発によって有機溶剤液膜９０に亀裂（とくに基板Ｗの外周領域での亀裂）が生じることを回避している。

穴開けステップＴ５は、図１４（ｂ）に示すように、第２移動ノズル１２から基板Ｗの中心に向けて小流量（第１流量。たとえば３リットル／分）で不活性ガス（たとえば窒素ガス）を吹き付け、有機溶剤液膜９０の中央部に小さな穴９１を開けて基板Ｗの上面の中央部を露出させるステップである（穴開け工程）。基板Ｗの回転は停止状態のままであり、したがって、静止状態の基板Ｗ上の液膜９０に対して穴開けステップが行われる。

穴開けステップＴ５の期間中、ヒータユニット６は、上位置に移動することによって基板Ｗを持ち上げ、基板Ｗに接触しながら加熱する。穴開けステップＴ５の間、閉状態の周縁当接部６５各々が基板Ｗの周縁部に接触した状態となる。

制御ユニット３は、不活性ガスバルブ４４を開き、かつ流量可変バルブ４５の開度を制御することによって、第２移動ノズル１２から小流量で不活性ガスを吐出させる。

有機溶剤液膜９０の穴開けの直後から（すなわち、ほぼ同時に）、基板Ｗの急加熱が始まる（再熱量増加工程）。それにより、不活性ガスによる穴開けによって液膜９０の外方への移動が始まると、基板Ｗの加熱が速やかに（ほぼ同時に）開始され、それによって、液膜９０は止まることなく基板Ｗの外方へと移動していく。

より具体的には、穴開けされて液膜９０がなくなった中央領域では、液膜９０が存在しているその周囲の領域に比較して、熱容量が小さくなるために基板Ｗの温度が速やかに上昇する。また、基板Ｗにおける液膜９０が残存する部分は、液膜９０の沸点以上に昇温し難い。このため、穴９１の周縁において基板Ｗ内に大きな温度勾配が生じる。すなわち、穴９１の周縁の内側が高温で、その外側が低温になる。この温度勾配によって、図１４（ｃ）に示すように、気相層上に支持されている有機溶剤液膜９０が低温側、すなわち、外方に向かって移動を始め、それによって、有機溶剤液膜９０の中央の穴９１が拡大していく。

こうして、基板Ｗの加熱により生じる温度勾配を利用して、基板Ｗ上の有機溶剤液膜９０が基板Ｗ外へと排除される（加熱排除工程、液膜移動工程）。より具体的には、基板Ｗの上面において、パターンが形成された領域内の液膜９０は、温度勾配による有機溶剤の移動によって排除される。

仮に、不活性ガスの吹き付けによって基板Ｗの回転中心に穴９１を形成した後に、長い時間を空けてヒータユニット６を基板Ｗに接触させた場合、その間に、穴９１の拡大が停止する。このとき、液膜９０の内周縁は、内方に向かったり外方に向かったりする平衡状態となる。このとき、基板Ｗの表面に形成されたパターン内に有機溶剤の液面が入り込み、表面張力によるパターン倒壊の原因となるおそれがある。そこで、この実施形態では、不活性ガスによる穴開けとほぼ同時にヒータユニット６を基板Ｗの下面に接触させて、基板Ｗに与える熱量を瞬時に増加させている。

穴広げステップＴ６は、図１５（ａ）に示すように、第２移動ノズル１２から吐出される不活性ガスの流量を増量し、大流量（第２流量。たとえば３０リットル／分）の不活性ガスを基板Ｗの中心に吹き付けて、有機溶剤液膜９０の中央の穴９１を不活性ガスによってさらに広げるステップである（気体排除工程、液膜移動工程）。すなわち、制御ユニット３は、流量可変バルブ４５を制御して、第２移動ノズル１２に供給される不活性ガスの流量を増加させる。それにより、基板Ｗの上面の外周領域まで移動した液膜９０がさらに基板Ｗ外へと押しやられる。基板Ｗの回転は停止状態に保持される。

具体的には、温度勾配によって穴９１が広がっていく過程で、さらに不活性ガスの流量を増加させることで、液膜９０の移動が停止することを回避して、液膜９０の基板Ｗ外方に向かう移動を継続させることができる。温度勾配を利用する有機溶剤液膜９０の移動だけでは、基板Ｗの上面の周縁領域で液膜９０の移動が止まってしまうおそれがある。そこで、不活性ガスの流量を増加させることで、液膜９０の移動をアシストでき、それによって、基板Ｗの上面の全域から有機溶剤液膜９０を排除できる。不活性ガスを吐出する第２移動ノズル１２、および、吐出量を制御する制御ユニット３は、チャックユニット２０を解除状態とし、ヒータプレート６が下面に当接している基板Ｗの上面に形成された液膜９０を基板Ｗの中央から周縁に向けて排除する液膜排除部の一例である。

なお、穴開けステップＴ５および孔広げステップＴ６は、上記基板Ｗ上の温度勾配により、基板Ｗの周縁部が中央部に対して反り上がることで、基板Ｗの上側が窪むように反るおそれがある。これに対して、穴開けステップＴ５および孔広げステップＴ６の不活性ガスの流量増加直後の間、閉状態の周縁当接部６５各々がヒータユニット６に支持された基板Ｗの周縁部に接触している（図１４（ｂ）および図１５（ａ）参照）。このため、温度勾配によって生じうる基板Ｗの周縁部の反りが、周縁当接部６５各々に抑制される。つまり、周縁当接部６５は、反り抑制部の一例である。基板Ｗの反りが抑制されることにより、基板Ｗの周縁部がヒータユニット６から離れることを抑制できるため、その周縁部の温度低下を抑制できる。これにより、周縁部におけるＩＰＡの乾燥不良を抑制することができる。

孔広げステップＴ６では、不活性ガスの流量を増加させた後に、ヒータユニット６が下降させられ、加熱面６ａからチャックピン２０の支持部５２に基板Ｗが渡される。その後、大流量での不活性ガス吐出が終了するまでに、チャックピン２０が閉状態とされ、その把持部５１によって基板Ｗが把持される。図１１に示したタイムチャートの例では、ヒータユニット６は、チャックピン２０に基板Ｗが渡された後、基板Ｗの下面に微小距離を隔てて対向する非接触加熱位置に短時間保持され、その後、さらに下降されて、基板Ｗの下面に所定距離だけ隔てて対向する離隔位置に配置される。

外周液落としステップＴ７は、図１５（ｂ）に示すように、基板Ｗを回転させることによって、基板Ｗの外周部に残る有機溶剤液膜を振り落とすステップである。詳細には、チャックピン２０で基板Ｗが把持された後、第２移動ノズル１２への不活性ガスの供給が停止され、第２移動ノズル１２がホーム位置へと退避する。それとともに、スピンチャック５が低速の外周振り落とし速度で回転させられる。具体的には、たとえば３０〜１００ｒｐｍでスピンチャック５とともに基板Ｗが回転させられる。それにより、大流量の不活性ガスの供給によっても排除しきれずに基板Ｗの外周部（とくに周端面）に残る有機溶剤が振り落とされる。

温度差および大流量の不活性ガスの吹き付けによって、液膜９０が外周部にまで移動した後であり、しかも、低速の外周振り落とし速度での回転であるので、遠心力によって液膜９０が微小液滴に分裂することがなく、液塊の状態で基板Ｗから振り落とされる。また、基板Ｗの外周部には、製品に使用するための有効なパターンが形成されていない場合がほとんどであるので、たとえ液膜９０の多少の分裂が生じても大きな問題ではない。

外周液落としステップＴ７に続けて、図１６に示すように、スピンドライステップＴ８（乾燥処理。図１０のステップＳ５）が実行される。具体的には、制御ユニット３は、第１移動ノズル１１を、ホーム位置から回転軸線Ａ１上に移動させる。さらに、制御ユニット３は、第１移動ノズル１１を、基板Ｗの上面に接近した下位置に配置する。そして、制御ユニット３は、不活性ガスバルブ３８を開く。それにより、第１移動ノズル１１（ガスノズル７２）は、三層の放射状不活性ガス流を基板Ｗの上方に形成する。その状態で、制御ユニット３は、スピンチャック５の回転を高速な乾燥回転速度（たとえば８００ｒｐｍ）まで加速される。これにより、遠心力によって、基板Ｗの表面の液成分を完全に振り切ることができる。基板Ｗの上面は放射状の不活性ガス流によって覆われているので、周囲に飛び散って跳ね返った液滴や周囲のミストが基板Ｗの上面に付着することを回避できる。

スピンドライステップＴ８の後は、スピンチャック５の回転が停止され、ヒータユニット６が下位置に下降させられる。また、不活性ガスバルブ３８が閉じられて、ガスノズル７２からの不活性ガスの吐出が停止される。そして、第１移動ノズル１１は、ホーム位置に移動される。その後は、制御ユニット３は、チャックピン２０を開状態とし、搬送ロボットＣＲに、処理済みの基板Ｗを処理ユニット２から搬出させる。

図１１に示すように、この実施形態では、制御ユニット３は、穴広げステップＴ６におけるチャックピン２０を閉状態に切り換えるタイミングで、周縁当接部６５を閉状態から開状態へ切り換える。ただし、周縁当接部６５の切り換えのタイミングは、穴広げステップＴ６にてヒータユニット６が下降することにより基板Ｗが下降し始めた後から、スピンドライステップＴ８完了後の搬送ロボットＣＲがチャックピン２０から基板Ｗを搬出するよりも前までの期間内で、任意に変更され得る。

図１７は、基板Ｗの温度差による有機溶剤液膜９０の移動を説明するための図である。有機溶剤液膜９０中の有機溶剤は、より低温の方に移動する性質を持つ。穴開けステップＴ５で有機溶剤液膜の中央に穴９１が形成されることにより、図１７（ａ）に示すように、基板Ｗ全面のうち、中央部に形成される穴９１内の領域の温度が、穴９１外の領域の温度よりも相対的に高くなる。それに応じて、穴９１の近傍では有機溶剤液膜９０の温度がその周囲よりも高くなる。これにより、有機溶剤液膜９０中に温度差が生じるので、穴９１の周縁部の有機溶剤が、基板Ｗの外方に向かって放射状に移動する。すると、図１７（ｂ）に示すように、気相層９２上で、基板Ｗの周縁に向かう流れ９４が生じ、有機溶剤液膜９０の中央部の穴９１が同心円状に広がる。

この温度差による有機溶剤の流れ９４を利用した穴広げと並行して、不活性ガスの流量増大による穴広げステップＴ６が実行されるので、穴９１は、途中で止まることなく、基板Ｗの外周縁まで広がる。それにより、途中で滞留を生じさせることなく、液膜９０を基板Ｗ外に排除できる。

また、穴開けステップＴ５において、基板Ｗにおける中央側の部分と周縁側の部分とで温度差が発生すると、基板Ｗの周縁側が上側に反りやすくなる。基板Ｗに反りが発生すると、基板Ｗ上の有機溶剤液膜９０を良好に除去することが困難となるおそれがある。これに対して、この実施形態では、穴開けステップＴ５の間、基板Ｗの周縁部における複数箇所の上面が、周縁当接部６５各々に接触する。これにより、基板Ｗの周縁部の上側への反りが抑制されるため、基板Ｗの周縁部の温度低下を抑制できる。これにより、基板Ｗを均一に加熱できるため、有機溶剤液膜９０の除去を良好に実施できる。

＜２． 第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。なお、以降の説明において、既に説明した要素と同様の機能を有する要素については、同じ符号またはアルファベット文字を追加した符号を付して、詳細な説明を省略する場合がある。

図１８は、第２実施形態の周縁当接部６５ａの概略平面図である。図１８（ａ）は開状態を示しており、図１８（ｂ）は閉状態を示している。また、図１９は、周縁当接部６５ａの図解的な側面図である。

この実施形態では、スピンベース２１の周縁部に、複数の周縁当接部６５に代えて複数の周縁当接部６５ａが設けられている。周縁当接部６５ａは、鉛直方向に延びたシャフト部６６ａと、平面視において非円形状（ここでは、略卵型）の周端面接触部６７ａとを有している。周端面接触部６７ａは、シャフト部６６ａの上部に取り付けられている。シャフト部６６ａおよび周端面接触部６７ａは、周縁当接部駆動ユニット６８により、鉛直方向に延びる周縁当接部回動軸線６６Ｚまわりに回転する。この回転により、図１８に示すように周縁当接部６５が開状態と閉状態との間で切り換えられる。

図１８（ａ）に示すように、周縁当接部６５ａが開状態のとき、周端面接触部６７ａはヒータユニット６およびヒータユニット６またはチャックピン２０に支持されている基板Ｗよりも外方に配される。この状態では、各周縁当接部６５ａの周端面接触部６７ａのうち周縁当接部回動軸線６６Ｚに相対的に近い側面部分が回転軸線Ａ１に向けられている。

図１８（ｂ）および図１９に示すように、周縁当接部６５ａが閉状態のとき、周端面接触部６７ａが、ヒータユニット６に支持されて上位置に配された基板Ｗの周端面に当接する。詳細には、基板Ｗがヒータユニット６に支持されて上位置まで移動させられた後に、周縁当接部駆動ユニット６８がシャフト部６６を所定角度（ここでは９０度）だけ回転させる。これにより、各周縁当接部６５ａの周端面接触部６７ａのうち周縁当接部回動軸線６６Ｚから相対的に離れた側面部分が、回転軸線Ａ１に向けられるとともに、基板Ｗの周端面に当接させられる。周端面接触部６７ａが基板Ｗに接触する際、基板Ｗの周縁部は殆ど上下動しない。これにより、基板Ｗがヒータユニット６の加熱面６ａから浮くことを抑制できる。

周端面接触部６７ａは、弾性変形可能な構造を有していてもよい。たとえば、周端面接触部６７ａの全体、あるいは、基板Ｗに当接させられる側面部分（閉状態で回転軸線Ａ１側を向く部分）のみを弾性材料により形成してもよい。周端面接触部６７ａが弾性変形することによって、周端面接触部６７ａが基板Ｗの周端面に対して柔軟に接触できる。このため、基板Ｗの周縁部が破損することを抑制しつつ、基板Ｗの周縁部における反りの発生を抑制できる。

基板Ｗの周端面のうち、周縁当接部６５ａの周端面接触部６７ａに接触されている部分については、上下方向に移動することが抑制される。このため、基板Ｗにおいて、中央部と周縁部との温度差等が生じた場合にも、周縁当接部６５ａにより基板Ｗの周縁部が反ることを抑制できる。特に、周縁当接部６５ａの場合、基板Ｗの周端面が上方向だけでなく下方向に反ることも抑制できる。

さらに、周縁当接部６５ａの場合、基板Ｗのパターン形成面（上面または下面）に接触することがない。このため、基板Ｗのパターン形成面を清浄に保つことができる。また、基板Ｗに形成された有機溶剤液膜９０が、基板Ｗの周縁部における周縁当接部６５ａとの接触部分から外方に流れ落ちる可能性はあるものの、その程度は、周縁当接部６５の場合に比べて小さい。したがって、周縁当接部６５に比べて、周縁当接部６５ａが有機溶剤液膜９０の除去処理に与える影響を小さくできるため、より良好に基板Ｗから有機溶剤液膜９０を除去し得る。

＜３． 変形例＞
以上、この発明の一実施形態について説明してきたが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。この発明の範囲に含まれるいくつかの形態を以下に例示的に列挙する。

１．使用可能な有機溶剤は、ＩＰＡのほかにも、メタノール、エタノール、アセトン、ＨＥＦ（ハイドルフルオロエーテル）を例示できる。これらは、いずれも水（ＤＩＷ）よりも表面張力が小さい有機溶剤である。この発明は、有機溶剤以外の処理液にも適用可能である。たとえば、水などのリンス液を基板外に排除するためにこの発明を適用してもよい。リンス液としては、水のほかにも、炭酸水、電界イオン水、オゾン水、希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、還元水（水素水）などを例示できる。

２．穴開け工程に使用可能な気体としては、窒素ガスのほかにも、清浄空気その他の不活性ガスを採用できる。

３．前述の実施形態では、第１移動ノズル１１に有機溶剤ノズル７１が備えられる一方で、穴開け等のための不活性ガスの供給は第２移動ノズル１２から行われている。しかし、たとえば、第１移動ノズル１１に有機溶剤ノズル７１とともに、基板Ｗの回転中心に向けて不活性ガスを吐出できるガスノズルを備え、このガスノズルから穴開けのための不活性ガス供給を行ってもよい。なお、前述のガスノズル７２の中心気体吐出口７７は、パンチングプレート８４によって拡散された気体流を吐出するので、穴開けステップの実行には必ずしも適さない。より狭い領域に向けて気体を吐出できる形態のノズル、具体的には直管状ノズルや二流体ノズルなどのようなチューブノズルを穴開けステップの実行のために用いることが好ましい。

４．第１移動ノズル１１に有機溶剤ノズル７１とともに穴開けステップのためのガスノズルが備えられる場合には、ノズル入れ替えステップは省かれてもよい。ただし、この場合でも、穴開けステップのためにガスノズルから吐出された不活性ガスが液膜９０に到達する瞬間には、ヒータユニット６は基板Ｗの下面から離隔させておくことが好ましい。

５．穴開けステップにおいて、室温（たとえば２５℃）よりも高温の不活性ガスを用いてもよい。この場合には、不活性ガスが基板Ｗに到達したときの基板Ｗの上下面間の温度差を少なくできる。したがって、ヒータユニット６を基板Ｗの下面に接触させたままで、穴開けステップのための高温不活性ガス吐出を行ってもよい。不活性ガスの温度は、基板Ｗの温度に近いほど好ましい。

６．前述の実施形態では、有機溶剤パドルステップＴ２における基板Ｗの回転の漸次的減速が段階的に行われているが、連続的に回転を減速してもよい。たとえば、１０秒以上かけて３００ｒｐｍから０ｒｐｍまで回転速度を連続的（たとえば直線的）に減速すれば、液膜９０が基板Ｗの上面全域を覆う状態を保持できる。

７．有機溶剤パドルステップＴ２において基板Ｗの回転を減速するときに、第１移動ノズル１１から吐出される有機溶剤の流量を増加させてもよい（増流量減速工程）。この場合に、基板Ｗの回転の減速はステップ的に行われてもよいし、前述の実施形態のように、漸次的に行われてもよい。有機溶剤の供給流量を増加させることによって、基板Ｗの上面の外周領域における液切れが生じ難くなるので、基板Ｗの回転を速やかに減速して停止させることができる。これにより、短時間で基板Ｗの回転を停止できるので、生産性を向上できる。

８．前述の実施形態では、ヒータユニット６から基板Ｗに与えられる熱量を増減するために、ヒータユニット６と基板Ｗとの距離を変更している。しかし、ヒータユニット６と基板Ｗとの間の位置関係の変更に代えて、またはそれとともに、ヒータユニット６の出力を変化させることにより、基板Ｗに与える熱量を増減してもよい。

９．前述の実施形態では、気相層９２を形成するときに、ヒータユニット６を基板Ｗの下面に接触させている。しかし、ヒータユニット６からの輻射熱によって気相層９２を形成できるのであれば、ヒータユニット６を基板Ｗの下面から離隔させたままで、気相層９２の形成のための基板加熱を行ってもよい。ただし、ヒータユニット６の加熱面６ａを基板Ｗに接触させる方が、雰囲気温度の変化等の外乱の影響を抑制できるので、加熱の面内均一性を高めることができる。また、基板Ｗに対しては、有機溶剤の蒸発によって奪われる気化熱を補って気相層９２を形成および保持できる熱量を与える必要がある。したがって、加熱面６ａを基板Ｗに接触させることにより、基板Ｗを効率的、安定的かつ速やかに加熱できる。

１０．処理対象の基板は、円形である必要はなく、矩形の基板であってもよい。

１１．前述の実施形態では、有機溶剤パドルステップＴ２の途中から基板Ｗの回転を完全に停止して静止状態にしている。また、有機溶剤パドルステップＴ２に続く持ち上げパドルステップＴ３、ノズル入れ替えステップＴ４、および穴開けステップＴ５を通して、基板Ｗの静止状態を維持している。しかし、基板Ｗの上に有機溶剤の液膜を保持し続けることができるのであれば、有機溶剤パドルステップＴ２から穴開けステップＴ５までの期間の全部または一部の期間において基板を静止状態とせず、静止状態と同一視できる程度の低速（たとえば１０ｒｐｍ程度）で回転させるようにしてもよい。たとえば、穴開けステップＴ５において基板Ｗをこのような速度で回転させてもよい。

１２．回転軸線Ａ１周りにヒータユニット６を回転させるための電動モータ等からなる回転ユニットをさらに備えてもよい。この場合、ヒータユニット６を基板Ｗの回転に同期して回転させることができる。

１３．上記実施形態では、複数の周縁当接部６５，６５ａが接触する基板Ｗは、ヒータユニット６によって上位置に支持されている。ヒータユニット６で基板Ｗを支持する代わりに、スピンベース２１の上面に対して突出／埋没する棒状のピン部材により基板Ｗを支持してもよい。

１４．上記実施形態では、複数の周縁当接部６５，６５ａがスピンベース２１に取り付けられているが、これは必須ではない。たとえば、複数の周縁当接部６５，６５ａがヒータユニット６のプレート本体６０に設けてもよい。この場合、ヒータユニット６によって上位置に支持された状態の基板Ｗの周縁部に、プレート本体６０に設けた周縁当接部を当接させるとよい。また、複数の周縁当接部６５，６５ａがスピンベース２１およびプレート本体６０とは異なる部材に設けられてもよい。

１５．上記実施形態では、周縁当接部６５，６５ａが基板Ｗに当接するときの基板Ｗの位置は、ヒータユニット６によってチャックピン２０で把持されるときの被把持位置よりも上側の上位置に限定されない。たとえば、周縁当接部が、この被把持位置と同じ高さ、もしくは、それよりも下側の位置の基板Ｗに当接する位置に設けられてもよい。

この変形例の場合、たとえば、接触部６７の下端を、チャックピン２０の把持部５１と同じ高さかそれよりも下側に設けるとよい。そして、チャックピン２０による把持が解除された解除状態の基板Ｗを、ヒータユニット６が上昇して被把持位置（またはそれよりも下側の位置）に支持するとともに、周縁当接部駆動ユニット６８が接触部６７を回転させて、この基板Ｗの周縁部に当接させるとよい。

１６．第２実施形態の変形例として、チャックピン２０を省略するとともに、チャックピン２０の把持部５１を、周縁当接部６５ａにおけるシャフト部６６ａに設けてもよい。この場合、シャフト部６６ａにおける周端面当接部６７ａよりも下側（スピンベース２１側）の部分に、把持部５１を設けるとよい。この場合、周縁当接部駆動ユニット６８が、シャフト部６６ａを回転させることにより、ヒータユニット６に支持されて上位置にある基板Ｗの周端面に周端面接触部６７を当接させる状態と、上位置よりも下側にある基板Ｗを把持部５１で把持する状態との間で切り換えるとよい。

また、この変形例に関して、周端面当接部６７ａと同じ高さに把持部５１を設けてもよい。この場合、ヒータユニット６が基板Ｗを把持部５１に把持されるときの高さ位置（被把持位置）に支持しておき、周縁当接部駆動ユニット６８が周端面当接部６７ａを回転させてこの基板Ｗの周端面に当接させるとよい。

この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

１ 基板処理装置
３ 制御ユニット
５ スピンチャック
６ ヒータユニット（加熱部）
６ａ 加熱面
７ 昇降ユニット（接離部）
１１ 第１移動ノズル（処理液供給部）
１２ 第２移動ノズル（気体供給部）
２０ チャックピン（チャック部材）
２１ スピンベース
３０ 昇降軸
６０ プレート本体
６２ ヒータ
６５，６５ａ 周縁当接部（反り抑制部）
６６，６６ａ シャフト部
６６０ ベース部
６６２ 筒状部
６６４ ばね部（弾性部材）
６６６ 連結部
６６Ｚ 周縁当接部回動軸線
６７ 当接部
６７ａ 周端面接触部
６８ 周縁当接部駆動ユニット
９０ 有機溶剤液膜（処理液の液膜）
Ｗ 基板

Claims (9)

1. 基板の周縁を把持する把持状態と把持を解除する解除状態との間で変位する複数のチャック部材と、
   前記複数のチャック部材に把持されている基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、
   前記複数のチャック部材に把持されている基板の下方に配置され、基板を加熱する加熱部と、
   前記基板の下面に対して前記加熱部を接離させる接離部と、
   前記複数のチャック部を解除状態とし、前記加熱部が下面に当接している前記基板の上面に形成された液膜を基板の中央から周縁に向けて排除する液膜排除部と、
   前記液膜排除部により液膜が排除されている基板の周縁に当接する周縁当接部と、
   を備える、基板処理装置。
2. 請求項１の基板処理装置であって、
   前記周縁当接部が、前記基板の周縁部の上面に接触する接触部を含む、基板処理装置。
3. 請求項２の基板処理装置であって、
   前記接触部に接続され、前記鉛直方向に弾性変形可能な弾性部材、
   をさらに備える、基板処理装置。
4. 請求項２または請求項３の基板処理装置であって、
   前記接触部の前記基板に接触する下部が、弾性材料によって形成されている、基板処理装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１項の基板処理装置であって、
   前記周縁当接部を、前記基板の周縁部に当接する周縁当接位置と、前記基板の周縁部から離間する離間位置との間で移動させる周縁当接部駆動ユニット、
   をさらに備える、基板処理装置。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１項の基板処理装置であって、
   前記周縁当接部は、
   前記基板の周端面に接触する周端面接触部、
   をさらに備える、基板処理装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１項の基板処理装置であって、
   前記加熱部は、前記基板の下面側から支持可能であるとともに、
   前記接離部は、前記加熱部を上方へ移動させることにより、前記基板を前記チャック部材に保持されるときの位置よりも上側の上位置に移動させる、基板処理装置。
8. その上面に処理液の液膜が形成された基板の下面に当接しつつ基板を加熱する加熱部と、
   加熱部により加熱される基板の上面に形成された液膜を基板の中央から周縁に向けて排除する液膜排除部と、
   液膜排除部により液膜が排除されている基板の反りを抑制する反り抑制部と、
   を備える基板処理装置。
9. 基板を処理する基板処理方法であって、
   （ａ）上面に処理液の液膜が形成された基板の下面に加熱部を当接させつつ加熱する工程と、
   （ｂ）前記加熱部により加熱される基板の上面に形成された液膜を基板の中央
   から周縁に向けて排除する工程と、
   （ｃ）前記工程（ｂ）により液膜が排除されている基板の反りを抑制する工程と、
   を備える、基板処理方法。

Images