JP2019197848A - 回路構成体、及び電気接続箱 - Google Patents

Abstract

【課題】回路構成体１１の放熱性を向上させる。【解決手段】本実施形態に係る回路構成体１１は、ＦＥＴ２６と、導電パターン２２が形成された第１面２１の導電パターン２２にＦＥＴ２６が接続されており、第１面２１と反対側に形成された第２面２８には絶縁性の第２レジスト層３１が形成されており、第２レジスト層３１に開口された放熱窓部３２から導電パターン２２と伝熱的に接続された伝熱パターン３３が露出している回路基板１４と、第２レジスト層３１よりも熱伝導率が高く、且つ、放熱窓部３２から露出する伝熱パターン３３に伝熱的に接続された第１伝熱部３４と、第２レジスト層３１よりも熱伝導率が高く、且つ、第１伝熱部３４と伝熱的に接続された第２伝熱部３５と、第２伝熱部３５と伝熱的に接続するヒートシンク１３と、を備える。【選択図】図１

Description

本明細書に開示された技術は、回路構成体、及び電気接続箱に関する。

従来、回路基板に発熱部品が実装された回路構成体として、特開２０１４−１７０８６８号公報に記載のものが知られている。この回路構成体は、金属筐体の内部に収容されている。回路基板と金属筐体との間には、グリース状の放熱材が配されている。この放熱材は、回路基板と金属筐体の双方に接触している。これにより、通電時に発熱部品で発生した熱は、回路基板から放熱材を経て金属筐体へと伝達され、金属筐体から外部へと放散されることが期待された。

特開２０１４−１７０８６８号公報

回路基板の表面及び裏面には、絶縁性のレジスト層が形成されている。このレジスト層は比較的に熱抵抗が大きい。このため、従来技術においては、回路基板に形成された導電パターンと、グリース状の放熱材との間に、比較的に熱抵抗が大きなレジスト層が介在してしまうので、回路構成体の放熱性が十分ではなかった。

本明細書に開示された技術は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、放熱性が向上した回路構成体、及び電気接続箱を提供することを目的とする。

本明細書に開示された技術は、回路構成体であって、発熱部品と、導電パターンが形成された第１面の前記導電パターンに前記発熱部品が接続されており、前記第１面と反対側に形成された第２面には絶縁性のレジスト層が形成されており、前記レジスト層に開口された放熱窓部から前記導電パターンと伝熱的に接続された伝熱パターンが露出している回路基板と、前記レジスト層よりも熱伝導率が高く、且つ、前記放熱窓部から露出する前記伝熱パターンに伝熱的に接続された第１伝熱部と、前記レジスト層よりも熱伝導率が高く、且つ、前記第１伝熱部と伝熱的に接続された第２伝熱部と、前記第２伝熱部と伝熱的に接続するヒートシンクと、を備える。

また、本明細書に開示された技術は、電気接続箱であって、上記の回路構成体と、前記回路構成体に取り付けられて、前記回路基板を覆うカバーと、を備える。

通電時に発熱部品で発生した熱は、発熱部品が接続された導電パターンに伝達された後に、この導電パターンと伝熱的に接続された伝熱パターンへと伝導され、第１伝熱部にまで伝達され、更に、第１伝熱部と伝熱的に接続された第２伝熱部へと確実に伝達される。第２伝熱部に到達した熱は、第２伝熱部からヒートシンクへと伝達され、ヒートシンクから外部へと放散される。

第１伝熱部はレジスト層よりも熱伝導率が高いので、レジスト層を介して第２伝熱部に熱が伝達される場合に比べて、伝熱パターンから第２伝熱部へ熱を効率よく伝達することができる。これにより、発熱部品から、ヒートシンクを経て外部へと熱を効率よく放散することができるので、回路構成体の放熱性を向上させることができる。

本明細書に開示された技術の実施態様としては以下の態様が好ましい。

前記第１伝熱部の前記伝熱パターンからの突出高さ寸法は、前記レジスト層の厚さ寸法と同じか、又は大きく設定されている。

上記の構成によれば、第１伝熱部の突出端部は、レジスト層よりもヒートシンク側に突出するようになっている。これにより、第１伝熱部は確実に第２伝熱部と接触することができるので、回路構成体の放熱性を確実に向上させることができる。

前記ヒートシンクと前記回路基板との間にはスペーサが介在されている。

上記の構成によれば、ヒートシンクと回路基板との間隔をスペーサによって正確に設定できる。これにより、第２伝熱部と第１伝熱部との間に空隙が生じることを抑制することができる。この結果、回路構成体の放熱性をより向上させることができる。

前記第１伝熱部は、はんだからなる。

上記の構成によれば、伝熱パターンと第１伝熱部とを、はんだ付けという簡易な手法により、確実に接続することができる。これにより、伝熱パターンと第１伝熱部との間の伝熱効率を向上させることができるので、回路構成体の放熱性をより向上させることができる。

前記第２伝熱部は、グリース状又はゲル状をなしている。

上記の構成によれば、第２伝熱部はグリース状又はゲル状をなしているので、第１伝熱部及びヒートシンクの形状に追従して容易に変形することができる。これにより、第１伝熱部と第２伝熱部の密着性が向上すると共に、第２伝熱部とヒートシンクとの密着性も向上するので、回路構成体の放熱性をより向上させることができる。

前記第２伝熱部は、シート状をなしている。

上記の構成によれば、第２伝熱部はシート状をなしているので、取り扱いが容易である。これにより、回路構成体の製造効率を向上させることができる。

複数の前記第１伝熱部が間隔を空けて形成されており、複数の前記第１伝熱部同士の間に侵入した前記第２伝熱が、前記伝熱パターンと伝熱的に接続している。

上記の構成によれば、伝熱パターンから第２伝熱部へと熱が伝達される経路が形成されるので、回路構成体の放熱性をより向上させることができる。

前記導電パターンと前記伝熱パターンとを連結するサーマルビアホールを有する。

上記の構成によれば、導電パターンから伝熱パターンへの熱伝導の効率を向上させることができるので、回路構成体の放熱性をより向上させることができる。

本明細書に開示された技術によれば、回路構成体、及び電気接続箱の放熱性を向上させることができる。

実施形態１に係る電気接続箱を示す断面図 回路基板の第１面に実装されたＦＥＴを示す一部拡大平面図 回路基板の第２面に形成された伝熱パターンと、第１伝熱部とを示す、回路基板の一部拡大底面図 実施形態２に係る回路基板の第２面に形成された伝熱パターンと、第１伝熱部とを示す、回路基板の一部拡大底面図 実施形態３に係る回路基板の第２面に形成された伝熱パターンと、第１伝熱部とを示す、回路基板の一部拡大底面図 仮想的な技術に係る電気接続箱を示す断面図

＜実施形態１＞
本明細書に開示された技術の実施形態１を、図１から図３を参照しつつ説明する。本実施形態に係る電気接続箱１０は、回路構成体１１を有する。電気接続箱１０は、車両（図示せず）に搭載されて、電源（図示せず）と機器（図示せず）との間に配設される。以下の説明においては、複数の同一部材については、一部の部材にのみ符号を付して、他の部材については符号を省略する場合がある。

図１に示すように、電気接続箱１０は、回路構成体１１にカバー１２が組み付けられてなる。回路構成体１１は、ヒートシンク１３と、ヒートシンク１３に固定された回路基板１４と、を有する。

本実施形態においては、ヒートシンク１３は金属製であって、底壁１５と、底壁１５の上面から上方に突出するボス１６（スペーサの一例）と、を有する。ボス１６は、筒形状をなしている。ボス１６の上面には、下方に延びるネジ孔１７が形成されている。ヒートシンク１３を構成する金属としては、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、ステンレス、銅、銅合金等、必要に応じて任意の金属を適宜に選択することができる。なお、ヒートシンク１３は、放熱性を有する合成樹脂製であってもよい。

カバー１２は、上壁１８と、上壁１８の側縁から下方に延びる側壁１９と、を備える。側壁１９は、ヒートシンク１３の底壁１５に外嵌される。カバー１２とヒートシンク１３とは、ヒートシンク１３の底壁１５の側縁から突出するロック突部（図示せず）と、カバー１２の側壁１９に形成された弾性変形可能なロック受け部（図示せず）とが、弾性的に係合することにより一体に組み付けられる。また、カバー１２とヒートシンク１３とは、ネジ止めにより一体に組み付けられてもよい。このように、カバー１２とヒートシンク１３とは公知の手法により一体に組み付けられるようになっている。

ヒートシンク１３とカバー１２とが一体に組み付けられた状態で、ヒートシンク１３の底壁１５の上方であって、カバー１２の上壁１８の下方の領域は、回路基板１４が収容される収容空間２０とされる。

回路基板１４は、絶縁性の合成樹脂からなる絶縁板に、プリント配線技術により金属製のパターンを形成してなる。回路基板１４の上側の位置する第１面２１には導電パターン２２が形成されている。詳細には図示しないが、導電パターン２２は回路を形成している。

回路基板１４はボルト２３が貫通される貫通孔２４を有する。回路基板１４がヒートシンク１３のボス１６の上面に載置された状態で、回路基板１４の貫通孔２４に挿通されたボルト２３がボス１６に形成されたネジ孔１７に螺合されることにより、回路基板１４がヒートシンク１３に固定されている。

図２に示すように、回路基板１４の第１面２１には複数のランド２５（導電パターン２２の一例）が形成されている。ランド２５には、ＦＥＴ２６（Field effect transistor）のリード２７がはんだ付け等の公知の手法により電気的に接続されている。ＦＥＴ２６は発熱部品の一例である。発熱部品としては、リレー、コンデンサ、コイル、マイコン等、通電時に発熱する部品が例示される。

なお、回路基板１４に形成されたランド２５には、発熱部品の他に、抵抗、ダイオード等の図示しない電子部品が接続されている。ランド２５は上方から見て略長方形状をなしている。回路基板１４の第１面２１には、絶縁性材料からなる第１レジスト層６０が形成されている。第１レジスト層６０は、概ねランド２５と異なる領域に形成されているが、ランド２５の一部に重なって形成されていてもよい。

ＦＥＴ２６の側縁からは、２本のリード２７が外方に突出している。２本のリード２７の一方はゲート端子であり、他方はドレイン端子である。ＦＥＴ２６の下面には、ソース端子が形成されている。ＦＥＴ２６のゲート端子、ドレイン端子、及びソース端子は回路基板１４の上面に形成されたランド２５にはんだ付けされている。

本実施形態に係る回路基板１４は、電気的に絶縁状態で積層された複数層の導電パターン２２を有する。回路基板１４の下側に位置する第２面２８には、第１面２１に形成されたランド２５と、複数（本実施形態では３個）のサーマルビアホール２９によって伝熱的に接続された伝熱パターン３３が形成されている。サーマルビアホール２９は、回路基板１４の第１面２１と第２面２８とを貫通する貫通孔２４内に、熱伝導性を有する伝熱部３０が充填されている。伝熱部３０は、化学めっき、金属粉を含有する合成樹脂材を硬化させたもの等、公知の手法により形成することができる。伝熱部３０の熱伝導性は、回路基板１４を構成する絶縁性の合成樹脂よりも高い。

図２に示すように、回路基板１４の第２面２８には、絶縁性の第２レジスト層３１（レジスト層の一例）が形成されている。第２レジスト層３１には、下方に開口する放熱窓部３２が形成されている。放熱窓部３２からは、上記した伝熱パターン３３が露出している。放熱窓部３２は下方から見て略長方形状をなしている。

伝熱パターン３３には、第１伝熱部３４が伝熱的に接続されている。第１伝熱部３４は、金属、合成樹脂、セラミック等、必要に応じて任意の材料を適宜に選択することができる。第１伝熱部３４の熱伝導率は第２レジスト層３１よりも高く設定されている。本実施形態に係る第１伝熱部３４は、はんだからなる。第１伝熱部３４は、例えば、伝熱パターン３３にクリームはんだを塗布後、加熱によりクリームはんだを溶融し、その後、固化させることにより形成することができる。

第１伝熱部３４は、下方から見て、角の丸められた長方形状をなしている。第１伝熱部３４の外形状は、伝熱パターン３３の外形状よりもやや小さく形成されている。

第１伝熱部３４の下方には、第２伝熱部３５が配されている。第２伝熱部３５の熱伝導率は、第２レジスト層３１よりも高く設定されている。第２伝熱部３５は導体でもよいし、また、絶縁性を有していてもよい。第２伝熱部３５は、シート状又はフィルム状をなしていてもよいし、グリース状又はゲル状をなしていてもよい。第２伝熱部３５は、少なくとも回路基板１４をヒートシンク１３に固定する工程においてはグリース状又はゲル状をなしていて、回路基板１４とヒートシンク１３とを固定した後においては固化するものであってもよい。また、回路基板１４をヒートシンク１３に固定する工程の前後を通じてグリース状又はゲル状であってもよい。第２伝熱部３５は、熱伝導率の高いフィラーを含んでいてもよい。

本実施形態に係る第２伝熱部３５は、絶縁性の合成樹脂であって、回路基板１４をヒートシンク１３に固定する工程においてはグリース状又はゲル状をなしており、回路基板１４をヒートシンク１３に固定した後においては、固化するようになっている。

第１伝熱部３４の、伝熱パターン３３の下面からの、下方への突出高さ寸法Ｈは、第２レジスト層３１の厚さ寸法Ｔと、同じか、又は大きく設定されている。本実施形態においては、第１伝熱部３４の伝熱パターン３３からの突出高さ寸法Ｈは、第２レジスト層３１の厚さ寸法Ｔよりも大きく設定されている。

製造工程
続いて、本実施形態に係る電気接続箱１０の製造工程の一例を説明する。電気接続箱１０の製造工程は、以下の記載に限定されない。

回路基板１４の第２面２８に形成された伝熱パターン３３に、クリームはんだを公知のスクリーン印刷により塗布する。その後、回路基板１４をリフロー炉で加熱することにより、伝熱パターン３３に第１伝熱部３４を形成する。

回路基板１４の第１面２１に形成されたランド２５に、クリームはんだを公知のスクリーン印刷により塗布する。ＦＥＴ２６を含む電子部品を載置する。回路基板１４をリフロ―炉で加熱することにより、ランド２５と、ＦＥＴ２６を含む電子部品とを接続する。

ヒートシンク１３のうち、回路基板１４の第２面２８に形成された第１伝熱部３４に対応する部分に、グリース状又はゲル状の第２伝熱部３５を塗布する。回路基板１４をヒートシンク１３のボス１６の上面に載置する。回路基板１４の貫通孔２４内にボルト２３を挿通させつつ、このボルト２３をボス１６に形成されたネジ孔１７に螺合させる。ボルト２３を螺合することにより回路基板１４がヒートシンク１３に接近すると、回路基板１４の第２面２８に配された第１伝熱部３４が上方から第２伝熱部３５に接触する。更にボルト２３を螺合することにより回路基板１４をヒートシンク１３に固定する。これにより回路構成体１１が完成する。

続いて、カバー１２を上方からヒートシンク１３に組み付ける。これにより電気接続箱１０が完成する。

本実施形態の作用効果
続いて、本実施形態の作用効果について説明する。本実施形態に係る回路構成体１１は、ＦＥＴ２６と、導電パターン２２が形成された第１面２１の導電パターン２２にＦＥＴ２６が接続されており、第１面２１と反対側に形成された第２面２８には絶縁性の第２レジスト層３１が形成されており、第２レジスト層３１に開口された放熱窓部３２から導電パターン２２と伝熱的に接続された伝熱パターン３３が露出している回路基板１４と、第２レジスト層３１よりも熱伝導率が高く、且つ、放熱窓部３２から露出する伝熱パターン３３に伝熱的に接続された第１伝熱部３４と、第２レジスト層３１よりも熱伝導率が高く、且つ、第１伝熱部３４と伝熱的に接続された第２伝熱部３５と、第２伝熱部３５と伝熱的に接続するヒートシンク１３と、を備える。

まず、本実施形態の効果を説明するために、仮想的な技術に係る電気接続箱１１０を図６に示す。電気接続箱１１０は回路構成体１１１を有する。回路構成体１１１に含まれる回路基板１１４の上面には第１レジスト層１６０が形成されており、回路基板１１４の下面には第２レジスト層１３１が形成されている。第２レジスト層１３１の一部を剥がすことにより回路基板１１４に形成された伝熱パターン１３３が露出している。この伝熱パターン１３３に対応する位置にグリース状の第２伝熱部１３５が配されている。なお、符号については、特に言及しない限り、実施形態１に係る部材に付した符号に、１００を加えたものを用いた。

上記の技術によると、第２レジスト層１３１の厚みのために第２伝熱部１３５が伝熱パターン１３３にまで到達せず、むしろ、伝熱パターン１３３と第２伝熱部１３５との間に空気層が形成されてしまう。このため、上記の仮想的な技術によっては、回路構成体１１１の放熱性を十分に向上させることはできないのである。

これに対して本実施形態においては、通電時にＦＥＴ２６で発生した熱は、ＦＥＴ２６が接続されたランド２５（導電パターン２２）に伝達された後に、このランド２５と伝熱的に接続された伝熱パターン３３へと伝導され、第１伝熱部３４にまで伝達され、更に、第１伝熱部３４と伝熱的に接続された第２伝熱部３５へと確実に伝達される。第２伝熱部３５に到達した熱は、第２伝熱部３５からヒートシンク１３へと伝達され、ヒートシンク１３から外部へと放散される。

第１伝熱部３４は第２レジスト層３１よりも熱伝導率が高いので、第２レジスト層３１を介して第２伝熱部３５に熱が伝達される場合に比べて、伝熱パターン３３から第２伝熱部３５へ熱を効率よく伝達することができる。これにより、ＦＥＴ２６から、ヒートシンク１３を経て外部へと熱を効率よく放散することができるので、回路構成体１１の放熱性を向上させることができる。

本実施形態によれば、第１伝熱部３４の伝熱パターン３３からの突出高さ寸法Ｈは、第２レジスト層３１の厚さ寸法Ｔと同じか、又は大きく設定されている。

上記の構成によれば、第１伝熱部３４の突出端部は、第２レジスト層３１よりもヒートシンク１３側に突出するようになっている。これにより、第１伝熱部３４は確実に第２伝熱部３５と接触することができるので、回路構成体１１の放熱性を確実に向上させることができる。

本実施形態によれば、ヒートシンク１３と回路基板１４との間には、ヒートシンク１３から回路基板１４に向けて突出するボス１６が介在している。

上記の構成によれば、ヒートシンク１３と回路基板１４との間隔をボス１６の高さ寸法によって正確に設定できる。これにより、グリース状又はゲル状をなす第２伝熱部３５の充填量を正確に見積もることができるので、第２伝熱部３５と第１伝熱部３４との間に空隙が生じることを抑制することができる。この結果、回路構成体１１の放熱性をより向上させることができる。

本実施形態によれば、第１伝熱部３４は、はんだからなる。

上記の構成によれば、伝熱パターン３３と第１伝熱部３４とを確実に接続することができる。これにより、伝熱パターン３３と第１伝熱部３４との間の伝熱効率を向上させることができるので、回路構成体１１の放熱性をより向上させることができる。

本実施形態によれば、第２伝熱部３５は、グリース状又はゲル状をなしている。

上記の構成によれば、第２伝熱部３５はグリース状又はゲル状をなしているので、第１伝熱部３４及びヒートシンク１３の形状に追従して容易に変形することができる。これにより、第１伝熱部３４と第２伝熱部３５の密着性が向上すると共に、第２伝熱部３５とヒートシンク１３との密着性も向上するので、回路構成体１１の放熱性をより向上させることができる。

本実施形態によれば、導電パターン２２と伝熱パターン３３とはサーマルビアホール２９によって連結されている。

上記の構成によれば、導電パターン２２から伝熱パターン３３への熱伝導の効率を向上させることができるので、回路構成体１１の放熱性をより向上させることができる。

＜実施形態２＞
次に、本明細書に開示された技術の実施形態２を、図４を参照しつつ説明する本実施形態に係る回路基板４０においては、伝熱パターン３３の下面には、複数の第１伝熱部４１が、間隔を空けて離散した状態で形成されている。各第１伝熱部４１は、下方から見て、略長方形状をなしている。本実施形態においては、図４における上下方向について間隔を空けて複数（本実施形態では６個）の第１伝熱部４１が並ぶ第１伝熱部列４２が、図４における左右方向に間隔を空けて複数（本実施形態では３列）並んで形成されている。

複数の第１伝熱部４１同士の間に形成された隙間４３内に、グリース状又はゲル状をなす第２伝熱部３５が侵入することができるようになっている。上記の隙間４３内に侵入した第２伝熱部３５は伝熱パターン３３と直接に接触するようになっている。

上記以外の構成については、実施形態１と略同様なので、同一部材については同一符号を付し、重複する説明を省略する。

本実施形態によれば、第２伝熱部３５は、第１伝熱部４１に押圧されることにより、隙間４３の内部へと移動する。これにより、第２伝熱部３５のうち第１伝熱部４１に対応する位置に空気の泡が存在した場合でも、この空気の泡は、第１伝熱部４１に押圧されて、空気の泡の周囲に存在する第２伝熱部３５と共に隙間４３内へ移動する。この結果、第２伝熱部３５のうち第１伝熱部４１に対応する位置からは空気が排除され、第１伝熱部４１と第２伝熱部３５とを確実に接触させることができる。これにより、回路構成体１１の放熱性を向上させることができる。

また、隙間４３内に移動した第２伝熱部３５のうち伝熱パターン３３と直接に接触するものについては、伝熱パターン３３から第２伝熱部３５へと熱が直接に伝達される経路が形成されるので、回路構成体１１の放熱性をより向上させることができる。

＜実施形態３＞
次に、本明細書に開示された技術の実施形態３を、図５を参照しつつ説明する。本実施形態に係る回路基板５０においては、伝熱パターン３３の下面には、複数（本実施形態では６個）の第１伝熱部５１が、図５における上下方向について間隔を空けて並んで形成されている。各第１伝熱部５１は、下方から見て、略長方形状をなしている。

複数の第１伝熱部５１同士の間に形成された隙間５２内に、グリース状又はゲル状をなす第２伝熱部３５が侵入することができるようになっている。上記の隙間５２内に侵入した第２伝熱部３５は伝熱パターン３３と直接に接触するようになっている。

上記以外の構成については、実施形態１と略同様なので、同一部材については同一符号を付し、重複する説明を省略する。

本実施形態によれば、第２伝熱部３５は、第１伝熱部５１に押圧されることにより、隙間５２の内部へと移動する。これにより、第２伝熱部３５のうち第１伝熱部５１に対応する位置に空気の泡が存在した場合でも、この空気の泡は、第１伝熱部５１に押圧されて、空気の泡の周囲に存在する第２伝熱部３５と共に隙間５２内へ移動する。この結果、第２伝熱部３５のうち第１伝熱部５１に対応する位置からは空気が排除され、第１伝熱部５１と第２伝熱部３５とを確実に接触させることができる。これにより、回路構成体１１の放熱性を向上させることができる。

また、隙間５２内に移動した第２伝熱部３５のうち伝熱パターン３３と直接に接触するものについては、伝熱パターン３３から第２伝熱部３５へと熱が伝達される経路が形成されるので、回路構成体１１の放熱性をより向上させることができる。

＜他の実施形態＞
本明細書に開示された技術は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本明細書に開示された技術の技術的範囲に含まれる。

（１）実施形態１においては、ヒートシンク１３に一体に形成されたボス１６が、ヒートシンク１３と回路基板１４との間に介在するスペーサとして機能したが、これに限られず、スペーサは、ヒートシンク１３とは別体であってもよい。ヒートシンク１３と別体のスペーサとしては、例えば、金属製の板材、合成樹脂製の板材、セラミック製の板材等、必要に応じて任意の材料を適宜に選択できる。

（２）実施形態１においては、第２伝熱部３５は、伝熱パターン３３に対応する位置に配される構成としたが、これに限られず、第２伝熱部３５は、回路基板１４の第２面２８を全て覆うように配される構成としてもよい。

（３）伝熱パターン３３の形状は、三角形状、五角形状等の多角形状でもよく、また、円形状、長円形状でもよく、必要に応じて任意の形状とすることができる。

（４）実施形態１においては、導電パターン２２と伝熱パターン３３とは３個のサーマルビアホール２９で連結される構成としたが、これに限られず、１個〜２個、又は４個以上のサーマルビアホール２９で連結される構成としてもよい。

（５）ヒートシンク１３の下面には、複数のフィンが下方に突出する構成としてもよい。

（６）本実施形態においては、第１伝熱部３４の伝熱パターン３３からの突出高さ寸法Ｈは、第２レジスト層３１の厚さ寸法Ｔと同じか、又は大きく設定されている構成としたが、これに限られず、第１伝熱部３４の伝熱パターン３３からの突出高さ寸法Ｈは、第２レジスト層３１の厚さ寸法Ｔよりも小さく設定されていてもよい。この場合でも、第１伝熱部３４と伝熱的に接続された第２伝熱部３５により、回路構成体１１の放熱性を向上させることができる。

（７）第２伝熱部は、シート状であってもよい。これにより、第２伝熱部の取り扱いが容易になるので、回路構成体１１の製造効率を向上させることができる。例えば、第２伝熱部を、第１伝熱部の形状に倣う形状に、容易に切断することができる。また、これにより、第２伝熱部の歩留まりも向上させることができる。なお、シート状をなす第２伝熱部は、合成樹脂製であってもよいし、また、金属製であってもよい。シート状をなす第２伝熱部には、予め接着剤又は粘着剤が塗布されていてもよい。また、シート状をなす第２伝熱部は、接着剤又は粘着剤が塗布されたヒートシンク１３に貼付してもよい。

１０：電気接続箱
１１：回路構成体
１３：ヒートシンク
１４，４０，５０：回路基板
１６：ボス（スペーサの一例）
２１：第１面
２２：導電パターン
２６：ＦＥＴ
２８：第２面
２９：サーマルビアホール
３１：第２レジスト層（レジスト層の一例）
３２：放熱窓部
３３：伝熱パターン
３４，４１，５１：第１伝熱部
３５：第２伝熱部

Claims (9)

1. 発熱部品と、
   導電パターンが形成された第１面の前記導電パターンに前記発熱部品が接続されており、前記第１面と反対側に形成された第２面には絶縁性のレジスト層が形成されており、前記レジスト層に開口された放熱窓部から前記導電パターンと伝熱的に接続された伝熱パターンが露出している回路基板と、
   前記レジスト層よりも熱伝導率が高く、且つ、前記放熱窓部から露出する前記伝熱パターンに伝熱的に接続された第１伝熱部と、
   前記レジスト層よりも熱伝導率が高く、且つ、前記第１伝熱部と伝熱的に接続された第２伝熱部と、
   前記第２伝熱部と伝熱的に接続するヒートシンクと、を備えた回路構成体。
2. 前記第１伝熱部の前記伝熱パターンからの突出高さ寸法は、前記レジスト層の厚さ寸法と同じか、又は大きく設定されている、請求項１に記載の回路構成体。
3. 前記ヒートシンクと前記回路基板との間にはスペーサが介在されている、請求項１または請求項２に記載の回路構成体。
4. 前記第１伝熱部は、はんだからなる、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の回路構成体。
5. 前記第２伝熱部は、グリース状又はゲル状をなしている、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の回路構成体。
6. 前記第２伝熱部は、シート状をなしている、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の回路構成体。
7. 複数の前記第１伝熱部が間隔を空けて形成されており、複数の前記第１伝熱部同士の間に侵入した前記第２伝熱が、前記伝熱パターンと伝熱的に接続している、請求項５または請求項６に記載の回路構成体。
8. 前記導電パターンと前記伝熱パターンとを連結するサーマルビアホールを有する、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の回路構成体。
9. 請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の回路構成体と、
   前記回路構成体に取り付けられて、前記回路基板を覆うカバーと、を備えた電気接続箱。

Images