JP2020002384A - 蒸発原料用容器及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記容器本体内にキャリアガスを導入するキャリアガス導入口と、
前記容器本体内の蒸発原料と前記キャリアガスとの混合ガスを前記容器本体外に導出する混合ガス導出口と、を備え、
前記容器壁の内表面の少なくとも一部は、下記条件(i)で研磨処理された、ニッケル合金、アルミニウム、アルミニウム合金、または、スーパーステンレスからなる、蒸発原料用容器。
条件(i):
直径250〜350mmの電極を用い、電流密度を28.5mA/cm2以下、電解溶液の濃度を15〜30質量%、液流量を1〜8L/分、電解溶液のpHをアルカリ性とし、更に、研磨条件としては、圧力20〜60kPa、回転数350rpm以下とし、砥粒として砥粒径0.020〜0.10μmの無機粒子を用いる。
条件(A):
前記蒸発原料用容器の前記容器本体内に蒸発原料を充填し、その後、前記容器本体を、室温から200℃の範囲で加熱手段を用いて24時間加熱する。その後、前記蒸発原料用容器の前記容器本体内の蒸発原料を昇華させて回収する。そして、回収されたものを、誘導結合高周波プラズマ質量分析装置にて、王水を用いて所定量を溶解させる。その後、これを別の加熱手段で120℃に加熱して蒸発乾固させる。そして、蒸発乾固されたものを希釈し、測定試料を得る。その後、前記誘導結合高周波プラズマ質量分析装置にて、前記測定試料中の金属不純物を測定する。
前記容器本体内にキャリアガスを導入するキャリアガス導入口と、
前記容器本体内の蒸発原料と前記キャリアガスとの混合ガスを前記容器本体外に導出する混合ガス導出口と、を備える蒸発原料用容器の製造方法であって、
熱伝導性の容器壁を有し密閉可能な未処理容器本体を用意する工程と、
前記未処理容器本体の内表面を、前記条件(i)で研磨処理して、研磨処理が施された前記容器本体を得る工程と、を備える、蒸発原料用容器の製造方法。
本発明の蒸発原料用容器の一の実施形態は、図1に示す蒸発原料用容器100である。この蒸発原料用容器100は、熱伝導性の容器壁20を有し密閉可能な容器本体10と、容器本体10内にキャリアガスを導入するキャリアガス導入口12と、容器本体10内の蒸発原料とキャリアガスとの混合ガスを容器本体10外に導出する混合ガス導出口42と、を備えている。容器壁20の内表面の少なくとも一部は、後述する所定の条件(i)による研磨処理がされた、ニッケル合金、アルミニウム、アルミニウム合金、または、スーパーステンレスからなるものである。具体的には、容器壁20は、内壁23と外壁21の2層から構成されており(図2参照)、外壁21はステンレス鋼からなり、内壁23は、所定の研磨処理がなされたニッケル合金(例えば、ハステロイやインコネルなど)からなる。また、容器本体10は、キャリアガス導入口12と混合ガス導出口42を備える蓋体31と、この蓋体31の受け体32と、を備えている。
条件(i):
直径250〜350mmの電極を用い、電流密度を28.5mA/cm2以下、電解溶液の濃度を15〜30質量%、液流量を1〜8L/分、電解溶液のpHをアルカリ性とし、更に、研磨条件としては、圧力20〜60kPa、回転数350rpm以下とし、砥粒として砥粒径0.020〜0.10μmの無機粒子を用いる。
本発明の蒸発原料用容器は、以下のように製造することができる。まず、従来公知の方法で、ステンレス鋼からなる外壁(外側容器)を作製する。その後、ニッケル合金、アルミニウム、アルミニウム合金、または、スーパーステンレスからなる内壁(内側容器)を作製する。このとき、内側容器は、外側容器に収納した際に隙間なく収まる大きさのものとする。そして、外壁内に内壁を収納して容器材を作製する。同様にして、蓋体も作製する。このようにして、未処理容器本体を有する容器を得る(準備工程)。
まず、蒸発原料用容器100のキャリアガス導入口12を、キャリアガスタンク(図示せず)と連結させ、更に、混合ガス導出口42を、半導体処理設備(不図せず)に連結させる。次に、蒸発原料用容器100内に、蒸発原料を投入し、その後、容器本体10を密閉状態とする。次に、キャリアガスタンクからキャリアガスを蒸発原料用容器100内に導入する。そして、蒸発原料用容器100内で蒸発した蒸発原料(原料ガス)とキャリアガスとが混合し、混合ガスとして、混合ガス導出口42から導出される。なお、蒸発原料は、加熱などによって蒸発(気化)されて原料ガスになる。その後、半導体処理設備において、化学気相成長(CVD)法、有機金属化学気相成長(MOCVD)法、原子層堆積(ALD)法による成膜が行われる。半導体処理設備は、被膜対象である基板が配置される設備(例えば、CVD装置の反応室)であり、この半導体処理設備内に配置された基板上に所望の薄膜を形成する。
図1,図2に示す蒸発原料用容器100のような容器(蓋付きで有底の円筒状の容器)を作製した。具体的には、表1に示す各材料(「容器壁」の「内壁」、「外壁」の欄に記す)を用いて、「蓋付きで有底の円筒状の容器」を作製し、この容器の内表面を、以下の条件(i)で研磨処理して、各蒸発原料用容器を得た。
条件(i):
直径300mmの電極を用い、電流密度を20mA/cm2以下、電解溶液の濃度を20質量%、液流量を3L/分、電解溶液のpHを10とし、更に、研磨条件としては、圧力31.35kPa、回転数300rpmとし、砥粒として砥粒径0.07μmのColloidal SiO2を用いる。
Claims (6)
- 熱伝導性の容器壁を有し密閉可能な容器本体と、
前記容器本体内にキャリアガスを導入するキャリアガス導入口と、
前記容器本体内の蒸発原料と前記キャリアガスとの混合ガスを前記容器本体外に導出する混合ガス導出口と、を備え、
前記容器壁の内表面の少なくとも一部は、下記条件(i)で研磨処理された、ニッケル合金、アルミニウム、アルミニウム合金、または、スーパーステンレスからなる、蒸発原料用容器。
条件(i):
直径250〜350mmの電極を用い、電流密度を28.5mA/cm2以下、電解溶液の濃度を15〜30質量%、液流量を1〜8L/分、電解溶液のpHをアルカリ性とし、更に、研磨条件としては、圧力20〜60kPa、回転数350rpm以下とし、砥粒として砥粒径0.020〜0.10μmの無機粒子を用いる。 - 化学気相成長法による成膜に用いられる、請求項1に記載の蒸発原料用容器。
- 原子層堆積法による成膜に用いられる、請求項1に記載の蒸発原料用容器。
- 前記容器壁の内表面を構成するニッケル合金は、Ni、Cr、及びMoを含む合金である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の蒸発原料用容器。
- 前記容器本体は、下記条件(A)で測定した際の蒸発原料中の金属不純物の総計が、200ppb未満である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の蒸発原料用容器。
条件(A):
前記蒸発原料用容器の前記容器本体内に蒸発原料を充填し、その後、前記容器本体を、室温から200℃の範囲で加熱手段を用いて24時間加熱する。その後、前記蒸発原料用容器の前記容器本体内の蒸発原料を昇華させて回収する。そして、回収されたものを、誘導結合高周波プラズマ質量分析装置にて、王水を用いて所定量を溶解させる。その後、これを別の加熱手段で120℃に加熱して蒸発乾固させる。そして、蒸発乾固されたものを希釈し、測定試料を得る。その後、前記誘導結合高周波プラズマ質量分析装置にて、前記測定試料中の金属不純物を測定する。 - 熱伝導性の容器壁を有し密閉可能な容器本体と、
前記容器本体内にキャリアガスを導入するキャリアガス導入口と、
前記容器本体内の蒸発原料と前記キャリアガスとの混合ガスを前記容器本体外に導出する混合ガス導出口と、を備える蒸発原料用容器の製造方法であって、
熱伝導性の容器壁を有し密閉可能な未処理容器本体を用意する準備工程と、
前記未処理容器本体の内表面を、前記条件(i)で研磨処理して、研磨処理が施された前記容器本体を得る研磨処理工程と、を備える、蒸発原料用容器の製造方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435829A (en) * | 1977-08-25 | 1979-03-16 | Hitachi Zosen Corp | Electrolytic composite polishing method for largesized tower, vessel, or the like |
| JPS56139699A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-31 | Hitachi Zosen Corp | Specular finishing method by electrolytic composite polishing |
| JPS629823A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | Hitachi Zosen Corp | 電解複合研摩方法 |
| JP2006099085A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-04-13 | Kobe Steel Ltd | Opcドラムの製造方法 |
| JP2008060536A (ja) * | 2006-06-09 | 2008-03-13 | Air Products & Chemicals Inc | 高流量のGaCl3供給 |
| JP2009072779A (ja) * | 1997-02-03 | 2009-04-09 | L'air Liquide-Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procedes Georges Claude | 液相状態の化合物の精製装置 |
| JP2016000866A (ja) * | 2004-06-01 | 2016-01-07 | インテグリス・インコーポレーテッド | ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置 |
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435829A (en) * | 1977-08-25 | 1979-03-16 | Hitachi Zosen Corp | Electrolytic composite polishing method for largesized tower, vessel, or the like |
| JPS56139699A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-31 | Hitachi Zosen Corp | Specular finishing method by electrolytic composite polishing |
| JPS629823A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-17 | Hitachi Zosen Corp | 電解複合研摩方法 |
| JP2009072779A (ja) * | 1997-02-03 | 2009-04-09 | L'air Liquide-Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procedes Georges Claude | 液相状態の化合物の精製装置 |
| JP2016000866A (ja) * | 2004-06-01 | 2016-01-07 | インテグリス・インコーポレーテッド | ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置 |
| JP2006099085A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-04-13 | Kobe Steel Ltd | Opcドラムの製造方法 |
| JP2008060536A (ja) * | 2006-06-09 | 2008-03-13 | Air Products & Chemicals Inc | 高流量のGaCl3供給 |
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