JP2020004705A - ディスプレイ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ディスプレイ装置を提供する。【解決手段】基板、基板上の回路層、回路層上のディスプレイ層、基板の表示領域内に位置して、基板、回路層及びディスプレイ層を貫通する少なくとも１つのホール、並びにホールを取り囲み、いずれもアンダーカット構造を有する少なくとも２つの溝を含み、該基板は、下方からのこの順に積層された第１基板、第１無機層、第２基板及び第２無機層を含み、少なくとも２つの溝は、いずれも、ディスプレイ層から第２基板までにわたって深さ方向に延長されたディスプレイ装置である。【選択図】図１

Description

本発明は、ディスプレイ装置に関する。

最近、ディスプレイ装置の前面に、物理的ボタンなどが除去され、画面を表示するディスプレイ領域が拡大されており、該ディスプレイ領域を拡張させるために、カメラのようなディスプレイ装置機能のための別途の部材をディスプレイ領域内に配置させたディスプレイ装置が紹介されている。

ここで、カメラといった別途の部材をディスプレイ領域内に配置するためには、ディスプレイ領域内に別途の部材が位置することができる凹部(recess)、溝(groove)または貫通部(through hole)などを形成する必要がある。しかし、該ディスプレイ領域内に形成された凹部、溝または貫通部は、外部の水分などがディスプレイ領域内に浸透する新たな透湿経路になってしまう。

本発明が解決しようとする課題は、ディスプレイ領域を最大化させながら、ディスプレイ領域内の貫通部を通じた、外部の水分などの浸透を効果的に遮断するディスプレイ装置を提供することである。

本発明の一側面によるディスプレイ装置は、基板；前記基板上の回路層；前記回路層上のディスプレイ層；前記基板の表示領域内に位置して、前記基板、前記回路層及び前記ディスプレイ層を貫通する少なくとも１つのホール；及び、前記ホールを取り囲み、いずれもアンダーカット構造を有する少なくとも２つの溝を含み、前記基板は、下方からこの順に積層された第１基板、第１無機層、第２基板及び第２無機層を含み、前記少なくとも２つの溝は、いずれも、前記ディスプレイ層から前記第２基板までにわたって深さ方向に延長されうる。

本実施形態において、前記少なくとも２つの溝は、前記ホールと最も近接し、前記ホールと離隔された第１溝と、前記第１溝を取り囲み、前記第１溝と離隔された第２溝と、を含み、前記第１無機層は、前記アンダーカット構造をなすように互いに対向して、前記第１溝内に突き出すように延長された１対の第１チップを含み、前記第１無機層は、前記アンダーカット構造をなすように互いに対向して、前記第２溝内に突き出すように延長された１対の第２チップを含んでもよい。

本実施形態において、前記第２チップにおける、前記ホールに近い内側のものと、外側のものとを、部分的に連結するブリッジをさらに含み、前記ブリッジは、前記１対の第２チップと一体であり、前記第１チップは、前記ホールに近い内側のものと、外側のものとが、前記第１溝に沿った全体にわたって互いに離隔されうる。

本実施形態において、前記ディスプレイ層を覆う封止層をさらに含み、前記封止層は、下方からこの順に積層された第１無機封止層、有機封止層及び第２無機封止層を含み、前記第１無機封止層は、前記第１溝及び前記第２溝の底面と内部の側壁面とを覆うことができる。

本実施形態において、前記第１無機封止層は、前記ブリッジの下面を覆うことができる。

本実施形態において、前記有機封止層は、前記第２溝に充填されうる。

本実施形態において、前記第２無機封止層は、前記第１溝内において、前記第１無機封止層と接することができる。

本実施形態において、前記第１無機封止層と前記第２無機封止層は、前記ホールの内部の側壁面にまで延長され、前記基板の側面と接することができる。

本実施形態において、前記回路層は、薄膜トランジスタを含み、前記ディスプレイ層は、前記薄膜トランジスタと電気的に連結された有機発光素子を含んでもよい。

本発明の他の側面によるディスプレイ装置は、下方からこの順に積層された第１基板、第１無機層、第２基板及び第２無機層を含む基板；前記基板上の回路層；前記回路層上のディスプレイ層；前記基板の表示領域内に位置して、前記基板、前記回路層及び前記ディスプレイ層を貫通する少なくとも１つのホール；前記基板の表示領域内に位置し、前記ホールを取り囲む第１溝及び第２溝；並びに、前記ディスプレイ層を覆う封止層；を含み、前記第２溝は、前記第１溝と離隔されて、前記第１溝を取り囲み、前記封止層の有機封止層は、前記第２溝を充填することができる。

本実施形態において、前記第１溝及び前記第２溝は、いずれも、前記ディスプレイ層から前記第２基板までにわたって深さ方向に延長されうる。

本実施形態において、前記封止層は、前記有機封止層の下方及び上方に、それぞれ第１無機封止層と第２無機封止層とをさらに含み、前記第１無機封止層と前記第２無機封止層は、前記第１溝内で互いに重ね合わされて接することができる。

本実施形態において、前記第１無機層は、前記ホールに近い内側と、外側とから、互いへと向かって、前記第１溝内に突き出すように延長された１対の第１チップを含み、前記第１無機層は、前記ホールに近い内側と、外側とから、互いへと向かって、前記第２溝内に突き出すように延長された１対の第２チップを含んでもよい。

本実施形態において、前記第１溝及び前記第２溝は、いずれも、上部での幅が、下部での幅よりも狭いのでありうる。

本実施形態において、前記第１無機層は、前記第２溝に沿って配列されて、前記第２チップにおける、前記ホールに近い内側のものと、外側のものとを、部分的に互いに連結するブリッジをさらに含み、前記第１チップは、前記ホールに近い内側のものと、外側のものとが、前記第１溝に沿った全体にわたって互いに離隔されうる。

本実施形態において、前記第１無機層は、前記ブリッジを複数個含み、複数個の前記ブリッジは、前記第２溝に沿って互いに一定の間隔で離隔されうる。

本実施形態において、前記回路層は、薄膜トランジスタを含み、前記ディスプレイ層は、前記薄膜トランジスタと電気的に連結された有機発光素子を含んでもよい。

本発明のさらに他の側面によるディスプレイ装置は、下方からこの順に積層された第１基板、第１無機層、第２基板及び第２無機層を含む基板；前記基板上の回路層；前記回路層上のディスプレイ層；前記基板の表示領域内に位置し、前記基板、前記回路層及び前記ディスプレイ層を貫通する少なくとも１つのホール；及び前記基板の表示領域内にて、前記ホールを取り囲む第１溝及び第２溝；を含み、前記第2無機層は、前記ホールに近い内側と、外側とから、互いへと向かって、前記第１溝内に突き出すように延長された１対の第１チップを含み、前記第2無機層は、互いへと向かって、前記第２溝内に突き出すように延長された１対の第２チップを含んでもよい。

本実施形態において、前記第１溝及び前記第２溝は、いずれも、前記ディスプレイ層から前記第２基板までにわたって深さ方向に延長され、前記第２溝は、前記第１溝と離隔され、前記第１溝を取り囲むことができる。

本実施形態において、前記ディスプレイ層を覆う封止層をさらに含み、前記封止層は、前記第２溝を充填する有機封止層、並びに前記有機封止層の下方と上方とにそれぞれ位置する第１無機封止層及び第２無機封止層を含み、前記第１無機封止層と前記第２無機封止層とは、前記第１溝内にて、互いに重ね合わされて接することができる。

前述のところ以外の他の側面、特徴、利点は、下記の図面、特許請求の範囲、及び発明の詳細な説明から明確になるであろう。

本発明によれば、カメラといった別途の部材が配置される貫通部を取り囲む複数の溝が形成されることで、貫通部を通じての外部の水分などの浸透を遮断することができる。

また、少なくとも一つの溝においては、その上端の開口の縁部をなすように、互いに対向する１対のチップ部（内側のチップ部、及び外側のチップ部）が形成されるとともに、これらチップ部がブリッジによって部分的に互いに連結されることにより、チップ部の機械的強度が向上し、封止層の損傷を防止することができる。

ここで、そのような効果により、本発明の範囲が限定されるものではないということは言うまでもない。

本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の一例を概略的に図示した平面図である。 図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した一例を概略的に図示した部分断面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した一例を概略的に図示した部分断面図である。 図１のＡ部分を拡大して概略的に図示した拡大平面図である。 図４のＩＩＩ−ＩＩＩ’の断面の一例を概略的に図示した部分断面図である。 図４のＩＶ−ＩＶ’の断面の一例を概略的に図示した部分断面図である。 図４の溝を形成する方法を概略的に図示した断面図である。 図４のＩＩＩ−ＩＩＩ’の断面の他の例を概略的に図示した部分断面図である。

本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に説明する実施形態を参照すれば明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態に具現されうるのである。

以下の実施形態において、第１、第２といった用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用された。

以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に単数であることを意味しない限り、複数の表現を含む。

以下の実施形態において、「含む」または「有する」といった用語は、明細書に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。

以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が、他の部分の上または上部にあるとするとき、他の部分のすぐ上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。

図面においては、説明の便宜のために、構成要素がその大きさが誇張されていたり縮小されていたりする。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。

ある実施形態が異なって具現可能である場合、特定の工程の順序は、説明される順序と異なるようにも遂行されうる。例えば、連続して説明される２つの工程が、実質的に同時に遂行されてもよく、説明される順序とは反対の順序に進められてもよい。

以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一の図面符号を付す。

図１は、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の一例を概略的に図示した平面図であり、図２は、図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した一例を概略的に図示した断面図である。

本発明の一実施形態によるディスプレイ装置１０は、基板１００と、基板１００上に、薄膜トランジスタ２１０などの回路素子を具備する回路層ＣＬと、回路層ＣＬ上に、ディスプレイ素子３１０を含むディスプレイ層３００と、を含んでもよい。一方、本発明で回路層ＣＬは、薄膜トランジスタ２１０、キャパシタといった回路素子を含むだけではなく、薄膜トランジスタ２１０の内部及びその上に形成された各種絶縁層をいずれも含むことを意味する。言い換えれば、基板１００の上面から平坦化層１４０までを回路層ＣＬと定義することができる。同様に、ディスプレイ層３００には、ディスプレイ素子３１０とともに、画素区画形成膜１５０までも含まれる。

本発明の一実施形態によるディスプレイ装置１０は、複数個の画素が位置するディスプレイ領域ＡＡと、ディスプレイ領域ＡＡの外側に位置する周辺領域ＰＡと、を有する。このことは、基板１００が、そのようなディスプレイ領域ＡＡ及び周辺領域ＰＡを有するというふうにも理解されうる。周辺領域ＰＡは、各種電子素子や印刷回路基板などが電気的に接続される領域であるパッド領域を含んでもよい。

基板１００のディスプレイ領域ＡＡには、ディスプレイ素子３１０以外にも、ディスプレイ素子３１０と電気的に連結される薄膜トランジスタ２１０も位置することができる。図２においては、ディスプレイ素子３１０として、有機発光素子が、ディスプレイ領域ＡＡに位置するように図示されている。そのような有機発光素子が薄膜トランジスタ２１０に電気的に連結されるということは、画素電極３１１が薄膜トランジスタ２１０に電気的に連結されることであると理解されうる。

また、ディスプレイ領域ＡＡには、少なくとも１つの貫通部Ｈが位置することができる。貫通部Ｈは、基板１００、回路層ＣＬ及びディスプレイ層３００を垂直方向に貫通する領域であり、それは、ディスプレイ装置１０の機能のための別途の部材、またはディスプレイ装置１０に新たな機能を追加させることができる別途の部材のための空間になりうる。例えば、ディスプレイ領域ＡＡには、複数個の貫通部Ｈが形成され、貫通部Ｈには、センサ、光源、カメラモジュールなどが装着されうる。一方、貫通部Ｈは、基板１００、回路層ＣＬ及びディスプレイ層３００を貫通するので、外部の水分または酸素が、貫通部Ｈによって露出されたディスプレイ装置１０の垂直の断面を通じて、ディスプレイ装置１０の内部に浸透してしまう。しかし、本発明によれば、貫通部Ｈを取り囲む複数個の溝がさらに形成されるので、前述のような透湿を効果的に防止することができる。それについては、図４以下で詳細に説明することにし、以下では、図２を参照し、回路層ＣＬとディスプレイ層３００とについて、まず説明する。

基板１００は、多様な素材を含んでもよい。画面が、基板１００側に具現される背面発光型である場合、基板１００は、透明な材質によって形成されなければならない。しかし、画面が基板１００の反対側に具現される前面発光型である場合、基板１００は、必ずしも透明な材質によって形成される必要はない。その場合、金属で基板１００を形成することができる。金属で基板１００を形成する場合、基板１００は、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、インバー（invar）合金、インコネル（Inconel）合金、コバール（Kovar）合金などを含んでもよい。

基板１００上には、バッファ層１１０が形成される。バッファ層１１０は、基板１００上部に平坦面を提供することができ、基板１００を通じて浸透する異物または湿気を、遮断することができる。例えば、バッファ層１１０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物、チタン酸化物またはチタン窒化物などの無機物や、ポリイミド、ポリエステル、アクリルなどの有機物を含みうるのであり、例示した材料のうちの複数のものによる積層体としても形成されうる。

このように、バッファ層１１０は基板１００の上面に接触することができる。また、このバッファ層１１０は、周辺領域ＰＡにまでわたって、基板１００の全面に形成されうる。

基板１００上には、薄膜トランジスタ２１０、及び薄膜トランジスタ２１０と電気的に連結された表示素子３１０が位置することができる。

薄膜トランジスタ２１０は、活性層２１１、ゲート電極２１３、ソース電極２１５ａ及びドレイン電極２１５ｂを含んでもよい。以下では、薄膜トランジスタ２１０が、活性層２１１、ゲート電極２１３、ソース電極２１５ａ及びドレイン電極２１５ｂが、下方からこの順に形成されたトップゲートタイプ（top gate type）である場合について説明する。しかし、本実施形態は、それに限定されるものではなく、ボトムゲートタイプ（bottom gate type）といった多様なタイプの薄膜トランジスタ２１０が採用されてもよい。

活性層２１１は、非晶質シリコン（amorphous silicon）または多結晶シリコン（polycrystalline silicon）といった半導体物質を含んでもよい。しかし、本実施形態は、それに限定されるものではなく、活性層２１１は、多様な物質を含んでもよい。任意選択的な実施形態として、活性層２１１は、有機半導体物質などを含んでもよい。さらに他の選択的実施形態として、活性層２１１は、酸化物半導体物質を含んでもよい。例えば、活性層２１１は、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）カドミウム（Ｃｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）のような１２，１３，１４族金属元素、及びそれらの組み合わせのうちから選択された物質の酸化物を含んでもよい。

ゲート絶縁膜１２１は、活性層２１１上に形成される。ゲート絶縁膜１２１は、シリコン酸化物及び／またはシリコン窒化物などの無機物質からなる積層膜または単層膜として形成されうる。ゲート絶縁膜１２１は、活性層２１１とゲート電極２１３とを絶縁する役割を行う。ゲート絶縁膜１２１は、表示領域ＡＡだけではなく、周辺領域ＰＡまで延長されて形成されうる。

ゲート電極２１３は、ゲート絶縁膜１２１の上部に形成される。ゲート電極２１３は、薄膜トランジスタ２１０にオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されうる。

ゲート電極２１３は、低抵抗の金属物質からなるのでありうる。例えば、ゲート電極２１３は、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうちの１つ以上の物質による積層膜または単層膜として形成されうる。

ゲート電極２１３上には、層間絶縁膜１３１が形成される。層間絶縁膜１３１は、ソース電極２１５ａ及びドレイン電極２１５ｂと、ゲート電極２１３とを絶縁させる。層間絶縁膜１３１は、表示領域ＡＡだけではなく、周辺領域ＰＡにまで延長されて形成されうる。

層間絶縁膜１３１は、無機物質からなる積層膜または単層膜として形成されうる。例えば、該無機物質は、金属酸化物または金属窒化物でもあり、具体的には、該無機物質は、シリコン酸化物（ＳｉＯ₂）、シリコン窒化物（ＳｉＮ_x）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ₂Ｏ₃）、チタン酸化物（ＴｉＯ₂）、タンタル酸化物（Ｔａ₂Ｏ₅）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ₂）または亜鉛酸化物（ＺｒＯ₂）などを含んでもよい。

層間絶縁膜１３１上には、ソース電極２１５ａ及びドレイン電極２１５ｂを形成することができる。ソース電極２１５ａ及びドレイン電極２１５ｂは、活性層２１１の領域と接触するように形成される。ソース電極２１５ａ及びドレイン電極２１５ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうちの１つ以上の物質による積層膜または単層膜として形成されうる。例えば、ソース電極２１５ａ及びドレイン電極２１５ｂは、チタン（Ｔｉ）によるベース保護層、アルミニウム（Ａｌ）の層及びチタン（Ｔｉ）によるキャッピング層の３層積層構造を有することができる。

ソース電極２１５ａ上及びドレイン電極２１５ｂ上には、平坦化層１４０が形成される。平坦化層１４０は、薄膜トランジスタ２１０による段差を解消し、下方の面の凹凸により、ディスプレイ素子３１０に不良が発生することを防止する。平坦化層１４０は、有機物質からなる積層膜または単層膜として形成されうる。有機物質は、ＰＭＭＡ（polymethylmethacrylate）やＰＳ（polystylene）といった一般の汎用高分子、フェノール系基を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらのブレンドなどを含んでもよい。また、平坦化層１４０は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との複合積層体によっても形成されうる。

平坦化層１４０上には、ディスプレイ素子３１０が形成される。ディスプレイ素子３１０は、一例として、第１電極３１１、第１電極３１１と対向する第２電極３１５、及び、第１電極３１１と第２電極３１５との間に介在される中間層３１３を具備した有機発光素子でありうる。

第１電極３１１は、平坦化層１４０上に形成され、薄膜トランジスタ２１０と電気的に連結されうる。第１電極３１１は、多様な形態を有することができるが、例えば、フォトリソグラフィ法により、アイランド状にパターニングされて形成されうる。

第１電極３１１の一例として、反射電極でありうる。例えば、第１電極３１１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びそれらの化合物などによって形成された反射膜と、反射膜上に形成された透明または半透明の電極層と、を具備することができる。透明または半透明の電極層は、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、酸化スズ亜鉛インジウム（ＩＴＺＯ）、酸化ガリウム亜鉛（ＧＺＯ）及び酸化ガリウム亜鉛インジウム（ＩＧＺＯ）を含むグループのうちから選択された少なくとも１つ以上を具備することができる。

一例として、第１電極３１１は、透明または半透明の電極層である第１導電層、銀を含む第２導電層、及び透明または半透明の電極層である第３導電層の積層構造を有することができる。また、銀を含む第２導電層は、銀の凝集現象を防止するために、銀と同一であるか、あるいはそれより小さい原子半径を有する合金元素をさらに含んでもよい。該合金元素は、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、白金（Ｐｔ）、アンチモン（Ｓｂ）、マンガン（Ｍｎ）、タングステン（Ｗ）及びモリブデン（Ｍｏ）のうちの少なくともいずれか一つを含んでもよい。

第２電極３１５は、透明または半透明の電極でありうるのであり、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びそれらの化合物を含む、仕事関数が小さい金属薄膜によって形成されうる。また、金属薄膜の上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ₂Ｏ₃のような透明電極形成用物質でもって、補助電極層やバス電極をさらに形成することができる。従って、第２電極３１５は、中間層３１３に含まれた有機発光層から放出された光を透過させることができる。すなわち、有機発光層から放出される光は、直接に、または、反射電極で構成された第１電極３１１によって反射されて、第２電極３１５の側に放出されうる。

しかし、本実施形態のディスプレイ装置１０は、前面発光型に制限されるものではなく、有機発光層から放出された光が、基板１００側に放出される背面発光型であることもありうる。その場合、第１電極３１１は、透明または半透明の電極によって構成されうるのであり、第２電極３１５は、反射電極によって構成されうる。また、本実施形態のディスプレイ装置１０は、前面及び背面の両方向に光を放出する両面発光型であることもありうる。

一方、第１電極３１１上には、絶縁物により、画素区画形成膜１５０が形成される。画素区画形成膜１５０は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂及びフェノール樹脂からなる群から選択される１以上の有機絶縁物質により、スピンコーティングなどの方法によって形成されうる。画素区画形成膜１５０は、第１電極３１１の所定領域を露出させ、露出された領域に、有機発光層を含む中間層３１３が位置する。すなわち、画素区画形成膜１５０は、有機発光素子の画素領域（画素開口）を区画形成する。

中間層３１３に含まれた有機発光層は、低分子有機物または高分子有機物でありうるのであり、中間層３１３は、有機発光層以外に、ホール輸送層（ＨＴＬ：hole transport layer）、ホール注入層（ＨＩＬ：hole injection layer）、電子輸送層（ＥＴＬ：electron transport layer）及び電子注入層（ＥＩＬ：electron injection layer）といった機能層を選択的にさらに含んでもよい。

図３は、図１のＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した一例を概略的に図示した断面図である。図３においては、図２で説明していない周辺領域ＰＡ（図１）や、ディスプレイ層３００（図２）上に配置された封止層５００などについて説明し、基板１００の構成について、さらに詳細に説明する。

まず、基板１００は、下方からこの順に積層された第１基板１０１、第１無機層１０２、第２基板１０３及び第２無機層１０４を含んでもよい。

第１基板１０１と第２基板１０３は、例えば、ＳｉＯ₂を主成分にする透明なガラス材質からなりうる。しかし、第１基板１０１と第２基板１０３は、必ずしもそれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材質によっても形成されうる。該プラスチック材質は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート（polyallylate）、ポリイミド（polyimide）、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）などでありうる。

第１基板１０１と第２基板１０３は、互いに同一の厚み、あるいは相異なる厚みを有することができる。例えば、第１基板１０１と第２基板１０３は、いずれも、ポリイミドを含み、３μｍないし２０μｍの厚みを有するのでありうる。

第１無機層１０２と第２無機層１０４は、外部からの異物の浸透を防止するバリア層であり、窒化ケイ素（ＳｉＮ_x）及び／または酸化ケイ素（ＳｉＯ_x）といった無機物を含む単層膜または積層膜でありうる。第１無機層１０２と第２無機層１０４は、いずれも、４，０００Åないし７，０００Åの厚みを有することができるが、本発明は、それに限定されるものではない。

ディスプレイ装置１０（図１）は、ディスプレイ層３００（図２）を覆い、外部の水分や酸素などからディスプレイ素子３１０（図２）を保護するための封止層５００を含み、周辺領域ＰＡ（図１）には、第２電極３１５と電気的に接続された電極電源供給ライン４１０などが配置されうる。

電極電源供給ライン４１０は、ディスプレイ領域ＡＡ（図１）内の多様な導電層を形成する際に、同一の物質で同時に形成することができる。一例として、電極電源供給ライン４１０は、ソース電極２１５ａ（図２）及びドレイン電極２１５ｂ（図２）の形成時に共に形成され、層間絶縁膜１３１上に位置することができる。ただし、本発明は、それに限定されるものではなく、電極電源供給ライン４１０は、ゲート電極２１３（図２）を形成する際に、ゲート絶縁膜１２１（図２）上に、同一の物質によって同時に形成されうるというように、多様な変形が可能である。

電極電源供給ライン４１０は、第２電極３１５に直接コンタクトすることもできる。また、図３に図示されているように、保護導電層４２０を介して、第２電極３１５に電気的に連結されうる。すなわち、平坦化層１４０上に位置し、第２電極３１５と接続された保護導電層４２０が、電極電源供給ライン４１０上に延長され、電極電源供給ライン４１０に電気的に連結されうる。保護導電層４２０は、一例として、第１電極３１１（図２）を平坦化層１４０上に形成する際に、同一の物質によって同時に形成されうる。

一方、外部からの酸素や水分などの不純物が、平坦化層１４０を介して、ディスプレイ領域ＡＡ（図１）内に浸透することを防止するため、図３に図示されているように、平坦化層１４０が、周辺領域ＰＡ（図１）中、ディスプレイ領域ＡＡの縁に沿って延びる溝状の開口１４０ｂを有する。図示の具体例では、２本の溝状の開口１４０ｂが、互いに近接して並行に延びている。また、保護導電層４２０を形成する際に、保護導電層４２０が、溝状の開口１４０ｂを充填する。このことを通じて、周辺領域ＰＡ（図１）の平坦化層１４０に浸透した不純物が、ディスプレイ領域ＡＡ（図１）内の平坦化層１４０に浸透することを効果的に防止することができる。

平坦化層１４０が有する溝状の開口１４０ｂは、多様な形状を有することができる。例えば、平坦化層１４０が有する溝状の開口１４０ｂは、ディスプレイ領域ＡＡ（図１）外側にて、そのエッジに沿って延び、ディスプレイ領域ＡＡ（図１）を切れ目なく取り囲むことができる。そして、ディスプレイ領域ＡＡ（図１）を切れ目なしに取り囲む溝状の開口１４０ｂを、複数個、互いに並行に配置されるようにして有することもできる。

なお、図示の例では、溝状の開口１４０ｂが、外側（基板の縁の側）のものと、内側（ディスプレイ領域ＡＡの側）のものとの、二重に形成されており、これら2本の互いに並行に延びる溝により、さらに効果的に、不純物の浸透を防止することができる。

第２電極３１５上には、有機発光素子で生じた光の効率を向上させる役割を行う、キャッピング層１６０が位置することができる。キャッピング層１６０は、第２電極３１５を覆うとともに、第２電極３１５の外縁を越える箇所にまで延長されて、キャッピング層１６０の端部が、平坦化層１４０の上面に、直接に、または、保護導電層４２０を介して接するように位置する。そのようなキャッピング層１６０は、有機物を含む。

キャッピング層１６０の上方には、封止層５００が位置する。封止層５００は、外部からの水分や酸素などから、有機発光素子を保護する役割を行う。そのために、封止層５００は、有機発光素子が位置するディスプレイ領域ＡＡ（図１）はもとより、ディスプレイ領域ＡＡ（図１）の外側の周辺領域ＰＡ（図１）にまで延長された形状を有する。そのような封止層５００は、図３に図示されているように、積層構造を有することができる。具体的には、封止層５００は、下方からこの順に積層された第１無機封止層５１０、有機封止層５２０及び第２無機封止層５３０を含んでもよい。

第１無機封止層５１０は、キャッピング層１６０を覆い、シリコン酸化物、シリコン窒化物及び／またはシリコン酸窒化物などを含んでもよい。そのような第１無機封止層５１０は、その下方の構造物の上面の起伏に沿って形成されうる。

すなわち、第１無機封止層５１０は、高周波マグネトロンスパッタリングや、プラズマＣＶＤ法などにより、例えば、溝などの内面も全体を覆うように形成することができる。特に、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）法により形成する場合、チップの上面、側面及び底面と溝の側面及び底面にわたって、切れず連続的に成膜することができる。

有機封止層５２０は、第１無機封止層５１０を覆い、十分な厚みを有し、有機封止層５２０の上面は、実質的に平坦でありうる。そのような有機封止層５２０は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンスルホネート、ポリオキシメチレン、ポリアリレート、ヘキサメチルジシロキサンからなる群から選択された１以上の材料を含んでもよい。

第２無機封止層５３０は、有機封止層５２０を覆い、シリコン酸化物、シリコン窒化物及び／またはシリコン酸窒化物などを含んでもよい。第１無機封止層５１０と第２無機封止層５３０の配置領域は、有機封止層５２０の配置領域より大きい面積を有し、有機封止層５２０の外縁の外側にて互いに接することができる。すなわち、第１無機封止層５１０と第２無機封止層５３０とにより、有機封止層５２０が外部に露出されないようにすることができる。

そのように封止層５００は、第１無機封止層５１０、有機封止層５２０及び第２無機封止層５３０を含むが、そのような多層構造を通じて、封止層５００内にクラックが発生したとしても、第１無機封止層５１０と有機封止層５２０との間、または有機封止層５２０と第２無機封止層５３０との間で、そのようなクラックを連結させないようにすることができる。このことを通じて、外部からの水分や酸素などがディスプレイ領域ＡＡに浸透するような経路の形成を防止したり最小化させたりすることができる。

一方、そのような封止層５００を形成する過程において、その下方の構造物が損傷されうる。例えば、第１無機封止層５１０は、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）を利用して形成されうるが、そのような化学気相蒸着法を利用して第１無機封止層５１０を形成する際、第１無機封止層５１０が形成されるその直下の層が損傷されうる。従って、第１無機封止層５１０をキャッピング層１６０上に直接形成することになれば、有機発光素子で生じた光の効率を向上させる役割を行うキャッピング層１６０が損傷され、ディスプレイ装置の光効率が低下してしまう。従って、封止層５００を形成する過程において、キャッピング層１６０の損傷を防止するために、キャッピング層１６０と封止層５００との間に保護層が介在されるようにすることができる。そのような保護層は、ＬｉＦを含んでもよい。

なお、封止層５００を形成する際、具体的には、有機封止層５２０を形成する際、有機封止層５２０形成用の物質が、事前に設定された領域内に位置するように限定することが必要である。そのために、図３に図示されているように、第１ダム６１０を周辺領域ＰＡ（図１）に位置させる。第１ダム６１０は、平坦化層１４０の外縁から離隔されるようにして、周辺領域ＰＡ（図１）内に位置する。

第１ダム６１０は、積層構造を有することができる。一例として、第１ダム６１０は、第１層６１１、第２層６１３及び第３層６１５が積層された構造を有することができる。第１層６１１は、平坦化層１４０を形成する際、これと同一の物質によって同時に形成されうるのであり、第２層６１３は、画素区画形成膜１５０を形成する際、これと同一の物質によって同時に形成されうる。第３層６１５は、第２層６１３と同一の物質によって、第２層６１３上に追加して形成することができる。

第１ダム６１０は、製造過程において、有機発光素子の中間層３１３（図２）や第２電極３１５を形成する際、またはその後のキャッピング層１６０を形成する際に、使用されるマスクを支持する役割を行うのであり、このようなマスクを用いた蒸着またはパターニングの過程にて、その前に形成された構成要素がマスクにコンタクトして損傷されることを防止することができる。また、第１ダム６１０は、第１無機封止層５１０上に有機封止層５２０を形成する際、有機封止層５２０形成用の物質を、基板１００のエッジの側へと移動させない。それだけではなく、第１ダム６１０が平坦化層１４０と離隔されて位置することにより、外部からの水分が、有機物質からなる平坦化層１４０を伝って、ディスプレイ領域ＡＡ内に浸透することを防止することができる。

一方、封止層５００の第１無機封止層５１０と、第２無機封止層５３０は、図３に図示されているように、第１ダム６１０を覆って第１ダム６１０の外側まで延長され、外部の水分及び酸素の浸透をさらに効果的に防止することができる。

第１ダム６１０の内側には、第２ダム６２０がさらに形成されうる。第２ダム６２０は、電極電源供給ライン４１０上の保護導電層４２０の上に位置することができる。第２ダム６２０は、第１ダム６１０の第２層６１３と同一の物質によって同時に形成されうる下層６２３と、下層６２３上に位置し、第１ダム６１０の第３層６１５と同一の物質によって同時に形成されうる上層６２５と、を含むことにより、すなわち、平坦化層１４０と同時に形成される第１層６１１を省くことにより、第１ダム６１０より低い高さを有することができる。

図４は、図１のＡ部分を拡大して概略的に図示した拡大図であり、図５は、図４のＩＩＩ−ＩＩＩ’の断面の一例を概略的に図示した断面図であり、図６は、図４のＩＶ−ＩＶ’の断面の一例を概略的に図示した断面図であり、図７は、図４の溝を形成する方法を概略的に図示した断面図であり、図８は図４のＩＩＩ−ＩＩＩ’の断面の他の例を概略的に図示した断面図である。

まず、図４ないし図６を参照すれば、ディスプレイ領域ＡＡ（図１）内に形成されたホールＨは、基板１００、回路層ＣＬ及びディスプレイ層３００を貫通することができる。また、ホールＨの周辺には、ホールＨを取り囲む、少なくとも２つのリング状の溝Ｇ１，Ｇ２が形成されうる。少なくとも２つの溝Ｇ１，Ｇ２は、ディスプレイ層３００から基板１００の一部の領域まで延長されうる。以下においては、少なくとも２つの溝Ｇ１，Ｇ２のうち、ホールＨに近い順序により、第１溝Ｇ１及び第２溝Ｇ２と命名する。すなわち、ホールＨと最も近接して配置されたリング状の溝を第１溝Ｇ１とする。一方、図４においては、円形のホールＨを取り囲む２つの円形リング状の溝Ｇ１，Ｇ２を例示しているが、本発明は、それに限られるものではなく、このようなリング状の溝は、３つ以上形成されてもよい。

また、ホールＨの輪郭の形状は、楕円形、長円形、角を丸めた四角形などであってもよく、その場合、リング状の溝Ｇ１，Ｇ２も、ホールＨの輪郭の形状と相似形またはこれに類似の形状することができる。

第１溝Ｇ１は、ホールＨと離隔された位置にて、ホールＨを取り囲むように形成される。第１溝Ｇ１は、アンダーカット構造を有することができる。例えば、第１溝Ｇ１は、ホールＨから所定の距離だけ離間した箇所（リング状の領域）にて、第１基板１０１、第１無機層１０２、第２基板１０３及び第２無機層１０４がこの順に積層された基板１００から、第２無機層１０４が省かれるとともに、第２基板１０３が、その厚みの少なくとも一部にまで除去されることで、形成されうる。ここで、第２無機層１０４は、第１溝Ｇ１における開放された上端部にて、互いに対向し互いに近づくように延長されて、板状に突き出す１対の第１チップ（tip）Ｔ１を含んでもよい。すなわち、第１溝Ｇ１は、開口の上端部での幅が、第１溝Ｇ１の内部または底での幅より狭いのでありうる。ここで、第１溝Ｇ１の幅は、第１溝Ｇ１が延びる方向と垂直の方向にて測定された距離を意味する。例えば、第１溝Ｇ１が円形である場合、第１溝Ｇ１の幅は、前記円の周方向と垂直の方向、すなわち、半径方向を意味する。

１対の第１チップＴ１は、図７に図示される方法によって形成することができる。さらに具体的には、第２無機層１０４をパターニングして開口を形成した後、第２無機層１０４をマスクとして使用し、第２無機層１０４の上部において、第２基板１０３を除去するためのレーザを照射したり、乾式エッチングを進めたりすれば、第２基板１０３は、第２無機層１０４の開口より広く除去され、マスクとして使用された第２無機層１０４の開口パターンは、１対のチップＴ１を構成する。

ところが、上記のように、１対の第１チップＴ１が形成された基板１００上に、ディスプレイ素子３１０を形成すれば、ディスプレイ素子３１０などと同時に形成されて第１溝Ｇ１の内部に残留する有機物層を含む積層膜(例えば、ＨＴＬ, ＨＩＬ, ＥＴＬ, 及び／または ＥＩＬ)は、第１溝Ｇ１の側壁面とは接触しない。すなわち、１対の第１チップＴ１によるアンダーカット構造により、第１溝Ｇ１の内部の側壁面に接触するようには形成されない。その結果、ディスプレイ素子３１０などと同時に形成される積層膜(例えば、ＨＴＬ, ＨＩＬ, ＥＴＬ, 及び／または ＥＩＬ)は、第２基板１０３とは不連続的に、第１溝Ｇ１の底の上面の一部にだけ形成される。従って、第１溝Ｇ１内にて、ディスプレイ素子３１０に含まれた各種有機層が断絶され、ホールＨを介して流入された外部の水分または酸素が、ディスプレイ素子３１０の内部の各種有機層を伝って、ディスプレイ領域ＡＡ（図１）にまで浸透することを遮断することができる。

第２溝Ｇ２は、第１溝Ｇ１と離隔された領域であり、第１溝Ｇ１を取り囲むように形成される。第２溝Ｇ２の基本的な構成は、第１溝Ｇ１と同一でありうる。すなわち、第２溝Ｇ２は、１対の第２チップＴ２を含み、アンダーカット構造を有し、開口端部での幅が、第２溝Ｇ２の下端部での幅より狭い。一方、第２溝Ｇ２の第２チップＴ２は、第１チップＴ１とは異なり、ホールＨに近い内側のものと、外側のものとが、第２溝Ｇ２の長手方向（リング状の周方向）に沿った全領域にて互いに完全に離隔されるのではない。すなわち、第１チップＴ１は、第１溝Ｇ１の全体にわたって、ホールＨに近い内側のものと、外側のものとが互いに離隔されたのであるが、第２チップＴ２は、内側のものと、外側のものとが、ブリッジＢにより、部分的に互いに連結されうる。

ブリッジＢは、第２チップＴ２を部分的に連結し、第２チップＴ２の機械的強度を向上させることができる。従って、第２チップＴ２に衝撃が加えられても、第２チップＴ２の損傷を防止し、封止層５００の第１無機封止層５１０または第２無機封止層５３０にクラックが発生することを防止することができる。ブリッジＢは、複数個が形成され、第２溝Ｇ２の長手方向に沿って等間隔で離隔されるか、あるいは不規則に離隔されるのでありうる。ブリッジＢは、第２チップＴ２と一体に形成されうる。一方、第１溝Ｇ１は、ホールＨと最も近接するように位置するので、第１チップＴ１が、ブリッジＢによって連結された場合は、ブリッジＢ上にディスプレイ層３００などが形成され、連続的な有機層が形成されうる。そのため、第１チップＴ１は、内側のものと、外側のものとが、第１溝Ｇ１の全体にわたって互いに離隔されなければならない。

一方、ディスプレイ素子３１０の積層膜などは、第１溝Ｇ１及び第２溝Ｇ２のアンダーカット構造により、第１溝Ｇ１や第２溝Ｇ２の内部の垂直壁面に接するようには形成されない。ところが、封止層５００の第１無機封止層５１０は、第１溝Ｇ１の内面に沿ってコンフォーマルに形成されるようにすることができる。そのため、第１溝Ｇ１及び第２溝Ｇ２の内部の垂直壁面だけではなく、第１チップＴ１及び第２チップＴ２の下面にも形成されうる。すなわち、第１無機封止層５１０は、ホールＨの縁にまで、断絶されずに連続的に形成されうる。

第１無機封止層５１０は、図６に図示されているように、ブリッジＢの下面にも形成されるようにすることができる。そのようにするために、ブリッジＢの幅は、第２チップＴ２の突出寸法の２倍以下に形成されうる。ここで、ブリッジＢの幅は、第２溝Ｇ２の長手方向（第２溝Ｇ２が延びる方向）に沿った寸法を意味し、第２チップＴ２の突出寸法は、ホールＨに近い内側のものと、外側のものとが、それぞれ、第２溝Ｇ２の幅方向に沿って突き出す寸法を意味する。ブリッジＢの幅は、第２チップＴ２の突出寸法の２倍以下に形成されれば、ブリッジＢの下面にも、第１無機封止層５１０が形成されることを確保することができる。したがって、ブリッジＢの下面にて、第１無機封止層５１０が部分的に断絶されることを防止することができる。

一方、有機封止層５２０は、第２溝Ｇ２の内部を充填することができる。すなわち、有機封止層５２０を形成する際、有機封止層５２０形成用の物質は、第２溝Ｇ２の内部に充填されることで、第２溝Ｇ２の外側にあふれることが防止される。言い換えれば、第２溝Ｇ２は、有機封止層５２０が形成される領域と、形成されない領域とを区画する構造物として機能できるので、図３で説明した第１ダム６１０（図３）を省略することができる。また、それにより、ホールＨの周辺の非表示領域を最小化させることができる。

第２無機封止層５３０は、第１無機封止層５１０と同様に形成されうる。従って、第２無機封止層５３０と第１無機封止層５１０は、ホールＨと最も近接した第１溝Ｇ１の内部にて、第２無機封止層５３０と第１無機封止層５１０とは、重なり合わされて互いに接し、外部の水分及び酸素の浸透を防止することができる。

任意選択的な実施形態において、第１無機封止層５１０と第２無機封止層５３０とは、図８で図示するように、ホールＨの内部の側壁面にまで延長され、基板１００の側面と接することができる。特に、図示の具体例のように、ホールＨの内部にあって、基板１００の側面の全体を被覆することができる。従って、外部の水分及び酸素の浸透をさらに効果的に防止することができる。

以上、本発明は、図面に図示された一実施形態を参照して説明したが、それらは、例示的なものに過ぎず、当該分野において当業者であるならば、それらから多様な変形、及び実施形態の変形が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決められるものである。

より具体的な、好ましい一実施形態によると下記のとおりである。

近年、スマートホンやタブレットＰＣなどには、自撮り(selfie)用のカメラやフラッシュ光源またはセンサが、画像表示面側の周辺部に搭載されることが多い。従来は、矩形の画像表示面の外側、特には、表示パネルの外側に、カメラなどが配置されていた。

しかし、近年、携帯機器のサイズを大きくせずに画像表示面を極力大きくするために、画像表示面を取り囲む画像非表示の周縁部（額縁）を、極力狭くする（狭額縁化）ようになっている。

表示パネルの周辺部を折り曲げることができる有機発光表示装置を用いる場合、駆動回路部を搭載した周辺部を、側面または裏面側へと折り曲げることで、画像非表示の周縁部（額縁）をなくすことも可能である。

このような場合、矩形の画像表示面に、ユーザーから向かって上端からの湾入部を設け、この中に、カメラやセンサを配置することが行なわれている。

しかし、この湾入部の分だけ、画像表示面が小さくなってしまう。また、表示パネルについて、折り曲げや折り畳み可能とする場合、湾入部があると、その近傍に応力が集中するおそれもある。

そこで、極力小さくしたカメラを、画像表示面（矩形の画像表示領域）の内部にて、表示パネルに貫通孔（through hole）を開けて埋め込むようにすることが考えられる。画像表示面の上端に、タッチパネル式の選択ボタンなどを配置するならば、カメラを埋め込んでも違和感がないようにすることができる。

ところが、表示パネルに貫通孔を設けると、有機発光表示装置からなる表示パネルを用いる場合、貫通孔の箇所から、画素配列領域へと、有機層を伝って、水分や酸素が浸透するおそれがある。

第２基板１０３の厚みは、３μｍないし２０μｍ、特には５μｍないし１５μｍでありうる。また、第２無機層１０４の厚みは、４，０００Åないし７，０００Å（400〜700nm）または200〜800nm、例えば500〜600nmでありうる。第２無機層１０４は、スパッタリング法などにより形成することができる。第１無機封止層５１０及び第２無機封止層５３０の厚みは、第２無機層１０４の厚みと同様とすることができる。また、有機封止層５２０の厚みは、例えば１〜５μｍとすることができる。

ホールＨの径は、例えば0.5mm〜2mmであり、ホールＨと内側のリング溝（第１溝Ｇ１）との間の間隔、及びリング溝（第１溝Ｇ１及び第２溝Ｇ２）同士の間隔は、例えば、0.05〜0.3mmとすることができ、リング溝（第１溝Ｇ１及び第２溝Ｇ２）の幅は、例えば、10〜50μｍとすることができる。また、オーバーハング部（一対の第２チップＴ２）の突出寸法は、例えば、リング溝（第１溝Ｇ１及び第２溝Ｇ２）の幅の10〜30％とすることができる。

なお、ホール（貫通孔）Ｈが、周辺領域ＰＡにほぼ接して設けられる場合、第１溝Ｇ１及び第２溝Ｇ２は、例えば、ホールＨを、左右及び向かって下方の三方から取り囲む、Ｕ字型のものであっても良い。

本発明のディスプレイ装置は、例えば、表示関連の技術分野に効果的に適用可能である。

１０ ディスプレイ装置
１００ 基盤
２１０ 薄膜トランジスタ
３００ ディスプレイ層
５００ 封止層

Claims (20)

1. 基板と、
   前記基板上の回路層と、
   前記回路層上のディスプレイ層と、
   前記基板の表示領域内に位置して、前記基板、前記回路層及び前記ディスプレイ層を貫通する少なくとも１つのホールと、
   前記ホールを取り囲み、いずれもアンダーカット構造を有する少なくとも２つの溝と、を含み、
   前記基板は、下方からこの順に積層された第１基板、第１無機層、第２基板及び第２無機層を含み、
   前記少なくとも２つの溝は、いずれも、前記ディスプレイ層から前記第２基板までにわたって深さ方向に延長されたディスプレイ装置。
2. 前記少なくとも２つの溝は、前記ホールと最も近接し、前記ホールと離隔された第１溝と、前記第１溝を取り囲み、前記第１溝と離隔された第２溝と、を含み、
   前記第１無機層は、前記アンダーカット構造をなすように互いに対向して、前記第１溝内に突き出すように延長された１対の第１チップを含み、
   前記第１無機層は、前記アンダーカット構造をなすように互いに対向して、前記第２溝内に突き出すように延長された１対の第２チップを含むことを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
3. 前記第２チップにおける、前記ホールに近い内側のものと、外側のものとを、部分的に連結するブリッジをさらに含み、
   前記ブリッジは、前記１対の第２チップと一体であり、
   前記第１チップは、前記ホールに近い内側のものと、外側のものとが、前記第１溝に沿った全体にわたって互いに離隔されたことを特徴とする請求項２に記載のディスプレイ装置。
4. 前記ディスプレイ層を覆う封止層をさらに含み、
   前記封止層は、下方からこの順に積層された第１無機封止層、有機封止層及び第２無機封止層を含み、
   前記第１無機封止層は、前記第１溝及び前記第２溝の底面と内部の側壁面とを覆うことを特徴とする請求項３に記載のディスプレイ装置。
5. 前記第１無機封止層は、前記ブリッジの下面を覆うことを特徴とする請求項４に記載のディスプレイ装置。
6. 前記有機封止層は、前記第２溝に充填されたことを特徴とする請求項４に記載のディスプレイ装置。
7. 前記第２無機封止層は、前記第１溝内にて、前記第１無機封止層と重ね合わされて接することを特徴とする請求項４に記載のディスプレイ装置。
8. 前記第１無機封止層と前記第２無機封止層は、前記ホールの内部の側壁面にまで延長され、前記基板の側面と接することを特徴とする請求項７に記載のディスプレイ装置。
9. 前記回路層は、薄膜トランジスタを含み、前記ディスプレイ層は、前記薄膜トランジスタと電気的に連結された有機発光素子を含むことを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
10. 順次に積層された第１基板、第１無機層、第２基板及び第２無機層を含む基板と、
    前記基板上の回路層と、
    前記回路層上のディスプレイ層と、
    前記基板の表示領域内に位置して、前記基板、前記回路層及び前記ディスプレイ層を貫通する少なくとも１つのホールと、
    前記基板の表示領域内に位置して、前記ホールを取り囲む第１溝及び第２溝と、
    前記ディスプレイ層を覆う封止層と、を含み、
    前記第２溝は、前記第１溝と離隔されて、前記第１溝を取り囲み、
    前記封止層の有機封止層は、前記第２溝を充填するディスプレイ装置。
11. 前記第１溝及び前記第２溝は、いずれも、前記ディスプレイ層から前記第２基板までにわたって深さ方向に延長されたことを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイ装置。
12. 前記封止層は、前記有機封止層の下方及び上方に、それぞれ第１無機封止層と第２無機封止層とをさらに含み、
    前記第１無機封止層と前記第２無機封止層とは、前記第１溝内で互いに重ね合わされて接することを特徴とする請求項１１に記載のディスプレイ装置。
13. 前記第１無機層は、前記ホールに近い内側と、外側とから、互いへと向かって、前記第１溝内に突き出すように延長された１対の第１チップを含み、
    前記第１無機層は、前記ホールに近い内側と、外側とから、互いへと向かって、前記第２溝内に突き出すように延長された１対の第２チップを含むことを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイ装置。
14. 前記第１溝及び前記第２溝は、いずれも、上部での幅が下部での幅より狭いことを特徴とする請求項１３に記載のディスプレイ装置。
15. 前記第１無機層は、前記第２溝に沿って配列されて、前記第２チップにおける、前記ホールに近い内側のものと、外側のものとを、部分的に互いに連結するブリッジをさらに含み、
    前記第１チップは、前記ホールに近い内側のものと、外側のものとが、前記第１溝に沿った全体にわたって互いに離隔されたことを特徴とする請求項１３に記載のディスプレイ装置。
16. 前記第１無機層は、前記ブリッジを複数個含み、複数個の前記ブリッジは、前記第２溝に沿って互いに一定の間隔で離隔されて配列されたことを特徴とする請求項１３に記載のディスプレイ装置。
17. 前記回路層は、薄膜トランジスタを含み、前記ディスプレイ層は、前記薄膜トランジスタと電気的に連結された有機発光素子を含むことを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイ装置。
18. 順次に積層された第１基板、第１無機層、第２基板及び第２無機層を含む基板と、
    前記基板上の回路層と、
    前記回路層上のディスプレイ層と、
    前記基板の表示領域内に位置し、前記基板、前記回路層及び前記ディスプレイ層を貫通する少なくとも１つのホールと、
    前記基板の表示領域内にて、前記ホールを取り囲む第１溝及び第２溝と、を含み、
    前記第2無機層は、前記ホールに近い内側と、外側とから、互いへと向かって、前記第１溝内に突き出すように延長された１対の第１チップを含み、
    前記第2無機層は、前記ホールに近い内側と、外側とから、互いへ向かって、前記第２溝内に突き出すように延長された１対の第２チップを含むディスプレイ装置。
19. 前記第１溝及び前記第２溝は、いずれも、前記ディスプレイ層から前記第２基板までにわたって深さ方向に延長され、前記第２溝は、前記第１溝と離隔され、前記第１溝を取り囲むことを特徴とする請求項１８に記載のディスプレイ装置。
20. 前記ディスプレイ層を覆う封止層をさらに含み、
    前記封止層は、前記第２溝を充填する有機封止層、並びに前記有機封止層の下方と上方とにそれぞれ位置する第１無機封止層及び第２無機封止層を含み、
    前記第１無機封止層と前記第２無機封止層とは、前記第１溝内にて、互いに重ね合わされて接することを特徴とする請求項１８に記載のディスプレイ装置。

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