JP2020004757A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表面に液膜が形成されたウェハを搬送する際に、搬送時間がばらつくことを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、複数の第１処理部と、複数の第２処理部と、搬送部と、制御部とを備える。複数の第１処理部は、基板に第１処理を施す。複数の第２処理部は、第１処理が施された基板に第２処理を施す。搬送部は、複数の第１処理部および複数の第２処理部に共通に基板を搬送する。制御部は、複数の第１処理部、複数の第２処理部および搬送部を制御する。そして、制御部は、第１処理された後に液膜が形成された基板が第１処理部から第２処理部に搬送される第２搬送処理のタイミングと、他の基板が搬送部で搬送されるタイミングとが重複しないように、基板が第１処理部に搬送される第１搬送処理の開始タイミングを制御する。
【選択図】図６

Description

開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

従来、基板である半導体ウェハ（以下、ウェハと呼称する。）などの表面に乾燥防止用の液膜を形成し、かかる液膜が形成されたウェハを超臨界状態の処理流体に接触させて乾燥処理を行う基板処理装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。

特開２０１３−１２５３８号公報

本開示は、表面に液膜が形成されたウェハを搬送する際に、搬送時間がばらつくことを抑制することができる技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、複数の第１処理部と、複数の第２処理部と、搬送部と、制御部とを備える。複数の第１処理部は、基板に第１処理を施す。複数の第２処理部は、前記第１処理が施された前記基板に第２処理を施す。搬送部は、前記複数の第１処理部および前記複数の第２処理部に共通に前記基板を搬送する。制御部は、前記複数の第１処理部、前記複数の第２処理部および前記搬送部を制御する。そして、前記制御部は、前記第１処理された後に液膜が形成された前記基板が前記第１処理部から前記第２処理部に搬送される第２搬送処理のタイミングと、他の前記基板が前記搬送部で搬送されるタイミングとが重複しないように、前記基板が前記第１処理部に搬送される第１搬送処理の開始タイミングを制御する。

本開示によれば、表面に液膜が形成されたウェハを搬送する際に、搬送時間がばらつくことを抑制することができる。

図１は、実施形態に係る基板処理システムを上方から見た模式的な断面図である。 図２は、実施形態に係る基板処理システムを側方から見た模式的な断面図である。 図３は、液処理ユニットの構成例を示す図である。 図４は、乾燥ユニットの構成例を示す模式斜視図である。 図５は、実施形態に係る基板処理システムにおいて実行される一連の基板処理の手順を示すフローチャートである。 図６は、実施形態に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理を説明するためのタイミングチャート（１）である。 図７は、実施形態に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理を説明するためのタイミングチャート（２）である。 図８は、実施形態に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理を説明するためのタイミングチャート（３）である。 図９は、実施形態に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理を説明するためのタイミングチャート（４）である。 図１０は、実施形態に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理を説明するためのタイミングチャート（５）である。 図１１は、実施形態に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理を説明するためのタイミングチャート（６）である。 図１２は、実施形態に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理の手順を示すフローチャートである。 図１３は、実施形態の変形例１に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理の手順を説明するためのタイミングチャートである。 図１４は、実施形態の変形例２に係る前待機処理および後待機処理の追加処理を説明するための図である。 図１５は、実施形態の変形例２に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理の手順を説明するためのタイミングチャートである。 図１６は、実施形態の変形例１および変形例２に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理の手順を示すフローチャートである。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

従来、基板である半導体ウェハ（以下、ウェハと呼称する。）などの表面に乾燥防止用の液膜を形成し、かかる液膜が形成されたウェハを超臨界状態の処理流体に接触させて乾燥処理を行う基板処理装置が知られている。

しかしながら、表面に液膜が形成されたウェハが次の乾燥ユニットに搬送されるタイミングで他のウェハが搬送処理されていると、液膜が形成されたウェハは、他のウェハの搬送処理が完了するまでそのまま待機しなければならない。

そして、待機している間に液膜が乾燥するなどして、ウェハ表面の液膜状態が変化した場合、その後の乾燥処理においてウェハ上に形成されているパターンが倒れるなどの不具合が発生することから、ウェハの歩留まりが低下してしまう恐れがあった。

そこで、表面に液膜が形成されたウェハを搬送する際に、搬送時間がばらつくことを抑制することが期待されている。

＜基板処理システムの構成＞
まず、実施形態に係る基板処理システム１（基板処理装置の一例）の構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１を上方から見た模式的な断面図である。また、図２は、実施形態に係る基板処理システム１を側方から見た模式的な断面図である。なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の半導体ウェハＷ（以下、「ウェハＷ」と記載する）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられる。搬送部１２の内部には、搬送装置１３と受渡部１４とが配置される。

搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送ブロック４と、複数の処理ブロック５とを備える。

搬送ブロック４は、搬送エリア１５と、搬送装置１６とを備える。搬送エリア１５は、たとえば、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する直方体状の領域である。搬送エリア１５には、搬送装置１６が配置される。

搬送装置１６は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１６は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と複数の処理ブロック５との間でウェハＷの搬送を行う。

複数の処理ブロック５は、搬送エリア１５の一方側において搬送エリア１５に隣接して配置される。具体的には、複数の処理ブロック５は、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）における搬送エリア１５の一方側（図ではＹ軸負方向側）に配置される。

また、図２に示すように、複数の処理ブロック５は、鉛直方向に沿って多段に配置される。実施形態において、複数の処理ブロック５の段数は３段であるが、複数の処理ブロック５の段数は３段に限定されない。

このように、実施形態に係る基板処理システム１において、複数の処理ブロック５は、搬送ブロック４の一方側において多段に配置される。そして、各段に配置された処理ブロック５と受渡部１４との間で行われるウェハＷの搬送は、搬送ブロック４に配置された共通の搬送装置１６によって行われる。

各処理ブロック５は、液処理ユニット１７と、乾燥ユニット１８とを備える。液処理ユニット１７は第１処理部の一例であり、乾燥ユニット１８は第２処理部の一例である。

液処理ユニット１７は、ウェハＷのパターン形成面である上面を洗浄する洗浄処理を行う。かかる洗浄処理は、第１処理の一例である。なお、以下に説明する実施形態では、第１処理として洗浄処理を行う例について示すが、かかる第１処理は洗浄処理に限られない。

さらに、液処理ユニット１７は、洗浄処理後のウェハＷの上面に液膜を形成する液膜形成処理を行う。液処理ユニット１７の構成については後述する。

乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷに対して超臨界乾燥処理を行う。具体的には、乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷを超臨界状態の処理流体（以下、「超臨界流体」とも呼称する。）と接触させることによって同ウェハＷを乾燥させる。かかる超臨界乾燥処理は、第２処理の一例である。

なお、以下に説明する実施形態では、第２処理として超臨界乾燥処理を行う例について示すが、かかる第２処理は超臨界乾燥処理に限られず、スピン乾燥処理などその他の乾燥処理であってもよい。さらに、第２処理は乾燥処理に限られず、液処理などであってもよい。乾燥ユニット１８の構成については後述する。

なお、図１および図２には図示していないが、基板処理システム１は、乾燥ユニット１８に対して処理流体を供給する供給ユニットを有する。具体的には、かかる供給ユニットは、流量計、流量調整器、背圧弁、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。実施形態において、供給ユニットは、処理流体としてＣＯ_２を乾燥ユニット１８に供給する。

液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８は、搬送エリア１５に沿って（すなわち、Ｘ軸方向に沿って）並べられる。液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８のうち、液処理ユニット１７は、搬入出ステーション２に近い位置に配置され、乾燥ユニット１８は、搬入出ステーション２から遠い位置に配置される。

このように、各処理ブロック５は、液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８をそれぞれ１つずつ備える。すなわち、基板処理システム１には、液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８が同じ数だけ設けられる。

図１に示すように、基板処理システム１は、制御装置６を備える。制御装置６は、たとえばコンピュータであり、制御部６１と記憶部６２とを備える。

制御部６１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、搬送装置１３、１６、液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８等の制御を実現する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御装置６の記憶部６２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

記憶部６２は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。

＜液処理ユニットの構成＞
次に、液処理ユニット１７の構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、液処理ユニット１７の構成例を示す図である。液処理ユニット１７は、たとえば、スピン洗浄によりウェハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置として構成される。

図３に示すように、液処理ユニット１７は、処理空間を形成するアウターチャンバー２３内に配置されたウェハ保持機構２５にてウェハＷをほぼ水平に保持し、このウェハ保持機構２５を鉛直軸周りに回転させることによりウェハＷを回転させる。

そして、液処理ユニット１７は、回転するウェハＷの上方にノズルアーム２６を進入させ、かかるノズルアーム２６の先端部に設けられる薬液ノズル２６ａから薬液やリンス液を予め定められた順に供給することにより、ウェハＷ上面の洗浄処理を行う。

また、液処理ユニット１７には、ウェハ保持機構２５の内部にも薬液供給路２５ａが形成されている。そして、かかる薬液供給路２５ａから供給された薬液やリンス液によって、ウェハＷの下面も洗浄される。

洗浄処理は、たとえば、最初にアルカリ性の薬液であるＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去が行われる。次に、リンス液である脱イオン水（DeIonized Water：以下、「ＤＩＷ」と記載する）によるリンス洗浄が行われる。

次に、酸性薬液である希フッ酸水溶液（Diluted HydroFluoric acid：以下、「ＤＨＦ」と記載する）による自然酸化膜の除去が行われ、次に、ＤＩＷによるリンス洗浄が行われる。

上述の各種薬液は、アウターチャンバー２３や、アウターチャンバー２３内に配置されるインナーカップ２４に受け止められて、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排液口２３ａや、インナーカップ２４の底部に設けられる排液口２４ａから排出される。さらに、アウターチャンバー２３内の雰囲気は、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排気口２３ｂから排気される。

液膜形成処理は、洗浄処理におけるリンス処理の後に行われる。具体的には、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５を回転させながら、ウェハＷの上面および下面に液体状態のＩＰＡ（以下、「ＩＰＡ液体」とも呼称する）を供給する。これにより、ウェハＷの両面に残存するＤＩＷがＩＰＡに置換される。その後、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５の回転を緩やかに停止する。

液膜形成処理を終えたウェハＷは、その上面にＩＰＡ液体の液膜が形成された状態のまま、ウェハ保持機構２５に設けられた不図示の受け渡し機構により搬送装置１６に受け渡され、液処理ユニット１７から搬出される。

ウェハＷ上に形成された液膜は、液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８へのウェハＷの搬送中や、乾燥ユニット１８への搬入動作中に、ウェハＷ上面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防止する。

＜乾燥ユニットの概要＞
つづいて、乾燥ユニット１８の構成について、図４を参照しながら説明する。図４は、乾燥ユニット１８の構成例を示す模式斜視図である。

乾燥ユニット１８は、本体３１と、保持板３２と、蓋部材３３とを有する。筐体状の本体３１には、ウェハＷを搬入出するための開口部３４が形成される。保持板３２は、処理対象のウェハＷを水平方向に保持する。蓋部材３３は、かかる保持板３２を支持するとともに、ウェハＷを本体３１内に搬入したときに、開口部３４を密閉する。

本体３１は、たとえば直径３００ｍｍのウェハＷを収容可能な処理空間が内部に形成された容器であり、その壁部には、供給ポート３５、３６と排出ポート３７とが設けられる。供給ポート３５、３６および排出ポート３７は、それぞれ、乾燥ユニット１８に超臨界流体を流通させるための供給流路および排出流路に接続されている。

供給ポート３５は、筐体状の本体３１において、開口部３４とは反対側の側面に接続されている。また、供給ポート３６は、本体３１の底面に接続されている。さらに、排出ポート３７は、開口部３４の下方側に接続されている。なお、図４には２つの供給ポート３５、３６と１つの排出ポート３７が図示されているが、供給ポート３５、３６や排出ポート３７の数は特に限定されない。

また、本体３１の内部には、流体供給ヘッダー３８、３９と、流体排出ヘッダー４０とが設けられる。そして、流体供給ヘッダー３８、３９には複数の供給口がかかる流体供給ヘッダー３８，３９の長手方向に並んで形成され、流体排出ヘッダー４０には複数の排出口がかかる流体排出ヘッダー４０の長手方向に並んで形成される。

流体供給ヘッダー３８は、供給ポート３５に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４とは反対側の側面に隣接して設けられる。また、流体供給ヘッダー３８に並んで形成される複数の供給口は、開口部３４側を向いている。

流体供給ヘッダー３９は、供給ポート３６に接続され、筐体状の本体３１内部における底面の中央部に設けられる。また、流体供給ヘッダー３９に並んで形成される複数の供給口は、上方を向いている。

流体排出ヘッダー４０は、排出ポート３７に接続され、筐体状の本体３１内部において、開口部３４側の側面に隣接するとともに、開口部３４より下方に設けられる。また、流体排出ヘッダー４０に並んで形成される複数の排出口は、上方を向いている。

流体供給ヘッダー３８、３９は、超臨界流体を本体３１内に供給する。また、流体排出ヘッダー４０は、本体３１内の超臨界流体を本体３１の外部に導いて排出する。なお、流体排出ヘッダー４０を介して本体３１の外部に排出される超臨界流体には、ウェハＷの表面から超臨界状態の超臨界流体に溶け込んだＩＰＡ液体が含まれる。

かかる乾燥ユニット１８内において、ウェハＷ上に形成されているパターンの間のＩＰＡ液体は、高圧状態（たとえば、１６ＭＰａ）である超臨界流体と接触することで、徐々に超臨界流体に溶解し、パターンの間は徐々に超臨界流体と置き換わる。そして、最終的には、超臨界流体のみによってパターンの間が満たされる。

そして、パターンの間からＩＰＡ液体が除去された後に、本体３１内部の圧力を高圧状態から大気圧まで減圧することによって、ＣＯ_２は超臨界状態から気体状態に変化し、パターンの間は気体のみによって占められる。このようにしてパターンの間のＩＰＡ液体は除去され、ウェハＷの乾燥処理が完了する。

ここで、超臨界流体は、液体（たとえばＩＰＡ液体）と比べて粘度が小さく、また液体を溶解する能力も高いことに加え、超臨界流体と平衡状態にある液体や気体との間で界面が存在しない。これにより、超臨界流体を用いた乾燥処理では、表面張力の影響を受けることなく液体を乾燥させることができる。したがって、実施形態によれば、乾燥処理の際にパターンが倒れることを抑制することができる。

なお、実施形態では、乾燥防止用の液体としてＩＰＡ液体を用い、処理流体として超臨界状態のＣＯ_２を用いた例について示しているが、ＩＰＡ以外の液体を乾燥防止用の液体として用いてもよいし、超臨界状態のＣＯ_２以外の流体を処理流体として用いてもよい。

＜基板処理フロー＞
次に、上述した基板処理システム１におけるウェハＷの処理フローについて、図５を参照しながら説明する。図５は、実施形態に係る基板処理システム１において実行される一連の基板処理の手順を示すフローチャートである。なお、図５に示す一連の基板処理は、制御部６１の制御に従って実行される。

基板処理システム１では、まず、搬送装置１３がキャリアＣからウェハＷを取り出して受渡部１４へ載置する（ステップＳ１０１）。つづいて、基板処理システム１では、搬送装置１６がウェハＷを受渡部１４から取り出して液処理ユニット１７に搬送する第１搬送処理が行われる（ステップＳ１０２）。なお、以降の図面では、かかる第１搬送処理を「Ｔ１」とも記載する。

つづいて、基板処理システム１では、液処理ユニット１７において第１処理（実施形態では洗浄処理）が行われる（ステップＳ１０３）。液処理ユニット１７は、たとえば、ウェハＷのパターン形成面である上面に各種の処理液を供給することにより、ウェハＷの上面からパーティクルや自然酸化膜等を除去する。

つづいて、基板処理システム１では、液処理ユニット１７において液膜形成処理が行われる（ステップＳ１０４）。液処理ユニット１７は、たとえば、洗浄処理後のウェハＷの上面にＩＰＡ液体を供給することにより、ウェハＷの上面にＩＰＡ液体による液膜を形成する。なお、以降の図面では、液処理ユニット１７で実施される第１処理および液膜形成処理を総称して「ＳＰＩＮ」とも記載する。

つづいて、基板処理システム１では、搬送装置１６が液膜が形成されたウェハＷを液処理ユニット１７から取り出して乾燥ユニット１８に搬送する第２搬送処理が行われる（ステップＳ１０５）。なお、以降の図面では、かかる第２搬送処理を「Ｔ２」とも記載する。

そして、基板処理システム１では、乾燥ユニット１８において第２処理（実施形態では超臨界乾燥処理）が行われる（ステップＳ１０６）。かかる超臨界乾燥処理において、乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷを超臨界流体と接触させることによって液膜形成処理後のウェハＷを乾燥させる。なお、以降の図面では、かかる第２処理を「ＳＣＣ」とも記載する。

つづいて、基板処理システム１では、搬送装置１６が超臨界乾燥処理されたウェハＷを乾燥ユニット１８から取り出して受渡部１４に搬送する第３搬送処理が行われる（ステップＳ１０７）。なお、以降の図面では、かかる第３搬送処理を「Ｔ３」とも記載する。

最後に、基板処理システム１では、搬送装置１３が受渡部１４からウェハＷを取り出してキャリアＣへ搬出する（ステップＳ１０８）。かかる搬出処理を終えると、１枚のウェハＷについての一連の基板処理が終了する。

ここで、この一連の基板処理において、液膜形成処理されたウェハＷが第２搬送処理されるタイミングで他のウェハＷが搬送装置１６で搬送処理されていると、液膜が形成されたウェハＷは、他のウェハＷの搬送処理が完了するまでそのまま待機しなければならない。

そして、待機している間に液膜が乾燥するなどして、ウェハＷ表面の液膜状態が変化した場合、その後の超臨界乾燥処理においてウェハＷ上に形成されているパターンが倒れるなどの不具合が発生することから、ウェハＷの歩留まりが低下してしまう恐れがあった。

そこで、実施形態では、ウェハＷが第１搬送処理される前に、第１搬送処理の開始タイミングを所定の手順で設定する開始タイミング設定処理を行う。かかる処理により、液膜形成処理されたウェハＷが第２搬送処理されるタイミングで他のウェハＷが搬送装置１６で搬送処理されることを抑制することができる。

＜開始タイミング設定処理の詳細＞
つづいて、第１搬送処理の開始タイミング設定処理の詳細について、図６〜図１１を参照しながら説明する。図６〜図１１は、実施形態に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理を説明するためのタイミングチャート（１）〜（６）である。なお、図６〜図１１に示す第１搬送処理の開始タイミング設定処理は、制御部６１の制御に従って実行される。

また、以下に示す実施形態では、３組の液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８がそれぞれペアになって連続的に基板処理を行う場合について示す。そして、１組目の液処理ユニット１７で行われる第１処理および液膜形成処理を「ＳＰＩＮ１」と記載し、１組目の乾燥ユニット１８で行われる超臨界乾燥処理を「ＳＣＣ１」と記載する。

同様に、２組目の液処理ユニット１７で行われる第１処理および液膜形成処理を「ＳＰＩＮ２」と記載し、２組目の乾燥ユニット１８で行われる超臨界乾燥処理を「ＳＣＣ２」と記載する。さらに、３組目の液処理ユニット１７で行われる第１処理および液膜形成処理を「ＳＰＩＮ３」と記載し、３組目の乾燥ユニット１８で行われる超臨界乾燥処理を「ＳＣＣ３」と記載する。

図６の（ａ）に示すように、基板処理システム１で１枚目のウェハＷ１が第１搬送処理（Ｔ１）を開始した後、２枚目のウェハＷ２で第１搬送処理が開始される前に、かかるウェハＷ２に対する第１搬送処理の開始タイミング設定処理が行われる。

最初に、制御部６１は、直前に投入されたウェハＷ１で第１搬送処理が終了するタイミングＴａを、ウェハＷ２における第１搬送処理の開始タイミングに設定する。次に、制御部６１は、ウェハＷ２が第１処理される予定の２組目の液処理ユニット１７（すなわちＳＰＩＮ２）で他のウェハＷが処理中でないか否かを判定する。

ここで、図６の（ａ）に示した状態では、ウェハＷ２が第１処理される予定の２組目の液処理ユニット１７は他のウェハＷを処理中ではない。そこで、制御部６１は、ウェハＷ２が第１搬送処理されるタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。

ここで、図６の（ａ）に示した状態では、ウェハＷ２の第１搬送処理が他のウェハＷの搬送処理と重複していない。そこで、制御部６１は、ウェハＷ２が第２搬送処理（Ｔ２）されるタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。

ここで、図６の（ａ）に示した状態では、ウェハＷ２における第２搬送処理の開始タイミングＴｂでウェハＷ１が第２搬送処理されている。そこで、制御部６１は、図６の（ｂ）に示すように、ウェハＷ２における第２搬送処理の開始タイミングを、ウェハＷ１における第２搬送処理の終了タイミングＴｃにシフトさせる。

なぜなら、ウェハＷ１における第２搬送処理の終了タイミングＴｃは、他のウェハＷの搬送処理と重複しない最前のタイミングだからである。このように、他のウェハＷの搬送処理と重複しない最前のタイミングにシフトさせることにより、余分な待機時間が少なくなることから、基板処理システム１におけるウェハＷのスループットを向上させることができる。

そして、かかる第２搬送処理のシフトに伴い、制御部６１は、ウェハＷ２における第１搬送処理の開始タイミングをＴａからＴｄにシフトさせる。

つぎに、制御部６１は、ウェハＷ２が第１搬送処理される新たなタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。ここで、図６の（ｂ）に示した状態において、ウェハＷ２における第１搬送処理のタイミングでは他のウェハＷが搬送処理されていない。

すなわち、図６の（ｂ）に示した状態では、ウェハＷ２の第１搬送処理および第２搬送処理がいずれも他のウェハＷの搬送処理と重複していない。したがって、制御部６１は、新たに設定された開始タイミングＴｄをウェハＷ２の第１搬送処理の開始タイミングとして設定する。そして、制御部６１は、設定された開始タイミングＴｄでウェハＷ２の第１搬送処理を開始する。

つづいて、図７の（ａ）に示すように、３枚目のウェハＷ３で第１搬送処理が開始される前に、かかるウェハＷ３に対する第１搬送処理の開始タイミング設定処理が行われる。

最初に、制御部６１は、直前に投入されたウェハＷ２で第１搬送処理が終了するタイミングＴｅを、ウェハＷ３における第１搬送処理の開始タイミングに設定する。次に、制御部６１は、ウェハＷ３が第１処理される予定の３組目の液処理ユニット１７（すなわちＳＰＩＮ３）で他のウェハＷが処理中でないか否かを判定する。

ここで、図７の（ａ）に示した状態では、ウェハＷ３が第１処理される予定の３組目の液処理ユニット１７は他のウェハＷを処理中ではない。そこで、制御部６１は、ウェハＷ３が第１搬送処理されるタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。

ここで、図７の（ａ）に示した状態では、ウェハＷ３の第１搬送処理が他のウェハＷの搬送処理と重複していない。そこで、制御部６１は、ウェハＷ３が第２搬送処理されるタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。

ここで、図７の（ａ）に示した状態では、ウェハＷ３における第２搬送処理の開始タイミングＴｆでウェハＷ２が第２搬送処理されている。そこで、制御部６１は、図７の（ｂ）に示すように、ウェハＷ３における第２搬送処理の開始タイミングを、ウェハＷ２における第２搬送処理の終了タイミングＴｇにシフトさせる。

そして、かかる第２搬送処理のシフトに伴い、制御部６１は、ウェハＷ３における第１搬送処理の開始タイミングをＴｅからＴｈにシフトさせる。

つぎに、制御部６１は、ウェハＷ３が第１搬送処理される新たなタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。ここで、図７の（ｂ）に示した状態において、ウェハＷ３における第１搬送処理のタイミングでは他のウェハＷが搬送処理されていない。

すなわち、図７の（ｂ）に示した状態では、ウェハＷ３の第１搬送処理および第２搬送処理がいずれも他のウェハＷの搬送処理と重複していない。したがって、制御部６１は、新たに設定された開始タイミングＴｈをウェハＷ３の第１搬送処理の開始タイミングとして設定する。そして、制御部６１は、設定された開始タイミングＴｈでウェハＷ３の第１搬送処理を開始する。

つづいて、図８の（ａ）に示すように、４枚目のウェハＷ４で第１搬送処理が開始される前に、かかるウェハＷ４に対する第１搬送処理の開始タイミング設定処理が行われる。

最初に、制御部６１は、直前に投入されたウェハＷ３で第１搬送処理が終了するタイミングＴｉを、ウェハＷ４における第１搬送処理の開始タイミングに設定する。次に、制御部６１は、ウェハＷ４が第１処理される予定の１組目の液処理ユニット１７（すなわちＳＰＩＮ１）で他のウェハＷが処理中でないか否かを判定する。

ここで、図８の（ａ）に示した状態では、ウェハＷ４が第１処理される予定の１組目の液処理ユニット１７は他のウェハＷ１を処理中である。そこで、制御部６１は、図８の（ｂ）に示すように、ウェハＷ４における第１搬送処理の開始タイミングを、ウェハＷ３における第２搬送処理の終了タイミングＴｊにシフトさせる。

なぜなら、ウェハＷ３における第２搬送処理の終了タイミングＴｊは、１組目の液処理ユニット１７での処理および他のウェハＷの搬送処理と重複しない最前のタイミングだからである。

このように、使用する液処理ユニット１７での処理および他のウェハＷの搬送処理と重複しない最前のタイミングにシフトさせることにより、余分な待機時間が少なくなることから、基板処理システム１におけるウェハＷのスループットを向上させることができる。

次に、制御部６１は、ウェハＷ４が第２搬送処理されるタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。

ここで、図８の（ｂ）に示した状態では、ウェハＷ４における第２搬送処理のタイミングのうち、タイミングＴｋでウェハＷ３が第３搬送処理される。そこで、制御部６１は、図８の（ｃ）に示すように、ウェハＷ４における第２搬送処理の開始タイミングを、ウェハＷ３における第３搬送処理の終了タイミングＴｌにシフトさせる。

そして、かかる第２搬送処理のシフトに伴い、制御部６１は、ウェハＷ４における第１搬送処理の開始タイミングをＴｊからＴｍにシフトさせる。

つぎに、制御部６１は、ウェハＷ４が第１搬送処理される新たなタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。ここで、図８の（ｃ）に示した状態において、ウェハＷ４における第１搬送処理のタイミングでは他のウェハＷが搬送処理されていない。

すなわち、図８の（ｃ）に示した状態では、ウェハＷ４の第１搬送処理および第２搬送処理がいずれも他のウェハＷの搬送処理と重複していない。したがって、制御部６１は、新たに設定された開始タイミングＴｍをウェハＷ４の第１搬送処理の開始タイミングとして設定する。そして、制御部６１は、設定された開始タイミングＴｍでウェハＷ４の第１搬送処理を開始する。

つづいて、図９の（ａ）に示すように、５枚目のウェハＷ５で第１搬送処理が開始される前に、かかるウェハＷ５に対する第１搬送処理の開始タイミング設定処理が行われる。

最初に、制御部６１は、直前に投入されたウェハＷ４で第１搬送処理が終了するタイミングＴｎを、ウェハＷ５における第１搬送処理の開始タイミングに設定する。次に、制御部６１は、ウェハＷ５が第１処理される予定の２組目の液処理ユニット１７で他のウェハＷが処理中でないか否かを判定する。

ここで、図９の（ａ）に示した状態では、ウェハＷ５が第１処理される予定の２組目の液処理ユニット１７は他のウェハＷを処理中ではない。そこで、制御部６１は、ウェハＷ５が第１搬送処理されるタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。

ここで、図９の（ａ）に示した状態では、ウェハＷ５の第１搬送処理が他のウェハＷの搬送処理と重複していない。そこで、制御部６１は、ウェハＷ５が第２搬送処理されるタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。

ここで、図９の（ａ）に示した状態では、ウェハＷ５における第２搬送処理の開始タイミングＴｏでウェハＷ４が第２搬送処理されている。そこで、制御部６１は、図９の（ｂ）に示すように、ウェハＷ５における第２搬送処理の開始タイミングを、ウェハＷ４における第２搬送処理の終了タイミングＴｐにシフトさせる。

そして、かかる第２搬送処理のシフトに伴い、制御部６１は、ウェハＷ５における第１搬送処理の開始タイミングをＴｎからＴｑにシフトさせる。

つぎに、制御部６１は、ウェハＷ５が第１搬送処理される新たなタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。ここで、図９の（ｂ）に示した状態において、ウェハＷ５における第１搬送処理のタイミングでは他のウェハＷが搬送処理されていない。

すなわち、図９の（ｂ）に示した状態では、ウェハＷ５の第１搬送処理および第２搬送処理がいずれも他のウェハＷの搬送処理と重複していない。したがって、制御部６１は、新たに設定された開始タイミングＴｑをウェハＷ５の第１搬送処理の開始タイミングとして設定する。そして、制御部６１は、設定された開始タイミングＴｑでウェハＷ５の第１搬送処理を開始する。

つづいて、図１０の（ａ）に示すように、６枚目のウェハＷ６で第１搬送処理が開始される前に、かかるウェハＷ６に対する第１搬送処理の開始タイミング設定処理が行われる。

最初に、制御部６１は、直前に投入されたウェハＷ５で第１搬送処理が終了するタイミングＴｒを、ウェハＷ６における第１搬送処理の開始タイミングに設定する。次に、制御部６１は、ウェハＷ６が第１処理される予定の３組目の液処理ユニット１７で他のウェハＷが処理中でないか否かを判定する。

ここで、図１０の（ａ）に示した状態では、ウェハＷ６が第１処理される予定の３組目の液処理ユニット１７は他のウェハＷを処理中ではない。そこで、制御部６１は、ウェハＷ６が第１搬送処理されるタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。

ここで、図１０の（ａ）に示した状態では、ウェハＷ６における第１搬送処理のタイミングのうち、タイミングＴｓでウェハＷ１が第３搬送処理される。そこで、制御部６１は、図１０の（ｂ）に示すように、ウェハＷ６における第１搬送処理の開始タイミングを、ウェハＷ５における第２搬送処理の終了タイミングＴｔにシフトさせる。

なぜなら、ウェハＷ５における第２搬送処理の終了タイミングＴｔは、他のウェハＷの搬送処理と重複しない最前のタイミングだからである。

次に、制御部６１は、ウェハＷ６が第２搬送処理されるタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。

ここで、図１０の（ｂ）に示した状態では、ウェハＷ６における第２搬送処理のタイミングのうち、タイミングＴｕでウェハＷ３が第３搬送処理される。そこで、制御部６１は、図１１に示すように、ウェハＷ６における第２搬送処理の開始タイミングを、ウェハＷ５における第３搬送処理の終了タイミングＴｖにシフトさせる。

そして、かかる第２搬送処理のシフトに伴い、制御部６１は、ウェハＷ６における第１搬送処理の開始タイミングをＴｔからＴｗにシフトさせる。

つぎに、制御部６１は、ウェハＷ６が第１搬送処理される新たなタイミングと他のウェハＷが搬送処理されるタイミングとが重複しないか否かを判定する。ここで、図１１に示した状態において、ウェハＷ６における第１搬送処理のタイミングでは他のウェハＷが搬送処理されていない。

すなわち、図１１に示した状態では、ウェハＷ６の第１搬送処理および第２搬送処理がいずれも他のウェハＷの搬送処理と重複していない。したがって、制御部６１は、新たに設定された開始タイミングＴｗをウェハＷ６の第１搬送処理の開始タイミングとして設定する。そして、制御部６１は、設定された開始タイミングＴｗでウェハＷ６の第１搬送処理を開始する。

ここまで説明した処理を行うことにより、複数ペアの液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８と受渡部１４との間を共通の搬送装置１６で複数のウェハＷの搬送を行う場合に、各ウェハＷの搬送処理と重複することを抑制することができる。

すなわち、液膜形成処理されたウェハＷが第２搬送処理されるタイミングで他のウェハＷが搬送装置１６で搬送処理されることを抑制することができる。したがって、実施形態によれば、表面に液膜が形成されたウェハＷを搬送する際に、搬送時間がばらつくことを抑制することができる。

＜開始タイミング設定処理の手順＞
つづいて、実施形態に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理の手順について、図１２を参照しながら説明する。図１２は、実施形態に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理の手順を示すフローチャートである。

最初に、制御部６１は、直前のウェハＷの第１搬送処理が終了するタイミングに、対象となるウェハＷの第１搬送処理の開始タイミングを設定する（ステップＳ２０１）。次に、対象となるウェハＷが使用予定の液処理ユニット１７で他のウェハＷが使用中でないか否かを判定する（ステップＳ２０２）。

そして、使用予定の液処理ユニット１７で他のウェハＷが使用中でない場合（ステップＳ２０２，Ｙｅｓ）、制御部６１は、対象となるウェハＷの第１搬送処理が他のウェハＷの搬送処理と重複していないか否かを判定する（ステップＳ２０３）。

そして、対象となるウェハＷの第１搬送処理が他のウェハＷの搬送処理と重複していない場合（ステップＳ２０３，Ｙｅｓ）、制御部６１は、対象となるウェハＷの第２搬送処理が他のウェハＷの搬送処理と重複していないか否かを判定する（ステップＳ２０４）。

そして、対象となるウェハＷの第２搬送処理が他のウェハＷの搬送処理と重複していない場合（ステップＳ２０４，Ｙｅｓ）、制御部６１は、設定された第１搬送処理の開始タイミングで対象となるウェハＷの第１搬送処理を開始する（ステップＳ２０５）。そして、対象となるウェハＷの開始タイミング設定処理を完了する。

一方、ステップＳ２０２で、他のウェハＷが使用中である場合（ステップＳ２０２，Ｎｏ）、制御部６１は、使用予定の液処理ユニット１７が空く最前のタイミングに対象となるウェハＷの第１搬送処理の開始タイミングを設定する（ステップＳ２０６）。そして、ステップＳ２０３の処理に移行する。

また、ステップＳ２０３で、第１搬送処理が他のウェハＷの搬送処理と重複する場合（ステップＳ２０３，Ｎｏ）、制御部６１は、第１搬送処理が他のウェハＷの搬送処理と重複しない最前のタイミングに第１搬送処理の開始タイミングを設定する（ステップＳ２０７）。そして、ステップＳ２０４の処理に移行する。

また、ステップＳ２０４で、第２搬送処理が他のウェハＷの搬送処理と重複する場合（ステップＳ２０４，Ｎｏ）、制御部６１は、第２搬送処理が他のウェハＷの搬送処理と重複しない最前のタイミングに第１搬送処理の開始タイミングを設定する（ステップＳ２０８）。そして、ステップＳ２０２の処理に戻る。

実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、複数の第１処理部（液処理ユニット１７）と、複数の第２処理部（乾燥ユニット１８）と、搬送部（搬送装置１６）と、制御部６１とを備える。複数の第１処理部は、基板（ウェハＷ）に第１処理（洗浄処理）を施す。複数の第２処理部は、第１処理が施された基板に第２処理（超臨界乾燥処理）を施す。搬送部は、複数の第１処理部および複数の第２処理部に共通に基板を搬送する。制御部６１は、複数の第１処理部、複数の第２処理部および搬送部を制御する。制御部６１は、第２搬送処理のタイミングと他の基板が搬送部で搬送されるタイミングとが重複しないように、第１搬送処理の開始タイミングを制御する。なお、第１搬送処理とは基板が第１処理部に搬送される処理のことであり、第２搬送処理とは第１処理された後に液膜が形成された基板が第１処理部から第２処理部に搬送される処理のことである。これにより、表面に液膜が形成されたウェハＷを搬送する際に、搬送時間がばらつくことを抑制することができる。

また、実施形態に係る基板処理装置において、制御部６１は、基板（ウェハＷ）の第１搬送処理および第２搬送処理のいずれもが、他の基板が搬送部で搬送されるタイミングと重複しない最前のタイミングに、基板の第１搬送処理の開始タイミングを設定する。これにより、基板処理システム１におけるウェハＷのスループットを向上させることができる。

また、実施形態に係る基板処理装置において、第１処理は洗浄処理であり、第２処理は液膜が形成された基板（ウェハＷ）を超臨界流体と接触させて基板を乾燥させる処理（超臨界乾燥処理）である。これにより、乾燥処理の際にウェハＷのパターンが倒れることを抑制することができる。

実施形態に係る基板処理方法は、第１搬送処理と、第２搬送処理と、第３搬送処理と、を含む。第１搬送処理は、第１処理（洗浄処理）を施す複数の第１処理部（液処理ユニット１７）のいずれか一つに基板（ウェハＷ）を搬入する。第２搬送処理は、第２処理（超臨界乾燥処理）を施す複数の第２処理部（乾燥ユニット１８）のいずれか一つに第１処理部から基板を搬送する。第３搬送処理は、第２処理部から基板を搬出する。そして、第１処理された後に液膜が形成された基板が第２搬送処理されるタイミングと、他の基板が搬送されるタイミングとが重複しないように、基板の第１搬送処理の開始タイミングを制御する。これにより、表面に液膜が形成されたウェハＷを搬送する際に、搬送時間がばらつくことを抑制することができる。

＜変形例＞
つづいては、実施形態の各種変形例について、図１３〜図１６を参照しながら説明する。図１３は、実施形態の変形例１に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理の手順を説明するためのタイミングチャートである。なお、以下に示す各種変形例では、２組の液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８がそれぞれペアになって連続的に基板処理を行う場合について示す。

図１３に示すように、複数のウェハＷがすべて同じ処理レシピに基づいて処理される場合、制御部６１は、処理中のウェハＷの搬送処理がすべて重複しない一定の間隔Ｉ１を算出し、かかる一定の間隔Ｉ１ごとにウェハＷの第１搬送処理を開始すればよい。

たとえば、制御部６１は、ウェハＷの処理レシピにおける第１搬送処理、第２搬送処理および第３搬送処理の処理時間と、洗浄処理、液膜形成処理、および超臨界乾燥処理の処理時間とに基づいて、上述の一定の間隔Ｉ１を算出することができる。

これにより、ウェハＷをどれだけ連続して処理したとしても、複数ペアの液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８と受渡部１４との間を共通の搬送装置１６で複数のウェハＷの搬送を行う場合に、各ウェハＷの搬送処理が重複することを抑制することができる。

すなわち、液膜形成処理されたウェハＷが第２搬送処理されるタイミングで他のウェハＷが搬送装置１６で搬送処理されることを抑制することができる。したがって、変形例１によれば、表面に液膜が形成されたウェハＷを搬送する際に、搬送時間がばらつくことを抑制することができる。

図１４は、実施形態の変形例２に係る前待機処理および後待機処理の追加処理を説明するための図である。図１４の（ａ）に示すように、処理時間がそれぞれ異なる処理レシピＡと処理レシピＢとを混在させながら複数のウェハＷを連続して処理する場合、このままでは変形例１のように一定の間隔Ｉ１を算出することができない。

そこで、変形例２では、図１４の（ｂ）に示すように、処理レシピＡおよび処理レシピＢにそれぞれ前待機処理および後待機処理の追加処理を行う。最初に、使用予定のすべての処理レシピ（ここでは処理レシピＡおよび処理レシピＢ）のうち、最も処理時間の長い基板処理（ここでは処理レシピＡの超臨界乾燥処理）を求める。

次に、求められた最長の基板処理の処理時間に合わせるように、すべての処理レシピの洗浄処理および液膜形成処理（ＳＰＩＮ）の前に前待機処理を追加し、すべての処理レシピの超臨界乾燥処理（ＳＣＣ）の後に後待機処理を追加する。これにより、図１４の（ｂ）に示すように、異なる処理時間の処理レシピＡおよび処理レシピＢを実質的に同じ処理時間の処理レシピＡ２および処理レシピＢ２に変更することができる。

したがって、変形例２では、図１５に示すように、変形例１と同様に処理中のウェハＷの搬送処理がすべて重複しない一定の間隔Ｉ２を算出し、かかる一定の間隔Ｉ２ごとにウェハＷの第１搬送処理を開始することができる。

これにより、液膜形成処理されたウェハＷが第２搬送処理されるタイミングで他のウェハＷが搬送装置１６で搬送処理されることを抑制することができる。したがって、変形例２によれば、表面に液膜が形成されたウェハＷを搬送する際に、搬送時間がばらつくことを抑制することができる。

なお、洗浄処理および液膜形成処理の前に前待機処理を追加したとしても、洗浄処理される前のウェハＷが液処理ユニット１７内で待機しているだけであることから、かかる前待機処理がウェハＷに与える影響は小さい。

また、超臨界乾燥処理の後に後待機処理を追加したとしても、超臨界乾燥処理が完了したウェハＷが乾燥ユニット１８内で待機しているだけであることから、かかる後待機処理がウェハＷに与える影響は小さい。

また、変形例２では、図１５に示すように、対象となるウェハＷ（たとえばウェハＷ１）の第３搬送処理の直後に、２枚後のウェハＷ（ここではウェハＷ３）の第２搬送処理を行うとよい。さらに、変形例２では、かかる２枚後のウェハＷ（ここではウェハＷ３）の第２搬送処理の直後に、さらに２枚後のウェハＷ（ここではウェハＷ５）の第１搬送処理を行うとよい。

このように、異なるウェハＷの搬送処理を連続して行うことにより、搬送装置１６の余分な待機時間が少なくなることから、基板処理システム１におけるウェハＷのスループットを向上させることができる。

図１６は、実施形態の変形例１および変形例２に係る第１搬送処理の開始タイミング設定処理の手順を示すフローチャートである。最初に、制御部６１は、実施予定の処理レシピの中に異なる処理レシピが混在していないか否かを判定する（ステップＳ３０１）。

そして、異なる処理レシピが混在していない場合（ステップＳ３０１，Ｙｅｓ）、制御部６１は、対象となるウェハＷにおけるすべての搬送処理と他のウェハＷの搬送処理とが重複しない一定の間隔を算出する（ステップＳ３０２）。

次に、制御部６１は、算出された一定の間隔ごとに第１搬送処理が開始されるように、ウェハＷの第１搬送処理の開始タイミングを設定する（ステップＳ３０３）。最後に、制御部６１は、設定された開始タイミングでウェハＷの搬送を開始し（ステップＳ３０４）、処理を終了する。

一方、ステップＳ３０１で、異なる処理レシピが混在する場合（ステップＳ３０１，Ｎｏ）、制御部６１は、異なる処理レシピの中で最長の基板処理の処理時間に合わせるように、すべての処理レシピに前待機処理および後待機処理を追加する（ステップＳ３０５）。そして、ステップＳ３０２の処理に移行する。

変形例に係る基板処理装置において、制御部６１は、すべての搬送処理の処理時間と、すべての基板処理の処理時間とに基づいて、基板（ウェハＷ）のすべての搬送処理のタイミングと、他の基板が搬送部で搬送されるタイミングとが重複しない一定の間隔を算出する。なお、かかるすべての搬送処理とは、第１搬送処理、第２搬送処理および第３搬送処理のことであり、かかるすべての基板処理とは、第１処理（洗浄処理）および第２処理（乾燥処理）のことである。そして、制御部６１は、算出された一定の間隔ごとに第１搬送処理が開始されるように基板の前記第１搬送処理の開始タイミングを設定する。これにより、ウェハＷをどれだけ連続して処理したとしても、複数ペアの液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８と受渡部１４との間を共通の搬送装置１６で複数のウェハＷの搬送を行う場合に、各ウェハＷの搬送処理が重複することを抑制することができる。

また、変形例に係る基板処理装置において、制御部６１は、基板（ウェハＷ）に応じて異なる処理レシピがあらかじめ設定されている場合に、複数の第１処理および第２処理のうちもっとも長い処理時間に合わせるように、第１処理の前に前待機処理を追加する。さらに、制御部６１は、第２処理の後に後待機処理を追加する。これにより、異なる処理レシピが混在している場合にも、処理中のウェハＷの搬送処理がすべて重複しない一定の間隔Ｉ２を算出し、かかる一定の間隔Ｉ２ごとにウェハＷの第１搬送処理を開始することができる。

以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、搬送装置１６が１つ設けられる基板処理システム１について示したが、搬送装置１６の数は１つに限られず、複数ペアの液処理ユニット１７および乾燥ユニット１８ごとに共通に設けられれば、搬送装置１６は複数であってもよい。

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
１４ 受渡部
１６ 搬送装置（搬送部の一例）
１７ 液処理ユニット（第１処理部の一例）
１８ 乾燥ユニット（第２処理部の一例）
６１ 制御部

Claims (7)

1. 基板に第１処理を施す複数の第１処理部と、
   前記第１処理が施された前記基板に第２処理を施す複数の第２処理部と、
   前記複数の第１処理部および前記複数の第２処理部に共通に前記基板を搬送する搬送部と、
   前記複数の第１処理部、前記複数の第２処理部および前記搬送部を制御する制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、
   前記第１処理された後に液膜が形成された前記基板が前記第１処理部から前記第２処理部に搬送される第２搬送処理のタイミングと、他の前記基板が前記搬送部で搬送されるタイミングとが重複しないように、前記基板が前記第１処理部に搬送される第１搬送処理の開始タイミングを制御する
   基板処理装置。
2. 前記制御部は、前記基板の前記第１搬送処理および前記第２搬送処理のいずれもが、他の前記基板が前記搬送部で搬送されるタイミングと重複しない最前のタイミングに、前記基板の前記第１搬送処理の開始タイミングを設定する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記制御部は、前記第１搬送処理の処理時間と、前記第１処理の処理時間と、前記第２搬送処理の処理時間と、前記第２処理の処理時間と、前記第２処理部から前記基板を搬出する第３搬送処理の処理時間とに基づいて、前記基板の前記第１搬送処理、前記第２搬送処理および前記第３搬送処理のタイミングと、他の前記基板が前記搬送部で搬送されるタイミングとが重複しない一定の間隔を算出し、
   算出された一定の間隔ごとに前記第１搬送処理が開始されるように前記基板の前記第１搬送処理の開始タイミングを設定する、請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、前記基板に応じて異なる処理レシピがあらかじめ設定されている場合に、複数の前記第１処理および前記第２処理のうちもっとも長い処理時間に合わせるように、すべての前記処理レシピの前記第１処理の前に前待機処理を追加し、前記第２処理の後に後待機処理を追加する、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記第１処理は洗浄処理であり、前記第２処理は前記液膜が形成された前記基板を超臨界流体と接触させて前記基板を乾燥させる処理である、請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
6. 第１処理を施す複数の第１処理部のいずれか一つに基板を搬入する第１搬送処理と、
   第２処理を施す複数の第２処理部のいずれか一つに前記第１処理部から前記基板を搬送する第２搬送処理と、
   前記第２処理部から前記基板を搬出する第３搬送処理と、
   を含み、
   前記第１処理された後に液膜が形成された前記基板が前記第２搬送処理されるタイミングと、他の前記基板が搬送されるタイミングとが重複しないように、前記基板の前記第１搬送処理の開始タイミングを制御する
   基板処理方法。
7. 請求項６に記載の基板処理方法をコンピュータに実行させる、プログラムを記憶した記憶媒体。

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