JP2020165902A - 検査装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】検査装置の徒な大型化、及び、検査速度の徒な低速化を招来することなく、異なる環境におけるデバイスの試験を効率的に実施することができる検査装置を実現する。【解決手段】検査装置（１）は、第１のインデックステーブル（１１）と、第２のインデックステーブル（１２）と、第１のインデックステーブル（１１）と第２のインデックステーブル（１２）との間でデバイスを移載するアーム（１３）と、を備えている。第１のインデックステーブル（１１）においては、室温環境における試験が実施され、第２のインデックステーブル（１２）においては、高温環境における試験が実施される。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体デバイスなどのデバイスの検査を行う検査装置に関する。特に、条件の異なる２つ以上の環境の各々においてデバイスの検査を行う検査装置に関する。
半導体デバイスの検査では、静特性試験及び同特性試験の各々を実施することが求められることがある。特許文献１には、このような試験を行う検査装置が開示されている。また、半導体デバイスの検査では、室温環境及び高温環境の各々について試験を実施することが求められることがある。特許文献２〜３には、このような試験を行う検査装置が開示されている。
特開２０１６−２０６１５０号 特開昭５８−３９０２１号 特開平４−２３４４６号
室温環境及び高温環境の各々において、半導体デバイスの静特性試験及び動特性試験を実施する場合、半導体デバイスの搬送経路Ｑは、例えば図９のように構成される。
図９に示す搬送経路Ｑを用いることにより、（１）室温環境における動特性試験、（２）高温環境における動特性試験、（３）高温環境における静特性試験、（４）室温環境における静特性試験を、この順に実施することができる。図９に示す搬送経路Ｑにおいては、半導体デバイスが以下のように搬送される。
まず、未検査の半導体デバイスが、ポジションＱ１１において、第１のシャトルテーブル５１に供給される。
続いて、半導体デバイスは、第１のシャトルテーブル５１によって、テーブル内搬送経路Ｑ１に沿って、（１）ポジションＱ１１からポジションＱ１２へと搬送され、（２）ポジションＱ１２からポジションＱ１１へと搬送される。室温環境における動特性試験は、ポジションＱ１２において実施される。
その後、半導体デバイスは、第１のアーム５５によって、テーブル間搬送経路Ｑ５に沿って、第１のシャトルテーブル５１から第２のシャトルテーブル５２へと移載される。
続いて、半導体デバイスは、第２のシャトルテーブル５２によって、テーブル内搬送経路Ｑ２に沿って、（１）ポジションＱ２１からポジションＱ２２へと搬送され、（２）ポジションＱ２２からポジションＱ２１へと搬送される。高温環境における動特性試験は、ポジションＱ２２において実施される。
その後、半導体デバイスは、第２のアーム５６によって、テーブル間搬送経路Ｑ６に沿って、第２のシャトルテーブル５２から第３のシャトルテーブル５３へと移載される。
続いて、半導体デバイスは、第３のシャトルテーブル５３によって、テーブル内搬送経路Ｑ３に沿って、（１）ポジションＱ３１からポジションＱ３２へと搬送され、（２）ポジションＱ３２からポジションＱ３１へと搬送される。高温環境における静特性試験は、ポジションＱ３２において実施される。
その後、半導体デバイスは、第３のアーム５７によって、テーブル間搬送経路Ｑ７に沿って、第３のシャトルテーブル５３から第４のシャトルテーブル５４へと移載される。
続いて、半導体デバイスは、第４のシャトルテーブル５４によって、テーブル内搬送経路Ｑ４に沿って、（１）ポジションＱ４１からポジションＱ４２へと搬送され、（２）ポジションＱ４２からポジションＱ４１へと搬送される。室温環境における静特性試験は、ポジションＱ４２において実施される。
最後に、検査済の半導体デバイスが、ポジションＱ４１において、第４のシャトルテーブル５４から回収される。
以上のように構成された搬送経路Ｑは、テーブル間搬送経路Ｑ５〜Ｑ７を含んでいる。室温試験ステーションとして機能するシャトルテーブル５１，５４と高温試験ステーションとして機能するシャトルテーブル５２，５３とは、十分に離間させる必要がある。このため、テーブル間搬送経路Ｑ５〜Ｑ７の各々の経路長を、十分に長くする必要がある。したがって、検査装置の大型化、及び、検査速度の低速化が避けられない。特に、以上のように構成された搬送経路Ｑは、３つのテーブル間搬送経路Ｑ５〜Ｑ７を含んでいる。このため、検査装置の大型化、及び、検査速度の低速化がより深刻となる。
なお、ここでは、温度条件が異なる環境において試験を実施する場合に生じる問題について説明したが、温度条件以外の条件（例えば、湿度条件や雰囲気条件など）が異なる環境において試験を実施する場合にも、同様の問題が生じ得る。また、ここでは、半導体デバイスの試験を実施する場合に生じる問題について説明したが、半導体デバイス以外のデバイスの試験を実施する場合にも、同様の問題が生じ得る。すなわち、上記の問題は、任意の条件が異なる環境において任意のデバイスの試験を実施する際に生じ得る問題として一般化することができる。
本発明の一態様は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、検査装置の徒な大型化、及び、検査速度の徒な低速化を招来することなく、異なる環境におけるデバイスの試験を効率的に実施することができる検査装置を実現することを目的とする。
本発明の態様１に係る検査装置は、第１のインデックステーブルと、第２のインデックステーブルと、前記第１のインデックステーブルと前記第２のインデックステーブルとの間でデバイスを移載するデバイス移載動作を行うアームと、前記第１のインデックステーブルに載置されたデバイスに対して、第１の環境における試験を実施する第１の試験装置と、前記第２のインデックステーブルに載置されたデバイスに対して、前記第１の環境とは異なる第２の環境における試験を実施する第２の試験装置と、を備えている。
上記の態様によれば、デバイスの搬送にインデックステーブルを用いていることによって、テーブル間搬送経路を短く抑えると共に、テーブル間搬送（移載）回数を少なく抑えることができる。したがって、上記の態様によれば、検査装置の徒な大型化、及び、検査速度の徒な低速化を招来することなく、異なる環境におけるデバイスの試験を効率的に実施する検査装置を実現することができる。
本発明の態様２に係る検査装置においては、態様１に係る検査装置の構成に加えて、以下の構成が採用されている。すなわち、前記アームは、前記デバイス移載動作において、第１のポジションにおいて前記第１のインデックステーブルから取得したデバイスを、第２のポジションにおいて前記第２のインデックステーブルに載置し、前記第１のポジションは、前記第１のインデックステーブルによりデバイスが搬送される第１の搬送経路において、前記第２のインデックステーブルに最も近いポジションであり、前記第２のポジションは、前記第２のインデックステーブルによりデバイスが搬送される第２の搬送経路において、前記第１のインデックステーブルに最も近いポジションである、という構成が採用されている。
上記の態様によれば、テーブル間搬送距離を最小化することができる。したがって、上記の態様によれば、より小型、且つ、より高速な検査装置を実現することができる。
本発明の態様３に係る検査装置においては、態様２に係る検査装置の構成に加えて、以下の構成が採用されている。すなわち、前記アームは、前記デバイス移載動作において、前記第１のポジションにおいて前記第１のインデックステーブルから取得したデバイスを、前記第２のインデックステーブルに載置するのと同時に、前記第２のポジションにおいて前記第２のインデックステーブルから取得したデバイスを、前記第１のインデックステーブルに載置する、という構成が採用されている。
上記の態様によれば、第１のインデックステーブルから第２のインデックステーブルへのデバイスの移載と第２のインデックステーブルから第１のインデックステーブルへのデバイスの移載とを同時に実施することができる。したがって、上記の態様によれば、より小型、且つ、より高速な検査装置を実現することができる。
本発明の第４の態様に係る検査装置は、態様１〜３に係る検査装置の構成に加えて、以下の構成が採用されている。すなわち、前記第２のインデックステーブルに載置されたデバイスに対して、前記第２の環境における試験を実施する第３の試験装置と、前記第１のインデックステーブルに載置されたデバイスに対して、前記第１の環境における試験を実施する第４の試験装置と、を更に備えている、構成が採用されている。
上記の態様によれば、第１の環境及び第２の環境の各々において２種類の試験を効率的に実施することができる。
本発明の第５の態様に係る検査装置は、態様４に係る検査装置の構成に加えて、以下の構成が採用されている。すなわち、前記第１の試験装置及び前記第４の試験装置の一方は、動特性試験を実施し、他方は、静特性試験を実施し、前記第２の試験装置及び前記第３の試験装置の一方は、動特性試験を実施し、他方は、静特性試験を実施する、構成が採用されている。
上記の態様によれば、第１の環境及び第２の環境の各々において動特性試験及び静特性試験の各々を効率的に実施することができる。
本発明の第６の態様に係る検査装置は、態様１〜５に係る検査装置の構成に加えて、以下の構成が採用されている。すなわち、前記第１の環境及び前記第２の環境の一方は、室温環境であり、他方は、前記室温環境よりも温度の高い高温環境である、構成が採用されている。
上記の態様によれば、室温環境及び高温環境の各々において動特性試験及び静特性試験の各々を効率的に実施することができる。
本発明の第７の態様に係る検査装置は、態様６に係る検査装置の構成に加えて、以下の構成が採用されている。すなわち、前記第１のインデックステーブル及び前記第２のインデックステーブルのうち、前記高温環境における試験が実施される方のインデックステーブルには、前記高温環境を実現するためのヒータが内蔵されている、構成が採用されている。
上記の態様によれば、デバイスを加熱する機構を別途設けることなく、高温環境における試験を実施することができる。
本発明の第８の態様に係る検査装置は、態様１〜７に係る検査装置の構成に加えて、前記デバイスは、半導体デバイスである、構成が採用されている。
上記の態様によれば、検査装置の徒な大型化、及び、検査速度の徒な低速化を招来することなく、異なる環境における半導体デバイスの試験を効率的に実施する検査装置を実現することができる。
本発明の一態様によれば、検査装置の徒な大型化、及び、検査速度の徒な低速化を招来することなく、異なる環境におけるデバイスの試験を効率的に実施する検査装置を実現することができる。
本発明の一実施形態に係る検査装置の概略構成を示す斜視図である。 図１の検査装置における半導体デバイスの搬送経路を示す平面図である。 図１の検査装置を用いた半導体デバイスの検査方法の流れを示すフロー図である。 （ａ）は、図１の検査装置が備える第１のインデックステーブルの平面図であり、（ｂ）は、その部分断面図である。（ｃ）は、図１の検査装置が備える第２のインデックステーブルの平面図であり、（ｄ）は、その部分断面図である。 （ａ）は、図１の検査装置が備えるアームの平面図である。（ｂ）は、そのアームが備えるデバイス吸着ヘッドの側面図であり、（ｃ）は、そのアームが備えるマウント吸着ヘッドの側面図である。 図１の検査装置が備える第１のインデックステーブルに装着されたマウントの交換方法の流れを示す模式図である。 図１の検査装置が備える第２のインデックステーブルに装着されたマウントの交換方法の流れを示す模式図である。 本発明の参考形態に係る検査装置における半導体デバイスの搬送経路を示す平面図である。 比較例に係る検査装置における半導体デバイスの搬送経路を示す平面図である。
〔検査装置の概略構成〕
本発明の一実施形態に係る検査装置１の概略構成について、図１を参照して説明する。図１は、検査装置１の概略構成を示す斜視図である。
検査装置１は、半導体デバイス（特許請求の範囲における「デバイス」の一例）の室温環境（特許請求の範囲における「第１の環境」の一例）及び高温環境（特許請求の範囲における「第２の環境」の一例）における静特性試験及び動特性試験を実施するための装置である。ここで、高温環境とは、室温環境よりも温度の高い環境のことを指す。
図１に示すように、検査装置１は、第１のインデックステーブル１１と、第２のインデックステーブル１２と、アーム１３と、マウント回収／供給ユニット１４と、第１の試験装置１５と、第２の試験装置１６と、第３の試験装置１７と、第４の試験装置１８と、を備えている。
第１のインデックステーブル１１は、載置された半導体デバイスを円状のテーブル内搬送経路Ｐ１に沿って搬送するための装置である。テーブル内搬送経路Ｐ１は、特許請求の範囲における「第１の搬送経路」の一例である。第１のインデックステーブル１１には、交換可能なマウントを介してデバイスを載置するデバイス載置領域が設けられている。テーブル内搬送経路Ｐ１上には、４つのポジションＰ１１〜Ｐ１４が等間隔に設定されている。特に、第３のポジションＰ１３は、テーブル内搬送経路Ｐ１において第２のインデックステーブル１２に最も近い位置に設定されている。第１のインデックステーブル１１は、上面視時計回りに９０°回転することによって、（１）第１のポジションＰ１１にある半導体デバイスを第２のポジションＰ１２に搬送し、（２）第２のポジションＰ１２にある半導体デバイスを第３のポジションＰ１３に搬送し、（３）第３のポジションＰ１３にある半導体デバイスを第４のポジションＰ１４に搬送し、（４）第４のポジションＰ１４にある半導体デバイスを第１のポジションＰ１１に搬送する。なお、テーブル内搬送経路Ｐ１上の第３のポジションＰ１３は、特許請求の範囲における「第１のポジション」の一例である。
本実施形態において、第１のインデックステーブル１１は、室温環境における静特性試験及び動特性試験を実施するための室温試験ステーションとして機能する。室温環境の例としては、半導体デバイスの温度を２０℃以上３０℃以下にすることが可能な環境が挙げられる。検査装置１は、多くの場合クリーンルーム内に設置されている。クリーンルーム内の室温は、一例として２５℃に設定されており、実際の室温は、多くの場合２０℃以上３０℃以下になっている。その結果、第１のインデックステーブル１１に載置された半導体デバイスの温度も２０℃以上３０℃以下となる。第１のインデックステーブル１１の詳細については、参照する図面を代えて後述する。
第２のインデックステーブル１２は、載置された半導体デバイスを円状のテーブル内搬送経路Ｐ２に沿って搬送するための装置である。テーブル内搬送経路Ｐ２は、特許請求の範囲における「第２の搬送経路」の一例である。第２のインデックステーブル１２には、交換可能なマウントを介してデバイスを載置するデバイス載置領域と、予備マウントを載置するマウント載置領域とが設けられている。テーブル内搬送経路Ｐ２上には、４つのポジションＰ２１〜Ｐ２４が設定されている。特に、第１のポジションＰ２１は、テーブル内搬送経路Ｐ２において第１のインデックステーブル１１に最も近い位置に設定されている。第２のインデックステーブル１２は、上面視時計回りに９０°回転することによって、（１）第１のポジションＰ２１にある半導体デバイスを第２のポジションＰ２２に搬送し、（２）第２のポジションＰ２２にある半導体デバイスを第３のポジションＰ２３に搬送し、（３）第３のポジションＰ２３にある半導体デバイスを第４のポジションＰ２４に搬送し、（４）第４のポジションＰ２４にある半導体デバイスを第１のポジションＰ１１に搬送する。なお、テーブル内搬送経路Ｐ２上の第１のポジションＰ２１は、特許請求の範囲における「第２のポジション」の一例である。
本実施形態において、第２のインデックステーブル１２は、高温環境における静特性試験及び動特性試験を実施するための高温試験ステーションとして機能する。高温環境の例としては、半導体デバイスの温度を５０℃以上３００℃以下にすることが可能な環境が挙げられる。第２のインデックステーブル１２の詳細については、参照する図面を代えて後述する。
アーム１３は、Ｔ字型の旋回アームであり、２つのデバイス吸着ヘッド１３ａ，１３ｂと、１つのマウント吸着ヘッドと１３ｃと、を有している。アーム１３は、２つのデバイス吸着ヘッドを用いてデバイス移載動作を行う。ここで、デバイス移載動作とは、２つのデバイス吸着ヘッド１３ａ〜１３ｂの一方を用いて、第１のインデックステーブル１１に載置された半導体デバイスを第２のインデックステーブル１２に移載するのと同時に、２つのデバイス吸着ヘッド１３ａ〜１３ｂの他方を用いて、第２のインデックステーブル１２に載置された半導体デバイスを第１のインデックステーブル１１に移載する動作のことを指す。また、アーム１３は、２つのデバイス吸着ヘッド１３ａ〜１３ｂの一方を用いて、デバイス回収動作を行う。ここで、デバイス回収動作とは、試験において不良品であることが判明したデバイスを、第１のインデックステーブル１１又は第２のインデックステーブル１２から回収する動作のことを指す。また、アーム１３は、マウント吸着ヘッド１３ｃを用いて、マウント回収動作を行う。ここで、マウント回収動作とは、試験において不良品であることが判明したデバイスを載置しているマウントを、第１のインデックステーブル１１又は第２のインデックステーブル１２から回収する動作のことを指す。また、アーム１３は、マウント吸着ヘッド１３ｃを用いて、マウント装着動作を行う。ここで、マウント装着動作とは、第２のインデックステーブル１２又は後述するマウント回収／供給ユニット１４から取得した予備マウントを、第１のインデックステーブル１１又は第２のインデックステーブル１２に装着する動作のことを指す。なお、アーム１３の詳細については、参照する図面を代えて後述する。
マウント回収／供給ユニット１４は、試験において不良品であることが判明したマウントを回収すると共に、そのマウントと交換する予備マウントを供給するためのユニットである。
第１の試験装置１５は、第１のインデックステーブル１１に載置された半導体デバイスに対して、室温環境における動特性試験を実施するための装置である。本実施形態において、第１の試験装置１５による半導体デバイスの動特性試験は、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第２のポジションＰ１２において行われる。
第２の試験装置１６は、第２のインデックステーブル１２に載置された半導体デバイスに対して、高温環境における動特性試験を実施するための装置である。本実施形態において、第２の試験装置１６による半導体デバイスの動特性試験は、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第２のポジションＰ２２において行われる。
第３の試験装置１７は、第２のインデックステーブル１２に載置された半導体デバイスに対して、高温環境における静特性試験を実施するための装置である。本実施形態において、第３の試験装置１７による半導体デバイスの静特性試験は、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第４のポジションＰ２４において行われる。
第４の試験装置１８は、第１のインデックステーブル１１に載置された半導体デバイスに対して、室温環境における静特性試験を実施するための装置である。本実施形態において、第４の試験装置１８による半導体デバイスの静特性試験は、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第４のポジションＰ１４において行われる。
なお、これらの試験装置１５〜１８は、公知の構成（例えば、特許文献１に開示された構成）により実現することができる。したがって、本明細書においては、試験装置１５〜１８の詳細についての説明を省略する。
〔半導体デバイスの搬送経路〕
検査装置１における半導体デバイスの搬送経路Ｐについて、図２を参照して説明する。図２は、搬送経路Ｐの構成を示す平面図である。
搬送経路Ｐは、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１と、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２と、テーブル間搬送経路Ｐ３とにより構成されている。第１のテーブル内搬送経路Ｐ１は、第１のインデックステーブル１１により半導体デバイスが搬送される搬送経路である。第２のテーブル内搬送経路Ｐ２は、第２のインデックステーブル１２により半導体デバイスが搬送される搬送経路である。テーブル間搬送経路Ｐ３は、アーム１３により半導体デバイスが搬送（移載）される搬送経路である。
検査装置１においては、半導体デバイスが、以下のように搬送される。
まず、未検査の半導体デバイスが、デバイス供給ユニット（図１において不図示）によって、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第１にポジションＰ１１に供給される。
続いて、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第１のポジションＰ１１に搬送された半導体デバイスは、第１のインデックステーブル１１によって第１のテーブル内搬送経路Ｐ１に沿って、（１）第１のポジションＰ１１から第２のポジションＰ１２へと搬送され、（２）第２のポジションＰ１２から第３のポジションＰ１３へと搬送される。
続いて、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第３のポジションＰ１３に搬送された半導体デバイスは、アーム１３によってテーブル間搬送経路Ｐ３に沿って、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１に搬送（移載）される。
続いて、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１に搬送された半導体デバイスは、第２のインデックステーブル１２によって第２のテーブル内搬送経路Ｐ２に沿って、（１）第１のポジションＰ２１から第２のポジションＰ２２に搬送され、（２）第２のポジションＰ２２から第３のポジションＰ２３に搬送され、（３）第３のポジションＰ２３から第４のポジションＰ２４に搬送され、（４）第４のポジションＰ２４から第１のポジションＰ２１に搬送される。
続いて、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第４のポジションＰ２４に搬送された半導体デバイスは、アーム１３によってテーブル間搬送経路Ｐ３に沿って、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第３のポジションＰ１３に搬送（移載）される。
続いて、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第３のポジションＰ１３に搬送された半導体デバイスは、第１のインデックステーブル１１によって第１のテーブル内搬送経路Ｐ１に沿って、（１）第３のポジションＰ１３から第４のポジションＰ１４へと搬送され、（２）第４のポジションＰ１４から第１のポジションＰ１１へと搬送される。
最後に、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第１のポジションＰ１１に搬送された検査済の半導体デバイスが、デバイス回収ユニット（図１において不図示）によって回収される。
検査装置１においては、以上のように搬送される半導体デバイスに対して、室温環境及び高温環境の各々において、動特性試験及び静特性試験の各々が実施される。まず、室温環境における動特性試験が、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第２のポジションＰ１２において試験装置１５によって実施される。次に、高温環境における動特性試験が、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第２のポジションＰ２２において第２の試験装置１６によって実施される。次に、高温環境における静特性試験が、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第４のポジションＰ２４において第３の試験装置１７によって実施される。最後に、室温環境における静特性試験が、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第４のポジションＰ１４において第４の試験装置１８によって実施される。
図２に示した搬送経路Ｐに含まれるテーブル間搬送経路は、テーブル間搬送経路Ｐ３のみである。また、このテーブル間搬送経路Ｐ３の長さは、シャトルテーブル間で半導体デバイスを移載するテーブル間搬送経路の長さと比べて短くすることができる。したがって、検査装置１の徒な大型化及び検査速度の徒な低速化を招来することなく、高温環境及び低温環境の各々において静特性試験及び動特性試験の各々を実施することができる。
なお、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第１のポジションＰ１１及び第３のポジションＰ１３、並びに、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１及び第３のポジションＰ２３において、画像検査を行ってもよい。例えば、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第１のポジションＰ１１における画像検査においては、不図示のカメラが、第１のインデックステーブル１１に載置された半導体デバイスを撮像する。そして、不図示のコントローラが、（１）撮像された画像に基づいて、半導体デバイスが実際に載置されている位置と予め定められた基準位置との差を算出し、（２）算出した差に基づいて、第１の試験装置１５のプローブ位置を調整する。これにより、半導体デバイスが基準位置から外れて第１のインデックステーブル１１に載置されていても、第１の試験装置１５による動特性試験を好適に実施することが可能になる。第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第３のポジションＰ２３、及び第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第３のポジションＰ１３においても同様の画像検査を行い、それぞれ、第２の試験装置１６、第３の試験装置１７、及び第４の試験装置１８のプローブ位置を調整すれば、同様の効果が得られる。
〔検査方法の流れ〕
検査装置１を用いた検査方法Ｓ１００の流れについて、図３を参照して説明する。図３は、検査方法Ｓ１００の流れを示すフロー図である。なお、図３においては、各半導体デバイスＤＵＴｉ（ｉ＝１，２，３，…）に対して順に適用される複数の工程を横に並べて示すと共に、複数の半導体デバイスＤＵＴ１，ＤＵＴ２，ＤＵＴ３，…に同時に適用される複数の工程を縦に並べて示している。
検査方法Ｓ１００は、上述した検査装置１を用いて半導体デバイスの室温環境及び高温環境における静特性及び動特性を試験するための検査方法である。図３に示すように、検査方法Ｓ１００は、供給／画像検査工程Ｓ１０１と、搬送工程Ｓ１０２と、室温ＡＣ試験工程Ｓ１０３と、搬送工程Ｓ１０４と、移載／画像検査工程Ｓ１０５と、搬送工程Ｓ１０６と、高温ＡＣ試験工程Ｓ１０７と、搬送工程Ｓ１０８と、画像検査工程Ｓ１０９と、搬送工程Ｓ１１０と、高温ＤＣ試験工程Ｓ１１１と、搬送工程Ｓ１１２と、移載／画像検査工程Ｓ１１３と、搬送工程Ｓ１１４と、室温ＤＣ試験工程Ｓ１１５と、搬送工程Ｓ１１６と、回収工程Ｓ１１７と、を含んでいる。
供給／画像検査工程Ｓ１０１は、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第１のポジションＰ１１において、デバイス供給ユニットを用いて半導体デバイスＤＵＴ１を供給する工程である。また、本工程においては、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第１のポジションＰ１１において、第１のインデックステーブル１１に載置された半導体デバイスＤＵＴ１に対する画像検査を行い、その結果に応じて第１の試験装置１５のプローブ位置を調整する。
搬送工程Ｓ１０２は、第１のインデックステーブル１１を９０°回転させることによって、第１のインデックステーブル１１に載置された半導体デバイスＤＵＴ１を、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１に沿って第１のポジションＰ１１から第２のポジションＰ１２へと搬送する工程である。
室温ＡＣ（動特性）試験工程Ｓ１０３は、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第２のポジションＰ１２に搬送された半導体デバイスＤＵＴ１に対して、第１の試験装置１５を用いて室温環境における動特性試験を実施する工程である。
搬送工程Ｓ１０４は、第１のインデックステーブル１１を９０°回転させることによって、第１のインデックステーブル１１に載置された半導体デバイスＤＵＴ１を、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１に沿って第２のポジションＰ１２から第３のポジションＰ１３へと搬送する工程である。
移載／画像検査工程Ｓ１０５は、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第３のポジションＰ１３に搬送された半導体デバイスＤＵＴ１を、アーム１３を用いて第２のインデックステーブル１２に移載する工程である。また、本工程においては、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１において、第２のインデックステーブル１２に移載された半導体デバイスＤＵＴ１に対する画像検査を行い、その結果に応じて第２の試験装置１６のプローブ位置を調整する。
搬送工程Ｓ１０６は、第２のインデックステーブル１２を９０°回転させることによって、第２のインデックステーブル１２に載置された半導体デバイスＤＵＴ１を、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２に沿って第１のポジションＰ２１から第２のポジションＰ２２に搬送する工程である。
高温ＡＣ試験工程Ｓ１０７は、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第２のポジションＰ２２に搬送された半導体デバイスＤＵＴ１に対して、第２の試験装置１６を用いて高温環境における動特性試験を実施する工程である。
搬送工程Ｓ１０８は、第２のインデックステーブル１２を９０°回転させることによって、第２のインデックステーブル１２に載置された半導体デバイスＤＵＴ１を、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２に沿って第２のポジションＰ２２から第３のポジションＰ２３に搬送する工程である。
画像検査工程Ｓ１０９は、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第３のポジションＰ２３において、第２のインデックステーブル１２に載置された半導体デバイスＤＵＴ１に対する画像検査を行い、その結果に応じて第３の試験装置１７のプローブ位置を調整する工程である。
搬送工程Ｓ１１０は、第２のインデックステーブル１２を９０°回転させることによって、第２のインデックステーブル１２に載置された半導体デバイスＤＵＴ１を、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２に沿って第３のポジションＰ２３から第４のポジションＰ２４に搬送する工程である。
高温ＤＣ（静特性）試験工程Ｓ１１１は、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第４のポジションＰ２４に搬送された半導体デバイスＤＵＴ１に対して、第３の試験装置１７を用いて高温環境における静特性試験を実施する工程である。
搬送工程Ｓ１１２は、第２のインデックステーブル１２を９０°回転させることによって、第２のインデックステーブル１２に載置された半導体デバイスＤＵＴ１を、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２に沿って第４のポジションＰ２４から第１のポジションＰ２１に搬送する工程である。
移載／画像検査工程Ｓ１１３は、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ１１に搬送された半導体デバイスＤＵＴ１を、アーム１３を用いて第１のインデックステーブル１１に移載する工程である。また、本工程においては、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第３のポジションＰ１３において、第１のインデックステーブル１１に移載された半導体デバイスＤＵＴ１に対する画像検査を行い、その結果に応じて第４の試験装置１８のプローブ位置を調整する。
搬送工程Ｓ１１４は、第１のインデックステーブル１１を９０°回転させることによって、第１のインデックステーブル１１に載置された半導体デバイスＤＵＴ１を、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１に沿って第３のポジションＰ１３から第４のポジションＰ１４に搬送する工程である。
室温ＤＣ試験工程Ｓ１１５は、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第４のポジションＰ２４に搬送された半導体デバイスＤＵＴ１に対して、第４の試験装置１８を用いて室温環境における静特性試験を実施する工程である。
搬送工程Ｓ１１６は、第１のインデックステーブル１１を９０°回転させることによって、第１のインデックステーブル１１に載置された半導体デバイスＤＵＴ１を、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１に沿って第４のポジションＰ１４から第１のポジションＰ１１に搬送する工程である。
回収工程Ｓ１１７は、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第１のポジションＰ１１において、デバイス回収ユニットを用いて半導体デバイスＤＵＴ１を回収する工程である。
なお、上述した工程Ｓ１０１〜Ｓ１１７は、複数の半導体デバイスＤＵＴ１，ＤＵＴ２，ＤＵＴ３，…に対して同時並列的に実施される。例えば、１番目の半導体デバイスＤＵＴ１に対する移載／画像検査工程Ｓ１０５を実施するのと同時に、２番目の半導体デバイスＤＵＴ２に対する室温ＡＣ試験工程Ｓ１０３が実施され、３番目の半導体デバイスＤＵＴ３に対する供給／画像検査工程Ｓ１０１が実施される。また、１番目の半導体デバイスＤＵＴ１に対する搬送工程Ｓ１０６を実施するのと同時に、２番目の半導体デバイスＤＵＴ２に対する搬送工程Ｓ１０４が実施され、３番目の半導体デバイスＤＵＴ３に対する搬送工程Ｓ１０２が実施される。
〔インデックステーブルの構成〕
検査装置１が備える第１のインデックステーブル１１及び第２のインデックステーブル１２の構成について、図４を参照して説明する。図４において、（ａ）は、第１のインデックステーブルの部分平面図であり、（ｂ）は、第１のインデックステーブル１１の部分断面図であり、（ｃ）は、第２のインデックステーブル１２の部分平面図であり、（ｄ）は、第２のインデックステーブル１２の部分断面図である。
図４の（ｂ）に示すように、第１のインデックステーブル１１は、耐熱絶縁樹脂板１１１、セラミックス板１１２、及びステージブロック１１３を、この順に積層することにより構成されている。図４の（ａ）及び（ｂ）に示すように、ステージブロック１１３の上面には、デバイス載置領域ＡＤとして機能する凹部１１３ａが設けられている。この凹部１１３ａには、マウントＭが装着され、半導体デバイスＤＵＴは、このマウントＭ上に載置される。マウントＭは、熱伝導性及び電気伝導性を有する材料(例えば、金属)により構成された板状の部材である。また、ステージブロック１１３の内部には、凹部１１３ａにおいて一端が解放され、マウントＭに設けられた貫通孔と連通する給排気路１１３ｂが設けられている。この給排気路１１３ｂは、半導体デバイスＤＵＴをマウントＭに吸着するためのエア、及び、半導体デバイスＤＵＴをマウントＭから浮上させるためのエアの流路として利用される。
図４の（ｃ）に示すように、第２のインデックステーブル１２は、耐熱絶縁樹脂板１２１、ヒータブロック１２４、セラミック板１２２、及びステージブロック１２３を、この順に積層することによって構成されている。図４の（ｃ）及び（ｄ）に示すように、ステージブロック１２３の上面には、デバイス載置領域ＡＤとして機能する凹部１２３ａが設けられている。この凹部１２３ａには、マウントＭが装着され、半導体デバイスＤＵＴは、このマウントＭ上に載置される。マウントＭは、熱伝導性及び電気伝導性を有する材料(例えば、金属)により構成された板状の部材である。また、ステージブロック１１３の内部には、凹部１１３ａにおいて一端が解放され、マウントＭに設けられた貫通孔と連通する給排気路１１３ｂが設けられている。この給排気路１１３ｂは、半導体デバイスＤＵＴをマウントＭに吸着するためのエア、及び、半導体デバイスＤＵＴをマウントＭから浮上させるためのエアの流路として利用される。
ステージブロック１２３の上面には、更に、マウント載置領域ＡＭとして機能する凹部が設けられている。この凹部には、予備マウントＭ’が装着される。予備マウントＭ’のサイズ及び材質は、マウントＭのサイズ及び材質と同一であり、マウントＭと予備マウントＭ’とは、交換可能である。
第２のインデックステーブル１２に内蔵されたヒータブロック１２４は、デバイス載置領域ＡＤに載置された半導体デバイスＤＵＴの加熱に利用される。これにより、外部の熱源を利用することなく、半導体デバイスＤＵＴの高温環境における試験を実施することが可能になる。また、第２のインデックステーブル１２に内蔵されたヒータブロック１２４は、マウント載置領域ＡＭに載置された予備マウントＭ’の加熱にも利用される。これにより、外部の熱源を利用することなく、予備マウントＭ’を高温に保つことが可能になる。すなわち、マウントＭの交換が必要になったときに、予備マウントＭ’が高温に達するまで待機することなく、予備マウントＭ’と交換することが可能になる。
〔アームの構成〕
検査装置１が備えるアーム１３の構成について、図５を参照して説明する。図５において、（ａ）は、アーム１３の平面図であり、（ｂ）は、アーム１３備えるデバイス吸着ヘッド１３ａ，１３ｂの側面図であり、（ｃ）は、アーム１３が備えるマウント吸着ヘッド１３ｃの側面図である。
図５の（ａ）に示すように、アーム１３は、３つの直線部１３Ａ〜１３Ｃを組み合わせたＴ字型の平面形状を有している。第１のデバイス吸着ヘッド１３ａは、アーム１３の回転中心から第１の方向に延びる第１の直線部１３Ａの先端裏面に取り付けられている。第２のデバイス吸着ヘッド１３ｂは、アーム１３の回転中心から、第１の方向と反対方向に延びる第２の直線部１３Ｂの先端裏面に取り付けられている。マウント吸着ヘッド１３ｃは、アーム１３の回転中心から、第１の方向及び第２の方向の両方に直交する第３の方向に延びる第３の直線部１３Ｃの先端裏面に取り付けられている。
デバイス吸着ヘッド１３ａ，１３ｂは、図５の（ｂ）に示すように、半導体デバイスの吸着に適した構造を有している。マウント吸着ヘッド１３ｃは、図５の（ｃ）に示すように、マウントの吸着に適した構造を有している。デバイス吸着ヘッド１３ａ，１３ｂ及びマウント吸着ヘッド１３ｃとしては、公知の吸着パッドを利用することができるので、ここでは、その構造の詳細な説明を割愛する。
なお、アーム１３は、十字型に構成することも可能である。この場合、アーム１３の第４の直線部の先端裏面には、更なるヘッドを取り付けることができる。
更なるヘッドとしては、例えば、第３のデバイス吸着ヘッドを挙げることができる。この場合、第１のデバイス吸着ヘッド１３ａ及び第２のデバイス吸着ヘッド１３ｂをデバイス移載置に利用し、第３のデバイス吸着ヘッドをデバイス回収動作に利用することが考えられる。これにより、デバイス回収動作においてダメージを受ける可能性のある第３のデバイス吸着ヘッドを利用してデバイス移載動作を行う必要がなくなる。
また、更なるヘッドとしては、例えば、送風ヘッドを挙げることができる。この場合、送風ヘッドから送風されるエアを用いて、例えば、マウントに付着した異物を除去することが可能になる。
〔第１のインデックステーブルにおけるマウント交換方法〕
検査装置１は、室温環境にて実施される試験において、あるマウントＭを介して第１のインデックステーブル１１のデバイス載置領域ＡＤに載置された半導体デバイスＤＵＴが不良品であることが判明したときに、そのマウントＭをマウント回収／供給ユニット１４より供給された予備マウントＭ’と交換する機能を有している。このマウント交換方法Ｓ２００の流れについて、図６を参照して説明する。図６は、マウント交換方法Ｓ２００の流れを示す模式図である。
マウント交換方法Ｓ２００は、図６に示すように、旋回ステップＳ２０１と、デバイス吸着ステップＳ２０２と、旋回ステップＳ２０３と、マウント吸着／デバイス吸着解除ステップＳ２０４と、旋回ステップＳ２０５と、マウント吸着解除ステップＳ２０６と、予備マウント吸着ステップＳ２０７と、旋回ステップＳ２０８と、予備マウント吸着解除ステップＳ２０９と、を含んでいる。これらのステップＳ２０１〜Ｓ２０９は、デバイス載置領域ＡＤが第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第３のポジションＰ１３に配置された状態で実施される。
旋回ステップＳ２０１は、デバイス吸着ヘッド１３ａが第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第３のポジションＰ１３に配置されるように、アーム１３が旋回するステップである。
デバイス吸着ステップＳ２０２は、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第３のポジションＰ１３においてデバイス吸着ヘッド１３ａにより半導体デバイスＤＵＴを吸着するステップである。
旋回ステップＳ２０３は、デバイス吸着ヘッド１３ａが所定のポジションＰ０に配置され、且つ、マウント吸着ヘッド１３ｃが第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第３のポジションＰ１３に配置されるように、アーム１３が旋回するステップである。
マウント吸着／デバイス吸着解除ステップＳ２０４は、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第３のポジションＰ１３においてマウント吸着ヘッド１３ｃによりマウントＭを吸着すると共に、所定のポジションＰ０においてデバイス吸着ヘッド１３ａによる半導体デバイスＤＵＴの吸着を解除するステップである。なお、所定のポジションＰ０には、デバイス回収トレイが配置されており、半導体デバイスＤＵＴは、このデバイス回収トレイに収容される。
旋回ステップＳ２０５は、マウント吸着ヘッド１３ｃが前記所定のポジションＰ０に配置されるように、アーム１３が旋回するステップである。
マウント吸着解除ステップＳ２０６は、所定のポジションＰ０においてマウント吸着ヘッド１３ｃによるマウントＭの吸着を解除するステップである。なお、所定のポジションＰ０には、マウント回収／供給ユニット１４が配置されており、マウントＭは、このマウント回収／供給ユニット１４により回収される。
以上のステップＳ２０１〜ステップＳ２０６によって、半導体デバイスＤＵＴを第１のインデックステーブル１１から回収するデバイス回収動作、及び、マウントＭを第１のインデックステーブル１１から回収するマウント回収動作が実現される。
予備マウント吸着ステップＳ２０７は、所定のポジションＰ０においてマウント吸着ヘッド１３ｃが予備マウントＭ’を吸着するステップである。なお、所定のポジションＰ０には、マウント回収／供給ユニット１４が配置されており、予備マウントＭ’は、このマウント回収／供給ユニット１４により供給される。
旋回ステップＳ２０８は、マウント吸着ヘッド１３ｃが第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第３のポジションＰ１３に配置されるように、アーム１３が旋回するステップである。
予備マウント吸着解除ステップＳ２０９は、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の第３のポジションＰ１３においてマウント吸着ヘッド１３ｃが予備マウントＭ’の吸着を解除するステップである。
以上のステップＳ２０７〜Ｓ２０９によって、第１のインデックステーブル１１に予備マウントＭ’を装着する予備マウント装着動作が実現される。
〔第２のインデックステーブルにおけるマウント交換方法〕
検査装置１は、高温環境にて実施される試験において、あるマウントＭを介して第２のインデックステーブル１２のデバイス載置領域ＡＤに載置された半導体デバイスＤＵＴが不良品であることが判明したときに、そのマウントＭを第２のインデックステーブル１２のマウント載置領域ＡＭに載置された予備マウントＭ’と交換する機能を有している。このマウント交換方法Ｓ３００の流れについて、図７を参照して説明する。図７は、マウント交換方法Ｓ３００の流れを示す模式図である。
マウント交換方法Ｓ３００は、図７に示すように、旋回ステップＳ３０１と、デバイス吸着ステップＳ３０２と、旋回ステップＳ３０３と、マウント吸着／デバイス吸着解除ステップＳ３０４と、旋回ステップＳ３０５と、マウント吸着解除ステップＳ３０６と、旋回ステップＳ３０７と、予備マウント吸着ステップＳ３０８と、予備マウント吸着解除ステップＳ３０９と、を含んでいる。なお、ステップＳ３０１〜Ｓ３０６は、デバイス載置領域ＡＤが第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１に配置された状態で実施される。
旋回ステップＳ３０１は、デバイス吸着ヘッド１３ｂが第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１に配置されるように、アーム１３が旋回するステップである。
デバイス吸着ステップＳ３０２は、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１においてデバイス吸着ヘッド１３ｂにより半導体デバイスＤＵＴを吸着するステップである。
旋回ステップＳ３０３は、デバイス吸着ヘッド１３ｂが所定のポジションＰ０に配置され、且つ、マウント吸着ヘッド１３ｃが第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１に配置されるように、アーム１３が旋回するステップである。
マウント吸着／デバイス吸着解除ステップＳ３０４は、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１においてマウント吸着ヘッド１３ｃによりマウントＭを吸着すると共に、所定のポジションＰ０においてデバイス吸着ヘッド１３ｂによる半導体デバイスＤＵＴの吸着を解除するステップである。なお、所定のポジションＰ０には、デバイス回収トレイが配置されており、半導体デバイスＤＵＴは、このデバイス回収トレイに収容される。
旋回ステップＳ３０５は、マウント吸着ヘッド１３ｃが前記所定のポジションＰ０に配置されるように、アーム１３が旋回するステップである。
マウント吸着解除ステップＳ３０６は、所定のポジションＰ０においてマウント吸着ヘッド１３ｃによるマウントＭの吸着を解除するステップである。なお、所定のポジションＰ０には、マウント回収／供給ユニット１４が配置されており、マウントＭは、このマウント回収／供給ユニット１４により回収される。
以上のステップＳ３０１〜ステップＳ３０６によって、半導体デバイスＤＵＴを第２のインデックステーブル１２から回収するデバイス回収動作、及び、マウントＭを第２のインデックステーブル１２から回収するマウント回収動作が実現される。
旋回ステップＳ３０７は、マウント吸着ヘッド１３ｃが第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１に配置されるように、アーム１３が旋回するステップである。
予備マウント吸着ステップＳ３０８は、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１においてマウント吸着ヘッド１３ｃが予備マウントＭ’を吸着するステップである。予備マウント吸着ステップＳ３０８は、第２のインデックステーブル１２の回転によって、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１に、予備マウントＭ’が載置されているマウント載置領域ＡＭが配置される状態が実現した後に実施される。
予備マウント吸着解除ステップＳ３０９は、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１においてマウント吸着ヘッド１３ｃが予備マウントＭ’の吸着を解除するステップである。予備マウント吸着解除ステップＳ３０９は、第２のインデックステーブル１２の回転によって、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の第１のポジションＰ２１に、マウントＭが載置されていたデバイス載置領域ＡＤが配置される状態が実現した後に実施される。
以上のステップＳ３０７〜Ｓ３０９によって、第２のインデックステーブル１２に予備マウントＭ’を装着する予備マウント装着動作が実現される。
〔検査装置の変形例〕
なお、本実施形態においては、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１上の第２のポジションＰ１２において動特性試験を実施すると共に、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１上の第４のポジションＰ１４において静特性試験を実施する構成を採用しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１上の第２のポジションＰ１２において静特性試験を実施すると共に、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１上の第４のポジションＰ１４において動特性試験を実施する構成を採用してもよい。ただし、本実施形態に係る構成によれば、動特性試験が最後の試験にならない。このため、本実施形態に係る構成には、動特性試験により生じた半導体デバイスの不具合を後続する試験により検知することが可能になるというメリットがある。
また、本実施形態においては、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２上の第２のポジションＰ２２において動特性試験を実施すると共に、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２上の第４のポジションＰ２４において静特性試験を実施する構成を採用しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２上の第２のポジションＰ２２において静特性試験を実施すると共に、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２上の第４のポジションＰ１４において動特性試験を実施する構成を採用してもよい。
また、本実施形態においては、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１において室温環境における試験を行うと共に、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２において高温環境における試験を行う構成を採用しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１において高温環境における試験を行うと共に、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２において室温環境における試験を行う構成を採用してもよい。ただし、本実施形態に採用されている構成によれば、高温環境における試験が最後の試験にならない。このため、本実施形態に係る構成には、高温試験により生じた半導体デバイスの不具合を後続する試験により検知することが可能になるというメリットがある。
また、本実施形態においては、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１上の２つのポジションＰ１２，Ｐ１４において試験を行う構成を採用しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１の１つのポジションにおいて試験を行う構成を採用してもよいし、第１のテーブル内搬送経路Ｐ１上の３つ以上のポジションにおいて試験を行う構成を採用してもよい。この場合、各ポジションにおいて実施される試験は、静特性試験であってもよいし、動特性試験であってもよいし、その他の試験であってもよい。
また、本実施形態においては、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２上の２つのポジションＰ２２，Ｐ２４において試験を行う構成を採用しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２の１つのポジションにおいて試験を行う構成を採用してもよいし、第２のテーブル内搬送経路Ｐ２上の３つ以上のポジションにおいて試験を行う構成を採用してもよい。この場合、各ポジションにおいて実施される試験は、静特性試験であってもよいし、動特性試験であってもよいし、その他の試験であってもよい。
また、本実施形態においては、２つのインデックステーブル１１，１２と、１つのアーム１３とを備える構成を採用しているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、Ｎを２以上の任意の自然数として、Ｎ個のインデックステーブルと、Ｎ−１個のアームとを備える構成を採用してもよい。この場合、ｉ番目のアームは、ｉ番目のインデックステーブルからｉ＋１番目のインデックステーブルへと半導体デバイスを移載するために利用される。また、この場合、互いに隣接するインデックステーブルにおいては、異なる環境における試験が実施される。例えば、３つのインデックステーブルを備える構成では、１番目のインデックステーブルにおいて低温環境における試験が実施され、２番目のインデックステーブルにおいて室温環境における試験が実施され、３番目のインデックステーブルにおいて高温環境における試験が実施される。或いは、１番目のインデックステーブルにおいて室温環境における試験が実施され、２番目のインデックステーブルにおいて高温環境における試験が実施され、３番目のインデックステーブルにおいて室温環境における試験が実施される。室温環境における試験が行われるインデックステーブルから高温環境における試験が行われるインデックステーブルへの半導体デバイスの移載は、アームで行う代わりに手作業で行ってもよい。
また、本実施形態においては、半導体デバイスを検査装置１の検査対象としているが、本発明はこれに限定されない。条件の異なる環境（本実施形態においては温度の異なる環境）における試験を行う必要のある任意のデバイスを検査装置１の検査対象とすることができる。
〔参考形態１〕
なお、２つのインデックステーブルを備えた検査装置を用いれば、図８の（ａ）に示すような搬送経路も実現することができる。
図８の（ａ）に示す搬送経路においては、半導体デバイスがポジションＲ１→ポジションＲ２→ポジションＲ３（以上、第１のインデックステーブルによる搬送）→ポジションＲ４（以上、第１のアームによる移載）→ポジションＲ５→ポジションＲ６（以上、第２のインデックステーブルによる搬送）→ポジションＲ７（以上、第２のアームによる移載）→ポジションＲ８→ポジションＲ９（以上、第２のインデックステーブルによる移載）、ポジションＲ１０（以上、第１のアームによる移載）→ポジションＲ１１→ポジションＲ１２（以上、第１のインデックステーブルによる搬送）の順に搬送される。この搬送経路においては、（１）高温環境における静特性試験がポジションＲ２において実施され、（２）室温環境における動特性試験がポジションＲ５において実施され、（３）高温環境における動特性試験がポジションＲ８において実施され、（４）室温環境における静特性試験がポジションＲ１１において実施される。
上述した実施形態においては、試験環境（高温環境か室温環境か）に応じてどちらのインデックステーブルで試験を実施するかを選択しているのに対して、本参考形態においては、試験内容（静特性試験か動特性試験か）に応じてどちらのインデックステーブルで試験を実施するかを選択している。すなわち、本参考形態に係る検査装置は、『第１のインデックステーブルと、第２のインデックステーブルと、前記第１のインデックステーブルと前記第２のインデックステーブルとの間でデバイスを移載するデバイス移載動作を行うアームと、前記第１のインデックステーブルに載置されたデバイスに対して、第１の試験内容の試験を実施する第１の試験装置と、前記第２のインデックステーブルに載置されたデバイスに対して、前記第１の試験内容とは異なる第２の試験内容の試験を実施する第２の試験装置と、を備えている、ことを特徴とする検査装置』と表現することができる。
〔参考形態２〕
また、２つのインデックステーブルを備えた検査装置を用いれば、図８の（ｂ）に示すような搬送経路も実現することができる。
図８の（ｂ）に示す搬送経路においては、半導体デバイスがポジションＲ１→ポジションＲ２→ポジションＲ３（以上、第１のインデックステーブルによる搬送）→ポジションＲ４（以上、第１のアームによる移載）→ポジションＲ５→ポジションＲ６（以上、第２のインデックステーブルによる搬送）→ポジションＲ７（以上、手作業による移載）→ポジションＲ８→ポジションＲ９（以上、第２のインデックステーブルによる移載）、ポジションＲ１０（以上、第２のアームによる移載）→ポジションＲ１１→ポジションＲ１２（以上、第１のインデックステーブルによる搬送）の順に搬送される。この搬送経路においては、（１）高温環境における静特性試験がポジションＲ２において実施され、（２）室温環境における動特性試験がポジションＲ５において実施され、（３）高温環境における動特性試験がポジションＲ８において実施され、（４）室温環境における静特性試験がポジションＲ１１において実施される。
本参考形態は、第１のインデックステーブルから第２のインデックステーブルへの移載を手作業により実施する点に特徴がある。本参考形態においても、参考形態１と同様、高温環境における静特性試験、室温環境における動特性試験、高温環境における動特性試験、及び室温環境における静特性試験を、この順に実施することが可能である。
〔付記事項〕
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、上述した実施形態に開示された各技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
１ 検査装置
１１ 第１のインデックステーブル
１２ 第２のインデックステーブル
１３ アーム
１４ マウント回収／供給ユニット
１５ 第１の試験装置（室温環境における動特性試験用）
１６ 第２の試験装置（高温環境における動特性試験用）
１７ 第３の試験装置（高温環境における静特性試験用）
１８ 第４の試験装置（室温環境における静特性試験用）

Claims (8)

  1. 第１のインデックステーブルと、
    第２のインデックステーブルと、
    前記第１のインデックステーブルと前記第２のインデックステーブルとの間でデバイスを移載するデバイス移載動作を行うアームと、
    前記第１のインデックステーブルに載置されたデバイスに対して、第１の環境における試験を実施する第１の試験装置と、
    前記第２のインデックステーブルに載置されたデバイスに対して、前記第１の環境とは異なる第２の環境における試験を実施する第２の試験装置と、を備えている、
    ことを特徴とする検査装置。
  2. 前記アームは、前記デバイス移載動作において、第１のポジションにおいて前記第１のインデックステーブルから取得したデバイスを、第２のポジションにおいて前記第２のインデックステーブルに載置し、
    前記第１のポジションは、前記第１のインデックステーブルによりデバイスが搬送される第１の搬送経路において、前記第２のインデックステーブルに最も近いポジションであり、
    前記第２のポジションは、前記第２のインデックステーブルによりデバイスが搬送される第２の搬送経路において、前記第１のインデックステーブルに最も近いポジションである、
    ことを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
  3. 前記アームは、前記デバイス移載動作において、前記第１のポジションにおいて前記第１のインデックステーブルから取得したデバイスを、前記第２のインデックステーブルに載置するのと同時に、前記第２のポジションにおいて前記第２のインデックステーブルから取得したデバイスを、前記第１のインデックステーブルに載置する、
    ことを特徴とする請求項２に記載の検査装置。
  4. 前記第２のインデックステーブルに載置されたデバイスに対して、前記第２の環境における試験を実施する第３の試験装置と、
    前記第１のインデックステーブルに載置されたデバイスに対して、前記第１の環境における試験を実施する第４の試験装置と、を更に備えている、
    ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の検査装置。
  5. 前記第１の試験装置及び前記第４の試験装置の一方は、動特性試験を実施し、他方は、静特性試験を実施し、
    前記第２の試験装置及び前記第３の試験装置の一方は、動特性試験を実施し、他方は、静特性試験を実施する、
    ことを特徴とする請求項４に記載の検査装置。
  6. 前記第１の環境及び前記第２の環境の一方は、室温環境であり、他方は、前記室温環境よりも温度の高い高温環境である、
    ことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の検査装置。
  7. 前記第１のインデックステーブル及び前記第２のインデックステーブルのうち、前記高温環境における試験が実施される方のインデックステーブルには、前記高温環境を実現するためのヒータが内蔵されている、
    ことを特徴とする請求項６に記載の検査装置。
  8. 前記デバイスは、半導体デバイスである、
    ことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の検査装置。
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