JP2020522020A - パーティクル除去装置および関連システム - Google Patents

Abstract

クランプ（４）からパーティクルを除去するための、クランプの近傍に配置可能な装置（１６）であって、絶縁部（１８）と、支持部（２０）と、を備え、絶縁部の少なくとも一部または全部が支持部に設けられ、支持部は、電圧が装置の支持部及び／またはクランプの電極（８）に印加されるとき支持部がクランプからのパーティクルの除去のために装置とクランプとの間に電界を発生可能とする電極として働くように構成されている、装置。【選択図】図２

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１７年６月１日に出願された欧州出願第１７１７３８７２．７号、２０１７年７月２４日に出願された欧州出願第１７１８２８０７．２号の優先権を主張し、それらの全体が本明細書に援用される。

本発明は、クランプからパーティクルを除去するための装置、関連するシステムおよび方法に関する。本発明は、たとえば、リソグラフィ装置のクランプからパーティクルを除去するための装置に関する。

リソグラフィ装置は、基板に所望のパターンを与えるように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、パターニングデバイス（たとえばマスク）から、基板に設けられた放射感応性材料（レジスト）層にパターンを例えば投影しうる。

リソグラフィ装置によって基板にパターンを投影するために使用される放射の波長がその基板に形成可能なフィーチャの最小サイズを定める。４〜２０ｎｍの範囲内の波長をもつ電磁放射であるＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置は、（たとえば１９３ｎｍの波長をもつ電磁放射を使用しうる）従来のリソグラフィ装置よりも小さいフィーチャを基板に形成するために使用されうる。

静電クランプは、物体を物体サポートに（たとえば、マスクを支持構造に、または、基板を基板テーブルに）静電的にクランプ（または保持）するためにリソグラフィ装置において使用されうる。

物体上に存在しうるパーティクルは、静電クランプの表面に移動しうる。そこではパーティクルによって静電クランプと物体との間にいわゆるスティッキング作用が生じうる。このスティッキング作用は、たとえば、リソグラフィ装置のオーバレイ制御に影響しうる。

パーティクルは、手作業で、たとえば洗浄剤で静電クランプの表面を拭き取ることによって、静電クランプの表面から除去されうる。しかしながら、パーティクルの除去はリソグラフィ装置のダウンタイムに行われ、手作業のパーティクル除去には時間がかかるから、これはリソグラフィ装置の可用性に影響しうる。

本発明の第１の態様によると、クランプからパーティクルを除去するための、クランプの近傍に配置されまたは配置可能な装置であって、絶縁部と、支持部と、を備え、絶縁部の少なくとも一部または全部が支持部に設けられ、支持部は、電圧が装置の支持部及び／またはクランプの電極に印加されるとき支持部がクランプからのパーティクルの除去のために装置とクランプとの間に電界を発生可能とする電極として働くように構成されている、装置が提供される。

クランプからパーティクルを除去することによって、クランプとクランプによって保持される物体との間のスティッキング作用が低減または防止されうる。たとえば、本装置がリソグラフィ装置とともに使用されまたはリソグラフィ装置に備えられている場合には、クランプからパーティクルを除去することによって、リソグラフィ装置のオーバレイ制御に改良がもたらされうる。また、本装置を使用することによって、手作業によるクランプからのパーティクル除去を避けられる。これにより、たとえばパーティクルをリソグラフィ装置のダウンタイムに除去する必要がなくなるから、リソグラフィ装置の可用性も向上される。それに加えて又はそれに代えて、本装置に絶縁部を設けることによって、クランプから除去されたパーティクルがクランプに戻ることが防止されうる。

装置は、装置の少なくとも一部分の形状が、たとえば装置とクランプとの間の距離を低減または最小化することができるように、クランプの一部分の形状と相補的となるように構成されていてもよい。装置とクランプとの間の距離を低減することによって、電界の強さが増加されうる。これにより、クランプからのパーティクルの除去は、増加、向上、または促進されうる。

支持部は、少なくとも１つの凹部または複数の凹部を備えてもよい。

たとえば、支持部は、複数の凹部を備え、絶縁部は、少なくとも２つの隣接する凹部の間に延在してもよい。

少なくとも１つの凹部、または複数の凹部の各凹部は、たとえば装置がクランプに向けて移動するとき、クランプの支持体が少なくとも１つの凹部に、または複数の凹部の各凹部に少なくとも部分的に受け入れられることができるように成形されていてもよい。

絶縁部は、たとえば電圧が装置の支持部及び／またはクランプの電極に印加されるとき、不均一電界が装置とクランプとの間に生成されるように成形されまたは構成されていてもよい。不均一電界を装置とクランプとの間に生成することによって、たとえば非帯電粒子などのパーティクルを除去することができる。

絶縁部は、たとえば電圧が装置の支持部及び／またはクランプの電極に印加されるとき、装置とクランプとの間に生成される電界の少なくとも一部が絶縁部での１つまたは複数の点で集中または増加されるように成形されまたは構成されていてもよい。

装置は、複数の絶縁部を備えてもよい。各絶縁部が支持部から延在または突出するように設けられていてもよい。

前記絶縁部または各絶縁部は、第１端から第２端へと先細となるように設けられてもよい。前記絶縁部または各絶縁部の第１端が支持部に設けられてもよい。第２端は、たとえば使用時に、第２端がクランプ（たとえばクランプの表面または上面）に向けられるように設けられてもよい。

前記絶縁部または各絶縁部の第２端は、尖状または鋭状の部分を備えてもよい。

装置の横方向の延長または寸法は、クランプの横方向の延長または寸法に実質的に一致する（たとえば実質的に一致する）ように選択されていてもよい。これにより、クランプ（たとえばクランプの表面または上面）のほぼ全体からパーティクルを除去することができる。

装置の横方向の延長または寸法は、クランプ（たとえばクランプの表面）の予め定められた領域または空間からパーティクルが除去されまたは除去可能であるように選択されていてもよい。これにより、クランプ（たとえばクランプの表面または上面）から局所的にパーティクルを除去することができる。

装置は、コントローラに接続されまたは接続可能であるように構成されてもよい。コントローラは、装置の支持部及び／またはクランプの電極に電圧を印加するように構成されてもよい。

支持部及び／または絶縁部は、連続面を定めるように設けられてもよい。

たとえば電圧が装置の支持部及び／またはクランプの電極に印加されるとき、電圧は、装置とクランプとの間の電界がクランプと例えば使用時におけるクランプ上の物体との間に生成される電界の方向とは反対の方向に延在するように選択されていてもよい。

本発明の第２の態様によると、クランプからパーティクルを除去するためのシステムであって、第１の態様に係る装置と、物体を保持するように構成されたクランプと、を備えるシステムが提供される。

クランプは、リソグラフィ装置とともに使用されるように構成されてもよく、または、クランプは、リソグラフィ装置の一部でありまたはリソグラフィ装置に備えられてもよい。

クランプは、静電クランプであってもよく、または、静電クランプを備えてもよい。

システムは、装置の支持部及び／またはクランプの電極に電圧を印加するように構成されたコントローラをさらに備えてもよい。電圧は、装置とクランプとの間に生成される電界が、たとえばクランプからのパーティクルの除去を生じさせるように、クランプ上のパーティクルに働くように選択されていてもよい。

本発明の第３の態様によると、クランプからパーティクルを除去する方法であって、クランプからパーティクルを除去するための装置をクランプの近傍に配置することを備え、装置は、絶縁部と、支持部と、を備え、絶縁部の少なくとも一部または全部が支持部に設けられ、支持部は、電圧が装置の支持部及び／またはクランプの電極に印加されるとき支持部がクランプからのパーティクルの除去のために装置とクランプとの間に電界を発生可能とする電極として働くように構成され、さらに、クランプからのパーティクルの除去のために装置とクランプとの間に電界を発生させるように装置の支持部及び／またはクランプの電極に電圧を印加することを備える、方法が提供される。

電圧は、パーティクルが絶縁部の少なくとも一部または全部に付着するように選択されていてもよい。

第４の態様によると、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けられた放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構築された支持構造と、基板を保持するように構築された基板テーブルであって、基板を保持するためのクランプを備える基板テーブルと、パターン付けられた放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、クランプからパーティクルを除去するための、第１の態様に係る装置と、を備えるリソグラフィ装置が提供される。

本発明の第５の態様によると、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けられた放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構築された支持構造であって、パターニングデバイスを保持するためのクランプを備える支持構造と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付けられた放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、クランプからパーティクルを除去するための、第１の態様に係る装置と、を備えるリソグラフィ装置が提供される。

本発明の第６の態様によると、基板テーブルからパーティクルを除去するための、基板テーブルの近傍に配置可能な装置であって、絶縁部と、支持部と、を備え、絶縁部の少なくとも一部または全部が支持部に設けられ、支持部は、電圧が装置の支持部及び／または基板テーブルに印加されるとき支持部が基板テーブルからのパーティクルの除去のために装置と基板テーブルとの間に電界を発生可能とする電極として働くように構成されている、装置が提供される。

基板テーブルからパーティクルを除去することによって、汚染の蓄積が低減される。これにより、基板の縁部の歩留まり低下を避けるとともに、リソグラフィ装置の可用性を増加することができる。それに加えて又はそれに代えて、本装置に絶縁部を設けることによって、基板テーブルから除去されたパーティクルが基板テーブルに戻ることが防止されうる。

装置は、基板テーブルのバールの上面からパーティクルを除去するように構成されていてもよい。

支持部及び／または絶縁部は、連続面を定めるように設けられてもよい。

絶縁部及び支持部は、バールの領域において突出部を有してもよい。

支持部は、導電プレートであってもよい。

絶縁部は、ポリマー層であってもよい。

装置は、コントローラに接続されまたは接続可能であるように構成されてもよい。コントローラは、装置の支持部及び／または基板テーブルに電圧を印加するように構成されてもよい。

本発明の第７の態様によると、基板テーブルからパーティクルを除去するためのシステムであって、第６の態様に係る装置と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、を備えるシステムが提供される。

基板テーブルは、リソグラフィ装置とともに使用されるように構成されてもよく、または、基板テーブルは、リソグラフィ装置の一部でありまたはリソグラフィ装置に備えられてもよい。

システムは、装置の支持部及び／または前板テーブルに電圧を印加するように構成されたコントローラをさらに備えてもよい。電圧は、装置と基板テーブルとの間に生成される電界が基板テーブルからのパーティクルの除去を生じさせるように基板テーブル上のパーティクルに働くように選択されていてもよい。

本発明の第８の態様によると、基板テーブルからパーティクルを除去する方法であって、基板テーブルからパーティクルを除去するための装置を基板テーブルの近傍に配置することを備え、装置は、絶縁部と、支持部と、を備え、絶縁部の少なくとも一部または全部が支持部に設けられ、支持部は、電圧が装置の支持部及び／または基板テーブルに印加されるとき支持部が基板テーブルからのパーティクルの除去のために装置と基板テーブルとの間に電界を発生可能とする電極として働くように構成され、さらに、基板テーブルからのパーティクルの除去のために装置と基板テーブルとの間に電界を発生させるように装置の支持部及び／または基板テーブルに電圧を印加することを備える、方法が提供される。

電圧は、パーティクルが絶縁部の少なくとも一部または全部に付着するように選択されていてもよい。

本発明の第９の態様によると、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けられた放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構築された支持構造と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付けられた放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムと、基板テーブルからパーティクルを除去するための、第６の態様に係る装置と、を備えるリソグラフィ装置が提供される。

上述または後述の本発明のさまざまな態様および特徴が本発明の他の態様および特徴と組み合わせうることは、当業者には直ちに明らかであろう。

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す。 本発明のある実施の形態に係り、クランプからパーティクルを除去するための装置を備えるシステムを概略的に示す。 図２のシステムのクランプの誘電部上のパーティクルを概略的に示す。 図２の装置とクランプの間に生成され、図３Ａのパーティクルに働く電界を概略的に示す。 図２の装置とクランプの間に生成され、図３Ａのパーティクルに働く電界を概略的に示す。 本発明の他の実施の形態に係り、クランプからパーティクルを除去するための装置を備えるシステムを概略的に示す。 本発明の更なる他の実施の形態に係り、クランプからパーティクルを除去するための装置を備えるシステムを概略的に示す。 本発明のある実施の形態に係り、基板テーブルからパーティクルを除去するための装置を備えるシステムを概略的に示す。 本発明の他の実施の形態に係り、基板テーブルからパーティクルを除去するための装置を備えるシステムを概略的に示す。

本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に具体的に言及しているかもしれないが、本書に説明されたリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など他の用途を有してもよいものと理解されたい。当業者であればこうした代替用途の文脈において、本書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされうると理解することができるであろう。本書に言及される基板は、露光前または露光後において例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、またはインスペクションツールにおいて処理されてもよい。適用可能であれば、本書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本書における基板という用語は処理済みの多数の層を既に含む基板をも意味しうる。

本書に使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）及び極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば５から２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射、さらにはイオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを包含する。

本書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用可能なデバイスを指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に一致していなくてもよい。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスにおける特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスクやプログラマブルミラーアレイがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを様々な方向に反射するように個別に傾斜可能であるというものがある。このようにして、反射されたビームにパターンが付与されることになる。

支持構造は、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターニングデバイスが真空環境に保持されるか否か等その他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。支持は、機械的、または真空、またはその他のクランプ技術、たとえば真空環境下での静電クランプを用いることができる。支持構造は、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、これは必要に応じて固定されまたは移動可能であってもよく、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本書での「レチクル」または「マスク」との用語の使用はいずれも、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義であるとみなされうる。

本書で使用される「投影システム」という用語は、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含み、使用される露光放射に関して又は液浸流体の使用または真空の使用等の他の要因に関して適切とされる各種の投影システムを包含するよう広く解釈されるべきである。本書での「投影レンズ」との用語の使用はいずれも、より一般的な用語である「投影システム」と同義であるとみなされうる。「投影レンズ」の略記として本書では「レンズ」との用語が使用されうる。

また、照明システムは、放射ビームの方向や形状の調整、または制御のために、屈折光学素子、反射光学素子、反射屈折光学素子を含む各種の光学素子を包含してもよく、これら構成要素は以下、総称として、または単独で、「レンズ」と称されてもよい。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれより多くの基板テーブル（及び／または２以上の支持構造）を有する形式のものであってもよい。このような「多重ステージ」の装置においては、追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルが露光のために使用されている間に１以上の他のテーブルで準備工程が実行されてもよい。

また、リソグラフィ装置は、基板が例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体で投影システムと基板との間の空間を満たすよう浸される形式のものであってもよい。液浸技術は投影システムの開口数を増大させるために本分野において周知である。

図１は、本発明のある具体的な実施の形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。本装置は、
− 放射ビームＰＢ（たとえば紫外放射）を調整する照明システムＩＬと、
− パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を支持し、パターニングデバイスを要素ＰＬに対して正確に位置決めする第１位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）と、
− 基板Ｗ（例えば、レジストで被覆されたウェーハ）を保持するためにあり、基板を要素ＰＬに対して正確に位置決めするための第２位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブルＷＴ（例えば基板テーブル）と、
− パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイを含む）目標部分Ｃに結像するように構成されている投影システムＰＬ（例えば屈折投影レンズ）と、を備える。

図示されるように、本装置は、（例えば透過型マスクを用いる）透過型である。これに代えて、本装置は、（例えば、反射型マスク、または上述の形式のプログラマブルミラーアレイを用いる）反射型であってもよい。

照明システムＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合には、別体であってもよい。この場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは、適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを例えば含むビーム搬送系ＢＤを介して放射源ＳＯから照明システムＩＬへと受け渡される。放射源が例えば水銀ランプである等の他の場合には、放射源はリソグラフィ装置と一体の部分であってもよい。放射源ＳＯと照明システムＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称されてもよい。

照明システムＩＬは、ビームの角強度分布を調整するための調整手段ＡＭを備えてもよい。照明システムの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（通常それぞれアウターおよびインナーと呼ばれる）を調整することができる。

加えて照明システムＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯ等その他の各種構成要素を一般に備える。照明システムは、ビーム断面における所望の均一性及び強度分布を有するよう調整された放射ビームＰＢを提供する。

放射ビームＰＢは、支持構造ＭＴに保持されるパターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）に入射する。パターニングデバイスＭＡを横切ったビームＰＢは投影システムＰＬを通過し、基板Ｗの目標部分Ｃに合焦される。第２位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス）により、例えばビームＰＢの経路に様々な目標部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）は、ビームＰＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを、例えばマスクライブラリからの機械的な取り出し後または走査中に、正確に位置決めするために使用することができる。一般に物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、位置決め装置ＰＭ、ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め）及びショートストロークモジュール（精確な位置決め）により実現されうる。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。代替的な構成（図示せず）においては、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、平面モータ及びエンコーダシステムによって制御されてもよい。

図示される装置は、たとえばスキャンモードで使用されてもよい。このモードでは、ビームＰＢに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分の（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。走査方向は、従来、リソグラフィ装置のｙ方向と称される。

他の例においては図示される装置は、ステップモードで使用されてもよい。ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回で目標部分Ｃに投影される間、パターニングデバイス（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる（すなわち単一静的露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光されることができる。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で結像される目標部分Ｃのサイズを制限する。

更なる他のモードにおいては、支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）がプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述の形式のプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

リソグラフィ装置は、物体を保持するために、たとえば静電クランプなどのクランプを備えてもよい。物体は、基板及び／またはマスクＭＡであり、またはこれを備えてもよい。静電クランプは、基板テーブルＷＴ及び／または支持構造ＭＴの一部であり、またはこれに備えられてもよい。

図２は、本発明のある実施の形態に係り、クランプからパーティクルを除去するためのシステム２を示す。図２に示される実施形態においては、クランプは、リソグラフィ装置の静電クランプ４の形式で設けられている。静電クランプ４は、誘電部６と、誘電部６によって取り囲まれている電極８と、を備える。誘電部６は、誘電性または絶縁性の材料を備えてもよく、及び／または、非導電でありまたは絶縁されているとみなされてもよい。静電クランプ４は、下部１０を備える。下部１０は、絶縁材料で形成されていてもよい。誘電部６及び電極８は、下部１０に設けられていてもよい。静電クランプ４は、物体（たとえばマスクＭＡ及び／または基板）支持するために複数の支持体１２ａ、１２ｂを備えてもよく、そのうち２つが図２に示されている。他の実施形態においては、クランプは、２より多数または少数の支持体を備えてもよい。支持体１２ａ、１２ｂは、バール１２ａ、１２の形式で設けられてもよい。バール１２ａ、１２ｂは、誘電部６の上面６ａに設けられてもよい。バール１２ａ、１２ｂは、導電コーティングまたは導電材料が設けられた誘電材料で形成されてもよい。バール１２ａ、１２ｂは、グランドに接続されていてもよい。バール１２ａ、１２ｂの上面は、物体を保持可能な平面１４を定めてもよい。

静電クランプ４の電極８は、静電クランプ４と物体との間に静電力を発生させる電圧に保持されるように構成されている。すなわち、物体は、電極８に電圧が印加されるとき静電クランプ力によって平面１４に保持されうる。静電またはクーロンクランプ圧（単位あたりのクランプ力）は、以下の等式に従って、印加された電界の強さに関連づけられる。

ここで、Ｐは、クランプされる物体に及ぼされるクーロンクランプ圧であり、ε_０は、真空の誘電率であり、Ｅは、クランプされる物体に作用する電界の強さである。例として、誘電体が誘電材料と真空ギャップを備える場合、電界と誘電率は、関与する材料及び／または媒体の組み合わせを反映する条件によって置換されうる。電界の強さＥは、静電クランプ４の電極８に印加される電圧Ｖに概ね比例し、誘電材料及び／または媒体の比誘電率に比例し、誘電材料及び／または媒体の厚さ（たとえば誘電材料の厚さと真空ギャップの厚さの合計）に反比例するとみなされうる。

本書に述べるシステムは、図２に示される例示的な静電クランプを使用することには限定されず、他の静電クランプが使用されてもよい。たとえば、他の実施形態においては、静電クランプは、薄膜クランプの形式で設けられてもよい。薄膜クランプの誘電部は、たとえばポリマーなどの誘電材料で形成されてもよい。それに代えて又はそれとともに、他の実施形態においては、誘電部は、電極を取り囲むのではなく、電極に設けられてもよく、または、電極は、互いに空間をあけた１つ又は複数の部分を備えてもよい。

図２は、システムとともに使用される、クランプからパーティクルを除去するための装置を示す。装置は、クリーニング装置１６の形式で設けられてもよい。図２に示されるクリーニング装置は、クリーニング基板とも称されうる。クリーニング装置１６は、静電クランプ４からパーティクルを除去するのに適しうる。たとえば、電極８に印加される電圧によって、帯電したパーティクルが物体に引き寄せられてもよく、及び／または、物体に存在しうるパーティクルに電荷が誘起されてもよい。帯電したパーティクルは、静電クランプ４の電極８に印加される電圧が０Ｖに減少されたときであっても、静電クランプ４の誘電部６に残存しうる。

静電クランプ４の誘電部６の上面６ａに存在するパーティクルは、クランプ４と物体との間にいわゆるスティッキング作用を生じさせうる。パーティクルは、クランプ４の誘電部６の上面６ａに残留電荷を生じさせ、これがスティッキング作用を生じさせうる。パーティクルは、静電クランプ４の誘電部の上面６ａに位置するので、パーティクルの電荷を誘電部６から伝導により取り去る手段は無い。

例として、物体が基板を備える場合、スティッキング作用は、クランプ４に基板を配置しまたはロードすることに影響しうる。静電クランプ４の誘電部６上の帯電パーティクルは、基板に作用し、及び／または、基板に力を印加しうる。力は、クランプ上の基板のローディング／配置に影響しうる。たとえば、力は、リソグラフィ装置のオーバレイ制御に影響しうる。リソグラフィ装置のオーバレイ制御は、投影されるパターンを基板に存在するパターンに位置合わせする制御であるとみなされうる。投影されるパターンと基板に存在するパターンとの間の位置合わせ不良は、多層デバイス構造において回路の短絡及び／または接続不良につながりうる。

使用時において、クリーニング装置１６は、静電クランプ４の近傍に配置されてもよい。クリーニング装置１６は、絶縁部１８を備える。絶縁部１８は、たとえばガラスまたはポリマーなどの絶縁性または誘電性の材料を備えてもよい。たとえば、絶縁性または誘電性の材料は、二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４）、またはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系ポリマーを備えてもよい。ただし、他の絶縁性または誘電性の材料が使用されてもよい。クリーニング装置１６は、支持部２０を備える。図２において、絶縁部１８は、支持部２０に設けられるものとして図示されている。絶縁部１８は、支持部２０から延在しまたは突出するように設けられている。

支持部２０は、電圧が支持部２０及び／または静電クランプ４の電極８に印加されるとき支持部が静電クランプ４からのパーティクルの除去のためにクリーニング装置１６と静電クランプ４との間に電界を発生可能とする電極として働くように構成されている。たとえば、電圧が静電クランプ４の電極８に印加されるとき、支持部２０における電荷は、支持部２０の一部が静電クランプ４の電極８に印加される電圧の極性とは反対の極性を有するように、支持部２０において再配分される。すなわち、支持部２０は、少なくとも部分的に又は完全に分極されるものとみなされてもよい。静電クランプ４の電極８に印加される電圧の極性とは反対の極性を有する支持部２０の一部は、使用時において、静電クランプ４の誘電部６の上面６ａに面し、または対向してもよい。静電クランプ４の電極８に印加される電圧の極性とは反対の極性を有する支持部２０の一部は、支持部２０の下部２０ａとみなされてもよい。静電クランプ４の電極８に印加される電圧は、パーティクルがクリーニング装置１６の絶縁部１８の少なくとも一部または全部に付着するように選択されていてもよい。

図３Ａは、帯電したパーティクル２２と静電クランプ４の誘電部６との間の相互作用を模式的に示す。上述のように、帯電したパーティクル２２は、物体から静電クランプ４の誘電部６の上面６ａに移動しうる。帯電したパーティクル２２は、静電クランプ４の誘電部６の一部に分極を誘起しうる。たとえば、パーティクル２２は、図３Ａに示されるように、負に帯電され、誘電部６の上面６ａに正の電荷を誘起してもよい。この分極は、帯電したパーティクル２２を誘電部６に付着させうる。静電クランプ４の誘電部６への帯電したパーティクル２２の付着は、帯電したパーティクル２２と静電クランプ４の誘電部６との間に働くファンデルワールス力などの第１の力Ｆ１に起因しうる。帯電したパーティクル２２と静電クランプ４の誘電部６との間に働く第１の力Ｆ１の方向は、図３Ａにおいて実線の矢印で示されている。静電クランプ４の電極８に印加される電圧が０Ｖであったとしても、帯電したパーティクル２２は、たとえば第１の力Ｆ１によって、静電クランプ４の誘電部６に付着しうる。

図３Ｂは、図３Ａと類似するが、静電クランプ４の電極８とクリーニング装置１６の支持部２０の下部２０ａを追加して示す。図３Ｂに示される例においては、静電クランプ４の電極８は、負に帯電され、クリーニング装置１６の支持部２０の下部２０ａは、たとえば、静電クランプ４の電極８に印加される負電圧によって生じる支持部２０における電荷分布によって、正に帯電されるとみなされる。電界Ｅがクリーニング装置１６と静電クランプ４との間に生成され、これは点線の矢印で示される。クリーニング装置１６の支持部２０の下部２０ａの正電荷及び／または静電クランプ４の電極８の負電荷によって、第２の力Ｆ２が帯電したパーティクル２２に第１の力Ｆ１とは反対の方向に働く。第２の力Ｆ２は、クーロン力とみなされ、パーティクル２２と支持部２０の下部２０ａとの間で引きつけ、パーティクル２２と静電クランプ４の電極８との間で反発するものとみなされうる。図３Ｂに示される電界Ｅは、静電クランプ４の使用時にたとえば物体と静電クランプ４との間に存在しうる電界とは反対の方向に延在するものとみなされうる。図３Ｂに示されるように、逆方向の電界は、静電クランプ４の誘電部６の上面６ａから帯電したパーティクル２２を除去するのに十分ではないかもしれない。クリーニング装置１６と静電クランプ４との間の電界の強さを増加させることが必要となるかもしれない。

図３Ｃは、図３Ｂと類似するが、クリーニング装置１６の絶縁部１８を追加して示す。図３Ｃにおいては、電界Ｅの強さは、図３Ｂに示される電界に対して増加されているとみなされうる。たとえば、電界の強さの増加は、後述のように、静電クランプ４の電極８に印加される電圧を増加させ、及び／または、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間の距離Ｄを低減することによって、実現されうる。電界の強さが増加されることによって、帯電したパーティクル２２に働く第２の力Ｆ２が増加され、それにより、帯電したパーティクル２２がクリーニング装置１６の絶縁部１８に向けて移動されうる。

静電クランプ４からのパーティクルの除去を可能とするために必要とされる電界の強さは、たとえばパーティクルの半径など、パーティクルのサイズに依存しうる。静電クランプ４からパーティクルを除去するために必要とされる電界の強さは、パーティクルの半径をｒとして、ｒの−１／２乗に比例しうる。すなわち、パーティクルサイズが小さくなれば、電界の強さは、静電クランプ４からのパーティクルの除去を可能とするために増加されることが必要である。

たとえば、電界Ｅは、物体と静電クランプ４との間に静電クランプ４の使用時に生成される電界の強さの約１．５倍の強さを備えてもよい。たとえば、電界Ｅは、およそ１×１０^８Ｖ／ｍから２×１０^８Ｖ／ｍ、たとえば１．５×１０^８Ｖ／ｍの強さを備えてもよい。およそ１×１０^８Ｖ／ｍから２×１０^８Ｖ／ｍ、たとえば１．５×１０^８Ｖ／ｍの強さを備える電界は、静電クランプ４からのパーティクルの除去に十分でありうる。上述の例示的な強さをもつ電界は、たとえば真空条件で使用されてもよい。静電クランプ４の電極８に印加される電圧は、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間のギャップにわたる電圧がおよそ１０００Ｖから２０００Ｖ、たとえば１５００Ｖとなるように選択されてもよい。静電クランプ４とクリーニング装置１６との間のギャップにわたる電圧は、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間のギャップにわたる電圧の約３倍の電圧、たとえば３０００Ｖから６０００Ｖを静電クランプ４の電極８に印加することによって実現されてもよい。しかしながら、ギャップにわたるおよそ１０００Ｖから２０００Ｖの電圧を実現するために静電クランプ４の電極８に印加されることを必要とする電圧は、静電クランプ４の構成及び／またはクリーニング装置１６の構成に依存しうる。たとえば、ギャップにわたるおよそ１０００Ｖから２０００Ｖの電圧を実現するために静電クランプ４の電極８に印加されることを必要とする電圧は、静電クランプ４の誘電部６の厚さ、バール１２ａ、１２ｂの厚さ、静電クランプ４とクリーニング装置１６との間の距離Ｄ、及び／または、クリーニング装置１６の絶縁部１８の厚さに依存しうる。静電クランプからのパーティクルの除去に必要とされる静電クランプ４とクリーニング装置１６との間のギャップにわたる電圧は、静電クランプ４とクリーニング装置１６との間の距離Ｄに依存しうる。例として、静電クランプ４とクリーニング装置１６との間の距離Ｄが約１０μｍである場合、約１５００Ｖの電圧が静電クランプ４からのパーティクルの除去を可能とするために静電クランプ４とクリーニング装置１６との間のギャップにわたり必要とされうる。静電クランプ４とクリーニング装置１６との間のギャップにわたる１５００Ｖの電圧は、約１０^８Ｖ／ｍの強さをもつ電界をもたらしうる。例として、静電クランプ４とクリーニング装置１６との間の距離Ｄが約７μｍである場合、約１０００Ｖの電圧が静電クランプ４からのパーティクルの除去を可能とするために静電クランプ４とクリーニング装置１６との間のギャップにわたり必要とされうる。

大気圧での電界Ｅの強さは、真空条件において使用される電界の強さに比べて減少されてもよい。たとえば、空気の絶縁破壊、たとえばパッシェンの法則に従って形成されうる放電またはアーク放電が、およそ４×１０^６Ｖ／ｍから４×１０^７Ｖ／ｍの強さをもつ電界において起こりうる。電界の強さは、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間の距離Ｄに依存しうる。たとえば、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間の距離Ｄが約１０μｍであるとき、空気は約４×１０^７Ｖ／ｍの電界の強さで絶縁破壊しうる。約４×１０^７Ｖ／ｍまたはそれ未満の強さをもつ電界は、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間の距離Ｄが約１０μｍである場合、静電クランプ４からパーティクルを除去するのに十分でありうる。クリーニング装置１６と静電クランプ４との間の距離Ｄが約１ｍｍである場合、空気は約４×１０^６Ｖ／ｍの電界の強さで絶縁破壊しうる。こうした距離では、約４×１０^６Ｖ／ｍまたはそれ未満の強さをもつ電界は、静電クランプ４からパーティクルを除去するのに十分でありうる。大気圧で静電クランプ４から除去されうるパーティクルは、およそ少なくとも１μｍまたはそれより大きくてもよい。これは、静電クランプ４からパーティクルを除去するために必要とされる、パーティクルの半径をｒとしてｒの−１／２乗に比例する電界の強さによるものでありうる。

大気圧で、静電クランプ４の電極８に印加される電圧は、クリーニング装置１６と静電クランプ４の間のギャップにわたる電圧がおよそ４００から４０００Ｖとなるように選択されてもよい。例として、静電クランプ４とクリーニング装置１６との間の距離Ｄが約１０μｍである場合、約４００Ｖの電圧が静電クランプ４からのパーティクルの除去を可能とするために静電クランプ４とクリーニング装置１６との間のギャップにわたり必要とされうる。例として、静電クランプ４とクリーニング装置１６との間の距離Ｄが約１ｍｍである場合、約４０００Ｖの電圧が静電クランプ４からのパーティクルの除去を可能とするために静電クランプ４とクリーニング装置１６との間のギャップにわたり必要とされうる。本書に述べる例示的なシステムは、上述の電界の強さ及び／またはギャップにわたる電圧の使用には限定されない。たとえば、他の実施形態においては、静電クランプの電極に印加される電圧は、クリーニング装置と静電クランプとの間に生成される電界が静電クランプからのパーティクルの除去を可能とするのに十分となるように選択されてもよい。

クリーニング装置１６と静電クランプ４との間のギャップのサイズまたは拡張は、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間の距離Ｄによって定義されまたは記述されうる。

上述のように、図３Ｃは、クリーニング装置１６の絶縁部１８を追加的に示す。クリーニング装置１６に絶縁部１８を設けることによって、たとえば支持部２０の下部２０ａの正の極性が生じさせる、パーティクル２２の電荷の逆転が防止されうる。絶縁部１８は、静電クランプ４の誘電部６の上面６ａから捕捉されたパーティクル２２の放電、及び／または捕捉されたパーティクルが静電クランプ４の誘電部６の上面６ａに戻ることを防止しうる。

パーティクルが負の電荷を帯びるものとして上述したが、他の実施形態においては、パーティクルは、たとえば静電クランプの使用中に静電クランプの電極に印加される負の電圧によって、正の電荷を帯びてもよい。あるいは、パーティクルは、帯電しなくてもよい。静電クランプ４の電極８に印加される電圧、たとえば電圧の極性は、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間に生成される電界Ｅが静電クランプ４の使用時にたとえば物体と静電クランプとの間に生成されうる電界とは反対の方向に延びるように選択されてもよい。

図２の実施形態においては電圧が静電クランプの電極に印加されているが、他の実施形態においては、静電クランプの電極に印加される電圧とともにまたはそれに代えて、電圧がクリーニング装置の支持部に印加されてもよい。クリーニング装置の支持部に印加される電圧は、静電クランプの電極に印加される電圧と同様にして選択されてもよい。

図２に示される実施形態においては、クリーニング装置１６は、クリーニング装置の少なくとも一部分の形状が、たとえばクリーニング装置１６と静電クランプ４との間の距離Ｄを低減または最小化することを可能とするように、静電クランプ４の一部分の形状と相補的（または実質的に相補的）となるように構成されている。上述のように、クリーニング装置１６とクランプ４との間の距離Ｄを減少させることによって、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間に延びる電界の強さは、増加されうる。距離Ｄは、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間に延びる電界の強さを増加させるために、たとえば静電クランプ４の電極８に印加される電圧を増加させるとともにまたはそれに代えて、減少されてもよい。たとえば、支持部２０は、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間の距離Ｄを低減または最小化することを可能とするように、静電クランプ４の上面６ａ及び／または誘電部６の形状と相補的（または実質的に相補的）となるように成形されていてもよい。たとえば、クリーニング装置１６と静電クランプとの間の距離Ｄは、およそ５から２０μｍ、たとえば１０μｍに減少されてもよい。他の実施形態においては、クリーニング装置と静電クランプとの間の距離は、５から２０μｍより大きくまたは小さくなるように変化されまたは減少されてもよい。たとえば、上述のように大気圧下でクリーニング装置と静電クランプとの間の距離は約１ｍｍであってもよい。支持部２０は、複数の凹部２０ｂ、２０ｃを備えてもよい（そのうち２つが図２に示されている）。図２には２つの凹部２０ｂ、２０ｃが示されるが、他の実施形態においては、電極は、２より多数の、または少数の凹部を備えてもよい。たとえば、電極の凹部の数は、静電クランプの誘電部の上面に存在するバールの数に依存してもよい。

各凹部２０ｂ、２０ｃは、たとえばクリーニング装置１６が静電クランプ４たとえば誘電部６の上面６ａに向けて移動するとき静電クランプ４のバール１２ａ、１２ｂそれぞれが各凹部に少なくとも部分的にまたは完全に受け入れられるように成形されていてもよい。支持部２０が静電クランプ４のバール１２ａ、１２ｂと接触するとき、支持部２０が接地しているものとみなされることができる。他の実施形態においては、クリーニング装置の支持部は、グランドに接続されていてもよい。

支持部２０が複数の凹部２０ｂ、２０ｃを備える実施形態においては、絶縁部１８は、支持部の隣接する２つの凹部の間に延在してもよい。

クリーニング装置１６の横方向たとえば図２に示されるｙ方向及び／またはｚ方向における延長または寸法は、静電クランプ４の横方向たとえば図２に示されるｙ方向及び／またはｚ方向における延長または寸法に依存して選択されてもよい。たとえば、クリーニング装置１６の横方向の延長または寸法は、静電クランプ４の横方向の延長または寸法に一致（または実質的に一致）するように選択されてもよい。これは、静電クランプ４の誘電部６の上面６ａのほぼ全体からパーティクルを除去することを可能としうる。しかしながら、静電クランプの上面の予め定められた領域または空間からパーティクルを除去することが望まれてもよい。

図４Ａは、クランプからパーティクルを除去するためのシステム２の他の例を示す。図４Ａに示されるシステム２は、図２に示されるものと類似する。ただし、支持部２０と絶縁部１８がそれぞれ連続面を定めるように設けられている。他の実施形態においては、支持部または絶縁部の一方が連続面を定め、他方が１つまたは複数の凹部を備えてもよい。クリーニング装置１６の横方向たとえば図４Ａに示されるｙ方向及びｚ方向における延長または寸法は、図２に示されるクリーニング装置の横方向の延長または寸法よりも小さい。クリーニング装置１６の横方向の延長または寸法は、パーティクルが静電クランプ４の誘電部の上面６ａに予め定められた領域または空間から除去されまたは除去可能であるように選択されてもよい。たとえば、クリーニング装置１６の横方向の延長または寸法は、静電クランプ４の隣接する２つのバール１２ａ、１２ｂの間の空間または領域に一致（実質的に一致）しまたはそれより小さくなるように選択されてもよい。これは、たとえばクリーニング装置１６と静電クランプ４との間の電界の強さを増加させるために、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間の距離Ｄを低減または最小化することを可能としうる。また、これは、パーティクルを静電クランプ４の誘電部６の上面６ａから局所的に除去することを可能としうる。図４Ａに示されるクリーニング装置１６は静電クランプの横方向の延長または寸法よりも小さい横方向の延長または寸法を備えるが、他の実施形態においては、クリーニング装置の横方向の延長または寸法は、静電クランプの横方向の延長または寸法に実質的に一致するように選択されてもよい。

図４Ｂは、クランプからパーティクルを除去するためのシステムの他の例を示す。図４Ａに示されるシステム２は、図２に示されるものと類似する。クリーニング装置１６の絶縁部１８は、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間に生成される電界が不均一電界を備えるように成形されていてもよい。絶縁部１８は、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間に生成される電界が絶縁部１８での１つまたは複数の点で集中または増加されるように成形されていてもよい。たとえば、クリーニング装置１６は、複数の絶縁部１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄを備えてもよく、これらは電極２０から延在するように設けられていてもよい。各絶縁部１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄは、第１端から第２端へと先細となるように設けられていてもよい。各絶縁部１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄの第１端は、支持部２０に設けられてもよい。第２端は、支持部から遠位に設けられていてもよい。第２端は、使用時に第２端が静電クランプ４の誘電部６の上面６ａに向けられるように設けられていてもよい。

各絶縁部１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄは、尖状または鋭状の部分１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄを備えてもよい。尖状または鋭状の部分１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄは、各絶縁部１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄの第２端の一部であり、またはそこに備えられ、またはそれを定めてもよい。複数の絶縁部１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄは、使用時に各絶縁部１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄの各尖状または鋭状の部分１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄが静電クランプ４の誘電部６の上面６ａに向けられるように、支持部２０に設けられていてもよい。電界がクリーニング装置１６と静電クランプ４との間に生成されるとき、その電界は、各絶縁部１８ａ〜１８ｄの尖状または鋭状の部分１９ａ〜１９ｄに集中するものとみなされうる。すなわち、生成される電界の強さは、各絶縁部１８ａ〜１８ｄの尖状または鋭状の部分１９ａ〜１９ｄで増加されるものとみなされうる。これは、上述のように、静電クランプ４の誘電部６の上面６ａからのパーティクルの除去を可能としうる。

図４Ｂに示されるクリーニング装置１６との間に生成される電界は、不均一であるとみなされうる。クリーニング装置１６と静電クランプ４との間に不均一電界を生成することによって、帯電していないパーティクルを除去することが可能となりうる。たとえば、使用時に、帯電していないパーティクルが静電クランプ４と物体との間に生成される電界によって引きつけられうる。たとえば、帯電していないパーティクルは、静電クランプ４と物体との間に生成される電界によって分極された状態となりうる。たとえば、２つの反対の電荷が静電クランプ４と物体の間の電界によってパーティクルに誘起されうる。パーティクルの一部が正に帯電し、そのパーティクルの他の一部が負に帯電しうる。これにより、パーティクルが電界に整列されうる。均一な電界においてパーティクルは、たとえばパーティクルの両部分に働くクーロン力によって、静電クランプ４上で静止しているか、または移動しないのに対し、不均一電界においては、パーティクルは、増加された電界強度を有する電界の一部へと引きつけられうる。他の例においては、たとえば予め帯電したパーティクルのように、電荷を備えるパーティクルが、静電クランプ４と物体との間に存在しまたは配置されてもよい。パーティクルは、たとえばパーティクルに働くクーロン力によって、静電クランプ４に向けて移動してもよい。帯電していないパーティクルに誘起される２つの反対の電荷の作用は、たとえばパーティクルに働くクーロン力によって静電クランプ４に向けて移動する予め帯電したパーティクルの作用よりも一般に弱いものとみなされうる。

絶縁部１８ａ〜１８ｄは、クリーニング装置の支持部２０から延在する歯またはフォーク状の形で設けられてもよい。絶縁部は歯またはフォーク状に設けられることに限定されるものではなく、他の形状の絶縁部が、生成された電界を絶縁部の１つ又は複数の点に集中させ、及び／または不均一電界を発生させるために使用されてもよい。図４Ｂは４つの絶縁部を示すが、他の実施形態においては、４よりも多数または少数の絶縁部がクリーニング装置の電極に設けられてもよい。

図４Ａおよび図４Ｂにおいては、電圧は、支持部２０たとえば支持部２０の上部２０ｄに印加されてもよい。支持部２０に印加される電圧の極性は、同じであってもよい。支持部２０に印加される電圧は、たとえば静電クランプ４の電極８に電圧が印加されないとき、支持部２０に電荷の再分配を生じさせてもよい。電圧がクリーニング装置１６の支持部２０と静電クランプの電極８に印加されるとき、支持部２０における電荷の再分配が増強されてもよい。これは、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間に延びる電界の強さを増加させることにつながりうる。たとえば、正の電圧がクリーニング装置１６の支持部２０及び／または静電クランプ４の電極８に印加されるとき、支持部２０の下部２０ａが負に帯電するとみなされてもよく、支持部２０の上部２０ｄが正に帯電するとみなされてもよい。負の電圧がクリーニング装置の支持部及び／または静電クランプの電極に印加される実施形態においては、支持部の下部が正に帯電するとみなされてもよく、支持部の上部が負に帯電するとみなされてもよい。

図２、図４Ａ、及び／または図４Ｂに示されるシステム２は、コントローラ２３を備えてもよい（図２、図４Ａおよび図４Ｂにおいて破線の長方形で示される）。コントローラ２３は、静電クランプ４の電極８及び／またはクリーニング装置１６の支持部２０に電圧を印加するように構成されていてもよい。コントローラ２３は、電圧源２４を備えてもよい。電圧源２４は、クリーニング装置１６の支持部２０に電圧を印加するように構成されていてもよい。システム２は、静電クランプ４に電圧を供給するように構成される更なる電圧源２６を備えてもよい。更なる電圧源２６は、コントローラ２３の一部でありまたはそこに備えられていてもよい。あるいは、更なる電圧源２６は、更なるコントローラの一部でありまたはそこに備えられていてもよい。あるいは、電圧源２４は、クリーニング装置１６の支持部２０および静電クランプ４の電極８に電圧を印加するように構成されていてもよい。他の実施形態においては、コントローラ（または更なるコントローラ）は、コントローラ（または更なるコントローラ）から分離されまたは追加して設けられてもよい。

図２、図４Ａ、及び／または図４Ｂに示される絶縁部１８は、ある最小厚さを備えてもよい。絶縁部の最小厚さは、絶縁部１８の絶縁破壊が防止されるようになっていてもよい。絶縁部１８は、ある最大厚さを備えてもよい。最大厚さは、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間に生成される電界の強さが最大化されるように選択されてもよい。たとえば、最大厚さよりも大きい絶縁部１８の厚さは、絶縁部が最大厚さに等しいかまたはそれ未満の厚さを備えるクリーニング装置１６と静電クランプ４との間に生成される電界の強さに比べて、電界の強さを減少させる原因となりうる。絶縁部１８の厚さは、たとえばクリーニング装置１６の使用中にクリーニング装置１６と静電クランプ４との間の距離Ｄより小さくなるように選択されてもよい。絶縁部１８の厚さは、およそ１００ｎｍから５μｍの範囲にあるように選択されてもよい。

図２、図４Ａ、及び／または図４Ｂに示される支持部２０は、静電クランプ４からパーティクルを除去するのに使用される時間よりも小さくなるように選択された時定数をもつ材料を備えてもよい。材料の時定数は、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間に生成される電界への材料の応答とみなされうる。すなわち、材料の時定数は、上述のように、材料が少なくとも部分的にまたは完全に分極された状態となるのに要する時間、たとえば材料において電荷が再分配されるのに要する時間とみなされうる。材料の時定数は、材料の抵抗率と材料の誘電率の積から生じうる。材料は、時定数が１秒未満から１日以上の範囲にあるように選択されてもよい。たとえば、材料は、０．１秒に等しいかそれ未満の時定数を備えてもよい。これにより、支持部２０の材料は導電性であるとみなされることができる。たとえば、図２、図４Ａ、及び／または図４Ｂに示される支持部は、たとえば金属などの導電材料、またはたとえばシリコン、窒化ガリウム（ＧａＮ）、またはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）などの半導体材料を備えてもよい。

使用時において、図２、図４Ａ、及び／または図４Ｂに示されるクリーニング装置１６は、静電クランプ４の上面６ａの近傍に配置されてもよい。たとえば、クリーニング装置１６は、絶縁部１８が静電クランプ４たとえば誘電部６の上面６ａに向けられまたはそこに向けて延在するように、静電クランプ４に対して配置されてもよい。クリーニング装置１６は、絶縁部１８及び／または支持部２０が静電クランプ４の誘電部６の上面６ａに平行（または実質的に平行）な方向に延在するように、静電クランプに対して配置されてもよい。

使用時において、電圧は、静電クランプ４の電極８及び／またはクリーニング装置１６の支持部２０に、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間に電界を発生させるために印加されてもよい。電圧は、クリーニング装置１６と静電クランプ４との間に生成される電界が静電クランプ４の上面６ａからパーティクルを除去させるようにパーティクルに働くように選択されてもよい。

システム２及び／またはクリーニング装置１６は、リソグラフィ装置の一部であってもよい。しかしながら、他の実施形態においては、システム及び／またはクリーニング装置は、リソグラフィ装置から別個に設けられてもよい。たとえば、システム及び／またはクリーニング装置は、別個のクリーニングステーションの一部でありまたはそこに備えられてもよい。システム及び／または装置は、静電クランプ４または他の物体へとパーティクルが移動しまたは運ばれるのを防ぐために使用されうる。これにより、パーティクルがリソグラフィ装置に入ることが防止され、またはリソグラフィ装置に入りうるパーティクルの量が低減されうる。たとえば、システム及び／または装置は、基板ローディングシステムの一部であってもよい。

支持部は電圧が静電クランプの電極及び／または支持部に印加されるとき電極として働くように構成されるものとして説明した。上述のように、支持部は、半導体材料を備えてもよい。この実施形態においては、支持部は、静電クランプ（たとえば静電クランプの電極に印加される電圧）によって生成される電界、または電圧に支持部が配置されまたは晒されるとき電極として働くものとみなされてもよい。あるいは、支持部は、電圧が印加されるとき電極として働くものとみなされてもよく、これは上述のように支持部に電荷の再分配を生じさせうる。他の実施形態においては、支持部は、半導体材料に加えてまたはそれに代えて、導電材料を備えてもよい。支持部は、電圧が導電材料に印加されるとき電極として働いてもよい。たとえば、導電材料は、支持部に電極を形成するように設けられてもよい。こうした実施形態においては、静電クランプの電極及び／または支持部に印加される電圧たとえば電圧の極性は、クリーニング装置と静電クランプとの間に生成される電界が静電クランプの上面からパーティクルを除去させるようにパーティクルに働くように選択されてもよい。

静電クランプ上のパーティクルは、静電クランプからの改善された除去を促進するために静電力によって予め帯電されることができる。こうした事前帯電は、以下のように行われてもよい。まず、たとえば２００Ｖを超える（プラスまたはマイナス３００Ｖ未満であるべきである）クランプ電圧が、クランプ上に物体を存在させることなく静電クランプに印加される。このクランプ電圧の印加中に静電クランプとその上にあるパーティクルは（ＥＵＶ）放射による露光によって放電される。そして、クランプ電圧は除去され、パーティクルはマイナス２００Ｖ（クランプ電圧がマイナス２００Ｖであった場合にはプラス２００Ｖ）に事前帯電される。

本発明の実施形態は、ＥＵＶ放射または深紫外（ＤＵＶ）放射（たとえば１９３ｎｍまたは２４８ｎｍ）を使用するリソグラフィ装置において使用されてもよい。静電クランプは、真空クランプを使用することが実用的ではないリソグラフィ装置ＬＡにおいて使用されてもよい。たとえば、ＥＵＶリソグラフィ装置ＬＡの一部の領域は真空条件下で動作するので、そうした領域では真空クランプを使用することが実用的ではないかもしれない。静電クランプが代わりに使用されてもよい。ＤＵＶ放射を使用する場合、リソグラフィ装置は、周囲（非真空条件）下にあってもよいので、真空クランプが基板Ｗを基板テーブルＷＴに保持するために使用されてもよい。本発明の実施形態は、真空クランプを備える基板テーブルＷＴから汚染物質を除去するために使用されてもよい。

図５Ａは、本発明のある実施形態に係り、基板テーブルＷＴからパーティクルを除去するためのシステム３０を示す。基板テーブルＷＴは、基板Ｗ（図示せず）を保持するために、この例ではバール３２である複数の支持体を備えてもよい。バール３２は、二次元アレイとして設けられている。図５Ａでは１５個のバール３２が見える。これはおよそ１５０個のバールの二次元アレイに相当しうる。他の実施形態においては、基板テーブルＷＴは、他の個数のバールを備えてもよい。バール３２は、基板テーブルＷＴの本体３６の上面３４上に配置されている。バール３２は、基板テーブルＷＴの本体３６と一体であってもよい。バール３２の上面は、基板Ｗを保持できる平面３８を定めてもよい。

基板Ｗは、真空クランプによってバール３２に取り付けられてもよい。すなわち、基板Ｗは、基板Ｗをバール３２に引きつける力を与える真空を適用することによって、バール３２に保持される。このために、シール４９が基板テーブルＷＴに設けられている。なお、本書に述べるシステムは、真空クランプを使用するものに限られず、他のクランプが使用されてもよい。

図５Ａは、基板テーブルＷＴからパーティクルを除去するためのシステム３０を使用する装置を示す。装置は、クリーニング装置４０の形式で設けられてもよい。図５Ａに示されるクリーニング装置４０は、クリーニング基板と称されてもよい。クリーニング装置４０は、基板テーブルＷＴからパーティクルを除去するために適当でありうる。とくに、クリーニング装置４０は、基板テーブルＷＴのバール３２からパーティクルを除去するために適当でありうる。さらには、クリーニング装置４０は、基板テーブルＷＴのバール３２の上面からパーティクルを除去するために適当でありうる。

使用時において、クリーニング装置４０は、基板テーブルＷＴの近傍に配置されてもよい。クリーニング装置４０は、絶縁部４２を備える。絶縁部４２は、たとえばガラスまたはポリマーなどの絶縁性または誘電性の材料を備えてもよい。絶縁部４２は、フォトレジストを備えてもよい。

クリーニング装置４０は、支持部４４を備える。支持部４４は、基板Ｗであってもよい。支持部４４は、導電プレート、より具体的には、ベア基板Ｗであってもよい。図５Ａにおいて絶縁部４２は支持部４４上に設けられるものとして示されている。絶縁部４２は、支持部４４から延在しまたは突出するように設けられてもよい。

支持部４４および絶縁部４２はそれぞれ、実質的な連続面を定めるように設けられている。ただし、電気接続が通りうる支持部４４および絶縁部４２の一方または両方の一部分は除く。他の例においては、電気接続が通る部分がなくてもよく、支持部及び／または絶縁部は、全体的に連続な面を定めてもよい。他の例においては、支持部または絶縁部の一方が連続面を定め、他方が１つ又は複数の凹部を備えてもよい。

支持部４０は、電圧が支持部４４及び／または基板テーブルＷＴに印加されるとき支持部４４が基板テーブルＷＴからのパーティクルの除去のためにクリーニング装置４０と基板テーブルＷＴとの間に電界を生成することを可能とするように電極として働くように構成されている。よって、非導電性の絶縁部４２にわたる電圧差がある。支持部４４及び／または基板テーブルＷＴに印加される電圧は、パーティクルがクリーニング装置４０の絶縁部３８の少なくとも一部または全体に付着するように選択されてもよい。

システム３０は、コントローラ４６を備えてもよい（図５Ａでは長方形で示される）。この例では、コントローラ４６は、クリーニング装置４０の支持部４４に電圧を印加するように構成されていてもよい。コントローラ４６は、電圧源４８を備えてもよい。電圧源は、ＤＣであってもよい。電圧源４８は、クリーニング装置４０の支持部４４に電圧を印加するように構成されていてもよい。ＤＣ電圧源４８の負極が基板テーブルＷＴに接続されていてもよい。これは、基板テーブルＷＴにおける穴５２にロッド５０を取り付けることによって実現されてもよい。ＤＣ電圧源４８の負極とロッド５０との間の電気接続は、支持部４４および絶縁部４２の一方または両方の一部分を通過してもよい。基板テーブルＷＴは、接地されていてもよい。他の例においては、ＤＣ電圧源４８の負極が基板テーブルＷＴと同様にグランドに接続されていてもよい。

他の例においては、システム３０は、基板テーブルＷＴに電圧を供給するように構成される更なる電圧源（図示せず）を備えてもよい。更なる電圧源は、コントローラ４６の一部でありまたはそこに備えられてもよい。あるいは、更なる電圧源は、更なるコントローラ（図示せず）の一部でありまたはそこに備えられてもよい。あるいは、電圧源４８は、クリーニング装置４０の支持部４４と基板テーブルＷＴに電圧を印加するように構成されていてもよい。

クリーニング装置４０と基板テーブルＷＴとの間の電界のセットアップによって、基板テーブルＷＴ上のパーティクルは電荷を得る。電界が十分に強ければ、支持部４４からの静電的な引力は、パーティクルに働く接着（および重力）に打ち勝ち、パーティクルは、絶縁部４２に付着した状態となる。これは、図２から図４に関して上述した方法と同様である。

パーティクルの直径と電界のサイズに依存して、重力、接着力、または静電力のうち１つがパーティクルにおいて支配的となる。一例として、パーティクル直径が２００〜３００ｎｍのパーティクル除去では、１ＭＷ／ｃｍの電界が印加されれば、その結果得られる静電力が重力および接着に打ち勝つことになる。他の強さの電界が使用されてもよい。電界は、小さいサイズのパーティクルについてのパーティクル除去のために増加されてもよい。すなわち、小さいパーティクルについては、その小さいパーティクルでの静電力を支配的とするために、大きいパーティクルに比べて、電界を大きくしなければならない。

絶縁部４２は、およそ１〜１０μｍの厚さ（すなわちｘ方向）を有してもよい。他の例においては、絶縁部４２の厚さは、要件に依存してこれよりも小さくまたは大きくてもよい。

図５Ａのクリーニング装置は、最大１０ＭＷ／ｃｍの電界を実現しうる。たとえば、１０ＭＷ／ｃｍの電界を実現するために、１０ｋＶの電圧差が１０μｍの絶縁層４２に印加されてもよい。他の例においては、実現される電界は、１０ＭＷ／ｃｍとは異なってもよい。

システム３０は、蓄積したパーティクルを除去することによって、バール３０の上面を清掃する。基板テーブルＷＴを清掃する他の従前の方法は、基板テーブルＷＴを適正に清掃しない。

従前の清掃手順、ツール、液体は、汚染された基板テーブルＷＴを適切に清掃するには不十分であると考えられている。手作業の清掃がある汚染しきい値に達したときに行われる。従前は、手作業の清掃をする汚染しきい値に達する前に、現場でグラナイトの清掃石が基板テーブルＷＴを清掃するために使用されていた。この現場での清掃は手作業の清掃（４時間）よりも短時間（数分程度）であるが、完全ではない。

従前の清掃方法を使用すると、新規の基板テーブルＷＴから使用されるにつれて時間とともに必要な清掃頻度が増えていく。従前の清掃方法（現場と手作業の両方とも）では基板テーブルＷＴが完全には清掃されないからである。より具体的には、清掃石（手作業の清掃にも使用される）がバール上面よりも下方には届かないので、有効に清掃される表面がバールの上部領域のみとなるからである。汚染物質（パーティクル）は、これら従前の方法を使用しても除去されず、むしろ、たとえばバール間へと移動されるだけであるかもしれない。汚染物質が除去されずに移動される場合、清掃後にバール上部が汚染される可能性は、より高まる。このバール上部の汚染はフォーカススポット（ｚ方向における基板Ｗ平面の変動）をもたらし、これは基板Ｗの歩留まりに損失をもたらす。

パーティクルが除去されない場合、パーティクルが基板テーブルＷＴの表面に付着した状態となる可能性がある。たとえば、シリコンパーティクルが基板テーブルＷＴの表面で固まって酸化するかもしれない。

図５Ａのシステム３０は、蓄積した汚染物質を低減する改善されたクリーニングを提供する。パーティクルは、システム３０によって除去されうる。基板テーブルＷＴ上のエッジに蓄積した汚染物質は基板エッジの歩留まりに悪影響を及ぼし、リソグラフィ装置ＬＡの稼働時間を削ってしまう。したがって、図５Ａのシステム３０を使用して汚染物質（パーティクル）を除去することによって、基板エッジの歩留まりの低下を回避し、リソグラフィ装置の可用性を向上させることができる。

システム３０は、バール３０の上面に接着した硬いパーティクル（ＳｉＣの粒やＳｉのパーティクルなど）に特に良好に働きうる。

図５Ｂは、基板テーブルＷＴからパーティクルを除去するための、他の例のシステム５４を示す。このシステム５４は、絶縁部５６が実質的な連続面を定めないことを除いて、図５Ａのシステム３０と同様である。

絶縁部５６は、支持部４４から基板テーブルＷＴに向けて（ｘ方向）基板テーブルＷＴのバール３２の領域において突出する突出部５８を有する。突出部５８が基板テーブルＷＴに向けて突出する結果として、絶縁部５６には凹部が形成される。突出部５８は、バール３２のｙ方向におけるサイズ（幅）と実質的に同じｙ方向におけるサイズ（幅）を有する。ただし、いくつかの突出部５８はバール３２とわずかに重なりうる。突出部５８は、バール３２のｚ方向におけるサイズ（長さ）と実質的に同じｚ方向におけるサイズ（長さ）を有する。ただし、いくつかの突出部５８はバール３２とわずかに重なりうる。一般に、突出部５８の面積は、バール３２の上面の面積と同じまたは類似のサイズである。

支持部４４も、支持部４４から基板テーブルＷＴに向けて（ｘ方向）基板テーブルＷＴのバール３２の領域において突出する突出部６０を有する。これら突出部６０は、突出部５８が基板テーブルＷＴに向けて突出する結果として絶縁部５６に形成される凹部を埋める。よって、支持部４４はいまだに、バール３２の上面から同じ距離（すなわちｘ方向における絶縁部５６の厚さ）となる。

突出部５８による絶縁部５６の新たな形状は、絶縁部５６と基板テーブルＷＴの本体３６との間のアーク放電（空気のイオン化）の可能性を低減する。これは、絶縁部５６の非突出部分と基板テーブルＷＴの本体３６との間の距離が大きくなるからである。空気中のアーク放電は典型的に少なくとも０．０３ＭＷ／ｃｍの電界で問題となる。１ＭＷ／ｃｍの電界を絶縁部５６にわたり印加する場合、基板テーブルＷＴの本体３６に向かう電界は、０．０３ＭＷ／ｃｍでありうる。絶縁部の厚さを小さくすることは、アーク放電のリスクを減少させうる。他の例においては、アーク放電のリスクは、他の方法たとえば絶縁部５６と基板テーブルＷＴの本体３６との間の距離を大きくすることによって、低減されてもよい。

本書ではリソグラフィ装置の文脈における本発明の実施形態について具体的な言及がなされているかもしれないが、本発明の実施形態は、他の装置にも使用されうる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、または、ウェーハ（またはその他の基板）またはマスク（またはその他のパターニングデバイス）などの物体を測定または処理する何らかの装置の一部を形成してもよい。これらの装置は、一般に、リソグラフィックツールとも呼ばれる。こうしたリソグラフィックツールは、真空条件または周囲（非真空）条件を使用してもよい。

「ＥＵＶ放射」との用語は、４ｎｍから２０ｎｍの範囲内、例えば１３ｎｍから１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を含むものとみなされうる。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなど４ｎｍから１０ｎｍの範囲内の波長を有してもよい。

本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に具体的に言及しているかもしれないが、本書に説明されたリソグラフィ装置は、他の用途を有してもよい。ありうる他の用途には、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造が含まれる。

上記では光リソグラフィにおける本発明の実施の形態の使用に具体的に言及したかもしれないが、本発明は例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用されうるものであり、文脈が許す場合、光リソグラフィに限られるものではないことは理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィによって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力またはその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離すと、レジストの硬化後にパターンが残される。

上記では本発明の特定の実施形態を説明したが、本発明は、説明したものとは異なる方式で実施されうることが理解される。上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の特許請求の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。

Claims (37)

1. クランプからパーティクルを除去するための、前記クランプの近傍に配置可能な装置であって、
   絶縁部と、
   支持部と、を備え、前記絶縁部の少なくとも一部または全部が前記支持部に設けられ、前記支持部は、電圧が前記装置の前記支持部及び／または前記クランプの電極に印加されるとき前記支持部が前記クランプからのパーティクルの除去のために前記装置と前記クランプとの間に電界を発生可能とする電極として働くように構成されている、装置。
2. 前記装置は、前記装置の少なくとも一部分の形状が、前記装置と前記クランプとの間の距離を低減または最小化することができるように、前記クランプの一部分の形状と相補的となるように構成されている、請求項１に記載の装置。
3. 前記支持部は、少なくとも１つの凹部または複数の凹部を備える、請求項１または２に記載の装置。
4. 前記支持部は、複数の凹部を備え、前記絶縁部は、少なくとも２つの隣接する凹部の間に延在する、請求項３に記載の装置。
5. 前記少なくとも１つの凹部、または前記複数の凹部の各凹部は、前記装置が前記クランプに向けて移動するとき、前記クランプの支持体が前記少なくとも１つの凹部に、または前記複数の凹部の各凹部に少なくとも部分的に受け入れられることができるように成形されている、請求項３または４に記載の装置。
6. 前記絶縁部は、電圧が前記装置の前記支持部及び／または前記クランプの電極に印加されるとき不均一電界が前記装置と前記クランプとの間に生成されるように成形されまたは構成されている、請求項１から５のいずれかに記載の装置。
7. 前記絶縁部は、電圧が前記装置の前記支持部及び／または前記クランプの電極に印加されるとき前記装置と前記クランプとの間に生成される電界の少なくとも一部が前記絶縁部での１つまたは複数の点で集中または増加されるように成形されまたは構成されている、請求項１から６のいずれかに記載の装置。
8. 装置は、複数の絶縁部を備え、各絶縁部が前記支持部から延在または突出するように設けられている、請求項１から７のいずれかに記載の装置。
9. 前記絶縁部または各絶縁部は、第１端から第２端へと先細となるように設けられ、前記絶縁部または各絶縁部の第１端が前記支持部に設けられ、前記第２端が使用時に前記クランプに向けられるように設けられている、請求項８に記載の装置。
10. 前記絶縁部または各絶縁部の第２端は、尖状または鋭状の部分を備える、請求項９に記載の装置。
11. 前記装置の横方向の延長または寸法は、前記クランプの横方向の延長または寸法に実質的に一致するように選択されている、請求項１から１０のいずれかに記載の装置。
12. 前記装置の横方向の延長または寸法は、前記クランプの予め定められた領域または空間からパーティクルが除去されまたは除去可能であるように選択されている、請求項１から１０のいずれかに記載の装置。
13. 前記装置は、コントローラに接続されまたは接続可能であるように構成され、前記コントローラは、前記装置の前記支持部及び／または前記クランプの電極に電圧を印加するように構成されている、請求項１から１２のいずれかに記載の装置。
14. 前記支持部及び／または前記絶縁部は、連続面を定めるように設けられている、請求項１または請求項６から１３のいずれかに記載の装置。
15. 電圧が前記装置の前記支持部及び／または前記クランプの電極に印加されるとき、前記電圧は、前記装置と前記クランプとの間の電界が前記クランプと前記クランプで使用される物体との間に生成される電界の方向とは反対の方向に延在するように選択されている、請求項１から１４のいずれかに記載の装置。
16. クランプからパーティクルを除去するためのシステムであって、
    請求項１から１５のいずれかに記載の装置と、
    物体を保持するように構成されたクランプと、を備えるシステム。
17. 前記クランプは、リソグラフィ装置とともに使用されるように構成され、または、前記クランプは、リソグラフィ装置の一部でありまたはリソグラフィ装置に備えられている、請求項１６に記載のシステム。
18. 前記クランプは、静電クランプを備える、請求項１６または１７に記載のシステム。
19. 前記装置の前記支持部及び／または前記クランプの電極に電圧を印加するように構成されたコントローラをさらに備え、前記電圧は、前記装置と前記クランプとの間に生成される電界が前記クランプからのパーティクルの除去を生じさせるように前記クランプ上のパーティクルに働くように選択されている、請求項１６から１８のいずれかに記載のシステム。
20. クランプからパーティクルを除去する方法であって、
    クランプからパーティクルを除去するための装置を前記クランプの近傍に配置することを備え、前記装置は、絶縁部と、支持部と、を備え、前記絶縁部の少なくとも一部または全部が前記支持部に設けられ、前記支持部は、電圧が前記装置の前記支持部及び／または前記クランプの電極に印加されるとき前記支持部が前記クランプからのパーティクルの除去のために前記装置と前記クランプとの間に電界を発生可能とする電極として働くように構成され、さらに、
    前記クランプからのパーティクルの除去のために前記装置と前記クランプとの間に電界を発生させるように前記装置の前記支持部及び／または前記クランプの電極に電圧を印加することを備える、方法。
21. 前記電圧は、パーティクルが前記絶縁部の少なくとも一部または全部に付着するように選択されている、請求項２０に記載の方法。
22. 放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けられた放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構築された支持構造と、
    基板を保持するように構築された基板テーブルであって、前記基板を保持するためのクランプを備える基板テーブルと、
    前記パターン付けられた放射ビームを前記基板に投影するように構成された投影システムと、
    前記クランプからパーティクルを除去するための、請求項１から１５のいずれかに記載の装置と、を備えるリソグラフィ装置。
23. 放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けられた放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構築された支持構造であって、前記パターニングデバイスを保持するためのクランプを備える支持構造と、
    基板を保持するように構築された基板テーブルと、
    前記パターン付けられた放射ビームを前記基板に投影するように構成された投影システムと、
    前記クランプからパーティクルを除去するための、請求項１から１５のいずれかに記載の装置と、を備えるリソグラフィ装置。
24. 基板テーブルからパーティクルを除去するための、前記基板テーブルの近傍に配置可能な装置であって、
    絶縁部と、
    支持部と、を備え、前記絶縁部の少なくとも一部または全部が前記支持部に設けられ、前記支持部は、電圧が前記装置の前記支持部及び／または前記基板テーブルに印加されるとき前記支持部が前記基板テーブルからのパーティクルの除去のために前記装置と前記基板テーブルとの間に電界を発生可能とする電極として働くように構成されている、装置。
25. 前記装置は、前記基板テーブルのバールの上面からパーティクルを除去するように構成されている、請求項２４に記載の装置。
26. 前記支持部及び／または前記絶縁部は、連続面を定めるように設けられている、請求項２４または２５に記載の装置。
27. 前記絶縁部及び前記支持部は、前記バールの領域において突出部を有する、請求項２５に記載の装置。
28. 前記支持部は、導電プレートである、請求項２４から２７のいずれかに記載の装置。
29. 前記絶縁部は、ポリマー層である、請求項２４から２８のいずれかに記載の装置。
30. 前記装置は、コントローラに接続されまたは接続可能であるように構成され、前記コントローラは、前記装置の前記支持部及び／または前記基板テーブルに電圧を印加するように構成されている、請求項２４から２９のいずれかに記載の装置。
31. 基板テーブルからパーティクルを除去するためのシステムであって、
    請求項２４から３０のいずれかに記載の装置と、
    基板を保持するように構築された基板テーブルと、を備えるシステム。
32. 前記基板テーブルは、リソグラフィ装置とともに使用されるように構成され、または、前記基板テーブルは、リソグラフィ装置の一部でありまたはリソグラフィ装置に備えられている、請求項３１に記載のシステム。
33. 前記装置の前記支持部及び／または前記基板テーブルに電圧を印加するように構成されたコントローラをさらに備え、前記電圧は、前記装置と前記基板テーブルとの間に生成される電界が前記基板テーブルからのパーティクルの除去を生じさせるように前記基板テーブル上のパーティクルに働くように選択されている、請求項３１または３２に記載のシステム。
34. 基板テーブルからパーティクルを除去する方法であって、
    基板テーブルからパーティクルを除去するための装置を前記基板テーブルの近傍に配置することを備え、前記装置は、絶縁部と、支持部と、を備え、前記絶縁部の少なくとも一部または全部が前記支持部に設けられ、前記支持部は、電圧が前記装置の前記支持部及び／または前記基板テーブルに印加されるとき前記支持部が前記基板テーブルからのパーティクルの除去のために前記装置と前記基板テーブルとの間に電界を発生可能とする電極として働くように構成され、さらに、
    前記基板テーブルからのパーティクルの除去のために前記装置と前記基板テーブルとの間に電界を発生させるように前記装置の前記支持部及び／または前記基板テーブルに電圧を印加することを備える、方法。
35. 前記電圧は、パーティクルが前記絶縁部の少なくとも一部または全部に付着するように選択されている、請求項３４に記載の方法。
36. 放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けられた放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構築された支持構造と、
    基板を保持するように構築された基板テーブルと、
    前記パターン付けられた放射ビームを前記基板に投影するように構成された投影システムと、
    前記基板テーブルからパーティクルを除去するための、請求項２４から３０のいずれかに記載の装置と、を備えるリソグラフィ装置。
37. 前記クランプ上のパーティクルは、前記クランプから除去される前に、予め帯電されている、請求項２０または２１に記載の方法。

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