JPH11330056A - 電極のクリーニング方法 - Google Patents
電極のクリーニング方法Info
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- JPH11330056A JPH11330056A JP10139368A JP13936898A JPH11330056A JP H11330056 A JPH11330056 A JP H11330056A JP 10139368 A JP10139368 A JP 10139368A JP 13936898 A JP13936898 A JP 13936898A JP H11330056 A JPH11330056 A JP H11330056A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】真空処理室内のステージ電極上に突発的に付着
した異物を、前記真空処理室を大気解放することなく除
去できる電極のクリーニング方法を提供する。 【解決手段】真空処理室１００内のステージ電極１０１
上に裏面に凹部を有する裏面溝付基板１０９を搭載し、
直流電源１０６により絶縁体製のステージ電極１０１に
直流電圧を印加して、静電チャック方式により裏面溝付
基板１０９を固定する。然る後、 Ｈｅガスライン１０
９によりステージ電極１０１中央部付近よりＨｅガスを
供給し、裏面溝付基板１０９の溝パターン部にＨｅガス
を流すことにより、電極上に突発的に付着した異物を除
去する。その結果、真空処理室を大気解放するすること
なく電極のクリーニングが可能となり、装置のダウンタ
イムを大幅に低減でき、生産性が向上できる。
した異物を、前記真空処理室を大気解放することなく除
去できる電極のクリーニング方法を提供する。 【解決手段】真空処理室１００内のステージ電極１０１
上に裏面に凹部を有する裏面溝付基板１０９を搭載し、
直流電源１０６により絶縁体製のステージ電極１０１に
直流電圧を印加して、静電チャック方式により裏面溝付
基板１０９を固定する。然る後、 Ｈｅガスライン１０
９によりステージ電極１０１中央部付近よりＨｅガスを
供給し、裏面溝付基板１０９の溝パターン部にＨｅガス
を流すことにより、電極上に突発的に付着した異物を除
去する。その結果、真空処理室を大気解放するすること
なく電極のクリーニングが可能となり、装置のダウンタ
イムを大幅に低減でき、生産性が向上できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に用いられる試料搭載・固定用電極のクリーニング方法
に係わり、特に試料固定、温度制御への支障となる電極
上への突発的に付着した異物に対する電極のクリーニン
グ方法に関する。
に用いられる試料搭載・固定用電極のクリーニング方法
に係わり、特に試料固定、温度制御への支障となる電極
上への突発的に付着した異物に対する電極のクリーニン
グ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ用材料の製造工程には、エッチン
グ、膜堆積などにプラズマ処理装置がよく用いられる。
該処理装置では、電極上に試料（ウエハ）を固定し、温
度制御する必要がある。試料の固定にはクランプで機械
的に押さえるメカニカルクランプ方式が採用されてき
た。しかし、該方式では、ウエハ表面をクランプで押え
るため、クランプ材からの汚染、異物発生等の問題があ
る。近年では、例えば、電子材料（９６年７月号）５１
頁〜５７頁に記載されているように、静電力を利用して
ウエハ表面に接触することなく吸着固定が可能な静電チ
ャック方式が採用されつつある。何れの固定方式におい
ても、ウエハ温度を精度良く制御するために、ウエハ裏
面と固定電極面の間にＨｅガスを流して熱伝導の効率を
上げている。また、該Ｈｅの供給圧力をモニタすること
によりウエハ裏面と固定電極面の接触状態に関するイン
タロックに利用されている。
グ、膜堆積などにプラズマ処理装置がよく用いられる。
該処理装置では、電極上に試料（ウエハ）を固定し、温
度制御する必要がある。試料の固定にはクランプで機械
的に押さえるメカニカルクランプ方式が採用されてき
た。しかし、該方式では、ウエハ表面をクランプで押え
るため、クランプ材からの汚染、異物発生等の問題があ
る。近年では、例えば、電子材料（９６年７月号）５１
頁〜５７頁に記載されているように、静電力を利用して
ウエハ表面に接触することなく吸着固定が可能な静電チ
ャック方式が採用されつつある。何れの固定方式におい
ても、ウエハ温度を精度良く制御するために、ウエハ裏
面と固定電極面の間にＨｅガスを流して熱伝導の効率を
上げている。また、該Ｈｅの供給圧力をモニタすること
によりウエハ裏面と固定電極面の接触状態に関するイン
タロックに利用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したプラズマ処理
装置における電極へのウエハの搭載、固定方法ではウエ
ハ裏面と固定電極面の接触状態が良好であれば、ウエハ
温度を精度良く制御できる。しかし、ウエハ処理枚数が
多くなると、 プラズマ処理の際に処理室内壁或いは搬
送ロボット等に付着した生成物が突発的に電極上に付着
して、ウエハ裏面と固定電極面の良好な接触を妨げる。
通常は、定期的に処理室内壁或いは搬送ロボット等に付
着した生成物を除去することにより、突発的な電極上へ
の異物の付着によるトラブル頻度を低減している。しか
し、前記定期クリーニング頻度と装置稼働率を考慮しな
がら実用的な頻度に設定せざるを得ない。換言すれば、
突発的な電極上への異物の付着を完全に無くすことはで
きない。一旦、電極上に付着した異物を除去するために
は、プラズマ処理装置を停止して処理室内を大気解放し
なければならず、再度処理が可能になるためには多大な
時間を要する。
装置における電極へのウエハの搭載、固定方法ではウエ
ハ裏面と固定電極面の接触状態が良好であれば、ウエハ
温度を精度良く制御できる。しかし、ウエハ処理枚数が
多くなると、 プラズマ処理の際に処理室内壁或いは搬
送ロボット等に付着した生成物が突発的に電極上に付着
して、ウエハ裏面と固定電極面の良好な接触を妨げる。
通常は、定期的に処理室内壁或いは搬送ロボット等に付
着した生成物を除去することにより、突発的な電極上へ
の異物の付着によるトラブル頻度を低減している。しか
し、前記定期クリーニング頻度と装置稼働率を考慮しな
がら実用的な頻度に設定せざるを得ない。換言すれば、
突発的な電極上への異物の付着を完全に無くすことはで
きない。一旦、電極上に付着した異物を除去するために
は、プラズマ処理装置を停止して処理室内を大気解放し
なければならず、再度処理が可能になるためには多大な
時間を要する。
【０００４】本発明の目的は、プラズマ処理室内を大気
解放することなく、突発的に電極上に付着した異物を除
去し、短時間で装置の復旧を可能にする電極のクリーニ
ング方法を提供することにある。
解放することなく、突発的に電極上に付着した異物を除
去し、短時間で装置の復旧を可能にする電極のクリーニ
ング方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、突発的に異物の付着した電極上に対して、裏面の中
心部から外周に向けて対称形状となるように形成された
一対或いは複数対の凹部パターンを具備した基板をメカ
クランプ方式或いは静電チャック方式により真空中或い
は減圧雰囲気で搭載、固定した状態で、電極の中央部付
近から、Ｈｅガスを前記凹部パターンに沿って流して、
電極面上に付着していた異物を除去する。電極に付着す
る異物は数１００μｍ程度の大きさであり、プラズマ処
理室のポート等から直接、異物の付着箇所を確認するこ
とはできない。そこで、前記一対或いは複数対の凹部パ
ターンの位置を変えた複数種類の基板を組み合わせて順
次、電極上に搭載、固定した状態で、前記凹部パターン
に沿ってガスを流すことにより電極全面領域を分割しな
がら付着異物を除去する。
に、突発的に異物の付着した電極上に対して、裏面の中
心部から外周に向けて対称形状となるように形成された
一対或いは複数対の凹部パターンを具備した基板をメカ
クランプ方式或いは静電チャック方式により真空中或い
は減圧雰囲気で搭載、固定した状態で、電極の中央部付
近から、Ｈｅガスを前記凹部パターンに沿って流して、
電極面上に付着していた異物を除去する。電極に付着す
る異物は数１００μｍ程度の大きさであり、プラズマ処
理室のポート等から直接、異物の付着箇所を確認するこ
とはできない。そこで、前記一対或いは複数対の凹部パ
ターンの位置を変えた複数種類の基板を組み合わせて順
次、電極上に搭載、固定した状態で、前記凹部パターン
に沿ってガスを流すことにより電極全面領域を分割しな
がら付着異物を除去する。
【０００６】上述した方法によれば、凹部パターンを具
備した基板と電極面の間隙の局所的なＨｅガス流によ
り、凹部パターン領域の電極上異物を追い出し、除去す
ることが可能である。凹部パターン形状を中心部から外
周に向けて対称としておりＨｅガス圧による基板が横方
向に受ける力は相殺され横ずれしない。また、 主流に
なりつつある静電チャック方式に対しても、基板の材質
及、び凹部パターン形状に応じて、Ｈｅ流量、直流電圧
を調整することにより、基板を確実に吸着した状態で充
分なＨｅガス圧を得ることができる。
備した基板と電極面の間隙の局所的なＨｅガス流によ
り、凹部パターン領域の電極上異物を追い出し、除去す
ることが可能である。凹部パターン形状を中心部から外
周に向けて対称としておりＨｅガス圧による基板が横方
向に受ける力は相殺され横ずれしない。また、 主流に
なりつつある静電チャック方式に対しても、基板の材質
及、び凹部パターン形状に応じて、Ｈｅ流量、直流電圧
を調整することにより、基板を確実に吸着した状態で充
分なＨｅガス圧を得ることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】（実施例１）本発明の一実施例を
図１に示す装置概略図を用いて説明する。本発明を適用
した装置はＲＩＥ(reactive ion etching)装置と呼ばれ
るものである。本発明である電極クリーニング方法を説
明する前に、 本装置の本来目的であるエッチング処理
に関する装置構成要素の役割、機能について説明する。
真空ポンプにより排気された真空処理室１００内にサン
プル搭載用のステージ電極１０１を具備した下部電極１
０２と該電極と対向して上部電極１０３が設置されてい
る。下部電極には高周波電源１０４が接続されており、
例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を印加することによ
り、ガス導入ライン１０５より供給されたガスをプラズ
マ分解してエッチング反応を促進させる。エッチングす
べきサンプルをステージ電極１０１に搭載した後、不活
性ガスを導入しプラズマ放電を行う。然る後、直流電源
１０６により絶縁体製のステージ電極１０１に直流電圧
を印加して、前記サンプルをステージ電極１０１に吸着
させる所謂、静電チャック方式によりサンプルを固定し
ている。ステージ電極１０１の温度は、温度コントロー
ラ１０７を用いて所望温度の冷媒を循環させることによ
り制御する。ステージ電極１０１の温度を効率良くサン
プルに伝えるために、Ｈｅガスライン１０９により、ス
テージ電極１０１とサンプル間にＨｅガスを供給する。
サンプルをステージ電極１０１から脱離するには、直流
電源１０６の設定値を変えて不活性ガスのプラズマ放電
を行うことにより、サンプル及び上部電極１０３の除電
を促進するステップを入れる。
図１に示す装置概略図を用いて説明する。本発明を適用
した装置はＲＩＥ(reactive ion etching)装置と呼ばれ
るものである。本発明である電極クリーニング方法を説
明する前に、 本装置の本来目的であるエッチング処理
に関する装置構成要素の役割、機能について説明する。
真空ポンプにより排気された真空処理室１００内にサン
プル搭載用のステージ電極１０１を具備した下部電極１
０２と該電極と対向して上部電極１０３が設置されてい
る。下部電極には高周波電源１０４が接続されており、
例えば１３．５６ＭＨｚの高周波を印加することによ
り、ガス導入ライン１０５より供給されたガスをプラズ
マ分解してエッチング反応を促進させる。エッチングす
べきサンプルをステージ電極１０１に搭載した後、不活
性ガスを導入しプラズマ放電を行う。然る後、直流電源
１０６により絶縁体製のステージ電極１０１に直流電圧
を印加して、前記サンプルをステージ電極１０１に吸着
させる所謂、静電チャック方式によりサンプルを固定し
ている。ステージ電極１０１の温度は、温度コントロー
ラ１０７を用いて所望温度の冷媒を循環させることによ
り制御する。ステージ電極１０１の温度を効率良くサン
プルに伝えるために、Ｈｅガスライン１０９により、ス
テージ電極１０１とサンプル間にＨｅガスを供給する。
サンプルをステージ電極１０１から脱離するには、直流
電源１０６の設定値を変えて不活性ガスのプラズマ放電
を行うことにより、サンプル及び上部電極１０３の除電
を促進するステップを入れる。
【０００８】上述した装置システムによりサンプルのエ
ッチング処理を重ねると、真空処理室１００内の構成部
品に反応生成物が付着し、突発的に剥がれてステージ電
極１０１に落下し、サンプル固定、温度制御に不具合が
発生する場合が有る。本発明は、前記突発的な異物に対
する電極のクリーニング方法である。
ッチング処理を重ねると、真空処理室１００内の構成部
品に反応生成物が付着し、突発的に剥がれてステージ電
極１０１に落下し、サンプル固定、温度制御に不具合が
発生する場合が有る。本発明は、前記突発的な異物に対
する電極のクリーニング方法である。
【０００９】以下、実施内容を説明する。ステージ電極
１０１上に裏面に凹部を有する裏面溝付基板１０９を搭
載し、不活性ガスのプラズマ放電した後、直流電源１０
６により絶縁体製のステージ電極１０１に直流電圧を印
加して、静電チャック方式により裏面溝付基板１０９を
固定する。然る後、 Ｈｅガスライン１０９によりステ
ージ電極１０１中央部付近よりＨｅガスを供給する。前
記裏面溝付基板１０９の裏面形状図を図２（ａ）、
（ｂ）に、凹部を含む断面図を図２（ｃ）に各々示す。
外観形状はエッチング処理サンプルのウエハと類似して
おり、搬送系のセンサ及びロボットからはウエハと同様
に取り扱える。
１０１上に裏面に凹部を有する裏面溝付基板１０９を搭
載し、不活性ガスのプラズマ放電した後、直流電源１０
６により絶縁体製のステージ電極１０１に直流電圧を印
加して、静電チャック方式により裏面溝付基板１０９を
固定する。然る後、 Ｈｅガスライン１０９によりステ
ージ電極１０１中央部付近よりＨｅガスを供給する。前
記裏面溝付基板１０９の裏面形状図を図２（ａ）、
（ｂ）に、凹部を含む断面図を図２（ｃ）に各々示す。
外観形状はエッチング処理サンプルのウエハと類似して
おり、搬送系のセンサ及びロボットからはウエハと同様
に取り扱える。
【００１０】図２（ａ）はＶノッチ型ウエハ、（ｂ）は
オリフラ付ウエハに対応する裏面溝付基板２００の形状
図でありオリフラ２０２が具備されている。裏面溝パタ
ーン２０１は基板の中心部の円と該円から基板外周に向
けて対称となる領域により形成されている。ステージ電
極１０１中央部付近より供給されたＨｅガスは前記円形
状の溝部から外周部に向かって流れる。 Ｈｅガスは裏
面溝付基板２００の中心に対してほぼ点対称の方向に分
かれて流れる。溝パターン形成部２０３の深さは５０〜
５００μｍ程度であれば、本発明の目的に対して有効で
ある。裏面溝付基板２００を厚くすることができれば、
溝パターン形成部２０３の深さを更に深くできることは
言うまでもない。
オリフラ付ウエハに対応する裏面溝付基板２００の形状
図でありオリフラ２０２が具備されている。裏面溝パタ
ーン２０１は基板の中心部の円と該円から基板外周に向
けて対称となる領域により形成されている。ステージ電
極１０１中央部付近より供給されたＨｅガスは前記円形
状の溝部から外周部に向かって流れる。 Ｈｅガスは裏
面溝付基板２００の中心に対してほぼ点対称の方向に分
かれて流れる。溝パターン形成部２０３の深さは５０〜
５００μｍ程度であれば、本発明の目的に対して有効で
ある。裏面溝付基板２００を厚くすることができれば、
溝パターン形成部２０３の深さを更に深くできることは
言うまでもない。
【００１１】また、裏面溝付基板２００の材質はウエハ
と同じＳｉでも良く、他に静電チャックが可能なアルミ
ナ等のセラミックでも構わない。電極クリーニング時に
溝パターン形成部２０３を流すＨｅ流量は、エッチング
時にサンプルの裏面に供給する場合に比べ、１桁以上大
きいためガス流量制御に用いるマスフローコントローラ
は別系統のものを用いることが好ましい。
と同じＳｉでも良く、他に静電チャックが可能なアルミ
ナ等のセラミックでも構わない。電極クリーニング時に
溝パターン形成部２０３を流すＨｅ流量は、エッチング
時にサンプルの裏面に供給する場合に比べ、１桁以上大
きいためガス流量制御に用いるマスフローコントローラ
は別系統のものを用いることが好ましい。
【００１２】上記Ｈｅガスの連続或いは断続的な流れに
より裏面溝パターン２０１に対応するステージ電極１０
１上の突発異物は除去できる。従って、電極全面をクリ
ーニングするためには、図３に示すように裏面溝付基板
３００の裏面溝パターン３０１がオリフラ３０２に対し
て角度を変えた複数種の裏面溝付基板３００を順次適用
することが有効である。
より裏面溝パターン２０１に対応するステージ電極１０
１上の突発異物は除去できる。従って、電極全面をクリ
ーニングするためには、図３に示すように裏面溝付基板
３００の裏面溝パターン３０１がオリフラ３０２に対し
て角度を変えた複数種の裏面溝付基板３００を順次適用
することが有効である。
【００１３】本一実施例によれば、真空処理室１００を
大気解放することなくステージ電極１０１上へ突発的に
付着した異物を除去できる。そのため、装置の停止及び
立ち上げに要する時間を大幅に削減できる。
大気解放することなくステージ電極１０１上へ突発的に
付着した異物を除去できる。そのため、装置の停止及び
立ち上げに要する時間を大幅に削減できる。
【００１４】本一実施例では、裏面溝付基板２００の裏
面溝パターン２０１は円と一対の扇形によりなっている
が、このパターン形状以外でも裏面の中央から外周に向
けた一対或いは複数対の溝パターンでも構わない。
面溝パターン２０１は円と一対の扇形によりなっている
が、このパターン形状以外でも裏面の中央から外周に向
けた一対或いは複数対の溝パターンでも構わない。
【００１５】また、上述したクリーニング処理を、ステ
ージ電極１０１に落下した異物による不具合が発生した
場合に適用するだけでなく、ロット処理の間に定期的に
適用することで予防保全的な効果がある。
ージ電極１０１に落下した異物による不具合が発生した
場合に適用するだけでなく、ロット処理の間に定期的に
適用することで予防保全的な効果がある。
【００１６】また、本一実施例では平行平板型のＲＩＥ
装置の電極クリーニングに適用した例を述べたが、他の
プラズマ生成方式のドライエッチング装置、例えばＥＣ
Ｒ(electron cyclotron resonance)方式、ＩＣＰ(induc
tive coupled plasma)方式のエッチング装置のサンプル
搭載電極にも適用可能である。また、エッチング装置に
限らずＣＶＤ(chemical vapor deposition)、ＰＶＤ(ph
ysical vapor deposition)の装置にも適用可能である。
装置の電極クリーニングに適用した例を述べたが、他の
プラズマ生成方式のドライエッチング装置、例えばＥＣ
Ｒ(electron cyclotron resonance)方式、ＩＣＰ(induc
tive coupled plasma)方式のエッチング装置のサンプル
搭載電極にも適用可能である。また、エッチング装置に
限らずＣＶＤ(chemical vapor deposition)、ＰＶＤ(ph
ysical vapor deposition)の装置にも適用可能である。
【００１７】また、図１に示した静電チャック方式は単
極式を採用しているが、双極式の静電チャック電極に対
しても本発明は適用可能である。双極式の静電チャック
の場合は、直流バイアスだけでサンプルの吸着固定が可
能であり、事前の不活性ガスのプラズマ放電が不要にな
る。
極式を採用しているが、双極式の静電チャック電極に対
しても本発明は適用可能である。双極式の静電チャック
の場合は、直流バイアスだけでサンプルの吸着固定が可
能であり、事前の不活性ガスのプラズマ放電が不要にな
る。
【００１８】（実施例２）本発明の一実施例を図４に示
す装置概略図を用いて説明する。本発明を適用した装置
はＲＩＥ(reactive ion etching)装置と呼ばれるもの
で、サンプルを真空処理室４００内のステージ電極４０
１に固定する方式だけが上述した実施例１の装置と異な
っている。上述した実施例１では静電チャック方式によ
りサンプルを固定しているが、本実施例ではメカニカル
クランプ方式を用いており、クランプ４０９によりサン
プルを機械的に押さえて固定する。従って、上述した実
施例のようにサンプル固定用の直流電源は不要である。
また、サンプル固定の手順としても、不活性ガスによる
プラズマ放電のステップも不要である。その他のエッチ
ング処理に関する装置構成要素の役割、機能について
は、実施例１と同様である。
す装置概略図を用いて説明する。本発明を適用した装置
はＲＩＥ(reactive ion etching)装置と呼ばれるもの
で、サンプルを真空処理室４００内のステージ電極４０
１に固定する方式だけが上述した実施例１の装置と異な
っている。上述した実施例１では静電チャック方式によ
りサンプルを固定しているが、本実施例ではメカニカル
クランプ方式を用いており、クランプ４０９によりサン
プルを機械的に押さえて固定する。従って、上述した実
施例のようにサンプル固定用の直流電源は不要である。
また、サンプル固定の手順としても、不活性ガスによる
プラズマ放電のステップも不要である。その他のエッチ
ング処理に関する装置構成要素の役割、機能について
は、実施例１と同様である。
【００１９】上述した装置システムによりサンプルのエ
ッチング処理を重ねると、真空処理室４００内の構成部
品に反応生成物が付着し、突発的に剥がれてステージ電
極４０１に落下し、サンプル固定、温度制御に不具合が
発生する場合が有る。前記突発的な異物に対する電極ク
リーニング方法として、ステージ電極４０１上に裏面に
凹部を有する裏面溝付基板４０８を搭載した後、メカニ
カルクランプ方式によりクランプ４０９で裏面溝付基板
４０８を機械的に押さえて固定する。然る後、Ｈｅガス
ライン４０７によりステージ電極４０１中央部付近より
Ｈｅガスを供給する。前記裏面溝付基板４０８の裏面形
状図を図２（ａ）、（ｂ）に、凹部を含む断面図を図２
（ｃ）に各々示す。外観形状はエッチング処理サンプル
のウエハと類似しており、搬送系のセンサ及びロボット
からはウエハと同様に取り扱える。
ッチング処理を重ねると、真空処理室４００内の構成部
品に反応生成物が付着し、突発的に剥がれてステージ電
極４０１に落下し、サンプル固定、温度制御に不具合が
発生する場合が有る。前記突発的な異物に対する電極ク
リーニング方法として、ステージ電極４０１上に裏面に
凹部を有する裏面溝付基板４０８を搭載した後、メカニ
カルクランプ方式によりクランプ４０９で裏面溝付基板
４０８を機械的に押さえて固定する。然る後、Ｈｅガス
ライン４０７によりステージ電極４０１中央部付近より
Ｈｅガスを供給する。前記裏面溝付基板４０８の裏面形
状図を図２（ａ）、（ｂ）に、凹部を含む断面図を図２
（ｃ）に各々示す。外観形状はエッチング処理サンプル
のウエハと類似しており、搬送系のセンサ及びロボット
からはウエハと同様に取り扱える。
【００２０】図２（ａ）はＶノッチ型ウエハ、（ｂ）は
オリフラ付ウエハに対応する裏面溝付基板２００の形状
図でありオリフラ２０３が具備されている。裏面溝パタ
ーン２０１は基板の中心部の円と該円から基板外周に向
けて対称となる領域により形成されている。ステージ電
極４０１中央部付近より供給されたＨｅガスは前記円形
状の溝部から外周部に向かって流れる。 Ｈｅガスは裏
面溝付基板２００の中心に対してほぼ点対称の方向に分
かれて流れる。溝パターン形成部２０３の深さは５０〜
５００μｍ程度であれば、本発明の目的に対して有効で
ある。裏面溝付基板２００を厚くすることができれば、
溝パターン形成部２０３の深さを更に深くできることは
言うまでもない。
オリフラ付ウエハに対応する裏面溝付基板２００の形状
図でありオリフラ２０３が具備されている。裏面溝パタ
ーン２０１は基板の中心部の円と該円から基板外周に向
けて対称となる領域により形成されている。ステージ電
極４０１中央部付近より供給されたＨｅガスは前記円形
状の溝部から外周部に向かって流れる。 Ｈｅガスは裏
面溝付基板２００の中心に対してほぼ点対称の方向に分
かれて流れる。溝パターン形成部２０３の深さは５０〜
５００μｍ程度であれば、本発明の目的に対して有効で
ある。裏面溝付基板２００を厚くすることができれば、
溝パターン形成部２０３の深さを更に深くできることは
言うまでもない。
【００２１】また、裏面溝付基板２００の材質はウエハ
と同じＳｉでも良く、他に静電チャックが可能なアルミ
ナ等のセラミックでも構わない。電極クリーニング時に
溝パターン形成部２０３を流すＨｅ流量は、エッチング
時にサンプルの裏面に供給する場合に比べ、１桁以上大
きいためガス流量制御に用いるマスフローコントローラ
は別系統のものを用いることが好ましい。
と同じＳｉでも良く、他に静電チャックが可能なアルミ
ナ等のセラミックでも構わない。電極クリーニング時に
溝パターン形成部２０３を流すＨｅ流量は、エッチング
時にサンプルの裏面に供給する場合に比べ、１桁以上大
きいためガス流量制御に用いるマスフローコントローラ
は別系統のものを用いることが好ましい。
【００２２】上記Ｈｅガスの連続或いは断続的な流れに
より裏面溝パターン２０１に対応するステージ電極４０
１上の突発異物は除去できる。従って、電極全面をクリ
ーニングするためには、図３に示すように裏面溝付基板
３００の裏面溝パターン３０１がオリフラ３０２に対し
て角度を変えた複数種の裏面溝付基板３００を順次適用
することが有効である。
より裏面溝パターン２０１に対応するステージ電極４０
１上の突発異物は除去できる。従って、電極全面をクリ
ーニングするためには、図３に示すように裏面溝付基板
３００の裏面溝パターン３０１がオリフラ３０２に対し
て角度を変えた複数種の裏面溝付基板３００を順次適用
することが有効である。
【００２３】本一実施例によれば、真空処理室４００を
大気解放することなくステージ電極４０１上へ突発的に
付着した異物を除去できる。そのため、装置の停止及び
立ち上げに要する時間を大幅に削減できる。
大気解放することなくステージ電極４０１上へ突発的に
付着した異物を除去できる。そのため、装置の停止及び
立ち上げに要する時間を大幅に削減できる。
【００２４】本一実施例では、裏面溝付基板２００の裏
面溝パターン２０１は円と一対の扇形によりなっている
が、このパターン形状以外でも裏面の中央から外周に向
けた一対或いは複数対の溝パターンでも構わない。
面溝パターン２０１は円と一対の扇形によりなっている
が、このパターン形状以外でも裏面の中央から外周に向
けた一対或いは複数対の溝パターンでも構わない。
【００２５】また、上述したクリーニング処理を、ステ
ージ電極４０１に落下した異物による不具合が発生した
場合に適用するだけでなく、ロット処理の間に定期的に
適用することで予防保全的な効果がある。
ージ電極４０１に落下した異物による不具合が発生した
場合に適用するだけでなく、ロット処理の間に定期的に
適用することで予防保全的な効果がある。
【００２６】また、本一実施例では平行平板型のＲＩＥ
装置の電極クリーニングに適用した例を述べたが、他の
プラズマ生成方式のドライエッチング装置、例えばＥＣ
Ｒ(electron cyclotron resonance)方式、ＩＣＰ(induc
tive coupled plasma)方式のエッチング装置のサンプル
搭載電極にも適用可能である。また、エッチング装置に
限らずＣＶＤ(chemical vapor deposition)、ＰＶＤ(ph
ysical vapor deposition)の装置にも適用可能である。
装置の電極クリーニングに適用した例を述べたが、他の
プラズマ生成方式のドライエッチング装置、例えばＥＣ
Ｒ(electron cyclotron resonance)方式、ＩＣＰ(induc
tive coupled plasma)方式のエッチング装置のサンプル
搭載電極にも適用可能である。また、エッチング装置に
限らずＣＶＤ(chemical vapor deposition)、ＰＶＤ(ph
ysical vapor deposition)の装置にも適用可能である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、ステージ電極に固定し
た裏面溝付基板の溝パターン形成部に沿ってＨｅガスを
流すことにより、前記ステージ電極上に突発的に付着し
た異物を除去することにより、真空処理室を大気解放す
ることなく、ステージ電極上のクリーニングが 行え
る。その結果、短時間でステージ電極上の突発異物を除
去できる効果がある。また、予防保全的に本発明のクリ
ーニングを適用することで、ステージ電極上に突発的に
付着する異物による不具合を回避できる。これにより、
安定したエッチング装置の稼働が可能になる。
た裏面溝付基板の溝パターン形成部に沿ってＨｅガスを
流すことにより、前記ステージ電極上に突発的に付着し
た異物を除去することにより、真空処理室を大気解放す
ることなく、ステージ電極上のクリーニングが 行え
る。その結果、短時間でステージ電極上の突発異物を除
去できる効果がある。また、予防保全的に本発明のクリ
ーニングを適用することで、ステージ電極上に突発的に
付着する異物による不具合を回避できる。これにより、
安定したエッチング装置の稼働が可能になる。
【図１】本発明の一実施例の装置概略の説明図である。
【図２】本発明の一実施例の裏面溝付基板の説明図であ
る。
る。
【図３】本発明の一実施例の裏面溝付基板の溝パターン
の説明図である。
の説明図である。
【図４】本発明の他の実施例の装置概略の説明図であ
る。
る。
１００…真空処理室、１０１…ステージ電極、１０２…
下部電極、１０３…上部電極、１０４…高周波電源、１
０５…ガス導入ライン、１０６… 直流電源、１０７…
温度コントローラ、１０８… Ｈｅガスライン、１０９
… 裏面溝付基板、２００…裏面溝付基板、２０１…裏
面溝パターン、２０２…オリフラ、２０３…溝パターン
形成部、３００…裏面溝付基板、３０１…裏面溝パター
ン、３０２…オリフラ、４００…真空処理室、４０１…
ステージ電極、４０２…下部電極、４０３…上部電極、
４０４…高周波電源、４０５…ガス導入ライン、４０６
…温度コントローラ、４０７…Ｈｅガスライン、４０８
…裏面溝付基板、４０９…クランプ。
下部電極、１０３…上部電極、１０４…高周波電源、１
０５…ガス導入ライン、１０６… 直流電源、１０７…
温度コントローラ、１０８… Ｈｅガスライン、１０９
… 裏面溝付基板、２００…裏面溝付基板、２０１…裏
面溝パターン、２０２…オリフラ、２０３…溝パターン
形成部、３００…裏面溝付基板、３０１…裏面溝パター
ン、３０２…オリフラ、４００…真空処理室、４０１…
ステージ電極、４０２…下部電極、４０３…上部電極、
４０４…高周波電源、４０５…ガス導入ライン、４０６
…温度コントローラ、４０７…Ｈｅガスライン、４０８
…裏面溝付基板、４０９…クランプ。
Claims (7)
- 【請求項１】真空処理室内にて基板上に所望の材料を堆
積或いは加工するプラズマ処理装置の試料搭載用電極上
に付着した異物を除去する手段が、真空或いは減圧雰囲
気中で裏面に凹部パターンを具備した基板を前記電極上
に搭載し、固定した状態で、前記凹部パターンにガスを
流して電極面上の異物を除去することを特徴とする電極
のクリーニング方法。 - 【請求項２】請求項１に記載した電極のクリーニング方
法において、前記試料及び裏面に凹部パターンを具備し
た基板の電極上への搭載、固定方法が静電チャック方式
であることを特徴とする電極のクリーニング方法。 - 【請求項３】請求項１に記載した電極のクリーニング方
法において、前記試料及び裏面に凹部パターンを具備し
た基板の電極上への搭載、固定方法がメカニカルクラン
プ方式であることを特徴とする電極のクリーニング方
法。 - 【請求項４】請求項１に記載した電極のクリーニング方
法において、前記基板裏面に具備された凹部パターンに
流すガスが前記試料の冷却に用いるＨｅガスであり電極
面の中央部より供給されていることを特徴とする電極の
クリーニング方法。 - 【請求項５】請求項１に記載した電極のクリーニング方
法において、前記基板裏面に具備された凹部パターン
が、基板の中心部から周辺に向かって対称となるように
形成された一対或いは複数対の溝パターンであることを
特徴とする電極のクリーニング方法。 - 【請求項６】請求項５に記載した電極のクリーニング方
法において、前記基板の中心部から周辺に向かって対称
となるように形成された一対或いは複数対の溝パターン
の位置を変えた複数種類の基板を組み合わせて順次、電
極上に搭載、固定した状態で、前記溝パターンにガスを
流すことにより電極面上の異物を除去することを特徴と
する電極のクリーニング方法。 - 【請求項７】請求項１に記載した電極のクリーニング方
法において、裏面に凹部パターンを具備した基板の材質
がＳｉ或いはアルミナ等のセラミックであり、凹部の深
さが５０〜５００μｍ程度であることを特徴とする電極
のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139368A JPH11330056A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 電極のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139368A JPH11330056A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 電極のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330056A true JPH11330056A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15243709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10139368A Pending JPH11330056A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 電極のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330056A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002222799A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法および静電チャックの除電方法 |
| WO2002065532A1 (fr) * | 2001-02-15 | 2002-08-22 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement de piece et dispositif de traitement |
| DE10156407A1 (de) * | 2001-11-16 | 2003-06-05 | Bosch Gmbh Robert | Haltevorrichtung, insbesondere zum Fixieren eines Halbleiterwafers in einer Plasmaätzvorrichtung, und Verfahren zur Wärmezufuhr oder Wärmeabfuhr von einem Substrat |
| CN100388430C (zh) * | 2004-04-28 | 2008-05-14 | 东京毅力科创株式会社 | 基板清洗装置和基板清洗方法 |
| JP2020522020A (ja) * | 2017-06-01 | 2020-07-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | パーティクル除去装置および関連システム |
-
1998
- 1998-05-21 JP JP10139368A patent/JPH11330056A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002222799A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法および静電チャックの除電方法 |
| WO2002065532A1 (fr) * | 2001-02-15 | 2002-08-22 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement de piece et dispositif de traitement |
| CN1322556C (zh) * | 2001-02-15 | 2007-06-20 | 东京毅力科创株式会社 | 被处理件的处理方法及处理装置 |
| DE10156407A1 (de) * | 2001-11-16 | 2003-06-05 | Bosch Gmbh Robert | Haltevorrichtung, insbesondere zum Fixieren eines Halbleiterwafers in einer Plasmaätzvorrichtung, und Verfahren zur Wärmezufuhr oder Wärmeabfuhr von einem Substrat |
| US7149070B2 (en) | 2001-11-16 | 2006-12-12 | Robert Bosch Gmbh | Holding device, in particular for fixing a semiconductor wafer in a plasma etching device, and method for supplying heat to or dissipating heat from a substrate |
| CN100388430C (zh) * | 2004-04-28 | 2008-05-14 | 东京毅力科创株式会社 | 基板清洗装置和基板清洗方法 |
| JP2020522020A (ja) * | 2017-06-01 | 2020-07-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | パーティクル除去装置および関連システム |
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