JP2022020007A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. チャンバと、
   前記チャンバ内に、フッ化水素、リン含有ガス及び炭素含有ガスを含む処理ガスを供給するように構成されたガス供給部と、
   電気バイアスを供給するバイアス電源と接続し、前記チャンバ内で基板を支持する基板支持器と、
   第１の高周波電力を用いて、前記処理ガスからプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成部と、
   前記第１の高周波電力を供給し、前記基板支持器に前記電気バイアスを供給して、前記処理ガスから生成された前記プラズマにより前記基板支持器に支持された基板のシリコン含有膜をエッチングするように、前記ガス供給部、前記プラズマ生成部及び前記バイアス電源を制御するように構成された制御部と、
   を備える、プラズマ処理装置。
2. 前記電気バイアスは、直流電圧のパルス波である、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記直流電圧の前記パルス波の周期は、二つの期間を含み、
   前記二つの期間のうち一方の期間における前記直流電圧のレベルは、前記二つの期間のうち他方の期間における前記直流電圧のレベルよりも高い、
   請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記他方の期間における前記直流電圧のレベルは、ゼロ又はゼロよりも大きい、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記第１の高周波電力は、第１の周波数を有し、
   前記直流電圧のパルス波は、前記第１の周波数よりも低い第２の周波数を有する、
   請求項２～４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記第１の周波数は、２７ＭＨｚ以上、１００ＭＨｚ以下である、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記第２の周波数は、４００ｋＨｚ以上、１３．５６ＭＨｚ以下である、請求項５又は６に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記電気バイアスは、直流以外の波形を有するパルス状の電圧を含む、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記制御部は、前記電気バイアスとして、第２の高周波電力又は直流電圧のパルス波を前記基板支持器に周期的に供給するように前記バイアス電源を制御するように構成される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記電気バイアスの周期は、第２の周波数により規定され、
    前記電気バイアスのパルス波が前記基板支持器に与えられる周期は、前記第２の周波数よりも低い第３の周波数により規定される、
    請求項９に記載のプラズマ処理装置。
11. 前記第３の周波数は、５Ｈｚ以上、１００ｋＨｚ以下である、請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
12. 前記制御部は、前記第１の高周波電力を連続波として供給するように前記プラズマ生成部を制御するように構成される、請求項１～１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
13. 前記制御部は、前記第１の高周波電力をパルス波として供給するように前記プラズマ生成部を制御するように構成される、請求項１～１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
14. 前記第１の高周波電力の前記パルス波の周期は、前記電気バイアスの波形の周期を規定する第２の周波数よりも低い第４の周波数により規定される、請求項１３に記載のプラズマ処理装置。
15. 前記制御部は、前記第１の高周波電力の前記パルス波の周期が前記電気バイアスの前記パルス波の周期と同期するように、前記プラズマ生成部及び前記バイアス電源を制御するように構成される、請求項１３又は１４に記載のプラズマ処理装置。
16. 前記制御部は、前記第１の高周波電力の前記パルス波の周期が前記電気バイアスの前記パルス波の周期と同期しないように、前記プラズマ生成部及び前記バイアス電源を制御する、請求項１３又は１４に記載のプラズマ処理装置。
17. 前記電気バイアスのパルス波の周期は、第１期間及び第２期間を含み、
    前記第１期間における前記電気バイアスのレベルは、前記第２期間における前記電気バイアスのレベルよりも高く、
    前記第１の高周波電力の前記パルス波の周期は、第３期間及び第４期間を含み、
    前記第３期間における前記第１の高周波電力の電力レベルは、前記第４期間における前記第１の高周波電力の電力レベルよりも高い、
    請求項１３又は１４に記載のプラズマ処理装置。
18. 前記第１期間の時間長は、前記第３期間の時間長と同一である、請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
19. 前記第１期間の時間長は、前記第３期間の時間長と異なる、請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
20. チャンバと、
    前記チャンバ内に、フッ化水素及びリン含有ガスを含む処理ガスを供給するように構成されたガス供給部と、
    電気バイアスを供給するバイアス電源と接続し、前記チャンバ内で基板を支持する基板支持器と、
    プラズマ生成用の高周波電力を用いて、前記処理ガスからプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成部と、
    前記プラズマ生成部に前記高周波電力の連続波を供給し、前記基板支持器に電気バイアスを供給して、前記処理ガスから生成されたプラズマにより前記基板支持器に支持された基板のシリコン含有膜をエッチングするように、前記ガス供給部、前記プラズマ生成部及び前記バイアス電源を制御するように構成された制御部と、
    を備える、プラズマ処理装置。