JP2024162013A - 記録ヘッド基板、および記録装置 - Google Patents

Abstract

【課題】記録ヘッド基板においてエレクトロマイグレーションの発生を抑制する。
【解決手段】記録ヘッド基板は、液体供給口から供給される液体を吐出口から吐出する記録ヘッド基板の温度を制御する発熱素子と、発熱素子を駆動するドライバと、を備える。発熱素子とドライバとの電気接続は、複数の配線により行われる。
【選択図】図８

Description

本開示は、液体を吐出して記録を行う記録素子を駆動する記録ヘッド基板に関する。

インクジェット記録装置において、液体を吐出して記録を行う記録素子を駆動する記録ヘッド基板は、高画質化の要求により基板の温度制御を行っている。記録ヘッド基板では、温度によって吐出される液体の液滴量や吐出速度がばらつく。そのため、基板温度の温度分布が生じた場合、基板温度の温度分布により画像の濃度ムラが生じ、画像品質が低下する。記録ヘッド基板の温度分布を補正する方法として、特許文献１は、以下の方法を開示している。記録ヘッド基板内にサブヒータのドライバを特定のエリア内に搭載し、そのエリアを任意に複数選択し加熱することにより、記録ヘッド基板内の温度分布を抑制する方法を特許文献１は開示している。

特開２０１７－２１３８７４号公報

記録ヘッド基板は高耐久も求められておりドライバとサブヒータとを接続する配線に電流が流れる時間は長くなる。これにより、配線のレイアウトによってはエレクトロマイグレーションが発生する虞があるが、特許文献１ではこの課題は考慮されていない。本開示は上記課題に鑑みてなされたものであり、記録ヘッド基板においてエレクトロマイグレーションの発生を抑制することを目的とする。

本開示に係る記録ヘッド基板は、液体供給口から供給される液体を吐出口から吐出する記録ヘッド基板の温度を制御する発熱素子と、前記発熱素子を駆動するドライバと、を備える記録ヘッド基板であって、前記発熱素子と前記ドライバとの電気接続は、複数の配線により行われている。

本開示に係る技術によれば、記録ヘッド基板においてエレクトロマイグレーションの発生を抑制することが可能となる。

液体吐出ヘッドの概略構成図。 記録ヘッド基板の形状を示す図。 記録ヘッド基板のレイアウトを示す図。 サブヒータの駆動回路図。 記録ヘッド基板内でサブヒータ制御信号が生成される場合のブロック図。 サブヒータ制御信号が記録ヘッド基板外から供給される場合のブロック図。 サブヒータのレイアウトを示す図。 サブヒータドライバおよび分割配線の周辺を示す図。 サブヒータドライバとサブヒータとの間の分割配線の粒界を示す図。 ヒータの周辺の詳細な構成を示す図。 ヒータの周辺の詳細な構成を示す図。 配線のレイアウトの一例を示す図。 配線のレイアウトの一例を示す図。

以下、本開示の実施形態について、添付図面を参照して説明する。尚、以下の実施形態は本開示を限定するものではなく、また実施形態で説明されている特徴の組み合わせの全てが本開示の解決手段に必須のものとは限らない。

本明細書において、「記録」とは、文字、図形等有意の情報を形成する場合のみならず、有意無意を問わない。また「記録」とは、人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものであるか否かを問わず、広く記録媒体上に、画像、模様、パターン等を形成、または媒体の加工を行う場合も表すものとする。また、「記録媒体」とは、一般的な記録装置で用いられる紙のみならず、広く、布、プラスチック・フィルム、金属板、ガラス、セラミックス、木材、皮革等、インクを受容可能なものも表すものとする。さらに、「インク」（「液体」という場合もある）とは、上記「記録」の定義と同様広く解釈されるべきものである。したがって、記録媒体上に付与されることによって、画像、模様、パターン等の形成または記録媒体の加工、あるいはインクの処理（例えば、記録媒体に付与されるインク中の色材の凝固または不溶化）に供され得る液体を表すものとする。

［第１実施形態］
以下、添付図面を参照して本開示に係る液体吐出ヘッドの記録ヘッド基板の第１実施形態について説明する。図１は、本開示に係る液体吐出ヘッド１００の概略構成図である。液体吐出ヘッド１００には記録ヘッド基板１０１が複数個並べられて配置されており、一般的にはラインヘッドと呼ばれる形態である。記録ヘッド基板１０１の形状は、代表的には図２（ａ）から図２（ｄ）に示すような形を有している。信号端子および電源端子を含むＰＡＤ２０２も記録ヘッド基板１０１上に様々な形態で配置されている。記録ヘッド基板１０１の形状はこれに限定されるものではなく例えば台形（不図示）などの形であってもよい。

図３は、本実施形態における記録ヘッド基板１０１のレイアウトを示す図である。記録ヘッド基板１０１にはＰＡＤ２０２が基板端部に設けられており、ＰＡＤ２０２は吐出口選択データを受信する信号端子および電源端子等を含む。記録ヘッド基板１０１中央部には吐出するための液体（インク）を供給する液体供給口３０６が設けられており、記録素子であるヒータ３０３上層に液体を供給する。ヒータ３０３の直上には吐出口が配置されており、ヒータ３０３に任意のタイミングで電流を流し、液体を加熱発泡させ、吐出口より液滴などを吐出する。なお、本実施形態では記録素子としてヒータ３０３を例に挙げているが、記録素子にピエゾ素子などを用いて機械的に液体を吐出する構成でも良い。サブヒータ３０５は記録ヘッド基板１０１および液体を加熱または保温する発熱素子である。サブヒータドライバ３０８はサブヒータ３０５に接続されており、サブヒータ３０５に流す電流のＯＮまたはＯＦＦを行う。

図４は、図３に対応するサブヒータ３０５を駆動する回路図である。ＰＡＤ２０２ａは正電源ＰＡＤであり、ＰＡＤ２０２ｂはＧＮＤＰＡＤである。ＰＡＤ２０２ａおよびＰＡＤ２０２ｂは液滴吐出に使用するヒータ３０３の電源と共用してもよい。サブヒータドライバ３０８はサブヒータ制御信号ＳＨ＿Ａ１からＳＨ＿Ｄ５により制御され、記録ヘッド基板１０１の全領域内に２０か所存在し、記録ヘッド基板１０１の一部分の領域（以下、「加熱エリア３０７」と称する）を加熱する。つまり、１つのサブヒータドライバ３０８は１つの加熱エリア３０７に配置される。また、記録ヘッド基板１０１全体をより精度良く温度制御する場合には、２０か所以上の加熱エリア３０７を設けても良い。液体供給口３０６は、ヒータ列の両側に所定の方向に配置される。さらに液体供給口３０６の外側にサブヒータドライバ３０８が配置される。サブヒータ制御信号ＳＨ＿Ａ１からＳＨ＿Ｄ５はＰＡＤ２０２から直接供給されてもよいし、記録ヘッド基板１０１内でデータ信号から変換されて生成されてもよい。

図５は、サブヒータ制御信号が記録ヘッド基板１０１内で生成される場合におけるブロック図である。図６は、記録ヘッド基板１０１外からサブヒータ制御信号が直接供給される場合におけるブロック図である。図５の方式を採用する場合、画像データと同時に制御信号データをデータ処理回路（スイッチ回路）５１０に送信すると、ＰＡＤ２０２を増加する必要なくサブヒータ３０５を制御することが可能となる。図３では、サブヒータ３０５は記録ヘッド基板１０１の長辺方向に並んで配置されており、液体供給口３０６とヒータ３０３との間にサブヒータ３０５が配置されている。この配置によって、ヒータ３０３近傍の液体が加熱されるため、より効率よく液体を加熱し、吐出することができる。記録ヘッド基板１０１内に複数ある加熱エリア３０７内のサブヒータ３０５のレイアウトは基本的には全て同じである。加熱エリア３０７毎にサブヒータ３０５の発熱量を変更する場合にはサブヒータ３０５のレイアウトを調整することで可能となる。これにより、加熱エリア３０７それぞれにおけるサブヒータ３０５による発熱量は全て等しくなり、記録ヘッド基板１０１内の温度分布を一様に制御することが可能となる。

図７（ａ）は本実施形態のサブヒータ３０５のレイアウト図である。図７（ｂ）、図７（ｃ）および図７（ｄ）は図７（ａ）のＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線断面図である。ここではサブヒータ３０５の材料の一例としてＰｏｌｙ－Ｓｉ（ポリシリコン）を使用している。図４（ａ）では、加熱エリア３０７に５か所の発熱部７０９および４か所のバイパス部７０８を配置している。バイパス配線３０４はＡｌ配線７０３とプラグ７０６を含み、バイパス配線３０４の抵抗値はサブヒータ３０５の抵抗に対し１/１００～１/１０００と、十分に小さく、今回は０［Ω］と見積もっている。

本実施形態の構成では、加熱エリア３０７に対して発熱部７０９が分散して配置されている。バイパス部７０８は金属で構成されているため、バイパス部７０８の熱抵抗が低い。また、バイパス部７０８は発熱部７０９に挟まれているため、発熱部７０９で発熱した熱はバイパス部７０８へ拡散し、加熱エリア３０７は均一に加熱される。より均一に加熱する場合にはバイパス部７０８の長さを短くし、発熱部７０９の長さと幅との比を保ったまま発熱部７０９を広げるとよい。その場合、サブヒータ３０５の面積は大きくなる。逆に発熱部７０９の長さおよび幅を縮め、バイパス部７０８の長さを長くすることによりシュリンク効果が得られる。しかしながら、配線電流密度が上がるため、エレクトロマイグレーション等による断線が発生する可能性がある。

図７（ｃ）は、エレクトロマイグレーションによって断線した例を示した図である。プラグ７０６には電流が集中するため、Ａｌ配線７０３との接点部分で比較的エレクトロマイグレーションは発生しやすい。通常このような断線不良が発生しない電流範囲で設計は行われる。さらにＡｌ配線７０３とプラグ７０６との間にバリアメタルを挟む等の対策が施されている。本実施形態では、Ａｌ配線７０３において断線が発生した場合でもサブヒータ３０５は加熱エリア３０７の範囲に渡って配線されているため、電流はサブヒータ３０５へ迂回しサブヒート機能は失われない。このような配線方法を採用することにより、サブヒート駆動の高い信頼性が得られる。ただし、断線すると抵抗が上がるため発熱量は落ちる。そのため断線した際にはそのエリアのサブヒータは極力駆動を低減する方が良い。

電流経路７１２に示すように、サブヒータ３０５の抵抗が高いため電流は抵抗の低いＡｌ配線７０３を流れようとする。前述した通り、図７（ａ）の４か所のバイパス部７０８のプラグ７０６は断線しても、サブヒータ３０５には電流が流れるため、サブヒート機能は失われない。しかし、サブヒータ３０５両端の電源の取り出し口において断線が発生するとサブヒータ３０５の回路がＯＰＥＮとなってしまいサブヒート機能が失われる。そこで、図７（ｂ）に示すように、サブヒータ３０５両端の電源の取り出し口においてはプラグ７０６を２列以上設けても良い。１つの列のサブヒータ３０５両端の電源の取り出し口において断線が発生しても、他の列のプラグ７０６に電流が流れるため、サブヒータ３０５の回路がＯＰＥＮになることを抑制でき、サブヒート機能を維持できる。

図７（ｄ）は、図７（ｂ）に対してＡｌ配線長が長い例を示した図である。このような設計にすることにより、プラグの位置変更のみで発熱量を広く調整することが可能になる。Ａｌ配線７０３に対してプラグ７０６を外側に配置することで発熱部の長さが短くなり、抵抗が下がるので、発熱量を上げる方向に調整できる。逆にＡｌ配線７０３の内側にプラグ７０６を移動すると、抵抗値が上がるため、発熱量は下げる方向に調整できる。即ち、サブヒータ３０５又はＡｌ配線７０３を変更しなくても発熱量を調整することが可能となる。プラグ用のマスク１枚のみの設計変更で発熱量を適切な値に設定できるため、サブヒータ発熱量の設計を変更する場合に記録ヘッド基板１０１のコストを低減することが可能となる。

図７を参照してエレクトロマイグレーションについて記述したが、本実施形態ではサブヒータドライバ３０８とサブヒータ３０５とを接続するＡｌ配線７０３にも長時間電流が流れる。これにより、エレクトロマイグレーションに対するマージンは増加する。

図８は、図３のサブヒータドライバ３０８付近の領域ＶＩＩＩの拡大図である。図８において、サブヒータドライバ３０８とサブヒータ３０５の一端部とを接続する配線に複数の配線に分割された配線を用いている。以下において、分割された配線の一本ずつを「分割配線」と称する。図８に示されるサブヒータドライバ３０８からサブヒータ３０５への分割配線は例示に過ぎず、分割配線の本数は複数であれば良い。また、サブヒータドライバ３０８からの配線とサブヒータ３０５への配線とは、交差する箇所で共通に電気接続される。サブヒータドライバ３０８がＯＮすると、すべてのサブヒータドライバ３０８からの各分割配線に同一の電圧が印加され、サブヒータ３０５への各分割配線に供給される電圧も同一である。また、バイパス配線３０４においても複数の分割配線が用いられる。分割配線は金属であり、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉのいずれかないしいずれかを含む合金からなる。

エレクトロマイグレーションは原子の移動に関係し、原子の移動は配線の粒界構造に依存するとされている。ここでは粒径は使用する金属配線の結晶の粒の大きさを示す。粒界は隣接する結晶との界面のことを示す。図９（ａ）は、本実施形態の分割配線の粒界構造（平面図）を示す図である。図９（ｂ）は、既存の配線の粒界構造（平面図）を示す図である。電流が配線に流れた際に押し出される原子は粒界に沿って移動するため、図９（ｂ）に示される既存の配線の粒界構造においては配線長の長手方向に沿って粒界が形成されやすいため、エレクトロマイグレーションを発生しやすい構成であることがわかる。一方、図９（ａ）に示される分割配線においては、粒界が配線長の長手方向に対向するように形成されているため、原子の移動は起こりにくい。即ち、図９（ａ）のような場合に、エレクトロマイグレーションによる影響を抑制することができる。したがって、ドライバ－サブヒータ間配線の配線幅は分割配線を構成する材質の粒径以下である構成が望ましい。或いは、ドライバ－サブヒータ間配線の配線幅は分割配線を構成する材質の平均粒径以下であっても良い。本実施形態の分割配線を構成する材質の粒径は０．５［μｍ］～２［μｍ］を想定しているため、分割配線の配線幅は０．５［μｍ］としている。しかしながら、分割配線を構成する材質の粒径のばらつき及び配線のパターニングを考慮すると、０．５［μｍ］を下回る粒径が発生する可能性もある。その場合、図９（ａ）に示されるように、ドライバ－サブヒータ間配線の全てが配線長の長手方向に対向するように粒界が形成されている必要はない。少なくとも一か所でも図９（ａ）に示される粒界が形成されていると、原子の移動を抑制する効果を発揮することができる。また、ドライバ－サブヒータ間配線の間のスリットは電流密度を緩和するために可能な限り小さい方が望ましい。本実施形態では当該スリットを０．４［μｍ］としている。

図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、図３に示した記録ヘッド基板１０１のヒータ３０３近傍の拡大平面図である。サブヒータドライバ３０８についての説明は省略する。ヒータ３０３と液体供給口３０６に対し、図１０（ａ）の平面図に示すような構成で吐出口部材１００４により液体流路１００７が設計されており、２つのヒータ３０３に対して両側に液体供給口３０６が１個ずつ設けられている。このような構成により液体吐出後の液体リフィルが両側の液体供給口３０６からなされるため、吐出周波数が上げることができ、かつ、印字のスループットを大幅に上げることが可能な構成となっている。本実施形態の構成では前述したように発熱量を落とすことなくサブヒータ幅を縮めることができるため、ヒータ３０３と液体供給口３０６との間にサブヒータ３０５を配置しても吐出周波数に影響を与えない。

図１０（ｂ）はＸＢ－ＸＢ線断面図であり、ヒータ３０３を液体流路方向に切断した図である。図１０（ｃ）はＸＣ－ＸＣ線断面図であり、サブヒータ３０５を長手方向に切断した図である。図１０（ｃ）に示すように、サブヒータ３０５はバイパス部７０８および発熱部７０９を含む。サブヒータ３０５はＰｏｌｙ－Ｓｉ配線（ポリシリコン配線）であり、基材であるシリコン基板（Ｓｉ基板）１００１と吐出口１００５を形成する吐出口部材１００４とを含む空間において、シリコン基板側に配置される。Ａｌ配線７０３は４層あり、Ａｌ配線７０３の上にヒータ層が積層されている。そしてそれらの配線はプラグ７０６を介して接続され、絶縁膜１００２に覆われている。ヒータ層その上層に吐出口部材が積層されており、液体流路１００７および吐出口１００５が配置されている。

図１０（ｂ）に示すようにサブヒータ３０５は液体が吐出されるヒータ３０３に対して離間している。サブヒート加熱する位置としては、液体を吐出するに近いヒータ３０３付近が理想的である。本実施形態ではバイパス部７０８をヒータ３０３の横に設け、ヒータ３０３により近い上層のＡｌ配線７０３でバイパスすることにより、発熱部７０９の熱をよりヒータ近傍に伝える構成を採用している。この構成を採用することによって、吐出する液体により近い部分でサブヒート加熱を行うことが可能になり、液体加熱による液体の粘度低下を実現できる。この液体加熱は、サブヒータでサブヒータ上の基板を加熱し、加熱された基板の熱を液体に伝導することで行う。これにより、液体リフィルの高速化が可能になり、印字スループットを向上することが可能となる。また、この構成によって、より粘度の高い液体の吐出が可能になる。これにより、高画質化が可能となり、液体選択の自由度が高くなり、および記録装置を多用途に使用することが可能となる。

図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、サブヒータ材としてＰｏｌｙ－Ｓｉ（ポリシリコン）ではなく、ヒータ３０３と同じ膜を使用した場合の例である。ヒータ３０３の材料の一例としてはＴａＳｉＮが挙げられる。一般的に液体吐出用のヒータ３０３の抵抗はＰｏｌｙ－Ｓｉよりも抵抗値が高い。サブヒータ３０５が放出する発熱量はＶ＾２／Ｒで決まる。図１０の場合と同様の発熱量を得るには、サブヒータ３０５の長さを短くする必要がある。したがって、図１１（ｃ）に示すように、図１１のバイパス部７０８は図１０のバイパス部７０８より多く設置される。図１１（ｃ）に示すように、サブヒータ３０５は、シリコン基板１００１と吐出口部材１００４とを含む空間において吐出口部材側に配置される。図１１（ｂ）に示される構成では図１０（ｂ）に示される構成と比較すると、サブヒータ３０５がヒータ３０３により近い構成となっているため、サブヒータ３０５の発熱部７０９がヒータ３０３の近傍に配置される構成となっている。したがって、図１１（ｂ）に示される構成は、図７（ｂ）に示される構成よりも吐出口１００５の近傍で液体を加熱するため、液体リフィルのさらなる高速化、および印字スループットをさらに向上することが可能となる。

上述したように、本実施形態の構成によれば、記録ヘッド基板１０１においてエレクトロマイグレーションの発生を抑制することが可能となる。本実施形態の記録ヘッド基板を用いると、液体リフィルの高速化および印字スループットを向上することも可能となる。

［第２実施形態］
図１２（ｂ）に第２実施形態の配線レイアウトを示す。図１２（ａ）は第１実施形態のサブヒータドライバ３０８とサブヒータ３０５とを接続する複数の分割配線のレイアウトを示している。図１２（ｂ）のＸＩＩＢ－ＸＩＩＢ線断面図に示すように、本実施形態ではスリットを入れて複数の分割配線にしない構成を採用している。図１２（ｂ）のＸＩＩＢ－ＸＩＩＢ線断面図に示すように、配線が凸部と凹部とを構成している。図１２（ｂ）に示される配線がサブヒータドライバ３０８とサブヒータ３０５との間の配線およびバイパス配線３０４において用いられる。当該凸部および凹部の線ＸＩＩＢ－ＸＩＩＢに対する高さおよび当該凹部の幅を当該凸部および凹部を有する配線を構成する材質の粒径または平均粒径以下になるように調整する。これにより、既存の配線レイアウトよりもエレクトロマイグレーションに対するマージンを増やすことが可能となる。

［第３実施形態］
図１３（ｂ）に第３実施形態の配線レイアウトを示す。図１３（ａ）は第１実施形態のサブヒータドライバ３０８とサブヒータ３０５とを接続する複数の分割配線のレイアウトを示している。図１３（ｂ）のＸＩＩＩＢ－ＸＩＩＩＢ線断面図に示すように、本実施形態ではスリットを入れて複数の分割配線にしない構成を採用している。図１３（ｂ）のＸＩＩＩＢ－ＸＩＩＩＢ線断面図に示すように、本実施形態の配線レイアウトの断面はスネーク状になっている。図１３（ｂ）に示される配線がサブヒータドライバ３０８とサブヒータ３０５との間の配線およびバイパス配線３０４において用いられる。スネーク状における凸部および凹部の線ＸＩＩＩＢ－ＸＩＩＩＢに対する高さおよび当該凹部の幅を当該凸部および凹部を有する配線を構成する材質の粒径または平均粒径以下になるように調整する。これにより、既存の配線レイアウトよりもエレクトロマイグレーションに対するマージンを増やすことが可能となる。

上述した実施形態の開示は、以下の構成を含む。

（構成１）液体供給口から供給される液体を吐出口から吐出する記録ヘッド基板の温度を制御する発熱素子と、前記発熱素子を駆動するドライバと、を備える記録ヘッド基板であって、前記発熱素子と前記ドライバとの電気接続は、複数の配線により行われていることを特徴とする記録ヘッド基板。

（構成２）前記記録ヘッド基板は、複数の前記発熱素子を有し、前記ドライバは、前記複数の前記発熱素子と接続している構成１に記載の記録ヘッド基板。

（構成３）前記発熱素子は、前記記録ヘッド基板の一部分の領域の温度を制御している構成１に記載の記録ヘッド基板。

（構成４）前記液体を前記吐出口から吐出する複数の記録素子と、をさらに備える構成１に記載の記録ヘッド基板。

（構成５）前記吐出口および前記液体供給口は、所定の方向に配置され、前記発熱素子は、前記吐出口の列と前記液体供給口の列との間に配置される構成１に記載の記録ヘッド基板。

（構成６）前記複数の配線の配線幅は、前記複数の配線の材質の粒径以下である構成１乃至５のいずれか一項に記載の記録ヘッド基板。

（構成７）前記複数の配線の配線幅は、前記複数の配線の材質の平均粒径以下である構成１乃至５のいずれか一項に記載の記録ヘッド基板。

（構成８）前記発熱素子は、ポリシリコンからなる構成１に記載の記録ヘッド基板。

（構成９）前記発熱素子は、基材であるシリコン基板と前記吐出口を形成する吐出口部材とを含む空間において、前記シリコン基板側に積層される構成８に記載の記録ヘッド基板。

（構成１０）前記発熱素子は、前記複数の記録素子の材料と同一の材料からなる構成４に記載の記録ヘッド基板。

（構成１１）前記発熱素子は、基材であるシリコン基板と前記吐出口を形成する吐出口部材とを含む空間において、前記吐出口部材側に配置される構成１０に記載の記録ヘッド基板。

（構成１２）前記複数の配線は金属であり、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉのいずれかないしいずれかを含む合金からなる構成１乃至７のいずれか一項に記載の記録ヘッド基板。

（構成１３）液体供給口から供給される液体を吐出口から吐出する記録ヘッド基板の温度を制御する発熱素子と、前記発熱素子を駆動するドライバと、を備える記録ヘッド基板であって、前記発熱素子と前記ドライバとの電気接続は、凸部と凹部とを有する配線により行われていることを特徴とする記録ヘッド基板。

（構成１４）前記記録ヘッド基板は、複数の前記発熱素子を有し、前記ドライバは、前記複数の前記発熱素子と接続している構成１３に記載の記録ヘッド基板。

（構成１５）前記発熱素子は、前記記録ヘッド基板の一部分の領域の温度を制御している構成１３に記載の記録ヘッド基板。

（構成１６）前記液体を前記吐出口から吐出する複数の記録素子と、をさらに備える構成１３に記載の記録ヘッド基板。

（構成１７）前記吐出口および前記液体供給口は、所定の方向に配置され、前記発熱素子は、前記吐出口の列と前記液体供給口の列との間に配置される構成１３に記載の記録ヘッド基板。

（構成１８）前記凸部と前記凹部との高さの差は、前記配線の材質の粒径以下である構成１３乃至１７のいずれか一項に記載の記録ヘッド基板。

（構成１９）前記凹部の幅は、前記配線の材質の粒径以下である構成１３乃至１７のいずれか一項に記載の記録ヘッド基板。

（構成２０）前記凸部と前記凹部との高さの差は、前記配線の材質の平均粒径以下である構成１３乃至１７のいずれか一項に記載の記録ヘッド基板。

（構成２１）前記凹部の幅は、前記配線の材質の平均粒径以下である構成１３乃至１７のいずれか一項に記載の記録ヘッド基板。

（構成２２）前記発熱素子は、ポリシリコンからなる構成１３に記載の記録ヘッド基板。

（構成２３）前記発熱素子は、基材であるシリコン基板と前記吐出口を形成する吐出口部材とを含む空間において、前記シリコン基板側に積層される構成２２に記載の記録ヘッド基板。

（構成２４）前記発熱素子は、前記複数の記録素子の材料と同一の材料からなる構成１６に記載の記録ヘッド基板。

（構成２５）前記発熱素子は、基材であるシリコン基板と前記吐出口を形成する吐出口部材とを含む空間において、前記吐出口部材側に配置される構成２４に記載の記録ヘッド基板。

（構成２６）前記配線は金属であり、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉのいずれかないしいずれかを含む合金からなる構成１３乃至２１のいずれか一項に記載の記録ヘッド基板。

（構成２７）構成１乃至２６のいずれか一項に記載の記録ヘッド基板を備える記録装置。

Claims (27)

1. 液体供給口から供給される液体を吐出口から吐出する記録ヘッド基板の温度を制御する発熱素子と、
   前記発熱素子を駆動するドライバと、
   を備える記録ヘッド基板であって、
   前記発熱素子と前記ドライバとの電気接続は、複数の配線により行われていることを特徴とする記録ヘッド基板。
2. 前記記録ヘッド基板は、複数の前記発熱素子を有し、
   前記ドライバは、前記複数の前記発熱素子と接続している請求項１に記載の記録ヘッド基板。
3. 前記発熱素子は、前記記録ヘッド基板の一部分の領域の温度を制御している請求項１に記載の記録ヘッド基板。
4. 前記液体を前記吐出口から吐出する複数の記録素子と、をさらに備える請求項１に記載の記録ヘッド基板。
5. 前記吐出口および前記液体供給口は、所定の方向に配置され、
   前記発熱素子は、前記吐出口の列と前記液体供給口の列との間に配置される請求項１に記載の記録ヘッド基板。
6. 前記複数の配線の配線幅は、前記複数の配線の材質の粒径以下である請求項１に記載の記録ヘッド基板。
7. 前記複数の配線の配線幅は、前記複数の配線の材質の平均粒径以下である請求項１に記載の記録ヘッド基板。
8. 前記発熱素子は、ポリシリコンからなる請求項１に記載の記録ヘッド基板。
9. 前記発熱素子は、基材であるシリコン基板と前記吐出口を形成する吐出口部材とを含む空間において、前記シリコン基板側に積層される請求項８に記載の記録ヘッド基板。
10. 前記発熱素子は、前記複数の記録素子の材料と同一の材料からなる請求項４に記載の記録ヘッド基板。
11. 前記発熱素子は、基材であるシリコン基板と前記吐出口を形成する吐出口部材とを含む空間において、前記吐出口部材側に配置される請求項１０に記載の記録ヘッド基板。
12. 前記複数の配線は金属であり、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉのいずれかないしいずれかを含む合金からなる請求項１に記載の記録ヘッド基板。
13. 液体供給口から供給される液体を吐出口から吐出する記録ヘッド基板の温度を制御する発熱素子と、
    前記発熱素子を駆動するドライバと、
    を備える記録ヘッド基板であって、
    前記発熱素子と前記ドライバとの電気接続は、凸部と凹部とを有する配線により行われていることを特徴とする記録ヘッド基板。
14. 前記記録ヘッド基板は、複数の前記発熱素子を有し、
    前記ドライバは、前記複数の前記発熱素子と接続している請求項１３に記載の記録ヘッド基板。
15. 前記発熱素子は、前記記録ヘッド基板の一部分の領域の温度を制御している請求項１３に記載の記録ヘッド基板。
16. 前記液体を前記吐出口から吐出する複数の記録素子と、をさらに備える請求項１３に記載の記録ヘッド基板。
17. 前記吐出口および前記液体供給口は、所定の方向に配置され、
    前記発熱素子は、前記吐出口の列と前記液体供給口の列との間に配置される請求項１３に記載の記録ヘッド基板。
18. 前記凸部と前記凹部との高さの差は、前記配線の材質の粒径以下である請求項１３に記載の記録ヘッド基板。
19. 前記凹部の幅は、前記配線の材質の粒径以下である請求項１３に記載の記録ヘッド基板。
20. 前記凸部と前記凹部との高さの差は、前記配線の材質の平均粒径以下である請求項１３に記載の記録ヘッド基板。
21. 前記凹部の幅は、前記配線の材質の平均粒径以下である請求項１３に記載の記録ヘッド基板。
22. 前記発熱素子は、ポリシリコンからなる請求項１３に記載の記録ヘッド基板。
23. 前記発熱素子は、基材であるシリコン基板と前記吐出口を形成する吐出口部材とを含む空間において、前記シリコン基板側に積層される請求項２２に記載の記録ヘッド基板。
24. 前記発熱素子は、前記複数の記録素子の材料と同一の材料からなる請求項１６に記載の記録ヘッド基板。
25. 前記発熱素子は、基材であるシリコン基板と前記吐出口を形成する吐出口部材とを含む空間において、前記吐出口部材側に配置される請求項２４に記載の記録ヘッド基板。
26. 前記配線は金属であり、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉのいずれかないしいずれかを含む合金からなる請求項１３に記載の記録ヘッド基板。
27. 請求項１乃至２６のいずれか一項に記載の記録ヘッド基板を備える記録装置。

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