JP2519903B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置とリードフレームとのダイボンド
に関し、特に半導体装置の非能動素子面とリードフレー
ムを介する接着剤に関する。また、更に、該半導体装置
とリードフレームとの接着剤を脱泡し接着することに関
する。
〔従来の技術〕
従来、ダイボンディングは第１図に示す様な工程を経
てダイボンディングしている。先ず１はリードフレー
ム、２は接着剤、３は半導体装置を示す。半導体装置の
組み立て工程に於けるダイボンディングはリードフレー
ム１のダイパット部上に接着剤であるAgペースト２を吐
出し、更にその上に半導体装置３を載せ、これを焼成炉
にて焼成し、半導体装置とリードフレームとを密着させ
ている。焼成に関しては恒温槽及びリフロー炉等を用い
て200℃で焼成を完了し次工程であるボンディングを実
施していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、この様な工程を経てダイボンドを実施すると
接着剤の粘度を一定に保たなければならない。その理由
は粘度変化により、リードフレームから半導体装置の能
動素子面までの高さに±50μｍのバラツキが生じ、オー
トワイヤーボンデュング装置での配線工程ができないと
いう大きな問題が生じる。また、この接着剤の粘度を一
定に保持しても必ず半導体装置とリードフレーム間にボ
イド（気泡）が発生する為に配線工程のボンディング途
中に半導体装置がリードフレームから剥離してしまうと
いう問題が生じ半導体装置組み立て工程の歩留りを低下
させる大きなネックとなっていた。
そこで本発明はこの様な問題点を解決するもので、そ
の目的は半導体装置組み立て工程中の配線工程での歩留
りを向上させ、更にリードフレームと半導体装置との密
着性を向上させることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、リードフレーム上に硬化したフイルム状の
接着剤を載置する工程、前記接着剤上に半導体装置を載
せる工程、減圧雰囲気下で加熱し前記接着剤を硬化状態
から軟化状態へ変化させる前記接着剤を脱泡する第一加
熱工程、引き続き、減圧雰囲気下で加熱し前記接着剤を
軟化状態から再び硬化状態へ変化させ、前記リードフレ
ームと半導体装置を接着させる第二加熱工程を有するこ
とを特徴とする。
〔作用〕
本発明の作用を述べれば、Agペーストを厚さ数十ミク
ロンのフィルム状にし半導体装置に載せ、焼成時に熱軟
化から熱硬化に変化する途中で減圧を実施しているので
脱泡を行なうことができ、高気密性保持につながる。
〔実施例〕
以下、本発明について、実施例に基づいて詳細に説明
する。
第２図は本発明の断面図である。４はリードフレーム
５はAgペースト（半導体装置と同一形状にした所のフィ
ルム状のペースト）である。６は半導体装置である。先
ず、本発明のダイボンディング工程を説明すると、リー
ドフレーム４のダイパット部に縦1.2mm、横1mm四方のAg
ペーストをフィルム化した物を吸着装置を用いて載せ、
更にその上に半導体装置（縦1mm、横0.8mm）の能動素子
面を上方にしてフィルム化したAgペースト５の上に載せ
る。更にこの半導体装置とリードフレームを密着させ接
着する為に減圧焼成炉を用いて接着剤が軟化した時に脱
泡作用が働く様に200℃で減圧焼成した。この様にして
リードフレームと半導体装置とを十分に接着した物のリ
ードフレームから半導体装置の能動面までの高さバラツ
キを測定した所、（各５ポイントを対象に測定）±５μ
ｍ以内のバラツキを示した。この物を配線工程であるボ
ンディング装置にてAu配線を施した。
この様に接着剤の厚みバラツキが極力押さえられたこ
とによりボンディング工程での配線不可能という問題が
なくなった。また、減圧焼成炉を用いたことによりリー
ドフレームと半導体装置の中間に生じるガイド（気泡）
がなくなり配線工程で半導体装置がリードフレームから
剥離するという重大な問題が解決された。尚、今回使用
した接着剤はAgペーストを102μｍの厚みに切断したフ
ィルム状にしたペーストを用い、特性としては、初期に
は硬化しており、50℃近辺で軟化し、100℃近辺でまた
硬化に向かう物を選択した。以上の様な実施例に於い
て、接着剤をフィルム化し、この接着剤を用いて半導体
装置を接着し減圧焼成炉にて焼成することによりボンデ
ィング工程での不良率を軽減し、更には品質の向上に効
果が高まる。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明した様に、接着剤をフィルム化し
た物を用いることで接着剤のバラツキを均一化し、更に
減圧焼成炉を用いることで接着剤の中の気泡が脱泡で
き、ボイドの発生が押さえられ、ボンディング工程での
Au配線の信頼性が向上した。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のダイボンディングを示す図である。第２
図は本発明のダイボンディングを示す図である。 1,4……リードフレーム ２……接着剤 3,6……半導体装置 ５……フィルム化した接着剤

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】リードフレーム上に硬化したフイルム状の
    接着剤を載置する工程、前記接着剤上に半導体装置を載
    せる工程、減圧雰囲気下で加熱し前記接着剤を硬化状態
    から軟化状態へ変化させる前記接着剤を脱泡する第一加
    熱工程、引き続き、減圧雰囲気下で加熱し前記接着剤を
    軟化状態から再び硬化状態へ変化させ、前記リードフレ
    ームと半導体装置を接着させる第二加熱工程を有するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP61218807A 1986-09-17 1986-09-17 半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JP2519903B2 (ja)

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JPS6373630A JPS6373630A (ja) 1988-04-04
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JPS61125025A (ja) * 1984-11-22 1986-06-12 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法

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