JPH07321148A - 半導体装置の実装方法及び半導体装置の実装体 - Google Patents
半導体装置の実装方法及び半導体装置の実装体Info
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- JPH07321148A JPH07321148A JP6112546A JP11254694A JPH07321148A JP H07321148 A JPH07321148 A JP H07321148A JP 6112546 A JP6112546 A JP 6112546A JP 11254694 A JP11254694 A JP 11254694A JP H07321148 A JPH07321148 A JP H07321148A
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
- H10W72/01215—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps forming coatings
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 導電性接着剤を用いて半導体装置を回路基板
に生産性良くかつ信頼性高く接続することのできる半導
体装置の実装方法とその実装体を提供する。 【構成】 熱可塑性の導電性接着剤の塗膜１を支持基板
２上に形成し、導電性接着剤を加熱して可塑状態に維持
しながら、半導体装置３の突出接点４に導電性接着剤を
転写する。導電性接着剤の転写部８を可塑状態に維持し
ながら、突出接点４を回路基板６の接続電極７に接触さ
せ、導電性接着剤を冷却して硬化させる。 【効果】 熱可塑性の導電性接着剤は冷却によって迅速
に硬化するので、生産性が向上する。また、実装時に必
要な加熱温度は比較的低温で済むので、半導体装置と回
路基板の熱膨張係数の差に起因する熱応力も極めて小さ
く、信頼性が向上する。
に生産性良くかつ信頼性高く接続することのできる半導
体装置の実装方法とその実装体を提供する。 【構成】 熱可塑性の導電性接着剤の塗膜１を支持基板
２上に形成し、導電性接着剤を加熱して可塑状態に維持
しながら、半導体装置３の突出接点４に導電性接着剤を
転写する。導電性接着剤の転写部８を可塑状態に維持し
ながら、突出接点４を回路基板６の接続電極７に接触さ
せ、導電性接着剤を冷却して硬化させる。 【効果】 熱可塑性の導電性接着剤は冷却によって迅速
に硬化するので、生産性が向上する。また、実装時に必
要な加熱温度は比較的低温で済むので、半導体装置と回
路基板の熱膨張係数の差に起因する熱応力も極めて小さ
く、信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の実装方法
及び半導体装置の実装体に係り、特にフェースダウンで
導電性接着剤により半導体装置を実装する技術の改良に
関するものである。
及び半導体装置の実装体に係り、特にフェースダウンで
導電性接着剤により半導体装置を実装する技術の改良に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、フェースダウンによる半導体装置
の回路基板への実装方法としては、あらかじめメッキ技
術により半導体装置の電極パッド上に半田用合金からな
る突出接点を形成しておき、この突出接点を回路基板の
接続電極に半田付けする方法が用いられていたが、近年
では導電性接着剤を用いて半導体装置を回路基板に接続
する方法が用いられつつある。
の回路基板への実装方法としては、あらかじめメッキ技
術により半導体装置の電極パッド上に半田用合金からな
る突出接点を形成しておき、この突出接点を回路基板の
接続電極に半田付けする方法が用いられていたが、近年
では導電性接着剤を用いて半導体装置を回路基板に接続
する方法が用いられつつある。
【０００３】このような導電性接着剤を用いた半導体装
置の実装方法として、例えば米国特許第４６６１１９２
号公報に開示されるように、導電性接着剤を用いてフェ
ースダウンにより半導体装置を回路基板に簡易的に接続
する技術がある。以下、図面を参照しながら、従来の半
導体装置の実装技術について説明する。
置の実装方法として、例えば米国特許第４６６１１９２
号公報に開示されるように、導電性接着剤を用いてフェ
ースダウンにより半導体装置を回路基板に簡易的に接続
する技術がある。以下、図面を参照しながら、従来の半
導体装置の実装技術について説明する。
【０００４】図３は、半導体装置の実装工程の一部を示
し、半導体装置の突出接点に導電性接着剤を転写する工
程を示す図である。また、図４は、上述の工程によって
形成される半導体装置の実装体の要部断面図である。
し、半導体装置の突出接点に導電性接着剤を転写する工
程を示す図である。また、図４は、上述の工程によって
形成される半導体装置の実装体の要部断面図である。
【０００５】図３および図４において、９は半導体装
置、１０は半導体装置９上の所定部位に形成された端子
電極、１１は該端子電極１０上に形成された突出接点、
１２は導電性エポキシ樹脂を塗布してなる塗膜、１３は
支持基体、１４は回路基板、１５は該回路基板１４上の
接続電極、１６は導電性エポキシ樹脂を突出接点１０に
転写してなる転写部である。
置、１０は半導体装置９上の所定部位に形成された端子
電極、１１は該端子電極１０上に形成された突出接点、
１２は導電性エポキシ樹脂を塗布してなる塗膜、１３は
支持基体、１４は回路基板、１５は該回路基板１４上の
接続電極、１６は導電性エポキシ樹脂を突出接点１０に
転写してなる転写部である。
【０００６】以上のように構成された従来の導電性接着
剤を用いた半導体装置の実装方法およびその実装体につ
いて、以下その概略を説明する。
剤を用いた半導体装置の実装方法およびその実装体につ
いて、以下その概略を説明する。
【０００７】まず、支持基体１３の上に導電性エポキシ
樹脂の塗膜１０を形成しておき、図３に示すように、こ
の支持基体１３の上方から、半導体装置９を突出接点１
１を下方にした状態で下降させて、両者を接触させる。
そして、半導体装置９の突出接点１１の先端を支持基体
１３上に形成した導電性エポキシ樹脂の塗膜１２に接触
させることにより、突出接点１１に導電性エポキシ樹脂
を転写する。
樹脂の塗膜１０を形成しておき、図３に示すように、こ
の支持基体１３の上方から、半導体装置９を突出接点１
１を下方にした状態で下降させて、両者を接触させる。
そして、半導体装置９の突出接点１１の先端を支持基体
１３上に形成した導電性エポキシ樹脂の塗膜１２に接触
させることにより、突出接点１１に導電性エポキシ樹脂
を転写する。
【０００８】その後、突出接点１１上に導電性エポキシ
樹脂の転写部１６を付着した半導体装置９を、回路基板
１４上の接続電極１５に位置合わせして積載した後、導
電性エポキシ樹脂を硬化させることにより、図４に示す
ように、導電性エポキシ樹脂を用いた半導体装置９の実
装体を得るものである。
樹脂の転写部１６を付着した半導体装置９を、回路基板
１４上の接続電極１５に位置合わせして積載した後、導
電性エポキシ樹脂を硬化させることにより、図４に示す
ように、導電性エポキシ樹脂を用いた半導体装置９の実
装体を得るものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような半導体装置の実装方法とその実装体においては、
導電性接着剤として導電性エポキシ樹脂を用いるため、
半導体装置９を回路基板１４に積載した後に導電性エポ
キシ樹脂を硬化するのに必要な時間が長く、半導体装置
９の実装体の生産性に欠けるという問題があった。すな
わち、一般的に、導電性エポキシ樹脂の硬化には１５０
℃程度の熱と１時間以上の時間が必要となるからであ
る。
ような半導体装置の実装方法とその実装体においては、
導電性接着剤として導電性エポキシ樹脂を用いるため、
半導体装置９を回路基板１４に積載した後に導電性エポ
キシ樹脂を硬化するのに必要な時間が長く、半導体装置
９の実装体の生産性に欠けるという問題があった。すな
わち、一般的に、導電性エポキシ樹脂の硬化には１５０
℃程度の熱と１時間以上の時間が必要となるからであ
る。
【００１０】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、半導体装置を回路基
板に生産性良く簡易的に実装することのできる半導体装
置の実装方法と半導体装置の実装体を提供することにあ
る。
であり、その目的とするところは、半導体装置を回路基
板に生産性良く簡易的に実装することのできる半導体装
置の実装方法と半導体装置の実装体を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の講じた解決手段は、導電性接着剤を構成す
る樹脂として熱可塑性の導電性接着剤を用いることにあ
る。
め、本発明の講じた解決手段は、導電性接着剤を構成す
る樹脂として熱可塑性の導電性接着剤を用いることにあ
る。
【００１２】具体的に、請求項１の発明の講じた手段
は、突出接点を有する半導体装置をフェースダウンで導
電性接着剤を用いて回路基板に実装する半導体装置の実
装方法として、熱可塑性の導電性接着剤の塗膜を支持基
体上に形成する工程と、上記支持基体上の導電性接着剤
を加熱して可塑状態に維持しながら、上記半導体装置の
突出接点を上記支持基体上の導電性接着剤の塗膜に接触
させて、突出接点に熱可塑性の導電性接着剤を転写する
工程と、上記工程で形成された導電性接着剤の転写部を
可塑状態に維持しながら半導体装置の突出接点と回路基
板の接続電極とを接触させる工程と、上記半導体装置の
突出接点を回路基板の接続電極とを接触させた状態で導
電性接着剤を冷却して両者を接着する工程とを設けた方
法である。
は、突出接点を有する半導体装置をフェースダウンで導
電性接着剤を用いて回路基板に実装する半導体装置の実
装方法として、熱可塑性の導電性接着剤の塗膜を支持基
体上に形成する工程と、上記支持基体上の導電性接着剤
を加熱して可塑状態に維持しながら、上記半導体装置の
突出接点を上記支持基体上の導電性接着剤の塗膜に接触
させて、突出接点に熱可塑性の導電性接着剤を転写する
工程と、上記工程で形成された導電性接着剤の転写部を
可塑状態に維持しながら半導体装置の突出接点と回路基
板の接続電極とを接触させる工程と、上記半導体装置の
突出接点を回路基板の接続電極とを接触させた状態で導
電性接着剤を冷却して両者を接着する工程とを設けた方
法である。
【００１３】請求項２の発明の講じた手段は、請求項１
の発明において、上記半導体装置の突出接点に導電性接
着剤を転写する工程では、半導体装置を導電性接着剤が
可塑状態となる温度以上の温度に加熱する方法である。
の発明において、上記半導体装置の突出接点に導電性接
着剤を転写する工程では、半導体装置を導電性接着剤が
可塑状態となる温度以上の温度に加熱する方法である。
【００１４】請求項３の発明の講じた手段は、請求項１
又は２の発明において、上記半導体装置の突出接点を回
路基板の接続電極に接触させる工程では、半導体装置を
導電性接着剤が可塑状態となる温度以上の温度に加熱す
る方法である。
又は２の発明において、上記半導体装置の突出接点を回
路基板の接続電極に接触させる工程では、半導体装置を
導電性接着剤が可塑状態となる温度以上の温度に加熱す
る方法である。
【００１５】請求項４の発明の講じた手段は、請求項１
又は２の発明において、半導体装置の突出接点を回路基
板の接続電極に接触させる工程では、回路基板を導電性
接着剤が可塑状態となる温度以上の温度に加熱する方法
である。
又は２の発明において、半導体装置の突出接点を回路基
板の接続電極に接触させる工程では、回路基板を導電性
接着剤が可塑状態となる温度以上の温度に加熱する方法
である。
【００１６】請求項５の発明の講じた手段は、請求項
１，２，３又は４の発明において、上記導電性接着剤
に、少なくとも熱可塑性樹脂と導電性フィラーとを含ま
せる方法である。
１，２，３又は４の発明において、上記導電性接着剤
に、少なくとも熱可塑性樹脂と導電性フィラーとを含ま
せる方法である。
【００１７】請求項６の発明の講じた手段は、請求項
１，２，３，４又は５の発明において、上記半導体装置
の突出接点を二段突出形状とする方法である。
１，２，３，４又は５の発明において、上記半導体装置
の突出接点を二段突出形状とする方法である。
【００１８】請求項７の発明の講じた手段は、突出接点
を有する半導体装置を回路基板に実装してなる半導体装
置の実装体を対象とする。そして、上記半導体装置の端
子電極の上に導電性材料からなる突出接点を、上記回路
基板の所定部位に導電性材料からなる接続電極をそれぞ
れ設け、上記半導体装置の突出接点が熱可塑性の導電性
接着剤により上記回路基板の接続電極に固着されている
ように構成したものである。
を有する半導体装置を回路基板に実装してなる半導体装
置の実装体を対象とする。そして、上記半導体装置の端
子電極の上に導電性材料からなる突出接点を、上記回路
基板の所定部位に導電性材料からなる接続電極をそれぞ
れ設け、上記半導体装置の突出接点が熱可塑性の導電性
接着剤により上記回路基板の接続電極に固着されている
ように構成したものである。
【００１９】請求項８の発明の講じた手段は、請求項７
の発明において、上記半導体装置の突出接点を二段突出
形状としたものである。
の発明において、上記半導体装置の突出接点を二段突出
形状としたものである。
【００２０】請求項９の発明の講じた手段は、請求項７
又は８の発明において、上記導電性接着剤に、少なくと
も熱可塑性樹脂と導電性フィラーとを含ませるように構
成したものである。
又は８の発明において、上記導電性接着剤に、少なくと
も熱可塑性樹脂と導電性フィラーとを含ませるように構
成したものである。
【００２１】
【作用】以上の方法又は装置により、請求項１の発明で
は、半導体装置の突出接点に転写された導電性接着剤を
介して、半導体装置の突出接点と回路基板の接続電極と
が固着される。その際、導電性接着剤が熱可塑性樹脂で
構成されているので、単に冷却するだけで導電性接着剤
が硬化し、両者が接着される。したがって、熱硬化性樹
脂のごとく反応による硬化に長時間を要することがな
く、工程に要する時間が短縮される。しかも、熱可塑性
樹脂を可塑状態に維持するためには、熱硬化性樹脂を硬
化させる時ほどの高温に維持する必要がないので、半導
体装置と回路基板との熱膨張率の差に起因する熱応力も
極めて小さくなり、実装された半導体装置の信頼性が向
上する。
は、半導体装置の突出接点に転写された導電性接着剤を
介して、半導体装置の突出接点と回路基板の接続電極と
が固着される。その際、導電性接着剤が熱可塑性樹脂で
構成されているので、単に冷却するだけで導電性接着剤
が硬化し、両者が接着される。したがって、熱硬化性樹
脂のごとく反応による硬化に長時間を要することがな
く、工程に要する時間が短縮される。しかも、熱可塑性
樹脂を可塑状態に維持するためには、熱硬化性樹脂を硬
化させる時ほどの高温に維持する必要がないので、半導
体装置と回路基板との熱膨張率の差に起因する熱応力も
極めて小さくなり、実装された半導体装置の信頼性が向
上する。
【００２２】請求項２の発明では、半導体装置の突出接
点に導電性接着剤を転写する際、半導体装置が可塑状態
となる温度以上に加熱されることで、突出接点が熱可塑
性の導電性接着剤を転写可能な温度に維持され、転写が
円滑に行われる。
点に導電性接着剤を転写する際、半導体装置が可塑状態
となる温度以上に加熱されることで、突出接点が熱可塑
性の導電性接着剤を転写可能な温度に維持され、転写が
円滑に行われる。
【００２３】請求項３又は４の発明では、半導体装置の
突出接点と回路基板の接続電極とを接触させる際、半導
体装置又は回路基板が熱可塑温度以上に加熱されること
で、熱可塑性の導電性接着剤が可塑状態に維持され、接
続電極側にも接着剤が付着する。その際、半導体装置を
吸着するツールや回路基板の支持部材を利用して加熱を
行うことが可能となり、装置の構成が簡素化される。
突出接点と回路基板の接続電極とを接触させる際、半導
体装置又は回路基板が熱可塑温度以上に加熱されること
で、熱可塑性の導電性接着剤が可塑状態に維持され、接
続電極側にも接着剤が付着する。その際、半導体装置を
吸着するツールや回路基板の支持部材を利用して加熱を
行うことが可能となり、装置の構成が簡素化される。
【００２４】請求項５の発明では、熱可塑性樹脂と導電
性フィラーとによって導電性接着剤の機能が簡易に確保
される。
性フィラーとによって導電性接着剤の機能が簡易に確保
される。
【００２５】請求項６の発明では、突出接点が二段突出
形状を有することで、熱可塑性の導電性接着剤の冷却が
より短時間に完了することになる。
形状を有することで、熱可塑性の導電性接着剤の冷却が
より短時間に完了することになる。
【００２６】請求項７の発明では、フェースダウンで実
装される半導体装置において、熱可塑性の導電性接着剤
により半導体装置が回路基板に実装されているので、半
導体装置の実装工程の所要時間が短縮され、生産性が向
上するとともにコストが低減する。また、実装工程にお
ける加熱温度が低くなるので、半導体装置と回路基板の
熱膨張係数の差に起因する熱応力も極めて小さく抑制さ
れ、信頼性が向上する。
装される半導体装置において、熱可塑性の導電性接着剤
により半導体装置が回路基板に実装されているので、半
導体装置の実装工程の所要時間が短縮され、生産性が向
上するとともにコストが低減する。また、実装工程にお
ける加熱温度が低くなるので、半導体装置と回路基板の
熱膨張係数の差に起因する熱応力も極めて小さく抑制さ
れ、信頼性が向上する。
【００２７】請求項８，請求項９の発明では、それぞれ
上記請求項６，請求項５の発明と同様の作用が得られ
る。
上記請求項６，請求項５の発明と同様の作用が得られ
る。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例に係る半導体装置の実
装工程とその結果得られる半導体装置の実装体とについ
て、図面を参照しながら説明する。
装工程とその結果得られる半導体装置の実装体とについ
て、図面を参照しながら説明する。
【００２９】図１（ａ）〜（ｃ）は実施例における半導
体装置の実装方法を説明する工程図、図２は上記図１の
実装方法により作製される半導体装置の実装体の要部断
面図である。
体装置の実装方法を説明する工程図、図２は上記図１の
実装方法により作製される半導体装置の実装体の要部断
面図である。
【００３０】図１および図２において、１は可塑状態に
ある熱可塑性の導電性接着剤の塗膜、２は加熱された支
持基体、３は半導体装置、４は半導体装置の端子電極上
に形成された突出接点、５は半導体装置３を加熱および
吸着するための加熱・吸着ツール、６は回路基板、７は
回路基板６の上の接続電極、８は熱可塑性の導電性接着
剤の転写部である。ここで、上記熱可塑性の導電性接着
剤１は、ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂にＡｇな
どの導電フィラーを含んだものである。
ある熱可塑性の導電性接着剤の塗膜、２は加熱された支
持基体、３は半導体装置、４は半導体装置の端子電極上
に形成された突出接点、５は半導体装置３を加熱および
吸着するための加熱・吸着ツール、６は回路基板、７は
回路基板６の上の接続電極、８は熱可塑性の導電性接着
剤の転写部である。ここで、上記熱可塑性の導電性接着
剤１は、ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂にＡｇな
どの導電フィラーを含んだものである。
【００３１】以上のように構成された半導体装置の実装
方法とその実装体について、以下図面を用いて説明す
る。
方法とその実装体について、以下図面を用いて説明す
る。
【００３２】まず、図１（ａ）に示すように、支持基体
２上に可塑化した熱可塑性の導電性接着剤からなる塗膜
１を形成する。このとき、支持基体２は、熱可塑性の導
電性接着剤が可塑状態となる温度以上の温度に加熱され
ている。
２上に可塑化した熱可塑性の導電性接着剤からなる塗膜
１を形成する。このとき、支持基体２は、熱可塑性の導
電性接着剤が可塑状態となる温度以上の温度に加熱され
ている。
【００３３】そして、図１（ｂ）に示すように、突出接
点４を有する半導体装置３を加熱・吸着ツール５により
吸着しながら、突出接点４を可塑状態にある導電性接着
剤の塗膜１に接触させる。そのとき、加熱・吸着ツール
２によって半導体装置３は導電性接着剤が可塑状態とな
る温度以上の温度まで加熱されている。その後、半導体
装置３を加熱・吸着ツール５により引き上げると、突出
接点４上に熱可塑性の導電性接着剤の一部が転写され、
転写部８が形成される。
点４を有する半導体装置３を加熱・吸着ツール５により
吸着しながら、突出接点４を可塑状態にある導電性接着
剤の塗膜１に接触させる。そのとき、加熱・吸着ツール
２によって半導体装置３は導電性接着剤が可塑状態とな
る温度以上の温度まで加熱されている。その後、半導体
装置３を加熱・吸着ツール５により引き上げると、突出
接点４上に熱可塑性の導電性接着剤の一部が転写され、
転写部８が形成される。
【００３４】つぎに、図１（ｃ）に示すように、加熱・
吸着ツール５で半導体装置３を吸着しながら半導体装置
３を下方に下降させ、先端に導電性接着剤の転写部８が
形成された突出接点４を、回路基板６上の接続電極７に
位置合わせして両者を接触させる。このとき、導電性接
着剤の転写部８は加熱され可塑状態であるので、導電性
接着剤が接続電極７の表面に付着する。
吸着ツール５で半導体装置３を吸着しながら半導体装置
３を下方に下降させ、先端に導電性接着剤の転写部８が
形成された突出接点４を、回路基板６上の接続電極７に
位置合わせして両者を接触させる。このとき、導電性接
着剤の転写部８は加熱され可塑状態であるので、導電性
接着剤が接続電極７の表面に付着する。
【００３５】その後、加熱・吸着ツール５を半導体装置
３から離すと、熱可塑性の導電性接着剤の転写部８が冷
却されて硬化し、図２に示すように、半導体装置３の突
出接点４と回路基板６の接続電極７とが熱可塑性の導電
性接着剤の転写部８によって接着される。つまり、半導
体装置の実装体が得られる。
３から離すと、熱可塑性の導電性接着剤の転写部８が冷
却されて硬化し、図２に示すように、半導体装置３の突
出接点４と回路基板６の接続電極７とが熱可塑性の導電
性接着剤の転写部８によって接着される。つまり、半導
体装置の実装体が得られる。
【００３６】上記実施例では、あらかじめ可塑化された
熱可塑性の導電性接着剤を用いて半導体装置と回路基板
を接合するために、半導体装置を回路基板に実装する際
に導電性接着剤を短時間で硬化させることができる。し
たがって、導電性接着剤を用いた半導体装置の実装体の
生産性が向上するとともにコストが低減する。
熱可塑性の導電性接着剤を用いて半導体装置と回路基板
を接合するために、半導体装置を回路基板に実装する際
に導電性接着剤を短時間で硬化させることができる。し
たがって、導電性接着剤を用いた半導体装置の実装体の
生産性が向上するとともにコストが低減する。
【００３７】また、このように半導体装置を回路基板に
導電性接着剤を用いて実装するために、半導体装置と回
路基板の熱膨張係数の差により生ずる熱応力を極めて小
さく抑制することができ、信頼性の高い半導体装置の実
装体を得ることができる。
導電性接着剤を用いて実装するために、半導体装置と回
路基板の熱膨張係数の差により生ずる熱応力を極めて小
さく抑制することができ、信頼性の高い半導体装置の実
装体を得ることができる。
【００３８】なお、本実施例では、回路基板６へ半導体
装置３を実装する際に、加熱・吸着ツール５によって半
導体装置３を加熱するようにしたが、吸着ツールによっ
て半導体装置３を加熱することなく吸着するのみとして
もよい。その場合、回路基板６を加熱してもよく、さら
に、赤外線を照射する等他の加熱手段によって熱可塑性
の導電性接着剤を加熱することも可能である。
装置３を実装する際に、加熱・吸着ツール５によって半
導体装置３を加熱するようにしたが、吸着ツールによっ
て半導体装置３を加熱することなく吸着するのみとして
もよい。その場合、回路基板６を加熱してもよく、さら
に、赤外線を照射する等他の加熱手段によって熱可塑性
の導電性接着剤を加熱することも可能である。
【００３９】また、上記実施例では、熱可塑性の導電性
接着剤として、ポリエステル樹脂にＡｇなどの導電フィ
ラーを含んだものを用いたが、本発明の導電性接着剤は
かかる実施例に限定されるものではなく、熱可塑性と導
電性とを有するものであればいかなるものでもよい。
接着剤として、ポリエステル樹脂にＡｇなどの導電フィ
ラーを含んだものを用いたが、本発明の導電性接着剤は
かかる実施例に限定されるものではなく、熱可塑性と導
電性とを有するものであればいかなるものでもよい。
【００４０】さらに、上記実施例では、突出接点４の形
状は単純な円柱状としたが、特に二段形状とすること
で、導電性接着剤の転写部８をより迅速に冷却させるこ
とができ、硬化時間を短縮することができる。
状は単純な円柱状としたが、特に二段形状とすること
で、導電性接着剤の転写部８をより迅速に冷却させるこ
とができ、硬化時間を短縮することができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の実装方法によれば、あらかじめ可塑状態に維持した
熱可塑性の導電性接着剤を用いて半導体装置と回路基板
を接合するために、半導体装置を回路基板に実装する際
に導電性接着剤を短時間で硬化することができ、よっ
て、導電性接着剤を用いた半導体装置の実装体の生産性
の向上を図ることができる。
置の実装方法によれば、あらかじめ可塑状態に維持した
熱可塑性の導電性接着剤を用いて半導体装置と回路基板
を接合するために、半導体装置を回路基板に実装する際
に導電性接着剤を短時間で硬化することができ、よっ
て、導電性接着剤を用いた半導体装置の実装体の生産性
の向上を図ることができる。
【００４２】さらに、本発明の半導体装置の実装体は、
半導体装置と回路基板との接着に熱可塑性の導電性接着
剤が用いられるので、半導体装置と回路基板の熱膨張係
数の差により生ずる熱応力の影響がほとんどなく、信頼
性の高い半導体装置の実装体を得ることができる。
半導体装置と回路基板との接着に熱可塑性の導電性接着
剤が用いられるので、半導体装置と回路基板の熱膨張係
数の差により生ずる熱応力の影響がほとんどなく、信頼
性の高い半導体装置の実装体を得ることができる。
【図１】実施例である半導体装置の実装工程における半
導体装置等の状態を示す部分断面図である。
導体装置等の状態を示す部分断面図である。
【図２】実施例における半導体装置の実装体の部分断面
図である。
図である。
【図３】従来の半導体装置の実装方法における半導体装
置の突出接点に導電性接着剤を転写する際の状態を示す
部分断面図である。
置の突出接点に導電性接着剤を転写する際の状態を示す
部分断面図である。
【図４】従来の半導体装置の実装方法で得られる実装体
の部分断面図である。
の部分断面図である。
１ 塗膜 ２ 支持基体 ３ 半導体装置 ４ 突出接点 ５ 加熱・吸着ツール ６ 回路基板 ７ 接続電極 ８ 転写部 ９ 半導体装置 １０ 端子電極 １１ 突出接点 １２ 塗膜 １３ 支持基体 １４ 回路基板 １５ 接続電極 １６ 転写部
Claims (9)
- 【請求項１】 突出接点を有する半導体装置をフェース
ダウンで導電性接着剤を用いて回路基板に実装する半導
体装置の実装方法において、 熱可塑性の導電性接着剤の塗膜を支持基体上に形成する
工程と、 上記支持基体上の導電性接着剤を加熱して可塑状態に維
持しながら、上記半導体装置の突出接点を上記支持基体
上の導電性接着剤の塗膜に接触させて、突出接点に導電
性接着剤を転写する工程と、 上記工程で形成された導電性接着剤の転写部を可塑状態
に維持しながら半導体装置の突出接点と回路基板の接続
電極とを接触させる工程と、 上記半導体装置の突出接点を回路基板の接続電極とを接
触させた状態で導電性接着剤を冷却して両者を接着する
工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の実装方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の実装方法に
おいて、 上記半導体装置の突出接点に導電性接着剤を転写する工
程では、半導体装置を導電性接着剤が可塑状態となる温
度以上の温度に加熱することを特徴とする半導体装置の
実装方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体装置の実装
方法において、 上記半導体装置の突出接点を回路基板の接続電極に接触
させる工程では、半導体装置を導電性接着剤が可塑状態
となる温度以上の温度に加熱することを特徴とする半導
体装置の実装方法。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の半導体装置の実装
方法において、 半導体装置の突出接点を回路基板の接続電極に接触させ
る工程では、回路基板を導電性接着剤が可塑状態となる
温度以上の温度に加熱することを特徴とする半導体装置
の実装方法。 - 【請求項５】 請求項１，２，３又は４記載の半導体装
置の実装方法において、 上記導電性接着剤は、少なくとも熱可塑性樹脂と導電性
フィラーとを含むことを特徴とする半導体装置の実装方
法。 - 【請求項６】 請求項１，２，３，４又は５記載の半導
体装置の実装方法において、 上記半導体装置の突出接点は、二段突出形状を有するこ
とを特徴とする半導体装置の実装方法。 - 【請求項７】 半導体装置を回路基板に実装してなる半
導体装置の実装体において、 上記半導体装置の端子電極の上に形成され導電性材料か
らなる突出接点と、 上記回路基板の所定部位に形成され導電性材料からなる
接続電極とを備え、 上記半導体装置の突出接点が、熱可塑性の導電性接着剤
により上記回路基板の接続電極に固着されていることを
特徴とする半導体装置の実装体。 - 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置の実装体にお
いて、 上記半導体装置の突出接点は、二段突出形状を有するこ
とを特徴とする半導体装置の実装体。 - 【請求項９】 請求項７又は８記載の半導体装置の実装
体において、 上記導電性接着剤は、少なくとも熱可塑性樹脂と導電性
フィラーとを含むことを特徴とする半導体装置の実装
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11254694A JP3255796B2 (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11254694A JP3255796B2 (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体装置の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321148A true JPH07321148A (ja) | 1995-12-08 |
| JP3255796B2 JP3255796B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=14589368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11254694A Expired - Fee Related JP3255796B2 (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3255796B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6452280B1 (en) | 1996-03-06 | 2002-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flip chip semiconductor apparatus with projecting electrodes and method for producing same |
| US6981317B1 (en) | 1996-12-27 | 2006-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on circuit board |
-
1994
- 1994-05-26 JP JP11254694A patent/JP3255796B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6452280B1 (en) | 1996-03-06 | 2002-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flip chip semiconductor apparatus with projecting electrodes and method for producing same |
| US6981317B1 (en) | 1996-12-27 | 2006-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on circuit board |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3255796B2 (ja) | 2002-02-12 |
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