JP2544523B2 - 電子部品の取り外し方法 - Google Patents
電子部品の取り外し方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂を用いて回路基板上
に固定された電子部品の取り外し方法に関するものであ
る。
に固定された電子部品の取り外し方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化，薄型化の要求
から半導体デバイスをパッケージングすることなく、直
接、基板上に搭載するベアチップ実装や、ベアチップを
フレキシブル回路基板（以下ＦＰＣと略する）を介して
回路基板と接続するチップ・オン・フィルム（以下ＣＯ
Ｆと略する）実装が広く用いられている。
から半導体デバイスをパッケージングすることなく、直
接、基板上に搭載するベアチップ実装や、ベアチップを
フレキシブル回路基板（以下ＦＰＣと略する）を介して
回路基板と接続するチップ・オン・フィルム（以下ＣＯ
Ｆと略する）実装が広く用いられている。
【０００３】ベアチップ実装においては、回路基板上に
半導体チップを樹脂を介して接着固定する手法や、半導
体チップを回路基板に接続後、その界面に樹脂を注入し
て封止する手法が用いられており、ＣＯＦ実装において
はＦＰＣと回路基板とを異方性導電樹脂や光硬化性樹脂
を介して接続固定する手法が用いられている。
半導体チップを樹脂を介して接着固定する手法や、半導
体チップを回路基板に接続後、その界面に樹脂を注入し
て封止する手法が用いられており、ＣＯＦ実装において
はＦＰＣと回路基板とを異方性導電樹脂や光硬化性樹脂
を介して接続固定する手法が用いられている。
【０００４】これらの樹脂はいずれもその目的上、半導
体チップ，ＦＰＣ及び回路基板との密着力が強固なた
め、樹脂硬化後に半導体チップが不良であることが判明
し、交換する必要性が生じた場合には、特殊な薬液に侵
漬し樹脂を溶解するか、高熱を付与した状態で過大な力
を作用させることにより物理的に接着面を破断させて半
導体チップを除去している。
体チップ，ＦＰＣ及び回路基板との密着力が強固なた
め、樹脂硬化後に半導体チップが不良であることが判明
し、交換する必要性が生じた場合には、特殊な薬液に侵
漬し樹脂を溶解するか、高熱を付与した状態で過大な力
を作用させることにより物理的に接着面を破断させて半
導体チップを除去している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶パ
ネルのように他のデバイスが同一基板上に搭載されてい
たり、多数の半導体チップが同一基板上に搭載されてい
る場合には、薬液に基板を侵漬すると他のデバイスが損
傷を受けるため特定の不良半導体チップのみを除去でき
ず、また、物理的に力を作用させ接着面を破断させよう
とすると回路基板が損傷を受けるという問題点があっ
た。
ネルのように他のデバイスが同一基板上に搭載されてい
たり、多数の半導体チップが同一基板上に搭載されてい
る場合には、薬液に基板を侵漬すると他のデバイスが損
傷を受けるため特定の不良半導体チップのみを除去でき
ず、また、物理的に力を作用させ接着面を破断させよう
とすると回路基板が損傷を受けるという問題点があっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上述する問題点
を解決するためになされたもので、回路基板一主面上に
樹脂を用いて固定された電子部品を取り外す際、前記回
路基板裏面側から前記樹脂に、前記回路基板を透過する
レーザ光を照射することにより、前記樹脂を分解してな
る電子部品の取り外し方法を提供するものである。
を解決するためになされたもので、回路基板一主面上に
樹脂を用いて固定された電子部品を取り外す際、前記回
路基板裏面側から前記樹脂に、前記回路基板を透過する
レーザ光を照射することにより、前記樹脂を分解してな
る電子部品の取り外し方法を提供するものである。
【０００７】また、主面上に、複数個の電子部品が樹脂
を用いて固定された回路基板から、所望の電子部品を選
択的に取り外す際、前記回路基板裏面側から、前記所望
の電子部品を固定する樹脂にレーザ光を照射することに
より、前記樹脂を分解してなる電子部品の取り外し方法
を提供するものである。
を用いて固定された回路基板から、所望の電子部品を選
択的に取り外す際、前記回路基板裏面側から、前記所望
の電子部品を固定する樹脂にレーザ光を照射することに
より、前記樹脂を分解してなる電子部品の取り外し方法
を提供するものである。
【０００８】更に、主面上に、複数個の電子部品が樹脂
を用いて固定された回路基板から、所望の電子部品を選
択的に取り外す方法であって、前記回路基板裏面側か
ら、前記所望の電子部品を固定する樹脂にレーザ光を照
射することにより、前記樹脂をほぼ分解し、前記所望の
電子部品を取り外す第１の工程と、前記回路基板主面側
から、ほぼ分解された樹脂の残留物にレーザ光を照射し
て、前記所望の電子部品を固定していた樹脂をほぼ完全
に除去する第２の工程と、からなる電子部品の取り外し
方法を提供するものである。
を用いて固定された回路基板から、所望の電子部品を選
択的に取り外す方法であって、前記回路基板裏面側か
ら、前記所望の電子部品を固定する樹脂にレーザ光を照
射することにより、前記樹脂をほぼ分解し、前記所望の
電子部品を取り外す第１の工程と、前記回路基板主面側
から、ほぼ分解された樹脂の残留物にレーザ光を照射し
て、前記所望の電子部品を固定していた樹脂をほぼ完全
に除去する第２の工程と、からなる電子部品の取り外し
方法を提供するものである。
【０００９】
【作用】上述の如く、レーザ光を樹脂に照射して樹脂を
分解することにより、回路基板を損傷することなく電子
部品を取り外すことが可能になる。
分解することにより、回路基板を損傷することなく電子
部品を取り外すことが可能になる。
【００１０】また、回路基板上の複数個の電子部品のな
かから所望の電子部品を選択的に取り外す場合であって
も、残すべき電子部品に損傷を与えることなく所望の電
子部品の取り外しが可能となる。
かから所望の電子部品を選択的に取り外す場合であって
も、残すべき電子部品に損傷を与えることなく所望の電
子部品の取り外しが可能となる。
【００１１】更に、取り外した電子部品を固定していた
樹脂を、レーザ光を用いてほぼ完全に除去することによ
り、他の残すべき電子部品に損傷を与えることなく、回
路基板を次の良品の電子部品を搭載できる状態にするこ
とができる。
樹脂を、レーザ光を用いてほぼ完全に除去することによ
り、他の残すべき電子部品に損傷を与えることなく、回
路基板を次の良品の電子部品を搭載できる状態にするこ
とができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳述す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１３】図１は、半導体チップ１を、樹脂５を用い
て回路基板３上に搭載した実装体６の一構成を示す要部
断面図である。半導体チップ１はシリコン，ガリウム砒
素等の半導体基材よりなり、その一主面上には集積回路
が形成され（図示せず）、この集積回路周辺部には突起
電極２が形成される。回路基板３はガラス等の透光性基
材より成り、その一主面上には前記突起電極２に対向す
る位置に電極４が形成される。半導体チップ１の突起電
極２は、圧接により回路基板３の電極４に電気的接続さ
れ、この状態で半導体チップ１は回路基板３に樹脂５を
用いて固定される。
て回路基板３上に搭載した実装体６の一構成を示す要部
断面図である。半導体チップ１はシリコン，ガリウム砒
素等の半導体基材よりなり、その一主面上には集積回路
が形成され（図示せず）、この集積回路周辺部には突起
電極２が形成される。回路基板３はガラス等の透光性基
材より成り、その一主面上には前記突起電極２に対向す
る位置に電極４が形成される。半導体チップ１の突起電
極２は、圧接により回路基板３の電極４に電気的接続さ
れ、この状態で半導体チップ１は回路基板３に樹脂５を
用いて固定される。
【００１４】前途の如く回路基板３に固定された半導体
チップ１を取り外す際、先ず、図２に示すように半導体
チップ実装体６の回路基板３裏面側から半導体チップ１
を固定している樹脂５へ選択的にレーザ光を照射する。
ここで、レーザ光として波長３０８ｎｍのエキシマレー
ザを用いる。前記樹脂５はレーザ光照射により分解され
て回路基板３との接着界面で剥離が生じる。この樹脂５
の分解剥離により、半導体チップ１を回路基板３から容
易に取り外すことが可能となる。
チップ１を取り外す際、先ず、図２に示すように半導体
チップ実装体６の回路基板３裏面側から半導体チップ１
を固定している樹脂５へ選択的にレーザ光を照射する。
ここで、レーザ光として波長３０８ｎｍのエキシマレー
ザを用いる。前記樹脂５はレーザ光照射により分解され
て回路基板３との接着界面で剥離が生じる。この樹脂５
の分解剥離により、半導体チップ１を回路基板３から容
易に取り外すことが可能となる。
【００１５】このとき、図３のように回路基板３上に樹
脂５の残存物が生じた場合には、回路基板３の主面側か
ら前記樹脂５の残存物７へレーザ光を照射する。このレ
ーザ光照射により残存物７は容易に分解され、図４の如
く、回路基板３の主表面は清浄な状態となる。
脂５の残存物が生じた場合には、回路基板３の主面側か
ら前記樹脂５の残存物７へレーザ光を照射する。このレ
ーザ光照射により残存物７は容易に分解され、図４の如
く、回路基板３の主表面は清浄な状態となる。
【００１６】上記実施例及びその説明図において回路基
板３上に半導体チップ１が一個搭載されている場合の説
明を行ったが、本発明はこれに限定されるものではな
く、回路基板上の複数個の半導体チップの中から所望の
チップを選択的に取り外すことも可能である。
板３上に半導体チップ１が一個搭載されている場合の説
明を行ったが、本発明はこれに限定されるものではな
く、回路基板上の複数個の半導体チップの中から所望の
チップを選択的に取り外すことも可能である。
【００１７】また、実装体６の接続構造は図１以外の接
続構造、例えば導電性粒子を介して半導体チップの電極
と回路基板の電極とを圧接した状態で樹脂固定した構造
であっても、同様の効果が得られる。
続構造、例えば導電性粒子を介して半導体チップの電極
と回路基板の電極とを圧接した状態で樹脂固定した構造
であっても、同様の効果が得られる。
【００１８】更に、本発明は上記実施例のようにベアチ
ップを直接回路基板上に搭載した場合だけでなく、例え
ばＦＰＣを樹脂により回路基板上に接続した場合であっ
ても、同様の効果が得られる。
ップを直接回路基板上に搭載した場合だけでなく、例え
ばＦＰＣを樹脂により回路基板上に接続した場合であっ
ても、同様の効果が得られる。
【００１９】上記実施例において、樹脂へ照射するレー
ザ光として波長３０８ｎｍのエキシマレーザを用いた。
このレーザの選定にあたっては、回路基板３に損傷を
与えることなくレーザ光が回路基板３を透過すること、
回路基板３の電極４に損傷を与えることなく接着面を
剥離させること、及び回路基板３の電極４に損傷を与
えることなく樹脂残存物７を除去することが必要条件と
なる。本実施例においては回路基板３としてホウケイ酸
ガラスを用いた。
ザ光として波長３０８ｎｍのエキシマレーザを用いた。
このレーザの選定にあたっては、回路基板３に損傷を
与えることなくレーザ光が回路基板３を透過すること、
回路基板３の電極４に損傷を与えることなく接着面を
剥離させること、及び回路基板３の電極４に損傷を与
えることなく樹脂残存物７を除去することが必要条件と
なる。本実施例においては回路基板３としてホウケイ酸
ガラスを用いた。
【００２０】この場合の回路基板３へのレーザの透過性
について（ａ）ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４９ｎ
ｍ），（ｂ）ＸｅＣｌエキシマレーザ（波長３０８ｎ
ｍ），（ｃ）ＹＡＧレーザ（波長１０６４ｎｍ）を用い
評価したところ、（ａ）では回路基板がレーザ光を吸収
し回路基板が損傷を受けるが、（ｂ），（ｃ）は回路基
板に損傷を与えることなく透過することが確認された。
について（ａ）ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４９ｎ
ｍ），（ｂ）ＸｅＣｌエキシマレーザ（波長３０８ｎ
ｍ），（ｃ）ＹＡＧレーザ（波長１０６４ｎｍ）を用い
評価したところ、（ａ）では回路基板がレーザ光を吸収
し回路基板が損傷を受けるが、（ｂ），（ｃ）は回路基
板に損傷を与えることなく透過することが確認された。
【００２１】そこで次に、（ｂ），（ｃ）を用いて半導
体チップ実装体６へ回路基板３の裏面よりレーザ照射を
行ったところ、両者共、回路基板３の電極４に損傷を与
えることなく、接着面を剥離できることを確認した。本
手法により、半導体チップ１を回路基板３から除去した
場合、回路基板３上に樹脂の残存物７が生じる場合があ
る。
体チップ実装体６へ回路基板３の裏面よりレーザ照射を
行ったところ、両者共、回路基板３の電極４に損傷を与
えることなく、接着面を剥離できることを確認した。本
手法により、半導体チップ１を回路基板３から除去した
場合、回路基板３上に樹脂の残存物７が生じる場合があ
る。
【００２２】そこで、次に、（ｂ），（ｃ）を用いてこ
れらの樹脂残存物７の除去性の評価を行った。その結
果、樹脂が不透明体の場合には、両者共、除去可能であ
るが、樹脂が透明体の場合（ｃ）は大部分が樹脂を透過
するため、樹脂残存物７の除去が困難であるが、（ｂ）
は電極４に損傷を与えることなく、樹脂残存物７を除去
できることを確認した。
れらの樹脂残存物７の除去性の評価を行った。その結
果、樹脂が不透明体の場合には、両者共、除去可能であ
るが、樹脂が透明体の場合（ｃ）は大部分が樹脂を透過
するため、樹脂残存物７の除去が困難であるが、（ｂ）
は電極４に損傷を与えることなく、樹脂残存物７を除去
できることを確認した。
【００２３】ここで、（ｂ）を用い、回路基板として前
途のホウケイ酸ガラスを、樹脂として透明のエポキシレ
ジンを用いる場合、パルスエネルギー１．０〜２．０Ｊ
／ｃｍ2，パルス巾２０ｎｓ，パルス数１００〜１００
０にコントロールすることにより、回路基板に損傷を与
えることなく半導体チップを除去することが可能であ
り、半導体チップ除去後の回路基板上の樹脂残存物はパ
ルスエネルギー０．２〜０．５Ｊ／ｃｍ2，パルス巾２
０ｎｓ，パルス数２０００〜２００００にコントロール
することにより除去できた。このように回路基板及び樹
脂によってレーザの選定を行うことが必要である。
途のホウケイ酸ガラスを、樹脂として透明のエポキシレ
ジンを用いる場合、パルスエネルギー１．０〜２．０Ｊ
／ｃｍ2，パルス巾２０ｎｓ，パルス数１００〜１００
０にコントロールすることにより、回路基板に損傷を与
えることなく半導体チップを除去することが可能であ
り、半導体チップ除去後の回路基板上の樹脂残存物はパ
ルスエネルギー０．２〜０．５Ｊ／ｃｍ2，パルス巾２
０ｎｓ，パルス数２０００〜２００００にコントロール
することにより除去できた。このように回路基板及び樹
脂によってレーザの選定を行うことが必要である。
【００２４】
【発明の効果】本発明により、回路基板に損傷を与える
ことなく、所望の電子部品を選択的に除去することが可
能となり、また、この除去による残存物をも同様に取り
除くことが可能となるため、電子部品を回路基板に搭載
した後、前記電子部品を取り換えることが容易となる。
ことなく、所望の電子部品を選択的に除去することが可
能となり、また、この除去による残存物をも同様に取り
除くことが可能となるため、電子部品を回路基板に搭載
した後、前記電子部品を取り換えることが容易となる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための要部断面図
である。
である。
【図２】本発明の一実施例を説明するための要部断面図
である。
である。
【図３】本発明の一実施例を説明するための要部断面図
である。
である。
【図４】本発明の一実施例を説明するための要部断面図
である。
である。
１ 半導体チップ ２ 電極 ３ 回路基板 ４ 電極 ５ 樹脂 ６ 半導体チップ実装体 ７ 樹脂残存物
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−67830（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−139091（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−201627（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−240251（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−76240（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−253049（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−196143（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 回路基板一主面上に樹脂を用いて固定さ
れた電子部品を取り外す際、前記回路基板裏面側から前
記樹脂に、前記回路基板を透過するレーザ光を照射する
ことにより、前記樹脂を分解してなることを特徴とする
電子部品の取り外し方法。 - 【請求項２】 主面上に、複数個の電子部品が樹脂を用
いて固定された回路基板から、所望の電子部品を選択的
に取り外す際、前記回路基板裏面側から、前記所望の電
子部品を固定する樹脂に、レーザ光を照射することによ
り、前記樹脂を分解してなることを特徴とする電子部品
の取り外し方法。 - 【請求項３】 主面上に、複数個の電子部品が樹脂を用
いて固定された回路基板から、所望の電子部品を選択的
に取り外す方法であって、前記回路基板裏面側から、前
記所望の電子部品を固定する樹脂に、レーザ光を照射す
ることにより、前記樹脂をほぼ分解し、前記所望の電子
部品を取り外す第１の工程と、前記回路基板主面側か
ら、ほぼ分解された樹脂の残留物にレーザ光を照射し
て、前記所望の電子部品を固定していた樹脂をほぼ完全
に除去する第２の工程と、からなることを特徴とする電
子部品の取り外し方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018139A JP2544523B2 (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 電子部品の取り外し方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018139A JP2544523B2 (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 電子部品の取り外し方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04257240A JPH04257240A (ja) | 1992-09-11 |
| JP2544523B2 true JP2544523B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=11963272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3018139A Expired - Fee Related JP2544523B2 (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 電子部品の取り外し方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2544523B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190030113A (ko) | 2017-09-13 | 2019-03-21 | 크루셜머신즈 주식회사 | 기판에서 전자부품을 제거하는 장치 |
| KR20200103583A (ko) | 2020-08-19 | 2020-09-02 | 레이저쎌 주식회사 | 기판에서 전자부품을 제거하는 장치 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE239558T1 (de) * | 1999-02-17 | 2003-05-15 | Volkswagen Ag | Verfahren zum entfernen von klebemitteln von einer oberfläche eines fahrzeugkarrosseriebauteils |
| JP2001351932A (ja) * | 2000-06-06 | 2001-12-21 | Nec Corp | レーザ加工用樹脂構造およびその加工方法 |
| JP2009021595A (ja) * | 2008-07-08 | 2009-01-29 | Hitachi Chem Co Ltd | リワーク方法 |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP3018139A patent/JP2544523B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190030113A (ko) | 2017-09-13 | 2019-03-21 | 크루셜머신즈 주식회사 | 기판에서 전자부품을 제거하는 장치 |
| KR20200103583A (ko) | 2020-08-19 | 2020-09-02 | 레이저쎌 주식회사 | 기판에서 전자부품을 제거하는 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04257240A (ja) | 1992-09-11 |
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