JP2565249B2 - 線状搬送手段 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、複数の線上に被搬送物を載せて搬送を行う
線状搬送手段に関するものである。本発明の線状搬送手
段は、例えば半導体の分野においてウェハーを搬送する
のに利用することができる。

〔発明の概要〕

本発明は、複数の線上に被搬送物を載せて搬送を行う
線状搬送手段、または複数の線上に被搬送物を載せて搬
送を行うと同時に該被搬送物に対して熱処理を行う線状
搬送手段において、上記線にこの線と同材の球状の突起
部を設け、この球状の突起部上に上記被搬送物を載せ、
点接触して搬送を行うことにより、被搬送物と上記搬送
用線との接触が上記突起物においてなされるようにした
ことによって、接触部分が大きい場合に生じるダストの
発生とか、傷つきの発生を小ならしめ、もって被搬送物
に対する悪影響を及ぼすことのない搬送を達成するもの
である。

〔従来の技術〕

従来より、複数の線上に被搬送物を載せてその搬送を
行う線状搬送手段が各種の分野で用いられている。例え
ば、特開昭58−40828号には、半導体ウェハーをワイヤ
ーコンベヤにより搬送してプラズマ反応処理する機構が
開示されている。

線状の搬送手段を用いる場合は、一般に例えば第５図
に示す如くステンレスワイヤーのような搬送用の線1,1
の上にウェハーのような被搬送物２を載置し、線1,1を
動かすことにより所望の搬送を行う。しかしこれである
と、線1,1と被搬送物２とが、少なくとも各線1,1につい
て線接触し、こすれによりダストが発生したり、被搬送
物２に傷がつくことがある。

ICその他の半導体ウェハーの場合、その裏面（パター
ン形成面と逆の面）を熱処理する必要がある場合がある
が、このときに上記のような搬送手段を用いると、熱処
理を効率良く行うため一般にウェハーの裏面を上面（第
５図の上方の面）側として熱処理を行う。しかしそうす
るとパターン形成面は下面となって、第５図の如くこの
パターン形成面2aが搬送用の線状1,1と接触するように
なる。そうするとパターン面2aがワイヤー等の線1,1と
接触して、ワイヤーこすれによるダスト付着とかパター
ン面の傷つきとかが生じ易く、パターン不良の発生など
信頼性に及ぼす影響が大きく、上記問題は一層重要とな
る。即ち搬送用の線1,1としては、ステンレスなどが用
いられることが多いが、これは特に高温では（搬送しつ
つ熱処理するときなど）、どうしても表面が酸化して粗
になり、表面が言わばささくれだったザラザラの状態に
なって、これにより被搬送物を傷つけたり、また酸化物
が剥がれてダストになりがちであり、これが第５図のよ
うな線接触の場合ダストが被搬送物２の面に直接付着し
てしまうことになる。

一方、実開昭60−81907号公報、及び該公報に係る明
細書には、可撓性のベルト芯材に別体の非汚染材よりな
る複数のチップ状パイプ材を装着して、搬送を行う構成
のウェハー等搬送用の搬送手段が記載されている。しか
しこの従来技術も、パイプ材により被搬送材を搬送する
ので、各チップ状パイプ材の長さにおいて被搬送材とこ
のチップ状パイプ材とは必ず線接触する。よって、ベル
ト芯材そのものに接触するよりは接触長さは小さくはな
るとは考えられるものの、結局各チップ状パイプ材と被
搬送材との線接触長さの総和の長さで被搬送材とこのチ
ップ状パイプ材とが線接触することになって、線接触に
伴う上述した問題点は依然として解決されない。円柱状
のパイプ材の外周角（円柱の端面の縁部）を曲面状にし
ても、線接触の程度は大差なく、問題の解決になるもの
ではない。元来この従来技術は、半導体ウェハー等を、
「薬液処理、熱処理、洗浄処理などの各種処理工程」間
で移し換えること、即ち「前工程から後工程への半導体
ウェハーの移動に際しては前工程のキャリア又はボート
にから後工程に適したボート又はキャリアに半導体ウェ
ハーを移し換える」ことを想定しているのであって、ス
テンレスワイヤー等を用いて、搬送と同時に被搬送材に
加熱を行うような場合は想定しておらず、よって、線接
触でも十分汚染防止となる程度の搬送しか想定していな
い技術と考えられ、これは、ベルト芯材としては樹脂材
しか想定していないことからも、裏付けられる。

〔発明が解決すべき技術的課題〕

上記の如く一般の線状搬送手段では、被搬送物と搬送
用線との接触により、こすれによるダスト発生とか、傷
つきの問題があったものである。これは特に被搬送物が
例えば半導体ウェハーの如き電子材料とか、その他精密
性を要する部材の場合に著しく問題となる。

本発明はこの問題点を解決して、被搬送物に傷がつき
にくく、かつダストの発生なども少ない、線状搬送手段
を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の線状搬送手段は、上記の問題点を解決するた
め、複数の線上に被搬送物を載せて搬送を行う構成にお
いて、上記線に球状突起部を設け、該球状突起部上に上
記被搬送物を載せ、点接触して搬送を行うとともに、前
記複数の線と球状突起部が同材質からなる構成をとる。

また別の発明の線状搬送手段は、上記の問題点を解決
するため、複数の線上に被搬送物を載せて搬送を行うと
同時に、被搬送物に対して熱処理を行う構成において、
上記線に球状突起部を設け、該球状突起部上に上記被搬
送物を載せ、点接触して搬送を行うとともに、前記複数
の線と球状突起部が同材質からなる構成をとる。

本発明の構成について、後記詳述する本発明の一実施
例を示す第１図を参照して説明すると次のとおりであ
る。即ち、本発明においては、複数（図では２本）の線
1,1に球状突起部3,3を設け、この球状突起部3,3上に被
搬送物２を載せて、点接触して搬送を行う。複数の線1,
1と球状突起部3,3は同材質からなる。

この実施例は、被搬送物２の搬送を行うと同時に、被
搬送物２に対して熱処理を行う構成としたものである。

〔作用〕

本発明は、上記の構成の結果、被搬送物２と線１と
は、突起部３において点接触がなされ、搬送される。従
って従来に比し被搬送物２と搬送用の線１とは接触部分
が小さくてすみ、よってこすれによるダスト発生とか、
被搬送物への傷つきは抑制される。被搬送物２の搬送を
行うと同時に、被搬送物２に対して熱処理を行う場合
に、ダスト発生や被搬送物への傷つきがなく、極めて有
利である。また線１と突起部３は同材質からなるので、
形成が容易であるなど、有利である。

〔実施例〕

以下発明の実施例について説明する。この実施例は、
本発明を半導体ウェハー（特にIC用のウェハー）の搬送
に適用したものである。

本実施例においては、搬送用の線2,2に第１図のよう
に、ボール状の部分を形成することによって、これを突
起部3,3とする。本例では具体的には、ステンレス線材
を搬送用の線1,1として用い、これにステンレスボール
を付けて形成した。これは例えばステンレスワイヤー
（またはこれにテフロン加工を施したもの）を用い、ス
テンレスボールにワイヤーに対応した穴をあけて、この
穴に上記ワイヤーを通してかしめて一体にすることによ
り得ることができる。

勿論線材としてはステンレスに限らず、他の材料でも
よく、例えば石英線などを用いると、傷つき、ダストの
面で有効であり、かつこの場合は突起部も石英ボールに
より形成することになり、よってこの突起部も、傷つ
き、ダストの面で有効であるので、きわめて有利であ
る。

本実施例によれば、球状の突起部３が線１に形成され
ているので、被搬送物２である半導体ウェハーはこの突
起部３に点接触し、接触部が極めて小さくてすみ、従っ
て傷つきの発生やダストの発生も極めて小さくなるもの
である。たとえステンレスボールの表面が酸化されてい
ても、傷やダストは著しく低減される。高温熱処理する
場合、搬送用の線等の表面にテフロン加工などの処理を
することができないことがあるが、この場合でも本発明
は有利に適用できる。

本実施例は、被搬送物２である半導体ウェハーの裏面
を熱処理する場合に用いたもので、パターン形成面2aは
搬送用の線1,1と接触することになるが、この場合も不
良率は極めて小さく、製品の歩留りが向上する。即ち、
本例の如くウェハー搬送ワイヤーをステンレスボール付
搬送ワイヤーとすることで、従来ウェハー表面への線接
触であったものに対して、突起部３（ボール先端部）の
みの点接触となり、よってこすれによる傷がなくなり、
ダスト数も従来のスンテレスワイヤーによるものが900
個以上/1μ^□であったのに対し、本実施例では10個以下
/1μ^□に抑えられた。また本例の搬送手段は、ステンレ
スワイヤーボールをつけるだけでよいので、容易かつ安
価に得ることができる。

本例の搬送手段を用いて、パターン形成面に悪影響を
及ぼすことなく半導体ウェハーの裏面を能率良く熱処理
するため、本例では次のような工程を採用した。

第３図のように1mm径のステンレスワイヤーを搬送用
の線１とし、これに3.5mm径のステンレスボールを付設
して突起部３を形成したものを用い、第２図（ａ）（こ
れは下面が見た図である）の如く４つの突起部３に被搬
送物２であるウェハーを載置する。ここでは、ウェハー
のパターン形成面2aが突起部３に当接している。ウェハ
ーの切欠26は搬送方向にあわせた。これをまず第２図
（ｂ）に示す低温炉41（330℃程度）で予備加熱する。
次で高温炉42（440℃程度）で加熱する。これにより、
被搬送物２であるウェハーの裏面が熱処理される。この
処理はウェハー裏面にオーミックコンタクトを得るため
メタライゼーション後に行う熱処理であり、フラッシュ
アロイと称される処理である。本例はこの処理に本発明
を用いたものであり、搬送用の線２がわに来るパターン
形成面2aに対する影響を小ならしめるための応用であ
る。

高温炉42での加熱の後、冷却部43で冷却する。冷却は
ここでは自然冷却とし、100℃程度まで冷却した。ウェ
ハーの動きは第２図（ｃ）の如くであり、各炉41,42は
第４図に示す如く搬送用の線１であるワイヤーの入る溝
５が形成されていて、第２図（ｃ）の破線61の如き動き
でウェハーが搬送され、破線62でワイヤーが低温炉41の
溝５に収まるとともに低温加熱が行われ、次いで、破線
63でワイヤーが上昇し、破線64で搬送を行い、同様に破
線65,66の如く高温炉42での処理が行われる。次いで破
線67で搬送され、破線68,69の如き動きで冷却がなさ
れ、破線70で搬送されて爾後の工程へ入るのである。

本実施の態様で、前述の如くダスト付着が、900個／
μ^□程度が10個／μ^□以下に落ち、ウェハーの傷つきも
なく、信頼性の高い半導体装置が得られ、従来の問題点
が解決されたものである。

なお本発明は上記実施例にのみ限定されるものではな
く、例えば被搬送物は突起部とそれ以外の線部分とに当
接する構成でもよく、その他各種の態様に実施できるも
のである。

〔発明の効果〕

上述の如く、本発明によれば、被搬送物に傷がつきに
くく、ダストの発生も小さいという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成図であり、第１図
（ａ）は側面図、第１図（ｂ）は（ａ）におけるB₁方向
矢視図である。第２図は該実施例の搬送工程図、第３図
は同じく搬送用の線の構成図、第４図は同じく炉の斜視
図である。第５図は従来例を示し、第５図（ａ）は側面
図、第５図（ｂ）は（ａ）におけるＢ方向矢視図であ
る。 １……搬送用の線（ワイヤー）、２……被搬送物（半導
体ウェハー）、2a……パターン形成面、３……突起部。

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の線上に被搬送物を載せて搬送を行う
   線状搬送手段において、 上記線に球状突起部を設け、 該球状突起部上に上記被搬送物を載せ、 点接触して搬送を行うとともに、前記複数の線と球状突
   起部が同材質からなることを特徴とする線状搬送手段。
2. 【請求項２】前記複数の線と球状突起部が、ステンレス
   または石英より選ばれる材質からなることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項に記載の線状搬送手段。
3. 【請求項３】複数の線上に被搬送物を載せて搬送を行う
   と同時に、該被搬送物に対して熱処理を行う線状搬送手
   段において、 上記線に球状突起部を設け、 該球状突起部上に上記被搬送物を載せ、 点接触して搬送を行うとともに、前記複数の線と球状突
   起部が同材質からなることを特徴とする線状搬送手段。
4. 【請求項４】直線状に搬送を行うことを特徴とする特許
   請求の範囲第３項に記載の線状搬送手段。
5. 【請求項５】前記複数の線と球状突起部が、ステンレス
   または石英より選ばれる材質からなることを特徴とする
   特許請求の範囲第３項に記載の線状搬送手段。