JP2573418C - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は半導体基板の洗浄方法に関するものであり、特にフッ酸を使用する半
導体基板の洗浄方法に関するものである。 〈従来の技術〉 従来の技術に於いて半導体基板の洗浄は、第３図に示すように、薬液１をため
た槽２に基板３を浸漬し、洗浄した後、薬液１をためた槽２から基板３を取出し
、純水４をオーバーフローさせている槽５に基板３を移し、基板３に残留してい
る薬品を除去した後に、純水槽５より基板３を取出すものである。この方式（Ａ
）では、薬液にフッ酸を使用する場合、基板の酸化膜が除去されて基板の活性面
（たとえば、シリコン面）が露出すると、第３図に於いて、フッ酸中より基板を
取出す際（（３））に、基板表面にフッ酸の液面に多く浮遊している異物粒子が
付着しやすく、洗浄後の基板処理に悪影響を及ぼす。このような異物の付着を減
らすために、従来技術に於いては、第４図に示すように、薬液１１中での洗浄が
終了した後に、薬液槽１２に純水１３を導入し、薬液をオーバーフローさえて純
水と置換した後に、純水１３中から基板１４を取出す方法（Ｂ）が行われている
。 〈発明が解決しようとする課題〉 従来技術における第４図に示す方法により、フッ酸を使用した洗浄の場合に於
いても、基板を浸漬したまま、フッ酸と純水を置換することで、槽から 基板を引き上げる際に付着する異物粒子を減らすことが可能であるが、フッ酸に
浸漬する前に、基板の活性面が露出している場合には、基板をフッ酸に浸浸する
際に、フッ酸液面に浮遊する異物粒子の基板への付着がさけられない。 〈課題を解決するための手段〉 上記問題点を解決するための本発明の方法は、第１図に示すように、オーバー
フローさせた純水槽２１に基板２２を浸漬し、基板２２が純水２３中に浸漬して
いる状態でオーバーフローを止め、フッ酸２４を槽２１に均一に導入して調合し
、洗浄が終了後、再び純水２５を導入してフッ酸と純水を置換し、純水２５をオ
ーバーフローさせながら槽２１から基板２２を引き上げ、水切り乾燥を行うもの
である。 〈作 用〉 本発明によれば、半導体基板の活性面が薬液の液面に触れることがなくなり、
液面での基板への異物付着をなくすことが可能である。 〈実施例〉 半導体基板洗浄で頻繁に使用される希フッ酸を用いる洗浄に於ける、本発明の
実施例を第１図を例に説明する。（１） 純水２３をオーバーフローさせたテフ
ロン槽２１に、洗浄する基板２２を浸漬する。（２） 基板２２を浸漬した後に
純水のオーバーフローを止め、槽容積の１／１０だけ純水を排水し、１０％に希
釈したフッ酸２４を槽２１に均一に槽容積の１／１０滴下し、槽内の純水を１％
の希フッ酸２４′に変えて、１分間洗浄を行う。（３） テフロン槽２１の底部
より純水２５を導入し、希フッ酸を純水で置換する。（４） 槽２１内の純水２
５の比抵抗値が、１８ＭΩ・ｃｍ以上に回復したら、純水をオーバーフローさせ
ながら基板を槽から引き上げて、水切り乾燥を行う。 本実施例に示した希フッ酸洗浄方法で半導体基板（６インチ・シリコンウェー
ハ）に付着する異物粒子数（粒径０．１６μｍ以上）を、従来の希フッ酸洗浄方
法Ａ，Ｂ（Ａ，Ｂとも、１％フッ酸洗浄時間１分、純水オーバーフロー、水切り
乾燥）と比較した結果を第２図に示す。基板に付着した粒子数は、従来方式Ａで
は１１０〜１７０個、従来方式Ｂでは３０〜４０個、本発明の 方式Ｃでは１０〜２０個であり、本発明の希フッ酸洗浄方法により、基板に付着
する異物粒子を減らすことが可能となる。 〈発明の効果〉 本発明の半導体基板の洗浄方法により、洗浄液から基板に付着する異物粒子を
大幅に低減させることが可能になる。

【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の洗浄方法の説明図、第２図は、従来の洗浄方法（Ａ，Ｂ）
と本発明の洗浄方法（Ｃ）で実際に洗浄を行った６インチ径シリコンウェーハに
付着した異物粒子数を示す図、第３図及び第４図は、それぞれ従来の洗浄方法Ａ
及びＢの説明図である。 符号の説明 ２１：洗浄槽、２２：半導体基板、２３：純水、２４：フッ酸、２４′：希フ
ッ酸、２５：純水。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 洗浄液にフッ酸を用いた半導体基板の洗浄方法において、純水をオーバ
   ーフローさせた洗浄槽に半導体基板を浸漬し、純水中に基板が浸漬している状態
   で純水中にフッ酸を導入して基板の洗浄を行い、その後、フッ酸中に純水を導入
   してフッ酸を純水と置換した後にオーバーフローさせた純水中より基板を取り出
   し、水切り乾燥させることを特徴とする、半導体基板の洗浄方法。