JPH02309637A - 半導体ウェハの洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高集積化素子の製造工程において用いられる半
導体ウェハの洗浄方法に関する。

従来の技術 半導体素子の高集積化、高密度化に伴ない半導体ウェハ
の洗浄方法が重要となっている。これは従来の素子では
影響のなかった異物であっても、素子の微細化により、
その性能、歩留りに大きな影響をおよぼすためである。

また、微細化によりウェハ上の段差も太き（なり、異物
が付着する可能性は高くなっている。

従来の半導体ウェハの洗浄方法は、エツチング後に超純
水のオーバーフローにより洗浄し、例えば３０分程度オ
ーバーフローした後に、槽内の純水の比抵抗が１６ＭΩ
以上になれば洗浄を終了し乾燥を行なうものである。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、前記従来の技術による半導体ウェハの洗
浄方法では以下の様な課題がある。

エツチングで半導体ウェハの表面を換水性とした場合、
超純水による水洗後、水洗槽から持ち出した半導体ウェ
ハ表面に純水が水滴となって付着する。この水滴が次の
乾燥工程までの間に自然乾燥してしまうと、ウェハ表面
にいわゆる“シミ”状の異物が残存する。この“シミ”
は例えばその上に酸化膜を形成した場合、酸化膜耐圧の
劣化をひきおこす。またパターンを形成する際には、“
シミ”がエツチングマスクとなりエツチング残り、パタ
ーン不良等の原因となる。

課題を解決するための手段 前記課題を解決するために本発明による半導体ウェハの
洗浄方法では以下のような手段をとる。

半導体ウェハを超純水のオーバーフローにより洗浄した
後、界面活性剤を添加した超純水中に浸漬し、その後ウ
ェハの乾燥を行なうものである。

作用 この方法による半導体ウェハの洗浄方法では、乾燥前に
ウェハ表面は濡れた状態になっており水滴状の水が残る
事がない。従って次の乾燥工程までに時間を要してもシ
ミ状の異物が発生することは全（ない。

実施例 以下本発明の一実施例について詳述する。まずエツチン
グ後の半導体ウェハを超純水のオーバーフローによる洗
浄を行なう。時間は約３０分行ない純水の比抵抗が１６
ＭΩ以上に回復するのを確認してウェハを槽内より取り
出し界面活性剤を添加した超純水槽に浸漬する。約３０
秒程度でウェハ表面は濡れた状態となりウェハを取り出
す。この時ウェハ表面には水滴は存在せず一様に濡れた
状態である。次にＪＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸
気乾燥法によりウェハを乾燥し表面の水分を除去するつ なお、乾燥法としてはＩＰＡ蒸気乾燥法以外にも例えば
スピンドライ（遠心脱水）法でも可能であるがＩＰＡ蒸
気乾燥の方がより完全な乾燥が可能である。また界面活
性剤としては現在、炭化水素のものとフッ素系のものが
開発されているが、そのどちらを用いても同様の効果が
期待できる。

どの方法による半導体ウェハの洗浄方法では、最終洗浄
から乾燥工程までの間、ウェハ表面は一様に濡れた状態
であり、水滴が付着することはない。従って“シミ”状
の異物が形成される事は全くなく、完全な洗浄が可能で
ある。

発明の効果 本発明による半導体ウェハの洗浄方法によれば、異物付
着のない完全な洗浄が可能で高集積化素子の安定した、
信頼性の高い製造が可能である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体ウエハを超純水のオーバーフローにより洗
   浄する工程と、前記半導体ウエハを界面活性剤を添加し
   た超純水中に浸漬する工程と、前記半導体ウエハを乾燥
   する工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの洗浄
   方法。
2. （２）界面活性剤が炭化水素系またはフッ素系であるこ
   とを特徴とする請求項（１）記載の半導体ウエハの洗浄
   方法。
3. （３）半導体ウエハの乾燥工程においてＩＰＡ（イソプ
   ロピルアルコール）蒸気乾燥法を用いることを特徴とす
   る請求項（１）記載の半導体ウエハの洗浄方法。