JP2590761B2 - Ｔａｂ式半導体装置およびｔａｂ式半導体装置を回路基板に接続する方法 - Google Patents
Ｔａｂ式半導体装置およびｔａｂ式半導体装置を回路基板に接続する方法Info
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕ
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）式半導体装置および
ＴＡＢ式半導体装置を回路基板に接続する方法に関す
る。
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）式半導体装置および
ＴＡＢ式半導体装置を回路基板に接続する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】キャリヤテープ上に形成された複数のリ
ードと半導体チップの表面に形成された複数の電極とを
それぞれボンディング接続（インナーリードボンディン
グ：ＩＬＢ）し、半導体チップより導出した複数のリー
ドを所定の長さに切断し、その先端部と回路基板の配線
層の複数のボンディングパッドとをそれぞれボンディン
グ接続（アウターリードボンディング：ＯＬＢ）するＴ
ＡＢ式半導体装置は生産性が良いので広く用いられてい
る。
ードと半導体チップの表面に形成された複数の電極とを
それぞれボンディング接続（インナーリードボンディン
グ：ＩＬＢ）し、半導体チップより導出した複数のリー
ドを所定の長さに切断し、その先端部と回路基板の配線
層の複数のボンディングパッドとをそれぞれボンディン
グ接続（アウターリードボンディング：ＯＬＢ）するＴ
ＡＢ式半導体装置は生産性が良いので広く用いられてい
る。
【０００３】図６は一般的のＴＡＢ式半導体装置および
そのアウターリードボンディングの一例を示す図であ
る。
そのアウターリードボンディングの一例を示す図であ
る。
【０００４】ＴＡＢリード１２を有する半導体チップ１
０は、一括式ボンディングツール８２の中に収納された
吸着式半導体チップ固定治具８３により真空吸引され、
吸着保持される。次に、認識カメラ６３ＢによりＴＡＢ
リード１２のボンディング部１３の位置が検出される。
０は、一括式ボンディングツール８２の中に収納された
吸着式半導体チップ固定治具８３により真空吸引され、
吸着保持される。次に、認識カメラ６３ＢによりＴＡＢ
リード１２のボンディング部１３の位置が検出される。
【０００５】一方、ＴＡＢリードを有する半導体チップ
の実装用の回路基板３０は、移動式ステージ８１上に固
定されており、ＴＡＢリードとは別の位置で回路基板３
０のボンディングパッド３２の位置が認識カメラ６３Ａ
により検出される。
の実装用の回路基板３０は、移動式ステージ８１上に固
定されており、ＴＡＢリードとは別の位置で回路基板３
０のボンディングパッド３２の位置が認識カメラ６３Ａ
により検出される。
【０００６】次に、別々に認識、位置検出されたＴＡＢ
リード１２のボンディング部１３と回路基板のボンディ
ングパッド３２とが重なるように、どちらか一方、例え
ば移動式ステージ８１が矢印８５の方向に機械的に移動
して半導体チップの下（図６の点線の位置）に位置させ
る。このような位置合わせが完了すると、例えば４００
℃程度に加熱された一括式ボンディングツール８２が降
下し、１リードあたり２００ｇ程度の加重をかけながら
ＴＡＢリード１２のボンディング部１３と回路基板のボ
ンディングパッド３２とを一括して接続する。
リード１２のボンディング部１３と回路基板のボンディ
ングパッド３２とが重なるように、どちらか一方、例え
ば移動式ステージ８１が矢印８５の方向に機械的に移動
して半導体チップの下（図６の点線の位置）に位置させ
る。このような位置合わせが完了すると、例えば４００
℃程度に加熱された一括式ボンディングツール８２が降
下し、１リードあたり２００ｇ程度の加重をかけながら
ＴＡＢリード１２のボンディング部１３と回路基板のボ
ンディングパッド３２とを一括して接続する。
【０００７】しかしこの方法では、吸着式半導体チップ
固定治具８３が一括式ボンディングツール８２の内に収
納されているので、ボンディングを行う際にＴＡＢリー
ド１２のボンディング部１３と回路基板のボンディング
パッド３２とが一括式ボンディングツール８２の陰に隠
れてしまう。そのため、ＴＡＢリードのボンディング１
３と回路基板のボンディングパッド３２を同時に認識す
ることができず、別々に認識し、機械的に移動させなけ
ればならない。
固定治具８３が一括式ボンディングツール８２の内に収
納されているので、ボンディングを行う際にＴＡＢリー
ド１２のボンディング部１３と回路基板のボンディング
パッド３２とが一括式ボンディングツール８２の陰に隠
れてしまう。そのため、ＴＡＢリードのボンディング１
３と回路基板のボンディングパッド３２を同時に認識す
ることができず、別々に認識し、機械的に移動させなけ
ればならない。
【０００８】その結果、ボンディング時に直接それらの
重なり状態を確認することができず、位置ずれが発生し
てもそのままボンディングを行ってしまい、ボンディン
グ不良が発生する原因となっていた。
重なり状態を確認することができず、位置ずれが発生し
てもそのままボンディングを行ってしまい、ボンディン
グ不良が発生する原因となっていた。
【０００９】この問題を解決するために、特開平４−２
７７６４１号公報には図７にその一部を示すような方法
を開示している。すなわち同公報に開示の方法は、半導
体チップ１０のＴＡＢリード１２が導出しない側面角部
１８を支持する真空吸着管もしくは機械的クランプ機構
８６と、半導体チップの上面（裏面）を支持する吸着機
構と、開口部とを有する半導体チップ固定治具を用意
し、半導体チップの側面角部と上面をこの半導体チップ
固定治具で支持した状態で、開口部を通してＴＡＢリー
ドのボンディング部と回路基板のボンディングパッドと
の位置合わせを認識した後、この支持した状態のまま開
口部を通過したボンディングツールにより両者をボンデ
ィング接続するものである。
７７６４１号公報には図７にその一部を示すような方法
を開示している。すなわち同公報に開示の方法は、半導
体チップ１０のＴＡＢリード１２が導出しない側面角部
１８を支持する真空吸着管もしくは機械的クランプ機構
８６と、半導体チップの上面（裏面）を支持する吸着機
構と、開口部とを有する半導体チップ固定治具を用意
し、半導体チップの側面角部と上面をこの半導体チップ
固定治具で支持した状態で、開口部を通してＴＡＢリー
ドのボンディング部と回路基板のボンディングパッドと
の位置合わせを認識した後、この支持した状態のまま開
口部を通過したボンディングツールにより両者をボンデ
ィング接続するものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記方法
では、半導体チップの側面角部からＴＡＢリードが導出
するタイプや小型もしくは高密度にＴＡＢリードが導出
するタイプの半導体装置に適用することはできない。
では、半導体チップの側面角部からＴＡＢリードが導出
するタイプや小型もしくは高密度にＴＡＢリードが導出
するタイプの半導体装置に適用することはできない。
【００１１】また、半導体チップの側面は垂直な壁面と
なっていないからこの側面の角部を真空吸着管等で直接
支持することは実際上不可能である。
なっていないからこの側面の角部を真空吸着管等で直接
支持することは実際上不可能である。
【００１２】さらにこのような半導体チップ固定治具は
構造が煩雑となり実用的でない。真空吸着管で半導体チ
ップの側面角部を支持する場合、固定治具の横方向に吸
着路を設けており、真空源からの管路等の接続が必要な
ので、例えば固定治具の一方向の寸法が１００ｍｍであ
ったとしても、付属部を含めた治具全体が大きくなり、
アウターリードボンディング装置への取り付けも困難と
なる。同様に、機械的クランプ機構で半導体チップの側
面角部を支持する場合も、クランプの駆動制御のための
付属機構が複雑となり治具全体が大きくなり、アウター
リードボンディング装置へ取り付けて使用することは実
用上困難となる。
構造が煩雑となり実用的でない。真空吸着管で半導体チ
ップの側面角部を支持する場合、固定治具の横方向に吸
着路を設けており、真空源からの管路等の接続が必要な
ので、例えば固定治具の一方向の寸法が１００ｍｍであ
ったとしても、付属部を含めた治具全体が大きくなり、
アウターリードボンディング装置への取り付けも困難と
なる。同様に、機械的クランプ機構で半導体チップの側
面角部を支持する場合も、クランプの駆動制御のための
付属機構が複雑となり治具全体が大きくなり、アウター
リードボンディング装置へ取り付けて使用することは実
用上困難となる。
【００１３】したがって本発明の目的は、簡素化された
支持部材によりＴＡＢリードのボンディング部と回路基
板のボンディングパッドとの位置合わせをしこれを認識
した後、両者をボンディング接続することが可能なＴＡ
Ｂ式半導体装置およびＴＡＢ式半導体装置を回路基板に
接続する方法を提供することである。
支持部材によりＴＡＢリードのボンディング部と回路基
板のボンディングパッドとの位置合わせをしこれを認識
した後、両者をボンディング接続することが可能なＴＡ
Ｂ式半導体装置およびＴＡＢ式半導体装置を回路基板に
接続する方法を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、一方の
主面側に複数の電極が形成された半導体チップと、前記
複数の電極にそれぞれ接続して前記半導体チップの外側
に導出する複数のＴＡＢリードとを有するＴＡＢ式半導
体装置において、中央部分と、周辺部分と、該中央部分
と該周辺部分との間に形成された開口部とを有し、さら
に前記周辺部分は折り曲げられた側壁部と、該側壁部の
端において前記中央部分と平行になるように折り曲げら
れたフランジ部とを有する支持部材を具備し、前記支持
部材の前記中央部分において前記半導体チップの他方の
主面側と接着材料により固着し、かつ前記開口部は回路
基板のボンディングパッドと接続するＴＡＢリードのボ
ンディング部上に位置しており、これにより前記開口部
を通して前記ボンディングパッドと前記ボンディング部
との位置合わせの認識及び両者間を接続するボンディン
グツールの挿入を可能にし、前記支持部材の前記側壁部
は前記ＴＡＢリードの導出先端より外側に位置してこれ
ら複数のＴＡＢリードを包囲しているＴＡＢ式半導体装
置にある。
主面側に複数の電極が形成された半導体チップと、前記
複数の電極にそれぞれ接続して前記半導体チップの外側
に導出する複数のＴＡＢリードとを有するＴＡＢ式半導
体装置において、中央部分と、周辺部分と、該中央部分
と該周辺部分との間に形成された開口部とを有し、さら
に前記周辺部分は折り曲げられた側壁部と、該側壁部の
端において前記中央部分と平行になるように折り曲げら
れたフランジ部とを有する支持部材を具備し、前記支持
部材の前記中央部分において前記半導体チップの他方の
主面側と接着材料により固着し、かつ前記開口部は回路
基板のボンディングパッドと接続するＴＡＢリードのボ
ンディング部上に位置しており、これにより前記開口部
を通して前記ボンディングパッドと前記ボンディング部
との位置合わせの認識及び両者間を接続するボンディン
グツールの挿入を可能にし、前記支持部材の前記側壁部
は前記ＴＡＢリードの導出先端より外側に位置してこれ
ら複数のＴＡＢリードを包囲しているＴＡＢ式半導体装
置にある。
【００１５】本発明の他の特徴は、半導体チップの一方
の主面側に形成された複数の電極のそれぞれに接続して
該半導体チップの外側に導出する複数のＴＡＢリードと
回路基板の配線層の複数のボンディングパッドとをそれ
ぞれボンディング接続する方法において、中央部分、周
辺部分および該中央部分と該周辺部分との間に形成され
た開口部とを有する支持部材を用意し、前記支持部材の
前記中央部分に前記半導体チップの他方の主面側を接着
材料により固着し、前記支持部材の前記開口部を通して
前記ＴＡＢリードと前記回路基板の前記ボンディングパ
ッドとの位置合わせを認識し、前記支持部材の前記周辺
部分の所定箇所を前記回路基板に固着し、しかる後、前
記開口部を通してボンディングツールを挿入して前記Ｔ
ＡＢリードと前記ボンディングパッドとをボンディング
接続するＴＡＢ式半導体装置を回路基板に接続する方法
にある。さらに、前記支持部材の前記周辺部分は折り曲
げられた側壁部と、該側壁部の端において前記中央部分
と平行になるように折り曲げられたフランジ部とが形成
されていることが好ましい。
の主面側に形成された複数の電極のそれぞれに接続して
該半導体チップの外側に導出する複数のＴＡＢリードと
回路基板の配線層の複数のボンディングパッドとをそれ
ぞれボンディング接続する方法において、中央部分、周
辺部分および該中央部分と該周辺部分との間に形成され
た開口部とを有する支持部材を用意し、前記支持部材の
前記中央部分に前記半導体チップの他方の主面側を接着
材料により固着し、前記支持部材の前記開口部を通して
前記ＴＡＢリードと前記回路基板の前記ボンディングパ
ッドとの位置合わせを認識し、前記支持部材の前記周辺
部分の所定箇所を前記回路基板に固着し、しかる後、前
記開口部を通してボンディングツールを挿入して前記Ｔ
ＡＢリードと前記ボンディングパッドとをボンディング
接続するＴＡＢ式半導体装置を回路基板に接続する方法
にある。さらに、前記支持部材の前記周辺部分は折り曲
げられた側壁部と、該側壁部の端において前記中央部分
と平行になるように折り曲げられたフランジ部とが形成
されていることが好ましい。
【００１６】ここで、前記ボンディング接続後に前記支
持部材の前記開口部を封止用キャップで閉塞すること、
あるいは前記ボンディング後に前記支持部材により囲ま
れた空間を樹脂を充填することができる。
持部材の前記開口部を封止用キャップで閉塞すること、
あるいは前記ボンディング後に前記支持部材により囲ま
れた空間を樹脂を充填することができる。
【００１７】また、前記支持部材の前記周辺部分の所定
箇所は前記回路基板に樹脂等の接着材料もしくは磁力に
より固着することができる。
箇所は前記回路基板に樹脂等の接着材料もしくは磁力に
より固着することができる。
【００１８】この支持部材は前記ボンディング後に取り
外すことができる。あるいは前記ボンディング後も前記
支持部材を半導体チップおよび回路基板に固着させてお
いて、ＴＡＢ半導体装置の一部として使用することもで
きる。
外すことができる。あるいは前記ボンディング後も前記
支持部材を半導体チップおよび回路基板に固着させてお
いて、ＴＡＢ半導体装置の一部として使用することもで
きる。
【００１９】
【作用】以上のように本発明の半導体チップを固着した
支持部材は、ＴＡＢリードの導出先端を包囲する側壁部
およびそれにつながるフランジ部を有しており、ＴＡＢ
リードのボンディング部上に開口部を有しているから、
位置出し認識のための真空吸着機構等の複雑な機構を内
蔵することなく、また半導体チップからのＴＡＢリード
の導出形態に関係なく、開口部を通してＴＡＢリードと
回路基板のボンディングパッドとの位置合わせを認識
し、フランジ部を回路基板に固着し、しかる後、開口部
を通してボンディング接続することができる。このよう
に簡素化された手段により位置ずれによるボンディング
不良を回避することができる。
支持部材は、ＴＡＢリードの導出先端を包囲する側壁部
およびそれにつながるフランジ部を有しており、ＴＡＢ
リードのボンディング部上に開口部を有しているから、
位置出し認識のための真空吸着機構等の複雑な機構を内
蔵することなく、また半導体チップからのＴＡＢリード
の導出形態に関係なく、開口部を通してＴＡＢリードと
回路基板のボンディングパッドとの位置合わせを認識
し、フランジ部を回路基板に固着し、しかる後、開口部
を通してボンディング接続することができる。このよう
に簡素化された手段により位置ずれによるボンディング
不良を回避することができる。
【００２０】さらにボンディング接続後に支持部材を半
導体装置の一部として載置しておくことにより、電磁シ
ールド効果の向上、放熱性の向上、気密性の向上を図る
ことができる。
導体装置の一部として載置しておくことにより、電磁シ
ールド効果の向上、放熱性の向上、気密性の向上を図る
ことができる。
【００２１】
【実施例】以下図面を参照して本発明を説明する。
【００２２】図１は本発明の一実施例のＴＡＢ式半導体
装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）
のＢ−Ｂ部の断面図である。
装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）
のＢ−Ｂ部の断面図である。
【００２３】半導体チップ１０の一方の主面（表面）側
に形成された複数の電極１１にそれぞれ接続されたＴＡ
Ｂリード１２が半導体チップ１０の外側に導出して、そ
の先端にボンディング部１３を有している。
に形成された複数の電極１１にそれぞれ接続されたＴＡ
Ｂリード１２が半導体チップ１０の外側に導出して、そ
の先端にボンディング部１３を有している。
【００２４】半導体チップ１０の他方の主面（裏面）側
が支持部材２０の中央部分２１に熱硬化性樹脂もしくは
銀ペースト等の接着材料４１により固着されている。こ
の支持部材２０は、この中央部分２１と、周辺部分２６
と中央部分２１との間の開口部２２と、中央部分２１を
周辺部分２６からサポートする４本の支持体２５とを有
している。この周辺部分２６は直角に折り曲げられかつ
全てのＴＡＢリードの導出先端を包囲する側壁部２４
と、側壁部２４の端において中央部分２１と平行になる
ように直角に折り曲げられたフランジ部２３とを具備し
て構成されている。
が支持部材２０の中央部分２１に熱硬化性樹脂もしくは
銀ペースト等の接着材料４１により固着されている。こ
の支持部材２０は、この中央部分２１と、周辺部分２６
と中央部分２１との間の開口部２２と、中央部分２１を
周辺部分２６からサポートする４本の支持体２５とを有
している。この周辺部分２６は直角に折り曲げられかつ
全てのＴＡＢリードの導出先端を包囲する側壁部２４
と、側壁部２４の端において中央部分２１と平行になる
ように直角に折り曲げられたフランジ部２３とを具備し
て構成されている。
【００２５】さらに、開口部２２は全てのＴＡＢリード
１２のボンディング部１３が露出するようにその上位置
して形成されている。
１２のボンディング部１３が露出するようにその上位置
して形成されている。
【００２６】支持部材２０は、例えばコバール等の金属
板からなり、側壁部２４により囲まれた面積が５０ｍｍ
×５０ｍｍの正方形状であり、側壁部２４の高さは約１
ｍｍである。
板からなり、側壁部２４により囲まれた面積が５０ｍｍ
×５０ｍｍの正方形状であり、側壁部２４の高さは約１
ｍｍである。
【００２７】また平坦面の中央部分２１に固着される半
導体チップ１０は、例えば１２．２８ｍｍ×１５．７０
ｍｍの面積を有し、その周囲に４８ｍｍ幅の４７６ピン
ＴＡＢテープから得られ先端にボンディング部１３を有
する４７６本のＴＡＢリード１２が導出している。
導体チップ１０は、例えば１２．２８ｍｍ×１５．７０
ｍｍの面積を有し、その周囲に４８ｍｍ幅の４７６ピン
ＴＡＢテープから得られ先端にボンディング部１３を有
する４７６本のＴＡＢリード１２が導出している。
【００２８】このように構成されたＴＡＢ式半導体装置
が回路基板３０に搭載される。回路基板３０の上面には
配線膜３１が形成されその上が絶縁材料のソルダーレジ
スト３３により被覆されている。ソルダ−レジスト３３
を選択的に除去することにより露出した配線膜３１のボ
ンディングパッド３２とＴＡＢリード１２のボンディン
グ部１３とが熱と圧力によりボンディング接着してい
る。またソルダーレジスト３３上において支持部材２０
のフランジ部２３が熱硬化性樹脂等の接着材料４２によ
り固着されている。
が回路基板３０に搭載される。回路基板３０の上面には
配線膜３１が形成されその上が絶縁材料のソルダーレジ
スト３３により被覆されている。ソルダ−レジスト３３
を選択的に除去することにより露出した配線膜３１のボ
ンディングパッド３２とＴＡＢリード１２のボンディン
グ部１３とが熱と圧力によりボンディング接着してい
る。またソルダーレジスト３３上において支持部材２０
のフランジ部２３が熱硬化性樹脂等の接着材料４２によ
り固着されている。
【００２９】このようのＴＡＢ式半導体装置は、開口部
２２を通して配線膜３１のボンディングパッド３２とＴ
ＡＢリード１２のボンディング部１３との位置合わせを
正確に行ないかつ正確であることを認識してから、やは
り開口部２２を通してボンディングツールを挿入して両
者のボンディング接着が行なうことができる。したがっ
て、ボンディング接着後に位置ずれによる不良が検出さ
れて廃棄するようなことはない。
２２を通して配線膜３１のボンディングパッド３２とＴ
ＡＢリード１２のボンディング部１３との位置合わせを
正確に行ないかつ正確であることを認識してから、やは
り開口部２２を通してボンディングツールを挿入して両
者のボンディング接着が行なうことができる。したがっ
て、ボンディング接着後に位置ずれによる不良が検出さ
れて廃棄するようなことはない。
【００３０】さらに上記実施例のように支持部材２０を
金属で形成することにより電磁シールド効果を有するこ
とができ、また半導体チップの裏面からの放熱性を改善
することもできる。
金属で形成することにより電磁シールド効果を有するこ
とができ、また半導体チップの裏面からの放熱性を改善
することもできる。
【００３１】しかし電磁シールド効果や放熱性がそれほ
ど重要でないタイプの半導体装置の場合には支持部材２
０をセラミック、プラスチック等の絶縁材料で形成して
もよい。
ど重要でないタイプの半導体装置の場合には支持部材２
０をセラミック、プラスチック等の絶縁材料で形成して
もよい。
【００３２】また半導体チップ１０の気密性を高めるた
めに、ＴＡＢ式半導体装置を回路基板に搭載後、支持部
材２０による空間２７を樹脂で充填することができる。
めに、ＴＡＢ式半導体装置を回路基板に搭載後、支持部
材２０による空間２７を樹脂で充填することができる。
【００３３】次に図２を参照して本発明の一実施例のＴ
ＡＢ式半導体装置を回路基板に接続する方法を説明す
る。尚、図２において図１と同一もしくは類似の箇所は
同じ符号で示してある。
ＡＢ式半導体装置を回路基板に接続する方法を説明す
る。尚、図２において図１と同一もしくは類似の箇所は
同じ符号で示してある。
【００３４】図２（Ａ）において、半導体チップ１０の
裏面を熱硬化性樹脂もしくは銀ペースト等の接着材料４
１により支持部材の平坦な中央部分２１にすでに固着し
た状態である。
裏面を熱硬化性樹脂もしくは銀ペースト等の接着材料４
１により支持部材の平坦な中央部分２１にすでに固着し
た状態である。
【００３５】支持部材の中央部分２１の上面を公知の吸
着アーム手段６１で吸着して回路基板のボンディングパ
ッド３２の直上に半導体装置のＴＡＢリード１２のボン
ディング部１３が位置するように移動調整される。この
移動調整は矢印５３に示すように開口部２２を通しての
認識カメラ６３による監視下で行なわれる。
着アーム手段６１で吸着して回路基板のボンディングパ
ッド３２の直上に半導体装置のＴＡＢリード１２のボン
ディング部１３が位置するように移動調整される。この
移動調整は矢印５３に示すように開口部２２を通しての
認識カメラ６３による監視下で行なわれる。
【００３６】回路基板３０のソルダーレジスト３３上に
熱硬化性樹脂等の接着材料４２が配設されている。この
時点では、接着材料４２とフランジ２３とは垂直方向に
わずかに離間している。すなわちフランジ２３が接着材
料４２に接する寸前まで下降させた状態でＴＡＢリード
１２のボンディング部１３が回路基板のボンディングパ
ッド３２に重なるように位置合わせの移動調整を行な
う。なお接着材料４２はフランジ２３の方に配設してお
いてもよい。
熱硬化性樹脂等の接着材料４２が配設されている。この
時点では、接着材料４２とフランジ２３とは垂直方向に
わずかに離間している。すなわちフランジ２３が接着材
料４２に接する寸前まで下降させた状態でＴＡＢリード
１２のボンディング部１３が回路基板のボンディングパ
ッド３２に重なるように位置合わせの移動調整を行な
う。なお接着材料４２はフランジ２３の方に配設してお
いてもよい。
【００３７】位置合わせが完了した後、矢印５２に示す
ように半導体チップ１０を固着している支持部材２０を
垂直に下降させて図２（Ｂ）の状態にする。
ように半導体チップ１０を固着している支持部材２０を
垂直に下降させて図２（Ｂ）の状態にする。
【００３８】図２（Ｂ）において、フランジ２３とソル
ダーレジスト３３とは接着材料４２により固着された状
態である。しかしボンディング部１３とボンディングパ
ッド３２とは当接しているだけの状態である。なお側壁
部の高さは、フランジが接着材料により固着された状態
のときにボンディング部とボンディングパッドとが当接
するように設計されてある。
ダーレジスト３３とは接着材料４２により固着された状
態である。しかしボンディング部１３とボンディングパ
ッド３２とは当接しているだけの状態である。なお側壁
部の高さは、フランジが接着材料により固着された状態
のときにボンディング部とボンディングパッドとが当接
するように設計されてある。
【００３９】ここで再度認識カメラ６３により、全ての
ＴＡＢリードのボンディング部１３が回路基板のそれぞ
れのボンディングパッド３２上に正確に位置しているこ
とを確認し認識する。
ＴＡＢリードのボンディング部１３が回路基板のそれぞ
れのボンディングパッド３２上に正確に位置しているこ
とを確認し認識する。
【００４０】次に図２（Ｃ）に示すように、開口部２２
を通してボンディングツール６５の先端部６６を挿入し
て、熱と圧力とで複数のＴＡＢリードのボンディング部
１３とそれぞれのボンディングパッド３２とを同時に一
括ボンディング（ギャングボンディング）接続する。
を通してボンディングツール６５の先端部６６を挿入し
て、熱と圧力とで複数のＴＡＢリードのボンディング部
１３とそれぞれのボンディングパッド３２とを同時に一
括ボンディング（ギャングボンディング）接続する。
【００４１】図２（Ｄ）にボンディングツール６５の斜
視図を示す。支持部材２０の４箇所の開口部２２（図１
（Ａ））をそれぞれ通過してその下に位置するボンディ
ング部−ボンディングパッド対をボンディング接続する
４個の先端部６６と、その間に形成されて支持部材２０
の４本の支持体２５（図１（Ａ））を避けるための切欠
部６７とを有している。
視図を示す。支持部材２０の４箇所の開口部２２（図１
（Ａ））をそれぞれ通過してその下に位置するボンディ
ング部−ボンディングパッド対をボンディング接続する
４個の先端部６６と、その間に形成されて支持部材２０
の４本の支持体２５（図１（Ａ））を避けるための切欠
部６７とを有している。
【００４２】また本発明の製造方法においてボンディン
グ後に支持部材２０を半導体チップ１０から取り外す場
合には、接着材料４１，４２は、例えば１５０℃程度に
加熱することで接着性を失う熱可塑性接着材料や紫外線
（ＵＶ光）をあてることにより接着性を失うＵＶ接着材
料等を用いることができる。ここでＵＶ接着材料を用い
る場合には、支持部材２０をＵＶ光が通過できるように
ガラス、プラスチック等の透明材料で形成する。
グ後に支持部材２０を半導体チップ１０から取り外す場
合には、接着材料４１，４２は、例えば１５０℃程度に
加熱することで接着性を失う熱可塑性接着材料や紫外線
（ＵＶ光）をあてることにより接着性を失うＵＶ接着材
料等を用いることができる。ここでＵＶ接着材料を用い
る場合には、支持部材２０をＵＶ光が通過できるように
ガラス、プラスチック等の透明材料で形成する。
【００４３】またボンディングは一括式だけでなく、一
点毎の熱圧着ボンディングもしくは超音波ボンディング
を用いることもできる。さらに支持部材を移動は吸着ア
ーム手段６１を用いて説明したが、それ以外の方法、例
えば機械的に支持部材を掴んで移動する方法でもよい。
点毎の熱圧着ボンディングもしくは超音波ボンディング
を用いることもできる。さらに支持部材を移動は吸着ア
ーム手段６１を用いて説明したが、それ以外の方法、例
えば機械的に支持部材を掴んで移動する方法でもよい。
【００４４】図３乃至図５はそれぞれ本発明の他の実施
例を示す図であり、これら図３乃至図５において図１と
同一もしくは類似の箇所は同一の符号を付けてあるから
重複する説明は省略する。
例を示す図であり、これら図３乃至図５において図１と
同一もしくは類似の箇所は同一の符号を付けてあるから
重複する説明は省略する。
【００４５】まず図３の実施例では、ＴＡＢ式半導体装
置を回路基板に搭載接続後に支持部材２０の開口部２２
を、接着材料（図示省略）により接着された封止キャッ
プ２８でふさいで気密封止している。このような封止キ
ャップの気密封止は支持部材２０の空間２７を樹脂で充
填する気密封止と併用して用いることもできる。また支
持部材２０および封止キャップ２８が金属材料の場合
は、電磁シールド効果や放熱性効果がさらに顕著にな
る。
置を回路基板に搭載接続後に支持部材２０の開口部２２
を、接着材料（図示省略）により接着された封止キャッ
プ２８でふさいで気密封止している。このような封止キ
ャップの気密封止は支持部材２０の空間２７を樹脂で充
填する気密封止と併用して用いることもできる。また支
持部材２０および封止キャップ２８が金属材料の場合
は、電磁シールド効果や放熱性効果がさらに顕著にな
る。
【００４６】図４の実施例では、回路基板３０を載置す
るステージ７１の外側にマグネットステージ７２設けら
れている。マグネットステージ７２は電磁石を用いてお
り磁力の入、切がスイッチ（図示省略）により行えるよ
うになっている。ＴＡＢリードを有する半導体チップ１
０は図１と同様に支持部材２０の中央部分２１に接着材
料４１により固着されている。また支持部材２０は磁性
材料で作られており、ＴＡＢリードのボンディング部１
３と回路基板のボンディングパッド３２との位置合わせ
が完了するとマグネットステージ７２の磁力により支持
部材２０のフランジ部２３が吸引されることにより固定
され、ボンディング完了は電磁石を切って支持部材２０
をマグネットステージ７２から取り外し、また支持部材
２０を半導体チップ１０から取り外す。
るステージ７１の外側にマグネットステージ７２設けら
れている。マグネットステージ７２は電磁石を用いてお
り磁力の入、切がスイッチ（図示省略）により行えるよ
うになっている。ＴＡＢリードを有する半導体チップ１
０は図１と同様に支持部材２０の中央部分２１に接着材
料４１により固着されている。また支持部材２０は磁性
材料で作られており、ＴＡＢリードのボンディング部１
３と回路基板のボンディングパッド３２との位置合わせ
が完了するとマグネットステージ７２の磁力により支持
部材２０のフランジ部２３が吸引されることにより固定
され、ボンディング完了は電磁石を切って支持部材２０
をマグネットステージ７２から取り外し、また支持部材
２０を半導体チップ１０から取り外す。
【００４７】このようにボンディング後に支持部材２０
を半導体チップ１０から取り外すから、接着材料４１は
前記した熱可塑性材料等を用いると良い。
を半導体チップ１０から取り外すから、接着材料４１は
前記した熱可塑性材料等を用いると良い。
【００４８】図５の実施例では回路基板３０に凹部３６
が形成されその底面にボンディングパッド３２を有する
配線膜３１が形成されている。そして支持部材２０は半
導体チップ１０を固着する中央部分２１から周辺部分２
６に至る全面が平坦の板で形成されている。そして回路
基板の凹部周辺の凸部上面と支持部材の周辺部分２６の
所定箇所とが接着材料４２により固着されている。凹部
の深さをＴＡＢリードを含めた半導体チップの高さを考
慮して定めることにより、このように平板上の支持部材
とすることができる。
が形成されその底面にボンディングパッド３２を有する
配線膜３１が形成されている。そして支持部材２０は半
導体チップ１０を固着する中央部分２１から周辺部分２
６に至る全面が平坦の板で形成されている。そして回路
基板の凹部周辺の凸部上面と支持部材の周辺部分２６の
所定箇所とが接着材料４２により固着されている。凹部
の深さをＴＡＢリードを含めた半導体チップの高さを考
慮して定めることにより、このように平板上の支持部材
とすることができる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の支持部材
は、半導体チップと固着する中央部分、ＴＡＢリードと
回路基板のボンディングパッドとの位置合わせを行ない
これを認識しかつボンディングツールを挿入する開口
部、回路基板と固着する周辺部分を有している。したが
って、真空吸着機構等の複雑な機構を内蔵することな
く、また半導体チップからのＴＡＢリードの導出形態に
関係なく、開口部を通してＴＢリードと回路基板のボン
ディングパッドとの位置合わせをしこれを認識し、フラ
ンジ部を回路基板に固着し、しかる後、開口部を通して
ボンディング接続することができる。このように簡素化
された手段により位置ずれによるボンディング不良を回
避することができる。
は、半導体チップと固着する中央部分、ＴＡＢリードと
回路基板のボンディングパッドとの位置合わせを行ない
これを認識しかつボンディングツールを挿入する開口
部、回路基板と固着する周辺部分を有している。したが
って、真空吸着機構等の複雑な機構を内蔵することな
く、また半導体チップからのＴＡＢリードの導出形態に
関係なく、開口部を通してＴＢリードと回路基板のボン
ディングパッドとの位置合わせをしこれを認識し、フラ
ンジ部を回路基板に固着し、しかる後、開口部を通して
ボンディング接続することができる。このように簡素化
された手段により位置ずれによるボンディング不良を回
避することができる。
【００５０】さらにボンディング接続後に支持部材を半
導体装置の一部として載置した場合、支持部材を金属で
構成することにより電磁シールド効果の向上、放熱性図
ることができ、支持部材により形成された空洞を封止樹
脂で充填することにより気密性の向上を図ることができ
る。
導体装置の一部として載置した場合、支持部材を金属で
構成することにより電磁シールド効果の向上、放熱性図
ることができ、支持部材により形成された空洞を封止樹
脂で充填することにより気密性の向上を図ることができ
る。
【図１】本発明の一実施例のＴＡＢ式半導体装置を説明
する図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−
Ｂ部の断面図である。
する図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−
Ｂ部の断面図である。
【図２】本発明の一実施例のＴＡＢ式半導体装置を回路
基板に接続する方法を説明する図であり、（Ａ）〜
（Ｃ）は工程順に示す断面図、（Ｄ）はそこに用いるボ
ンディングツールを示す斜視図である。
基板に接続する方法を説明する図であり、（Ａ）〜
（Ｃ）は工程順に示す断面図、（Ｄ）はそこに用いるボ
ンディングツールを示す斜視図である。
【図３】本発明の他の実施例を説明する図であり、
（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面図で
ある。
（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面図で
ある。
【図４】本発明の別の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明のさらに別の実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図６】従来技術を説明する図である。
【図７】別の従来技術を説明する図である。
１０ 半導体チップ １１ 電極 １２ ＴＡＢリード １３ ＴＡＢリードのボンディング部 １８ 半導体チップの側面角部 ２０ 支持部材 ２１ 支持部材の中央部分 ２２ 支持部材の開口部 ２３ 支持部材のフランジ部 ２４ 支持部材の側壁部 ２５ 支持部材の支持体 ２６ 支持部材の周辺部分 ２７ 支持部材により形成された空間 ２８ 封止キャップ ３０ 回路基板 ３１ 回路基板の配線膜 ３２ 回路基板のボンディングパッド ３３ 回路基板のソルダーレジスト ３６ 回路基板の凹部 ４１，４２ 接着材料 ５２，５３ 方向を示す矢印 ６１ 吸着アーム手段 ６３，６３Ａ，６３Ｂ 認識カメラ ６５ ボンディングツール ６６ ボンディングツールの先端部 ６７ ボンディングツールの切欠部 ７１ ステージ ７２ マグネットステージ ８２ 一括式ボンディングツール ８３ 吸着式半導体チップ固定治具 ８６ 真空吸着管もしくは機械的クランプ機構
Claims (10)
- 【請求項１】 一方の主面側に複数の電極が形成された
半導体チップと、前記複数の電極にそれぞれ接続して前
記半導体チップの外側に導出する複数のＴＡＢリードと
を有するＴＡＢ式半導体装置において、 中央部分と、周辺部分と、該中央部分と該周辺部分との
間に形成された開口部とを有し、さらに前記周辺部分は
折り曲げられた側壁部と、該側壁部の端において前記中
央部分と平行になるように折り曲げられたフランジ部と
を有する支持部材を具備し、 前記支持部材の前記中央部分において前記半導体チップ
の他方の主面側と接着材料により固着し、かつ前記開口
部は回路基板のボンディングパッドと接続するＴＡＢリ
ードのボンディング部上に位置しており、これにより前
記開口部を通して前記ボンディングパッドと前記ボンデ
ィング部との位置合わせの認識及び両者間を接続するボ
ンディングツールの挿入を可能にし、前記支持部材の前
記側壁部は前記ＴＡＢリードの導出先端より外側に位置
してこれら複数のＴＡＢリードを包囲していることを特
徴とするＴＡＢ式半導体装置。 - 【請求項２】 前記支持部材は金属板で形成されている
ことを特徴とする請求項１記載のＴＡＢ式半導体装置。 - 【請求項３】 前記接着材料は熱硬化性の樹脂もしくは
銀ペーストであることを特徴とする請求項１記載のＴＡ
Ｂ式半導体装置。 - 【請求項４】 半導体チップの一方の主面側に形成され
た複数の電極のそれぞれに接続して該半導体チップの外
側に導出する複数のＴＡＢリードと回路基板の配線層の
複数のボンディングパッドとをそれぞれボンディング接
続する方法において、 中央部分、周辺部分および該中央部分と該周辺部分との
間に形成された開口部とを有する支持部材を用意し、 前記支持部材の前記中央部分に前記半導体チップの他方
の主面側を接着材料により固着し、 前記支持部材の前記開口部を通して前記ＴＡＢリードと
前記回路基板の前記ボンディングパッドとの位置合わせ
を認識し、前記支持部材の前記周辺部分の所定箇所を前
記回路基板に固着し、しかる後、前記開口部を通してボ
ンディングツールを挿入して前記ＴＡＢリードと前記ボ
ンディングパッドとをボンディング接続することを特徴
とするＴＡＢ式半導体装置を回路基板に接続する方法。 - 【請求項５】 前記支持部材の前記周辺部分は折り曲げ
られた側壁部と、該側壁部の端において前記中央部分と
平行になるように折り曲げられたフランジ部とが形成さ
れていることを特徴とする請求項４記載のＴＡＢ式半導
体装置を回路基板に接続する方法。 - 【請求項６】 前記ボンディング接続後に前記支持部材
の前記開口部を封止用キャップで閉塞することを特徴と
する請求項４又は請求項５記載のＴＡＢ式半導体装置を
回路基板に接続する方法。 - 【請求項７】 前記ボンディング接続後に前記支持部材
により囲まれた空間を樹脂を充填することを特徴とする
請求項４又は請求項５記載のＴＡＢ式半導体装置を回路
基板に接続する方法。 - 【請求項８】 前記支持部材の前記周辺部分の所定箇所
は接着材料により前記回路基板に固着することを特徴と
する請求項４又は請求項５記載のＴＡＢ式半導体装置を
回路基板に接続する方法。 - 【請求項９】 前記支持部材の前記周辺部分の所定箇所
は磁力により前記回路基板に固着することを特徴とする
請求項４又は請求項５記載の記載のＴＡＢ式半導体装置
を回路基板に接続する方法。 - 【請求項１０】 前記ボンディング後に前記支持部材を
取り外すことを特徴とする請求項４又は請求項５記載の
ＴＡＢ式半導体装置を回路基板に接続する方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6287738A JP2590761B2 (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | Ｔａｂ式半導体装置およびｔａｂ式半導体装置を回路基板に接続する方法 |
| US08/560,632 US5855732A (en) | 1994-11-22 | 1995-11-20 | Outer lead bonding apparatus and method of bonding lead to substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6287738A JP2590761B2 (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | Ｔａｂ式半導体装置およびｔａｂ式半導体装置を回路基板に接続する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148524A JPH08148524A (ja) | 1996-06-07 |
| JP2590761B2 true JP2590761B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=17721122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6287738A Expired - Lifetime JP2590761B2 (ja) | 1994-11-22 | 1994-11-22 | Ｔａｂ式半導体装置およびｔａｂ式半導体装置を回路基板に接続する方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5855732A (ja) |
| JP (1) | JP2590761B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE1006085A3 (fr) * | 1992-07-31 | 1994-05-10 | Univ Bruxelles | Vecteur de clonage. |
| DE69942249D1 (de) * | 1998-05-07 | 2010-05-27 | Univ Bruxelles | Auf cytotoxinen basierendes biologisches einschlusssystem |
| EP1362110B1 (en) | 2001-02-23 | 2012-09-12 | Université Libre de Bruxelles | Method for the selection of recombinant clones comprising a sequence encoding an antidote protein to a toxic molecule |
| JP2003007773A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Nec Corp | ボンディングツールおよびボンディング方法 |
| JP4564754B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2010-10-20 | ユニヴェルシテ リブル ドゥ ブリュッセル | 遺伝的に改変された真核細胞又は生物の選択のための毒物／解毒剤遺伝子系 |
| EP1556485B1 (en) * | 2002-09-03 | 2008-01-09 | Université Libre de Bruxelles | Reversible, parallel and multitask cloning method and kit |
| US9309518B2 (en) | 2002-09-03 | 2016-04-12 | Universite Libre De Bruxelles | Reversible, parallel and multitask cloning method and kit |
| KR100526193B1 (ko) * | 2003-10-15 | 2005-11-03 | 삼성전자주식회사 | 다이 본더 설비 및 이를 이용한 반도체 칩 부착방법 |
| US20110183148A1 (en) * | 2010-01-27 | 2011-07-28 | Gm Global Technology Operations, Inc. | Reversible adhesive bonding system |
| CN110564663B (zh) | 2013-08-19 | 2023-03-10 | 辛格隆股份公司 | 微生物的受控生长 |
| JP2021506328A (ja) | 2017-12-19 | 2021-02-22 | シンギュロン・ソシエテ・アノニム | 発酵プロセス |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2236213A (en) * | 1989-09-09 | 1991-03-27 | Ibm | Integral protective enclosure for an assembly mounted on a flexible printed circuit board |
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| JPH08148524A (ja) | 1996-06-07 |
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