JP2735575B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板の信号面にエンハンス層と光磁気記録
層と保護層とを順次積層して成る光磁気記録媒体に係
り、特に、前記エンハンス層および保護層の組成に関す
る。
層と保護層とを順次積層して成る光磁気記録媒体に係
り、特に、前記エンハンス層および保護層の組成に関す
る。
従来より、基板の信号面に、エンハンス層と光磁気記
録層と保護層とを順次積層して成る光磁気記録媒体が知
られている。
録層と保護層とを順次積層して成る光磁気記録媒体が知
られている。
前記エンハンス層は、光磁気記録層からの反射光を繰
り返し反射させ、見かけ上のカー回転角を大きくしてCN
値の改善を図るものであつて、例えば、窒化シリコン
（SiN）、窒化アルミニウム（AlN）、硫化亜鉛（Zn
S）、酸化シリコン（SiO）、酸化アルミニウム（Al
2O3）、炭化シリコン（SiC）などの誘電体にて形成され
る。また、このエンハンス層には、基板側からの透湿を
防止するという機能もある。一方、保護層は、光磁気記
録層の表面を硬化して異物の衝合による光磁気記録層の
損傷を防止すると共に、光磁気記録層への透湿を防止す
るために設けられる。
り返し反射させ、見かけ上のカー回転角を大きくしてCN
値の改善を図るものであつて、例えば、窒化シリコン
（SiN）、窒化アルミニウム（AlN）、硫化亜鉛（Zn
S）、酸化シリコン（SiO）、酸化アルミニウム（Al
2O3）、炭化シリコン（SiC）などの誘電体にて形成され
る。また、このエンハンス層には、基板側からの透湿を
防止するという機能もある。一方、保護層は、光磁気記
録層の表面を硬化して異物の衝合による光磁気記録層の
損傷を防止すると共に、光磁気記録層への透湿を防止す
るために設けられる。
かように、エンハンス層と保護層とは透湿防止の点で
機能が共通するから、成膜装置の小型化、ターゲツトの
種類の減少、およびターゲツトの交換に要する工数の省
力化等を図るため、従来より、保護層をエンハンス層と
同一の材料にて形成することが行われている。
機能が共通するから、成膜装置の小型化、ターゲツトの
種類の減少、およびターゲツトの交換に要する工数の省
力化等を図るため、従来より、保護層をエンハンス層と
同一の材料にて形成することが行われている。
ところで、前記したエンハンス層材料および保護層材
料のうち、酸化物系の化合物はそれに含まれる酸素が光
磁気記録層の劣化させる虞れがあることから、非酸化物
系の化合物を用いることがより好ましいとされている。
また、非酸化物系の薄膜をスパツタリングにて形成する
場合、導入ガスとして純アルゴンガスを用い、真空槽内
のガス圧を高く設定すると、成膜された薄膜の屈折率が
大きくなり過ぎ、却つて記録／再生特性が劣化する。
料のうち、酸化物系の化合物はそれに含まれる酸素が光
磁気記録層の劣化させる虞れがあることから、非酸化物
系の化合物を用いることがより好ましいとされている。
また、非酸化物系の薄膜をスパツタリングにて形成する
場合、導入ガスとして純アルゴンガスを用い、真空槽内
のガス圧を高く設定すると、成膜された薄膜の屈折率が
大きくなり過ぎ、却つて記録／再生特性が劣化する。
このため、従来より非酸化物系のエンハンス層、例え
ば窒化物のエンハンス層をスパツタリングするに当つて
は、スパツタガスとして窒素ガスが10％程度添加された
アルゴンガスを用い、真空槽内のガス圧を比較的低く設
定するといつた方法が採られている。保護層について
は、機能上屈折率を調整する必要はないが、前記した生
産性向上の見地から、エンハンス層と同様の方法で形成
されている。
ば窒化物のエンハンス層をスパツタリングするに当つて
は、スパツタガスとして窒素ガスが10％程度添加された
アルゴンガスを用い、真空槽内のガス圧を比較的低く設
定するといつた方法が採られている。保護層について
は、機能上屈折率を調整する必要はないが、前記した生
産性向上の見地から、エンハンス層と同様の方法で形成
されている。
然るに、前記のような方法で形成された全く同一組成
のエンハンス層および保護層を有する光磁気記録媒体
は、高温高湿環境下に放置すると、短時間のうちにエン
ハンス層および保護層にクラツクを生じ、耐環境性の点
で実用性に問題があるということが判明した。
のエンハンス層および保護層を有する光磁気記録媒体
は、高温高湿環境下に放置すると、短時間のうちにエン
ハンス層および保護層にクラツクを生じ、耐環境性の点
で実用性に問題があるということが判明した。
本発明は、前記した従来技術の欠点を解消し、高温高
湿環境下における光磁気記録媒体の耐久性を改善するこ
とを目的とするものである。
湿環境下における光磁気記録媒体の耐久性を改善するこ
とを目的とするものである。
本発明は、前記の目的を達成するため、基板の信号面
に、非酸化物系の化合物とこれよりも少量の酸化物系の
化合物とを含む誘電体にて形成されたエンハンス層と、
光磁気記録層と、前記エンハンス層と同種の誘電体にて
形成された保護膜とを順次積層して成る光磁気記録媒体
において、前記保護層に含まれる酸化物の含有率を前記
エンハンス層に含まれる酸化物の含有率よりも高くする
という構成にした。
に、非酸化物系の化合物とこれよりも少量の酸化物系の
化合物とを含む誘電体にて形成されたエンハンス層と、
光磁気記録層と、前記エンハンス層と同種の誘電体にて
形成された保護膜とを順次積層して成る光磁気記録媒体
において、前記保護層に含まれる酸化物の含有率を前記
エンハンス層に含まれる酸化物の含有率よりも高くする
という構成にした。
非酸化物系の化合物とこれよりも少量の酸化物系の化
合物とを含む誘電体薄膜においては、酸化物の含有率が
高い誘電体薄膜は、酸化物の含有率が低い誘電体薄膜に
比べて延性および熱膨張率が大きくなる。延性および熱
膨張率の大きな保護層を光磁気記録層を介して延性およ
び熱膨張率の小さいエンハンス層に積層すると、基板上
に積層された積層体の平均の延性および熱膨張率が上昇
する。よつて、エンハンス層の光学的性質を劣化するこ
となく、高温高湿環境下におけるエンハンス層および保
護層のクラツクを防止することができ、光磁気記録媒体
の耐久性が改善される。
合物とを含む誘電体薄膜においては、酸化物の含有率が
高い誘電体薄膜は、酸化物の含有率が低い誘電体薄膜に
比べて延性および熱膨張率が大きくなる。延性および熱
膨張率の大きな保護層を光磁気記録層を介して延性およ
び熱膨張率の小さいエンハンス層に積層すると、基板上
に積層された積層体の平均の延性および熱膨張率が上昇
する。よつて、エンハンス層の光学的性質を劣化するこ
となく、高温高湿環境下におけるエンハンス層および保
護層のクラツクを防止することができ、光磁気記録媒体
の耐久性が改善される。
また、前記エンハンス層および保護層の成膜に当つて
は、真空槽内のを所定の高真空度まで真空引きしたの
ち、不活性ガスなどのスパツタガスを導入して行うが、
いかに高度に真空引きしても真空槽内の空気を完全に排
気することは事実上不可能であり、また、スパツタガス
ボンベ中に混入した微量の酸素がスパツタガスの導入と
ともに真空槽内に導入されることもあり、さらには、樹
脂製の基板を用いた場合には、基板中から空気が放出さ
れることもある。
は、真空槽内のを所定の高真空度まで真空引きしたの
ち、不活性ガスなどのスパツタガスを導入して行うが、
いかに高度に真空引きしても真空槽内の空気を完全に排
気することは事実上不可能であり、また、スパツタガス
ボンベ中に混入した微量の酸素がスパツタガスの導入と
ともに真空槽内に導入されることもあり、さらには、樹
脂製の基板を用いた場合には、基板中から空気が放出さ
れることもある。
このように、真空槽内には微量の酸素が存在すると考
えられるが、真空層内のガス圧が高いほど、また、不活
性ガスに混入される混合ガスの含有率が高いほど、スパ
ツタ粒子ひいては成膜された薄膜中に取り込まれる酸素
の割合が高くなる。よつて、エンハンス層を形成する際
のスパツタ条件と保護層を形成する際のスパツタ条件を
適宜調整することによつて、酸化物の含有率の高い保護
層と酸化物の含有率の低いエンハンス層とを形成するこ
とができる。
えられるが、真空層内のガス圧が高いほど、また、不活
性ガスに混入される混合ガスの含有率が高いほど、スパ
ツタ粒子ひいては成膜された薄膜中に取り込まれる酸素
の割合が高くなる。よつて、エンハンス層を形成する際
のスパツタ条件と保護層を形成する際のスパツタ条件を
適宜調整することによつて、酸化物の含有率の高い保護
層と酸化物の含有率の低いエンハンス層とを形成するこ
とができる。
第１図に示すように、本発明に係る光磁気記録媒体
は、基板１の信号パターン２の形成面にエンハンス層３
と光磁気記録層４と保護層５とを順次積層して成る。
は、基板１の信号パターン２の形成面にエンハンス層３
と光磁気記録層４と保護層５とを順次積層して成る。
基板１は、例えばガラスなどの透明セラミツクスや、
ポリカーボネート（PC）、ポリメチルメタクリレート
（PMMA）、ポリメチルペンテン、エポキシ等の透明な樹
脂材料によつて形成される。該基板１の片面には、トラ
ツキング信号に対応する案内溝やアドレス信号に対応す
るプリピツトなどの信号ターン２が形成されている。な
お、この基板１の平面形状は、例えばデイスク状または
カード状などの、必要に応じて任意の形状に形成するこ
とができる。
ポリカーボネート（PC）、ポリメチルメタクリレート
（PMMA）、ポリメチルペンテン、エポキシ等の透明な樹
脂材料によつて形成される。該基板１の片面には、トラ
ツキング信号に対応する案内溝やアドレス信号に対応す
るプリピツトなどの信号ターン２が形成されている。な
お、この基板１の平面形状は、例えばデイスク状または
カード状などの、必要に応じて任意の形状に形成するこ
とができる。
信号パターン２の形成手段としては、前記基板１の材
質によつて適宜の方法が適用される。
質によつて適宜の方法が適用される。
例えば、基板１がPCやPMMA、それにポリメチルペンテ
ンなどの熱可塑性樹脂にて形成される場合には、射出成
形用金型内に溶融した基板材料を射出して基板１と信号
パターン２とを一体に成形する所謂インジエクシヨン法
が適する。また、この基板材料に関しては、射出成形用
金型内に溶融した基板材料を射出したのちに圧力を加え
る、所謂コンプレツシヨン法あるいはインジエクシヨン
−コンプレツシヨン法といつた形成手段を適用すること
もできる。さらに、基板１がガラスなどのセラミツクス
やエポキシなどの熱硬化性樹脂にて形成される場合に
は、所望の信号ターンの反転パターンが形成されたスタ
ンパ（金型）と基板１との間で光硬化性樹脂を展伸し、
スタンパの反転パターンを基板１に転写する所謂2P法
（Photo−polymerization;光硬化性樹脂法）が適する。
また、エポキシなどの熱硬化性樹脂に関しては、金型内
に溶融状態にある基板材料を静注して基板１と信号パタ
ーン２とを一体に成形する所謂注型法を適用することも
できる。
ンなどの熱可塑性樹脂にて形成される場合には、射出成
形用金型内に溶融した基板材料を射出して基板１と信号
パターン２とを一体に成形する所謂インジエクシヨン法
が適する。また、この基板材料に関しては、射出成形用
金型内に溶融した基板材料を射出したのちに圧力を加え
る、所謂コンプレツシヨン法あるいはインジエクシヨン
−コンプレツシヨン法といつた形成手段を適用すること
もできる。さらに、基板１がガラスなどのセラミツクス
やエポキシなどの熱硬化性樹脂にて形成される場合に
は、所望の信号ターンの反転パターンが形成されたスタ
ンパ（金型）と基板１との間で光硬化性樹脂を展伸し、
スタンパの反転パターンを基板１に転写する所謂2P法
（Photo−polymerization;光硬化性樹脂法）が適する。
また、エポキシなどの熱硬化性樹脂に関しては、金型内
に溶融状態にある基板材料を静注して基板１と信号パタ
ーン２とを一体に成形する所謂注型法を適用することも
できる。
エンハンス層３は、金属元素の窒化物、金属元素の炭
化物、金属元素のフツ化物、金属元素の硫化物、金属元
素の水素化物、または非金属元素の窒化物、非金属元素
の炭化物、非金属元素のフツ化物、非金属元素の硫化
物、非金属元素の水素化物などから成り、酸化物系誘電
体の含有率が低い物質にて形成される。前記化合物をつ
くる金属元素としては、任意の金属元素を用いることが
できるが、特に、アルミニウム、コバルト、クロム、
鉄、ゲルマニウム、ハフニウム、インジウム、マグネシ
ウム、モリブデン、ニオブ、スズ、タンタル、チタン、
タングステン、亜鉛、ジルコニウムから選択されたもの
が好適である。また、前記化合物をつくる非金属元素と
しては、ホウ素、シリコンから選択されたものが特に好
適である。
化物、金属元素のフツ化物、金属元素の硫化物、金属元
素の水素化物、または非金属元素の窒化物、非金属元素
の炭化物、非金属元素のフツ化物、非金属元素の硫化
物、非金属元素の水素化物などから成り、酸化物系誘電
体の含有率が低い物質にて形成される。前記化合物をつ
くる金属元素としては、任意の金属元素を用いることが
できるが、特に、アルミニウム、コバルト、クロム、
鉄、ゲルマニウム、ハフニウム、インジウム、マグネシ
ウム、モリブデン、ニオブ、スズ、タンタル、チタン、
タングステン、亜鉛、ジルコニウムから選択されたもの
が好適である。また、前記化合物をつくる非金属元素と
しては、ホウ素、シリコンから選択されたものが特に好
適である。
前記エンハンス層３は、屈折率を所望の値、すなわち
エンハンスメント効果を奏し、かつ記録膜４に照射され
る記録／再生用光の光量を減少しないために必要な値に
調整するため、Ｘ線光電子分光分析による酸化物の含有
率が10％〜20％に調整されている。
エンハンスメント効果を奏し、かつ記録膜４に照射され
る記録／再生用光の光量を減少しないために必要な値に
調整するため、Ｘ線光電子分光分析による酸化物の含有
率が10％〜20％に調整されている。
記録層４は、例えばテルビウムと鉄とコバルトを含む
非晶質合金など、公知に属する任意の光磁気記録材料を
もつて形成することができる。
非晶質合金など、公知に属する任意の光磁気記録材料を
もつて形成することができる。
保護層５は、前記エンハンス層３を形成する化合物と
同種の化合物をもつて形成されるが、延性および熱膨張
率をエンハンス層３より大きくするため、Ｘ線光電子分
光分析による酸化物の含有率が15％〜40％に調整されて
いる。
同種の化合物をもつて形成されるが、延性および熱膨張
率をエンハンス層３より大きくするため、Ｘ線光電子分
光分析による酸化物の含有率が15％〜40％に調整されて
いる。
前記実施例の光磁気記録媒体は、エンハンス層３を酸
化物の含有率が低い物質にて形成し、その屈折率を所望
の値に調整したので、エンハンスメント効果が高い。ま
た、保護層５を酸化物の含有率が高い物質にて形成し、
その延性および熱膨張率をエンハンス層３よりも大きく
したので、基板上に積層された積層体の平均の延性およ
び熱膨張率がエンハンス層自体よりも大きくなり、高温
高湿環境下におけるエンハンス層および保護層のクラツ
クを防止することができる。
化物の含有率が低い物質にて形成し、その屈折率を所望
の値に調整したので、エンハンスメント効果が高い。ま
た、保護層５を酸化物の含有率が高い物質にて形成し、
その延性および熱膨張率をエンハンス層３よりも大きく
したので、基板上に積層された積層体の平均の延性およ
び熱膨張率がエンハンス層自体よりも大きくなり、高温
高湿環境下におけるエンハンス層および保護層のクラツ
クを防止することができる。
また、エンハンス層材料および保護層材料として、酸
化物の含有率が低い物質を用いたので、記録層４がエン
ハンス層３および保護層５に含まれる酸素によつて侵さ
れるということがほとんどなく、また、防湿性が高いこ
とから、記録層の保護効果が高い。
化物の含有率が低い物質を用いたので、記録層４がエン
ハンス層３および保護層５に含まれる酸素によつて侵さ
れるということがほとんどなく、また、防湿性が高いこ
とから、記録層の保護効果が高い。
次に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法を第２
図の流れ図に従つて説明する。
図の流れ図に従つて説明する。
まず、ステツプＳ−１において、スパツタリング装置
の真空槽内に信号パターンが形成された基板を収納し、
真空槽を所定の真空度まで真空引きする。このときの真
空度は、薄膜に要求される純度と作業時間とを考慮して
決定される。
の真空槽内に信号パターンが形成された基板を収納し、
真空槽を所定の真空度まで真空引きする。このときの真
空度は、薄膜に要求される純度と作業時間とを考慮して
決定される。
次いで、ステツプＳ−２において、基板上に酸化物の
含有率が低く所望の屈折率を有するエンハンス層が形成
されるように、真空槽内に導入されるガスの種類および
ガス圧を調整し、ステツプＳ−３においてエンハンス層
のスパツタリングを行う。
含有率が低く所望の屈折率を有するエンハンス層が形成
されるように、真空槽内に導入されるガスの種類および
ガス圧を調整し、ステツプＳ−３においてエンハンス層
のスパツタリングを行う。
次いで、ステツプＳ−４において、エンハンス層上に
所望の記録層が形成されるように、真空槽内に導入され
るガスの種類およびガス圧を調整し、ステツプＳ−５に
おいて記録層のスパツタリングを行う。
所望の記録層が形成されるように、真空槽内に導入され
るガスの種類およびガス圧を調整し、ステツプＳ−５に
おいて記録層のスパツタリングを行う。
さらに、ステツプＳ−６において、記録層上に酸化物
の含有率が高く延性および熱膨張率の高い保護層が形成
されるように、真空槽内に導入されるガスの種類および
ガス圧を調整し、ステツプＳ−７において保護層のスパ
ツタリングを行う。
の含有率が高く延性および熱膨張率の高い保護層が形成
されるように、真空槽内に導入されるガスの種類および
ガス圧を調整し、ステツプＳ−７において保護層のスパ
ツタリングを行う。
前記実施例の光磁気記録媒体の製造方法は、各層をス
パツタリングする毎に、真空槽内に導入するガスの種類
とガス圧とを調整するようにしたので、所望の物性を備
えたエンハンス層および保護層を容易に作成することが
できる。
パツタリングする毎に、真空槽内に導入するガスの種類
とガス圧とを調整するようにしたので、所望の物性を備
えたエンハンス層および保護層を容易に作成することが
できる。
以下、より具体的に実施例と従来技術に係る比較例と
を掲げ、本発明の効果に言及する。
を掲げ、本発明の効果に言及する。
＜第１実施例＞ 樹脂製基板が収納された真空槽を３×10-5（Pa）まで
真空引きした。
真空引きした。
次いで、真空槽内に10％の窒素ガスを混入させたアル
ゴンガスを導入して真空槽内のガス圧を0.2（Pa）に平
衡させ、前記基板の信号面に窒化シリコン系のエンハン
ス層を850Å〜900Åの厚さにスパツタリングした。
ゴンガスを導入して真空槽内のガス圧を0.2（Pa）に平
衡させ、前記基板の信号面に窒化シリコン系のエンハン
ス層を850Å〜900Åの厚さにスパツタリングした。
次いで、真空槽内のガスを一旦排気したのち、純アル
ゴンガスを導入して真空槽内のガス圧を0.2（Pa）に平
衡させ、前記エンハンス層上にテルビウム−鉄−コバル
ト系の記録層を約1000Åの厚さにスパツタリングした。
ゴンガスを導入して真空槽内のガス圧を0.2（Pa）に平
衡させ、前記エンハンス層上にテルビウム−鉄−コバル
ト系の記録層を約1000Åの厚さにスパツタリングした。
さらに、真空槽内のガスを再度排気したのち、純アル
ゴンガスを導入して真空槽内のガス圧を1.0（Pa）に平
衡させ、前記記録層上に窒化シリコン系の保護層を約10
00Åの厚さにスパツタリングした。
ゴンガスを導入して真空槽内のガス圧を1.0（Pa）に平
衡させ、前記記録層上に窒化シリコン系の保護層を約10
00Åの厚さにスパツタリングした。
＜第２実施例＞ 第１実施例と同一の方法で樹脂基板の信号面にエンハ
ンス層および記録層を順次積層したのち、真空槽内のガ
スを排気し、真空槽内に純窒素ガスを導入して真空槽内
のガス圧を0.2（Pa）に平衡させ、前記記録層上に窒化
シリコン系の保護層を約1000Åの厚さにスパツタリング
した。
ンス層および記録層を順次積層したのち、真空槽内のガ
スを排気し、真空槽内に純窒素ガスを導入して真空槽内
のガス圧を0.2（Pa）に平衡させ、前記記録層上に窒化
シリコン系の保護層を約1000Åの厚さにスパツタリング
した。
＜第３実施例＞ 第１実施例と同一の方法で樹脂基板の信号面にエンハ
ンス層および記録層を順次積層したのち、真空槽内のガ
スを排気し、真空槽内にアルゴンガスと窒素ガスとが50
％ずつ混合されたガスを導入して真空槽内のガス圧を0.
5（Pa）に平衡させ、前記記録層上に窒化シリコン系の
保護層を約1000Åの厚さにスパツタリングした。
ンス層および記録層を順次積層したのち、真空槽内のガ
スを排気し、真空槽内にアルゴンガスと窒素ガスとが50
％ずつ混合されたガスを導入して真空槽内のガス圧を0.
5（Pa）に平衡させ、前記記録層上に窒化シリコン系の
保護層を約1000Åの厚さにスパツタリングした。
＜比較例＞ エンハンス層および保護層を形成する際、共に10％の
窒素ガスが混入されたアルゴンガスを真空槽内に導入
し、真空槽内のガス圧を0.2（Pa）に平衡させてスパツ
タリングを行つた。
窒素ガスが混入されたアルゴンガスを真空槽内に導入
し、真空槽内のガス圧を0.2（Pa）に平衡させてスパツ
タリングを行つた。
導入ガスの種類および真空槽内のガス圧を除く他の条
件については、前記第１ないし第３実施例の場合と同じ
である。
件については、前記第１ないし第３実施例の場合と同じ
である。
前記各実施例および比較例の光磁気記録媒体を気温60
℃、相対湿度90％の環境下に放置したところ、比較例の
光磁気記録媒体は20時間経過時にエンハンス層および保
護層の一部にクラツクが発生し、100時間経過時にはエ
ンハンス層および保護層の全体にクラツクがひろがつた
のに対し、本発明に係る光磁気記録媒体は、2000時間経
過後もクラツクの発生が認められなかつた。
℃、相対湿度90％の環境下に放置したところ、比較例の
光磁気記録媒体は20時間経過時にエンハンス層および保
護層の一部にクラツクが発生し、100時間経過時にはエ
ンハンス層および保護層の全体にクラツクがひろがつた
のに対し、本発明に係る光磁気記録媒体は、2000時間経
過後もクラツクの発生が認められなかつた。
なお、前記実施例においては、窒化シリコンのみを例
にとつて説明したが、他の金属または非金属の硫化物、
炭化物、水素化物等についても同様の効果がある。
にとつて説明したが、他の金属または非金属の硫化物、
炭化物、水素化物等についても同様の効果がある。
以上説明したように、本発明は、基板の信号面にエン
ハンス層と光磁気記録層と保護層をこの順に積層した光
磁気記録媒体において、保護層に含まれる酸化物の含有
量をエンハンス層に含まれる酸化物の含有量よりも高く
したので、基板上に積層された積層体の平均の延性及び
熱膨張率が上昇し、高温高湿環境下における光磁気記録
媒体の耐久性が改善される。
ハンス層と光磁気記録層と保護層をこの順に積層した光
磁気記録媒体において、保護層に含まれる酸化物の含有
量をエンハンス層に含まれる酸化物の含有量よりも高く
したので、基板上に積層された積層体の平均の延性及び
熱膨張率が上昇し、高温高湿環境下における光磁気記録
媒体の耐久性が改善される。
第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の要部断面図、第
２図は本発明に係る光磁気記録媒体の製造を説明する流
れ図である。 1:基板、2:信号パターン、3:エンハンス層、4:記録層、
5:保護層。
２図は本発明に係る光磁気記録媒体の製造を説明する流
れ図である。 1:基板、2:信号パターン、3:エンハンス層、4:記録層、
5:保護層。
Claims (4)
- 【請求項１】基板の信号面に、非酸化物系の化合物とこ
れよりも少量の酸化物系の化合物とを含む誘電体にて形
成されたエンハンス層と、光磁気記録層と、前記エンハ
ンス層と同種の誘電体にて形成された保護膜とを順次積
層して成る光磁気記録媒体において、前記保護層に含ま
れる酸化物の含有率を前記エンハンス層に含まれる酸化
物の含有率よりも高くしたことを特徴とする光磁気記録
媒体。 - 【請求項２】請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
て、前記エンハンス層および保護層を、窒化シリコンと
これよりも少量の酸化シリコンとを含む誘電体にて形成
したことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
て、前記基板を樹脂材料にて形成したことを特徴とする
光磁気記録媒体。 - 【請求項４】請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
て、前記保護層を、前記エンハンス層よりも延性および
熱膨張率の高い薄膜にて形成したことを特徴とする光磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208217A JP2735575B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208217A JP2735575B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258746A JPH0258746A (ja) | 1990-02-27 |
| JP2735575B2 true JP2735575B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=16552615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63208217A Expired - Fee Related JP2735575B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735575B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124042A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
| JPS62114141A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-25 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63208217A patent/JP2735575B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0258746A (ja) | 1990-02-27 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |