JPH06309714A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH06309714A JPH06309714A JP9422193A JP9422193A JPH06309714A JP H06309714 A JPH06309714 A JP H06309714A JP 9422193 A JP9422193 A JP 9422193A JP 9422193 A JP9422193 A JP 9422193A JP H06309714 A JPH06309714 A JP H06309714A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明はプラスチック基板と記録層との付
着強度を大きくした光磁気記録媒体を生産性よく製造す
ることができる光磁気記録媒体の製造方法の提供を目的
とするものである。 【構成】 本発明による光磁気記録媒体の製造方法
は、プラスチック製の基板上に第一の誘電体層、記録
層、第二の誘電体層および反射層を順次形成した光磁気
記録媒体の製造方法において、少なくとも基板に接する
側の誘電体層を、酸化物を５重量％以上、30重量％以下
含有する Si3N4焼結体をターゲットとし、純Ａｒガス中
でのスパッタリング法により成膜することを特徴とする
ものである。
着強度を大きくした光磁気記録媒体を生産性よく製造す
ることができる光磁気記録媒体の製造方法の提供を目的
とするものである。 【構成】 本発明による光磁気記録媒体の製造方法
は、プラスチック製の基板上に第一の誘電体層、記録
層、第二の誘電体層および反射層を順次形成した光磁気
記録媒体の製造方法において、少なくとも基板に接する
側の誘電体層を、酸化物を５重量％以上、30重量％以下
含有する Si3N4焼結体をターゲットとし、純Ａｒガス中
でのスパッタリング法により成膜することを特徴とする
ものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体の製造方
法、特にはプラスチック基板と記録層との付着強度を大
きくした光磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
る。
法、特にはプラスチック基板と記録層との付着強度を大
きくした光磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は一般に基板としてポリ
カーボネートなどのプラスチック板を用いて、この上に
第一の誘電体層、記録層、第二の誘電体層、反射層を順
次形成させたものとされている。そして、これらの各層
はＤＣあるいはＲＦスパッタリング法により形成されて
おり、この誘電体層は通常Ｓｉターゲットを用いて、Ａ
ｒ、Ｎ2 混合ガス雰囲気での反応性スパッタで形成され
ているが、このようにして形成された膜はプラスチック
基板との付着強度が十分でなく、剥離し易いという欠点
があった。
カーボネートなどのプラスチック板を用いて、この上に
第一の誘電体層、記録層、第二の誘電体層、反射層を順
次形成させたものとされている。そして、これらの各層
はＤＣあるいはＲＦスパッタリング法により形成されて
おり、この誘電体層は通常Ｓｉターゲットを用いて、Ａ
ｒ、Ｎ2 混合ガス雰囲気での反応性スパッタで形成され
ているが、このようにして形成された膜はプラスチック
基板との付着強度が十分でなく、剥離し易いという欠点
があった。
【０００３】したがって、これについてはこの付着強度
を大きくするために、プラスチック基板の表面を酸素プ
ラズマで処理したり、成膜前にプラスチック基板を予め
スパッタエッチングする方法などが提案されているが、
これらはいずれも工程が多くなるために生産性が低下す
るし、装置も複雑になるという問題があった。
を大きくするために、プラスチック基板の表面を酸素プ
ラズマで処理したり、成膜前にプラスチック基板を予め
スパッタエッチングする方法などが提案されているが、
これらはいずれも工程が多くなるために生産性が低下す
るし、装置も複雑になるという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】また、このプラスチッ
ク基板上に直接形成される第一の誘電体層は、基板から
放出される水分を記録層から遮断するという役割をもっ
ており、これはこの役割の他にこの光磁気記録媒体のカ
ー回転角を向上させる、カーエンハンス効果を得ること
も兼ねているのであるが、この誘電体層についてはこの
中に浮遊酸素があると、それによって誘電体の屈折率が
低下されるために同等のエンハンス効果を得るためには
この膜厚を大きくする必要があるのであるが、膜厚を大
きくすると成膜時間が長くかかり、生産性が悪くなると
いう問題がある。
ク基板上に直接形成される第一の誘電体層は、基板から
放出される水分を記録層から遮断するという役割をもっ
ており、これはこの役割の他にこの光磁気記録媒体のカ
ー回転角を向上させる、カーエンハンス効果を得ること
も兼ねているのであるが、この誘電体層についてはこの
中に浮遊酸素があると、それによって誘電体の屈折率が
低下されるために同等のエンハンス効果を得るためには
この膜厚を大きくする必要があるのであるが、膜厚を大
きくすると成膜時間が長くかかり、生産性が悪くなると
いう問題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、問題点を解決した光磁気記録媒体の製造方法に関す
るものであり、これはプラスチック製の基板上に第一の
誘電体層、記録層、第二の誘電体層および反射層を順次
形成する光磁気記録媒体の製造方法において、少なくと
も基板に接する側の誘電体層を、酸化物を５重量％以
上、30重量％以下含有する Si3N4焼結体をターゲットと
する、純Ａｒガス中でのスパッタリング法により成膜す
ることを特徴とするものである。
利、問題点を解決した光磁気記録媒体の製造方法に関す
るものであり、これはプラスチック製の基板上に第一の
誘電体層、記録層、第二の誘電体層および反射層を順次
形成する光磁気記録媒体の製造方法において、少なくと
も基板に接する側の誘電体層を、酸化物を５重量％以
上、30重量％以下含有する Si3N4焼結体をターゲットと
する、純Ａｒガス中でのスパッタリング法により成膜す
ることを特徴とするものである。
【０００６】すなわち、本発明者らはプラスチック基板
と記録層との付着強度を大きくした光磁気記録媒体の製
造方法について種々検討した結果、プラスチック製基板
に第一誘電体層、記録層、第二誘電体層、反射層を順次
形成する光磁気記録媒体の製造方法において、この第一
の誘電体層を酸化物を含有する Si3N4焼結体をターゲッ
トとし、これを純Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングし
て成膜すると、ここに得られる誘電体層としてのＳｉＮ
層が付着強度の大きいものとなるし、これはまた屈折率
の大きいものになるということを見出し、これによれば
プラスチック基板と記録層の付着強度も大きい光磁気記
録媒体を有利に製造することができることを確認して本
発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
と記録層との付着強度を大きくした光磁気記録媒体の製
造方法について種々検討した結果、プラスチック製基板
に第一誘電体層、記録層、第二誘電体層、反射層を順次
形成する光磁気記録媒体の製造方法において、この第一
の誘電体層を酸化物を含有する Si3N4焼結体をターゲッ
トとし、これを純Ａｒガス雰囲気中でスパッタリングし
て成膜すると、ここに得られる誘電体層としてのＳｉＮ
層が付着強度の大きいものとなるし、これはまた屈折率
の大きいものになるということを見出し、これによれば
プラスチック基板と記録層の付着強度も大きい光磁気記
録媒体を有利に製造することができることを確認して本
発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
【０００７】
【作用】本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関するも
のであり、これは前記したようにプラスチック基板に第
一の誘電体層、記録層、第二の誘電体層および反射層を
順次形成する光磁気記録媒体の製造方法において、少な
くとも基板に接する側の誘電体層を、酸化物を５重量％
以上、30重量％以下含有する Si3N4をターゲットとす
る、純Ａｒガス中でのスパッタリング法により成膜する
ことを特徴とするものであるが、これによればこの方法
で作られたＳｉＮからなる誘電体層が接着強度の大きい
ものとなるので基板と記録層も付着強度の大きいものと
なるし、この誘電体層が屈折率の大きいものとなるので
これは薄くすることができ、したがって短い時間でこれ
を成膜させることができるという有利性が与えられる。
のであり、これは前記したようにプラスチック基板に第
一の誘電体層、記録層、第二の誘電体層および反射層を
順次形成する光磁気記録媒体の製造方法において、少な
くとも基板に接する側の誘電体層を、酸化物を５重量％
以上、30重量％以下含有する Si3N4をターゲットとす
る、純Ａｒガス中でのスパッタリング法により成膜する
ことを特徴とするものであるが、これによればこの方法
で作られたＳｉＮからなる誘電体層が接着強度の大きい
ものとなるので基板と記録層も付着強度の大きいものと
なるし、この誘電体層が屈折率の大きいものとなるので
これは薄くすることができ、したがって短い時間でこれ
を成膜させることができるという有利性が与えられる。
【０００８】本発明による光磁気記録媒体の製造は、ポ
リカーボネート樹脂などのプラスチック基板上に第一の
誘電体層、記録層、第二の誘電体層および反射層を順次
成膜するという公知の方法で行なわれるので、この光磁
気記録媒体自体は公知のもので新規なものではない。こ
の製造方法はプラスチック基板を90℃に設定されている
オーブン内での１時間以上の脱ガス処理工程を経てディ
スクキャリアに取付けたのち、真空排気室（ローディン
グチャンバー）内に入れるのであるが、このディスクキ
ャリアはローディングチャンバー内で真空に排気されて
成膜室に送られる。
リカーボネート樹脂などのプラスチック基板上に第一の
誘電体層、記録層、第二の誘電体層および反射層を順次
成膜するという公知の方法で行なわれるので、この光磁
気記録媒体自体は公知のもので新規なものではない。こ
の製造方法はプラスチック基板を90℃に設定されている
オーブン内での１時間以上の脱ガス処理工程を経てディ
スクキャリアに取付けたのち、真空排気室（ローディン
グチャンバー）内に入れるのであるが、このディスクキ
ャリアはローディングチャンバー内で真空に排気されて
成膜室に送られる。
【０００９】この成膜室では公知の成膜工程にしたがっ
て、このプラスチック基板に第一の誘電体層としてのＳ
ｉＮ層、記録層としての希土類金属と鉄系の非晶質合金
とからなる、例えばTbFeCo、GdDyFeCoなどの層が成膜さ
れ、この上にさらに第二の誘電体層としてのＳｉＮ層お
よび反射層としてのＡｌ合金層が、それぞれＤＣまたは
ＲＦスパッタリング法で成膜される。
て、このプラスチック基板に第一の誘電体層としてのＳ
ｉＮ層、記録層としての希土類金属と鉄系の非晶質合金
とからなる、例えばTbFeCo、GdDyFeCoなどの層が成膜さ
れ、この上にさらに第二の誘電体層としてのＳｉＮ層お
よび反射層としてのＡｌ合金層が、それぞれＤＣまたは
ＲＦスパッタリング法で成膜される。
【００１０】しかし、本発明ではこの第一の誘電体層の
成膜が常圧、ホットトプレスまたはＨＩＰ（Hot Isosta
tic Press ）などの方法で作成された Si3N4焼結体をタ
ーゲットとして行なわれるのであるが、この Si3N4焼結
体ターゲットは金属または半金属の酸化物がバインダー
として用いたものとされる。この金属または半金属の酸
化物はMxOyで示され、このＭはＡｌ、Ｚｒ、Ｓｉおよび
Ｙ、Ｓｃを含む希土類元素から選ばれる金属元素の少な
くとも１種とされるもので、このｘ、ｙはモル％を示
し、これは30≦ｘ≦70、30≦ｙ≦70であるものが好まし
いとされる。
成膜が常圧、ホットトプレスまたはＨＩＰ（Hot Isosta
tic Press ）などの方法で作成された Si3N4焼結体をタ
ーゲットとして行なわれるのであるが、この Si3N4焼結
体ターゲットは金属または半金属の酸化物がバインダー
として用いたものとされる。この金属または半金属の酸
化物はMxOyで示され、このＭはＡｌ、Ｚｒ、Ｓｉおよび
Ｙ、Ｓｃを含む希土類元素から選ばれる金属元素の少な
くとも１種とされるもので、このｘ、ｙはモル％を示
し、これは30≦ｘ≦70、30≦ｙ≦70であるものが好まし
いとされる。
【００１１】この第一の誘電体層の成膜はこの Si3N4焼
結体ターゲットを使用し、圧力が 5.0×10-4〜 1.0×10
-2Torrの純Ａｒ雰囲気中で、ＲＦ電圧を用いてスパッタ
リングすることによって行なえばよいが、この Si3N4焼
結体ターゲット中に含まれる酸化物の量は５重量％以上
で30重量％以下とすることがよく、これによればこれで
得られた誘電体層の付着強度が大きくなるので、基板と
記録層との付着強度も大きくすることができるし、この
膜が屈折率も高いものとなるのでこの膜厚を薄くするこ
とができ、したがって成膜時間を短くすることができ、
生産性よく光磁気記録媒体を得ることができるという有
利性が与えられる。
結体ターゲットを使用し、圧力が 5.0×10-4〜 1.0×10
-2Torrの純Ａｒ雰囲気中で、ＲＦ電圧を用いてスパッタ
リングすることによって行なえばよいが、この Si3N4焼
結体ターゲット中に含まれる酸化物の量は５重量％以上
で30重量％以下とすることがよく、これによればこれで
得られた誘電体層の付着強度が大きくなるので、基板と
記録層との付着強度も大きくすることができるし、この
膜が屈折率も高いものとなるのでこの膜厚を薄くするこ
とができ、したがって成膜時間を短くすることができ、
生産性よく光磁気記録媒体を得ることができるという有
利性が与えられる。
【００１２】この第一の誘電体層を成膜したのちの記録
層、第二の誘電体層、反射層の成膜は公知の方法で行な
えばよく、したがってこの記録層の形成は通常用いられ
ているTbFeCo、GdDyFeCoなどの組成からなる合金ターゲ
ットを用いて、Ａｒガス雰囲気でのＤＣスパッタリング
で行えばよく、第二の誘電体層は上記した第一の誘電体
と同様の方法で成膜してもよいがこれは公知のＳｉまた
は Si3N4ターゲットを用いて、ＡｒとＮ2 との混合ガス
雰囲気でのＲＦ反応性スパッタリングで行なってもよ
く、この反射層はＡｌとその他の添加物からなるターゲ
ットを用いてＡｒガス雰囲気でＤＣスパッタリングすれ
ばよい。
層、第二の誘電体層、反射層の成膜は公知の方法で行な
えばよく、したがってこの記録層の形成は通常用いられ
ているTbFeCo、GdDyFeCoなどの組成からなる合金ターゲ
ットを用いて、Ａｒガス雰囲気でのＤＣスパッタリング
で行えばよく、第二の誘電体層は上記した第一の誘電体
と同様の方法で成膜してもよいがこれは公知のＳｉまた
は Si3N4ターゲットを用いて、ＡｒとＮ2 との混合ガス
雰囲気でのＲＦ反応性スパッタリングで行なってもよ
く、この反射層はＡｌとその他の添加物からなるターゲ
ットを用いてＡｒガス雰囲気でＤＣスパッタリングすれ
ばよい。
【００１３】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１〜３、比較例１〜４ 直径86mmφ、厚さ 1.2mmのトラッキンググルーブ付のポ
リカーボネート基板を90℃に加熱されているオーブン中
に２時間放置して乾燥してからディスクキャリアに装着
し、ローディングチャンバー内に入れて真空排気を行な
った。
リカーボネート基板を90℃に加熱されているオーブン中
に２時間放置して乾燥してからディスクキャリアに装着
し、ローディングチャンバー内に入れて真空排気を行な
った。
【００１４】ついで、この基板の上に第一の誘電体層を
成膜するために、Al2O3 とY2O3を含む Si3N4をＮ2 ガス
雰囲気中においてホットプレスで焼結して得た Al2O3と
Y2O3の含有量が後記の表１に示した量である３種の Si3
N4焼結体をターゲットとし、純Ａｒガス雰囲気の 1.0×
10-3Torrの圧力下でＲＦスパッタリングして、この基板
上に第一の誘電体層を膜厚30nmで成膜したのち、公知の
方法でTbFeCoから記録層を膜厚13nmで成膜し、さらに第
二の誘電体層としてＳｉＮ層を25nmの膜厚で、またＡｌ
反射層を膜厚60nmで順次成膜して光磁気記録媒体（実施
例１〜３）を作製した。
成膜するために、Al2O3 とY2O3を含む Si3N4をＮ2 ガス
雰囲気中においてホットプレスで焼結して得た Al2O3と
Y2O3の含有量が後記の表１に示した量である３種の Si3
N4焼結体をターゲットとし、純Ａｒガス雰囲気の 1.0×
10-3Torrの圧力下でＲＦスパッタリングして、この基板
上に第一の誘電体層を膜厚30nmで成膜したのち、公知の
方法でTbFeCoから記録層を膜厚13nmで成膜し、さらに第
二の誘電体層としてＳｉＮ層を25nmの膜厚で、またＡｌ
反射層を膜厚60nmで順次成膜して光磁気記録媒体（実施
例１〜３）を作製した。
【００１５】また、この光磁気記録媒体については比較
のために、この第一および第二の誘電体層の成膜を公知
のＳｉをターゲットとし、Ａｒ：Ｎ2 の流量比を10：３
に設定した雰囲気下に 1.0×10-3TorrでＲＦ反応性スパ
ッタ法で行なったほかは実施例と同じ方法で記録層、第
二の誘電体層、反射層を成膜して３種の光磁気記録媒体
（比較例１〜３）を作製した。
のために、この第一および第二の誘電体層の成膜を公知
のＳｉをターゲットとし、Ａｒ：Ｎ2 の流量比を10：３
に設定した雰囲気下に 1.0×10-3TorrでＲＦ反応性スパ
ッタ法で行なったほかは実施例と同じ方法で記録層、第
二の誘電体層、反射層を成膜して３種の光磁気記録媒体
（比較例１〜３）を作製した。
【００１６】つぎにこのようにして得た６種類の光磁気
記録媒体の膜面に幅18mmの粘着テープを貼りつけ、この
粘着テープの両側の膜に切れ目を入れ、これを引っ張り
試験機に取りつけて膜の付着強度をしらべたところ、表
１に示したとおりの結果が得られ、実施例のものは比較
例のものにくらべて大きい付着強度を示した。
記録媒体の膜面に幅18mmの粘着テープを貼りつけ、この
粘着テープの両側の膜に切れ目を入れ、これを引っ張り
試験機に取りつけて膜の付着強度をしらべたところ、表
１に示したとおりの結果が得られ、実施例のものは比較
例のものにくらべて大きい付着強度を示した。
【００１７】また、この光磁気記録媒体については上記
した Al2O3とY2O3の含有量とは異なる Al2O3が12重量
％、Y2O3が24重量％である Si3N4焼結体をターゲットと
して上記と同じ方法で第一の誘電体層を作り、記録層、
第二の誘電体層および反射層も上記と同じように成膜し
て比較例４の光磁気記録媒体を作り、この実施例１〜
３、比較例４の光磁気記録媒体の屈折率を測定したとこ
ろ、つぎの表２に示したとおりの結果が得られ、実施例
のものは比較例のものにくらべて屈折率が大きいので、
これはカーエンハンス効果を得るためにはこの膜面を薄
くすることができしたがって生産性を向上させることが
できた。
した Al2O3とY2O3の含有量とは異なる Al2O3が12重量
％、Y2O3が24重量％である Si3N4焼結体をターゲットと
して上記と同じ方法で第一の誘電体層を作り、記録層、
第二の誘電体層および反射層も上記と同じように成膜し
て比較例４の光磁気記録媒体を作り、この実施例１〜
３、比較例４の光磁気記録媒体の屈折率を測定したとこ
ろ、つぎの表２に示したとおりの結果が得られ、実施例
のものは比較例のものにくらべて屈折率が大きいので、
これはカーエンハンス効果を得るためにはこの膜面を薄
くすることができしたがって生産性を向上させることが
できた。
【００１８】
【表１】
【表２】
【００１９】
【発明の効果】本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関
するものであり、これは前記したようにプラスチック製
の基板上に第一の誘電体層、記録層、第二の誘電体層お
よび反射層を順次形成した光磁気記録媒体の製造方法に
おいて、少なくとも基板に接する側の誘電体を、酸化物
を５重量％以上、30重量％以下含有する Si3N4焼結体を
ターゲットとし、純Ａｒガス中でのスパッタリング法に
より成膜することを特徴とするものであるが、これによ
ればここに得られる誘電体層としてのＳｉＮ層を付着強
度の大きいものとすることができるので、プラスチック
基板と記録層との付着強度の大きい光磁気記録媒体を得
ることができるし、これを屈折率の大きいものとするこ
とができるのでこの誘電体を薄くすることができ、した
がって光磁気記録媒体を生産性よく製造することができ
るという有利性が与えられる。
するものであり、これは前記したようにプラスチック製
の基板上に第一の誘電体層、記録層、第二の誘電体層お
よび反射層を順次形成した光磁気記録媒体の製造方法に
おいて、少なくとも基板に接する側の誘電体を、酸化物
を５重量％以上、30重量％以下含有する Si3N4焼結体を
ターゲットとし、純Ａｒガス中でのスパッタリング法に
より成膜することを特徴とするものであるが、これによ
ればここに得られる誘電体層としてのＳｉＮ層を付着強
度の大きいものとすることができるので、プラスチック
基板と記録層との付着強度の大きい光磁気記録媒体を得
ることができるし、これを屈折率の大きいものとするこ
とができるのでこの誘電体を薄くすることができ、した
がって光磁気記録媒体を生産性よく製造することができ
るという有利性が与えられる。
Claims (2)
- 【請求項１】プラスチック製の基板上に第一の誘電体
層、記録層、第二の誘電体層および反射層を順次形成し
た光磁気記録媒体の製造方法において、少なくとも基板
に接する側の誘電体層を、酸化物を５％以上、30重量％
以下含有する Si3N4焼結体をターゲットとする、純Ａｒ
ガス中でのスパッタリング法により成膜することを特徴
とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】Si3N4 ターゲット中に含まれる酸化物がMx
Oy（ここにＭはＡｌ、Ｚｒ、ＳｉまたはＹ、Ｓｃを含む
希土類元素から選ばれる１種以上の金属、ｘ、ｙはモル
％で30≦ｘ≦70、30≦ｙ≦70）で示されるものである請
求項１に記載した光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9422193A JPH06309714A (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9422193A JPH06309714A (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06309714A true JPH06309714A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14104267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9422193A Pending JPH06309714A (ja) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06309714A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7087290B2 (en) | 1999-02-12 | 2006-08-08 | General Electric | Data storage media utilizing a substrate including a plastic resin layer, and method thereof |
| US7179551B2 (en) | 1999-02-12 | 2007-02-20 | General Electric Company | Poly(arylene ether) data storage media |
-
1993
- 1993-04-21 JP JP9422193A patent/JPH06309714A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7087290B2 (en) | 1999-02-12 | 2006-08-08 | General Electric | Data storage media utilizing a substrate including a plastic resin layer, and method thereof |
| US7179551B2 (en) | 1999-02-12 | 2007-02-20 | General Electric Company | Poly(arylene ether) data storage media |
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