JP2793251B2 - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JP2793251B2 JP2793251B2 JP1115477A JP11547789A JP2793251B2 JP 2793251 B2 JP2793251 B2 JP 2793251B2 JP 1115477 A JP1115477 A JP 1115477A JP 11547789 A JP11547789 A JP 11547789A JP 2793251 B2 JP2793251 B2 JP 2793251B2
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- Japan
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- alkyl group
- film
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体装置、マスク等の製造工程に適用さ
れるパターン形成方法に関するものである。
れるパターン形成方法に関するものである。
（従来の技術） 高密度集積回路、高速半導体素子、光部品等の製造に
際しては、微細加工技術として主に波長が436〜248nmの
光によるリソグラフィ技術が採用されている。かかるリ
ソグラフィ技術は、基板上に単層又は多層のレジスト膜
を形成し、このレジスト膜に光を選択的に照射する露光
を行なった後、水溶液又は有機溶媒を用いて現像処理及
びリンス処理を施という湿式処理によってレジストパタ
ーンを形成する方法である。なお、多層レジスト膜の場
合には上層パターンをマスクとして下層レジスト膜を更
に酸素ガスによる反応性イオンエッチング（RIE）法を
用いてエッチングして上層パターンを下層レジスト膜に
転写する方法が行われる。
際しては、微細加工技術として主に波長が436〜248nmの
光によるリソグラフィ技術が採用されている。かかるリ
ソグラフィ技術は、基板上に単層又は多層のレジスト膜
を形成し、このレジスト膜に光を選択的に照射する露光
を行なった後、水溶液又は有機溶媒を用いて現像処理及
びリンス処理を施という湿式処理によってレジストパタ
ーンを形成する方法である。なお、多層レジスト膜の場
合には上層パターンをマスクとして下層レジスト膜を更
に酸素ガスによる反応性イオンエッチング（RIE）法を
用いてエッチングして上層パターンを下層レジスト膜に
転写する方法が行われる。
しかしながら、上述したリソグラフィ技術では現像又
はリンス工程において水溶液や有機溶媒を使用する湿式
処理が不可欠であるため、現像液の温度、組成及び現像
時間等のプロセス条件を厳密に制御しなければならな
い。また、現像液中のダストによる欠陥が生じ易いた
め、現像液のダストレベルも相当厳密に制御する必要が
ある。その結果、パターン形成工程が極めて繁雑にな
り、しかも欠陥が発生し易いという問題があった。
はリンス工程において水溶液や有機溶媒を使用する湿式
処理が不可欠であるため、現像液の温度、組成及び現像
時間等のプロセス条件を厳密に制御しなければならな
い。また、現像液中のダストによる欠陥が生じ易いた
め、現像液のダストレベルも相当厳密に制御する必要が
ある。その結果、パターン形成工程が極めて繁雑にな
り、しかも欠陥が発生し易いという問題があった。
また、半導体デバイス等の微細化に伴い、より短波長
の光がリソグラフィ光源として使用される傾向にある
が、200nm以下の波長になるとレジストの吸収が大きく
なり、通常の方式によるパターン形成が困難となる。
の光がリソグラフィ光源として使用される傾向にある
が、200nm以下の波長になるとレジストの吸収が大きく
なり、通常の方式によるパターン形成が困難となる。
このようなことから、湿式の現像工程を省略するリソ
グラフィ技術として例えばポリメチルメタクリレート
（PMMA）を短波長のエキシマレーザでパターン状に照射
し、レジストの照射部分を直接除去してパターン形成を
行なう方法がR.Srinvasan and V.Mayne−Banton Appl.P
hys.Lett,41、576（1982）に報告されている。しかしな
がら、かかる方法ではPMMAレジストをかなり薄膜化しな
ければサブミクロン水準の微細パターンを形成できない
ため、高密度集積回路の微細加工に必要な高アスペクト
比の微細パターンの形成が困難であった。こうしたこと
から、前記PMMAレジストを多層レジストプロセスの上層
レジストとして利用して高アスペクト比のパターンを形
成することが考えられる。しかしながら、該PMMAレジス
トは耐酸素RIE性を有さないため、該PMMAの上層パター
ンをマスクとして下層レジストを酸素RIE法でエッチン
グ、転写することができず、実質的に二層レジストプロ
セスに適用できない。また、中間層を用いる三層レジス
トの上層として用いれば、工程が二層レジストよりさら
に複雑になる。
グラフィ技術として例えばポリメチルメタクリレート
（PMMA）を短波長のエキシマレーザでパターン状に照射
し、レジストの照射部分を直接除去してパターン形成を
行なう方法がR.Srinvasan and V.Mayne−Banton Appl.P
hys.Lett,41、576（1982）に報告されている。しかしな
がら、かかる方法ではPMMAレジストをかなり薄膜化しな
ければサブミクロン水準の微細パターンを形成できない
ため、高密度集積回路の微細加工に必要な高アスペクト
比の微細パターンの形成が困難であった。こうしたこと
から、前記PMMAレジストを多層レジストプロセスの上層
レジストとして利用して高アスペクト比のパターンを形
成することが考えられる。しかしながら、該PMMAレジス
トは耐酸素RIE性を有さないため、該PMMAの上層パター
ンをマスクとして下層レジストを酸素RIE法でエッチン
グ、転写することができず、実質的に二層レジストプロ
セスに適用できない。また、中間層を用いる三層レジス
トの上層として用いれば、工程が二層レジストよりさら
に複雑になる。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は、上記従来の課題を解決するためになされた
もので、湿式の現像工程を省略した二層レジストのドラ
イプロセスによって容易に高アスペクト比の微細パター
ンを形成し得るパターン形成方法を提供しようとするも
のである。
もので、湿式の現像工程を省略した二層レジストのドラ
イプロセスによって容易に高アスペクト比の微細パター
ンを形成し得るパターン形成方法を提供しようとするも
のである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、基板上に有機高分子からなる下層膜及び下
記一般式（Ｉ）にて表されるシリコン含有モノマの単独
重合体、異なるモノマ間の共重合体から選ばれる１種又
は２以上の高分子からなる上層膜を順次被覆する工程
と、 前記二層膜に波長50〜300nmの電磁放射線をパターン
状に照射し、照射された上層膜部分を湿式現像せずに直
接除去して微細な上層パターンを形成する工程と、 前記上層パターンをマスクとして酸素ガスによる反応
性イオンエッチング法により下層膜を選択的に異方性エ
ッチングして上層パターンを下層膜に転写する工程と を具備したことを特徴とするパターン形成方法である。
記一般式（Ｉ）にて表されるシリコン含有モノマの単独
重合体、異なるモノマ間の共重合体から選ばれる１種又
は２以上の高分子からなる上層膜を順次被覆する工程
と、 前記二層膜に波長50〜300nmの電磁放射線をパターン
状に照射し、照射された上層膜部分を湿式現像せずに直
接除去して微細な上層パターンを形成する工程と、 前記上層パターンをマスクとして酸素ガスによる反応
性イオンエッチング法により下層膜を選択的に異方性エ
ッチングして上層パターンを下層膜に転写する工程と を具備したことを特徴とするパターン形成方法である。
但し、式中のR1はCH3、Cl、Ｆ、１つ以上のSi原子を
含むアルキル基、又はSi（R3）３［R3;水素、アルキル
基］、R2は１つ以上のSi原子を含むアルキル基、１つ以
上のSi原子を含むハロゲン化アルキル基、１つ以上のSi
原子及びＯ原子を含むアルキル基、又はSi（R4）
３［R4;水素、アルキル基］を示す。
含むアルキル基、又はSi（R3）３［R3;水素、アルキル
基］、R2は１つ以上のSi原子を含むアルキル基、１つ以
上のSi原子を含むハロゲン化アルキル基、１つ以上のSi
原子及びＯ原子を含むアルキル基、又はSi（R4）
３［R4;水素、アルキル基］を示す。
上記基板としては、例えば不純物をドープしたシリコ
ン基板単独、又はこのシリコン基板を母材として酸化シ
リコン層を介して多結晶シリコン膜やAl、Moなどの金属
膜を被覆したものなどの半導体基板、ガリウム砒素など
の化合物半導体基板、透明ガラス板上にクロム膜や酸化
クロム膜を単独もしくは積層して被覆したマスク基板等
を挙げることができる。
ン基板単独、又はこのシリコン基板を母材として酸化シ
リコン層を介して多結晶シリコン膜やAl、Moなどの金属
膜を被覆したものなどの半導体基板、ガリウム砒素など
の化合物半導体基板、透明ガラス板上にクロム膜や酸化
クロム膜を単独もしくは積層して被覆したマスク基板等
を挙げることができる。
上記下層膜の形成に用いられる有機高分子は、Si、G
e、Sn、Fe等の金属原子を含まない通常の有機高分子で
ある。具体的には、東京応化社製のOFPR−800、シップ
レー社製のMP−2400などのノボラック系のフォトレジス
ト、又はポリスチレン、ポリビニルトルエン、クロロメ
チル化ポリスチレン、ポリアリルスチレン、ポリクロロ
スチレン、塩素化ポリスチレン、塩素化ポリビニルトル
エン、塩素化ポリジメチルスチレン、ポリビニルフェノ
ール、ポリイソプロペニルフェノールなどのスチレン系
高分子を主成分とするもの、或いはポリイミド、ポリビ
ニルナフタレン、クロロメチル化ポリビニルナフタレ
ン、ポリビニルビリジン、ポリビニルカルバゾールなど
のポリマーを主成分とする高分子等を挙げることができ
る。
e、Sn、Fe等の金属原子を含まない通常の有機高分子で
ある。具体的には、東京応化社製のOFPR−800、シップ
レー社製のMP−2400などのノボラック系のフォトレジス
ト、又はポリスチレン、ポリビニルトルエン、クロロメ
チル化ポリスチレン、ポリアリルスチレン、ポリクロロ
スチレン、塩素化ポリスチレン、塩素化ポリビニルトル
エン、塩素化ポリジメチルスチレン、ポリビニルフェノ
ール、ポリイソプロペニルフェノールなどのスチレン系
高分子を主成分とするもの、或いはポリイミド、ポリビ
ニルナフタレン、クロロメチル化ポリビニルナフタレ
ン、ポリビニルビリジン、ポリビニルカルバゾールなど
のポリマーを主成分とする高分子等を挙げることができ
る。
上記一般式（Ｉ）のシリコン含有モノマに導入される
R1としては、例えば−CH3、−Cl、−Si（CH3）３等を挙
げることができる。
R1としては、例えば−CH3、−Cl、−Si（CH3）３等を挙
げることができる。
上記一般式（Ｉ）のシリコン含有モノマに導入される
R2としては、例えば 等を挙げることができる。
R2としては、例えば 等を挙げることができる。
上記一般式（Ｉ）にて表されるシリコン含有モノマの
単独重合体、異なるモノマ間の共重合体におけるシリコ
ン含有率については、シリコン含有率が低く過ぎると、
上層パターンをマスクとして下層膜のエッチングを行う
時に上層膜が酸素プラズマに対して十分な耐性を持たせ
なくなることから、７重量％以上にすることが好まし
い。
単独重合体、異なるモノマ間の共重合体におけるシリコ
ン含有率については、シリコン含有率が低く過ぎると、
上層パターンをマスクとして下層膜のエッチングを行う
時に上層膜が酸素プラズマに対して十分な耐性を持たせ
なくなることから、７重量％以上にすることが好まし
い。
上記波長50〜300nmの電磁放射線としては、例えばKrF
エキシマレーザ（波長248nm）、ArFエキシマレーザ（波
長193nm）又はシンクロトロン放射光から得られる波長5
0〜200nmの真空紫外線等を挙げることができる。
エキシマレーザ（波長248nm）、ArFエキシマレーザ（波
長193nm）又はシンクロトロン放射光から得られる波長5
0〜200nmの真空紫外線等を挙げることができる。
（作用） 本発明によれば、特定の高分子により上層膜を形成す
る二層レジストプロセスを採用することによって湿式の
現像処理工程を省略でき、かつかなり短波長の光源でも
高アスペクト比の微細なレジストパターンの形成が可能
となる。
る二層レジストプロセスを採用することによって湿式の
現像処理工程を省略でき、かつかなり短波長の光源でも
高アスペクト比の微細なレジストパターンの形成が可能
となる。
即ち、上記一般式（Ｉ）で表されるシリコン含有モノ
マの単独重合体、異なるモノマ間の共重合体から選ばれ
る１種又は２種以上の高分子を、有機高分子からなる下
層膜上に通常のレジスト膜（１〜1.5μｍ）よりもかな
り薄膜化（厚さ0.1〜0.5μｍ）した状態で上層膜として
形成するため、波長50〜300nmの電磁放射線の選択的な
照射によって、照射部分が選択的に除去されて容易にサ
ブミクロン水準の微細でかつ耐酸素RIE性に優れた上層
パターンを形成できる。その結果、該上層パターンをマ
スクとして下層薄膜を酸素ガスによるRIE法で異方性エ
ッチングを行なうことによって上層パターンを下層膜に
忠実に転写できるため、現像処理工程を省略したプロセ
スで、しかも解像能力の高い波長光源を使用して高アス
ペクト比の微細パターンの形成が可能となる。また、こ
うした高アスペクト比のパターンをマスクとして露出す
る基板部分を任意のエッチング法でエッチングすること
によって、基板に高密度のパターンを形成できる。
マの単独重合体、異なるモノマ間の共重合体から選ばれ
る１種又は２種以上の高分子を、有機高分子からなる下
層膜上に通常のレジスト膜（１〜1.5μｍ）よりもかな
り薄膜化（厚さ0.1〜0.5μｍ）した状態で上層膜として
形成するため、波長50〜300nmの電磁放射線の選択的な
照射によって、照射部分が選択的に除去されて容易にサ
ブミクロン水準の微細でかつ耐酸素RIE性に優れた上層
パターンを形成できる。その結果、該上層パターンをマ
スクとして下層薄膜を酸素ガスによるRIE法で異方性エ
ッチングを行なうことによって上層パターンを下層膜に
忠実に転写できるため、現像処理工程を省略したプロセ
スで、しかも解像能力の高い波長光源を使用して高アス
ペクト比の微細パターンの形成が可能となる。また、こ
うした高アスペクト比のパターンをマスクとして露出す
る基板部分を任意のエッチング法でエッチングすること
によって、基板に高密度のパターンを形成できる。
（実施例） 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例１ まず、多結晶シリコン基板上に東京応化社製のOFPR−
800を1.5μｍの膜厚で塗布した後、200℃、１時間加熱
処理して下層レジスト膜を形成した。つづいて、この下
層レジスト膜上にポリトリメチルシリルメチルα−クロ
ルアクリレートを0.5μｍの膜厚で塗布した後、190℃、
30分間加熱処理して上層レジスト膜を被覆し、二層レジ
スト膜を形成した。ひきつづき、波長193nmのArFエキシ
マレーザを光源とする縮小投影露光装置によって、パル
ス当り100mJ/cm2の照度でパルスを５回、上層レジスト
膜にパターン状に照射し、該上層レジスト膜の照射部分
を選択的に除去した。これによって、湿式の現像処理工
程を行なうことなくシリコン原子を含むサブミクロンの
微細な上層パターンが形成された。
800を1.5μｍの膜厚で塗布した後、200℃、１時間加熱
処理して下層レジスト膜を形成した。つづいて、この下
層レジスト膜上にポリトリメチルシリルメチルα−クロ
ルアクリレートを0.5μｍの膜厚で塗布した後、190℃、
30分間加熱処理して上層レジスト膜を被覆し、二層レジ
スト膜を形成した。ひきつづき、波長193nmのArFエキシ
マレーザを光源とする縮小投影露光装置によって、パル
ス当り100mJ/cm2の照度でパルスを５回、上層レジスト
膜にパターン状に照射し、該上層レジスト膜の照射部分
を選択的に除去した。これによって、湿式の現像処理工
程を行なうことなくシリコン原子を含むサブミクロンの
微細な上層パターンが形成された。
次いで、上層パターンをマスクとして酸素ガスによる
RIE法（RF出力;100W、圧力;5mtorr、酸素ガス流量40scc
m）で下層レジスト層を16分間異方性エッチングを行な
った。この時、上層パターンはシリコンを含有する高分
子からなり、耐酸素RIE性に優れているため、該パター
ンが下層レシスト層に忠実に転写されて高アスペクト比
の微細レジストパターンが形成された。
RIE法（RF出力;100W、圧力;5mtorr、酸素ガス流量40scc
m）で下層レジスト層を16分間異方性エッチングを行な
った。この時、上層パターンはシリコンを含有する高分
子からなり、耐酸素RIE性に優れているため、該パター
ンが下層レシスト層に忠実に転写されて高アスペクト比
の微細レジストパターンが形成された。
その後、前記二層のレジストパターンをマスクとして
露出する多結晶シリコン基板を四塩化炭素ガスによるRI
E法でエッチングしたところ、該基板表面にサブミクロ
ン水準の高密度のパターン（触刻パターン）を転写でき
た。
露出する多結晶シリコン基板を四塩化炭素ガスによるRI
E法でエッチングしたところ、該基板表面にサブミクロ
ン水準の高密度のパターン（触刻パターン）を転写でき
た。
実施例２ まず、SiO2基板上に東京応化社製のOFPR−800を1.5μ
ｍの膜厚で塗布した後、200℃、１時間加熱処理して下
層レジスト膜を形成し、更にこの下層レジスト膜上に厚
さ0.3μｍの下記構造式（Ａ）の上層レジスト膜を被覆
し、二層レジスト膜を形成した。
ｍの膜厚で塗布した後、200℃、１時間加熱処理して下
層レジスト膜を形成し、更にこの下層レジスト膜上に厚
さ0.3μｍの下記構造式（Ａ）の上層レジスト膜を被覆
し、二層レジスト膜を形成した。
次いで、波長193nmのArFエキシマレーザを光源とする
縮小投影露光装置によって、パルス当り100mJ/cm2の照
度でパルスを７回、上層レジスト膜にパターン状に照射
し、該上層レジスト膜の照射部分を選択的に除去した。
これによって、湿式の現像処理工程を行なうことなくシ
リコン原子を含むサブミクロンの微細な上層パターンが
形成された。
縮小投影露光装置によって、パルス当り100mJ/cm2の照
度でパルスを７回、上層レジスト膜にパターン状に照射
し、該上層レジスト膜の照射部分を選択的に除去した。
これによって、湿式の現像処理工程を行なうことなくシ
リコン原子を含むサブミクロンの微細な上層パターンが
形成された。
次いで、上層パターンをマスクとして実施例１と同様
に酸素ガスによるRIE法で下層レジスト膜を異方性エッ
チングを行なった。その結果、上層パターンが下層レジ
スト膜に忠実に転写されて高アスペクト比の微細レジス
トパターンが形成された。
に酸素ガスによるRIE法で下層レジスト膜を異方性エッ
チングを行なった。その結果、上層パターンが下層レジ
スト膜に忠実に転写されて高アスペクト比の微細レジス
トパターンが形成された。
［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明によれば一般式（Ｉ）で示
されるシリコン含有モノマの単独重合体、異なるモノマ
間の共重合体から選ばれる１種又は２以上の高分子によ
り上層膜を形成する二層レジストプロセスを採用するこ
とによって、欠陥が発生し易い湿式の現像処理工程を省
略でき、かつ波長300nm以下の短波長光源で高アスペク
ト比の微細なパターンを形成でき、ひいては高密度半導
体装置などの微細加工工程に有効に適用できる等顕著な
効果を奏する。
されるシリコン含有モノマの単独重合体、異なるモノマ
間の共重合体から選ばれる１種又は２以上の高分子によ
り上層膜を形成する二層レジストプロセスを採用するこ
とによって、欠陥が発生し易い湿式の現像処理工程を省
略でき、かつ波長300nm以下の短波長光源で高アスペク
ト比の微細なパターンを形成でき、ひいては高密度半導
体装置などの微細加工工程に有効に適用できる等顕著な
効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−154050（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−115853（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−105638（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−216044（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−116151（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−119549（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/16
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に有機高分子からなる下層膜及び下
記一般式（Ｉ）にて表されるシリコン含有モノマの単独
重合体、異なるモノマ間の共重合体から選ばれる１種又
は２以上の高分子からなる上層膜を順次被覆する工程
と、 前記二層膜に波長50〜300nmの電磁放射線をパターン状
に照射し、照射された上層膜部分を湿式現像せずに直接
除去して微細な上層パターンを形成する工程と、 前記上層パターンをマスクとして酸素ガスによる反応性
イオンエッチング法により下層膜を選択的に異方性エッ
チングして上層パターンを下層膜に転写する工程と を具備したことを特徴とするパターン形成方法。 但し、式中のR1はCH3、Cl、Ｆ、１つ以上のSi原子を含
むアルキル基、又はSi（R3）３［R3;水素、アルキル
基］、R2は１つ以上のSi原子を含むアルキル基、１つ以
上のSi原子を含むハロゲン化アルキル基、１つ以上のSi
原子及びＯ原子を含むアルキル基、又はSi（R4）
３［R4;水素、アルキル基］を示す。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1115477A JP2793251B2 (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1115477A JP2793251B2 (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02293850A JPH02293850A (ja) | 1990-12-05 |
| JP2793251B2 true JP2793251B2 (ja) | 1998-09-03 |
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ID=14663497
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP1115477A Expired - Fee Related JP2793251B2 (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | パターン形成方法 |
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| JP (1) | JP2793251B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100347608C (zh) * | 2001-09-25 | 2007-11-07 | 米卢塔技术株式会社 | 利用毛细作用力在基体上形成微型图案的方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335070B1 (ko) * | 1999-04-21 | 2002-05-03 | 백승준 | 압축 성형 기법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
| EP1054296A3 (en) * | 1999-04-30 | 2002-03-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Fine pattern forming method |
| JP4253423B2 (ja) | 2000-06-14 | 2009-04-15 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト積層物 |
| US8722841B2 (en) | 2009-06-19 | 2014-05-13 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Carbazole novolak resin |
| CN103229104B (zh) | 2010-12-09 | 2016-08-24 | 日产化学工业株式会社 | 包含含有羟基的咔唑酚醛清漆树脂的形成抗蚀剂下层膜的组合物 |
| US9263286B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-02-16 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Diarylamine novolac resin |
| KR102005532B1 (ko) | 2012-02-01 | 2019-07-30 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 복소환을 포함하는 공중합 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 |
| WO2013146670A1 (ja) | 2012-03-27 | 2013-10-03 | 日産化学工業株式会社 | フェニルインドール含有ノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 |
| CN104541205B (zh) | 2012-08-21 | 2019-07-05 | 日产化学工业株式会社 | 含有具有多核苯酚的酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
| KR102229657B1 (ko) | 2013-05-13 | 2021-03-18 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 비스페놀알데히드를 이용한 노볼락 수지 함유 레지스트 하층막 형성 조성물 |
| CN105874386B (zh) | 2013-12-26 | 2019-12-06 | 日产化学工业株式会社 | 含有具有仲氨基的酚醛清漆聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
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| JPS60119549A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成材料及びパタ−ン形成法 |
| US4481049A (en) * | 1984-03-02 | 1984-11-06 | At&T Bell Laboratories | Bilevel resist |
| JPH0682215B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1994-10-19 | 株式会社東芝 | 放射線用レジストおよびそれを用いたパタ−ン形成方法 |
| JPS63116151A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Toshiba Corp | パタン形成方法 |
| JPS63216044A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-08 | Nippon Zeon Co Ltd | パタ−ン形成材料 |
-
1989
- 1989-05-09 JP JP1115477A patent/JP2793251B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100347608C (zh) * | 2001-09-25 | 2007-11-07 | 米卢塔技术株式会社 | 利用毛细作用力在基体上形成微型图案的方法 |
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