JP2811236B2 - 粒径分布測定装置 - Google Patents
粒径分布測定装置Info
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 69
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光を例えば自動車
の燃料噴霧等の微粒子群に照射し、該微粒子群により回
折されたレーザ光を受光し、この回折パターンに基づい
て該微粒子群の径の分布を測定する粒径分布測定装置に
関する。
の燃料噴霧等の微粒子群に照射し、該微粒子群により回
折されたレーザ光を受光し、この回折パターンに基づい
て該微粒子群の径の分布を測定する粒径分布測定装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】所定の径を有する微粒子群にレーザ光を
照射し該微粒子群によるフランホーファー回折像を観察
したときその回折パターンと微粒子群の径とが一対一に
対応することに着目し、種々の径を有する微粒子群から
回折されたレーザ光の複合された回折パターンを所定の
アルゴリズムに基づいて解析することにより、微粒子群
の粒径の分布を知る方法が知られている(例えば「表
面」vol.22 No.2(1984)87(27)
頁〜94(34)頁参照)。この方法では、上記回折パ
ターンが0次光のスポットを中心とした同心的なパター
ンであることから、例えば同心的な15個の円環形状の
光センサを用いてその回折パターンを受光し、この回折
パターンを解析することにより粒径分布を求めるもので
ある。
照射し該微粒子群によるフランホーファー回折像を観察
したときその回折パターンと微粒子群の径とが一対一に
対応することに着目し、種々の径を有する微粒子群から
回折されたレーザ光の複合された回折パターンを所定の
アルゴリズムに基づいて解析することにより、微粒子群
の粒径の分布を知る方法が知られている(例えば「表
面」vol.22 No.2(1984)87(27)
頁〜94(34)頁参照)。この方法では、上記回折パ
ターンが0次光のスポットを中心とした同心的なパター
ンであることから、例えば同心的な15個の円環形状の
光センサを用いてその回折パターンを受光し、この回折
パターンを解析することにより粒径分布を求めるもので
ある。
【0003】上記多数の円環状の光センサを用いる方法
は、これら多数の円環状光センサからなる光検出器の中
心が光軸と正確に一致するように厳密に位置調整をする
必要があるため、測定の前準備が大変であり、この前準
備を簡単化するために、上記多数の円環状の光センサか
らなる検出器に代えて例えばCCD等の固体撮像素子を
用いる。前準備としては、大雑把に位置合わせをするだ
けで、厳密な光軸中心は後に別途求めればよい。
は、これら多数の円環状光センサからなる光検出器の中
心が光軸と正確に一致するように厳密に位置調整をする
必要があるため、測定の前準備が大変であり、この前準
備を簡単化するために、上記多数の円環状の光センサか
らなる検出器に代えて例えばCCD等の固体撮像素子を
用いる。前準備としては、大雑把に位置合わせをするだ
けで、厳密な光軸中心は後に別途求めればよい。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記回折光の
パターンに基づいて粒径分布を求めるアルゴリズムは、
微粒子群中のある1つの微粒子で散乱回折されたレーザ
光が再度他の微粒子で散乱(回折)されるという多重散
乱が生じないことが前提とされており、したがって多重
散乱が多く生じると測定誤差となる。
パターンに基づいて粒径分布を求めるアルゴリズムは、
微粒子群中のある1つの微粒子で散乱回折されたレーザ
光が再度他の微粒子で散乱(回折)されるという多重散
乱が生じないことが前提とされており、したがって多重
散乱が多く生じると測定誤差となる。
【0005】この多重散乱は完全に防止することは難し
く通常の測定でも多少なりとも生じるものであり、した
がってこの粒径分布の測定を行った際に求められた粒径
分布が許容誤差以内にあるか否かが問題とされることと
なる。本発明は、上記事情に鑑み、多重散乱の発生が許
容量以内かどうかを知ることのできる粒径分布測定装置
を提供することを目的とする。
く通常の測定でも多少なりとも生じるものであり、した
がってこの粒径分布の測定を行った際に求められた粒径
分布が許容誤差以内にあるか否かが問題とされることと
なる。本発明は、上記事情に鑑み、多重散乱の発生が許
容量以内かどうかを知ることのできる粒径分布測定装置
を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の第一の粒径分布測定装置は、レーザ光を微
粒子群に照射する照射光学系と、該微粒子群による回折
像を受光する固体撮像素子と、該固体撮像素子により受
光された回折像パターンに基づいて前記微粒子群の粒径
分布を求める演算手段とを備えた粒径分布測定装置にお
いて、前記微粒子群に照射される前の前記レーザ光の光
量と、前記微粒子群に照射された後の、該微粒子群によ
り回折されない0次光の光量もしくは該微粒子群により
回折された回折光の光量との比率をモニタするモニタ手
段を備えたことを特徴とするものである。
めの本発明の第一の粒径分布測定装置は、レーザ光を微
粒子群に照射する照射光学系と、該微粒子群による回折
像を受光する固体撮像素子と、該固体撮像素子により受
光された回折像パターンに基づいて前記微粒子群の粒径
分布を求める演算手段とを備えた粒径分布測定装置にお
いて、前記微粒子群に照射される前の前記レーザ光の光
量と、前記微粒子群に照射された後の、該微粒子群によ
り回折されない0次光の光量もしくは該微粒子群により
回折された回折光の光量との比率をモニタするモニタ手
段を備えたことを特徴とするものである。
【0007】また、上記目的を達成するための本発明の
第二の粒径分布測定装置は、レーザ光を微粒子群に照射
する照射光学系と、該微粒子群による回折像を受光する
固体撮像素子と、該固体撮像素子により受光された回折
像パターンに基づいて前記微粒子群の粒径分布を求める
演算手段とを備えた粒径分布測定装置において、前記微
粒子群が存在しない状態における0次光の光量と、前記
微粒子群が存在する状態における0次光の光量もしくは
該微粒子群により回折された回折光の光量との比率をモ
ニタするモニタ手段を備えたことを特徴とするものであ
る。
第二の粒径分布測定装置は、レーザ光を微粒子群に照射
する照射光学系と、該微粒子群による回折像を受光する
固体撮像素子と、該固体撮像素子により受光された回折
像パターンに基づいて前記微粒子群の粒径分布を求める
演算手段とを備えた粒径分布測定装置において、前記微
粒子群が存在しない状態における0次光の光量と、前記
微粒子群が存在する状態における0次光の光量もしくは
該微粒子群により回折された回折光の光量との比率をモ
ニタするモニタ手段を備えたことを特徴とするものであ
る。
【0008】ここで、上記第一、第二の粒径分布測定装
置において、前記モニタ手段によりモニタされた前記比
率に基づいて前記回折光が所定の比率を越えた場合に警
告を発する警告手段を備えることが好ましい。
置において、前記モニタ手段によりモニタされた前記比
率に基づいて前記回折光が所定の比率を越えた場合に警
告を発する警告手段を備えることが好ましい。
【0009】
【作用】多重散乱が多いということは一回のみの散乱
(回折)をも含めた全体の散乱(回折)も多く、したが
って散乱されずに残る0次光が減少し、散乱(回折)さ
れた回折光が増加することを意味する。本発明はこの知
見に基づいて完成されたものであり、本発明の第一の粒
径分布測定装置においては微粒子群に照射される前のレ
ーザ光の光量と照射された後の0次光もしくは回折光の
光量との比率をモニタするモニタ手段を備えることによ
り、また本発明の第二の粒径分布測定装置においては微
粒子群の存在しない状態における0次光の光量と、微粒
子群が存在する状態における0次光もしくは回折光の光
量との比率をモニタするモニタ手段を備えることにより
多重散乱の程度を知るようにしたものであり、このこと
により求められた粒径分布が信頼のおけるものか否かが
判断される。
(回折)をも含めた全体の散乱(回折)も多く、したが
って散乱されずに残る0次光が減少し、散乱(回折)さ
れた回折光が増加することを意味する。本発明はこの知
見に基づいて完成されたものであり、本発明の第一の粒
径分布測定装置においては微粒子群に照射される前のレ
ーザ光の光量と照射された後の0次光もしくは回折光の
光量との比率をモニタするモニタ手段を備えることによ
り、また本発明の第二の粒径分布測定装置においては微
粒子群の存在しない状態における0次光の光量と、微粒
子群が存在する状態における0次光もしくは回折光の光
量との比率をモニタするモニタ手段を備えることにより
多重散乱の程度を知るようにしたものであり、このこと
により求められた粒径分布が信頼のおけるものか否かが
判断される。
【0010】また回折光が所定の比率以上に増えた場合
に警告を発する警告手段を備えることにより、多重散乱
が多すぎないか否か常に注意を払うことなく、求められ
た粒径分布が信頼のおけないものである場合にこのこと
が知覚され、したがってフールプルーフを考慮したより
使い勝手のよい装置となる。
に警告を発する警告手段を備えることにより、多重散乱
が多すぎないか否か常に注意を払うことなく、求められ
た粒径分布が信頼のおけないものである場合にこのこと
が知覚され、したがってフールプルーフを考慮したより
使い勝手のよい装置となる。
【0011】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。図1は、本発明の一実施例に係る粒径分
布測定装置の概略構成図である。レーザ光源1から射出
されたレーザ光2は、そのレーザ光2の一部を反射する
ミラーに照射され、このミラー3に照射されたレーザ光
2のうちこのミラー3からの反射光は光検出器4でその
光量が検出され、その信号が演算回路5に入力される。
いて説明する。図1は、本発明の一実施例に係る粒径分
布測定装置の概略構成図である。レーザ光源1から射出
されたレーザ光2は、そのレーザ光2の一部を反射する
ミラーに照射され、このミラー3に照射されたレーザ光
2のうちこのミラー3からの反射光は光検出器4でその
光量が検出され、その信号が演算回路5に入力される。
【0012】一方ミラー3を透過したレーザ光2はピン
ホール板6aを含む照射光学系6により平行光とされ、
例えば自動車の燃料噴霧等に含まれる微粒子7に照射さ
れる。この微粒子群7に照射されたレーザ光2はその一
部が微粒子群7により回折された後レンズ8により集光
され、その一部はミラー9により反射されピンホール板
10を0次光だけが通過しその光量が光検出器11によ
り検出される。この光検出器11の出力信号も演算回路
5に入力される。
ホール板6aを含む照射光学系6により平行光とされ、
例えば自動車の燃料噴霧等に含まれる微粒子7に照射さ
れる。この微粒子群7に照射されたレーザ光2はその一
部が微粒子群7により回折された後レンズ8により集光
され、その一部はミラー9により反射されピンホール板
10を0次光だけが通過しその光量が光検出器11によ
り検出される。この光検出器11の出力信号も演算回路
5に入力される。
【0013】またミラー9を透過したレーザ光はCCD
12の前面に照射され、微粒子群7による回折像パター
ンがこのCCD12により受光される。図2はこのCC
D12の前面における回折像パターンの一例を表わした
図である。微粒子群7がある所定の径の微粒子のみから
構成されている場合は、CCD12上には例えば図2に
破線で示す回折パターン21が生じ、微粒子群7が他の
所定の径の微粒子群のみから構成されている場合は図2
に一点鎖線で示す回折パターン22を生じるが、ここで
は微粒子群7は種々の径を有する微粒子から構成されて
いるためこの微粒子群7により形成される回折パターン
20は種々の径の微粒子による回折パターン(回折パタ
ーン21、22等)が重畳されたものとなる。
12の前面に照射され、微粒子群7による回折像パター
ンがこのCCD12により受光される。図2はこのCC
D12の前面における回折像パターンの一例を表わした
図である。微粒子群7がある所定の径の微粒子のみから
構成されている場合は、CCD12上には例えば図2に
破線で示す回折パターン21が生じ、微粒子群7が他の
所定の径の微粒子群のみから構成されている場合は図2
に一点鎖線で示す回折パターン22を生じるが、ここで
は微粒子群7は種々の径を有する微粒子から構成されて
いるためこの微粒子群7により形成される回折パターン
20は種々の径の微粒子による回折パターン(回折パタ
ーン21、22等)が重畳されたものとなる。
【0014】図1に示すCCD12により受光され電気
信号に変換された回折パターンは、演算回路5に入力さ
れ、この演算回路5では、この回折パターンを表わす信
号に基づいて、例えば図3に一例を示すように各粒径d
を有する粒子の粒径分布Nが求められる。図4(A)、
(B)は、0次光をカットするためのマスクと回折光を
減衰させるためのフィルタを施したガラス板が表面に貼
付されたCCDの一例を表わした正面図である。
信号に変換された回折パターンは、演算回路5に入力さ
れ、この演算回路5では、この回折パターンを表わす信
号に基づいて、例えば図3に一例を示すように各粒径d
を有する粒子の粒径分布Nが求められる。図4(A)、
(B)は、0次光をカットするためのマスクと回折光を
減衰させるためのフィルタを施したガラス板が表面に貼
付されたCCDの一例を表わした正面図である。
【0015】本実施例ではCCD12は、図4(A)の
左上端に0次光が照射されるようにその概略の光軸調整
が行われることが予定されており、したがって0次光を
カットするマスク23がCCD12の表面の左上端に貼
付される。また回折パターンは、図2に示すように平均
的には光軸中心(0次光の照射位置)に近い領域ほどそ
の光量が大きく、光軸中心から離れるにしたがってその
光量は減衰する。そこで本実施例ではマスク23に隣接
する、図4の左上の領域に一様な濃度のNDフィルタ2
4が貼付されている。
左上端に0次光が照射されるようにその概略の光軸調整
が行われることが予定されており、したがって0次光を
カットするマスク23がCCD12の表面の左上端に貼
付される。また回折パターンは、図2に示すように平均
的には光軸中心(0次光の照射位置)に近い領域ほどそ
の光量が大きく、光軸中心から離れるにしたがってその
光量は減衰する。そこで本実施例ではマスク23に隣接
する、図4の左上の領域に一様な濃度のNDフィルタ2
4が貼付されている。
【0016】ここで、CCD12の左端はマスク23で
覆われており0次光は受光されないため、本実施例では
回折光パターンが光軸中心を中心とした回転対象である
ことを利用し、演算手段5(図1参照)において、CC
D12で受光された回折パターンを所定のしきい値で2
値化処理することにより、例えば図4に破線で示す円弧
25が求められ、この円弧25の中心点0が求められ、
これによりその中心点が光軸中心0とされる。演算手段
7では、上記のように光軸中心0を求めた後、回折パタ
ーンのうちNDフィルタ24により減衰された分が補正
され、この補正された回折パターンに基づいて微粒子群
7の粒径分布が求められる。この求められた粒径分布を
表わす信号はCRTディスプレイ13に送られ、このC
RTディスプレイ13の表示画面上に、例えば図3に示
すようなグラフ、もしくは一覧表の形式で粒径分布が表
示される。
覆われており0次光は受光されないため、本実施例では
回折光パターンが光軸中心を中心とした回転対象である
ことを利用し、演算手段5(図1参照)において、CC
D12で受光された回折パターンを所定のしきい値で2
値化処理することにより、例えば図4に破線で示す円弧
25が求められ、この円弧25の中心点0が求められ、
これによりその中心点が光軸中心0とされる。演算手段
7では、上記のように光軸中心0を求めた後、回折パタ
ーンのうちNDフィルタ24により減衰された分が補正
され、この補正された回折パターンに基づいて微粒子群
7の粒径分布が求められる。この求められた粒径分布を
表わす信号はCRTディスプレイ13に送られ、このC
RTディスプレイ13の表示画面上に、例えば図3に示
すようなグラフ、もしくは一覧表の形式で粒径分布が表
示される。
【0017】また、2つの光検出器4、11で検出され
た光量は、演算手段5でその比率ηが求められる。ここ
でこの比率7は光検出器4により検出された微粒子群7
に照射される前のレーザ光2の光量をE1、光検出器1
1により検出された微粒子群7に照射された後の該微粒
子群により回折されない0次光の光量をE2としたと
き、η=E2/E1で定義される。演算回路7内ではこ
の比率ηが所定のしきい値Th1と比較され、η<Th
1であった場合にブザー14に信号が送られ、警告音が
発せられる。この比率ηが所定のしきい値Th1より低
いということは微粒子群7に照射されたレーザ光2の光
量に対する、この微粒子群7により回折された光の比率
が大きいことを表わし、したがってこの場合多重散乱も
許容レベルを越えていることに対応している。
た光量は、演算手段5でその比率ηが求められる。ここ
でこの比率7は光検出器4により検出された微粒子群7
に照射される前のレーザ光2の光量をE1、光検出器1
1により検出された微粒子群7に照射された後の該微粒
子群により回折されない0次光の光量をE2としたと
き、η=E2/E1で定義される。演算回路7内ではこ
の比率ηが所定のしきい値Th1と比較され、η<Th
1であった場合にブザー14に信号が送られ、警告音が
発せられる。この比率ηが所定のしきい値Th1より低
いということは微粒子群7に照射されたレーザ光2の光
量に対する、この微粒子群7により回折された光の比率
が大きいことを表わし、したがってこの場合多重散乱も
許容レベルを越えていることに対応している。
【0018】尚、上記実施例では、ピンホール板10及
び光検出器11を備えて0次光の光量をモニタするよう
にしたが、これに代えて、図4に示すマスク23として
0次光を完全にカットするマスクではなくCCD12で
0次光の光量を正しく測定できる程度の高濃度のフィル
タを配置し、CCD12で0次光の光量をモニタするよ
うにしてもよい。
び光検出器11を備えて0次光の光量をモニタするよう
にしたが、これに代えて、図4に示すマスク23として
0次光を完全にカットするマスクではなくCCD12で
0次光の光量を正しく測定できる程度の高濃度のフィル
タを配置し、CCD12で0次光の光量をモニタするよ
うにしてもよい。
【0019】また0次光の光量をモニタすることに代
え、CCD12により、もしくは他の光検出器を備えて
回折光の全光量をモニタするようにしてもよい。この場
合、光検出器4で検出された光量に対する回折光の光量
の比率が所定のしきい値以上であった場合に警告を発す
ることとなる。またミラー3、光検出器4を備えて微粒
子群7に照射される前のレーザ光2の光量を検出するこ
とに代え、微粒子群7が存在しない状態における0次光
の光量E4を光検出器11で検出すると共に微粒子群7
が存在する状態における0次光の光量E5を光検出器1
1で検出し、それらの光量比ξ=E5/E4があるしき
い値Th2よりも低いとき、多重散乱が許容レベルを越
えていると判定してもよい。この方式は、微粒子群7の
存在しない時と存在するときの2回測定を行う必要があ
るがミラー3や光検出器4が不要であること、照射光学
系6の汚れ等の影響がキャンセルされ、したがってより
正確な判定を行うことができること等の長所を有する。
なお、この方式においても、前述した方式と同様に光検
出器11に代えてCCD12で0次光の検出を行っても
よく、また微粒子群7が存在する時に検出する光は0次
光ではなく回折光であってもよい。
え、CCD12により、もしくは他の光検出器を備えて
回折光の全光量をモニタするようにしてもよい。この場
合、光検出器4で検出された光量に対する回折光の光量
の比率が所定のしきい値以上であった場合に警告を発す
ることとなる。またミラー3、光検出器4を備えて微粒
子群7に照射される前のレーザ光2の光量を検出するこ
とに代え、微粒子群7が存在しない状態における0次光
の光量E4を光検出器11で検出すると共に微粒子群7
が存在する状態における0次光の光量E5を光検出器1
1で検出し、それらの光量比ξ=E5/E4があるしき
い値Th2よりも低いとき、多重散乱が許容レベルを越
えていると判定してもよい。この方式は、微粒子群7の
存在しない時と存在するときの2回測定を行う必要があ
るがミラー3や光検出器4が不要であること、照射光学
系6の汚れ等の影響がキャンセルされ、したがってより
正確な判定を行うことができること等の長所を有する。
なお、この方式においても、前述した方式と同様に光検
出器11に代えてCCD12で0次光の検出を行っても
よく、また微粒子群7が存在する時に検出する光は0次
光ではなく回折光であってもよい。
【0020】また、図1に示す実施例ではブザー14で
警告音を発する構成としたが、本発明では警告音を発す
ることに限定されるものではなく、例えば警告用ランプ
を備えてそのランプが点灯もしくは点滅されるようにし
てもよく、CRTディスプレイ13の表示画面上に警告
用の文字を表示し、もしくは点滅させるようにしてもよ
い。
警告音を発する構成としたが、本発明では警告音を発す
ることに限定されるものではなく、例えば警告用ランプ
を備えてそのランプが点灯もしくは点滅されるようにし
てもよく、CRTディスプレイ13の表示画面上に警告
用の文字を表示し、もしくは点滅させるようにしてもよ
い。
【0021】さらに本発明においては警告手段を備える
ことは必ずしも必要ではなく、例えばCRTディスプレ
イ13上に図3に示すようなグラフと共に上記比率ηや
比率ξ等を表示し、求められた粒径分布が信頼のおける
ものか否かの判断は測定者に委ねるようにしてもよいも
のである。
ことは必ずしも必要ではなく、例えばCRTディスプレ
イ13上に図3に示すようなグラフと共に上記比率ηや
比率ξ等を表示し、求められた粒径分布が信頼のおける
ものか否かの判断は測定者に委ねるようにしてもよいも
のである。
【0022】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の第
一の粒径分布測定装置は、微粒子群に照射される前のレ
ーザ光の光量と微粒子群に照射された後の0次光もしく
は回折光の光量との比率をモニタするようにしたため、
また本発明の第二の粒径分布測定装置は、微粒子群が存
在しない状態における0次光の光量と、微粒子群が存在
する状態における0次光もしくは回折光の光量との比率
をモニタするようにしたため、多重散乱の発生が許容さ
れるレベル以内か否かを知ることができる。また、この
比率に基づいて多重散乱の発生が許容レベルを越えてい
るときに警告するように構成した場合、より使い易い装
置となる。
一の粒径分布測定装置は、微粒子群に照射される前のレ
ーザ光の光量と微粒子群に照射された後の0次光もしく
は回折光の光量との比率をモニタするようにしたため、
また本発明の第二の粒径分布測定装置は、微粒子群が存
在しない状態における0次光の光量と、微粒子群が存在
する状態における0次光もしくは回折光の光量との比率
をモニタするようにしたため、多重散乱の発生が許容さ
れるレベル以内か否かを知ることができる。また、この
比率に基づいて多重散乱の発生が許容レベルを越えてい
るときに警告するように構成した場合、より使い易い装
置となる。
【図1】本発明の一実施例に係る粒径分布測定装置の概
略構成図である。
略構成図である。
【図2】CCD前面における回折像パターンの一例を表
わした図である。
わした図である。
【図3】測定された粒径分布の一例を表わした図であ
る。
る。
【図4】0次光をカットするためのマスクと回折光を減
衰させるためのフィルタが施されたガラス板が表面に貼
付されたCCDの一例を表わした正面図である。
衰させるためのフィルタが施されたガラス板が表面に貼
付されたCCDの一例を表わした正面図である。
1 レーザ光源 2 レーザ光 3、9 ミラー 4、11 光検
出器 5 演算回路 6 照射光学系 6a ピンホール板 7 微粒子群 8 レンズ 10 ピンホー
ル板 12 CCD 13 CRTデ
ィスプレイ 14 ブザー 23 マスク 24 NDフィルタ
出器 5 演算回路 6 照射光学系 6a ピンホール板 7 微粒子群 8 レンズ 10 ピンホー
ル板 12 CCD 13 CRTデ
ィスプレイ 14 ブザー 23 マスク 24 NDフィルタ
Claims (3)
- 【請求項1】 レーザ光を微粒子群に照射する照射光学
系と、該微粒子群による回折像を受光する固体撮像素子
と、該固体撮像素子により受光された回折像パターンに
基づいて前記微粒子群の粒径分布を求める演算手段とを
備えた粒径分布測定装置において、前記微粒子群に照射
される前の前記レーザ光の光量と、前記微粒子群に照射
された後の、該微粒子群により回折されない0次光の光
量もしくは該微粒子群により回折された回折光の光量と
の比率をモニタするモニタ手段を備えたことを特徴とす
る粒径分布測定装置。 - 【請求項2】 レーザ光を微粒子群に照射する照射光学
系と、該微粒子群による回折像を受光する固体撮像素子
と、該固体撮像素子により受光された回折像パターンに
基づいて前記微粒子群の粒径分布を求める演算手段とを
備えた粒径分布測定装置において、前記微粒子群が存在
しない状態における0次光の光量と、前記微粒子群が存
在する状態における0次光の光量もしくは該微粒子群に
より回折された回折光の光量との比率をモニタするモニ
タ手段を備えたことを特徴とする粒径分布測定装置。 - 【請求項3】 前記モニタ手段によりモニタされた前記
比率に基づいて前記回折光が所定の比率を越えた場合に
警告を発する警告手段を備えたことを特徴とする請求項
1又は2記載の粒径分布測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063217A JP2811236B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 粒径分布測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063217A JP2811236B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 粒径分布測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04297852A JPH04297852A (ja) | 1992-10-21 |
| JP2811236B2 true JP2811236B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=13222819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3063217A Expired - Fee Related JP2811236B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 粒径分布測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2811236B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2956653B2 (ja) * | 1996-12-16 | 1999-10-04 | 日本電気株式会社 | パーティクルモニター装置 |
| GB2429058B (en) * | 2004-03-06 | 2008-12-03 | Michael Trainer | Method and apparatus for determining the size and shape of particles |
| JP6473580B2 (ja) * | 2013-07-29 | 2019-02-20 | 学校法人 東洋大学 | 粒径測定装置および粒径測定方法 |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP3063217A patent/JP2811236B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04297852A (ja) | 1992-10-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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