JP2812059B2 - 赤外線検知素子の製造方法 - Google Patents
赤外線検知素子の製造方法Info
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- JP2812059B2 JP2812059B2 JP4123441A JP12344192A JP2812059B2 JP 2812059 B2 JP2812059 B2 JP 2812059B2 JP 4123441 A JP4123441 A JP 4123441A JP 12344192 A JP12344192 A JP 12344192A JP 2812059 B2 JP2812059 B2 JP 2812059B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導電型の赤外線検知
素子の製造方法に関するものである。
素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、例えば特開昭６２−９０９８１
号公報に示された従来の赤外線検知素子の構造を示す平
面図であり、図５は、図４のII−II線による断面図、図
６は、図４の赤外線検知素子の製造方法を示す工程図で
ある。
号公報に示された従来の赤外線検知素子の構造を示す平
面図であり、図５は、図４のII−II線による断面図、図
６は、図４の赤外線検知素子の製造方法を示す工程図で
ある。
【０００３】これらの図において、１は高抵抗の基板、
２は、例えばＨｇＣｄＴｅなどの化合物半導体層、３は
受光面、４は前記化合物半導体層２の陽極酸化により形
成される受光面３の第１の保護膜、５は前記受光面３
の、例えばＺｎＳからなる第２の保護膜、６は例えば、
Ｃｒ／Ａｕよりなる電極、７は赤外線検知素子ウエハ、
１３はコの字型の溝、１４は例えば、Ｃｒ／Ａｕよりな
る金属蒸着膜である。
２は、例えばＨｇＣｄＴｅなどの化合物半導体層、３は
受光面、４は前記化合物半導体層２の陽極酸化により形
成される受光面３の第１の保護膜、５は前記受光面３
の、例えばＺｎＳからなる第２の保護膜、６は例えば、
Ｃｒ／Ａｕよりなる電極、７は赤外線検知素子ウエハ、
１３はコの字型の溝、１４は例えば、Ｃｒ／Ａｕよりな
る金属蒸着膜である。
【０００４】次に、主として図６（ａ）〜（ｃ）を用い
て従来の光導電型の赤外線検知素子の製造方法を説明す
る。
て従来の光導電型の赤外線検知素子の製造方法を説明す
る。
【０００５】はじめに、高抵抗の基板１上にＨｇＣｄＴ
ｅなどの化合物半導体層２をエピタキシャル成長などの
方法により所定の厚さに形成し、赤外線検知素子ウエハ
７を製作する。
ｅなどの化合物半導体層２をエピタキシャル成長などの
方法により所定の厚さに形成し、赤外線検知素子ウエハ
７を製作する。
【０００６】次に、赤外線検知素子ウエハ７をレジスト
をマスクにして写真製版法を用いてエッチングし、図６
（ａ）のようなコの字型の溝１３を形成する。この溝１
３は高抵抗の基板１に達するか、それよりも深く掘るも
のとする。
をマスクにして写真製版法を用いてエッチングし、図６
（ａ）のようなコの字型の溝１３を形成する。この溝１
３は高抵抗の基板１に達するか、それよりも深く掘るも
のとする。
【０００７】続いて、赤外線検知素子ウエハ７に例え
ば、Ｃｒ／Ａｕなどを蒸着し、図６（ｂ）のような形状
（斜線を施した部分）の金属蒸着膜１４を形成する。
ば、Ｃｒ／Ａｕなどを蒸着し、図６（ｂ）のような形状
（斜線を施した部分）の金属蒸着膜１４を形成する。
【０００８】次に、赤外線検知素子ウエハ７をプラズマ
陽極酸化し、第１の保護膜４となる陽極酸化膜８を図６
（ｃ）のように形成する。
陽極酸化し、第１の保護膜４となる陽極酸化膜８を図６
（ｃ）のように形成する。
【０００９】この時、金属蒸着膜１４がマスクとなるの
で、図６（ｂ）で金属蒸着膜１４の外に露出している部
分にのみ、化合物半導体層２の陽極酸化膜８が形成され
る。
で、図６（ｂ）で金属蒸着膜１４の外に露出している部
分にのみ、化合物半導体層２の陽極酸化膜８が形成され
る。
【００１０】以上のように、金属蒸着膜１４をマスクと
して第１の保護膜４となる陽極酸化膜８を選択的に形成
した後、第２の保護膜５となるＺｎＳ膜９を赤外線検知
素子ウエハ７の表面全面に形成する。
して第１の保護膜４となる陽極酸化膜８を選択的に形成
した後、第２の保護膜５となるＺｎＳ膜９を赤外線検知
素子ウエハ７の表面全面に形成する。
【００１１】次に、写真製版法を用いて図６（ｃ）のよ
うに、ＺｎＳ膜９をエッチングし、化合物半導体層２と
金属蒸着膜１４を露出させ、電極孔１０と素子の分割線
１２を形成する。
うに、ＺｎＳ膜９をエッチングし、化合物半導体層２と
金属蒸着膜１４を露出させ、電極孔１０と素子の分割線
１２を形成する。
【００１２】続いて、メタルマスクを用いて電極孔１０
を覆うようにＣｒ／Ａｕを蒸着し電極６を形成し、最後
に、素子の分割線１２に沿ってダイシングソーを用いて
赤外線検知素子ウエハ７を切断し、図４のような赤外線
検知素子を製造する。
を覆うようにＣｒ／Ａｕを蒸着し電極６を形成し、最後
に、素子の分割線１２に沿ってダイシングソーを用いて
赤外線検知素子ウエハ７を切断し、図４のような赤外線
検知素子を製造する。
【００１３】なお、上記従来例における金属蒸着膜１４
は、化合物半導体層２に対するオーミックコンタクト
と、受光面３の遮光マスクと、陽極酸化膜８の形成時の
マスクを兼ねている。
は、化合物半導体層２に対するオーミックコンタクト
と、受光面３の遮光マスクと、陽極酸化膜８の形成時の
マスクを兼ねている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】従来の赤外線検知素子
は、以上のように製造されているので、コの字型の溝１
３の形成後のレジストが十分除去しきれず、金属蒸着膜
１４と化合物半導体層２の界面に残ることがあり、十分
なオーミックコンタクトがとれなくなり、長期間保存・
動作させた場合、徐々にノイズが増加し、性能が劣化す
るという問題点があった。
は、以上のように製造されているので、コの字型の溝１
３の形成後のレジストが十分除去しきれず、金属蒸着膜
１４と化合物半導体層２の界面に残ることがあり、十分
なオーミックコンタクトがとれなくなり、長期間保存・
動作させた場合、徐々にノイズが増加し、性能が劣化す
るという問題点があった。
【００１５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、性能劣化のない赤外線検知素子
の製造方法を提供することを目的としている。
ためになされたもので、性能劣化のない赤外線検知素子
の製造方法を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る赤外線検知
素子の製造方法は、オーミックコンタクトをとるための
１対の第１の金属膜と、受光面以外を遮光するための第
２の金属膜を形成する工程を含むものである。
素子の製造方法は、オーミックコンタクトをとるための
１対の第１の金属膜と、受光面以外を遮光するための第
２の金属膜を形成する工程を含むものである。
【００１７】
【作用】本発明における赤外線検知素子の製造方法は、
汚れのない赤外線検知素子ウエハ上にオーミックコンタ
クトをとるための金属膜を形成できる。
汚れのない赤外線検知素子ウエハ上にオーミックコンタ
クトをとるための金属膜を形成できる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の一実施例について説明する。
図１は本発明の一実施例の赤外線検知素子の構造を示す
平面図、図２は、図１のＩ−Ｉ線による断面図、図３
（ａ）〜（ｄ）は、図１の赤外線検知素子の製造工程を
示す図である。これらの図において、図４〜図６と同一
符号は同一構成部分を示すので、その説明は省略する。
１０１は例えば、Ｃｕ／Ａｕよりなる第１の金属蒸着
膜、１０２は例えば、Ｃｒ／Ａｕよりなる第２の金属蒸
着膜である。
図１は本発明の一実施例の赤外線検知素子の構造を示す
平面図、図２は、図１のＩ−Ｉ線による断面図、図３
（ａ）〜（ｄ）は、図１の赤外線検知素子の製造工程を
示す図である。これらの図において、図４〜図６と同一
符号は同一構成部分を示すので、その説明は省略する。
１０１は例えば、Ｃｕ／Ａｕよりなる第１の金属蒸着
膜、１０２は例えば、Ｃｒ／Ａｕよりなる第２の金属蒸
着膜である。
【００１９】次に、図３（ａ）〜（ｄ）を用いて本発明
の赤外線検知素子の製造方法を説明する。はじめに従来
と同様に高抵抗の基板１上にＨｇＣｄＴｅなどの化合物
半導体層２をエピタキシャル成長などの方法により所定
の厚さに形成し、赤外線検知素子ウエハ７を製作する。
の赤外線検知素子の製造方法を説明する。はじめに従来
と同様に高抵抗の基板１上にＨｇＣｄＴｅなどの化合物
半導体層２をエピタキシャル成長などの方法により所定
の厚さに形成し、赤外線検知素子ウエハ７を製作する。
【００２０】次に、赤外線検知素子ウエハ７にメタルマ
スクを用いた蒸着法または写真製版法により、図３
（ａ）のように１対の第１の金属蒸着膜１０１を形成す
る。この第１の金属蒸着膜１０１は素子完成時、化合物
半導体層２とオーミックコンタクトをとる働きをする。
スクを用いた蒸着法または写真製版法により、図３
（ａ）のように１対の第１の金属蒸着膜１０１を形成す
る。この第１の金属蒸着膜１０１は素子完成時、化合物
半導体層２とオーミックコンタクトをとる働きをする。
【００２１】その後の工程は、図６と同様にして、コの
字型の溝１３を一対の第１の金属蒸着膜１０１の少なく
とも一方を囲むように形成（図３（ｂ）），第２の金属
蒸着膜１０２の形成（図３（ｃ）），第１の保護膜４，
第２の保護膜５の形成，電極６の形成（図３（ｄ））、
さらに、ダイシングの各工程を経て図１に示す赤外線検
知素子が製造される。なお、本実施例では第２の金属蒸
着膜１０２は受光面３の遮光マスクと陽極酸化膜８の形
成時のマスクの役目をしている。
字型の溝１３を一対の第１の金属蒸着膜１０１の少なく
とも一方を囲むように形成（図３（ｂ）），第２の金属
蒸着膜１０２の形成（図３（ｃ）），第１の保護膜４，
第２の保護膜５の形成，電極６の形成（図３（ｄ））、
さらに、ダイシングの各工程を経て図１に示す赤外線検
知素子が製造される。なお、本実施例では第２の金属蒸
着膜１０２は受光面３の遮光マスクと陽極酸化膜８の形
成時のマスクの役目をしている。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
オーミックコンタクトをとるための一対の第１の金属膜
と、受光面以外を遮光するための第２の金属膜を形成す
る工程を含むので、化合物半導体層と金属蒸着膜との界
面にレジスト残渣が残らないので、信頼性の高い赤外線
検知素子が得られる効果がある。
オーミックコンタクトをとるための一対の第１の金属膜
と、受光面以外を遮光するための第２の金属膜を形成す
る工程を含むので、化合物半導体層と金属蒸着膜との界
面にレジスト残渣が残らないので、信頼性の高い赤外線
検知素子が得られる効果がある。
【図１】本発明の一実施例による赤外線検知素子の平面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例による赤外線検知素子のＩ−
Ｉ線による断面図である。
Ｉ線による断面図である。
【図３】本発明の一実施例による赤外線検知素子の製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図４】従来の赤外線検知素子の平面図である。
【図５】従来の赤外線検知素子のII−II線による断面図
である。
である。
【図６】従来の赤外線検知素子の製造工程を示す図であ
る。
る。
１ 高抵抗の基板 ２ 化合物半導体層 ３ 受光面 ４ 第１の保護膜 ５ 第２の保護膜 ６ 電極 ７ 赤外線検知素子ウエハ １３ コの字型の溝 １０１ 第１の金属蒸着膜 １０２ 第２の金属蒸着膜
Claims (1)
- 【請求項１】高抵抗の基板上に赤外線検知素子となる化
合物半導体を形成した赤外線検知素子ウエハ上に、前記
赤外線検知素子ウエハとオーミックコンタクトをとるた
めの一対の第１の金属膜を形成する工程と、前記赤外線
検知素子ウエハ上に少なくとも前記一対の第１の金属膜
の一方を囲み、前記高抵抗の基板に達するかそれよりも
深い深さのコの字型の溝を行列状に形成する工程と、前
記赤外線検知素子ウエハ上の受光面となる領域以外およ
び前記コの字型の溝の底面の内、コの字型の溝に添った
コの字型領域以外に第２の金属膜を形成する工程と、前
記第２の金属膜をマスクとして前記赤外線検知素子ウエ
ハを陽極酸化し、前記受光面の第１の保護膜を形成する
工程と、前記第１の保護膜上にこれを覆うように第２の
保護膜を形成する工程と、前記赤外線検知素子ウエハ上
に、前記第１の保護膜と接触しないように電極および素
子の分割線を形成する工程とを含むことを特徴とする赤
外線検知素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4123441A JP2812059B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4123441A JP2812059B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326905A JPH05326905A (ja) | 1993-12-10 |
| JP2812059B2 true JP2812059B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=14860679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4123441A Expired - Lifetime JP2812059B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2812059B2 (ja) |
-
1992
- 1992-05-15 JP JP4123441A patent/JP2812059B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05326905A (ja) | 1993-12-10 |
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