JPH0449271B2 - - Google Patents
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- JPH0449271B2 JPH0449271B2 JP60219339A JP21933985A JPH0449271B2 JP H0449271 B2 JPH0449271 B2 JP H0449271B2 JP 60219339 A JP60219339 A JP 60219339A JP 21933985 A JP21933985 A JP 21933985A JP H0449271 B2 JPH0449271 B2 JP H0449271B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- infrared sensing
- sensing element
- protective film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光導電現象を利用した赤外線検知
素子の製造方法に関するものである。
素子の製造方法に関するものである。
第４図は従来の光導電型の赤外線検知素子の構
造を示す平面図、第５図はその断面図である。
造を示す平面図、第５図はその断面図である。
これらの図において、１は高抵抗の基板、２は
例えばHgCdTeなどの化合物半導体、３は受光
面、４は前記化合物半導体２の陽極酸化膜により
形成される受光面３の第１の保護膜、５は例えば
ZnSから成る受光面３の第２の保護膜、６は例え
ばInから成る電極である。
例えばHgCdTeなどの化合物半導体、３は受光
面、４は前記化合物半導体２の陽極酸化膜により
形成される受光面３の第１の保護膜、５は例えば
ZnSから成る受光面３の第２の保護膜、６は例え
ばInから成る電極である。
次に、第６図ａ，ｂ，ｃを用いて従来の光導電
型の赤外線検知素子の製造方法について説明す
る。
型の赤外線検知素子の製造方法について説明す
る。
まず、高抵抗の基板１上にHgCdTeなどの化合
物半導体２をエピタキシヤル成長などの方法によ
り所定の厚さに形成し、赤外線検知素子ウエハ
（以下単にウエハという）７を製作する。
物半導体２をエピタキシヤル成長などの方法によ
り所定の厚さに形成し、赤外線検知素子ウエハ
（以下単にウエハという）７を製作する。
次にウエハ７の表面全面に、第１の保護膜４と
なる陽極酸化膜８を、例えばプラズマ陽極酸化に
より形成する。プラズマ陽極酸化は、高周波放電
によつて発生させた酸素プラズマ中に試料を挿入
し、プラズマ内の他の電極に対し試料に正の電圧
を印加して陽極酸化を行う方法である。
なる陽極酸化膜８を、例えばプラズマ陽極酸化に
より形成する。プラズマ陽極酸化は、高周波放電
によつて発生させた酸素プラズマ中に試料を挿入
し、プラズマ内の他の電極に対し試料に正の電圧
を印加して陽極酸化を行う方法である。
次に、第２の保護膜５となるZnS膜９をスパツ
タリングなどの方法により前記陽極酸化膜８の表
面全面に形成する。
タリングなどの方法により前記陽極酸化膜８の表
面全面に形成する。
続いて、前記陽極酸化膜８およびZnS膜９の１
部を写真製版法を用いてエツチングし、第６図ａ
のような電極孔１０をあけ、化合物半導体２を露
出させる。
部を写真製版法を用いてエツチングし、第６図ａ
のような電極孔１０をあけ、化合物半導体２を露
出させる。
次に、メタルマスク等を用い、電極となる材
料、例えば、In膜１１を、第６図ｂのように受光
面３の形成予定領域を除いた部分に蒸着する。
料、例えば、In膜１１を、第６図ｂのように受光
面３の形成予定領域を除いた部分に蒸着する。
その後、製造する素子の形状にあわせ、In膜１
１，ZnS膜９，陽極酸化膜８，化合物半導体２の
１部を写真製版法を用いて高抵抗の基板１に達す
るまでエツチングし、第６図ｃのような素子の分
割線１２を形成する。
１，ZnS膜９，陽極酸化膜８，化合物半導体２の
１部を写真製版法を用いて高抵抗の基板１に達す
るまでエツチングし、第６図ｃのような素子の分
割線１２を形成する。
最後に、ダイシングソーなどを用いて素子の分
割線１２に沿つて個々の素子に切断し、第４図の
ような赤外線検知素子を製造していた。
割線１２に沿つて個々の素子に切断し、第４図の
ような赤外線検知素子を製造していた。
しかし、以上のような従来の方法では、電極孔
１０および素子の分割線１２の形成時に、第１の
保護膜４および第２の保護膜５に亀裂が生じ、赤
外線検知素子を製造することが困難であるという
問題点があつた。これはHgCdTeの陽極酸化膜８
が薬品に対して非常に弱い膜であるため、サイド
エツチングが短い範囲で止まらず、レジストの下
の陽極酸化膜にまでエツチング液がしみ込んでし
まうために起つた問題点である。
１０および素子の分割線１２の形成時に、第１の
保護膜４および第２の保護膜５に亀裂が生じ、赤
外線検知素子を製造することが困難であるという
問題点があつた。これはHgCdTeの陽極酸化膜８
が薬品に対して非常に弱い膜であるため、サイド
エツチングが短い範囲で止まらず、レジストの下
の陽極酸化膜にまでエツチング液がしみ込んでし
まうために起つた問題点である。
この発明は、上記のような問題点を解消するた
めなされたもので、第１の保護膜である陽極酸化
膜を、以後の工程で、レジスト、エツチング液等
の薬品に触れさせることなく、赤外線検知素子を
製造する方法を提供することを目的とする。
めなされたもので、第１の保護膜である陽極酸化
膜を、以後の工程で、レジスト、エツチング液等
の薬品に触れさせることなく、赤外線検知素子を
製造する方法を提供することを目的とする。
この発明に係る赤外線検知素子の製造方法は、
高抵抗の基板上に赤外線検知素子となる化合物半
導体層を形成して製造した赤外線検知素子ウエハ
上に、受光面領域と、少なくとも、前記受光面領
域と連結する一方の電極とを囲み、高抵抗の基板
に達するかそれよりも深い深さの連続する溝を形
成する工程と、前記赤外線検知素子ウエハ上に、
前記溝と受光面の各領域以外の領域を覆う形状の
酸化可能な金属蒸着膜を形成する工程と、前記金
属蒸着膜をマスクとして前記赤外線検知素子ウエ
ハを陽極酸化し、前記受光面領域の第１の保護膜
を形成する工程と、前記第１の保護膜上にこれを
覆うように第２の保護膜を形成する工程と、前記
赤外線検知素子ウエハ上に、第１の保護膜を接触
しないように電極および素子の分割線を形成する
工程とを含むものである。
高抵抗の基板上に赤外線検知素子となる化合物半
導体層を形成して製造した赤外線検知素子ウエハ
上に、受光面領域と、少なくとも、前記受光面領
域と連結する一方の電極とを囲み、高抵抗の基板
に達するかそれよりも深い深さの連続する溝を形
成する工程と、前記赤外線検知素子ウエハ上に、
前記溝と受光面の各領域以外の領域を覆う形状の
酸化可能な金属蒸着膜を形成する工程と、前記金
属蒸着膜をマスクとして前記赤外線検知素子ウエ
ハを陽極酸化し、前記受光面領域の第１の保護膜
を形成する工程と、前記第１の保護膜上にこれを
覆うように第２の保護膜を形成する工程と、前記
赤外線検知素子ウエハ上に、第１の保護膜を接触
しないように電極および素子の分割線を形成する
工程とを含むものである。
この発明においては、溝と金属蒸着膜の作用に
より、第１の保護膜である陽極酸化膜が選択的に
形成されるので、以後の工程で陽極酸化膜をエツ
チング液等の薬品に触れさせることなく、電極
孔，素子の分割線を形成することができる。
より、第１の保護膜である陽極酸化膜が選択的に
形成されるので、以後の工程で陽極酸化膜をエツ
チング液等の薬品に触れさせることなく、電極
孔，素子の分割線を形成することができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す光導電型の
赤外線検知素子の構造を示す平面図、第２図はそ
の断面図であり、第３図ａ，ｂ，ｃはこの発明に
よる赤外線検知素子の製造工程を示す図である。
赤外線検知素子の構造を示す平面図、第２図はそ
の断面図であり、第３図ａ，ｂ，ｃはこの発明に
よる赤外線検知素子の製造工程を示す図である。
これらの図において、１〜１０，１２は前記第
４図〜第６図に示したものと同じものであり、１
３はコの字型の溝、１４は金属蒸着膜である。コ
の字型の溝１３は受光面３の形成予定領域と片方
の電極６の形成予定領域を囲むように形成されて
いる。
４図〜第６図に示したものと同じものであり、１
３はコの字型の溝、１４は金属蒸着膜である。コ
の字型の溝１３は受光面３の形成予定領域と片方
の電極６の形成予定領域を囲むように形成されて
いる。
以下、第３図を用いて、この発明における赤外
線検知素子の製造方法について説明する。
線検知素子の製造方法について説明する。
はじめに、従来例と同様に、高抵抗の基板１上
にHgCdTeなどの化合物半導体２をエピタキシヤ
ル成長などの方法により所定の厚さに形成し、ウ
エハ７を製作する。
にHgCdTeなどの化合物半導体２をエピタキシヤ
ル成長などの方法により所定の厚さに形成し、ウ
エハ７を製作する。
次に、ウエハ７を写真製版法を用いてエツチン
グし、第３図ａのようなコの字型の溝１３を形成
する。コの字型の溝１３は高抵抗の基板１に達す
るか、それよりも深く掘るものとする。
グし、第３図ａのようなコの字型の溝１３を形成
する。コの字型の溝１３は高抵抗の基板１に達す
るか、それよりも深く掘るものとする。
続いて、ウエハ７に、例えばInなどを蒸着し、
第３図ｂのような形状の金属蒸着膜１４を形成す
る。
第３図ｂのような形状の金属蒸着膜１４を形成す
る。
次に、従来例と同様にウエハ７をプラズマ陽極
酸化し、第１の保護膜４となる陽極酸化膜８を形
成する。
酸化し、第１の保護膜４となる陽極酸化膜８を形
成する。
この時、金属蒸着膜１４がマスクとなるので、
第３図ｂで金属蒸着膜１４の外に露出している部
分にのみ、化合物半導体２の陽極酸化膜８が形成
される。
第３図ｂで金属蒸着膜１４の外に露出している部
分にのみ、化合物半導体２の陽極酸化膜８が形成
される。
なお、陽極酸化のはじめの段階では、陽極酸化
電流は主に抵抗の小さい金属蒸着膜１４を通つて
流れ、化合物半導体２はほとんど陽極酸化されな
い。しかし、この例のInのように酸化され易い金
属を用いれば、表面に絶縁酸化膜ができ陽極酸化
電流は化合物半導体２を通つて流れるようになる
ので、化合物半導体２の陽極酸化膜８を容易に形
成できる。
電流は主に抵抗の小さい金属蒸着膜１４を通つて
流れ、化合物半導体２はほとんど陽極酸化されな
い。しかし、この例のInのように酸化され易い金
属を用いれば、表面に絶縁酸化膜ができ陽極酸化
電流は化合物半導体２を通つて流れるようになる
ので、化合物半導体２の陽極酸化膜８を容易に形
成できる。
また金属蒸着膜１４がすべて酸化されたとして
も、陽極酸化電流は金属蒸着膜１４の化合物半導
体２を通つてプラズマ陽極酸化装置の電極に達す
るので、陽極酸化膜８の形成に支障はない。
も、陽極酸化電流は金属蒸着膜１４の化合物半導
体２を通つてプラズマ陽極酸化装置の電極に達す
るので、陽極酸化膜８の形成に支障はない。
以上のように、金属蒸着膜１４をマスクとして
第１の保護膜４となる陽極酸化膜８を選択的に形
成した後、第２の保護膜５となるZnS膜９をスパ
ツタリングによりウエハ７の表面全面に形成す
る。
第１の保護膜４となる陽極酸化膜８を選択的に形
成した後、第２の保護膜５となるZnS膜９をスパ
ツタリングによりウエハ７の表面全面に形成す
る。
次に、写真製版法を用いて第３図ｃのように、
ZnS膜９とInの金属蒸着膜１４をエツチングし、
化合物半導体２を露出させ、電極孔１０と素子の
分割線１２を形成する。この時、第３図ｃからわ
かるように陽極酸化膜８とエツチング液が接触す
ることなく電極孔１０、素子の分割線１２を形成
できるので、従来例のような問題はおこらない。
ZnS膜９とInの金属蒸着膜１４をエツチングし、
化合物半導体２を露出させ、電極孔１０と素子の
分割線１２を形成する。この時、第３図ｃからわ
かるように陽極酸化膜８とエツチング液が接触す
ることなく電極孔１０、素子の分割線１２を形成
できるので、従来例のような問題はおこらない。
続いて、メタルマスクを用いて電極孔１０を覆
うようにInを蒸着し電極６を形成し、最後に、素
子の分割線１２に沿つてダイシングソーを用いて
ウエハ７を切断し、第１図のような赤外線検知素
子を製造する。
うようにInを蒸着し電極６を形成し、最後に、素
子の分割線１２に沿つてダイシングソーを用いて
ウエハ７を切断し、第１図のような赤外線検知素
子を製造する。
なお、上記実施例では、電極孔１０の形成時に
Inの金属蒸着膜１４もエツチングしたが、ZnS膜
９のみを選択的にエツチングし、露出した蒸着膜
を電極とすることもできる。
Inの金属蒸着膜１４もエツチングしたが、ZnS膜
９のみを選択的にエツチングし、露出した蒸着膜
を電極とすることもできる。
また上記実施例では最後に各素子に分割し単素
子型赤外線検知素子を作つたが、数個おきに分割
すればアレイ型素子あるいはマトリツクス型素子
を作ることもできる。 さらに、上記実施例で
は、コの字型の溝１３を形成し、単素子型赤外線
検知素子を作つたが、例えば、櫛型の溝を作成
し、櫛のすき間ひとつを１素子とするアレイ型素
子を作ることもできる。
子型赤外線検知素子を作つたが、数個おきに分割
すればアレイ型素子あるいはマトリツクス型素子
を作ることもできる。 さらに、上記実施例で
は、コの字型の溝１３を形成し、単素子型赤外線
検知素子を作つたが、例えば、櫛型の溝を作成
し、櫛のすき間ひとつを１素子とするアレイ型素
子を作ることもできる。
この発明は以上説明したとおり、赤外線検知素
子ウエハ上に、受光面領域と、少なくとも、前記
受光面領域と連結する一方の電極とを囲み、高抵
抗の基板に達するかそれよりも深い深さの連続す
る溝を形成するとともに、前記溝と受光面の各領
域以外の領域を覆う形状の酸化可能な金属蒸着膜
を形成し、その金属蒸着膜をマスクとしてウエハ
を陽極酸化して前記受光面領域の第１の保護膜を
形成し、その後、第１の保護膜を覆うように第２
の保護膜を形成するようにしたので、第１の保護
膜である陽極酸化膜を薬品に接触させることなく
素子を製造できるため、素子の歩留りが向上する
という優れた効果を有する。
子ウエハ上に、受光面領域と、少なくとも、前記
受光面領域と連結する一方の電極とを囲み、高抵
抗の基板に達するかそれよりも深い深さの連続す
る溝を形成するとともに、前記溝と受光面の各領
域以外の領域を覆う形状の酸化可能な金属蒸着膜
を形成し、その金属蒸着膜をマスクとしてウエハ
を陽極酸化して前記受光面領域の第１の保護膜を
形成し、その後、第１の保護膜を覆うように第２
の保護膜を形成するようにしたので、第１の保護
膜である陽極酸化膜を薬品に接触させることなく
素子を製造できるため、素子の歩留りが向上する
という優れた効果を有する。
第１図はこの発明の一実施例による光導電型の
赤外線検知素子の構造を示す平面図、第２図は第
１図の−線による断面図、第３図ａ〜ｃはこ
の発明による赤外線検知素子の製造工程を示す
図、第４図は従来の光導電型の赤外線検知素子の
構造を示す平面図、第５図は第４図の−線に
よる断面図、第６図ａ〜ｃは従来の赤外線検知素
子の製造工程を示す図である。 図において、１は高抵抗の基板、２は化合物半
導体、３は受光面、４は第１の保護膜、５は第２
の保護膜、６は電極、７はウエハ、１２は素子の
分割線、１３はコの字型の溝、１４は金属蒸着膜
である。なお、各図中の同一符号は同一または相
当部分を示す。
赤外線検知素子の構造を示す平面図、第２図は第
１図の−線による断面図、第３図ａ〜ｃはこ
の発明による赤外線検知素子の製造工程を示す
図、第４図は従来の光導電型の赤外線検知素子の
構造を示す平面図、第５図は第４図の−線に
よる断面図、第６図ａ〜ｃは従来の赤外線検知素
子の製造工程を示す図である。 図において、１は高抵抗の基板、２は化合物半
導体、３は受光面、４は第１の保護膜、５は第２
の保護膜、６は電極、７はウエハ、１２は素子の
分割線、１３はコの字型の溝、１４は金属蒸着膜
である。なお、各図中の同一符号は同一または相
当部分を示す。
Claims (1)
- １ 高抵抗の基板上に赤外線検知素子となる化合
物半導体層を形成して製造した赤外線検知素子ウ
エハ上に、受光面領域と、少なくとも、前記受光
面領域と連結する一方の電極とを囲み、高抵抗の
基板に達するかそれよりも深い深さの連続する溝
を形成する工程と、前記赤外線検知素子ウエハ上
に、前記溝と受光面の各領域以外の領域を覆う形
状の酸化可能な金属蒸着膜を形成する工程と、前
記金属蒸着膜をマスクとして前記赤外線検知素子
ウエハを陽極酸化し、前記受光面領域の第１の保
護膜を形成する工程と、前記第１の保護膜上にこ
れを覆うように第２の保護膜を形成する工程と、
前記赤外線検知素子ウエハ上に、第１の保護膜と
接触しないように電極および素子の分割線を形成
する工程とを含むことを特徴とする赤外線検知素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219339A JPS6290981A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219339A JPS6290981A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6290981A JPS6290981A (ja) | 1987-04-25 |
| JPH0449271B2 true JPH0449271B2 (ja) | 1992-08-11 |
Family
ID=16733903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219339A Granted JPS6290981A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6290981A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101208617A (zh) * | 2005-05-16 | 2008-06-25 | Ⅱ-Ⅵ有限公司 | 高性能CdxZn1－xTe X射线和γ射线辐射检测器及其制造方法 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219339A patent/JPS6290981A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6290981A (ja) | 1987-04-25 |
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