JP2852837B2 - 光走査装置 - Google Patents
光走査装置Info
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- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/47—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light
- B41J2/471—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light using dot sequential main scanning by means of a light deflector, e.g. a rotating polygonal mirror
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光走査装置に関し、特に
詳細には、光導波路の上に格子状電極が形成されてな
り、この格子状電極への電圧印加状態に応じて導波光を
選択的に回折させる導波路型電気光学素子を備え、この
素子により光ビームを変調したり、あるいはその光路を
切り換えるようにした光走査装置に関するものである。
詳細には、光導波路の上に格子状電極が形成されてな
り、この格子状電極への電圧印加状態に応じて導波光を
選択的に回折させる導波路型電気光学素子を備え、この
素子により光ビームを変調したり、あるいはその光路を
切り換えるようにした光走査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光ビームを画像信号に基づい
て変調するとともに、この変調された光ビームを例えば
感光記録材料上において主、副走査させることにより、
上記画像信号が担持する画像をこの記録材料に記録する
光走査記録装置が公知となっている。また、画像が記録
されている記録材料を光ビームで主、副走査し、そのと
きの記録材料からの反射光、透過光あるいは発光光を検
出することにより、上記記録材料に記録されている画像
を読み取る光走査読取装置も公知となっている。
て変調するとともに、この変調された光ビームを例えば
感光記録材料上において主、副走査させることにより、
上記画像信号が担持する画像をこの記録材料に記録する
光走査記録装置が公知となっている。また、画像が記録
されている記録材料を光ビームで主、副走査し、そのと
きの記録材料からの反射光、透過光あるいは発光光を検
出することにより、上記記録材料に記録されている画像
を読み取る光走査読取装置も公知となっている。
【０００３】この種の光走査装置においては、光ビーム
の変調や、あるいはその光路の切換えが必要となること
があるが、そのために、例えば特開平２−９３１号公報
に示されるような導波路型電気光学素子を使用すること
も提案されている。この導波路型電気光学素子は、電気
光学効果を有する光導波路と、その上に形成されて該光
導波路に電気光学的回折格子（Electro-Optic Gratig）
を形成する格子状電極（以下ＥＯＧ電極と称する）と、
このＥＯＧ電極に電圧を印加する駆動回路とからなり、
上記光導波路を導波する導波光を、ＥＯＧ電極への電圧
印加状態に応じて選択的に回折させるようにしたもので
ある。
の変調や、あるいはその光路の切換えが必要となること
があるが、そのために、例えば特開平２−９３１号公報
に示されるような導波路型電気光学素子を使用すること
も提案されている。この導波路型電気光学素子は、電気
光学効果を有する光導波路と、その上に形成されて該光
導波路に電気光学的回折格子（Electro-Optic Gratig）
を形成する格子状電極（以下ＥＯＧ電極と称する）と、
このＥＯＧ電極に電圧を印加する駆動回路とからなり、
上記光導波路を導波する導波光を、ＥＯＧ電極への電圧
印加状態に応じて選択的に回折させるようにしたもので
ある。
【０００４】このような導波路型電気光学素子を用いれ
ば、回折光と非回折光（０次光）のいずれか一方を走査
光としたとき、その走査光を回折の有無あるいは程度に
応じて変調することができる。また、上記回折の有無に
応じて導波光の光路を切り換える光スイッチを構成する
こともできる。
ば、回折光と非回折光（０次光）のいずれか一方を走査
光としたとき、その走査光を回折の有無あるいは程度に
応じて変調することができる。また、上記回折の有無に
応じて導波光の光路を切り換える光スイッチを構成する
こともできる。
【０００５】通常、この種の導波路型電気光学素子にお
いては、ＥＯＧ電極による光散乱や光吸収を避けるため
に、ＥＯＧ電極と光導波路との間にＳｉＯ2 などからな
るバッファ層を形成することが必要である。
いては、ＥＯＧ電極による光散乱や光吸収を避けるため
に、ＥＯＧ電極と光導波路との間にＳｉＯ2 などからな
るバッファ層を形成することが必要である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
なバッファ層を設けた導波路型電気光学素子において
は、いわゆるＤＣドリフトすなわち、印加電圧対回折効
率の特性が電圧を加えるのに従って変動する現象が生じ
やすいことが認められている。
なバッファ層を設けた導波路型電気光学素子において
は、いわゆるＤＣドリフトすなわち、印加電圧対回折効
率の特性が電圧を加えるのに従って変動する現象が生じ
やすいことが認められている。
【０００７】光走査装置に適用された導波路型電気光学
素子においてこのようなＤＣドリフトが生じると、それ
によって走査光量が変動するので、画像記録あるいは画
像読取りが不正になされてしまう。
素子においてこのようなＤＣドリフトが生じると、それ
によって走査光量が変動するので、画像記録あるいは画
像読取りが不正になされてしまう。
【０００８】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、導波路型電気光学素子のＤＣドリフトに
よる走査光量変動を防止することができる光走査装置を
提供することを目的とするものである。
たものであり、導波路型電気光学素子のＤＣドリフトに
よる走査光量変動を防止することができる光走査装置を
提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による導波路型電
気光学素子は、先に述べた通りの光導波路と、ＥＯＧ電
極と、そこに電圧を印加する駆動回路とからなる導波路
型電気光学素子、および上記光導波路から出射した光ビ
ームを記録材料上において主、副走査させる走査手段と
を有する光走査装置において、光ビームが記録材料に対
する有効走査領域から外れている期間に、所定範囲で掃
引する電圧を上記ＥＯＧ電極に印加する電圧掃引手段
と、上記有効走査領域から外れている光ビームの光量を
検出する光検出器と、上記掃引する電圧がＥＯＧ電極に
印加された際に、上記光検出器の出力に基づいて、導波
光の回折効率が最低となるオフセット電圧ＶOFF を求
め、光ビームが有効走査領域を走査する期間に、上記駆
動回路による駆動電圧にこのオフセット電圧ＶOFF を加
える補正手段とが設けられたことを特徴とするものであ
る。
気光学素子は、先に述べた通りの光導波路と、ＥＯＧ電
極と、そこに電圧を印加する駆動回路とからなる導波路
型電気光学素子、および上記光導波路から出射した光ビ
ームを記録材料上において主、副走査させる走査手段と
を有する光走査装置において、光ビームが記録材料に対
する有効走査領域から外れている期間に、所定範囲で掃
引する電圧を上記ＥＯＧ電極に印加する電圧掃引手段
と、上記有効走査領域から外れている光ビームの光量を
検出する光検出器と、上記掃引する電圧がＥＯＧ電極に
印加された際に、上記光検出器の出力に基づいて、導波
光の回折効率が最低となるオフセット電圧ＶOFF を求
め、光ビームが有効走査領域を走査する期間に、上記駆
動回路による駆動電圧にこのオフセット電圧ＶOFF を加
える補正手段とが設けられたことを特徴とするものであ
る。
【００１０】
【作用】上述の導波路型電気光学素子においてＤＣドリ
フトが生じなければ、ＥＯＧ電極に印加される駆動電圧
Ｖと回折効率ηとの関係は本来、 η＝ｓｉｎ2 （Ａ・Ｎeff ＬＶ／λ） となる。なお、Ａは定数、Ｎeff は光導波路の実効屈折
率、ＬはＥＯＧ電極長、λは光波長である。これをグラ
フで示すと、図５の曲線ａとなる。
フトが生じなければ、ＥＯＧ電極に印加される駆動電圧
Ｖと回折効率ηとの関係は本来、 η＝ｓｉｎ2 （Ａ・Ｎeff ＬＶ／λ） となる。なお、Ａは定数、Ｎeff は光導波路の実効屈折
率、ＬはＥＯＧ電極長、λは光波長である。これをグラ
フで示すと、図５の曲線ａとなる。
【００１１】したがって、印加電圧Ｖがゼロのとき回折
効率ηもゼロとなり、光ビームの変調や光路切換えのた
めの駆動電圧制御も、このことを前提にしてなされる。
つまり、例えば回折光を走査光としてそれをON-OFF変調
する場合は、通常、印加電圧Ｖをゼロにして走査光量を
ゼロ、印加電圧ＶをＶπにして走査光量を最大回折効率
ηmax により得られる最大値に設定する。
効率ηもゼロとなり、光ビームの変調や光路切換えのた
めの駆動電圧制御も、このことを前提にしてなされる。
つまり、例えば回折光を走査光としてそれをON-OFF変調
する場合は、通常、印加電圧Ｖをゼロにして走査光量を
ゼロ、印加電圧ＶをＶπにして走査光量を最大回折効率
ηmax により得られる最大値に設定する。
【００１２】ところが、前述のＤＣドリフトが生じて、
印加電圧対回折効率特性が図５において横軸方向に動い
て、曲線ｂのように変化した場合は、印加電圧Ｖをゼロ
にしても回折効率ηはゼロにならないでη1 の値を取
り、一方印加電圧ＶをＶπに設定したとき回折効率ηは
上記η1 の値とさほど変わらないη2 の値を取ることに
なり、所望のON-OFF変調を行なうことが不可能となる。
印加電圧対回折効率特性が図５において横軸方向に動い
て、曲線ｂのように変化した場合は、印加電圧Ｖをゼロ
にしても回折効率ηはゼロにならないでη1 の値を取
り、一方印加電圧ＶをＶπに設定したとき回折効率ηは
上記η1 の値とさほど変わらないη2 の値を取ることに
なり、所望のON-OFF変調を行なうことが不可能となる。
【００１３】そこで、光ビームが記録材料に対する有効
走査領域から外れている期間に回折効率ηが最低となる
オフセット電圧ＶOFF を求めておき、有効走査期間にお
いて本来設定すべき印加電圧つまり０（ゼロ）とＶπに
それぞれこの値ＶOFF を加えると、結局、図５の曲線ａ
で示される特性の下に印加電圧０（ゼロ）とＶπを設定
しているのと同じことになり、ＤＣドリフトの影響を排
除できることになる。
走査領域から外れている期間に回折効率ηが最低となる
オフセット電圧ＶOFF を求めておき、有効走査期間にお
いて本来設定すべき印加電圧つまり０（ゼロ）とＶπに
それぞれこの値ＶOFF を加えると、結局、図５の曲線ａ
で示される特性の下に印加電圧０（ゼロ）とＶπを設定
しているのと同じことになり、ＤＣドリフトの影響を排
除できることになる。
【００１４】以上、走査光をON-OFF変調する場合を例に
挙げて説明したが、走査光を図５の曲線ａで示される特
性の下に回折効率に応じて連続的に変調する場合や、さ
らには回折の有無によって導波光の光路を切り換えるよ
うな場合も事情は同じであり、上記のようにしてＤＣド
リフトの影響を排除可能である。
挙げて説明したが、走査光を図５の曲線ａで示される特
性の下に回折効率に応じて連続的に変調する場合や、さ
らには回折の有無によって導波光の光路を切り換えるよ
うな場合も事情は同じであり、上記のようにしてＤＣド
リフトの影響を排除可能である。
【００１５】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は本発明の一実施例による光走査
装置を示すものであり、図２および３は、この光走査装
置において用いられた導波路型電気光学素子１を示して
いる。
詳細に説明する。図１は本発明の一実施例による光走査
装置を示すものであり、図２および３は、この光走査装
置において用いられた導波路型電気光学素子１を示して
いる。
【００１６】図１に示されるように、例えばＨｅ−Ｎｅ
レーザー等のレーザー光源21からは、光ビーム20が射出
される。この光ビーム20は導波路型電気光学素子１にお
いて後述するようにして画像信号Ｓに基づいてON-OFF変
調される。変調された光ビーム20Ａは、主走査手段とし
てのポリゴンミラー（回転多面鏡）22に入射して反射偏
向され、例えばｆθレンズからなる走査レンズ23を通過
した後、円筒状プラテン24に保持された感光材料25上で
収束しつつ、そこを矢印Ｘ方向に主走査する。円筒状プ
ラテン24は、それとともに副走査手段を構成するモータ
26により矢印Ｙ方向に回転する。以上により感光材料25
は、変調された光ビーム20Ａによって２次元的に走査さ
れ、そこには画像信号Ｓが担持する２値画像が記録され
る。
レーザー等のレーザー光源21からは、光ビーム20が射出
される。この光ビーム20は導波路型電気光学素子１にお
いて後述するようにして画像信号Ｓに基づいてON-OFF変
調される。変調された光ビーム20Ａは、主走査手段とし
てのポリゴンミラー（回転多面鏡）22に入射して反射偏
向され、例えばｆθレンズからなる走査レンズ23を通過
した後、円筒状プラテン24に保持された感光材料25上で
収束しつつ、そこを矢印Ｘ方向に主走査する。円筒状プ
ラテン24は、それとともに副走査手段を構成するモータ
26により矢印Ｙ方向に回転する。以上により感光材料25
は、変調された光ビーム20Ａによって２次元的に走査さ
れ、そこには画像信号Ｓが担持する２値画像が記録され
る。
【００１７】次に、導波路型電気光学素子１による光ビ
ーム20Ａの変調について、図２および図３を参照して説
明する。この導波路型電気光学素子は、ＬｉＮｂＯ3 基
板10上に形成された薄膜光導波路11と、その上に形成さ
れたＳｉＯ2 膜からなるバッファ層12と、このバッファ
層12の上に形成されたＥＯＧ電極13と、このＥＯＧ電極
13を間において互いに離れる状態で光導波路11の表面に
形成された光入力用線状回折格子（Linear Grating Co
upler ：以下ＬＧＣと称する）14および光出力用ＬＧＣ
15と、上記ＥＯＧ電極13に所定の電圧を印加する駆動回
路16とを有している。
ーム20Ａの変調について、図２および図３を参照して説
明する。この導波路型電気光学素子は、ＬｉＮｂＯ3 基
板10上に形成された薄膜光導波路11と、その上に形成さ
れたＳｉＯ2 膜からなるバッファ層12と、このバッファ
層12の上に形成されたＥＯＧ電極13と、このＥＯＧ電極
13を間において互いに離れる状態で光導波路11の表面に
形成された光入力用線状回折格子（Linear Grating Co
upler ：以下ＬＧＣと称する）14および光出力用ＬＧＣ
15と、上記ＥＯＧ電極13に所定の電圧を印加する駆動回
路16とを有している。
【００１８】前記レーザー光源21は、平行光である光ビ
ーム20が、基板10の斜めにカットされた端面10ａを通過
し、光導波路11を透過してＬＧＣ14の部分に入射するよ
うに配置されている。それにより、光ビーム20はこのＬ
ＧＣ14で回折して光導波路11内に入射し、該光導波路11
を導波モードで矢印Ａ方向に進行する。
ーム20が、基板10の斜めにカットされた端面10ａを通過
し、光導波路11を透過してＬＧＣ14の部分に入射するよ
うに配置されている。それにより、光ビーム20はこのＬ
ＧＣ14で回折して光導波路11内に入射し、該光導波路11
を導波モードで矢印Ａ方向に進行する。
【００１９】この光ビーム（導波光）20は、ＥＯＧ電極
13に対応する部分を通って導波するが、ＥＯＧ電極13に
電圧が印加されていない状態では、この導波光20は直進
する。一方、ＥＯＧ電極13に駆動回路16から所定の電圧
が印加されると、電気光学効果を有する光導波路11の屈
折率が変化して光導波路11に回折格子が形成され、導波
光20はその回折格子により回折する。以上のようにして
回折した光ビーム20Ａおよび回折しない光ビーム20Ｂ
は、ＬＧＣ15において基板10側に回折し、この基板10の
斜めにカットされた端面10ｂから素子外に出射する。
13に対応する部分を通って導波するが、ＥＯＧ電極13に
電圧が印加されていない状態では、この導波光20は直進
する。一方、ＥＯＧ電極13に駆動回路16から所定の電圧
が印加されると、電気光学効果を有する光導波路11の屈
折率が変化して光導波路11に回折格子が形成され、導波
光20はその回折格子により回折する。以上のようにして
回折した光ビーム20Ａおよび回折しない光ビーム20Ｂ
は、ＬＧＣ15において基板10側に回折し、この基板10の
斜めにカットされた端面10ｂから素子外に出射する。
【００２０】そこでこの素子外に出射した光ビーム20Ａ
を走査光とすれば、前記駆動回路１６による電圧印加の
有無に応じてこの光ビーム２０Ａを変調することができ
る。本実施例では、画像信号Ｓを受けた変調回路30（図
１参照）が、この画像信号Ｓに応じて上記印加電圧Ｖを
ゼロ、あるいは最大回折効率ηmax を得るＶπ（図５参
照）の一方に選択的に設定する変調信号Ｍを出力し、こ
の変調信号Ｍが駆動回路16に入力されることにより、光
ビーム20Ａが画像信号Ｓに基づいてON-OFF変調される。
を走査光とすれば、前記駆動回路１６による電圧印加の
有無に応じてこの光ビーム２０Ａを変調することができ
る。本実施例では、画像信号Ｓを受けた変調回路30（図
１参照）が、この画像信号Ｓに応じて上記印加電圧Ｖを
ゼロ、あるいは最大回折効率ηmax を得るＶπ（図５参
照）の一方に選択的に設定する変調信号Ｍを出力し、こ
の変調信号Ｍが駆動回路16に入力されることにより、光
ビーム20Ａが画像信号Ｓに基づいてON-OFF変調される。
【００２１】次に、導波路型電気光学素子１におけるＤ
Ｃドリフトの影響を排除する点について説明する。本実
施例の装置において、記録材料としての感光材料25に対
する有効走査領域は、図１においてＷ１で示す領域であ
るが、ポリゴンミラー22による走査領域はこの領域Ｗ１
よりもさらに外側に走査領域（空き領域）Ｗ２が形成さ
れるように広く設定されている。そして円筒状プラテン
24の側方には、上記空き領域Ｗ２のうちの一部の領域に
おいて光ビーム20Ａの光量を連続的に検出可能な、比較
的広い受光面を有する例えば光電子増倍管等の光検出器
32が配されている。
Ｃドリフトの影響を排除する点について説明する。本実
施例の装置において、記録材料としての感光材料25に対
する有効走査領域は、図１においてＷ１で示す領域であ
るが、ポリゴンミラー22による走査領域はこの領域Ｗ１
よりもさらに外側に走査領域（空き領域）Ｗ２が形成さ
れるように広く設定されている。そして円筒状プラテン
24の側方には、上記空き領域Ｗ２のうちの一部の領域に
おいて光ビーム20Ａの光量を連続的に検出可能な、比較
的広い受光面を有する例えば光電子増倍管等の光検出器
32が配されている。
【００２２】一方駆動回路16には、この駆動回路16とと
もに電圧掃引手段を構成するマイクロコンピュータ31か
ら、ＥＯＧ電極13への印加電圧Ｖを所定の値Ｖ1 とＶ2
との間で掃引させる信号Ｎが入力される。この信号Ｎの
入力タイミングは、光ビーム20Ａが上記光検出器32によ
って受光される期間内に、上記の電圧掃引がなされるよ
うに設定される。また上記電圧Ｖ1 からＶ2 の範囲は、
印加電圧Ｖ対回折効率ηの特性が本来の特性（図５の曲
線ａ）から最大で図５の曲線ｂのように変動するものと
想定したとき、回折効率η＝０となるオフセット電圧Ｖ
OFF を含む範囲とされる。そのような電圧Ｖ1 とＶ2 の
値は、実験あるいは経験に基づいて求めることができ
る。
もに電圧掃引手段を構成するマイクロコンピュータ31か
ら、ＥＯＧ電極13への印加電圧Ｖを所定の値Ｖ1 とＶ2
との間で掃引させる信号Ｎが入力される。この信号Ｎの
入力タイミングは、光ビーム20Ａが上記光検出器32によ
って受光される期間内に、上記の電圧掃引がなされるよ
うに設定される。また上記電圧Ｖ1 からＶ2 の範囲は、
印加電圧Ｖ対回折効率ηの特性が本来の特性（図５の曲
線ａ）から最大で図５の曲線ｂのように変動するものと
想定したとき、回折効率η＝０となるオフセット電圧Ｖ
OFF を含む範囲とされる。そのような電圧Ｖ1 とＶ2 の
値は、実験あるいは経験に基づいて求めることができ
る。
【００２３】印加電圧Ｖが上述のように掃引されると、
それに応じて回折効率ηが変化するので、光検出器32の
出力信号Ｑは図４に示すように変化する。なおこの図４
において、時間Ｔ1 ，Ｔ2 はそれぞれ、印加電圧ＶがＶ
1 ，Ｖ2 とされた時点である。この光検出器32が出力す
る光検出信号Ｑは、補正手段をも兼ねるマイクロコンピ
ュータ31に入力される。
それに応じて回折効率ηが変化するので、光検出器32の
出力信号Ｑは図４に示すように変化する。なおこの図４
において、時間Ｔ1 ，Ｔ2 はそれぞれ、印加電圧ＶがＶ
1 ，Ｖ2 とされた時点である。この光検出器32が出力す
る光検出信号Ｑは、補正手段をも兼ねるマイクロコンピ
ュータ31に入力される。
【００２４】マイクロコンピュータ31は、この光検出信
号Ｑが最小値を取った時点、つまり回折効率ηがゼロと
なった時点の印加電圧Ｖの値を求める。この印加電圧Ｖ
の値はすなわち、図５に示したオフセット電圧ＶOFF で
ある。そしてマイクロコンピュータ31は、次に光ビーム
20Ａが有効走査領域Ｗ１を走査する期間、駆動回路16に
対して、印加電圧Ｖの値を一様に上記ＶOFF の値だけか
さ上げさせる補正信号Ｒを入力する。
号Ｑが最小値を取った時点、つまり回折効率ηがゼロと
なった時点の印加電圧Ｖの値を求める。この印加電圧Ｖ
の値はすなわち、図５に示したオフセット電圧ＶOFF で
ある。そしてマイクロコンピュータ31は、次に光ビーム
20Ａが有効走査領域Ｗ１を走査する期間、駆動回路16に
対して、印加電圧Ｖの値を一様に上記ＶOFF の値だけか
さ上げさせる補正信号Ｒを入力する。
【００２５】つまり、変調信号Ｍに基づく印加電圧Ｖの
値が図６の(1) に示すようなものであるとすると、補正
信号Ｒにより、実際にＥＯＧ電極13に印加される電圧は
同図の(2) に示すようなものとなる。このような補正が
なされることにより、ＤＣドリフトの影響が除かれ、光
ビーム20Ａの光量は必ずゼロか、あるいは最大回折効率
ηmax による最大値を取るようになる。その理由は、先
に詳しく説明した通りである。
値が図６の(1) に示すようなものであるとすると、補正
信号Ｒにより、実際にＥＯＧ電極13に印加される電圧は
同図の(2) に示すようなものとなる。このような補正が
なされることにより、ＤＣドリフトの影響が除かれ、光
ビーム20Ａの光量は必ずゼロか、あるいは最大回折効率
ηmax による最大値を取るようになる。その理由は、先
に詳しく説明した通りである。
【００２６】なお以上説明した実施例においては、各主
走査毎にＤＣドリフトの影響を除く補正がなされるが、
ＤＣドリフトによるゼロ点移動は比較的長い時間（数秒
〜数分）をかけてゆっくりと起きるので、主走査を何回
か行なう毎に１回上記補正を行なうようにしてもよい。
また、主走査の空き領域に限らず、副走査の空き領域を
利用して、１画像を記録する毎に１回だけ上記の補正を
行なうようにしてもよい。
走査毎にＤＣドリフトの影響を除く補正がなされるが、
ＤＣドリフトによるゼロ点移動は比較的長い時間（数秒
〜数分）をかけてゆっくりと起きるので、主走査を何回
か行なう毎に１回上記補正を行なうようにしてもよい。
また、主走査の空き領域に限らず、副走査の空き領域を
利用して、１画像を記録する毎に１回だけ上記の補正を
行なうようにしてもよい。
【００２７】また本発明は画像記録装置のみならず、光
走査を行なう画像読取装置に対しても、さらには導波路
型電気光学素子によって光路を切り換えるように構成し
た光走査装置に対しても同様に適用可能である。
走査を行なう画像読取装置に対しても、さらには導波路
型電気光学素子によって光路を切り換えるように構成し
た光走査装置に対しても同様に適用可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上詳細に説明した通り本発明の光走査
装置においては、光ビームが記録材料に対する有効走査
領域から外れている期間に、所定範囲で掃引する電圧を
ＥＯＧ電極に印加する電圧掃引手段と、有効走査領域か
ら外れている光ビームの光量を検出する光検出器と、上
記の掃引電圧がＥＯＧ電極に印加された際に、上記光検
出器の出力に基づいて、導波光の回折効率が最低となる
オフセット電圧ＶOFF を求め、光ビームが有効走査領域
を走査する期間に、ＥＯＧ電極駆動電圧にこのオフセッ
ト電圧ＶOFF を加える補正手段とを設けたことにより、
導波路型電気光学素子のＤＣドリフトの影響を除いて、
画像記録やあるいは画像読取りを正しく行なうことが可
能となる。
装置においては、光ビームが記録材料に対する有効走査
領域から外れている期間に、所定範囲で掃引する電圧を
ＥＯＧ電極に印加する電圧掃引手段と、有効走査領域か
ら外れている光ビームの光量を検出する光検出器と、上
記の掃引電圧がＥＯＧ電極に印加された際に、上記光検
出器の出力に基づいて、導波光の回折効率が最低となる
オフセット電圧ＶOFF を求め、光ビームが有効走査領域
を走査する期間に、ＥＯＧ電極駆動電圧にこのオフセッ
ト電圧ＶOFF を加える補正手段とを設けたことにより、
導波路型電気光学素子のＤＣドリフトの影響を除いて、
画像記録やあるいは画像読取りを正しく行なうことが可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による光走査装置の概略斜視
図
図
【図２】上記光走査装置に用いられた導波路型電気光学
素子の平面図
素子の平面図
【図３】上記導波路型電気光学素子の側面図
【図４】上記光走査装置における光検出器の出力を示す
グラフ
グラフ
【図５】ＤＣドリフトを説明する概略図
【図６】上記光走査装置におけるＥＯＧ電極印加電圧の
波形を示すグラフ
波形を示すグラフ
１ 導波路型電気光学素子 10 ＬｉＮｂＯ3 基板 11 薄膜光導波路 12 バッファ層 13 ＥＯＧ電極 16 駆動回路 20 光ビーム 20Ａ 回折した光ビーム 21 レーザー光源 22 ポリゴンミラー 24 円筒状プラテン 25 感光材料 26 モータ 31 マイクロコンピュータ 32 光検出器
Claims (1)
- 【請求項１】 電気光学効果を有する光導波路と、この
光導波路上に形成された格子状電極と、この格子状電極
に電圧を印加する駆動回路と、前記光導波路から出射し
た光ビームを記録材料上において主、副走査させる走査
手段とを有し、 前記光導波路の格子状電極に対応する部分を導波する導
波光を、該格子状電極への電圧印加状態に応じて選択的
に回折させる光走査装置において、 前記光ビームが記録材料に対する有効走査領域から外れ
ている期間に、所定範囲内で掃引する電圧を前記格子状
電極に印加する電圧掃引手段と、 前記有効走査領域から外れている光ビームの光量を検出
する光検出器と、 前記掃引する電圧が格子状電極に印加された際に、前記
光検出器の出力に基づいて、前記導波光の回折効率が最
低となるオフセット電圧ＶOFF を求め、前記光ビームが
前記有効走査領域を走査する期間に、前記駆動回路によ
る駆動電圧にこのオフセット電圧ＶOFF を加える補正手
段とが設けられたことを特徴とする光走査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4235682A JP2852837B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 光走査装置 |
| US08/113,762 US5455618A (en) | 1992-09-03 | 1993-08-31 | Optical scanning apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4235682A JP2852837B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 光走査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0682843A JPH0682843A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2852837B2 true JP2852837B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=16989650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4235682A Expired - Fee Related JP2852837B2 (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 光走査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5455618A (ja) |
| JP (1) | JP2852837B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6278109B1 (en) * | 1996-02-09 | 2001-08-21 | Xerox Corporation | Facet tracking using wavelength variations and a dispersive element |
| US6865310B2 (en) * | 2002-08-09 | 2005-03-08 | Fujitsu Limited | Multi-layer thin film optical waveguide switch |
| US8805136B2 (en) * | 2006-05-08 | 2014-08-12 | Photonics On-Fiber Devices, Inc. | On-fiber tunable Bragg gratings for DWDM applications |
| JP2012208190A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 光変調器、光変調デバイスの制御装置、光変調デバイスの制御方法、描画装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4281904A (en) * | 1979-06-21 | 1981-08-04 | Xerox Corporation | TIR Electro-optic modulator with individually addressed electrodes |
| US4614408A (en) * | 1984-08-27 | 1986-09-30 | Eastman Kodak Company | Electrooptic device for scanning and information modulating a plurality of light beams |
| US4623219A (en) * | 1985-04-15 | 1986-11-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Real-time high-resolution 3-D large-screen display using laser-activated liquid crystal light valves |
| JPH0778587B2 (ja) * | 1988-05-27 | 1995-08-23 | 富士写真フイルム株式会社 | 光走査記録装置 |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP4235682A patent/JP2852837B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-08-31 US US08/113,762 patent/US5455618A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682843A (ja) | 1994-03-25 |
| US5455618A (en) | 1995-10-03 |
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