JP2865480B2 - スイッチング電源回路 - Google Patents

スイッチング電源回路

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオテープレコーダ
等の磁気記録再生装置に好適なスイッチング電源回路に
関する。
【0002】
【従来の技術】図2に従来のスイッチング電源回路を示
す。図において、C1〜C7はコンデンサ、D1〜D5はダ
イオード、IC1はシャントレギュレータIC、PC1
フォトカプラ、Q1はスイッチング素子としてのMOS
型FET(電界効果型トランジスタ)、Q2,Q3は該F
ETQ1のゲートを駆動するためのトーテム・ポール回
路を構成するトランジスタ、Q4は該トーテムポール回
路を制御する制御トランジスタ、R1〜R13は抵抗、T
は1次巻線Pと2次巻線S及び駆動巻線Nを有する電源
トランス、1−1’は入力端子、2−2’は出力端子で
ある。
【0003】入力端子1−1’に入力電圧VINが入力さ
れると、抵抗R1を介してコンデンサC1が充電される。
コンデンサC1の充電電圧が所定値(約5V)を越える
と、抵抗R2を介してトランジスタQ2がONとなりFE
TQ1のゲートに電圧が印加される。これによりFET
1がONとなり、電源トランスTの1次巻線Pに電流
が流れ、駆動巻線Nに電圧が誘起される。該誘起電圧
は、ダイオードD1で整流され、コンデンサC1を急速に
充電する。
【0004】更に、コンデンサC4,C5,抵抗R3を介
してトランジスタQ2を連続作動させ、FETQ1のON
状態を持続させる。FETQ1のドレイン電流IP(1次
巻線Pの電流)は、IP=VIN*TN/LP(LPは巻線P
のインダクタンス)の関係があり、時間TNに比例して
増加する。抵抗R5の両端の電圧が所定値(約0.7V)
を越えると、制御トランジスタQ4がONとなり、トラ
ンジスタQ2のベース電流を引き込み、同時にトランジ
スタQ3がONとなる。その結果、FETQ1のゲート電
圧が低下し、該FETQ1はOFFとなる。これにより
FETQ1への過大なドレイン電流の流入が防止され
る。
【0005】電源トランスTの2次側に過電流が流れた
ときは、FETQ1のドレイン電流が増加し、上述と同
様に抵抗R5の電圧が0.7Vを越えると制御トランジ
スタQ4をONさせ、FETQ1をOFFさせる。また、
駆動巻線Nの誘起電圧は、ダイオードD2を介してコン
デンサC2を充電するが、該コンデンサC2の電圧は2次
側出力VOUTと比例関係にあるので、FETQ1が早くO
FFすれば、2次側出力電圧VOUTも低下する。
【0006】その結果、コンデンサC2の電圧も低下す
るため、制御トランジスタQ4によるトランジスタQ2
ベース電流引き込み量が減少し、更にFETQ1をより
早くOFFさせるように作用する。なお、ダイオードD
3と抵抗R7は、入力電圧VINの変化による(制御トラン
ジスタQ4で構成された)保護回路の動作点を補正する
ためのものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述のスイッチング電
源回路におけるスイッチング素子としてのMOS型FE
Tのドレイン・ソース電流検出用の抵抗R5として、低
抵抗且つワット数の大きいものが必要であり、その外形
寸法が大きいため、電源ブロックを小型化する上でネッ
クになっている。
【0008】
【課題を解決するための手段】MOS型FETのゲート
をトーテム・ポール回路で駆動するリンギングチョーク
コンバータ型電源回路において、前記トーテム・ポール
回路を制御する制御トランジスタのベース・エミッタ間
にコンデンサを接続すると共に、電源トランスの駆動巻
線と前記制御トランジスタのベース間に微分回路を接続
することにより、ワット数の大きい抵抗器を削除し、電
源ブロックの小型化を図るとともに前記コンデンサの充
放電により電源起動時のソフトスタート及び過電流保護
を行う構成とする。
【0009】
【作用】制御トランジスタのベース・エミッタ間に接続
されたコンデンサへの充放電荷より、スイッチング素子
であるFETのON時の起動がソフトスタート(緩や
か)になるとともに、過負荷時は該コンデンサの充電時
間が短縮され、FETのON時間を短縮する方向へ作用
し、該FETをOFFさせて過電流時の保護がなされ
る。
【0010】
【実施例】図1は、本発明の具体的な実施例を示す回路
図である。図において、従来例と同一部分には同一番号
を付けてその説明を省略する。本発明の回路の特徴は、
FETQ1のドレイン・ソース電流検出用の抵抗R5を削
除し、トーテム・ポール回路制御用トランジスタQ4
動作をFETQ1のドレイン・ソース電流に依存させず
に、電源トランスTの駆動巻線Nの誘起電圧に依存させ
た点である。
【0011】図において、制御トランジスタQ4のベー
ス・エミッタ間にコンデンサC8を、該制御トランジス
タQ4のベースと電源トランスTの駆動巻線N間にコン
デンサC9と抵抗R14を直列接続した微分回路及び該微
分回路と並列に入力電圧VINの補正用抵抗R15を接続し
た点が、従来例図2と異なっている。
【0012】図において、入力端子1−1’に入力電圧
INが入力され、トランジスタQ2がONし、FETQ1
がONとなりドレイン・ソース電流IPが時間に比例し
て増加する動作は、従来例同じである。駆動巻Nに誘起
された電圧は、コンデンサC 9及び抵抗R14からなる微
分回路を介してコンデンサC8を充電する。該コンデン
サC8の電圧が上昇すると、制御トランジスタQ4がON
となり、トランジスタQ 2のベース電圧をアースに引き
込む。それと同時にトランジスタQ3をON状態にさ
せ、FETQ1を急速にOFFさせる。
【0013】FETQ1がOFFになれば、電源トラン
スTの2次巻線Sに誘起された電圧(トランスに貯えら
れたエネルギ)は、正バイアスされているので、ダイオ
ードD5を介して放出される。また、駆動巻線Nに対し
ては、その極性が2次巻線Sと反対のため、コンデンサ
8の電荷をコンデンサC9,抵抗R14,R15,R7,ダ
イオードD2を介して放電し、負極性に引き込まれる。
エネルギが全て放出されると、駆動巻線Nにリンギング
が発生し、トランジスタQ2が再びONとなり、それに
よりFETQ1もONとなる。
【0014】FETQ1がONすると、1次巻線Pに電
流が流れ、再び駆動巻線Nに電圧が誘起される。この場
合、コンデンサC8は負極性になっている故、該コンデ
ンサC8は、コンデンサC9抵抗R14,R15を介して充電
されるが、前回より充電時間が長くなりトランジスタQ
4のONする時間が遅くなる。そして、トランジスタ
2,FETQ1がOFFになる。上述の動作が繰り返さ
れるが、駆動巻線Nの負の電圧は、2次側の出力電圧V
OUTに比例して低くなって行くため、FETQ1のON時
間も増えて行きソフトスタートとなる。
【0015】次に、過電流保護の動作について説明す
る。出力電流が増加すると、FETQ 1のON時間も増
加する。しかし、コンデンサC8には、フォトカプラP
1の電流と、コンデンサC9,抵抗R14,R15の合成電
流で充電されるため、FETQ1の最大ON時間が既定
される。そのため一定以上の出力は取り出せなくなる。
更に、過負荷状態が続けば、出力電圧が低下し、駆動巻
線Nの負の電圧も高くなるため、コンデンサC8の充電
時間が短くなり、更にON時間を短くし、最終的には出
力を停止する。
【0016】
【発明の効果】本発明の構成により、部品点数の削減、
特にワッと数の大きい抵抗(電流検出抵抗)が削減でき
るので、電源ブロックの小型化が可能になる。また、電
源起動時、従来型ではFETのドレイン・ソース電流は
最大電流が流れるが、本案構成では小電流となるため、
半導体(FET)の電気ストレスの減少できる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のスイッチング電源回路図である。
【図2】従来例のスイッチング電源回路図である。
【符号の説明】
1 MOS型FET(スイッチングトランジス
タ) Q2,Q3 トランジスタ(トーテム・ポール回路を構
成) Q4 制御トランジスタ C8 コンデンサ C9,R14 コンデンサ,抵抗(微分回路を構成)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 MOS型FETのゲートをトーテム・ポ
    ール回路で駆動するリンギングチョークコンバータ型電
    源回路において、前記トーテム・ポール回路を制御する
    制御トランジスタのベース・エミッタ間にコンデンサを
    接続すると共に、電源トランスの駆動巻線と前記制御ト
    ランジスタのベース間に微分回路を接続し、前記コンデ
    ンサの充放電により電源起動時のソフトスタート及び過
    電流保護を行うことを特徴とするスイッチング電源回
    路。
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