JP2873876B2 - 脱保護方法 - Google Patents
脱保護方法Info
- Publication number
- JP2873876B2 JP2873876B2 JP27780990A JP27780990A JP2873876B2 JP 2873876 B2 JP2873876 B2 JP 2873876B2 JP 27780990 A JP27780990 A JP 27780990A JP 27780990 A JP27780990 A JP 27780990A JP 2873876 B2 JP2873876 B2 JP 2873876B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- deprotection
- reaction
- protecting group
- deprotected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Indole Compounds (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Peptides Or Proteins (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、医薬品、農薬など化成品の合成の際に用い
る保護基を除去する方法に関するものである。
る保護基を除去する方法に関するものである。
（従来の技術） 一般に有機合成を行う場合、反応を受けることを望ま
ない官能基に保護基を用いて予め保護しておき、反応終
了後、脱保護するというプロセスをとる場合が多い。
ない官能基に保護基を用いて予め保護しておき、反応終
了後、脱保護するというプロセスをとる場合が多い。
例えば、典型的なアミノ基の保護基であるベンジルオ
キシカルボニル基は、以下の様にしてアミノ基を持つ化
合物に導入され、さらに脱保護される。
キシカルボニル基は、以下の様にしてアミノ基を持つ化
合物に導入され、さらに脱保護される。
また、この時Ｒ−NH2はアミノ基を持つ化合物であれ
ば何でも良く、さらにＲ−NH−Ｒ′の一般式を持つ２級
アミンを持つ化合物でも良い。この様な保護基として、
核官能基ごとに多くのものが開発され、同時にその脱保
護方法も研究されている。しかし、一般に脱保護反応に
は特殊な試薬や過激な条件を要するものが多く、これが
しばしば目的の化合物に望ましくない反応を起こし、問
題となっている。例えば、よく知られているアミノ基の
保護基である第三ブチルオキシカルボニル基を除去する
際には、通常４規定程度の塩酸中で行われるため、酸に
弱い化合物には使えない。また典型的なカルボキシル基
の保護基であるメチルエステルを除去する際には、強ア
ルカリ条件が必要であり、これもしばしば望ましくない
副反応を誘発する。
ば何でも良く、さらにＲ−NH−Ｒ′の一般式を持つ２級
アミンを持つ化合物でも良い。この様な保護基として、
核官能基ごとに多くのものが開発され、同時にその脱保
護方法も研究されている。しかし、一般に脱保護反応に
は特殊な試薬や過激な条件を要するものが多く、これが
しばしば目的の化合物に望ましくない反応を起こし、問
題となっている。例えば、よく知られているアミノ基の
保護基である第三ブチルオキシカルボニル基を除去する
際には、通常４規定程度の塩酸中で行われるため、酸に
弱い化合物には使えない。また典型的なカルボキシル基
の保護基であるメチルエステルを除去する際には、強ア
ルカリ条件が必要であり、これもしばしば望ましくない
副反応を誘発する。
一方、ベンジルオキシカルボニル、ベンジルエーテ
ル、ベンジルエステルやそれらの誘導体などベンジル骨
格をもつ保護基の脱保護などに古くから用いられている
接触水素化反応による脱保護では、Pd、Ptなどを触媒と
して用いることで常温、中性という温和な条件で脱保護
を行うことができるという点で優れているが、触媒とし
て用いるPd、Ptが高価であることから、産業上の利用に
は必ずしも適しているとは言えなかった。この時用いら
れる触媒としては、安価なラニーNiも知られているが、
ラニーNiはPd,Ptに比べると触媒としての活性が低く、
反応に際し、しばしば高温、高圧条件を要するため問題
が多い。
ル、ベンジルエステルやそれらの誘導体などベンジル骨
格をもつ保護基の脱保護などに古くから用いられている
接触水素化反応による脱保護では、Pd、Ptなどを触媒と
して用いることで常温、中性という温和な条件で脱保護
を行うことができるという点で優れているが、触媒とし
て用いるPd、Ptが高価であることから、産業上の利用に
は必ずしも適しているとは言えなかった。この時用いら
れる触媒としては、安価なラニーNiも知られているが、
ラニーNiはPd,Ptに比べると触媒としての活性が低く、
反応に際し、しばしば高温、高圧条件を要するため問題
が多い。
近年、開発されその応用が注目されている水素貯蔵合
金は、現在、自動車、ヒートポンプ及び室内の冷暖房シ
ステム等の分野で利用されているが、水素貯蔵合金には
例えばLaNi5，Mg2Ni、TiFe等多くの種類があって、合金
の水素貯蔵量、排出圧力、及び排出温度等の機能は、そ
の構成金属によって大きく異なるため、その利用に当た
っては合金の選択が重要となる。
金は、現在、自動車、ヒートポンプ及び室内の冷暖房シ
ステム等の分野で利用されているが、水素貯蔵合金には
例えばLaNi5，Mg2Ni、TiFe等多くの種類があって、合金
の水素貯蔵量、排出圧力、及び排出温度等の機能は、そ
の構成金属によって大きく異なるため、その利用に当た
っては合金の選択が重要となる。
ところで、水素貯蔵合金による水素化還元反応の例と
しては、オレフィンの水素化還元、一酸化炭素の水素化
及びアンモニアの合成が「水素貯蔵合金データブック」
（与野書房1987）において、さらに、オレイン酸メチル
の常圧水素化分解によるC18アルコール生成反応につい
ては日本化学会（第54回春季年会1987）において報告さ
れている。また、油脂の水素添加についても報告されて
いる（特開昭63−268799号）。
しては、オレフィンの水素化還元、一酸化炭素の水素化
及びアンモニアの合成が「水素貯蔵合金データブック」
（与野書房1987）において、さらに、オレイン酸メチル
の常圧水素化分解によるC18アルコール生成反応につい
ては日本化学会（第54回春季年会1987）において報告さ
れている。また、油脂の水素添加についても報告されて
いる（特開昭63−268799号）。
しかし、水素貯蔵合金を用いた水系での反応について
は全く検討されておらず、接触水素化によって脱保護を
行う際に、水素貯蔵合金を利用することは、従来全く行
われておらず、報告もみられない。
は全く検討されておらず、接触水素化によって脱保護を
行う際に、水素貯蔵合金を利用することは、従来全く行
われておらず、報告もみられない。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は、接触水素化による脱保護を行うにあたり、
反応性の高い水素貯蔵合金を利用するため、従来の還元
触媒を全く用いる必要がなく、また水素貯蔵合金から排
出される大量の水素を低圧で利用することができ、高い
還元率で、安全かつ安価に接触水素化による脱保護を行
う方法を提供することを課題とする。
反応性の高い水素貯蔵合金を利用するため、従来の還元
触媒を全く用いる必要がなく、また水素貯蔵合金から排
出される大量の水素を低圧で利用することができ、高い
還元率で、安全かつ安価に接触水素化による脱保護を行
う方法を提供することを課題とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は、特定の原子団からなる保護基により保護さ
れた官能基に対し、接触水素化反応により脱保護する際
に、Ｒ（もしくはCa元素を表す）及びNiを必須元素とし
た六方晶のCaCu5型の結晶構造を有する化合物を主相と
する水素貯蔵合金を用い、該合金から放出される水素で
接触水素化を行い脱保護することを特徴とする。
れた官能基に対し、接触水素化反応により脱保護する際
に、Ｒ（もしくはCa元素を表す）及びNiを必須元素とし
た六方晶のCaCu5型の結晶構造を有する化合物を主相と
する水素貯蔵合金を用い、該合金から放出される水素で
接触水素化を行い脱保護することを特徴とする。
以下本発明を詳しく説明する。
本発明で用いられる水素貯蔵合金は、Ｒ（もしくはCa
元素を表す）及びNiを必須元素とした六方晶のCaCu5型
の結晶構造を有する化合物を主相とする。また、水素貯
蔵合金の内に含まれるCaCu5型の結晶相は、50重量％以
上含まれ、残部は主相以外の金属間化合物、不純物、添
加元素などが第２相もしくは混合相として存在する。
元素を表す）及びNiを必須元素とした六方晶のCaCu5型
の結晶構造を有する化合物を主相とする。また、水素貯
蔵合金の内に含まれるCaCu5型の結晶相は、50重量％以
上含まれ、残部は主相以外の金属間化合物、不純物、添
加元素などが第２相もしくは混合相として存在する。
本発明で用いられる水素貯蔵合金は、大気圧を示す分
解平衡圧の温度が200℃以下で水素を放出する合金であ
り、該合金の金属水素化者を使用し還元反応温度０〜80
℃に保持された保護基を水素化して還元を行うものが好
ましい。大気圧を示す分解平衡圧の温度が100℃以下の
水素貯蔵合金は室温もしくは多少の加熱により容易に吸
蔵した水素をガスとして排出する。これは、室温付近か
ら100℃付近までの還元反応に有利であるが、真空排気
の操作により多量の水素がガスとして放出されてしまう
ので、真空排気の操作時の合金温度を０℃近辺もしくは
それ以下に冷却する必要がある。上述の温度範囲で還元
反応を進行せしめることが可能であるが、80℃より高い
温度では熱により化合物が分解を受けるため好ましくな
い。また、水素の水溶液への溶存量は低温でより大きい
ことから、０〜50℃で還元反応を行うことが望ましい。
これらの水素貯蔵合金は合金自体に還元反応に対して高
い触媒能を有しているので、使用する合金の種類と反応
液の還元反応温度の設定により、10kg/cm2未満の水素ガ
ス圧力の条件で、高い還元率で、かつ安全に脱保護する
ことが可能である。
解平衡圧の温度が200℃以下で水素を放出する合金であ
り、該合金の金属水素化者を使用し還元反応温度０〜80
℃に保持された保護基を水素化して還元を行うものが好
ましい。大気圧を示す分解平衡圧の温度が100℃以下の
水素貯蔵合金は室温もしくは多少の加熱により容易に吸
蔵した水素をガスとして排出する。これは、室温付近か
ら100℃付近までの還元反応に有利であるが、真空排気
の操作により多量の水素がガスとして放出されてしまう
ので、真空排気の操作時の合金温度を０℃近辺もしくは
それ以下に冷却する必要がある。上述の温度範囲で還元
反応を進行せしめることが可能であるが、80℃より高い
温度では熱により化合物が分解を受けるため好ましくな
い。また、水素の水溶液への溶存量は低温でより大きい
ことから、０〜50℃で還元反応を行うことが望ましい。
これらの水素貯蔵合金は合金自体に還元反応に対して高
い触媒能を有しているので、使用する合金の種類と反応
液の還元反応温度の設定により、10kg/cm2未満の水素ガ
ス圧力の条件で、高い還元率で、かつ安全に脱保護する
ことが可能である。
また、本発明で用いる水素貯蔵合金は平均粉末粒径が
0.5〜100μｍが好ましく、該合金から放出される水素で
保護基を接触水素化による脱保護する。平均粉末粒径が
0.5μｍ以下のものは、工業的に生産するのが困難であ
り、また、コスト高になる欠点を有するほかに、操業上
で反応生成物と合金粉末を分離する工程が複雑になると
いう問題もある。平均粉末粒径が100μｍ以上の場合
は、反応液と合金との均一な混合撹拌が困難であり、そ
の結果、合金粉末の触媒能が低くなるため製造時間が長
くなる欠点を有する。
0.5〜100μｍが好ましく、該合金から放出される水素で
保護基を接触水素化による脱保護する。平均粉末粒径が
0.5μｍ以下のものは、工業的に生産するのが困難であ
り、また、コスト高になる欠点を有するほかに、操業上
で反応生成物と合金粉末を分離する工程が複雑になると
いう問題もある。平均粉末粒径が100μｍ以上の場合
は、反応液と合金との均一な混合撹拌が困難であり、そ
の結果、合金粉末の触媒能が低くなるため製造時間が長
くなる欠点を有する。
本発明においては、反応溶液と上記水素貯蔵合金を反
応槽に入れ、脱気後、撹拌しながら反応液を０〜80℃に
10〜960分間保持するか、ジャケット式によって水素貯
蔵合金を冷却し得るようにした棚段式カラムに水素貯蔵
合金を封入し、０〜80℃に保持された反応液を10〜960
分循環させることにより脱保護を行う。
応槽に入れ、脱気後、撹拌しながら反応液を０〜80℃に
10〜960分間保持するか、ジャケット式によって水素貯
蔵合金を冷却し得るようにした棚段式カラムに水素貯蔵
合金を封入し、０〜80℃に保持された反応液を10〜960
分循環させることにより脱保護を行う。
反応後、水素ガスおよび反応液を回収し、水素貯蔵合
金を冷却する。この水素貯蔵合金は、水素を再循環する
ことにより、次回の還元反応で繰り返し使用することが
可能である。
金を冷却する。この水素貯蔵合金は、水素を再循環する
ことにより、次回の還元反応で繰り返し使用することが
可能である。
なお、本発明は、水素貯蔵合金の特性上、水素ガス圧
力が10kg/cm2未満の条件で充分に脱保護を行うことが可
能であり、製造装置の保守安全上、有利である。また、
水素貯蔵合金は、耐食性、熱伝導性等の向上を意図して
表面改質されたメッキ粉末、表面処理粉末、銅やシリコ
ン等によるカプセル化合金なども本発明に使用可能であ
る。
力が10kg/cm2未満の条件で充分に脱保護を行うことが可
能であり、製造装置の保守安全上、有利である。また、
水素貯蔵合金は、耐食性、熱伝導性等の向上を意図して
表面改質されたメッキ粉末、表面処理粉末、銅やシリコ
ン等によるカプセル化合金なども本発明に使用可能であ
る。
（発明の効果） 以上述べたように、本発明により水素貯蔵合金を用い
て脱保護を行うと、水素貯蔵合金自体が高い触媒能を有
するので、従来のニッケル等の触媒を必要とせずに、水
素ガス圧力が10kg/cm2未満の安全性の高い条件で、効率
良く脱保護を行うことが可能であり、繰り返して反応に
供することが可能である。また、水素貯蔵合金は工業用
の水素貯蔵装置に比べて大量の水素ガスを貯蔵でき、し
かも上述のように低圧で作業でき、従来の触媒であるP
d、Ptよりもはるかに安価である。さらに、先に述べた
ような上昇流棚段カラムを使用する場合には、反応溶液
と水素貯蔵合金の分離に対する負荷を大幅に軽減できる
という操作上の利点もある。
て脱保護を行うと、水素貯蔵合金自体が高い触媒能を有
するので、従来のニッケル等の触媒を必要とせずに、水
素ガス圧力が10kg/cm2未満の安全性の高い条件で、効率
良く脱保護を行うことが可能であり、繰り返して反応に
供することが可能である。また、水素貯蔵合金は工業用
の水素貯蔵装置に比べて大量の水素ガスを貯蔵でき、し
かも上述のように低圧で作業でき、従来の触媒であるP
d、Ptよりもはるかに安価である。さらに、先に述べた
ような上昇流棚段カラムを使用する場合には、反応溶液
と水素貯蔵合金の分離に対する負荷を大幅に軽減できる
という操作上の利点もある。
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。
（実施例） 実施例１ １のフラスコに、水素貯蔵合金CaNi5 20gを入れ、
水素雰囲気下、−15℃まで冷却した。その後、温度を徐
々に上げ、室温とした。これに予め40℃、真空度750mmH
gで５分間脱気したのち室温まで冷却した１％Ｎε−ｐ
−メトキシベンジルオキシカルボニルリジン200mlを入
れ、水素雰囲気下室温で撹拌した。TLCで反応の進行を
追跡したところ、40分後、Ｎε−ｐ−メトキシベンジル
オキシカルボニルリジンのスポットは完全に消失し、リ
ジンのスポットのみとなった。
水素雰囲気下、−15℃まで冷却した。その後、温度を徐
々に上げ、室温とした。これに予め40℃、真空度750mmH
gで５分間脱気したのち室温まで冷却した１％Ｎε−ｐ
−メトキシベンジルオキシカルボニルリジン200mlを入
れ、水素雰囲気下室温で撹拌した。TLCで反応の進行を
追跡したところ、40分後、Ｎε−ｐ−メトキシベンジル
オキシカルボニルリジンのスポットは完全に消失し、リ
ジンのスポットのみとなった。
実施例２ 容量が１のデッドエンド式の反応容器に、水素を貯
蔵させた100gの水素貯蔵合金CaNi5を入れる。これに予
め40℃、真空度750mmHgで５分間脱気したのち冷却し
た。0.5重量％の濃度のＮ−ベンジルオキシカルボニル
アラニン水溶液400mlを反応容器内に注入した。その
後、撹拌しながら反応温度を40℃に調整した。この時、
反応容器内の水素ガス圧力は90kg/cm2であった。TLCで
反応を追跡したところ、15分後にはＮ−ベンジルオキシ
カルボニルアラニンのスポットが消失し、脱保護が完全
に終了したことを確認した。TLCではアラニンのスポッ
トを確認し、副反応は認められなかった。
蔵させた100gの水素貯蔵合金CaNi5を入れる。これに予
め40℃、真空度750mmHgで５分間脱気したのち冷却し
た。0.5重量％の濃度のＮ−ベンジルオキシカルボニル
アラニン水溶液400mlを反応容器内に注入した。その
後、撹拌しながら反応温度を40℃に調整した。この時、
反応容器内の水素ガス圧力は90kg/cm2であった。TLCで
反応を追跡したところ、15分後にはＮ−ベンジルオキシ
カルボニルアラニンのスポットが消失し、脱保護が完全
に終了したことを確認した。TLCではアラニンのスポッ
トを確認し、副反応は認められなかった。
実施例３ 実施例２と同様にして0.5重量％のNG−ｐ−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルアルギニンの水溶液400mlの脱
保護反応を行ったところ、120分で反応は終了した。TLC
ではアルギニンのスポットを確認し、副反応は認められ
なかった。
ンジルオキシカルボニルアルギニンの水溶液400mlの脱
保護反応を行ったところ、120分で反応は終了した。TLC
ではアルギニンのスポットを確認し、副反応は認められ
なかった。
実施例４ 実施例２と同様にして、水素貯蔵合金CaNi5の代わり
に水素を貯蔵させた100gの水素貯蔵合金CaNi5を用いて
0.5重量％のNin−ｐ−フェニルアゾベンジンオキシカル
ボニルトリプトファンメチルエステル塩酸塩のメタノー
ル溶液400mlの脱保護反応を行ったところ、160分で反応
は終了した。TLCではトリプトファンメチルエステルの
スポットを確認し、副反応は認められなかった。
に水素を貯蔵させた100gの水素貯蔵合金CaNi5を用いて
0.5重量％のNin−ｐ−フェニルアゾベンジンオキシカル
ボニルトリプトファンメチルエステル塩酸塩のメタノー
ル溶液400mlの脱保護反応を行ったところ、160分で反応
は終了した。TLCではトリプトファンメチルエステルの
スポットを確認し、副反応は認められなかった。
実施例５ 実施例２と同様にして0.5重量％のフェニルアラニン
ベンジルエステルｐ−トルエンスルホン酸塩の水溶液40
0mlの脱保護反応を行ったところ、５分で反応は終了し
た。TLCではフェニルアラニンのスポットを確認し、副
反応は認められなかった。
ベンジルエステルｐ−トルエンスルホン酸塩の水溶液40
0mlの脱保護反応を行ったところ、５分で反応は終了し
た。TLCではフェニルアラニンのスポットを確認し、副
反応は認められなかった。
実施例６ 実施例２と同様にして0.5重量％のグルタミン−ｐ−
メトキシベンジルエステル水溶液400mlの脱保護反応を
行ったところ、100分で反応は終了した。TLCではグルタ
ミンのスポットを確認し、副反応は認められなかった。
メトキシベンジルエステル水溶液400mlの脱保護反応を
行ったところ、100分で反応は終了した。TLCではグルタ
ミンのスポットを確認し、副反応は認められなかった。
実施例７ 実施例２と同様にして、水素貯蔵合金CaNi5の代わり
に水素を貯蔵させた100gの水素貯蔵合金LaNi4.2Al0.8を
用いて0.5重量％のグルタミン酸γ−ｐ−ニトロベンジ
ルエステルの水溶液400mlの脱保護反応を行ったとこ
ろ、160分で反応は終了した。TLCではグルタミン酸のス
ポットを確認し、副反応は認められなかった。
に水素を貯蔵させた100gの水素貯蔵合金LaNi4.2Al0.8を
用いて0.5重量％のグルタミン酸γ−ｐ−ニトロベンジ
ルエステルの水溶液400mlの脱保護反応を行ったとこ
ろ、160分で反応は終了した。TLCではグルタミン酸のス
ポットを確認し、副反応は認められなかった。
実施例８ 実施例２と同様にして0.5重量％のＯ−ベンジルセリ
ンの水溶液400mlの脱保護反応を行ったところ、90分で
反応は終了した。TLCではセリンのスポットを確認し、
副反応は認められなかった。
ンの水溶液400mlの脱保護反応を行ったところ、90分で
反応は終了した。TLCではセリンのスポットを確認し、
副反応は認められなかった。
実施例９ 実施例２と同様にして0.5重量％のＯ−ｐ−ニトロベ
ンジル−ヒドロキンプロリンの水溶液400mlの脱保護反
応を行ったところ、180分で反応は終了した。TLCではヒ
ドロキシプロリンのスポットを確認し、副反応は認めら
れなかった。
ンジル−ヒドロキンプロリンの水溶液400mlの脱保護反
応を行ったところ、180分で反応は終了した。TLCではヒ
ドロキシプロリンのスポットを確認し、副反応は認めら
れなかった。
実施例10 実施例２と同様にして、水素貯蔵合金CaNi5の代わり
に水素を貯蔵させた100gの水素貯蔵合金LaNi4.8Mn0.2を
用いて0.5重量％のＯ−2,6−ジクロロベンジル−スレオ
ニンの水溶液400mlの脱保護反応を行ったところ、120分
で反応は終了した。TLCではスレオニンのスポットを確
認し、副反応は認められなかった。
に水素を貯蔵させた100gの水素貯蔵合金LaNi4.8Mn0.2を
用いて0.5重量％のＯ−2,6−ジクロロベンジル−スレオ
ニンの水溶液400mlの脱保護反応を行ったところ、120分
で反応は終了した。TLCではスレオニンのスポットを確
認し、副反応は認められなかった。
実施例11 実施例２と同様にして0.5重量％のＮ−９−フルオレ
ニルメチルオキシカルボニルグリシンの水溶液400mlの
脱保護反応を行ったところ、120分で反応は終了した。T
LCではグリシンのスポットを確認し、副反応は認められ
なかった。
ニルメチルオキシカルボニルグリシンの水溶液400mlの
脱保護反応を行ったところ、120分で反応は終了した。T
LCではグリシンのスポットを確認し、副反応は認められ
なかった。
実施例12 実施例２と同様にして0.5重量％のＮ−ｐ−ビフェニ
ルイソプロピルオキシカルボニルバリンメチルエステル
のメタノール溶液400mlの脱保護反応を行ったところ、1
00分で反応は終了した。TLCではバリンメチルエステル
のスポットを確認し、副反応は認められなかった。
ルイソプロピルオキシカルボニルバリンメチルエステル
のメタノール溶液400mlの脱保護反応を行ったところ、1
00分で反応は終了した。TLCではバリンメチルエステル
のスポットを確認し、副反応は認められなかった。
実施例13 実施例２と同様にして0.5重量％のＮ−イソニコチニ
ルオキシカルボニルロイシンのメタノール溶液400mlの
脱保護反応を行ったところ、100分で反応は終了した。T
LCではロイシンのスポットを確認し、副反応は認められ
なかった。
ルオキシカルボニルロイシンのメタノール溶液400mlの
脱保護反応を行ったところ、100分で反応は終了した。T
LCではロイシンのスポットを確認し、副反応は認められ
なかった。
実施例14 実施例２と同様にして0.5重量％のＮ−ｔ−ブチルオ
キシカルボニルプロリン−４−ピコリルエステルのジメ
チルホルムアミド溶液400mlの脱保護反応を行ったとこ
ろ、180分で反応は終了した。TLCではＮ−ｔ−ブチルオ
キシカルボニルプロリンのスポットを確認し、副反応は
認められなかった。
キシカルボニルプロリン−４−ピコリルエステルのジメ
チルホルムアミド溶液400mlの脱保護反応を行ったとこ
ろ、180分で反応は終了した。TLCではＮ−ｔ−ブチルオ
キシカルボニルプロリンのスポットを確認し、副反応は
認められなかった。
実施例15 実施例２と同様にして0.5重量％のＮ−ｔ−ブチルオ
キシカルボニルアスパラギン酸（β−シクロヘプチルエ
ステル）−α−ベンズヒドリルエステルのジメチルホル
ムアミド溶液400mlの脱保護反応を行ったところ、180分
で反応は終了した。TLCではＮ−ｔ−ブチルオキシカル
ボニルアスパラギン酸（β−シクロヘプチルエステル）
のスポットを確認し、副反応は認められなかった。
キシカルボニルアスパラギン酸（β−シクロヘプチルエ
ステル）−α−ベンズヒドリルエステルのジメチルホル
ムアミド溶液400mlの脱保護反応を行ったところ、180分
で反応は終了した。TLCではＮ−ｔ−ブチルオキシカル
ボニルアスパラギン酸（β−シクロヘプチルエステル）
のスポットを確認し、副反応は認められなかった。
実施例16 実施例２と同様にして0.5重量％のN9−ニトロアルギ
ンの水溶液400mlの脱保護反応を行ったところ、240分で
反応は終了した。TLCではアルギンのスポットを確認
し、副反応は認められなかった。
ンの水溶液400mlの脱保護反応を行ったところ、240分で
反応は終了した。TLCではアルギンのスポットを確認
し、副反応は認められなかった。
実施例17 実施例２と同様にして0.5重量％のNin（π）−ベンジ
ルオキシメチルヒスチジンの80％酢酸溶液400ml脱保護
反応を行ったところ、240分で反応は終了した。TLCでは
ヒスチジンのスポットを確認し、副反応は認められなか
った。
ルオキシメチルヒスチジンの80％酢酸溶液400ml脱保護
反応を行ったところ、240分で反応は終了した。TLCでは
ヒスチジンのスポットを確認し、副反応は認められなか
った。
実施例18 実施例２と同様にしてＮ−ベンジルオキシカルボニル
グリシル−N9−ニトロアルギニル−Ｏ−ベンジルスレオ
ニル−チロシンベンジルエステル835mg（1mmol）を60％
酢酸を含むジメチルホルムアミド200mlに溶かした溶液
について脱保護反応を行った。一夜後、TLCにて反応の
終了を確認した後、反応液に水200mlを加え、よく撹拌
した後CaNi5を濾別した。反応液を減圧濃縮し、セファ
デックスＧ−25 5％酢酸にてゲル濾過により脱塩を行
い、目的物を含む画分を得た。これを減圧濃縮し、水を
加えて凍結乾燥することで、目的のグリシル−アルギニ
ル−スレオニル−チロシン−二酢酸塩542mgを得た。収
率は88％であった。
グリシル−N9−ニトロアルギニル−Ｏ−ベンジルスレオ
ニル−チロシンベンジルエステル835mg（1mmol）を60％
酢酸を含むジメチルホルムアミド200mlに溶かした溶液
について脱保護反応を行った。一夜後、TLCにて反応の
終了を確認した後、反応液に水200mlを加え、よく撹拌
した後CaNi5を濾別した。反応液を減圧濃縮し、セファ
デックスＧ−25 5％酢酸にてゲル濾過により脱塩を行
い、目的物を含む画分を得た。これを減圧濃縮し、水を
加えて凍結乾燥することで、目的のグリシル−アルギニ
ル−スレオニル−チロシン−二酢酸塩542mgを得た。収
率は88％であった。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｂ０１Ｊ 20/06 Ｂ０１Ｊ 20/06 Ｃ Ｃ０７Ｂ 31/00 Ｃ０７Ｂ 31/00 61/00 ３００ 61/00 ３００ (56)参考文献 特開 平４−154730（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−103546（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−281697（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−69543（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−135538（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−46850（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−107332（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07B 51/00 C07B 31/00 C07B 61/00 300 C07D 209/20 C07C 229/02 C07C 227/20 C07K 1/06
Claims (10)
- 【請求項１】特定の原子団からなる保護基により保護さ
れた官能基に対し、接触水素化反応により脱保護する際
に、Ｒ（LaもしくはCa元素を表す）及びNiを必須元素と
した六方晶のCaCu5型の結晶構造を有する化合物を主相
とする水素貯蔵合金を用い、該合金から放出される水素
で接触水素化を行い脱保護することを特徴とする脱保護
方法。 - 【請求項２】水素貯蔵合金の大気圧を示す分解平衡圧の
温度が200℃以下である水素貯蔵合金から放出される水
素で、反応温度を０〜80℃の温度範囲に保ち、接触水素
化により脱保護を行う、請求項１記載の脱保護方法。 - 【請求項３】水素貯蔵合金の平均粉末粒径が0.5〜100μ
ｍである水素貯蔵合金から放出される水素で接触水素化
を行う、請求項１記載の脱保護方法。 - 【請求項４】脱保護される保護基がアミノ基、グアニジ
ド基、インドール基、イミダゾール基の保護基であるベ
ンジルオキシカルボニル基およびその誘導体であるｐ−
ニトロベンジルオキシカルボニル基、ｐ−フェニルアゾ
ベンジルオキシカルボニル基、ｐ−メトキシベンジルオ
キシカルボニル基である請求項１記載の脱保護方法。 - 【請求項５】脱保護される保護基が、カルボキシル基の
保護基であるベンジルエステルおよびその誘導体である
ｐ−ニトロベンジルエステル、ｐ−メトキシベンジルエ
ステルである請求項１記載の脱保護方法。 - 【請求項６】脱保護される保護基が、水酸基の保護基で
あるベンジルエーテルおよびその誘導体である2,6−ジ
クロロベンジルエーテル、ｐ−ニトロベンジルエーテル
である請求項１記載の脱保護方法。 - 【請求項７】脱保護される保護基がアミノ保護基である
９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基、ｐ−ビフ
ェニルイソプロピルオキシカルボニル基、イソニコチニ
ルオキシカルボニル基である請求項１記載の脱保護方
法。 - 【請求項８】脱保護される保護基が、カルボキシル保護
基である４−ピコリルエステル、ベンズヒドリルエステ
ルである請求項１記載の脱保護方法。 - 【請求項９】脱保護される保護基がグアニジド基の保護
基であるニトロ基である請求項１記載の脱保護方法。 - 【請求項１０】脱保護される保護基がイミダゾール基の
保護基であるベンジルオキシメチル基である請求項１記
載の脱保護方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27780990A JP2873876B2 (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 脱保護方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27780990A JP2873876B2 (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 脱保護方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04154731A JPH04154731A (ja) | 1992-05-27 |
| JP2873876B2 true JP2873876B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=17588569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27780990A Expired - Fee Related JP2873876B2 (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 脱保護方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2873876B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7659305B2 (en) | 2002-10-31 | 2010-02-09 | Pfizer Inc. | Therapeutic proline derivatives |
| JP4679981B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2011-05-11 | エヌ・イーケムキャット株式会社 | ９−フルオレニルメトキシカルボニル基の脱保護基方法 |
-
1990
- 1990-10-18 JP JP27780990A patent/JP2873876B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04154731A (ja) | 1992-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Izumi et al. | Asymmetric hydrogenation with modified Raney nickel. I. Studies on modified hydrogenation catalyst. II | |
| US4880937A (en) | Method of producing alcohol compounds | |
| EP0055512B1 (en) | Process for the manufacture of 1-4-butanediol and tetrahydrofuran | |
| US2187745A (en) | Process for hydrogenating amides and imides to amines | |
| JP4263367B2 (ja) | Ｌ−フェニレフリンヒドロクロリドの調製方法 | |
| CN101678337A (zh) | 活化的碱金属催化剂 | |
| JP4326147B2 (ja) | 光学的に活性なアミノアルコール類の製造方法 | |
| EP0372544A2 (en) | Production of aliphatic secondary amines | |
| EP0224239B1 (en) | Process for preparing finely divided metal powders | |
| MXPA01001716A (es) | Catalizador de cobre de raney de lecho fijo. | |
| JPH04154731A (ja) | 脱保護方法 | |
| JP3345454B2 (ja) | 水素貯蔵合金を用いた還元方法 | |
| TW200911366A (en) | Activated base metal catalysts | |
| JP2932330B2 (ja) | 含窒素化合物の水素化還元方法 | |
| US5041656A (en) | Preparation process of (meth)acrylamide | |
| US3758494A (en) | Process for the preparation of 5-(4-aminobutyl)-hydantoin | |
| JPH04149160A (ja) | １―アミノ―４―アルコキシベンゼン類の製造方法 | |
| JPH03275637A (ja) | ビスシクロヘキサノールの製造方法 | |
| JPH09104695A (ja) | イベルメクチンの製造方法 | |
| JPH0665125A (ja) | アルコールの製法 | |
| CA1296327C (en) | Process of preparation of novel rhodium hydrogenation catalysts and theirapplication | |
| US6888030B2 (en) | Advances in amination | |
| JPS5920260A (ja) | Ｌ−アスパラギン酸ジペプチドエステルの還元的脱離による製造方法 | |
| JPH05148191A (ja) | アミノ化合物の製造方法 | |
| JPS62185041A (ja) | ２−（ｐ−イソブチルフエニル）プロピオン酸またはその塩の回収方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |